包括共用校準(zhǔn)參考電阻器的存儲器的系統(tǒng)及其校準(zhǔn)方法
【專利說明】包括共用校準(zhǔn)參考電阻器的存儲器的系統(tǒng)及其校準(zhǔn)方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求在2014年6月12日提交韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請N0.10-2014-0071260的優(yōu)先權(quán)，其整體內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實施例總體上涉及集成電路，更具體地，在一個或更多個實施例中，涉及具有多個存儲器的系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0004]在存儲器控制器控制存儲器芯片的電子系統(tǒng)中，它們能夠通過信號傳輸線路來通信。為了滿足高性能電子系統(tǒng)的需求，可應(yīng)用于存儲器和存儲器控制器之間的通信的一些通信標(biāo)準(zhǔn)需要高數(shù)據(jù)速率和低信號擺幅。然而，在低信號擺幅方面，即便是存儲器芯片和存儲器控制器之間的信號傳輸線路中的相對小量的外部噪聲或阻抗失配也可能引起信號失真。
[0005]片內(nèi)端接(0TD)是將用于在這樣的傳輸線路中阻抗匹配的電阻器設(shè)置在半導(dǎo)體芯片內(nèi)部而非半導(dǎo)體芯片外部某處的技術(shù)。0DT技術(shù)也可以應(yīng)用于存儲器芯片。
[0006]此外，在需要針對工藝、電壓和溫度(PVT)變化來校準(zhǔn)阻抗的情況下，可以使用ZQ校準(zhǔn)技術(shù)。例如，存儲器芯片可以耦接到外部參考電阻器，并且可以通過使用外部參考電阻器來執(zhí)行ZQ校準(zhǔn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在本發(fā)明的一個實施例中，一種半導(dǎo)體裝置可以包括:第一存儲器，其電耦接到共享參考電阻的第一端部；以及第二存儲器，其電耦接到共享參考電阻的第二端部，其中第一和第二存儲器中的每個通過響應(yīng)于時鐘信號和鏡像功能信號而有選擇地使用共享參考電阻來執(zhí)行其基本校準(zhǔn)操作。
[0008]在本發(fā)明的一個實施例中，一種半導(dǎo)體裝置可以包括:第一存儲器，其電耦接到共享參考電阻的第一端部；以及第二存儲器，其電耦接到共享參考電阻的第一端部，其中共享參考電阻的第二端部電耦接到接地電壓，以及其中第一和第二存儲器中的每個通過響應(yīng)于時鐘信號和鏡像功能信號而有選擇地連接到共享參考電阻來執(zhí)行其基本校準(zhǔn)操作。
[0009]在本發(fā)明的一個實施例中，一種包括共同耦接到共享參考電阻的第一和第二存儲器的半導(dǎo)體裝置的校準(zhǔn)方法可以包括:響應(yīng)于時鐘信號和鏡像功能信號而在第一時間區(qū)段對第一和第二存儲器中的一個執(zhí)行基本校準(zhǔn)操作；響應(yīng)于時鐘信號和鏡像功能信號而在第一時間區(qū)段對第一和第二存儲器中的另一個執(zhí)行基本校準(zhǔn)操作；以及響應(yīng)于操作控制信號和鏡像功能信號而對第一和第二存儲器交替地執(zhí)行校正校準(zhǔn)操作。
【附圖說明】
[0010]結(jié)合附圖描述特征、方面和實施例，在附圖中:
[0011]圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電子系統(tǒng)的電路圖，
[0012]圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電子系統(tǒng)的示意圖，
[0013]圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電子系統(tǒng)的電路圖，
[0014]圖4是圖示圖3中所示的電子系統(tǒng)的框圖，
[0015]圖5是圖示圖4中所示的第一校準(zhǔn)控制部的框圖，
[0016]圖6和圖7是圖不根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電子系統(tǒng)的操作的時序圖，
[0017]圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電子系統(tǒng)的電路圖，以及
[0018]圖9是圖示圖8中所示的電子系統(tǒng)的框圖。
【具體實施方式】
[0019]圖1是圖示電子系統(tǒng)10的電路圖。電子系統(tǒng)10可以包括第一存儲器11和第二存儲器12。第一存儲器11和第二存儲器12從存儲器控制器(未示出)接收時鐘信號CLK、數(shù)據(jù)DQ以及命令和地址信號CMD/ADD，并且響應(yīng)于存儲器控制器的控制信號來執(zhí)行讀取和寫入操作。第一存儲器11和第二存儲器12中的每個耦接到其自身的外部參考電阻RZQ以執(zhí)行校準(zhǔn)操作。
[0020]參考圖2，電子系統(tǒng)1可以包括第一存儲器110、第二存儲器120、存儲器控制器130和共享參考電阻器SRZQ。第一存儲器110和第二存儲器120可以層疊在襯底140上。例如，一個存儲器可以層疊在另一存儲器上。第一存儲器110和第二存儲器120中的每個可以包括多個半導(dǎo)體芯片。例如，第一存儲器110和第二存儲器120中的每個可以由層疊的半導(dǎo)體芯片形成。第一存儲器110和第二存儲器120可以響應(yīng)于存儲器控制器130的控制信號來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入和讀取操作。電子系統(tǒng)1還可以包括存儲器控制器130。例如，存儲器控制器130可以與襯底140上的第一存儲器110和第二存儲器120 —起封裝在單個封裝中。在本發(fā)明的一個實施例中，電子系統(tǒng)1可以實現(xiàn)成片上系統(tǒng)、封裝內(nèi)系統(tǒng)或多芯片封裝。第一存儲器110、第二存儲器120和存儲器控制器130可以使用凸球、球柵陣列或微凸點而在襯底140上封裝成層疊類型。襯底140可以是諸如插入式襯底的硅襯底，或者印刷電路板。第一存儲器110、第二存儲器120和存儲器控制器130中的每個可以通過諸如金屬線的信號線或者在襯底140中形成的穿通硅通孔而彼此電耦接。
[0021]共享參考電阻器SRZQ可以設(shè)置在襯底140之上。共享參考電阻器SRZQ可以共同地電耦接到第一存儲器110和第二存儲器120。參見圖1，第一存儲器11和第二存儲器12中的每個分別具有其自身的參考電阻RZQ。參見圖2，根據(jù)本公開的一個實施例的電子系統(tǒng)可以具有共用參考電阻器的多個存儲器。如圖2中所示，例如，共享參考電阻器SRZQ可以共同地電耦接到第一存儲器110和第二存儲器120。此外，第一存儲器110和第二存儲器120中的每個可以使用共享參考電阻器SRZQ來執(zhí)行校準(zhǔn)操作，所述共享參考電阻器SRZQ共同地耦接到第一存儲器110和第二存儲器120。
[0022]圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電子系統(tǒng)2的電路圖。電子系統(tǒng)2可以包括第一存儲器210、第二存儲器220和共享參考電阻器SRZQ。第一存儲器210和第二存儲器220可以從圖2中所示的存儲器控制器130接收時鐘信號CLK、數(shù)據(jù)DQ以及命令和地址信號CMD/ADD。第一存儲器210和第二存儲器220可以響應(yīng)于時鐘信號CLK、數(shù)據(jù)DQ以及命令和地址信號CMD/ADD來執(zhí)行各種操作，諸如數(shù)據(jù)寫入操作、數(shù)據(jù)讀取操作、測試操作、校準(zhǔn)操作和刷新操作。
[0023]共享參考電阻器SRZQ可以共同地耦接到第一存儲器210和第二存儲器220。例如，共享參考電阻器SRZQ的一個節(jié)點可以電耦接到第一存儲器210，而共享參考電阻器SRZQ的另一個節(jié)點可以電耦接到第二存儲器220。第一存儲器210和第二存儲器220中的每個可以響應(yīng)于時鐘信號CLK和鏡像功能信號MF而有選擇地使用共享參考電阻器SRZQ。當(dāng)?shù)谝淮鎯ζ?10響應(yīng)于時鐘信號CLK和鏡像功能信號MF而使用共享參考電阻器SRZQ時，第一存儲器210可以執(zhí)行其基本校準(zhǔn)操作。當(dāng)?shù)诙鎯ζ?20響應(yīng)于時鐘信號CLK和鏡像功能信號MF而使用共享參考電阻器SRZQ時，第二存儲器220可以執(zhí)行其基本校準(zhǔn)操作。第一存儲器210和第二存儲器220中的每個可以彼此獨立地執(zhí)行其自身的基本校準(zhǔn)操作。例如，可以依次執(zhí)行第一存儲器210的基本校準(zhǔn)操作和第二存儲器220的基本校準(zhǔn)操作。
[0024]第一存儲器210可以響應(yīng)于具有第一電平的鏡像功能信號來使用共享參考電阻器SRZQ，第二存儲器220可以響應(yīng)于具有第二電平的鏡像功能信號來使用共享參考電阻器SRZQ。例如，如果鏡像功能信號MF的第一電平是邏輯高電平，則鏡像功能信號的第二電平可以是邏輯低電平。例如，如果鏡像功能信號MF的第一電平是邏輯低電平，則鏡像功能信號MF的第二電平可以是邏輯高電平。例如，第一電平可以是接地電平，第二電平可以是電源電平，反之亦然。
[0025]例如，第一存儲器210和第二存儲器220可以響應(yīng)于操作控制信號而執(zhí)行其校正校準(zhǔn)操作，所述操作控制信號響應(yīng)于命令信號CMD而產(chǎn)生。在第一存儲器210和第二存儲器220完成其基本校準(zhǔn)操作之后，第一存儲器210和第二存儲器220可以響應(yīng)于操作控制信號和鏡像功能信號MF來交替地執(zhí)行其校正校準(zhǔn)操作。校正校準(zhǔn)操作可以包括在基本校準(zhǔn)操作完成之后執(zhí)行的任何類型的校準(zhǔn)操作。在校正校準(zhǔn)操作期間，在由于例如PVT變化而需要阻抗匹配的情況下，可以校正通過基本校準(zhǔn)操作設(shè)定的阻抗代碼。操作控制信號可以是用于第一存儲器210和第二存儲器220的各種操作的控制信號之一。例如，操作控制信號可以是指示第一存儲器210和第二存儲器220的刷新操作的刷新信號。在第一存儲器210和第二存儲器220是非易失性存儲器件的情況下，第一存儲器210和第二存儲器220可以執(zhí)行用于數(shù)據(jù)保持的刷新操作。在刷新操作期間存儲器不從存儲器控制器接收數(shù)據(jù)或者不向存儲器控制輸出數(shù)據(jù)。因此，在刷新操作期間存儲器可以執(zhí)行校正校準(zhǔn)操作。
[0026]圖4是圖示圖3中所示的電子系統(tǒng)2的框圖。圖4示出了包括第一存儲器210和第二存儲器220以及共享參考電阻器SRZQ的電子系統(tǒng)2的示例配置。參見圖4，第一存儲器210可以包括第一校準(zhǔn)控制部310、第一開關(guān)330和第一校準(zhǔn)電路350。校準(zhǔn)控制部310可以響應(yīng)于時鐘信號CL