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數(shù)據(jù)存儲裝置、操作所述裝置的方法和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的制作方法_4

文檔序號:8261372閱讀:來源:國知局
順序(即,從最高殘余電壓至最低殘余電壓)從電壓提供線路111-1至Ill-η分別強(qiáng)制放電殘余電壓。換句話說,放電控制電路150A、150B或150C使用分別連接到電壓提供線111-1至Ill-η的二極管Dl至Dn來強(qiáng)制放電殘余電壓。
[0081]如上所述,根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的至少一個(gè)示例實(shí)施例,當(dāng)外部電壓的提供被切斷時(shí)數(shù)據(jù)存儲裝置按照電壓電平下降的順序?qū)堄嚯妷哼M(jìn)行強(qiáng)制放電,從而防止在包括在數(shù)據(jù)存儲裝置中的負(fù)載或組件中出現(xiàn)故障或損壞。
[0082]雖然已經(jīng)參照示例實(shí)施例對本發(fā)明構(gòu)思進(jìn)行了具體示出和描述,但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解在不脫離由權(quán)利要求限定的發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下,可在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種數(shù)據(jù)存儲裝置,包括: 電壓提供控制電路,被配置為接收外部電壓,從外部電壓產(chǎn)生多個(gè)電壓,并將所述多個(gè)電壓中的每個(gè)電壓通過多條電壓提供線中的對應(yīng)電壓線提供給多個(gè)負(fù)載中的對應(yīng)負(fù)載,所述多個(gè)電壓具有彼此不同的電壓電平;以及 放電控制電路,被配置為響應(yīng)于控制信號而對所述多條電壓提供線的殘余電壓進(jìn)行放電,其中,放電控制電路被配置為按照最高殘余電壓至最低殘余電壓的順序?qū)堄嚯妷哼M(jìn)行放電。
2.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中,放電控制電路被配置為通過多個(gè)二極管對殘余電壓進(jìn)行放電,其中,所述多個(gè)二極管中的每個(gè)二極管連接到所述多條電壓提供線中的對應(yīng)電壓提供線。
3.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中, 電壓提供控制電路被配置為檢測外部電壓的變化并輸出切斷信號;以及放電控制電路被配置為檢測外部電壓的變化,產(chǎn)生檢測信號并基于切斷信號和檢測信號而產(chǎn)生控制信號。
4.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中,放電控制電路包括: 控制信號產(chǎn)生器,被配置為基于外部電壓輸出控制信號。
5.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中, 電壓提供控制電路被配置為檢測外部電壓的切斷并輸出切斷信號;以及 放電控制電路,被配置為響應(yīng)于切斷信號而產(chǎn)生控制信號。
6.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中,放電控制電路包括: 多個(gè)二極管,所述多個(gè)二極管中的每個(gè)二極管連接到所述多條電壓提供線中的對應(yīng)電壓提供線;以及 開關(guān)電路,被配置為響應(yīng)于控制信號而將所述多個(gè)二極管的共同節(jié)點(diǎn)連接到地。
7.如權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中,放電控制電路還包括: 多個(gè)電流限制電路,并聯(lián)連接在共同節(jié)點(diǎn)和開關(guān)電路之間。
8.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中, 電壓提供控制電路被配置為輸出提供給負(fù)載的所述多個(gè)電壓的各個(gè)狀態(tài)信號,以及 放電控制電路包括: 控制信號產(chǎn)生器,被配置為檢測外部電壓的切斷,產(chǎn)生檢測信號,并基于狀態(tài)信號和檢測信號輸出控制信號; 多個(gè)二極管,所述多個(gè)二極管中的每個(gè)二極管連接到所述多條電壓提供線中的對應(yīng)電壓提供線;以及 開關(guān)電路,被配置為響應(yīng)于控制信號而將所述多個(gè)二極管的共同節(jié)點(diǎn)連接到地。
9.如權(quán)利要求8所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中,放電控制電路還包括: 電流限制電路,并聯(lián)連接在共同節(jié)點(diǎn)和開關(guān)電路之間。
10.如權(quán)利要求2、6和8中的任一權(quán)利要求所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中,所述多個(gè)二極管中的至少一個(gè)二極管是二極管形式連接的晶體管。
11.如權(quán)利要求2、6和8中的任一權(quán)利要求所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中,所述多個(gè)二極管中的至少一個(gè)二極管是具有不對稱電導(dǎo)率的雙端電子組件。
12.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中,所述數(shù)據(jù)存儲裝置是固態(tài)硬盤。
13.一種數(shù)據(jù)處理系統(tǒng),包括: 數(shù)據(jù)存儲裝置; 電源,被配置為提供外部電壓;以及 主機(jī),被配置為控制數(shù)據(jù)存儲裝置的操作, 其中,數(shù)據(jù)存儲裝置包括: 電壓提供控制電路,被配置為接收外部電壓,從外部電壓產(chǎn)生多個(gè)電壓,并將所述多個(gè)電壓中的每個(gè)電壓通過多條電壓提供線中的對應(yīng)電壓提供線提供給多個(gè)負(fù)載中的對應(yīng)負(fù)載,所述多個(gè)電壓具有彼此不同的電壓電平;以及 放電控制電路,被配置為響應(yīng)于控制信號而對所述多條電壓提供線的殘余電壓進(jìn)行放電,放電控制電路被配置為按照最高殘余電壓至最低殘余電壓的順序?qū)堄嚯妷哼M(jìn)行放電。
14.如權(quán)利要求13所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng),其中,放電控制電路被配置為通過多個(gè)具有不對稱電導(dǎo)率的雙端電子組件對殘余電壓進(jìn)行放電,所述多個(gè)雙端電子組件中的每一個(gè)連接到所述多條電壓提供線中的對應(yīng)電壓提供線。
15.如權(quán)利要求13所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng),其中,放電控制電路包括: 控制信號產(chǎn)生器,被配置為基于外部電壓輸出控制信號。
16.—種對數(shù)據(jù)存儲裝置的電壓進(jìn)行放電的方法,所述方法包括: 基于外部電壓將多個(gè)電壓中的每個(gè)電壓通過多條電壓提供線中的對應(yīng)電壓提供線提供給多個(gè)負(fù)載中的對應(yīng)負(fù)載; 檢測外部電壓的切斷并產(chǎn)生控制信號;以及 響應(yīng)于控制信號,按照電壓電平下降的順序?qū)λ龆鄺l電壓提供線的殘余電壓進(jìn)行放電。
17.如權(quán)利要求16所述的方法,其中,對殘余電壓進(jìn)行放電的步驟包括: 通過多個(gè)具有不對稱電導(dǎo)率的雙端電子組件對殘余電壓進(jìn)行放電,所述多個(gè)雙端電子組件中的每個(gè)連接到所述多條電壓提供線中的對應(yīng)電壓提供線。
18.一種數(shù)據(jù)存儲裝置,包括: 功率提供控制電路,被配置為基于外部電壓產(chǎn)生多個(gè)內(nèi)部電壓; 多個(gè)負(fù)載裝置,被配置為基于所述多個(gè)內(nèi)部電壓中的對應(yīng)內(nèi)部電壓來操作;以及放電控制電路,位于功率提供控制電路和所述多個(gè)負(fù)載裝置之間,放電控制電路被配置為基于外部電壓而對所述多個(gè)內(nèi)部電壓進(jìn)行放電。
19.如權(quán)利要求18所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中,功率提供控制電路被配置為如果外部電壓低于電壓閾值則產(chǎn)生第一電平的電壓信號,放電控制電路被配置為基于外部電壓和第一電平的電壓信號而對所述多個(gè)內(nèi)部電壓進(jìn)行放電。
20.如權(quán)利要求18所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中,放電控制電路包括: 多個(gè)二極管,被配置為分別接收所述多個(gè)內(nèi)部電壓中的對應(yīng)內(nèi)部電壓,所述多個(gè)二極管被配置為按照最高電壓到最低電壓的順序?qū)λ龆鄠€(gè)內(nèi)部電壓進(jìn)行放電。
21.如權(quán)利要求20所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,其中,所述多個(gè)二極管連接到共同節(jié)點(diǎn)。
22.如權(quán)利要求20所述的數(shù)據(jù)存儲裝置,還包括: 控制信號產(chǎn)生器,被配置為基于外部電壓產(chǎn)生控制信號;以及開關(guān)電路,被配置為接收控制信號并基于控制信號將所述多個(gè)二極管連接到地電壓,使得所述多個(gè)二極管對所述多個(gè)內(nèi)部電壓進(jìn)行放電。
【專利摘要】一種數(shù)據(jù)存儲裝置、操作所述裝置的方法和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。所述數(shù)據(jù)存儲裝置包括:電壓提供控制電路,被配置為接收外部電壓,從外部電壓產(chǎn)生不同的電壓,并分別通過電壓提供線向負(fù)載提供不同的電壓;放電控制電路,被配置為響應(yīng)于控制信號和外部電壓而對電壓提供線的殘余電壓進(jìn)行放電,放電控制電路被配置為按照最高殘余電壓至最低殘余電壓的順序?qū)堄嚯妷哼M(jìn)行放電。
【IPC分類】G11C16-02, G06F11-00
【公開號】CN104575594
【申請?zhí)枴緾N201410573701
【發(fā)明人】沁仁輔
【申請人】三星電子株式會社
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年10月23日
【公告號】US20150121093
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