一種數(shù)據(jù)讀寫方法及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域，尤其涉及一種數(shù)據(jù)讀寫方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 傳統(tǒng)硬盤目前仍是主流的儲(chǔ)存手段，不過有著耗電量高、不耐震和存在運(yùn)轉(zhuǎn)增雜 的缺點(diǎn)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中，已開發(fā)出一種"賽道"存儲(chǔ)器（如圖1所示）來取代傳統(tǒng)硬盤。送種 新型存儲(chǔ)介質(zhì)由娃基上的數(shù)十億個(gè)納米線陣列組成，每條納米線能容納數(shù)百比特的數(shù)據(jù)， 并通過改變沿納米線的磁特性，建立一系列的磁塞（磁疇壁），使得數(shù)據(jù)編碼在賽道存儲(chǔ)器 中。進(jìn)一步地，為了從每條納米線中讀寫數(shù)據(jù)，使磁疇壁沿著納米軌道移動(dòng)，單個(gè)文件就能 經(jīng)過讀裝置或?qū)懷b置的磁頭位置從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)讀寫。
[0004] 如圖1所示，當(dāng)端口 10和驅(qū)動(dòng)管35有效使能時(shí)，左邊軌道1中的數(shù)據(jù)被電流脈沖 驅(qū)動(dòng)，進(jìn)行讀操作，從讀裝置55 -貫而出，然而，在左邊軌道的數(shù)據(jù)在進(jìn)行讀操作后，原有 左邊軌道的數(shù)據(jù)被破壞，導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)讀寫方法及裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行讀操作后 新型存儲(chǔ)介質(zhì)中的數(shù)據(jù)遭到破壞導(dǎo)致丟失的問題，進(jìn)而保證了新型存儲(chǔ)介質(zhì)中數(shù)據(jù)的完整 性。
[0006] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：
[0007] 第一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)讀寫裝置，所述裝置是W新型存儲(chǔ)介質(zhì)， W及與所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)相連的讀寫電路相連接的閉合回路，其中：
[0008] 所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)，用于接收驅(qū)動(dòng)電流，所述驅(qū)動(dòng)電流用于驅(qū)動(dòng)所述新型存儲(chǔ)介 質(zhì)處于可讀寫狀態(tài)；
[0009] 所述讀寫電路，用于從所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)中讀出第一數(shù)據(jù)，并將所述驅(qū)動(dòng)電流的 方向置反，W及將所述第一數(shù)據(jù)寫回至所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0010] 在第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述讀寫電路，還用于對(duì)讀出的所述第 一數(shù)據(jù)進(jìn)行放大和模數(shù)轉(zhuǎn)換，W獲得數(shù)字信號(hào)形式的所述第一數(shù)據(jù)，并存儲(chǔ)所述數(shù)字信號(hào) 形式的第一數(shù)據(jù)。
[0011] 結(jié)合前述的第一方面及第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第二種 可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述讀寫電路包括讀裝置、讀裝置選通管、轉(zhuǎn)換電路、緩沖器、驅(qū)動(dòng)、寫 裝置W及寫裝置選通管；
[0012] 所述讀裝置與讀裝置選通管相連，所述讀裝置選通管與所述轉(zhuǎn)換電路相連；所述 轉(zhuǎn)換電路與所述緩沖器相連；所述緩沖器與所述驅(qū)動(dòng)相連，所述驅(qū)動(dòng)與所述寫裝置選通管 相連，所述寫裝置選通管與所述寫裝置相連；其中，
[0013] 所述讀裝置，用于獲取所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)的軌道上磁疇的磁化方向；
[0014] 所述寫裝置，用于改變所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)的軌道上磁疇的磁化方向；
[0015] 所述轉(zhuǎn)換電路，用于將所述第一數(shù)據(jù)進(jìn)行放大；W及將放大后的第一數(shù)據(jù)進(jìn)行模 數(shù)轉(zhuǎn)換，得到數(shù)據(jù)信號(hào)形式的第一數(shù)據(jù)；
[0016] 所述緩沖器，用于存儲(chǔ)所述數(shù)字信號(hào)形式的第一數(shù)據(jù)。
[0017] 結(jié)合第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第H種可能的實(shí)現(xiàn)方式 中，所述讀裝置選通管的柵極與讀裝置選通管字線相連，所述寫裝置選通管的柵極與寫裝 置選通管字線相連，其中，
[0018] 所述讀裝置，具體用于；若所述寫裝置選通管字線接低電平，所述讀裝置選通管字 線接高電平，則從所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)獲取所述第一數(shù)據(jù)；
[0019] 所述寫裝置，具體用于；若所述寫裝置選通管字線接高電平，所述讀裝置選通管字 線接低電平，則將所述第一數(shù)據(jù)寫回至所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0020] 在第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述讀寫電路，還用于從輸入輸出端口 I/O獲取所述第一數(shù)據(jù)；W及將所述第一數(shù)據(jù)寫入所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0021] 結(jié)合前述的第一方面及第一方面的第一至第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的 第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)為x-bar型磁性軌道存儲(chǔ)器、TMR(Tunneling Magnetoresistance，隧道磁電阻）磁頭磁性軌道存儲(chǔ)器，或者L型磁性軌道存儲(chǔ)器。
[0022] 第二方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)讀寫方法，包括：
[0023] 接收驅(qū)動(dòng)電流，所述驅(qū)動(dòng)電流用于驅(qū)動(dòng)所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)處于可讀寫狀態(tài)；
[0024] 從所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)中讀出第一數(shù)據(jù)；
[00巧]將所述驅(qū)動(dòng)電流的方向置反；
[0026] 將所述第一數(shù)據(jù)寫回至所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0027] 在第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述將所述第一數(shù)據(jù)寫回至所述新型存 儲(chǔ)介質(zhì)，包括：
[0028] 對(duì)所述第一數(shù)據(jù)進(jìn)行寫入驅(qū)動(dòng)；
[0029] 將寫入驅(qū)動(dòng)后的第一數(shù)據(jù)發(fā)送至所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0030] 在第二方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在所述從所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)中讀出第一 數(shù)據(jù)之后，還包括：
[0031] 對(duì)讀出的所述第一數(shù)據(jù)進(jìn)行放大和模數(shù)轉(zhuǎn)換，W獲得數(shù)字信號(hào)形式的所述第一數(shù) 據(jù)；
[0032] 將數(shù)字信號(hào)形式的所述第一數(shù)據(jù)寄存在緩沖器中。
[0033] 在第二方面的第H種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在所述接收驅(qū)動(dòng)電流之后，還包括：
[0034] 獲取所述第一數(shù)據(jù)；
[0035] 對(duì)所述第一數(shù)據(jù)進(jìn)行寫入驅(qū)動(dòng)，進(jìn)而發(fā)送至所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)。
[0036] 結(jié)合前述的第二方面及第二方面的第一至第H種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二方面的 第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)為X-bar型磁性軌道存儲(chǔ)器、隧道磁電阻TMR 磁頭磁性軌道存儲(chǔ)器，或者L型磁性軌道存儲(chǔ)器。
[0037] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)讀寫方法及裝置，在讀出新型存儲(chǔ)介質(zhì)中的數(shù)據(jù)后 進(jìn)行寄存，并將所述新型存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電流方向置反，進(jìn)而將讀出的數(shù)據(jù)寫回至新型 存儲(chǔ)介質(zhì)，實(shí)現(xiàn)了磁性存儲(chǔ)軌道中數(shù)據(jù)的回寫，解決了磁性軌道存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)被讀出時(shí)，原 有磁性軌道中的數(shù)據(jù)遭到破壞的問題。
【附圖說明】
[0038] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，還可W根據(jù)送些附圖獲得其他的附圖。
[0039]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中賽道存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040] 圖2為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種數(shù)據(jù)讀寫裝置的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0041]圖3為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種數(shù)據(jù)讀寫裝置的結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0042] 圖4為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種數(shù)據(jù)讀寫裝置的結(jié)構(gòu)示意圖H;
[0043] 圖5為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種X-bar型磁性軌道存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀寫裝置的結(jié) 構(gòu)示意圖；
[0044] 圖6為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種TMR磁頭磁性軌道存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀寫裝置的結(jié) 構(gòu)示意圖；
[0045] 圖7為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種L型磁性軌道存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)讀寫裝置的結(jié)構(gòu)示 意圖；
[0046] 圖8為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種數(shù)據(jù)讀寫方法的流程示意圖一；
[0047] 圖9為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種數(shù)據(jù)讀寫方法的流程示意圖二。
【具體實(shí)施方式】
[004引 W下描述中，為了說明而不是為了限定，提出了諸如特定系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、接口、技術(shù)之 類的具體細(xì)節(jié)，W便透徹理解本發(fā)明。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，在沒有送些具體 細(xì)節(jié)的其它實(shí)施例中也可W實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。在其它情況中，省略對(duì)眾所周知的裝置、電路W及 方法的詳細(xì)說明，W免不必要的細(xì)節(jié)妨礙本發(fā)明的描述。
[0049] 目前，傳統(tǒng)硬盤已經(jīng)被新型存儲(chǔ)介質(zhì)逐漸取代，送種新型存儲(chǔ)介質(zhì)為具有磁性軌 道的存儲(chǔ)介質(zhì)，具體的，該新型存儲(chǔ)介質(zhì)由娃基上的數(shù)十億個(gè)納米線陣列組成，通過改變沿 納米線的磁特性，建立一系列的磁塞（磁疇），使數(shù)據(jù)得W存儲(chǔ)在新型存儲(chǔ)介質(zhì)中。然而，當(dāng) 新型存儲(chǔ)介質(zhì)中的數(shù)據(jù)被讀出后，新型存儲(chǔ)介質(zhì)中被讀出的該數(shù)據(jù)會(huì)遭到破壞，導(dǎo)致數(shù)據(jù) 丟失，基于此，本發(fā)明的實(shí)施例