程次數(shù)獲取衰退模型的數(shù)據(jù)后調(diào)整編程時的編程電壓，以補充編程時存儲單元的閾值電壓和理想閾值電壓的差值。
[0098]本發(fā)明實施里提供的NAND型FLASH的編程方法，根據(jù)NAND型FLASH內(nèi)存入的衰退模型，在編程時根據(jù)衰退模型的數(shù)據(jù)調(diào)整相應的編程方式對NAND型FLASH進行編程。因此本發(fā)明實施例提供的編程方法根據(jù)衰退模型存入的數(shù)據(jù)調(diào)整編程的方式進行編程，補償了在編程時存儲單元因干擾因素的影響而造成的存儲單元閾值電壓的變化；實現(xiàn)了有效的編程操作，提升NAND型FLASH的可靠性，保證了 NAND型FLASH數(shù)據(jù)保持的完整性、耐久力及抗干擾性。
[0099]圖4示出的是本發(fā)明實施例四中NAND型FLASH讀取方法流程示意圖；本實施例的實施也是以已建立的衰退模型為基礎的。參照圖4，本實施例中NAND型FLASH讀取方法包括:
[0100]步驟401、在NAND型FLASH電復位后，確定衰退模型的位置。
[0101]在具體應用中NAND型FLASH往往應用于閃存盤及數(shù)碼電子設備的存儲卡中等。在存儲陣列上電復位后，為利用存儲在在NAND型FLASH存儲陣列中的衰退模型對每次讀取進行補償，增強其可靠性，則需要首選確定衰退模型的存儲位置。
[0102]具體的，衰退模型可以存儲在在NAND型FLASH存儲陣列的預設存儲塊中，也可以將衰退模型分別存儲分散存儲在存儲塊中，還可以將衰退模型存儲在NAND型存儲陣列的外部存儲器中。當上電復位后即獲取衰退模型的位置，也即是確定衰退模型預先存儲的那個位置。
[0103]優(yōu)選的，本實施例中，衰退模型的位置為存儲陣列中預設存儲塊。也即是，將衰退模型的位置固化存儲在存儲陣列中預設存儲塊上。
[0104]步驟402、確定位置后，獲取衰退模型的數(shù)據(jù)。
[0105]衰退模型的數(shù)據(jù)是指衰退模型中存儲的每次讀取次數(shù)和相應閾值電壓狀態(tài)的映射關(guān)系。例如，閾值電壓是讀取時的實際閾值電壓和讀取時的理想閾值電壓的差值的映射關(guān)系時，則衰退模型的數(shù)據(jù)是指每次讀取次數(shù)和每次讀取次數(shù)時實際閾值電壓和理想閾值電壓的差值。
[0106]步驟403、將衰退模型的數(shù)據(jù)存入RAM中。
[0107]隨機存儲器(random access memory, RAM)存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器，并具有高速的存取與讀取速度。當上電復位后，獲取衰退模型的數(shù)據(jù)后為實現(xiàn)衰退模型數(shù)據(jù)的實時的讀取，本步驟中將衰退模型的數(shù)據(jù)存入RAM中。
[0108]步驟404、根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調(diào)整相應的讀取方式對存儲陣列進行讀取。
[0109]本實施例中，根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調(diào)整讀取時的讀取電壓，也即是參考電壓的值對存儲陣列進行讀取。具體的，本實施例中，當每次進行讀取時，獲取讀取的次數(shù)，根據(jù)讀取的次數(shù)在衰退模型中的映射關(guān)系。當衰退模型的數(shù)據(jù)是指讀取時的閾值電壓和理想閾值電壓的差時，則此時根據(jù)讀取次數(shù)獲取衰退模型的數(shù)據(jù)后調(diào)整讀取時的讀取電壓，以補充讀取時存儲單元的閾值電壓和理想閾值電壓的差值。
[0110]本發(fā)明實施里提供的NAND型FLASH的讀取方法，根據(jù)NAND型FLASH內(nèi)存入的衰退模型，在讀取時根據(jù)衰退模型的數(shù)據(jù)調(diào)整相應的讀取方式對NAND型FLASH進行讀取。因此本發(fā)明實施例提供的讀取方法根據(jù)衰退模型存入的數(shù)據(jù)調(diào)整讀取的方式進行讀取，補償了在讀取時存儲單元因干擾因素的影響而造成的存儲單元閾值電壓的變化；實現(xiàn)了有效的讀取操作，提升NAND型FLASH的可靠性，保證了 NAND型FLASH數(shù)據(jù)保持的完整性、耐久力及抗干擾性。
[0111]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本發(fā)明可以有各種改動和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種NAND型FLASH的擦除方法，包括: 在NAND型FLASH上電復位后，確定衰退模型的位置； 確定所述衰退模型的位置后，獲取所述衰退模型的數(shù)據(jù)； 將所述衰退模型的數(shù)據(jù)存入RAM中； 判斷預擦除位置是否存入衰退模型； 當所述預擦除位置未存入衰退模型，根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調(diào)整相應的擦除方式進行擦除。
2.如權(quán)利要求1所述的NAND型FLASH的擦除方法，其特征在于，還包括: 當預擦除位置存入衰退模型，根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調(diào)整相應的擦除方式對預擦除位置進行擦除后，將所述衰退模型的數(shù)據(jù)編程回所述預擦除位置。
3.如權(quán)利要求1或2任一所述的NAND型FLASH的擦除方法，其特征在于，所述預擦除位置指存儲陣列中的存儲塊。
4.如權(quán)利要求1所述的NAND型FLASH的擦除方法，其特征在于，所述在NAND型FLASH上電復位后，確定衰退模型的位置，包括: 在NAND型FLASH上電復位后，讀取預設的衰退模型的標志；所述衰退模型的標志是指在NAND型FLASH中指明衰退模型存儲位置的標志； 根據(jù)所述衰退模型的標志，確定衰退模型的位置。
5.如權(quán)利要求4所述的NAND型FLASH的擦除方法，其特征在于，所述衰退模型的位置為存儲陣列中預設存儲塊。
6.如權(quán)利要求1所述的NAND型FLASH的擦除方法，其特征在于，所述根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調(diào)整相應的擦除方式對存儲陣列進行擦除，包括: 根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調(diào)整擦除時的擦除電壓的值對存儲陣列進行擦除。
7.一種NAND型FLASH的編程或讀取方法，包括: 在NAND型FLASH上電復位后，確定衰退模型的位置； 確定所述衰退模型的位置后，獲取所述衰退模型的數(shù)據(jù)； 將所述衰退模型的數(shù)據(jù)存入RAM中； 根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調(diào)整編程方式或讀取方式進行編程或讀取。
8.如權(quán)利要求7所述的NAND型FLASH的編程或讀取方法，其特征在于，所述在NAND型FLASH上電復位后，確定衰退模型的位置，包括: 在NAND型FLASH上電復位后，讀取預設的衰退模型的標志；所述衰退模型的標志是指在NAND型FLASH中指明衰退模型存儲位置的標志； 根據(jù)所述標志，確定所述衰退模型的位置。
9.如權(quán)利要求8所述的NAND型FLASH的編程或讀取方法，其特征在于，所述衰退模型的位置為存儲陣列中預設存儲塊。
10.如權(quán)利要求7所述的NAND型FLASH的編程或讀取方法，其特征在于，所述根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調(diào)整相應的編程或讀取方式對存儲陣列進行編程或讀取，包括: 根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調(diào)整編程或讀取時的編程或讀取參考電壓的值對存儲陣列進行編程或讀取。
【專利摘要】本發(fā)明涉及閃存技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種NAND型FLASH的擦除方法、編程及讀取方法。其中，所述擦除方法包括在NAND型FLASH上電復位后，確定衰退模型的位置；確定衰退模型的位置后，獲取衰退模型的數(shù)據(jù)；將衰退模型的數(shù)據(jù)存入RAM中；判斷預擦除位置是否存入衰退模型；當預擦除位置未存入衰退模型，根據(jù)衰退模型的數(shù)據(jù)調(diào)整相應的擦除方式進行擦除。編程或讀取方法包括NAND型FLASH上電復位后，確定衰退模型的位置；確定衰退模型的位置后，獲取衰退模型的數(shù)據(jù)；將衰退模型的數(shù)據(jù)存入RAM中；根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調(diào)整相應的編程或讀取方式進行編程或讀取。本發(fā)明提供的擦除、編程及讀取方法，利用衰退模型對存儲單元閾值電壓進行補償，增強NAND型FLASH的可靠性。
【IPC分類】G11C16-14, G11C16-26, G11C16-10
【公開號】CN104766630
【申請?zhí)枴緾N201410006878
【發(fā)明人】劉會娟, 朱一明, 蘇志強
【申請人】北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2014年1月7日