用于優(yōu)化存儲(chǔ)設(shè)備的壽命的方法和裝置的制造方法
【專利說(shuō)明】用于優(yōu)化存儲(chǔ)設(shè)備的壽命的方法和裝置
[0001]相關(guān)串請(qǐng)的交叉引用
[0002]本公開(kāi)內(nèi)容要求提交于2013年6月21日的第61/838，008號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)和提交于2014年6月16日的第14/305,383號(hào)美國(guó)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，這些申請(qǐng)通過(guò)引用結(jié)合于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本公開(kāi)內(nèi)容總體涉及固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備系統(tǒng)和方法，并且更具體地涉及優(yōu)化固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的壽命。
【背景技術(shù)】
[0004]這里提供的【背景技術(shù)】描述是為了一般地呈現(xiàn)公開(kāi)內(nèi)容的背景。當(dāng)前名義的發(fā)明人的工作在這一【背景技術(shù)】章節(jié)中描述該工作的程度上以及該描述的可以在提交時(shí)未另外限定為現(xiàn)有技術(shù)的方面既未明確地也未暗示地承認(rèn)為相對(duì)于本公開(kāi)內(nèi)容的現(xiàn)有技術(shù)。
[0005]典型固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備(例如NAND閃存設(shè)備)的壽命經(jīng)常基于對(duì)設(shè)備執(zhí)行多少個(gè)編程/擦除周期(P/E周期)來(lái)確定。這些設(shè)備的磨損水平往往隨著P/E周期的數(shù)目成比例地增加，這引起更大數(shù)目的讀取錯(cuò)誤。然而，每個(gè)設(shè)備可以執(zhí)行的P/E周期的數(shù)目可以在設(shè)備之間變化。這樣，基于P/E周期的數(shù)目確定給定的設(shè)備的壽命的典型設(shè)備造成不準(zhǔn)確(例如過(guò)早地標(biāo)記壞設(shè)備/塊)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在一些實(shí)施例中，優(yōu)化存儲(chǔ)設(shè)備的壽命。接收用于將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到存儲(chǔ)設(shè)備的請(qǐng)求。存儲(chǔ)設(shè)備包括多個(gè)區(qū)域。作出多個(gè)區(qū)域的第一組區(qū)域與比多個(gè)區(qū)域的第二組區(qū)域更低的錯(cuò)誤測(cè)量閾值更低的錯(cuò)誤測(cè)量閾值的確定?；谠摯_定選擇存儲(chǔ)設(shè)備的在第一組區(qū)域中的區(qū)域。將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到選擇的區(qū)域。
[0007]在一些實(shí)現(xiàn)中，多個(gè)區(qū)域的每個(gè)區(qū)域與磨損水平關(guān)聯(lián)。在一些實(shí)現(xiàn)中，響應(yīng)于將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到選擇的區(qū)域來(lái)調(diào)整與選擇的區(qū)域關(guān)聯(lián)的磨損水平。在一些實(shí)施例中，響應(yīng)于向不同組移動(dòng)選擇的區(qū)域來(lái)重置與選擇的區(qū)域關(guān)聯(lián)的磨損水平。在一些實(shí)施例中，磨損水平代表擦除計(jì)數(shù)、編程-擦除(P/E)周期和在讀取操作中出現(xiàn)的錯(cuò)誤位的數(shù)目中的至少一個(gè)。
[0008]在一些實(shí)施例中，讀取被存儲(chǔ)到選擇的區(qū)域的數(shù)據(jù)。計(jì)算代表多少個(gè)錯(cuò)誤由從選擇的區(qū)域讀取數(shù)據(jù)而產(chǎn)生的錯(cuò)誤數(shù)目。響應(yīng)于確定錯(cuò)誤數(shù)目大于與第一組區(qū)域關(guān)聯(lián)的錯(cuò)誤測(cè)量閾值，從第一組區(qū)域向第二組區(qū)域移動(dòng)選擇的區(qū)域。
[0009]在一些實(shí)施例中，響應(yīng)于確定第一解碼技術(shù)未能解碼在選擇的部分中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，作出關(guān)于第二解碼技術(shù)是否成功地解碼在選擇的部分中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的確定。第二解碼技術(shù)可以比第一解碼技術(shù)更復(fù)雜。響應(yīng)于確定第二解碼技術(shù)成功地解碼數(shù)據(jù)，從第一組區(qū)域向第二組區(qū)域移動(dòng)選擇的區(qū)域。
[0010]在一些實(shí)施例中，標(biāo)識(shí)與用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的請(qǐng)求關(guān)聯(lián)的大小。作出關(guān)于在第一組中的區(qū)域的大小是否至少對(duì)應(yīng)于標(biāo)識(shí)的大小的確定。在一些實(shí)現(xiàn)中，錯(cuò)誤測(cè)量閾值代表讀取錯(cuò)誤的數(shù)目和用來(lái)解碼從區(qū)域的給定一個(gè)區(qū)域讀取的數(shù)據(jù)的解碼復(fù)雜度水平中的至少一個(gè)。
[0011]在一些實(shí)施例中，一種系統(tǒng)優(yōu)化存儲(chǔ)設(shè)備的壽命。該系統(tǒng)包括配置為接收用于將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到存儲(chǔ)設(shè)備的請(qǐng)求的控制電路裝置，其中存儲(chǔ)設(shè)備包括多個(gè)區(qū)域?？刂齐娐费b置被配置為確定多個(gè)區(qū)域的第一組區(qū)域與比多個(gè)區(qū)域的第二組區(qū)域更低的錯(cuò)誤測(cè)量閾值關(guān)聯(lián)?？刂齐娐费b置被配置為基于該確定選擇存儲(chǔ)設(shè)備的在第一組區(qū)域中的區(qū)域?？刂齐娐费b置被配置為將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到選擇的區(qū)域。
[0012]在一些實(shí)現(xiàn)中，多個(gè)區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域與磨損水平關(guān)聯(lián)。控制電路裝置還被配置為響應(yīng)于將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到選擇的區(qū)域來(lái)調(diào)整與選擇的區(qū)域關(guān)聯(lián)的磨損水平。在一些實(shí)現(xiàn)中，控制電路裝置還被配置為響應(yīng)于向不同組移動(dòng)選擇的區(qū)域來(lái)重置與選擇的區(qū)域關(guān)聯(lián)的磨損水平。磨損水平可以代表錯(cuò)誤計(jì)數(shù)、編程-擦除(P/E)周期和在讀取操作中出現(xiàn)的錯(cuò)誤位數(shù)目中的至少一個(gè)。
[0013]在一些實(shí)施例中，控制電路裝置還被配置為響應(yīng)于確定第一解碼技術(shù)未能解碼在選擇的部分中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)來(lái)確定第二解碼技術(shù)是否成功地解碼在選擇的部分中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，其中第二解碼技術(shù)比第一解碼技術(shù)更復(fù)雜。響應(yīng)于確定第二解碼技術(shù)成功地解碼數(shù)據(jù)，控制電路裝置還被配置為從第一組區(qū)域向第二組區(qū)域移動(dòng)選擇的區(qū)域。
[0014]在一些實(shí)施例中，控制電路裝置還被配置為標(biāo)識(shí)與用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的請(qǐng)求關(guān)聯(lián)的大小?？刂齐娐费b置還被配置為確定在第一組中的區(qū)域的大小是否至少對(duì)應(yīng)于標(biāo)識(shí)的大小。在一些實(shí)現(xiàn)中，錯(cuò)誤測(cè)量閾值可以代表讀取錯(cuò)誤的數(shù)目和用來(lái)解碼從區(qū)域的給定一個(gè)區(qū)域讀取的數(shù)據(jù)的解碼復(fù)雜度水平中的至少一個(gè)。
[0015]在一些實(shí)施例中，一種存儲(chǔ)設(shè)備被劃分成多個(gè)區(qū)域。錯(cuò)誤特性與多個(gè)區(qū)域的每個(gè)區(qū)域關(guān)聯(lián)。多個(gè)區(qū)域的每個(gè)區(qū)域基于相應(yīng)區(qū)域的關(guān)聯(lián)錯(cuò)誤特性而被分組成多個(gè)組的對(duì)應(yīng)組，其中每個(gè)組對(duì)應(yīng)于不同的錯(cuò)誤測(cè)量閾值。
【附圖說(shuō)明】
[0016]在附圖和以下描述中闡述一個(gè)或者多個(gè)實(shí)現(xiàn)的細(xì)節(jié)。其它特征和各種優(yōu)點(diǎn)將在考慮結(jié)合附圖進(jìn)行的以下具體描述時(shí)更清楚，在附圖中:
[0017]圖1是根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例的不例存儲(chǔ)設(shè)備系統(tǒng)的圖；
[0018]圖2是根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例的示例存儲(chǔ)塊分組表的圖；以及
[0019]圖3和圖4是根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例的用于優(yōu)化存儲(chǔ)設(shè)備的壽命的示例過(guò)程。
【具體實(shí)施方式】
[0020]本公開(kāi)內(nèi)容總體涉及優(yōu)化存儲(chǔ)設(shè)備的壽命。出于示例目的，在固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備(例如閃存設(shè)備或者基于NAND的存儲(chǔ)設(shè)備)的上下文中描述本公開(kāi)內(nèi)容。然而，應(yīng)當(dāng)理解本公開(kāi)內(nèi)容適用于任何其它類型的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備(例如磁存儲(chǔ)設(shè)備、ROM、PROM, EPROM,EEPROM、nvSRAM、FeRAM、MRAM、PRAM、CBRAM、S0N0S、RRAM、NRAM、Millipede 存儲(chǔ)器或者全息存儲(chǔ)設(shè)備)。
[0021]圖1是根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例的示例存儲(chǔ)設(shè)備系統(tǒng)100的圖。系統(tǒng)100包括控制電路裝置110、固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備120、存儲(chǔ)塊分組表130和錯(cuò)誤糾正/檢測(cè)電路裝置140。
[0022]在一些實(shí)施例中，控制電路裝置110可以從另一系統(tǒng)部件(未示出)接收數(shù)據(jù)140。例如數(shù)據(jù)140可以由應(yīng)用或者另一存儲(chǔ)設(shè)備(例如DRAM)提供。數(shù)據(jù)140可以包括用戶數(shù)據(jù)部分、地址部分和指示讀取或者寫(xiě)入請(qǐng)求(例如指示是否讀取或者向地址部分寫(xiě)入用戶數(shù)據(jù))的控制部分。
[0023]存儲(chǔ)塊分組表130可以包括存儲(chǔ)設(shè)備120的塊和組編號(hào)的映射。例如存儲(chǔ)設(shè)備120可以包括多個(gè)部分或者區(qū)域(例如塊)。每個(gè)部分或者區(qū)域可以被配置為存儲(chǔ)預(yù)定數(shù)目的信息位。在一些實(shí)現(xiàn)中，每個(gè)部分或者區(qū)域可以包括信息部分。信息部分可以存儲(chǔ)或跟蹤在給定的部分或者區(qū)域執(zhí)行的P/E周期的數(shù)目和/或在該部分或者區(qū)域中出現(xiàn)的讀取錯(cuò)誤的數(shù)目。初始地，所有部分或者區(qū)域可以與可以是最低級(jí)組的第一組編號(hào)(例如組0)關(guān)聯(lián)。在一些實(shí)施例中，控制電路裝置110可以在系統(tǒng)100被重置或者接收重置信號(hào)時(shí)關(guān)聯(lián)存儲(chǔ)設(shè)備120的所有部分或者區(qū)域與第一組編號(hào)。為了關(guān)聯(lián)存儲(chǔ)設(shè)備120的所有部分或者區(qū)域與第一組編號(hào)，控制電路裝置110可以在表130中在與第一級(jí)組對(duì)應(yīng)的行中存儲(chǔ)與存儲(chǔ)設(shè)備120中的所有部分或者區(qū)域的標(biāo)識(shí)符。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)設(shè)備120的所有部分或者區(qū)域可以在存儲(chǔ)設(shè)備120在工廠中被生產(chǎn)之后就立即與第一組編號(hào)關(guān)聯(lián)。在存儲(chǔ)設(shè)備120的部分或者區(qū)域與不同組編號(hào)之間的后續(xù)關(guān)聯(lián)可以在系統(tǒng)被重置或者接收重置信號(hào)時(shí)未改變。
[0024]在一些實(shí)施例中，表130可以被劃分成多組。每個(gè)組可以與不同水平和不同錯(cuò)誤測(cè)量閾值項(xiàng)關(guān)聯(lián)。在一些實(shí)現(xiàn)中，錯(cuò)誤測(cè)量閾值可以代表從給定的部分或者區(qū)域讀取數(shù)據(jù)產(chǎn)生的讀取錯(cuò)誤的數(shù)目。在一些實(shí)現(xiàn)中，錯(cuò)誤測(cè)量閾值可以代表用來(lái)解碼從給定的部分或者區(qū)域讀取的數(shù)據(jù)的解碼復(fù)雜度水平(例如一個(gè)水平可以是使用硬信息的LDPC