Nand型flash擦除、編程及讀取的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及閃存(Flash Memory)技術領域，尤其涉及一種NAND型FLASH的擦除方法及編程或讀取方法。
【背景技術】
[0002]可靠性是產(chǎn)品在規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi)完成規(guī)定功能的能力。對于閃存(FlashMemory)，簡稱FLASH，一般而言，數(shù)據(jù)保持能力、耐久力、抗干擾能力等是評價閃存可靠性的重要參數(shù)，其中，數(shù)據(jù)保持力指的是閃存存儲的數(shù)據(jù)經(jīng)過一段時間之后沒有失真或丟失，仍可以有效讀出的能力。
[0003]NAND型FLASH是閃存的一種。對于NAND型FLASH在實際使用的過程中，因各種串擾和隨機效應的影響，例如工藝波動，浮柵的交叉耦合效應，電荷轉移的隨機性等原因，使得NAND型FLASH存儲單元(cell)的閾值電壓產(chǎn)生隨機的改變。因NAND型FLASH在讀取、擦除或編程時都是以閾值電壓為基礎的，因此當閾值電壓產(chǎn)生改變后，進而會使得擦除與編程的性能越來越差，同時數(shù)據(jù)的保持特性也受到很大影響，引起讀取時的誤讀，因此極大的降低了 NAND型FLASH的可靠性。并且，隨著NAND型FLASH工藝尺寸的進一步縮小，尤其是2xnm及Ixnm及以下的MLC (2-bit信息/每存儲單元)和TLC (3-bit信息/每存儲單元)，這種影響也越來越明顯。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提出一種NAND型FLASH的擦除方法及編程或讀取方法，以提升NAND型FLASH的可靠性。
[0005]在第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種NAND型FLASH的擦除方法，包括:
[0006]在NAND型FLASH上電復位后，確定衰退模型的位置；
[0007]確定所述衰退模型的位置后，獲取所述衰退模型的數(shù)據(jù)；
[0008]將所述衰退模型的數(shù)據(jù)存入RAM中；
[0009]判斷預擦除位置是否存入衰退模型；
[0010]當所述預擦除位置未存入衰退模型，根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調整相應的擦除方式進行擦除。
[0011]進一步的，所述的NAND型FLASH的擦除方法，還包括:
[0012]當預擦除位置存入衰退模型，根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調整相應的擦除方式對預擦除位置進行擦除后，將所述衰退模型的數(shù)據(jù)編程回所述預擦除位置。
[0013]進一步的，所述的NAND型FLASH的擦除方法，所述預擦除位置指存儲陣列中的存儲塊。
[0014]進一步的，所述的NAND型FLASH的擦除方法，所述在NAND型FLASH上電復位后，確定衰退模型的位置，包括:
[0015]在NAND型FLASH上電復位后，讀取預設的衰退模型的標志；所述衰退模型的標志是指在NAND型FLASH中指明衰退模型存儲位置的標志；
[0016]根據(jù)所述衰退模型的標志，確定衰退模型的位置。
[0017]進一步的，所述的NAND型FLASH的擦除方法，所述衰退模型的位置為存儲陣列中預設存儲塊。
[0018]進一步的，所述的NAND型FLASH的擦除方法，所述根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調整相應的擦除方式對存儲陣列進行擦除，包括:
[0019]根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調整擦除時的擦除電壓的值對存儲陣列進行擦除。
[0020]本發(fā)明實施里提供的NAND型FLASH的擦除方法，根據(jù)NAND型FLASH內(nèi)存入的衰退模型，在擦除時根據(jù)衰退模型的數(shù)據(jù)調整相應的擦除方式對NAND型FLASH進行擦除。因此本發(fā)明實施例提供的擦除方法根據(jù)衰退模型存入的數(shù)據(jù)調整擦除的方式進行擦除，補償了在擦除時存儲單元因干擾因素的影響而造成的存儲單元閾值電壓的變化；實現(xiàn)了有效的擦除操作，提升NAND型FLASH的可靠性，保證了 NAND型FLASH數(shù)據(jù)保持的完整性、耐久力及抗干擾性。
[0021]在第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種NAND型FLASH的編程或讀取方法，包括:
[0022]在NAND型FLASH上電復位后，確定衰退模型的位置；
[0023]確定所述衰退模型的位置后，獲取所述衰退模型的數(shù)據(jù)；
[0024]將所述衰退模型的數(shù)據(jù)存入RAM中；
[0025]根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調整編程方式或讀取方式進行編程或讀取。
[0026]進一步的，所述的NAND型FLASH的編程或讀取方法，所述在NAND型FLASH上電復位后，確定衰退模型的位置，包括:
[0027]在NAND型FLASH上電復位后，讀取預設的衰退模型的標志；所述衰退模型的標志是指在NAND型FLASH中指明衰退模型存儲位置的標志；
[0028]根據(jù)所述標志，確定所述衰退模型的位置。
[0029]進一步的，所述的NAND型FLASH的編程或讀取方法，所述衰退模型的位置為存儲陣列中預設存儲塊。
[0030]進一步的，所述的NAND型FLASH的編程或讀取方法，所述根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調整相應的編程或讀取方式對存儲陣列進行編程或讀取，包括:
[0031]根據(jù)所述衰退模型的數(shù)據(jù)調整編程或讀取時的編程或讀取參考電壓的值對存儲陣列進行編程或讀取。
[0032]本發(fā)明實施里提供的NAND型FLASH的編程或讀取方法，根據(jù)NAND型FLASH內(nèi)存入的衰退模型，在編程或讀取時根據(jù)衰退模型的數(shù)據(jù)調整相應的編程或讀取方式對NAND型FLASH進行編程或讀取。因此本發(fā)明實施例提供的編程或讀取方法根據(jù)衰退模型存入的數(shù)據(jù)調整編程或讀取的方式進行編程或讀取，補償了在編程或讀取時存儲單元因干擾因素的影響而造成的閾值電壓變化；實現(xiàn)了有效的編程或讀取操作，提升NAND型FLASH的可靠性，保證了 NAND型FLASH數(shù)據(jù)保持的完整性、耐久力及抗干擾性。
【附圖說明】
[0033]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構成本發(fā)明的一部分，并不構成對本發(fā)明的限定。在附圖中:
[0034]圖1示出的是本發(fā)明實施例一中NAND型FLASH擦除方法流程示意圖；
[0035]圖2示出的是本發(fā)明實施例二中NAND型FLASH擦除方法流程示意圖；
[0036]圖3示出的是本發(fā)明實施例三中NAND型FLASH編程方法流程示意圖；
[0037]圖4示出的是本發(fā)明實施例四中NAND型FLASH讀取方法流程示意圖。
【具體實施方式】
[0038]下面結合附圖及具體實施例對本發(fā)明進行更加詳細與完整的說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關的部分而非全部內(nèi)容。
[0039]NAND型FLASH由存儲單元(cell)組成。通常情況下，一個存儲單元包括源極(source, S),漏極(drain, D),控制柵極(controlling gate, CG),以及浮動柵極(floatinggate, FG)，控制柵極可用于接參考電壓VG。若漏極接參考電壓VD，控制柵極CG施加電壓VG以及源極S連接于接地極后，存儲單元實現(xiàn)溝道熱電子注入方式的編程操作。擦除則可以在襯底施加一正電壓，控制柵極CG施加負電壓，進而利用浮動柵極FG與溝道之間的隧穿效應，把注入浮動柵極FG的電子吸引到溝道。存儲單元cell數(shù)據(jù)是O或I取決與浮動柵極FG中是否有電子。如浮動柵極FG有電子，需要高的控制柵極電壓才能使界面處感應出導電溝道，使MOS管導通，表示存入O。若浮動柵極FG中無電子，則較低的控制柵極電壓就能使界面處感應出導電溝道，使MOS管導通，即表示存入I。
[0040]在使用NAND型FLASH時，因工藝波動、存儲單元浮柵單元的交叉耦合等干擾因素的影響會造成電荷會隨機的進入浮動柵極，以此改變了存儲單元中的閾值電壓，在實際讀取、編程或擦除時