ELn作 出響應(yīng)以選擇可表示待從存儲(chǔ)器單元103讀取或待被編程到存儲(chǔ)器單元103中的數(shù)據(jù)的值 的第一數(shù)據(jù)線106及第二數(shù)據(jù)線113上的信號(hào)。列解碼器108可基于地址線109上的A0 到AX地址信號(hào)而選擇性激活CSEL1到CSELn信號(hào)。選擇器140可選擇第一數(shù)據(jù)線106及 第二數(shù)據(jù)線113上的信號(hào)以在讀取及編程操作期間提供存儲(chǔ)器陣列102與I/O電路117之 間的通信。頁(yè)面緩沖器142可在從外部裝置（例如主機(jī)）接收的數(shù)據(jù)被編程到存儲(chǔ)器陣列 102的相關(guān)部分（例如存儲(chǔ)器單元103)之前存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)，或在從存儲(chǔ)器陣列102讀取的 數(shù)據(jù)被傳輸?shù)酵獠垦b置（例如主機(jī)）之前存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)。
[0035] 存儲(chǔ)器裝置100可包括非易失性存儲(chǔ)器裝置且存儲(chǔ)器單元103可包含非易失性存 儲(chǔ)器單元使得當(dāng)電力（例如Vcc 130、Vss 132或兩者）從存儲(chǔ)器裝置100斷開(kāi)時(shí)，存儲(chǔ)器 單元103可保留存儲(chǔ)于其中的數(shù)據(jù)。
[0036] 存儲(chǔ)器單元103中的每一者可包含具有其至少一部分可（例如通過(guò)存儲(chǔ)電荷存儲(chǔ) 結(jié)構(gòu)（例如浮動(dòng)?xùn)艠O或電荷捕獲）上的對(duì)應(yīng)電荷量，或通過(guò)經(jīng)編程到對(duì)應(yīng)電阻值）經(jīng)編程 到所需數(shù)據(jù)狀態(tài)的材料的存儲(chǔ)器元件。因此，不同數(shù)據(jù)狀態(tài)可表示經(jīng)編程到存儲(chǔ)器單元103 中的每一者中的不同數(shù)據(jù)值。
[0037] 當(dāng)存儲(chǔ)器裝置100 (例如從外部處理器或存儲(chǔ)器控制器）接收到編程命令及待被 編程到存儲(chǔ)器單元103中的一或多個(gè)所選存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)值時(shí)，其可執(zhí)行編程操作?；?于所述數(shù)據(jù)值，存儲(chǔ)器裝置100可將所選存儲(chǔ)器單元編程到適當(dāng)數(shù)據(jù)狀態(tài)以表示待存儲(chǔ)于 其中的數(shù)據(jù)值。
[0038] 所屬領(lǐng)域技術(shù)人員可認(rèn)識(shí)到存儲(chǔ)器裝置100可包含其它組件，其至少一些在文中 被討論。然而，無(wú)需在圖式中展示若干這些組件以免混淆所描述的各種實(shí)施例。存儲(chǔ)器裝 置100可包含裝置及存儲(chǔ)器單元，且使用與下文參考文中討論的各種其它圖式及實(shí)施例描 述的操作相似或相同的存儲(chǔ)器操作（例如編程及擦除操作）來(lái)操作。
[0039] 圖2展示根據(jù)各種實(shí)施例的依3D NAND存儲(chǔ)器裝置200的形式的存儲(chǔ)器陣列（例 如存儲(chǔ)器陣列102)的方框圖。參考圖2,3D NAND存儲(chǔ)器裝置200可包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元 串。在各種實(shí)施例中，沿第一（例如Z-Z'）方向，每一存儲(chǔ)器單元串可包括（例如）彼此堆 疊的三十二個(gè)存儲(chǔ)器單元，其中每一存儲(chǔ)器單元對(duì)應(yīng)于（例如）三十二層（例如層〇到層 31)中的一者。相應(yīng)串的存儲(chǔ)器單元可共享共同通道區(qū)域，例如形成于半導(dǎo)體材料（例如多 晶硅）的相應(yīng)支柱（存儲(chǔ)器單元串圍繞其而形成）中的一個(gè)區(qū)域。
[0040] 在各種實(shí)施例中，沿第二（例如X-X'）方向，每一第一群組（例如十六個(gè)第一群 組）的多個(gè)串可包括（例如）共享多個(gè)（例如三十二個(gè)）存取線（WL)的八個(gè)串。多個(gè)存 取線（下文可與"全局控制柵極（CG)線"互換地使用）中的每一者可耦合（例如電連接或 以其它方式可操作地連接）對(duì)應(yīng)于第一群組中的對(duì)應(yīng)群組的每一串的多個(gè)層中的相應(yīng)層 的存儲(chǔ)器單元。當(dāng)每一存儲(chǔ)器單元包括能夠存儲(chǔ)兩個(gè)位的數(shù)據(jù)的MLC時(shí)，耦合到相同存取 線（且因此對(duì)應(yīng)于相同層）的存儲(chǔ)器單元可被邏輯分組到（例如）兩個(gè)頁(yè)面中，例如P0/ P32、P1/P33、P2/P34 等等。
[0041] 在各種實(shí)施例中，沿第三（例如Y-Y'）方向，每一第二群組（例如八個(gè)第二群組） 的多個(gè)串可包括（例如）耦合到八個(gè)數(shù)據(jù)線（BL)中的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線的十六個(gè)串。在一個(gè)實(shí)施 例中，歸因于CG驅(qū)動(dòng)器布局限制，例如，對(duì)應(yīng)于每一第二群組的串中的（例如十六個(gè)）串的 相應(yīng)層的（例如十六個(gè)）存儲(chǔ)器單元的CG可物理地耦合為相應(yīng)板，如由圖2中的上部（虛 線）矩形指示。類似地，每一第二群組的串中的（例如十六個(gè)）串的源極選擇柵極（SGS) 可物理地耦合為相應(yīng)板，如由圖2中的底部（虛線）矩形指示。在此案例中，例如，3D NAND 存儲(chǔ)器裝置200的存儲(chǔ)器陣列的大小可包含（例如）十六個(gè)存儲(chǔ)器塊，且可包括1，024個(gè) 頁(yè)面且全部約16MB(例如16WL x 32層x 2位=1，024頁(yè)面/塊，塊大小=1，024頁(yè)面x 16KB/頁(yè)面=16MB)。雖然使用特定數(shù)目以解釋及闡明，但是如所屬領(lǐng)域技術(shù)人員已知，串、 層、存取線、數(shù)據(jù)線、第一群組、第二群組或頁(yè)面的數(shù)目可大于或小于圖2中所示的數(shù)目。還 應(yīng)注意，在各種實(shí)施例中，圖2中示意地所示的每一存儲(chǔ)器單元串可表示沿第二方向（例如 X-X'）或沿第三方向（例如Y-Y'）的多個(gè)串。
[0042] 圖3展示沿X-X'方向的圖2的3D NAND存儲(chǔ)器裝置200的（所選）存儲(chǔ)器塊300 的橫截面圖，但是在此實(shí)施例中（所選）存儲(chǔ)器塊包含關(guān)于圖2描述（例如）十六個(gè)第一 群組的串的一個(gè)第一群組中的十五個(gè)存儲(chǔ)器單元串。存儲(chǔ)器塊300的多個(gè)串可被分裂成多 個(gè)（例如三個(gè)）"子集"310、320、330,其中每一子集包括存儲(chǔ)器塊300的"部分塊"。對(duì)應(yīng) 于多個(gè)（例如三十二個(gè)（32))層中的相應(yīng)層的存儲(chǔ)器單元可包括（至少）頁(yè)面（例如頁(yè)面 390)。每一頁(yè)面（例如頁(yè)面390)可包括多個(gè)（例如三個(gè)）部分頁(yè)面（例如部分頁(yè)面392 到部分頁(yè)面396)，其中每一部分頁(yè)面包括對(duì)應(yīng)于多個(gè)部分塊中的相應(yīng)部分塊及對(duì)應(yīng)于多個(gè) 層中的相應(yīng)層的存儲(chǔ)器單元。
[0043] 在各種實(shí)施例中，每一部分頁(yè)面（例如部分頁(yè)面392、394或396)可包括瓦片，且 可獨(dú)立于其它部分頁(yè)面（例如瓦片）而選擇（例如偏置）。在此情況下，例如，部分塊310 到部分塊330中的每一者可包括瓦片列（例如瓦片列i、瓦片列」及瓦片列 k)，其中每一瓦 片列包括對(duì)應(yīng)于多個(gè)層（例如層0到層31)的瓦片的集合（例如組）。在各種實(shí)施例中，可 對(duì)部分塊（例如瓦片列）或部分頁(yè)面（例如單一瓦片）執(zhí)行存儲(chǔ)器（例如編程、讀取、讀取 或驗(yàn)證）操作。應(yīng)注意，雖然圖3經(jīng)展示只具有存儲(chǔ)器塊300中的三個(gè)部分塊（及在給定 頁(yè)面中的三個(gè)部分頁(yè)面），但是在各種實(shí)施例中可采用更大（例如十六個(gè)（16)或更多）或 更?。ɡ缫粋€(gè)（1)或兩個(gè)（2))部分塊（及在給定頁(yè)面中的部分頁(yè)面）。
[0044] 在各種實(shí)施例中，（雖然未在圖3中展示），每一存儲(chǔ)器塊（例如存儲(chǔ)器塊300)、 部分塊（例如部分塊310、320或330)、頁(yè)面（例如頁(yè)面390)或部分頁(yè)面（例如部分頁(yè)面 392、394或396)可包括沿第三（例如Y-Y'）方向的方向的多個(gè)存儲(chǔ)器單元串（的至少一部 分）。
[0045] 在各種實(shí)施例中，存儲(chǔ)器塊300 (或3D NAND存儲(chǔ)器裝置200中的任何其它存儲(chǔ)器 塊）可被電分裂成包含部分頁(yè)面的多個(gè)更小單元。
[0046] 例如，在一個(gè)實(shí)施例中，可耦合到多個(gè)串的SGD的全局漏極選擇柵極（SGD)線340 可經(jīng)由多個(gè)（例如三個(gè)）局部S⑶驅(qū)動(dòng)器332、334、336中的對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)器耦合到多個(gè)（例如 三個(gè)）局部S⑶線342、344、346,其中每一局部S⑶線對(duì)應(yīng)于相應(yīng)部分塊（例如瓦片列）。 (例如）當(dāng)對(duì)應(yīng)部分塊應(yīng)與其它部分塊隔離時(shí)，局部SGD驅(qū)動(dòng)器332到336中的每一者可獨(dú) 立于其它部分塊的SGD同時(shí)耦合或切斷對(duì)應(yīng)部分塊（例如瓦片列）的串的SGD。
[0047] 類似地，可耦合到多個(gè)串的SGS的全局SGS線360可經(jīng)由多個(gè)（例如三個(gè)）局部 SGS驅(qū)動(dòng)器322、324、326中的對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)器而耦合到多個(gè)（例如三個(gè)）局部SGS線362、364、 366,其中每一局部SGS線對(duì)應(yīng)于相應(yīng)子集（例如瓦片列）。局部SGS驅(qū)動(dòng)器322到326中 的每一者可獨(dú)立于其它部分塊的串的SGS同時(shí)耦合或切斷對(duì)應(yīng)部分塊（例如瓦片列）的串 的SGS，（例如）以將對(duì)應(yīng)部分塊與其它部分塊電隔尚。
[0048] 在各種實(shí)施例中，如圖2中所示，針對(duì)存儲(chǔ)器塊300的串的多個(gè)層中的相應(yīng)層，全 局存取線（例如全局CG線）350可耦合到對(duì)應(yīng)于多個(gè)串中的每一者的相應(yīng)層的存儲(chǔ)器單 元。每一全局CG線（例如全局CG線350)可經(jīng)由多個(gè)（例如三個(gè)）局部串驅(qū)動(dòng)器312、314 及316中的對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)器而耦合到多個(gè)（例如三個(gè)）局部存取線（例如局部CG線）352、354、 356。局部串驅(qū)動(dòng)器中的每一者可獨(dú)立于其它部分塊及/或其它層的存儲(chǔ)器單元同時(shí)耦合 或切斷對(duì)應(yīng)于相應(yīng)部分塊或?qū)拥拇鎯?chǔ)器單元，（例如）以將對(duì)應(yīng)部分塊及/或?qū)优c其它部 分塊及/或?qū)痈綦x。
[0049] 在各種實(shí)施例中，局部串驅(qū)動(dòng)器312到316中的每一者可包括電壓晶體管以支持 (例如）高達(dá)約20V的電壓范圍，且所述電壓晶體管的通道長(zhǎng)度可約為2 ym，而存儲(chǔ)器單元 (例如電荷存儲(chǔ)裝置）的通道長(zhǎng)度可約為20nm。在各種實(shí)施例中，局部串驅(qū)動(dòng)器312到316 可位于行解碼器中，且可使用（例如）CUA科技將行解碼器放置于存儲(chǔ)器陣列（例如存儲(chǔ)器 陣列102)下。此允許減小電路所需的面積。
[0050] 在各種實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)于相應(yīng)部分塊的串可耦合到局部源極372、374及376中的 對(duì)應(yīng)源極（例如"瓦片源極"），其中每一局部源極耦合到相應(yīng)電源，例如局部源極驅(qū)動(dòng)器 (未展示）。在各種實(shí)施例中，部分塊源極解碼器（例如瓦片列源極解碼器）及/或部分塊 漏極解碼器（例如瓦片列漏極解碼器）可用于從（例如）外部處理器接收列地址（例如串 的地址），且用于使用列地址來(lái)選擇部分塊的局部源極（例如瓦片源極）、局部SGS線，及/ 或局部SGD線。當(dāng)對(duì)應(yīng)部分塊應(yīng)與其它部分塊隔離時(shí)，局部源極驅(qū)動(dòng)器中的每一者可獨(dú)立 于其它部分塊的串的源極同時(shí)耦合或切斷對(duì)應(yīng)部分塊的串的源極。
[0051] 圖4展示根據(jù)各種實(shí)施例的沿Y-Y'方向的圖2的3D NAND存儲(chǔ)器裝置200的存 儲(chǔ)器塊400的橫截面圖。參考圖4,所描繪的存儲(chǔ)器塊橫截面400可包括耦合到相同數(shù)據(jù)線 (經(jīng)展示為線Y-Y'）的存儲(chǔ)器單元的多個(gè)（例如十六個(gè)）串，且對(duì)應(yīng)于關(guān)于圖2描述的（例 如）八個(gè)第二群組的串中的一者。如關(guān)于圖2所提及，在各種實(shí)施例中，相應(yīng)層的每一存儲(chǔ) 器單元可耦合到相同板（例如板CG0到CG31中的一者）。類似地，多個(gè)串的（例如十六個(gè)） SGS可耦合到相同SGS板。在各種實(shí)施例中，多個(gè)串的S⑶（例如S⑶0到S⑶15)中的每一 者可彼此分離。在各種實(shí)施例中，多個(gè)串可耦合到（共享）源極410。
[0052] 圖5展示圖2的3D NAND存儲(chǔ)器裝置200的俯視圖500,但是在此實(shí)施例中包含 2, 049個(gè)塊（例如各自對(duì)應(yīng)于例如存儲(chǔ)器塊300的存儲(chǔ)器塊），包含塊0到塊2, 047及保留 塊"RSV"，且每一頁(yè)面（例如頁(yè)面510)包含十六個(gè)部分頁(yè)面（例如部分頁(yè)面512到542)。 每一頁(yè)面可（例如）包括對(duì)應(yīng)于約16, 384個(gè)字節(jié)（例如約16KB)的存儲(chǔ)器單元。如上文 描述，（例如）關(guān)于圖3,每一部分頁(yè)面可對(duì)應(yīng)于（單一）瓦片，且每一瓦片可獨(dú)立于其它瓦 片而選擇以用于存儲(chǔ)器操作。
[0053] 在各種實(shí)施例中，可組合多個(gè)（例如兩個(gè)或四個(gè)）瓦片以形成瓦片群組。瓦片群 組結(jié)構(gòu)可用于（例如）通過(guò)