專利名稱：：光學(xué)信息記錄媒體及光記錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及可擦寫DVD等具有相變型記錄層的高密度記錄用光記錄媒體及光記錄方法，特別涉及單光束重寫時(shí)與線速度的關(guān)系及與記錄功率的關(guān)系和記錄斑點(diǎn)長期穩(wěn)定性得到改善的光記錄及光記錄方法。
背景技術(shù)：
：通常，小型光盤(CD)及DVD是利用來自凹坑底部及鏡面部分的反射光的干涉而產(chǎn)生的反射率變化來進(jìn)行2值信號的記錄及跟蹤信號的檢測。近年來，廣泛使用相變型可擦寫小型光盤(CD-RW、CD-Rewritable)作為與CD有互換性的媒體。另外，關(guān)于DVD，也提出各種相變型可擦寫DVD的方案。這些相變型可擦寫CD及DVD是利用非晶態(tài)與結(jié)晶態(tài)折射率之差而產(chǎn)生的反射率差及相位差變化來進(jìn)行記錄信息信號的檢測。通常的相變型媒體具有在基板上設(shè)置下部保護(hù)層、相變型記錄層、上部保護(hù)層及反射層的結(jié)構(gòu)，利用這些層的多重干涉，控制反射率差及相位差，能夠使其具有與CD及DVD的互換性。在CD-RW中，將反射率降低至15-25％的范圍內(nèi)，能夠確保記錄信號及槽信號的與CD的互換性，利用附加掩飾反射率低的放大系統(tǒng)的CD驅(qū)動(dòng)器，就能夠重放。另外，相變型記錄媒體由于僅用單聚焦光束的光強(qiáng)度調(diào)制就能夠進(jìn)行擦除及再記錄的過程，因此在CD-RW及可擦寫DVD等相變型記錄媒體中，所謂記錄包含同時(shí)進(jìn)行記錄及擦除的重寫記錄。在利用相變進(jìn)行信息記錄時(shí)，可以采用晶態(tài)、非晶態(tài)、或他們的混合態(tài)，也可以采用多個(gè)結(jié)晶相，但現(xiàn)在實(shí)用化的可擦寫相變型記錄媒體，通常是對未記錄及擦除狀態(tài)采用晶態(tài)，而通過形成非晶態(tài)的斑點(diǎn)進(jìn)行記錄。作為記錄層的材料往往采用含有硫族元素，即S、Se或Te的硫族化合物系合金。例如有以GeTe-Sb2Te3偽二元合金為主要成分的SeSbTe系合金、以InTe-Sb2Te3偽二元合金為主要成分的InSbTe系合金、以Sb0.7Te0.3共晶系為主要成分的AgSbTe系合以及GeSnTe系等。其中，主要實(shí)用化的是將過剩的Sb添加于GeTe-Sb2Te3偽二元合金而形成的合金系，特別是Ge1Sb2Te4或Ge2Sb2Te5等金屬間化合物鄰近組成。這些組成由于具有金屬間化合物特有的不伴隨相分離的結(jié)晶化的特征，晶體生長速度快，因此初始化容易，擦除時(shí)再結(jié)晶速度快。所以偽二元合金系和金屬間化合物鄰近組成向來都作為顯示出具有實(shí)用性的重寫特性的記錄層而受到關(guān)(文獻(xiàn)Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.69(1991)，p2849，或SPIE，Vol.2514(1995)，pp294-301等)。但是另一方面，在這些組成中，還生長了亞穩(wěn)定的四方晶系的晶粒。由于這種晶粒的晶界明確，而且大小不一致，因其位向不同而呈現(xiàn)出顯著的光學(xué)各向異性，因此存在容易產(chǎn)生光學(xué)白噪聲等問題。而且，這樣的粒徑及光學(xué)特性不同的晶粒容易在非晶態(tài)斑點(diǎn)周圍生長，因此容易增加斑點(diǎn)的跳動(dòng)，或者由于與周圍晶體的光學(xué)特性不同，容易作為未擦凈而被檢測出。因此，在高線速度的記錄或高密度的斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄中，存在不能得到良好重放特性的問題。具體來說，可擦寫DVD的標(biāo)準(zhǔn)中，最短斑點(diǎn)長度為0.6μm，若將最短斑點(diǎn)長度再縮短，則很明顯，跳動(dòng)將急劇增加。作為改善跳動(dòng)的方法，有所謂吸收率補(bǔ)償法。在以往的4層結(jié)構(gòu)中，通常記錄層吸收的光能中，反射率高的結(jié)晶態(tài)吸收的光能Ac小于反射率低的非晶態(tài)吸收的光能Aa(Ac＜Aa)。因此重寫時(shí)有這樣的問題產(chǎn)生，即新的記錄斑點(diǎn)的形狀等會因原來的狀態(tài)是結(jié)晶態(tài)還是非晶態(tài)而發(fā)生變化，導(dǎo)致跳動(dòng)增加。這種情況下，是使結(jié)晶態(tài)與非晶態(tài)的光能吸收效率大致相等，不管原來狀態(tài)如何斑點(diǎn)形狀穩(wěn)定，這樣來減少跳動(dòng)(jitter)。再加上，由于晶體在熔融時(shí)另外還需要潛熱這部分熱量，因此希望結(jié)晶態(tài)吸收更多的光能(Ac＞Aa)。為了實(shí)現(xiàn)這一關(guān)系，有一種方法是至少增加一層光吸收層，形成5層以上的結(jié)構(gòu)，用該吸收層吸收非晶態(tài)的光吸收的一部分。例如，在下部保護(hù)層與基板之間或在上部保護(hù)層之上插入An或Si等吸收層(Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.37(1998)，pp3339-3342，Jpn.J.Appl.Phys.，Vol36(1988)，pp2516-2520)。但是，這樣的層結(jié)構(gòu)，存在吸收層的耐熱性及粘著性的問題，若反復(fù)重寫，則微觀的變形及錄剝等劣化情況顯著。而且，由于容易產(chǎn)生剝離等情況，也損害長期穩(wěn)定性。也就是說，又要維持以往的4層結(jié)構(gòu)，又要達(dá)到高密度，采用GeTe-Sb2Te3偽二元合金記錄層是很難實(shí)現(xiàn)的。而且，如果用GeTe-Sb2Te3偽二元合金記錄層，越是波長短，其復(fù)數(shù)折射率的實(shí)部越小，虛部越大，即具有與波長的依從關(guān)系。特別是使用短波長激光作為光源時(shí)，很難達(dá)到Ac＞Aa的條件。因此近年來，正使用AgInSnTe四元素合金作為記錄層材料。AgInSbTe四元素合金的特征是能得到高達(dá)40dB的高擦除比，用以往的4層結(jié)構(gòu)，不進(jìn)行吸收率補(bǔ)償，就能夠以高線速度進(jìn)行高密度的斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄。但是，所謂能進(jìn)行高速記錄，通常意味著結(jié)晶化速度快，容易擦除。因此往往是非晶態(tài)斑點(diǎn)也容易結(jié)晶化，記錄斑點(diǎn)的長期穩(wěn)定性差。近年來，信息量增大，為了縮短記錄時(shí)間及提高信息傳送速度，最近需要能夠以更高速度進(jìn)行記錄重放的媒體。例如，CD的標(biāo)準(zhǔn)速度(1倍速)為1.2-1.4m/s，而能夠以4倍速進(jìn)行記錄的CD-RW已商品化，而又要求有能夠以8倍速、10倍速進(jìn)行記錄的CD-RW。另外，作為可擦寫DVD，提出或已實(shí)現(xiàn)商品化的有DVD-RAM、DVD+RW、DVD-RW等。但是，與只讀DVD相同容量的4.7GB可擦寫DVD還沒有實(shí)用化。也就是說，需要能夠以高速記錄短斑點(diǎn)、且斑點(diǎn)穩(wěn)定性好的媒體。但是，以往認(rèn)為高速記錄與斑點(diǎn)穩(wěn)定性是矛盾的特性，很難同時(shí)滿足這兩方面的特性要求。本發(fā)明者反復(fù)就結(jié)晶化及非晶化的原理進(jìn)行研究，結(jié)果找到同時(shí)滿足所有這些特性的劃時(shí)代的媒體。也就是說，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠以高速度較好地記錄短斑點(diǎn)、且斑點(diǎn)穩(wěn)定性良好的光記錄媒體及適合該光記錄媒體的光記錄方法。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的第1要點(diǎn)是一種光學(xué)信息記錄媒體，所述光學(xué)信息記錄媒體在基板上至少具有相變型記錄層，將結(jié)晶態(tài)部分作為未記錄及擦除狀態(tài)，將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)，利用最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的多種記錄斑點(diǎn)長度來記錄信息，其特征在于，利用從非晶態(tài)部份或熔融部分與周圍結(jié)晶態(tài)部分的邊界開始的晶體生長實(shí)際上進(jìn)行的再結(jié)晶來進(jìn)行擦除。本發(fā)明的第2要點(diǎn)是一種光學(xué)信息記錄媒體，所述光學(xué)信息記錄媒體在基板上具有以Ge、Sb、Te為主要成分的薄膜構(gòu)成的相變型記錄層，將該記錄層的結(jié)晶態(tài)部分作為未記錄及擦除狀態(tài)，將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)，利用最短斑點(diǎn)長度0.5μm以下的許多記錄斑點(diǎn)長度來記錄信息，其特征在于，該媒體以一定的線速度在足以使記錄層熔融的記錄功率Pw的記錄光連續(xù)照射下能基本結(jié)晶化，而一旦以一定的線速度在足以使記錄層熔融的記錄功率Pw的記錄光在進(jìn)行照射后切斷，則形成非晶態(tài)斑點(diǎn)。本發(fā)明的第3要點(diǎn)是一種光學(xué)信息記錄媒體，所述光學(xué)信息記錄媒體是在基板上按照從錄放光的入射方向起依序設(shè)置第1保護(hù)層、相變型記錄層、第2保護(hù)層及反射層構(gòu)成的，將該記錄層的結(jié)晶態(tài)部分作為未記錄及擦除狀態(tài)，將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)，利用最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的多種記錄斑點(diǎn)長度來記錄信息，其特征在于，相變型記錄層厚度為5nm以上25nm以下，由具有下述區(qū)域組成的GeSbTe合金為主要成分的薄膜構(gòu)成，所述區(qū)域?yàn)樵贕eSbTe三元狀態(tài)圖中，用連接(Sb0.7Te0.3)與Ge的直線A、連接(Ge0.03Sb0.68Te0.29)與(Sb0.95Ge0.95)的直線B、連接(Sb0.9Ge0.1)與(Te0.9Ge0.1)的直線C、以及連接(Sb0.8Te0.2)與Ge的直線D等4條直線包圍的區(qū)域(但不包含邊界線上)，第2保護(hù)層膜厚為5nm以上30nm以下。本發(fā)明的另一要點(diǎn)是適于與上述媒體一起使用的理想的光記錄方法。附圖概述圖1所示為非晶態(tài)斑點(diǎn)形狀之一例。圖2所示為在本發(fā)明媒體之一例進(jìn)行記錄時(shí)的反射率變化圖。圖3為表示本發(fā)明媒體的記錄層的組成范圍的GeSbTe三元狀態(tài)圖。圖4為表示已有的GeSbTe組成范圍的GeSbTe三元狀態(tài)圖。圖5為表示本發(fā)明媒體的層結(jié)構(gòu)之一例的示意圖。圖6為表示信號強(qiáng)度與信號振幅及調(diào)制度的關(guān)系用的信號波形圖。圖7為說明反射率與第1保護(hù)層膜厚的依從關(guān)系的曲線圖。圖8所示為功率3值調(diào)制記錄方式的脈沖分割方法之一例。圖9為說明記錄層溫度隨時(shí)間變化的示意圖。圖10所示為適于斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄的功率3值調(diào)記錄方式的脈沖分割方法之一例。圖11為說明實(shí)現(xiàn)圖10的脈沖分割方法用的3種門信號發(fā)生電路時(shí)序的概念圖。圖12所示為實(shí)施例1與比較例1中跳動(dòng)與重放光功率的依從關(guān)系曲線圖。圖13所示為實(shí)施例1中跳動(dòng)與記錄脈沖分割方法的依從關(guān)系的曲線圖。圖14所示為實(shí)施例1中跳動(dòng)與記錄脈沖分割方法的依從關(guān)系的曲線圖。圖15所示為實(shí)施例2中跳動(dòng)、反射率及調(diào)制度與記錄功率的依從關(guān)系的曲線圖。圖16所示為實(shí)施例2中跳動(dòng)、反射率及調(diào)制度與反復(fù)重寫次數(shù)的依從關(guān)系的曲線圖。圖17所示為實(shí)施例2(g1)與實(shí)施例2(d2)中跳動(dòng)與斑點(diǎn)長度的依從關(guān)系的曲線圖。圖18所示為實(shí)施例2中跳動(dòng)與基板傾角的依從關(guān)系的曲線圖。圖19所示為實(shí)施例4中10次重寫后的跳動(dòng)與αl及αc的依從關(guān)系的曲線圖。圖20所示為實(shí)施例4中跳動(dòng)、Rtop及調(diào)制度與反復(fù)重寫次數(shù)的依從關(guān)系的曲線圖。圖21(a)所示為實(shí)施例6中跳動(dòng)與脈沖分割方法的依從關(guān)系的曲線圖，圖21(b)所示為實(shí)施例6中跳動(dòng)與寫入功率的依從關(guān)系的曲線圖，圖21(c)為實(shí)施例6中10次重寫后的Rtop及調(diào)制度與寫入功率的依從關(guān)系的曲線圖。圖22所示為實(shí)施例6中跳動(dòng)、Rtop及調(diào)制度與反復(fù)重寫次數(shù)的依從關(guān)系的曲線圖。圖23所示為實(shí)施例6中跳動(dòng)與斑點(diǎn)長度的依從關(guān)系的曲線圖。圖24(a)所示為比較例2中跳動(dòng)與脈沖分割方法的依從關(guān)系的曲線圖，圖24(b)所示為比較例2中跳動(dòng)與寫入功率的依從關(guān)系的曲線圖，圖24(c)所示為10次重寫后的Rtop及調(diào)制度與寫入功率的依從關(guān)系的曲線圖。圖25表示為比較例3所用的記錄方法的脈沖分割方法。圖26所示為比較例3中跳動(dòng)與斑點(diǎn)長度及線速度的依從關(guān)系的曲線圖。圖27所示為比較例6中跳動(dòng)與Pw及Pe的依從關(guān)系的曲線圖。圖28所示為實(shí)施例8中跳動(dòng)與最短斑點(diǎn)長度的依從關(guān)系的曲線圖。圖29所示為實(shí)施例10及比較例8中跳動(dòng)與Pw的依從的曲線圖。圖30為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號與擺動(dòng)波形關(guān)系的說明圖。圖31為利用數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號調(diào)制擺動(dòng)(wobblc)波形的原理說明圖。圖32為實(shí)施例11中調(diào)制度與Rtop的槽寬的依從關(guān)系的曲線圖。發(fā)明的詳細(xì)說明本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，在將晶態(tài)作為未記錄及擦除狀態(tài)、將非晶態(tài)作為記錄狀態(tài)的相變型媒體中，利用從非晶態(tài)部分或熔融部分與周圍結(jié)晶態(tài)部分的邊界開始的晶體生長實(shí)際上進(jìn)行的再結(jié)晶化來進(jìn)行擦除的媒體能夠進(jìn)行高速且高密度、穩(wěn)定的記錄。也就是說，能夠進(jìn)行高速重寫，能夠進(jìn)行斑點(diǎn)邊界的跳動(dòng)小的，高密度的斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄，形成的斑點(diǎn)具有非常好的長期穩(wěn)定性。通常，非晶態(tài)斑點(diǎn)的擦除過程，是將記錄層加熱至結(jié)晶化溫度以上稍低于熔點(diǎn)的溫度，形成非晶固態(tài)或熔融狀態(tài)，然后在冷卻時(shí)進(jìn)行再結(jié)晶化而完成的。本發(fā)明者的研究表明，非晶態(tài)斑點(diǎn)的擦除即再結(jié)晶化雖然是通過①非晶態(tài)區(qū)域內(nèi)的晶核生成、②以非晶態(tài)部分或熔融部分與結(jié)晶態(tài)部分的邊界為起點(diǎn)進(jìn)行晶體生長這兩個(gè)過程進(jìn)行的，但實(shí)際上前者的晶核生成幾乎不發(fā)生，而僅利用后者的晶體生長過程，能夠得到上述效果。通常，結(jié)晶化是在結(jié)晶溫度以上稍低于熔點(diǎn)的溫度下進(jìn)行的，晶核生成是在該溫度范圍內(nèi)較低溫度的一側(cè)進(jìn)行，而晶體生長是在其高溫側(cè)進(jìn)行。不能說沒有晶核生成就不能擦除，若以與圍繞非晶態(tài)部分或熔融部分的周圍結(jié)晶態(tài)區(qū)域的邊界點(diǎn)作為晶核高速進(jìn)行晶體生長，則能夠擦除。特別是越是微小的斑點(diǎn)或短的斑點(diǎn)，僅僅利用從這樣的周圍晶態(tài)部分開始的晶體生長，很容易在瞬時(shí)間結(jié)晶直到斑點(diǎn)中心，因此能夠在極短的時(shí)間內(nèi)完全擦除。因而唯有采用最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的微小斑點(diǎn)的高密度記錄媒體，效果才顯著，能夠在100納秒數(shù)量級以下擦除，能夠進(jìn)行高速重寫。而且通常是，最短斑點(diǎn)長度越短越能夠進(jìn)行高密度記錄，但從斑點(diǎn)的穩(wěn)定性來看，最好在10nm以上。另外，斑點(diǎn)的橫向?qū)挾仍秸?，僅僅利用從周圍晶態(tài)部分開始晶體生長，越容易瞬時(shí)間結(jié)晶到斑點(diǎn)中心，這是所希望的。因而此最好是記錄信息的道的道間距例如取0.8μm以下，斑點(diǎn)橫向?qū)挾炔灰珜?。通常，斑點(diǎn)橫向?qū)挾葹榈篱g距的一半左右。通常道間距越窄，越能夠進(jìn)行高密度記錄，但從斑點(diǎn)穩(wěn)定性來看，最好在0.1μm以上。道也可以僅僅是槽溝，也可以是槽溝與槽脊兩者。本發(fā)明的媒體還具有非常好的非晶態(tài)斑點(diǎn)的長期穩(wěn)定性。也就是說，從周圍結(jié)晶態(tài)部分開始的晶體生長，即使是在結(jié)晶溫度以上稍低于熔點(diǎn)的范圍內(nèi)，也僅僅在接近熔點(diǎn)的較高溫區(qū)域進(jìn)行，在低溫幾乎不進(jìn)行，因此一旦形成非晶態(tài)斑點(diǎn)，就難以結(jié)晶，有很好的長期穩(wěn)定性，結(jié)晶溫度通常在100℃~200℃范圍內(nèi)，在到達(dá)該溫度左右之前，能夠維持熱穩(wěn)定性。特別是在不到100℃的通常的使用范圍內(nèi)，記錄的非晶態(tài)斑點(diǎn)極其穩(wěn)定，記錄下來的信號振幅幾乎不劣化。反之也可以從那樣的長期穩(wěn)定性得出幾乎不伴隨著生成晶核的結(jié)論。再者，本發(fā)明媒體的優(yōu)點(diǎn)在于，在斑點(diǎn)長度記錄中，能夠形成起伏極少的光滑的斑點(diǎn)邊界。通常在記錄非晶態(tài)斑點(diǎn)時(shí)，是使記錄層暫時(shí)熔融再凝固而形成非晶態(tài)，由于斑點(diǎn)邊緣部分比中心溫度低，因此，向來在斑點(diǎn)邊緣部分容易因晶核生長導(dǎo)致再結(jié)晶，產(chǎn)生非晶態(tài)混入的粗大晶粒，這成為斑點(diǎn)邊界起伏的原因。本發(fā)明媒體的特征在于，擦除時(shí)，從非晶態(tài)部分或熔融部分與結(jié)晶態(tài)部分的邊界開始的晶體生長是起支配作用的，而且高速進(jìn)行的，這種情況下記錄時(shí)雖然也是同樣原理起作用，但在熔融區(qū)域再凝固并非晶化時(shí)，也僅僅發(fā)生從周圍結(jié)晶態(tài)部分開始的晶體生長，因晶核生長而引起的結(jié)晶化不容易發(fā)生，斑點(diǎn)邊界不易起伏。也就是說，從周圍結(jié)晶態(tài)部分開始的晶體生長，即使是在結(jié)晶溫度以上稍低于熔點(diǎn)的范圍內(nèi)，也僅僅在接近熔點(diǎn)的較高溫區(qū)域進(jìn)行，在較低溫幾乎不進(jìn)行，因此從熔融狀態(tài)再凝固時(shí)，僅僅根據(jù)溫度下降通過熔點(diǎn)時(shí)的冷卻速度來決定非晶態(tài)斑點(diǎn)的邊界形狀。因而，以往存在的問題即再凝固時(shí)發(fā)生的因晶核生長而產(chǎn)生的混有非晶態(tài)的粗大晶粒，在非晶態(tài)斑點(diǎn)周圍幾乎完全不形成。顯然這對于抑制因斑點(diǎn)邊界起伏而產(chǎn)生的噪聲是極其有效的。另外，斑點(diǎn)邊界形狀也很穩(wěn)定，不會隨時(shí)間而變化，因此不僅開始時(shí)的跳動(dòng)小，而且跳動(dòng)也幾乎不隨時(shí)間而劣化。下面更詳細(xì)說明本發(fā)明的結(jié)晶化原理。在本媒體中，非晶態(tài)斑點(diǎn)與周圍結(jié)晶態(tài)部分的邊界部份是晶體生長核，在非晶態(tài)斑點(diǎn)內(nèi)部幾乎不產(chǎn)生晶核。因而，僅僅從斑點(diǎn)邊界部分開始晶體生長。而已有的GeTe-Sb2Te3系記錄層，在非晶態(tài)斑點(diǎn)內(nèi)隨機(jī)生成晶核，該晶核生長進(jìn)而結(jié)晶化。兩者結(jié)晶化過程的差別可以用透射電子顯微鏡加以驗(yàn)證。若對非晶態(tài)斑點(diǎn)形成后的兩記錄層恒定照射較低功率的擦除光，則可以觀察到GeTe-Sb2Te3系記錄層從溫度高的非晶態(tài)斑點(diǎn)中央部分開始結(jié)晶化，而與此不同的是，在本發(fā)明記錄層中可以觀察到從非晶態(tài)斑點(diǎn)周圍部分開始晶體生長。特別是從非晶態(tài)斑點(diǎn)的前端及后端開始的晶體生長很明顯。根據(jù)這樣的原理進(jìn)行擦除的記錄層組成多為在Sb0.7Te0.3共晶點(diǎn)鄰近組成中添加過剩的Sb及最多20原子％左右的其他元素構(gòu)成的合金系。亦即以My(SbxTe1-x)1-y合金為主要成分的薄膜(式中0.6≤X≤0.9，0＜y≤0.2，M為Ga、Zn、Ge、Sn、Si、Cu、Au、Al、Pd、Pt、Pd、Cr、Co、O、S、Se、Ta、Nb及V中的至少一種)。Sb0.7Te0.3中含有過剩Sb的合金，具有如下特征，即與GeTe-Sb2Te3偽二元合金系相比，其從非晶態(tài)斑點(diǎn)周圍部分的晶體開始的晶體生長明顯大，因此能夠以高線速度進(jìn)行重寫。過剩的Sb不會促進(jìn)非晶態(tài)斑點(diǎn)內(nèi)的隨機(jī)的晶核生成及晶核生長，而是大幅度增加從周圍結(jié)晶態(tài)部分開始的晶體生長速度。但是，在SbTe二元合金中，也生成很多晶核，因此非晶態(tài)斑點(diǎn)的長期穩(wěn)定性極差，必須添加適當(dāng)?shù)脑?。根?jù)本發(fā)明者的研究，添加Ge對于抑制晶核生成是極具有效的。再者，非晶態(tài)斑點(diǎn)的再結(jié)晶實(shí)際上是否僅僅由從周圍結(jié)晶態(tài)部分開始的再結(jié)晶起支配作用，可以根據(jù)長期穩(wěn)定性的評價(jià)間接了解。作為具體的評價(jià)方法，有下面所述的方法，即進(jìn)行高溫高濕下的加速環(huán)境試驗(yàn)時(shí)測量重放信號的調(diào)制度的方法。也就是說，在利用最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的多種斑點(diǎn)長度記錄信號時(shí)，以M0表示剛記錄下即重放的信號的調(diào)制度，記錄后在80℃80％RH條件下經(jīng)過1000小時(shí)后重放的信號的調(diào)制度記為M1，則滿足如下關(guān)系，即M1/M0≥0.9斑點(diǎn)長度調(diào)制方式?jīng)]有限定，可以使用EFM調(diào)制、EFM增強(qiáng)型調(diào)制、(1，7)RLL-NRZI(runlengthlimited-nonreturntozeroinverted，即有限游程長度碼-IBM式不歸零編碼)調(diào)制等。以最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下將如圖6所示的隨機(jī)信號加以記錄，在進(jìn)行本評價(jià)時(shí)，最好最短斑點(diǎn)長度為0.2μm左右以上。另外，不必要在全部評價(jià)條件中不必滿足上式，只要在一個(gè)評價(jià)條件中滿足上式即可。例如利用最短斑點(diǎn)長度0.4μm的多種斑點(diǎn)長度記錄EFM增強(qiáng)型調(diào)制方式的隨機(jī)信號。調(diào)制度是用最大信號強(qiáng)度對該調(diào)制方式的最長的斑點(diǎn)的信號振幅進(jìn)行歸一化的值。圖6所示為將EFM增強(qiáng)型調(diào)制的隨機(jī)信號錄放時(shí)的DC重放信號(含有直流分量的重放信號)波形。調(diào)制度以14T斑點(diǎn)的最大信號強(qiáng)度Itop與信號振幅I14之比I14/Itop來定義。若調(diào)制度不變，則可以認(rèn)為非晶態(tài)斑點(diǎn)尺寸非常穩(wěn)定。若加速試驗(yàn)前記錄的隨機(jī)信號的調(diào)制度在加速試驗(yàn)后也保持初始值的90％以上，則能夠推斷實(shí)際上沒有同時(shí)伴隨生成晶核。在本發(fā)明的記錄層中，由于從周圍結(jié)晶態(tài)部分開始的晶體生長容易在略低于熔點(diǎn)的高溫區(qū)域發(fā)生，因此在為了形成非晶態(tài)斑點(diǎn)而使記錄層熔化、再凝固時(shí)，也能夠從周圍的結(jié)晶態(tài)部分開始發(fā)生晶體生長。因而，在熔融后冷卻速度慢，未能達(dá)到作為非晶態(tài)固化所需要的臨界冷卻速度時(shí)，整個(gè)熔融區(qū)域幾乎在瞬間再結(jié)晶。這可以通過以下實(shí)驗(yàn)加以確認(rèn)。在設(shè)有引導(dǎo)錄放光束的槽的0.6mm厚的聚碳酸酯基板上，依次設(shè)置膜厚68nm的(ZnS)80(SiO2)20的第1者保護(hù)層、膜厚18nm的Ge0.05Sb0.71Te0.24記錄層、膜厚20nm的(ZnS)80(SiO2)20的第2保護(hù)層及膜厚250nm的Al0.995Ta0.005的反射層，再設(shè)置膜厚4μm的紫外線硬化樹脂保護(hù)層。將兩片這樣基板的有記錄層一側(cè)作為內(nèi)側(cè)，用光熔粘接劑粘貼，構(gòu)成光記錄媒體。本記錄層組成為應(yīng)該能夠以約7m/s以上的線速度重寫的Sb/Te≈3。將長軸約100μm、短軸約1.5μm的橢圓激光在短軸方向?qū)Ρ久襟w進(jìn)行掃描，使其熔融、再結(jié)晶，實(shí)現(xiàn)初始化。將波長637nm、NA=0.63的聚焦光束沿導(dǎo)向槽以7m/s的線速度照射在本媒體上。在將記錄功率Pw為10mW的記錄光恒定照射后，急劇減少功率到1mW。亦即實(shí)際上切斷記錄光。另外，光束直徑約0.9μm，相當(dāng)于高斯光束中的能量強(qiáng)度為峰值強(qiáng)度的1/e2以上的區(qū)域。圖2所示為切斷記錄光前后的反射率變化。如圖2的下圖所示，經(jīng)過一段時(shí)間切斷記錄光。在圖2下圖的左側(cè)，記錄光是連續(xù)的，即恒定照射，在右側(cè)記錄光被切斷。用重放功率為1.0mW的重放光對同一區(qū)域進(jìn)行掃描，則得到圖2上圖所示的重放波形。這對應(yīng)于反射率變化。在瞬間切斷記錄光的附近，反射率下降，而在其前后，則反射率基本相同，根據(jù)TEM觀察確認(rèn)，反射率下降部分為非晶態(tài)，在其前后為晶態(tài)。也就是說，只要連續(xù)照射記錄光，熔融部分就再結(jié)晶，而僅僅在切斷記錄光部分附近的熔融區(qū)域發(fā)生非晶化。這是因?yàn)?，連續(xù)照射記錄光時(shí)，利用后續(xù)部分來的余熱，抑制了記錄層的冷卻速度，不能得到形成非晶態(tài)所必需的臨界冷卻速度，而反之，一旦切斷記錄光，也就切斷后續(xù)部分來的余熱，就能夠提高冷卻速度。另外，將記錄功率Pw設(shè)為7mW以上時(shí)，利用切斷記錄光，就能夠形成非晶態(tài)斑點(diǎn)。由研究的結(jié)果可知，本發(fā)明媒體以一定線速度連續(xù)照射足以使記錄層熔融的記錄功率Pw的記錄光，則大致再結(jié)晶化，再以一定線速度在足以使記錄層熔融的記錄功率Pw的記錄光之后照射功率近似為0的記錄光，即形成非晶態(tài)斑點(diǎn)。所謂功率近似為0，沒有必要嚴(yán)格為0，是取滿足0≤Pb≤0.2Pw的偏置功率Pb，最好是0≤Pb≤0.1Pw的偏置功率Pb。在本發(fā)明中，熔融部分再凝固時(shí)的再結(jié)晶化幾乎都是僅僅由于從周圍固相晶態(tài)部分開始的晶體生長而引起的。因而，再結(jié)晶部分不是在非晶態(tài)斑點(diǎn)的中心部分形成，所以能夠形成光滑連續(xù)的斑點(diǎn)邊界。以往一直認(rèn)為，這樣明顯容易再晶化的材料不適合斑點(diǎn)長度記錄用的記錄層。這是因?yàn)?，若為了形成長斑點(diǎn)而長時(shí)間照射記錄光，則熔融區(qū)域幾乎都結(jié)晶化了。但是，根據(jù)本發(fā)明者的研究，在最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的高密度記錄中，將熔融區(qū)域的非晶化與從周圍固相結(jié)晶態(tài)部分的邊界開始的再結(jié)晶化的競爭過程積極加以利用，更能夠得到良好的跳動(dòng)。因此發(fā)現(xiàn)，在如下所述長度nT的斑點(diǎn)形成中，將記錄功率Pw施加區(qū)間與其切斷區(qū)間、即偏置功率Pb施加區(qū)間加以組合的脈沖分割方式是極其有效的。若利用脈沖分割方式進(jìn)行記錄，則如圖1所示，形成箭羽型(或月牙型)非晶態(tài)部分相連的非晶態(tài)斑點(diǎn)。該斑點(diǎn)前端形狀僅僅由最前面的箭羽型非晶態(tài)部分的前端的形狀決定，而該斑點(diǎn)后端形狀僅僅由最后面的箭羽型非晶態(tài)部分的后端的形狀決定。通常，由于非晶態(tài)部分的前端形狀是光滑的，因此斑點(diǎn)前端形狀也是光滑的。這是由于向前方的散熱，冷卻速度保持足夠快，因而大致反映熔融區(qū)域前端的形狀，所以由記錄脈沖上升沿時(shí)間來決定。記錄脈沖、即Pw施加區(qū)間的上升沿只要是2～3納秒以下即可。而非晶態(tài)部分的后端形狀是由記錄脈沖下降沿時(shí)間決定的冷卻速度及從周圍、特別是后端晶態(tài)部分開始進(jìn)行的再結(jié)晶區(qū)域的大小來決定的。為了使冷卻速度足夠快，Pw施加區(qū)間的下降沿最好是2～3納秒以下。再結(jié)晶區(qū)域大小可以利用脈沖切斷區(qū)間、即Pb施加區(qū)間的長度來正確控制。還有一點(diǎn)也很重要，即采用上述超急冷構(gòu)造作為層結(jié)構(gòu)，盡可能使記錄層冷卻速度急劇變化，同時(shí)在斑點(diǎn)后端附近使冷卻速度的空間分布陡峭，以使得斑點(diǎn)端部位置不起伏。本發(fā)明者根據(jù)對能夠高速記錄短斑點(diǎn)、且記錄斑點(diǎn)的長期穩(wěn)定性優(yōu)異的光記錄媒體專心研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在Sb0.7Te0.3共晶組成附近添加Ge的特定組成特別優(yōu)異，同時(shí)通過適當(dāng)選擇層結(jié)構(gòu)，得到了其他特性也優(yōu)異的光記錄媒體。也就是說，注意研究了對Sb0.7Te0.3添加過剩的Sb及Ge而得到的以往沒有的三元合金，討論了對高密度斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄的適應(yīng)性。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在圖3所示的GeSbTe三元狀態(tài)圖中，若采用4條直線A、B、C、D包圍的極其有限的Ge-Sb-Te比的記錄層組成，以此構(gòu)成的媒體在高密度斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄中，其反復(fù)重寫耐久性及長期穩(wěn)定性特別優(yōu)異。也就是說，將在GeSbTe三元狀態(tài)圖中，具有用連接(Sb0.7Te0.3)與Ge的直線A、連接(Ge0.03Sb0.68Te0.29)與(Sb0.95Ge0.05)的直線B、連接(Sb0.9Ge0.1)與(Te0.9Ge0.1)的直線C、以及連接(Sb0.8Te0.2)與Ge的直線D等4條直線包圍的區(qū)域(但不包含邊界線上)的組成的GeSbTe合金為主要成分的薄膜作為記錄層。對該記錄層通過采用后述的層結(jié)構(gòu)，構(gòu)成非常適于最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的高密度斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄的媒體。而且，能夠得到與DVD相同的記錄密度及與DVD之間的優(yōu)異的重放互換性。而且對于反復(fù)重寫耐久性及記錄功率和擦除功率的變動(dòng)，還能夠確保得到較小跳動(dòng)所需的足夠余量。在該組成范圍內(nèi)，在SbyTe1-y合金中，Sb量越是比y=0.7的量多，則過剩的Sb量越是增加，結(jié)晶速度越快，能夠?qū)崿F(xiàn)高線速度的重寫。更具體來說，在EFM增強(qiáng)型調(diào)制記錄(8-16調(diào)制的斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄)中，即使將最短斑點(diǎn)的3T斑點(diǎn)長度縮短至0.4μm或0.35μm，也能夠得到較小的跳動(dòng)。又能夠得到足夠的伺服信號，能夠在已有的只讀DVD驅(qū)動(dòng)器中進(jìn)行跟蹤伺服。還能夠在線速度為1～10m/s的任何線速度下進(jìn)行重寫。借助于此，能夠得到與只讀DVD相同容量、基本上具有重放互換性的可擦寫DVD。若控制過剩的Sb量，還能夠以8m/s以上的高線速度實(shí)現(xiàn)上述高質(zhì)量高密度的重寫。另外，如下所述根據(jù)線速度改變記錄脈沖分割方法(脈沖策略)，能夠在至少包含3～8m/s很寬的線速度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)良好的重寫。下面詳細(xì)說明本組成。在Ge添加量為10原子％以下的Sb0.7Te0.3共晶點(diǎn)鄰近組成中，Sb/Te比越大，結(jié)晶速度有越是加快的趨勢。這是由于與Sb0.7Te0.3相比是過剩的Sb在作為Sb原子團(tuán)析出并在再結(jié)晶過程中作為晶核起作用。而與Sb0.7Te0.3相比沒有過剩的Sb時(shí)，擦除性能差，實(shí)際上不能進(jìn)行重寫。另外，由于初始化時(shí)幾乎沒有核生成，因此還存在初始化困難、生產(chǎn)效率非常差的問題(直線A)。另一方面，若在Sb0.7Te0.3共晶二元合金中增加Sb量，則結(jié)晶速度加快，而反之結(jié)晶溫度也下降，損害了非晶態(tài)斑點(diǎn)的長期穩(wěn)定性。又，不適合3m/s左右的低線速度的記錄，形成的非晶態(tài)斑點(diǎn)用短時(shí)間的重放光(激光功率約1mW左右)照射即被擦除掉。因而，不應(yīng)該包含比連接(Sb0.8Te0.2)與Ge的直線D更過剩的Sb。又，在用直線A與D規(guī)定的過剩Sb量的范圍內(nèi)，保持SbTe二元不變時(shí)，由于結(jié)晶溫度低，而且存在過剩Sb的晶核，導(dǎo)致非晶態(tài)斑點(diǎn)過于不穩(wěn)定，因此過剩Sb量越多，越添加Ge。利用Ge的4配位鍵，幾乎完全抑制晶核生成。結(jié)果結(jié)晶溫度上升，長期穩(wěn)定性增加。連接(Ge0.03Sb0.68Te0.29)與(Sb0.95Ge0.05)的直線B規(guī)定了該條件。更理想的是比連接(Ge0.03Sb0.68Te0.29)與(Sb0.9Ge0.1)的直線B’含有更多的Ge。再有，若Ge含量達(dá)到10原子％以上，則斑度長度記錄時(shí)的跳動(dòng)劣化，由于反復(fù)重寫，高熔點(diǎn)的Ge化合物、特別是GeTe容易偏析。另外，由于剛成膜后的非晶態(tài)膜結(jié)晶化極其困難，這是不理想的(直線C)。為了減少跳動(dòng)，最好取Ge為7.5原子％以下。另外，對于以線速度3m/s以上進(jìn)行重寫，記錄層最好采用Gex(SbyTe1-y)1-x合金為主要成分的薄膜(0.04≤x＜0.10、0.72≤y＜0.8)。也就是說，對于線速度3m/s以上的記錄，最好增加Sb量，在SbyTe1-y合金中，最好使y≥0.72。這里，由于增加Sb量，導(dǎo)致非晶態(tài)斑點(diǎn)穩(wěn)定性有一些劣化，為了彌補(bǔ)這一點(diǎn)，最好使Ge多些，達(dá)到x≥0.04。再者，對于線速度7m/s以上的重寫，記錄層最好采用Gex(SbyTe1-y)1-x合金為主要成分的薄膜(0.045≤x≤0.075，0.74≤y＜0.8)。也就是說，對于速度7m/s以上的記錄，最好再多增加Sb量，在Sbye1-y合金中，最好使y≥0.74。這時(shí)，為了提高非晶態(tài)斑點(diǎn)的穩(wěn)定性，使Ge量滿足x≥0.045。另一方面，在高線速度下跳動(dòng)容易劣化，為了彌補(bǔ)這一點(diǎn)，使Ge量滿足x≤0.075。至今已經(jīng)有關(guān)于GeSbTe三元組成或以該三元組成為母體含添加元素的記錄層組成的報(bào)告發(fā)表(日本專利特開昭61-258787號公報(bào)、特開昭62-53886號公報(bào)、特開昭62-152786號公報(bào)、特開平1-63195號公報(bào)、特開平1-211249號公報(bào)、特開平1-277338號公報(bào))。但是，這些公報(bào)所述的組成都是Sb少于連接(Sb0.7Te0.3)與Ge的直線A的組成，與本發(fā)明組成范圍不同。這些當(dāng)然也是以Sb2Te3金屬化合物組成為主體。另外，在GeTe-Sb2Te3偽二元合金系中，與本發(fā)明相反，由于過剩Sb具有減慢結(jié)晶速度的效果，因此在以5m/s以上高線速度進(jìn)行重寫時(shí)，在GeTe-Sb2Te3直線上，特別是使Ge2Sb2Te5組成含有過剩的Sb，當(dāng)然是有害的。在含有過剩Sb的Sb0.7Te0.3附近有選擇地加入包括Ge的第3元素的組成，有日本專利特開平1-100745號公報(bào)(圖4(a))的組成范圍α)及特開平1-303643號公報(bào)(圖4(a)的組成范圍β)中所述的組成。但是，特開平1-100745號公報(bào)是在母體組成Sb1-xTex中，0.10≤x≤0.80，有極寬的范圍，而并沒有本申請的思想，即通過僅僅利用比Sb0.7Te0.3有過剩的Sb的區(qū)域，在高密度記錄中有優(yōu)異的反復(fù)重寫耐久性及長期穩(wěn)定性。特開平1-303643號公報(bào)沒有觸及到在如本申請那樣的高密度記錄中若含有超過直線D的過剩Sb，就會損傷非晶態(tài)斑點(diǎn)長期穩(wěn)定性的弊端。另外，這些公報(bào)也都沒有觸及含有超過直線C的過剩Ge造成的弊端。又，作為與本發(fā)明記錄層組成有部分重復(fù)的組成，如圖4(b)所述，有日本專利特開平1-115685號公報(bào)(組成范圍γ)、特開平1-251342公報(bào)(組成范圍δ)、特開平3-71887號公報(bào)(組成范圍ε)及特開平4-28587號(組成范圍η)所述的組成。特開平1-115685號公報(bào)是以組成范圍γ為母體添加Au及Pd而成，以低密度記錄為目的，利用直線A及直線B與本發(fā)明的組成，可以從本質(zhì)上加以區(qū)別。該公報(bào)公開的組成適于相當(dāng)于斑點(diǎn)長度為約1.1μm的低密度記錄(線速度4m/s、頻率1.75MHz、占空比50％的方波)及DC擦除，因此可以認(rèn)為，與含有短斑點(diǎn)的以高密度記錄為目的的本發(fā)明組成所對應(yīng)的組成是不同的。特開平1-251342號公報(bào)的組成范圍δ是對Sb0.7Te0.3共晶添加約10原子％以上Ge的合金系為主體的極富Ge的GeSbTe系，與本發(fā)明組成可以利用直線C從本質(zhì)上加以區(qū)別。在組成范圍δ中含有多于10原子％Ge的組成中，其致命的問題是如前所述結(jié)晶速度慢，特別是使成膜后的記錄層結(jié)晶化的初始化操作困難，因此生產(chǎn)效率低，不能供實(shí)用。在該公報(bào)中，為了克服該結(jié)晶速度的問題，另外添加作為晶核的Au及Pd，但如本發(fā)明那樣在Ge少于直線C的區(qū)域中，卻無此必要。又，在該公報(bào)中還記載有，若Ge量少于10原子％，則在記錄部分與非記錄部分不能得到足夠的光量變化。而在本發(fā)明中，通過對含有保護(hù)層和反射層的層結(jié)構(gòu)采取措施，能夠得到調(diào)制度60％以上的非常大的反射光量變化。特開平3-71887號公報(bào)的組成范圍ε是以低密度記錄為目的，與本發(fā)明組成可以利用直線C在本質(zhì)上加以區(qū)別。特別是沒有利用本發(fā)明組成范圍，在高密度記錄中得到優(yōu)異的反復(fù)重寫耐久性及長期穩(wěn)定性這一本申請的思想。特開平4-28587號公報(bào)的組成范圍η是包含極高的Sb及Ge的組成，與本發(fā)明組成可以利用直線D在本質(zhì)上加以區(qū)別。如上所述，上述所有公報(bào)都沒有闡明作為本發(fā)明目的的最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下那樣的高密度斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄有關(guān)的技術(shù)問題，完全沒有揭示為此所用的最佳組成選擇及層結(jié)構(gòu)和記錄方法的改進(jìn)方法。下面說明本發(fā)明光學(xué)信息記錄媒體的層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的媒體通過將上述組成的記錄層與下述層結(jié)構(gòu)加以組合，能夠?qū)崿F(xiàn)在進(jìn)行最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的高密度斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄時(shí)，在至少是3m/s至8m/s、更理想的是1m/s至10m/s的很寬的線速度范圍進(jìn)行重寫的媒體。因而，能夠維持與所謂DVD的重放互換。相變型記錄層在上下至少一邊用保護(hù)層覆蓋。又如圖5(a)所示，具有基板1/第1保護(hù)層2/記錄層3/第2保護(hù)層4/反射層5的構(gòu)成，再在其上用紫外線或熱硬化樹脂覆蓋(保護(hù)覆蓋層6)。圖5(a)所示的各層順序適合于通過透明基板將錄放用的聚焦光束照射在記錄層上的情況?；蚴桥c上述各層的順序相反，也可以采用如圖5(b)所示的基板1/反射層5/第2保護(hù)層4/記錄層3/第1保護(hù)層2的順序?qū)盈B而成的結(jié)構(gòu)。該層結(jié)構(gòu)適合于從第1保護(hù)層一側(cè)入射聚焦光束的情況。這樣的構(gòu)成對于物鏡數(shù)值孔徑NA為0.7以上、記錄層與物鏡距離很需要縮短的情況是有用的。若采用圖5(a)所示的結(jié)構(gòu)，則基板可以采用聚碳酸酯、丙烯酸玻璃、聚烯烴等透明樹脂或透明玻璃。其中，聚碳酸酯樹脂在CD中已經(jīng)有最廣泛的應(yīng)用實(shí)績，價(jià)格又便宜，因此最為理想。在圖5(b)所示的構(gòu)成中，雖然也同樣可以使用樹脂或玻璃，但基板本身沒有必要透明，當(dāng)然為了提高平整度及剛性，有時(shí)最好采用玻璃或鋁合金。在基板上設(shè)置引導(dǎo)錄放光的間距為0.8μm以下的溝槽，該溝槽不一定必須是幾何學(xué)上的梯形槽，例如也可以利用離子注入形成折射率不同的波導(dǎo)路徑那樣的光學(xué)槽。在圖5(a)所示的層結(jié)構(gòu)中，為了防止因記錄時(shí)的高溫而導(dǎo)致變形，在基板表面上設(shè)置第1保護(hù)層2，在記錄層3上設(shè)置第2保護(hù)層4。第2保護(hù)層4兼有防止記錄層3與反射層5之間的相互擴(kuò)散，抑制記錄層變形的功能及高效地向反射層5散熱的功能。在圖5(b)中，從聚焦光束入射側(cè)看，第2保護(hù)層4具有防止記錄層3與反射層5之間的相互擴(kuò)散、散熱及防止記錄層變形的功能。圖5(b)中的第1保護(hù)層具有防止記錄層變形、防止記錄層與空氣直接接觸(防止氧化污染等)及防止與激光頭直接接觸而受到損傷的功能。在反射層與基板之間也可以再設(shè)置保護(hù)層。例如能夠防止對樹脂制基板的熱損傷。在圖5(b)所示的結(jié)構(gòu)中，最好在第1保護(hù)層2的再外側(cè)設(shè)置比其更硬的電介質(zhì)或非晶態(tài)碳保護(hù)膜，或設(shè)置紫外線或熱硬化樹脂層?；蛘咭部梢哉迟N厚度0.05～0.6mm左右的透明薄板，通過該薄板入射聚焦光束。再有，在DVD那樣的媒體中，采用將記錄層面作內(nèi)側(cè)、用粘接劑將圖5(a)的媒體互相粘貼的結(jié)構(gòu)。對于圖5(b)的媒體，則反過來將記錄層面作為外側(cè)互相粘貼。在圖5(b)的媒體中，還可以利用噴射成型在一片基板的兩面形成跟蹤用的溝槽，在兩面利用濺射法等形成多層膜。記錄層3、保護(hù)層2、4、反射層5利用濺射法等方法形成。最好采用將記錄層用靶、保護(hù)層用靶、必要時(shí)還有反射層材料用靶設(shè)置在同一真空室內(nèi)的聯(lián)機(jī)裝置進(jìn)行膜的形成工作，這樣能防止各層間的氧化及污染。保護(hù)層2及4的材料的決定，要注意折射率、熱傳導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性、機(jī)械強(qiáng)度及粘著性等來決定。通?？梢圆捎猛该餍院?、高熔點(diǎn)的金屬或半導(dǎo)體的氧化物、硫化物、氮化物、碳化物或Ca、Mg、Li等的氟化物。這些氧化物、硫化物、氮化物、碳化物、氟化物不一定必須取其化學(xué)計(jì)量比的組成，為了控制折射率等，或者控制其組成，或者混合使用，這些方法也都是有效的。保護(hù)層2及4也可以在厚度方向改變其組成比或混合比。又，保護(hù)層2及4也可以分別由幾層膜構(gòu)成。各層膜可以根據(jù)所要求的特性，取不同的材料、不同的組成比或混合比。若考慮反復(fù)記錄特性，這些保護(hù)層的膜密度為松裝狀態(tài)的80％以上，這從機(jī)械強(qiáng)度方面考慮是所希望的。在用混合物電介質(zhì)薄膜時(shí)，松密度采用下式的理論密度。P=∑miPi(1)Mi各成分i的莫爾濃度Pi單獨(dú)的松密度本發(fā)明媒體的記錄層3為相變型記錄層，其厚度一般最好是在5nm～100nm的范圍內(nèi)。若記錄層3的厚度比5nm薄，則很難得到足夠的反差，而且有結(jié)晶速度變慢的趨勢，容易導(dǎo)致難于在短時(shí)間內(nèi)擦除的情況。另一方面，若超過100nm，同樣很難得到光學(xué)反差，又容易產(chǎn)生裂紋。還有，對于必須具有與DVD等只讀盤片的互換性的程度的反差，而且最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下那樣的高密度記錄，最好在5nm以上25nm以下。在5nm以下時(shí)，由于反射率過低，而且容易出現(xiàn)膜生長初期的組成不均勻、稀疏膜的影響，因此不理想。而若比25nm厚，則熱容量大，記錄靈敏度差，同時(shí)晶體生長呈三維性，有非晶態(tài)斑點(diǎn)邊界紊亂、跳動(dòng)嚴(yán)重的趨勢。再者，由記錄層相變引起的體積變化顯著，反復(fù)重寫耐久性差，因此也不理想。從斑點(diǎn)端部的跳動(dòng)及反復(fù)重寫耐久性的觀點(diǎn)看來，最好在20nm以下。又，記錄層的密度最好是松密度的80％以上，更理想的是在90％以上。這里所謂松密度當(dāng)然也可以做成合金塊進(jìn)行實(shí)測，但在上述(1)式中，將各成分的莫爾濃度置換成各元素的原子％，將松密度置換成各元素分子量，以此也可得到近似值。記錄層的密度在濺射成膜法中，必須采取降低成膜時(shí)的濺射氣體(Ar等稀有氣體)壓力，靠近靶正面配置基板等方法，并增加照射記錄層的高能量Ar量。高能量Ar是濺射用的照射靶的Ar離子部分跳回到達(dá)基板側(cè)的離子或等離子體中的Ar離子由于基板整個(gè)面的離子鞘電壓加速到達(dá)基板的離子。將這樣的高能稀有氣體的照射效應(yīng)叫做atomicpeening(原子噴射)效應(yīng)。一般使用的Ar氣體的濺射中，由于atomicpeening效應(yīng)，使Ar混入濺射膜中。根據(jù)膜中的Ar量，能夠估計(jì)atomicpeening效應(yīng)。也就是說，若Ar量少，則意味著高能Ar的照射效應(yīng)小，容易形成密度稀疏的薄膜。另一方面，若Ar量多，則高能Ar的照射強(qiáng)，密度雖高，但進(jìn)入膜中的Ar在反復(fù)重寫時(shí)作為void(空隙)析出，使反復(fù)重寫耐久性變差。記錄層膜中合適的Ar量為0.1原子％以上1.5原子％以下。再者，采用高頻濺射與直流濺射相比，膜中Ar量少，能得到高密度膜，因此比較理想。在本發(fā)明中，記錄層由具有上述構(gòu)成的GeSbTe合金為主成分的薄膜構(gòu)成。也就是說，記錄層中的Ge、Sb、Te各元素量之比只要在上述組成范圍內(nèi)即可，記錄層也可以根據(jù)需要添加最多共計(jì)10原子％左右的其它元素。記錄層中再通過添加O、N、S中選出的至少1種元素1原子％以上5原子％以下，就能夠?qū)τ涗泴拥墓鈱W(xué)常數(shù)進(jìn)行微調(diào)。但是，若添加量超過5原子％，會使結(jié)晶速度降低，擦除性能變差，因此是不理想的。又，為了不降低重寫時(shí)的結(jié)晶速度，增加長期穩(wěn)定性，最好添加8原子％以下的V、Nb、Ta、Cr、Co、Pt及Zr中的至少一種。更理想的是添加0.1原子％以上5原子％以下。這些添加元素與Ge的總添加量相對于SbTe最好在15原子％以下。若含量過剩，則引起Sb以外的相分離。特別是Ge含量在3原子％以上5原子％以下時(shí)，添加效果大。為了提高長期穩(wěn)定性及對折射率進(jìn)行微調(diào)，最好添加5原子％以下的Si、Sn及Pb中的至少一種。這些添加元素與Ge的總含量最好在15原子％以下。這些元素與Ge相同，具有4配位網(wǎng)絡(luò)。添加8原子％以下的Al、Ga及In，將使結(jié)晶溫度上升，同時(shí)減少跳動(dòng)，對提高記錄靈敏度也有效果，但也容易產(chǎn)生偏析，因此最好為6原子％以下。又，與Ge合計(jì)的含量希望在15原子％以下，最好為13％以下。若添加8原子％的Ag，在提高記錄靈敏度方面同樣有效果，特別是在Ge原子量超過5原子％時(shí)采用，效果更顯著，但是，添加超過8原子％會使跳動(dòng)增加，或損壞非晶態(tài)斑點(diǎn)的穩(wěn)定性，因此是不理想的，若與Ge一起總的添加量超過15原子％，則容易產(chǎn)生偏析，因此是不適宜的。Ag的含量最好在5原子％以下。本發(fā)明記錄媒體的記錄層3，通常成膜后的狀態(tài)為非晶態(tài)。因而，成膜后使記錄層整個(gè)面結(jié)晶化作為初始化狀態(tài)(未記錄狀態(tài))。作為初始化方法，對于Sb0.7Te0.3中含有過剩Sb的合金，雖然利用固相下的退火也可進(jìn)行初始化，但在還含有Ge的組成的情況下，最好采用使記錄層暫熔融而再凝固時(shí)使其緩慢冷卻再結(jié)晶的熔融再結(jié)晶的初始方法。本記錄層在剛成膜后幾乎沒有晶體生長的核，在固相下的結(jié)晶是很難的，但采用熔融再結(jié)晶方法，則形成少數(shù)晶核，然后熔融，以晶體生長為主以高速度再結(jié)晶。另外，本發(fā)明記錄層由熔融再結(jié)晶產(chǎn)生的晶體與固相下進(jìn)行退火產(chǎn)生的晶體的反射率不同，若兩者混合在一起，則成為噪聲的根源。而且，在實(shí)際進(jìn)行重寫記錄時(shí)，擦除部分成為熔融再結(jié)晶產(chǎn)生的晶體，因此最好初始化也利用熔融再結(jié)晶來進(jìn)行。這時(shí)，使記錄層熔融是局部性的，而且限于1毫秒左右以下的短時(shí)間。這是因?yàn)椋羧廴趨^(qū)域大，或熔融時(shí)間或冷卻時(shí)間過長，則因發(fā)熱會使各層受到破壞，或者使塑料基板表面變形。為了給出這樣的受熱歷程，最好將波長600～1000nm左右的高輸出半導(dǎo)體激光聚焦成長軸100～300μm、短軸1～3μm的光束進(jìn)行照射，將短軸方向作為掃描軸，以1～10m/s的線速度進(jìn)行掃描。即使使用相同的聚焦光束，如果接近圓形，則熔融區(qū)域過大，容易再度非晶化，又會對多層結(jié)構(gòu)或基板造成較大損傷，因此是不理想的。初始化通過熔融再結(jié)晶來進(jìn)行這一點(diǎn)，可通過下述做法得到確認(rèn)。也就是說，將聚焦成光點(diǎn)直徑小于約1.5μm的、具有足以使記錄層熔融的記錄功率Pw的記錄光以一定線速度恒定照射該初始化后的媒體。在有導(dǎo)向槽時(shí)，在對該槽或槽間構(gòu)成的道進(jìn)行跟蹤伺服及聚焦伺服的狀態(tài)下進(jìn)行。然后，向相同道上恒定照射具有擦除功率Pe(≤Pw)的擦除光而得到擦除狀態(tài)，若所述擦除狀態(tài)的反射率與完全未記錄的初始狀態(tài)的反射率幾乎相同，則可以確認(rèn)該初始化狀態(tài)為熔融再結(jié)晶狀態(tài)。這是因?yàn)椋糜涗浌庹丈涫褂涗泴訒喝廴?，然后再用擦除光照射使其完全再結(jié)晶的這種狀態(tài)，是經(jīng)過利用記錄光的熔融及利用擦除光的再結(jié)晶過程，處于熔融再結(jié)晶的狀態(tài)。所謂初始化狀態(tài)的反射率Rini與熔融再結(jié)晶狀態(tài)的反射率Rcry幾乎相同，是指由(Rini-Rcry)/｛(Rini+Rcry)/2｝定義的兩者反射率差在20％以下。通常，僅僅通過退火等固相結(jié)晶化，其反射率差大于20％。下面敘述有關(guān)記錄層以外的其他層。本發(fā)明的層結(jié)構(gòu)屬于一種叫做急冷構(gòu)造的層結(jié)構(gòu)。急冷構(gòu)造是通過采用促進(jìn)散熱、提高記錄層再凝固時(shí)的冷卻速度的層結(jié)構(gòu)，來避免非晶態(tài)斑點(diǎn)形成時(shí)的再結(jié)晶化問題，同時(shí)利用高速結(jié)晶實(shí)現(xiàn)高擦除比。為此，第2保護(hù)層膜厚取5nm以上30nm以下。若比5nm薄，則由于記錄層熔融時(shí)的變形等容易引起損壞，而散熱效果過大，則記錄所需要的功率過大而沒有必要。本發(fā)明的第2保護(hù)層膜厚對反復(fù)重寫的耐久性有很大影響，特別在抑制跳動(dòng)劣化上也很重要。膜厚比30nm厚的情況下，記錄時(shí)在第2保護(hù)層的記錄一側(cè)與反射層一側(cè)的溫差大，由于保護(hù)層兩側(cè)的熱膨脹之差，保護(hù)層本身容易產(chǎn)生不對稱變形。這種情況反復(fù)發(fā)生，將在保護(hù)層內(nèi)部積蓄微觀的塑性變形，導(dǎo)致噪聲增加，因此是不理想的。若采用本發(fā)明的記錄層，則在最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的高密度記錄中，雖然能夠?qū)崿F(xiàn)低跳動(dòng)，但根據(jù)本發(fā)明者的研究，在為了實(shí)現(xiàn)高密度記錄而采用短波長激光二極管(例如波長700nm以下)時(shí)，對于上述急冷構(gòu)造的層結(jié)構(gòu)更必需要注意。特別是采用波長500nm以下、數(shù)值孔徑NA為0.55以上的較小的聚焦光束研究單光束重寫特性時(shí)，了解到使斑點(diǎn)的寬度方向的溫度分布平坦對于獲得高擦除比及大的擦除功率余量是很重要的。這一趨勢對于采用波長為630～680nm、NA=0.6左右的光學(xué)系統(tǒng)的與DVD對應(yīng)的光學(xué)系統(tǒng)也是同樣的。在采用這樣的光學(xué)系統(tǒng)的高密度斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄中，特別采用熱傳導(dǎo)率低的材料作為第2保護(hù)層。最好使其膜厚為10nm以上25nm以下。在任何情況下，在其上設(shè)置的反射層5采用特別高熱傳導(dǎo)率的材料，這樣能夠改善擦除比及擦除功率余量。根據(jù)研究，在很寬的擦除功率范圍內(nèi)，為了發(fā)揮本發(fā)明記錄層具有的良好擦除特性，最好采用能夠不僅使膜厚方向的溫度分布及時(shí)間變化、而且使膜面方向(記錄光束掃描方向的垂直方向)的溫度分布盡可能平坦的層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明者試圖通過適當(dāng)設(shè)計(jì)媒體的層結(jié)構(gòu)，使媒體中道的橫向溫度分布平坦，這樣熔融后不再非晶化，而且加大能夠再結(jié)晶的寬度，增大擦除率及擦除功率余量。另一方面，還了解到通過熱傳導(dǎo)率低而且極薄的第2保護(hù)層，促進(jìn)從記錄層向極高熱傳導(dǎo)率的反射層散熱，這樣使記錄層中的溫度分布變得平坦。雖然提高第2保護(hù)層的熱傳導(dǎo)率能夠促進(jìn)散熱效果，但若過度促進(jìn)散熱，則記錄所需要的照射功率高，即記錄靈敏度顯著下降。在本發(fā)明中，最好采用低熱傳導(dǎo)率而且薄的第2保護(hù)層。由于采用低熱傳導(dǎo)率又薄的第2保護(hù)層，因此在以記錄功率開始照射時(shí)的數(shù)nsec～數(shù)+nsec中，從記錄層向反射層的熱傳導(dǎo)能夠具有一定時(shí)間延遲，然后能夠促進(jìn)向反射層的散熱，所以不會因散熱而使記錄靈敏度過度降低。以往所知道的以SiO2、Ta2O5、Al2O3、AlN及SiN等為主要成分的保護(hù)層材料，由于其本身的熱傳導(dǎo)率過高，因此不適合作為本發(fā)明媒體的第2保護(hù)層4。這樣，金屬氧化物或氮化物的熱傳導(dǎo)率，即使與同樣的薄膜狀態(tài)相比，其熱傳導(dǎo)率也比本發(fā)明保護(hù)層所用的下述保護(hù)層要高1個(gè)數(shù)量級以上。另一方面，反射層的散熱，即使反射層的厚度較厚也能夠進(jìn)行，但若反射層厚度超過300nm，則膜厚方向的熱傳導(dǎo)要比記錄層膜面方向的顯著，不能得到改善膜面方向溫度分布的效果。又，反射層本身的熱容量變大，反射層進(jìn)而記錄層的冷卻就需要時(shí)間，就阻礙了非晶態(tài)斑點(diǎn)的形成。最好是設(shè)置高熱傳導(dǎo)率的薄反射層，有選擇地促進(jìn)向橫向散熱。以往采用的急冷構(gòu)造，僅注意膜厚方向的一維散熱，僅打算從記錄層很快地向反射層散熱，而沒有對該平面方向溫度分布的平坦化給以充分的注意。若將本發(fā)明的所謂“考慮第2保護(hù)層的熱傳導(dǎo)延遲效應(yīng)的超急冷構(gòu)造”用于本發(fā)明的記錄層，則與以往的GeTe-Sb2Te3記錄層相比有更好的效果。這是因?yàn)?，本發(fā)明的記錄層在Tm附近再凝固時(shí)的晶體生長成為再結(jié)晶的反應(yīng)速率。對于將Tm附近的冷卻速度增加到極限，可靠且明確地形成非晶態(tài)斑點(diǎn)及其邊界，超急冷構(gòu)造是有效的，而且通過使膜面方向溫度分布平坦，原來在Tm附近能夠高速擦除的，直到更高擦除功率的程度都能夠確保利用再結(jié)晶可靠擦除。在本發(fā)明中，作為第2保護(hù)層的材料最好是熱傳率低的材料，其大致數(shù)值為1×10-3pJ/(μm·K·nsec)。但是，很難直接測量這樣的低熱傳導(dǎo)率材料薄膜狀態(tài)的熱傳導(dǎo)率，代替辦法可以是根據(jù)熱模擬及實(shí)際記錄靈敏度的測量結(jié)果得到大致數(shù)值。作為具有理想結(jié)果的低熱傳導(dǎo)率的第2保護(hù)層材料，最好是含有50mol％以上90mol％以下的ZnS、ZnO、TaS2或稀土類硫化物中至少一種、而且含有熔點(diǎn)或分解點(diǎn)為1000℃以上的耐熱性化合物的復(fù)合電介質(zhì)。更具體來說，最好是含有60mol％以上90mol％以下的La、Ce、Nd、Y等的稀土硫化物的復(fù)合電介質(zhì)。或者最好是使ZnS、ZnO或稀土硫化物組成范圍在70～90mol％。作為要與這些混合而熔點(diǎn)或分解點(diǎn)為1000℃以上的耐熱化合物材料，可以采用Mg、Ca、Sr、Y、La、Ce、Ho、Er、Yb、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Al、Si、Ge及Pb等的氧化物、氮化物、碳化物、或Ca、Mg及Li等的氟化物。特別是要與ZnO混合的材料，最好是Y、La、Ce及Nd等稀土的硫化物或硫化物與氧化物的混合物。而且，若該第2保護(hù)層膜厚大于30nm，則不能得到斑點(diǎn)寬度方向溫度分布足夠平坦的效果，因此采用30nm以下，最好為25nm以下。若小于5nm，則在第2保護(hù)層部分的熱傳導(dǎo)延遲效果不充分，記錄靈敏度顯著下降，是不理想的。第2保護(hù)層4的厚度，在記錄激光波長為600～700nm時(shí)最好為15nm～25nm，在波長為350～600nm時(shí)，最好為5～20nm，更理想為5～15nm。在本發(fā)明中的特征在于，采用非常高的熱傳導(dǎo)率的、300nm以下的薄反射層5以促進(jìn)橫向散熱效果。通常，薄膜的熱傳導(dǎo)率與松裝狀態(tài)的熱傳導(dǎo)率有很大不同，普通情況是變小。特別是小于40nm的薄膜，在生長初期島狀構(gòu)造的影響下，熱傳導(dǎo)率要小1個(gè)數(shù)量級以上，這種情況是不理想的。再者，因成膜條件不同，結(jié)晶性及雜質(zhì)量也不同，這是即使相同組成而熱傳導(dǎo)率也不同的主要原因。在本發(fā)明中，為了確定顯示出良好性能的高熱傳導(dǎo)率的反射層，雖然也能夠直接測量反射層的熱傳導(dǎo)率，但利用電阻也能夠估計(jì)其熱傳導(dǎo)的好壞。這是因?yàn)椋谙窠饘倌つ菢又饕呻娮訐?dān)負(fù)熱傳導(dǎo)及電傳導(dǎo)的材料中，熱傳導(dǎo)率與電傳導(dǎo)率有很好的比例關(guān)系。薄膜的電阻用其膜厚或測量區(qū)域的面積歸一化的電阻率的數(shù)值來表示。體積電阻率及面積電阻率可以用通常的四探針法測量，以JISK7194規(guī)定為依據(jù)。利用本方法，與實(shí)測薄膜的熱傳導(dǎo)率本身相比要簡便得多，而且可以得到重復(fù)性好的數(shù)據(jù)。在本發(fā)明中，理想的反射層的體積電阻率為20nΩ·m以上150nΩ·m以下，最好為20nΩ·m以上100nΩ·m以下。體積電阻率小于20nΩ·m的材料實(shí)際上在薄膜狀態(tài)很難得到。體積電阻率比比150nΩ·m大的情況下，若采用例如若為超過300nm的厚膜，則雖然能夠降低面積電阻率，但根據(jù)本發(fā)明者的研究可知，用這樣的高體積電阻率材料，僅僅降低面積電阻率，也不能得到足夠的散熱效果?？梢哉J(rèn)為這是由于在厚膜情況下，單位面積的熱容量增大的緣故。另外，這樣的厚膜成膜時(shí)間長，材料費(fèi)也增加，從制造成本的觀點(diǎn)看也是不理想的。再者，膜表面的微觀平整度也差。最好采用膜厚為300nm以下、能得到面積電阻率為0.2以上0.9Ω/口以下的低體積電阻率材料。更理想的是0.5Ω/口。適于本發(fā)明的材料如下所示。例如含有0.3重量％以上0.8重量％以下的Si及0.3重量％以上1.2重量％以下的Mg的Al-Mg-Si系合金。又，Al中含有0.2原子％以上2原子％以下的Ta、Ti、Co、Cr、Si、Sc、Hf、Pd、Pt、Mg、Zr、Mo或Mn的Al合金，其體積電阻率與添加元素的濃度成正比增加，又能改善耐異常析出(hillock)性能，從耐久性、體積電阻率及成膜速度等考慮，可以采用。關(guān)于Al合金，在添加雜質(zhì)少于0.2原子％的情況下，雖然也取決于成膜條件，但往往耐異常析出性能不充分。而如果多于2原子％，則難于得到上述的低電阻率。對于特別重視長期穩(wěn)定性的情況，添加成分最好用Ta。特別是對于以ZnS為主要成分的上部保護(hù)層4，用0.5原子％以上0.8原子％以下的Ta的AlTa合金作為能兼顧耐蝕性、粘著性及高熱傳導(dǎo)率等全部特性的反射層，是理想的材料。又，稍微添加0.5原子％的Ta的情況，與純Al或Al-Mg-Si合金相比，濺射時(shí)的成膜速率提高了30％～40％，在制造上能夠獲得理想的效果。在采用上述Al合金作為反射層時(shí)，理想的膜厚為150nm以上300nm以下。在小于150nm時(shí)，即使用純Al，散熱效果也不充分。而若超過300nm，則熱量從水平方向向垂直方向散熱，對于水平方向的熱分布沒有改善作用，而且反射層本身的熱容量大，相反記錄層的冷卻速度變慢。而且，膜表面的微觀平整度也差。再者，在Ag中含有0.2原子％以上5原子％以下Ti、V、Ta、Nb、W、Co、Cr、Si、Ge、Sn、Sc、Hf、Pd、Rh、Au、Pt、Mg、Zr、Mo或Mn的Ag合金也是理想的材料。在特別重視長期穩(wěn)定性的情況下，Ti、Mg作為添加成分是理想的。在采用上述Ag合金作為的反射層時(shí)，理想的膜厚為40nm以上150nm以下。在小于40nm時(shí)，即使用純銀散熱效果也不充分。而若超過150nm，則熱量從水平方向向垂直方向散發(fā)，對于水平方向熱分布的改善沒有作用，而且不必要的膜厚使生產(chǎn)效率降低。另外，膜表面的微觀平整度也變差。本發(fā)明者確認(rèn)，對于上述Al中的添加元素及Ag中的添加元素，體積電阻率與這些添加元素的濃度成正比增加。人們認(rèn)為添加雜質(zhì)通常使晶粗直徑減少，使晶界的電子散射增加，熱傳導(dǎo)率降低。為了通過增大晶粒直徑以得到材料本來的高熱傳導(dǎo)率，必須調(diào)節(jié)雜質(zhì)添加量。還有，反射層通常用濺射法或真空蒸鍍法形成，雖然靶和蒸鍍材料本身的雜質(zhì)量也消失，但是必須使包含成膜時(shí)混入的水分及氧氣量在內(nèi)的全部雜質(zhì)含量為2原子％以下。因此，希望處理真空室達(dá)到小于1×10-3Pa的真空度。又，若在真空度比10-4Pa差的情況下成膜，則希望成膜速率為1nm/秒以上，最好為10nm/秒以上，以防止雜質(zhì)進(jìn)入?；蛘咴诤卸嘤?原子％想要的添加元素情況下，希望成膜速率為10nm/秒以上，以盡量防止附加的雜質(zhì)混入。也有成膜條件與雜質(zhì)量無關(guān)而對晶粒大小有影響的情況。例如，在Al中混入2原子％左右的Ta構(gòu)成的合金膜，在晶粒間混有非晶態(tài)相，而結(jié)晶相與非晶態(tài)相的比例取決于成膜條件。例如，越是在低壓下濺射，則結(jié)晶部分比例增加，體積電阻率降低，熱傳導(dǎo)率增加。膜中的雜質(zhì)組成或結(jié)晶性也取決于濺射用的合金靶的制造方法或?yàn)R射氣體(Ar、Ne、Xe等)。這樣，薄膜狀態(tài)的體積電阻率不僅僅由金屬材料及組成來決定。為了得到高熱傳導(dǎo)率，如上所述，最好要減少雜質(zhì)量，但另一方面，Al或Ag純金屬有耐蝕性及耐異物析出性能差的傾向，因此要考慮兼顧兩者來決定最佳組成。當(dāng)然，為了得到高熱傳導(dǎo)性及高可靠性，將反射層做成多層結(jié)構(gòu)也是有效的。這時(shí)的構(gòu)成是，至少1層是作為具有全反射層膜厚的50％以上膜厚的上述低體積電阻率材料。實(shí)際上完成散熱功能，而其它層則有助于提高耐蝕性、與保護(hù)層的粘著性及耐異物析出性能。更具體來說，金屬中具有最高熱傳導(dǎo)率及低體積電阻率的Ag與含S的保護(hù)層不大能夠相容，在反復(fù)重寫的情況下劣化稍快。又，在高溫高濕的加速成試驗(yàn)環(huán)境下有容易被腐蝕的傾向。因此，采用Ag及Ag合金作為低體積電阻率材料，并設(shè)置1nm以上100nm以下的Al為主要成分的合金層作為與上部保護(hù)層之間的界面層也是有效的。若厚度采用5nm以上，則薄層不呈島狀構(gòu)造，容易均勻形成。作為Al合金，與前面所述一樣，可以舉出例如包含0.2原子％以上2原子％以下的Ta、Ti、Co、Cr、Si、Sc、Hf、Pd、Pt、Mg、Zr、Mo或Mn的Al合金。界面層厚度小于1nm時(shí)，保護(hù)效果不充分，若超過100nm，則犧牲了散熱效果。特別是在反射層為Ag或Ag合金的情況下，使用界面層特別有效。這是因?yàn)?，Ag與含有本發(fā)明希望采用的硫化物的保護(hù)層接觸，比較容易因硫化而引起腐蝕。而在采用Ag合金反射層與Al合金界面層時(shí)，由于Ag與Al是相互比較容易擴(kuò)散的一對組合，因此更理想的是使Al表面氧化形成大于1nm的界面氧化層。界面氧化層若超過5nm，特別是超過10nm，則形成熱阻，作為本來意圖的具有極好散熱性的反射層功能受到損害，因此是不適宜的。反射層做成多層，將高體積電阻率材料與低體積電阻率材料組合，對于在所希望的膜厚得到所希望的面積電阻率是很有效的。通過合金化來調(diào)節(jié)體積電阻率，雖然可以使用合金靶以簡化濺射工序，但也構(gòu)成靶的制造成本進(jìn)而媒體的原材料比上升的一個(gè)重要因素。因而，將純Al或純Ag薄膜與上述添加元素本身的薄膜形成多層結(jié)構(gòu)以得到所希望的體積電阻率也是有效的方法。若層數(shù)達(dá)到3層左右，則有時(shí)雖然初始裝置成本增加，但每片媒體的成本倒反而能夠加以抑制。最好將反射層做成由多層金屬膜構(gòu)成的多層反射層，全部膜厚做成40nm以上30nm以下，多層反射層厚度的50％以上為20nΩ·m以上150nΩ·m以下的金屬薄膜層(也可以是多層)。記錄層及保護(hù)層厚度，除了考慮上述熱學(xué)性能、機(jī)械強(qiáng)度、可靠性方面的限制外，還要考慮隨多層結(jié)構(gòu)而來的干涉效應(yīng)，厚度選擇要使得激光吸收效率好、記錄信號的振幅即記錄狀態(tài)與未記錄狀態(tài)的反差大。例如，若將本發(fā)明媒體用于可擦寫DVD，并確保與只讀型DVD的互換性，則必須提高調(diào)制度。又必須能夠原封不動(dòng)地使用通常單放機(jī)采用的稱為DPD(DifferentialPhaseDetection，即差分相位檢測)法的跟蹤伺服法。圖6所示為記錄、重放EFM增強(qiáng)型調(diào)制的隨機(jī)信號時(shí)的DC重放信號(含直流分量的重放信號)波形。調(diào)制度以14T斑點(diǎn)的最大信號強(qiáng)度Itop與信號振幅I14之比I14/Itop來定義。Itop實(shí)際上相當(dāng)于未記錄部分(結(jié)晶態(tài))的槽內(nèi)的反射率。I14則反映相變媒體的結(jié)晶態(tài)部分與非晶態(tài)部分反射光的強(qiáng)度差及相位差的問題。反射光的強(qiáng)度差基本上由結(jié)晶態(tài)與非晶態(tài)的反射率差來決定，若上述記錄后的調(diào)制度約為0.5以上，則能夠?qū)崿F(xiàn)低跳動(dòng)，同時(shí)上述利用DPD法的跟蹤伺服也很好地動(dòng)作。圖7所示為典型4層結(jié)構(gòu)反射率差的計(jì)算舉例。是在聚碳酸酯基板上設(shè)置(ZnS)80(SiO2)20保護(hù)層、Ge0.05Sb0.69Te0.26記錄層、(ZnS)80(SiO2)20保護(hù)層、及Al0.995T0.005反射層的結(jié)構(gòu)。各層折射率采用實(shí)測值。在波長650nm條件下各材料的復(fù)數(shù)折射率是，上下保護(hù)層為2.12～0.1i，反射層為1.7～5.3i，基板為1.56，記錄層在非晶態(tài)時(shí)(剛成膜后的狀態(tài)下測量)為3.5～2.6i，初始化后的結(jié)晶態(tài)為2.3～4.1i。又，記錄層、第2保護(hù)層及反射層的膜厚分別為18nm、20nm及200nm，取固定值。只看與第1保護(hù)層膜厚的關(guān)系，通常振幅的變化小，與分母Itop、即結(jié)晶態(tài)的反射率有很密切的關(guān)系。因而，結(jié)晶態(tài)反射率最好盡可能低。在圖7的計(jì)算舉例中，第1保護(hù)層為折射率n=2.12的(ZnS)80(SiO2)20膜，這時(shí)，第1極小值d1為膜厚50～70nm，第2極小值d2為膜厚200～220nm。以后周期性變化。如果是反射率高的記錄層，則結(jié)晶態(tài)反射率極小的第1保護(hù)層膜厚實(shí)際上僅僅由保護(hù)層的折射率決定。其他折射率n的極小點(diǎn)膜厚若對d1及d2乘以2.1/n，則近似可求出。通常，用作保護(hù)層的電介質(zhì)為n=1.8～2.3左右，d1為60～80nm左右。若第1保護(hù)層折射率n小于1.8，則由于在極小點(diǎn)的反射率增加，調(diào)制度顯著下降，小于0.5，因此是不適宜的，反之，若超過2.3，則由于極小點(diǎn)的反射率過低，不能達(dá)到20％，聚焦伺服及跟蹤伺服困難，因此也不適宜。在本發(fā)明記錄層的組成范圍內(nèi)，能發(fā)揮與圖7基本類似的光學(xué)特性。從生產(chǎn)效率的觀點(diǎn)來看，第1保護(hù)層膜厚最好限于150nm以下。這是因?yàn)?，現(xiàn)在利用濺射法的電介質(zhì)保護(hù)層成膜速度頂多為15nm/秒，其成膜若需要10秒鐘以上，則成本要上升。另外，由于膜厚變化的允許范圍比較嚴(yán)格，因此生產(chǎn)效率不理想。也就是說，由圖7可知，若與所希望的膜厚d0偏離△d，則在第1極小值d1附近及第2極小值d2附近，反射率都變化相同數(shù)值。另一方面，制造上膜厚分布的均勻性限度通常是相對于d0±2～3％。因而，d0越薄，膜厚變化幅度△d越小，能夠抑制盤片面內(nèi)或盤片之間的反射率變化，因此是有利的。因而，對于價(jià)格便宜的靜止相對型濺射裝置，沒有基板自轉(zhuǎn)、公轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的裝置，最好采用第1極小值d1附近的膜厚。另一方面，厚保護(hù)層對于抑制反復(fù)重寫時(shí)的基板表面變形有很大效果，因此若著重于改善反復(fù)重寫耐久性，則最好采用第2極小值d2附近的膜厚。在通過基板入射錄放光進(jìn)行記錄或重放的那樣的媒體中，必須使第1保護(hù)層有一定程度的厚度，以保護(hù)基板免收記錄時(shí)所產(chǎn)生的熱量的影響。記錄層在記錄時(shí)雖然是100納秒左右但達(dá)到500～600℃以上。因此，膜厚最好為50nm以上。在小于50nm的情況下，若反復(fù)記錄，則基板上積聚微觀變形，容易產(chǎn)生噪聲及缺陷等。特別是基板為聚碳酸酯等熱塑性塑料時(shí)尤為重要。下面說明與本媒體一起使用的理想的光記錄方法。理想的第一記錄方法是在上述記錄媒體上利用多種記錄斑點(diǎn)長度對斑點(diǎn)長度調(diào)制信息進(jìn)行記錄時(shí)，在記錄斑點(diǎn)之間照射能夠使非晶態(tài)結(jié)晶化的擦除功率Pe的記錄光，一個(gè)記錄斑點(diǎn)的時(shí)間長度為nT時(shí)(T為基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期，n為2以上的整數(shù))。將記錄斑點(diǎn)的時(shí)間長度nT依次分割為η1T、α1T、βiT、α2T、β2T……、αiT、βiT、……αmT、βmT、η2T(式中，m為脈沖分割數(shù)，m=n-k，設(shè)k為0≤k≤2的整數(shù)。又，設(shè)∑i(αi+βi)+η1+η2=n，η1為η≥0的實(shí)數(shù)，η2為η2≥0的實(shí)數(shù)，0≤η1+η2≤2。設(shè)αi(1≤i≤m)為αi＞0的實(shí)數(shù)，βi(1≤i≤m)為βi＞0的實(shí)數(shù)，∑αi＜0.5n。設(shè)α1=0.1～1.5、β1=0.3～1.0、βm=0～1.5、αi=0.1～0.8(2≤i≤m)。而在3≤i≤m的i中，設(shè)αi+βi-1=0.5～1.5的范圍，且與i無關(guān)，為一固定值。在αiT(1≤i≤m)時(shí)間內(nèi)，照射足以使記錄層熔融的記錄功率Pw(Pw≥Pe)的記錄光，在βiT(1≤i≤m)時(shí)間內(nèi)，照射滿足0＜Pb≤0.2Pe的偏置功率Pb的記錄光(這里，在βmT中可以有0＜Pb≤Pe的關(guān)系)。通過與上述媒體一起采用本記錄方法，能夠正確控制記錄層再凝固時(shí)的冷卻速度，至少在3m/s到8m/s的線速度范圍內(nèi)，而利用設(shè)定記錄條件的方法，能夠在1m/s至15m/s很寬的線速度范圍內(nèi)進(jìn)行最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的高密度斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄，能夠達(dá)到1000次以上的反復(fù)重寫次數(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)小于基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期10％的低跳動(dòng)。首先，為了實(shí)現(xiàn)上述高密度斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄，使波長350～680nm的激光光束通過數(shù)值孔徑NA為0.55以上0.9以下的物鏡將光聚焦在記錄層上，得到微小的聚焦光束的光點(diǎn)。最好是使NA為0.55以上0.65以下，若NA超過0.65，則由于光軸傾斜而產(chǎn)生的像差的影響變大，必須使物鏡與記錄面的距離極其接近。因而，在通過DVD等0.6mm左右厚度的基板入射聚焦光束時(shí)，NA為0.65左右是上限。然后，如圖8所示，通過將記錄光功率調(diào)制為至少3值，能夠放寬功率余量及記錄時(shí)的線速度余量。在圖8中，最前面記錄脈沖α1T的開始位置及最后面切斷脈沖βmT的結(jié)束位置不一定必須與原來記錄信號的開始位置及結(jié)束位置一致。在0≤η1+η2≤2.0的范圍內(nèi)，可以在最前面設(shè)置η1T，在最后面設(shè)置η2T。根據(jù)該斑點(diǎn)前后的斑點(diǎn)長度和斑點(diǎn)間的長度，對η1T和η2T的長度進(jìn)行微調(diào)，對于正確形成斑點(diǎn)也是有效的?；蛘咭灿邢鄳?yīng)于斑點(diǎn)長度nT僅僅改變βm，以此能夠形成良好的斑點(diǎn)的情況。也可以使最后的βm=0。例如，在EFM調(diào)制中，3T～11T的斑點(diǎn)中的11T斑點(diǎn)，或在EFM增強(qiáng)型調(diào)制中3T～14T的斑點(diǎn)中的14T斑點(diǎn)等長斑點(diǎn)，是那樣容易積蓄熱量，因此最好延長最后的βm，以延長冷卻時(shí)間。反之，在3T斑點(diǎn)等短斑點(diǎn)情況下，最好縮短βm。其調(diào)整寬度為0.5左右。如果是超過所謂DVD程度的線密度的高密度記錄，則即使不一定進(jìn)行那樣的微調(diào)也能得到足夠好的記錄信號質(zhì)量。又，通過改變偏置功率Pb的大小，也能夠控制斑點(diǎn)形狀。圖9所示為照射兩個(gè)記錄脈沖時(shí)記錄層某一點(diǎn)的溫度隨時(shí)間變化之一例。是相對于媒體相對移動(dòng)光束、同時(shí)連續(xù)照射記錄脈沖P1、切斷脈沖及記錄脈沖P2時(shí)，在照射記錄脈沖P1的位置上的溫度變化。圖中(a)為Pb=Pe的情況，(b)為Pb≈0的情況。圖9中的(b)，由于切斷脈沖區(qū)間的偏置功率Pb幾乎為0，因此TL′從熔點(diǎn)降低到非常低的點(diǎn)，而且中途的冷卻速度也大。因而，非晶態(tài)斑點(diǎn)在記錄脈沖P1照射時(shí)熔解，在其后的切斷脈沖時(shí)由于急冷而形成。另一方面，在圖9(a)中，在切斷脈沖區(qū)間還照射擦除功率Pe，因此第1個(gè)記錄脈沖P1照射后的冷卻速度慢，由于在切斷脈沖區(qū)間的溫度下降，達(dá)到的最低TL溫度停留在熔點(diǎn)Tm附近，再由于后續(xù)的記錄脈沖P2作用加熱至熔點(diǎn)Tm附近，難于形成非晶態(tài)斑點(diǎn)。對于本發(fā)明媒體，取圖9(b)所示的陡削溫度分布曲線對于抑制高溫區(qū)的結(jié)晶化，得到良好的非晶態(tài)斑點(diǎn)是很重要的。這是因?yàn)?，本發(fā)明媒體的記錄層僅在略小于熔點(diǎn)的高溫區(qū)顯示出大的結(jié)晶速度，因此取(b)的分布曲線，這是記錄層溫度基本上沒有停止在高溫區(qū)的分布曲線，人們認(rèn)為能夠以此抑制再結(jié)晶化?；蛘?，在接近結(jié)晶溫度Tc的比較低的低溫區(qū)，晶核生成在每次擦除過程不是起支配作用，由于前述初始化時(shí)形成的能夠構(gòu)成晶核的Sb原子團(tuán)穩(wěn)定存在，也可以認(rèn)為僅僅高溫區(qū)的晶體生長起支配作用。因而，通過控制冷卻速度及TL′，能夠幾乎完全抑制再結(jié)晶化，得到具有幾乎與熔融區(qū)域一致的有清晰輪廊的非晶態(tài)斑點(diǎn)，能夠減少斑點(diǎn)邊界的跳動(dòng)。另一方面，對于GeTe-Sb2Te3偽二元素合金，采用圖9中(a)、(b)中的任一溫度分布曲線，非晶態(tài)斑點(diǎn)形成過程也沒有顯著差別。這是因?yàn)?，該材料在比較寬的溫度范圍、特別是接近結(jié)晶溫度Tc的低溫區(qū)，顯示出速度稍慢的再晶化?；蚴牵摬牧显诒容^接近Tc的溫度區(qū)的晶核生成與接近Tm的溫度區(qū)的晶體生長成為恒定速率，因此也可以認(rèn)為，在比較寬的溫度范圍，作為整體來說發(fā)生較低速度的再結(jié)晶化。對于GeTe-Sb2Te3，也有采用Pb＜Pe。并使用的切斷脈沖以抑制粗大晶粒的情況，但若取Pb/Pe≤0.2，則在Tc附近結(jié)晶化受到過多抑制，擦除性能反而下降。但是，對于本發(fā)明的記錄層材料，人們認(rèn)為在接近Tc的較低溫下的結(jié)晶化基本上不進(jìn)行，因此最好取Pb/Pe≤0.2?；蛘吒唧w來說，取0≤Pb≤1.5(mW)，只要跟蹤伺服穩(wěn)定，最好采用低的Pb，盡可能急冷，這樣積極地利用切斷脈沖，就能夠清晰地形成非晶態(tài)斑點(diǎn)的邊界。在圖8的脈沖分割方法中，特別是僅僅使最前面的記錄脈沖α1T比后續(xù)脈沖αiT長，又僅僅設(shè)定最前面和最后面的切斷脈沖寬度β1T及βmT與其他切斷脈沖不同，這對于取得長斑點(diǎn)與短斑點(diǎn)性能的平衡是最有效的。最前面的脈沖α1T因?yàn)闆]有余熱效應(yīng)，升溫需要稍長的時(shí)間?；蛘撸炎钋懊娴拿}沖的記錄功率設(shè)定得比后續(xù)脈沖高也是有效的。又，若使脈沖切換與時(shí)鐘信號周期T同步，則脈沖控制變得簡單。適于斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄且脈沖控制電路簡單的脈沖分割方法示于圖10中。(a)為記錄斑點(diǎn)長度調(diào)制數(shù)據(jù)時(shí)的脈沖分割方法，(b)為m=n-1的情況(c)，為m=n-2的情況。而在(b)、(c)中，為了使圖形簡單，省略了T。設(shè)圖中所有的αi(2≤i≤m)及βi(2≤i≤m-1)都有與i無關(guān)，為一定值，取αi≥αi，αi+βi-1=1.0(3≤i≤m)，并使αi(2≤i≤m)的記錄脈沖的后沿與時(shí)鐘脈沖同步。又，使Pb與重放光功率Pr相同，也有利于電路簡化。僅僅使最前面脈沖α1T比后續(xù)脈沖長，這對于在所謂眼圖(eyepattern)中使短斑點(diǎn)與長斑點(diǎn)的記錄很好平衡是很有必要的?；蛘咭部梢詢H僅使前面脈沖的功率比后續(xù)脈沖高。這樣的脈沖利用圖11所示的3種門信號發(fā)生電路及決定它們之間的優(yōu)先順序的方法就能夠得到。圖11為利用本發(fā)明的記錄方法的脈沖發(fā)生方法之一例的說明圖。(a)為時(shí)鐘信號，(b)為數(shù)據(jù)信號，由記錄脈沖發(fā)生電路中的3種門信號發(fā)生電路產(chǎn)生的門信號為(c)Gate1、(d)Gate2及(e)Gate3。通過預(yù)先決定這3種門信號的優(yōu)先順序，就能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的脈沖分割方法。Gate1僅僅決定記錄脈沖發(fā)生區(qū)間α1T，Gate2決定產(chǎn)生規(guī)定個(gè)數(shù)的后續(xù)脈沖αiT(2≤i≤m)的時(shí)刻。這里設(shè)脈沖寬度αi在2≤i≤m中為一定值αc。Gate3產(chǎn)生切斷脈沖發(fā)生區(qū)間βiT。Gate3導(dǎo)通(高電平)時(shí)，產(chǎn)生Pb，在截止(低電平)時(shí)，產(chǎn)生Pe。僅僅把αi的上升時(shí)間及脈沖寬度單獨(dú)決定，可以使β1取與βi不同的值。最好使Gate3與Gate1的上升沿同步，Gate1及Gate2分別產(chǎn)生Pw，而Gate1及Gate2導(dǎo)通時(shí)，Gate3優(yōu)先。若規(guī)定Gate1的延遲時(shí)間T1為αi，Gate2的延遲時(shí)間(T1+T2)為αc，則能夠規(guī)定圖10的策略。這里若設(shè)T1為1T以上，則成為圖10(b)的m=n-1情況下的脈沖，若設(shè)為小于1T，后續(xù)脈沖減去一個(gè)數(shù)，則成為圖10(c)的m=n-2情況下的脈沖。這時(shí)，使α1T及βm-2比m=n-1時(shí)長，以使形成的斑點(diǎn)長度為nT。作為本發(fā)明的應(yīng)用例，為了在與只讀DVD相同或更高的記錄密度下得到與只讀DVD相同的信號質(zhì)量，最好是采用下述記錄方法。也就是利用數(shù)值孔徑NA為0.55～0.9的物鏡將波長為350～680mn的光聚焦于記錄層上進(jìn)行數(shù)據(jù)錄放的光記錄方法，設(shè)m=n-1或m=n-2，0≤Pb≤1.5(mW)，Pe/Pw為0.3以上0.6以下。而且最好設(shè)α1=0.3～1.5，α1≥αi=0.2～0.8(2≤i≤m)，αi+3i-1=1.0(3≤i≤m)，βm=0～1.5，將Pe/Pw的比保持一定是為了在功率產(chǎn)生變動(dòng)時(shí)，在大功率下記錄斑點(diǎn)大的時(shí)候，也把擦除功率加大，以擴(kuò)大可能擦除的范圍。當(dāng)Pe/Pw小于0.3時(shí)，通常因?yàn)镻e低，擦除不容易徹底。反之，若大于0.6，則Pe過多，容易導(dǎo)致光束中心的再度非晶化，很難利用完全再結(jié)晶化進(jìn)行擦除。又，照射于記錄層的能量過大，也容易因反復(fù)重寫而惡性循劣化。本發(fā)明組成的記錄層，由于αi在特別小的范圍內(nèi)能得到較小的跳動(dòng)，因此最好取∑αi＜0.5n，K越小越使(∑αi)/n減小。即最好在K=0或K=1時(shí)(∑αi)＜0.4n，k=2時(shí)，(∑αi)＜0.5n。為了將這樣的記錄脈沖分割方法用于線速度3m/s以上的重寫，在本發(fā)明記錄層Gex(SbyTe1-y)1-x中，最好是y取0.72以上，對于線速度7m/s以上的重寫，最好使y為0.74以上。亦即Sb/Te比取2.57以上，最好是Sb取2.85以上的富Sb組成。即使將記錄層組成做成這種富Sb組成，非晶態(tài)斑點(diǎn)的穩(wěn)定性及保存穩(wěn)定性仍然較好，這是本發(fā)明的一個(gè)理想的特征。在日本專利特開平8-22644號公報(bào)中記載了在Sb0.7Te0.3鄰近組成中添加共計(jì)10原子％左右的Ag及In而形成的AbInSbTe記錄層。但是，在該AgInSbTe記錄層中，若使Sb/Te比為2.57以上，則非晶態(tài)斑點(diǎn)極不穩(wěn)定，保存穩(wěn)定性存在問題。下面用實(shí)驗(yàn)例加以比較說明。考慮這樣的記錄情況，即在進(jìn)行EFM增強(qiáng)型調(diào)制的斑點(diǎn)長度記錄時(shí)，為了記錄長度nT的斑點(diǎn)，在線速度為2m/s～5m/s的范圍內(nèi)，采用波長630～680nm、NA=0.6的光學(xué)系統(tǒng)，將記錄脈沖分割成n-1個(gè)進(jìn)行記錄。作為本發(fā)明記錄層之一例，采用Ag0.05Ge0.05Sb0.67Te0.23(Sb/Te≈2.91)，而作為上述AgInSbTe記錄層之一例，采用Ag0.05In0.05Sb0.63Te0.27(Sb/Te≈2.33)。本發(fā)明組成的記錄層及上述AgInSbTe記錄層，其光學(xué)常數(shù)大致相等，因此采用相同的層結(jié)構(gòu)，能夠得到相同的反射率及調(diào)制度，因而能夠采用熱學(xué)上相同的層結(jié)構(gòu)。取第1保護(hù)層膜厚為100nm，記錄層為20nm，第2保護(hù)層20nm，反射層為200nm，而都取βi=0.5左右(1≤i≤n-1)，Pw=10～14(mW)，Pe/Pw=0.5，Pb≈0。這時(shí)，對已有的Ag0.05In0.05Sb0.63Te0.27記錄層，最好是α1=0.8～1.2，αi=0.4～0.6(2≤i≤n-1)。特別是αi=1.0，αi=0.5(2≤i≤n-1)，βm=0.5的情況下，∑αi與n無關(guān)，為0.5n。而對于本發(fā)明的Ag0.05In0.05Sb0.67Te0.23記錄層，最好的范圍是α1=0.3～0.5，αi=0.2～0.4(2≤i≤n-1)。更具體地說，可以使αi=0.6，αi=0.35(2≤i≤n-1)。這種情況下，當(dāng)n=3時(shí)，∑αi≈0.32n；而n=4以上時(shí)，∑αi≈0.33n～0.34n。也就是說這表明在本發(fā)明媒體中，能夠減小記錄時(shí)照射的平均照射功率，減小實(shí)際的記錄脈沖照射時(shí)間為∑αi＜0.4n。據(jù)此可以得到下述效果。(1)能夠減小由于高功率記錄導(dǎo)致的記錄信號質(zhì)量的下降。高功率記錄的問題起因于，給予記錄層的光能過多而充滿記錄層。因此，冷卻速度慢，發(fā)生非晶態(tài)斑點(diǎn)的再結(jié)晶化，或者使反復(fù)重寫性能顯著下降。通過設(shè)置低功率的切斷脈沖區(qū)間以抑制平均輸入功率，而且利用高熱傳導(dǎo)率的反射層向平面方向散熱，這樣即使在高功率記錄時(shí)，也能夠抑制斑點(diǎn)后端部分、特別是長斑點(diǎn)后端部分的熱積蓄造成的惡劣影響，能夠形成良好的長斑點(diǎn)。(2)能夠減輕反復(fù)重寫時(shí)各層的熱損傷，改善反復(fù)重寫耐久性。通過減小每次的熱損傷，能夠抑制例如耐熱性差的塑料基板的變形。還能夠把傷損傷達(dá)到的范圍限制在激光束剖面的中心部分的較狹小的范圍內(nèi)。特別是越容易產(chǎn)生熱積蓄的n=4以上的長斑點(diǎn)，使實(shí)際記錄能量照射比例(∑αi)/n減小的效果越大。因而即使是容易受熱損傷的5m/s以下的低線速度下，也能夠減輕對媒體的惡劣影響。在本發(fā)明中，能夠這樣改善反復(fù)重寫耐久性，達(dá)到比以往高1個(gè)數(shù)量級的重寫次數(shù)。還有，記錄層采用以Gex(SbyTe1-y)1-x合金為主要成分的薄膜(0.045≤x≤0.075，0.74≤y＜0.8)，利用根據(jù)線速成度改變記錄脈沖分割方法，能夠以包括3m/s～8m/s的很寬范圍的線速度進(jìn)行重寫。也就是說，在圖8的脈沖分割方法中，m=n-k的k取一定值，重寫時(shí)的線速度越低，越是使Pb/Pe或αi的某一項(xiàng)單調(diào)減少。還有，為了保持一定的記錄線密度，也可以根據(jù)需要相應(yīng)于線速度改變時(shí)鐘信號周期，或改變Pw、Pe以在各自線速度下保持最佳。在本發(fā)明中，還提供一種以DVD標(biāo)準(zhǔn)重放線速度的1倍速及2倍速兩種條件記錄最短斑點(diǎn)長度為0.35～0.45μm的所謂EFM增強(qiáng)型調(diào)制信號的方法。而且DVD的標(biāo)準(zhǔn)重放線速度為3.49m/s。也就是說，所述光記錄方法是利用數(shù)值孔徑NA為0.55～0.65的物鏡，使波長為600～680nm的光通過基板聚焦在記錄層上，取最短斑點(diǎn)長度為0.35～0.45μm范圍，進(jìn)行數(shù)據(jù)錄放的方法，所述光記錄方法是設(shè)n為1～14的整數(shù)，m=n-1，Pb在0≤Pb≤1.5(mW)范圍內(nèi)與線速度無關(guān)，取一定值，Pe/Pw能夠在0.4～0.6范圍內(nèi)相應(yīng)于線速度變化，(ⅰ)在記錄線速度為3～4m/s的范圍內(nèi)，設(shè)基準(zhǔn)時(shí)鐘周期為T0，α1=0.3～0.8，α1≥αi=0.2～0.4，與i無關(guān)，取一定值(2≤i≤m)，α2+β1≥1.0，α1+βi-1=1.0(3≤i≤m)，βm=0.3～1.5，在αiT(1≤i≤m)時(shí)間內(nèi)照射記錄功率Pw1的記錄光，(ⅱ)在記錄線速度為6～8m/s范圍內(nèi)，設(shè)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期為T0/2，α’1=0.3～0.8，α’1≥α’i=0.3～0.5，與i無關(guān)，取一定值(2≤i≤m)，α’i+β’i-1=1.0(3≤i≤m)，β’m=0～1.0，在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)，照射記錄功率為Pw2的記錄光時(shí)為α’i＞αi(2≤i≤m)，0.8≤Pw1/Pw2≤1．2。根據(jù)本發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)，只要采用圖10的脈沖分割方法，利用該設(shè)定能夠得到特別小的跳動(dòng)。這里，若是還設(shè)α2+β1=1.0，則與脈寬有關(guān)的獨(dú)立參數(shù)為α1、αi及βm這3個(gè)參數(shù)，能夠進(jìn)一步簡化記錄信號源，是非常理想的。還有，n沒有必要取從1到14的所有整數(shù)，在EFM增強(qiáng)型調(diào)制中，取3到11及14。也可以使用(1，7)RLL-NRZI(RunLengthLimited-NonReturnToZeroInverted；即有限游程長度碼-IBM式不歸零碼)碼等。另外，為了使記錄密度為一定值，一般設(shè)定1倍速記錄時(shí)的時(shí)鐘信號周期為2倍速記錄時(shí)的2倍。還有，本發(fā)明不僅對于如上所述的一面維持一定線速度一面對整個(gè)記錄面進(jìn)行記錄的方式(Constantlinearvelocity，CLV方式，即恒線速度方式)有效果，而只對于以一定旋轉(zhuǎn)角速度在整個(gè)記錄區(qū)進(jìn)行記錄的方式(Constantangularvelocity，CAV方式，即恒角速度方式)也有效。或者，對于將半徑方向分割為多個(gè)區(qū)域，在同一區(qū)域內(nèi)按CLV方式進(jìn)行重寫的ZCLV(ZonedCLV，即區(qū)域等線速度)方式也有效。光盤直徑有86mm、90mm(簡單CD尺寸)、120mm(CD尺寸)或130mm等各種各樣，記錄區(qū)從半徑20～25mm到最大近65mm。這時(shí)內(nèi)外圈的線速度差最大接近3倍。通常，在高密度斑點(diǎn)長度記錄中，相變媒體顯示出良好的重寫特性的線速度范圍為線速度比在1.5倍左右的范圍。若線速度快，則由于記錄層冷卻速度快，因此容易形成非晶態(tài)斑點(diǎn)，但是保持于結(jié)晶溫度以上的時(shí)間短，擦除困難。另一方面，若線速度慢，則擦除容易，但是由于記錄層冷卻速度慢，因此容易再結(jié)晶化，很難形成良好的非晶態(tài)斑點(diǎn)。為了解決這一問題，可以通過調(diào)節(jié)，使內(nèi)外圈反射層膜厚改變，使得內(nèi)圈反射層的散熱效果程度增大?；蛘哌€有這樣的方案，即改變記錄層組成，以提高外圈的結(jié)晶速度，或降低內(nèi)圈形成非晶態(tài)所必需的臨界冷卻速度。但是，要使做成的盤片具有這樣的分布不是容易的。另一方面，若將本發(fā)明的媒體與光記錄方法組合使用，假如在盤片最外圈線速度即最大線速度為約10m/s以下，則即使采用CAV方式或ZCLV方式也能夠進(jìn)行良好的記錄。為了將本發(fā)明用于如上所述根據(jù)半徑來改變線速度的媒體，最好將記錄區(qū)按照半徑分為多個(gè)區(qū)域，將數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)時(shí)鐘頻率及脈沖分割方法切換使用于每個(gè)區(qū)域。也就是說，是使具有規(guī)定記錄區(qū)的光學(xué)信息記錄媒體以一定角速度旋轉(zhuǎn)，而利用多種斑點(diǎn)長度記錄信息的方法，使該媒體旋轉(zhuǎn)以使記錄區(qū)最內(nèi)圈的線速度為2～4m/s，記錄區(qū)最外圈的線速度為6～10m/s，該記錄區(qū)由按半徑分割的多個(gè)區(qū)域構(gòu)成，根據(jù)各區(qū)域內(nèi)的平均線速度改變基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T，使記錄密度大致為一定。這時(shí)，取脈沖分割數(shù)m為一定值而與區(qū)域無關(guān)，從外圈區(qū)域到內(nèi)圈區(qū)域使Pb/Pe比及/或αi(i為1≤i≤m中的至少1個(gè))單調(diào)減小。這樣在低線速度的內(nèi)圈部分能夠防止因冷卻速度不夠而使非晶態(tài)斑點(diǎn)的形成不完全的情況發(fā)生，另外，所謂單調(diào)減小αi(i為1≤i≤m中的至少1個(gè))是指例如在α1、α2……、αm中只使α2減少。更具體來說，希望能夠以圖10所示的脈沖分割方法為基礎(chǔ)，采用根據(jù)線速度的脈沖分割方法來簡化可變脈沖分割方法的電路。這時(shí)，將記錄區(qū)沿半徑方向分割為P個(gè)區(qū)域，使各個(gè)區(qū)域的時(shí)鐘信號周期及脈沖分割方法改變，這比起根據(jù)半徑位置連續(xù)使其變化要簡單。在本發(fā)明中，記錄區(qū)按照半徑分割為P個(gè)區(qū)域，將最內(nèi)圈一側(cè)作為第1區(qū)域，將最外圈一側(cè)作為第P區(qū)域，若設(shè)第q區(qū)域(這里q為1≤q≤p的整數(shù))中的角速度為ωq，平均線速度為&#60Vq&#62ave，最大線速度為&#60Vq&#62max，最小線速度為&#60Vq&#62min，基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期為Tq，最短斑點(diǎn)時(shí)間長度為nminTq，則最好&#60Vp&#62ave/&#60V1&#62ave為1．2～3的范圍，&#60Vq&#62max/&#60Vq&#62min為1.5以下。在同一區(qū)域內(nèi)采用相同的時(shí)鐘信號周期及相同的脈沖分割方法，但是用相同的脈沖分割方法能夠覆蓋的線速度范圍的限度約為1.5倍。于是，在同一區(qū)域內(nèi)，ωq、Tq、αi、βi、Pe、Pb及Pw為一定值，最短斑點(diǎn)物理長度nminTq&#60Vq&#62ave為0.5μm以下，Tq&#60Vq&#62ave對于1≤q≤p的所有的q近似為一定值，而且m=n-1或m=n-2，α1=0.3～1.5，αi≥αi=0.2～0.8，(2≤i≤m)，αi+βi-1=1.0(3≤i≤m)，0≤P≤1.5(mW)，0.4≤Pe/Pw≤0.6，式中最好當(dāng)m=n-1時(shí)，α1=0.3～1.5，αi=0.2～0.5；當(dāng)m=n-2時(shí)，α1=0.5～1.5，αi=0.4～0.8。脈沖分割方法重要的是依照以下規(guī)則來變化。在各區(qū)域中，Pb、Pw、Pe/Pw比、α1、β1、βm為可變，從外圈區(qū)域向內(nèi)圈區(qū)域至少使αi(i為2≤i≤m中的至少1個(gè))單調(diào)減小。各區(qū)域的α1的變化最好以0.1T為間隔或0.01T為間隔進(jìn)行。這里，通過附加相對于最外圈基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期Tp的1/100左右周期的高頻基本時(shí)鐘信號發(fā)生電路，能夠產(chǎn)生作為該高頻基本時(shí)鐘信號的倍數(shù)的所有區(qū)域的Tq及分割脈沖長度。在DVD中，由于1倍速的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號頻率為26MHz左右，因此采用最高為2.6GHz左右的高頻基本時(shí)鐘信號頻率、而通常是小1個(gè)數(shù)量級的260MHz左右的高頻基本時(shí)鐘信號頻率就足夠了。再者，設(shè)該記錄區(qū)的Pw的最大值為Pwmax，最小值為Pwmin，則可以使Pwmax/Pwmin≤1.2，Pe=Pw=0.4～0.6，0≤Pb≤1.5(mW)。據(jù)此，可以限定3種功率的設(shè)定范圍，因此能夠簡化功率發(fā)生電路。在本發(fā)明中，還可以通過設(shè)定Pw、Pe/Pw比及Pb為一定值，并僅僅改變脈沖分割方法，以對應(yīng)所有的線速度。還可以設(shè)定βm為與區(qū)域無關(guān)的一定值，而僅僅將α1及αm設(shè)定為與區(qū)域相關(guān)的參數(shù)。這對于簡化驅(qū)動(dòng)器的記錄脈沖控制電路是極其有用的。在本發(fā)明中，也可以根據(jù)記錄時(shí)激光頭的半徑位置信息在記錄媒體上設(shè)定假想?yún)^(qū)域進(jìn)行記錄，也可以根據(jù)盤片上預(yù)先記錄的地址信息或區(qū)域信息在盤片上設(shè)置具體的區(qū)域構(gòu)造，假想的區(qū)域也好，具體的區(qū)域也好，只要選擇與區(qū)域決定的線速度對應(yīng)的記錄脈沖方法即可。下面說明將本發(fā)明的光記錄方法用于ZCAV方式的其他例子。記錄區(qū)按照半徑分割為p個(gè)區(qū)域，將最內(nèi)圈一側(cè)作為第1區(qū)域，將最外圈一側(cè)作為第p區(qū)域，設(shè)第q區(qū)域(這里q為1≤q≤p的整數(shù))中的角速度為ωq，平均線速度為&#60Vq&#62ave，最大線速度為&#60Vq&#62max，最小線速度為&#60Vq&#62min，基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期為Tq，最短斑點(diǎn)時(shí)間長度為nminTq。在ZCAV方式中，越移向外圈部分的區(qū)域，必須越減小記錄數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號的Tq，使得記錄線密度大致為一定值。也就是說，為了使Tq&#60Vq&#62ave相對于1≤q≤p的所有的q大致為一定值，要對應(yīng)于不同區(qū)域改變Tq。這里所謂大致為一定值，是包含有±1％左右的誤差。另外，為了使同一區(qū)域內(nèi)的最大線速度與最小線速度在一定范圍內(nèi)，決定的區(qū)域?qū)挻蠖纫獫M足下式，即(&#60Vq&#62max-&#60Vq&#62min)/(&#60Vq&#62max+&#60Vq&#62min)＜10％(2)也就是說，使(&#60Vq&#62max-&#60Vq&#62min)小于(&#60Vq&#62max+&#60Vq&#62min)的10％，第q區(qū)域的寬度允許達(dá)到平均半徑&#60rq&#62ave的±10％以下的半徑位置。最好是(&#60Vq&#62max-&#60Vq&#62min)為(&#60Vq&#62max+&#60Vq&#62min)的5％不到。區(qū)域?qū)挾瓤梢詫⒂涗泤^(qū)按每一半徑等分分割，但只要滿足該條件，也可以不是等分分割。區(qū)域數(shù)量因記錄區(qū)寬度而異，但對于30～40mm寬度的記錄區(qū)，大致分割成10個(gè)區(qū)域以上。根據(jù)本發(fā)明者的研究，即使最短斑點(diǎn)長度為0.4μm左右，若滿足(2)式，則跳動(dòng)值也能達(dá)到實(shí)用水平。以上兩個(gè)條件是為了使記錄線密度一定、進(jìn)而使斑點(diǎn)物理長度或信道位長度一定的條件。另外，所謂信道位長度是沿記錄道的每個(gè)信息位的長度。為了更可靠地得到與DVD的重放互換性，當(dāng)設(shè)基準(zhǔn)重放速度V為約3.5m/s、基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T為約38.2nsec時(shí)，最好使信道位長度VT的變化小于約±1％。在ZCAV媒體中，為了滿足該條件，必須滿足下述(3)式，即(&#60Vq&#62max-&#60Vq&#62min)/(&#60Vq&#62max+&#60Vq&#62min)＜1％(3)也就是說，使(&#60Vq&#62max-&#60Vq&#62min)小于(&#60Vq&#62max+&#60Vq&#62min)的1％，第q區(qū)域的寬度允許達(dá)到平均半均&#60rq&#62ave的1％以下的半徑位置。因此，將記錄區(qū)分割為200個(gè)以上的區(qū)域。而且Tq&#62Vq&#62ave=VT，Tq&#60Vq&#62ave相對于1≤q≤p的所有的q大致為一定值。這里所謂大致為一定值，是包含±1％左右的誤差。這樣，雖然是ZCAV方式，但由于能夠進(jìn)行與半徑無關(guān)的準(zhǔn)等密度記錄，因此用CLV方式也能夠重放，提高了CLV方式與DVD播放機(jī)的互換性。根據(jù)需要，也可以使區(qū)域?qū)挾雀?。下面說明在上述條件下得到與DVD相同記錄密度的光記錄方法。在利用數(shù)值孔徑NA為0.55～0.65的物鏡使波長為600～680nm的光通過基板聚焦在記錄層上進(jìn)行數(shù)據(jù)錄放時(shí)，上述記錄區(qū)的最內(nèi)圈在半徑20～25mm范圍內(nèi)，最外圈在半徑55～60mm范圍內(nèi)，最內(nèi)圈一側(cè)區(qū)域的平均線速度為3～4m/s，若取第q區(qū)域(這里q為1≤q≤p的整數(shù))中的角速度為ωq，平均線速度為&#60Vq&#62ave，最大線速度為&#60Vq&#62max，最小線速度為&#60Vq&#62min，基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期為Tq，最短斑點(diǎn)的時(shí)間長度為nminTq，則n為1～14的整數(shù)，m=n-1，ωq、Pb及Pe/Pw與區(qū)域無關(guān)，為一定值，Tq&#60Vq&#62ave相對于1≤q≤p的所有的q大致為一定值，而且滿足下式的關(guān)系(&#60Vq&#62max-&#60Vq&#62min)/(&#60Vq&#62max+&#60Vq&#62min)＜10％(ⅰ)設(shè)在第一區(qū)域中α1i=0.3～0.8，α1i≥α1i=0.2～0.4，與i無關(guān)，為一定值(2≤i≤m)，α12+β11≤1.0α1i+β1i-1=1.0(3≤i≤m)，(ⅱ)設(shè)在第p區(qū)域中αp1=0.3～0.8，αpi≥αpi=0.3～0.5，與i無關(guān)，為一定值(2≤i≤m)，αpi+βpi-1=1.0(3≤i≤m)，這時(shí)，(ⅲ)設(shè)在其它區(qū)域中，α1i≤αqi≤αpi(2≤i≤m)，αq1作為α11與αpi之間的值記錄。上述記錄區(qū)最內(nèi)圈在半徑20～25mm的范圍，最外圈在半徑55～60mm范圍，這種情況下記錄區(qū)的半徑寬約30～40mm。而且使盤片以等角速度旋轉(zhuǎn)，使最內(nèi)圈第1區(qū)域中&#60V1&#62ave=3～4m/s。對于第1區(qū)域及第p區(qū)域按照上述條件進(jìn)行記錄，對于其他區(qū)域(2≤q≤p-1的第q區(qū)域)，設(shè)α1i≤αqi≤αp1(2≤i≤m)，αq1為α11與αp1之間的值，這種情況下，αq1的值最好以0.1T或0.01T的間隔來設(shè)定。最好α11≥αq1≥αp1(式中α11＞αp1)。再者，若Pb、Pe/Pw、β1、βm與區(qū)域無關(guān)，為一定值，僅僅使α1及αi因區(qū)域而變化，則能夠在整個(gè)線速度3～8m/s的很寬的線速度范圍內(nèi)得到良好的重寫特性。最好是這些Pe/Pw、Pb、Pw、βm、(α11、αp1)、(α1c、αpc)的數(shù)值預(yù)先利用預(yù)刻凹坑串或槽變形記錄在基板上，這樣，對各記錄媒體還有各區(qū)域，驅(qū)動(dòng)器可以選擇最合適的脈沖分割方法及功率，這些數(shù)值通常記錄在記錄區(qū)的與最內(nèi)圈或最外圈的相鄰的位置。若使偏置功率Pb與重放功率Pr相同，則有的情況下也可以不必記錄偏置功率Pb。所謂槽變形，具體來說是槽蛇行(擺動(dòng))等?；蛘?，在利用預(yù)刻凹坑串或槽變形將地址信息預(yù)先記錄在基板上的光學(xué)信息記錄媒體上，也可以與該地址信息一起，在該地址中包含適當(dāng)?shù)呐cα1及αi有關(guān)的信息。借助于此，能夠在存取時(shí)與讀出地址信息同時(shí)也讀出該脈沖分割方法信息，能夠切換脈沖分割方法，還能夠不進(jìn)行特別補(bǔ)償，就選擇適合該記錄媒體及該地址所屬區(qū)域的脈沖分割方法。上述那樣對于每個(gè)區(qū)域一邊改變記錄脈沖分割方式、一邊在整個(gè)盤片進(jìn)行記錄的方式，也能夠采用ZCLV方式(區(qū)域CLV)。下面說明具體例子。設(shè)將記錄區(qū)沿半徑方向分割為多個(gè)區(qū)域，在各區(qū)域內(nèi)以一定線速度進(jìn)行記錄，在最內(nèi)圈區(qū)域的記錄線速度Vin與在最外圈區(qū)域的記錄線速度Vout之比Vout/Vin為1.2～2，設(shè)αi=0.3～0.6(2≤i≤m)及βm=0～1.5，設(shè)αi+βi-1(3≤i≤m)、α1T、Pe/Pw及Pb與線速度無關(guān)，為一定值，而使αi(2≤i≤m)及/或βm根據(jù)線速度而變化，以此進(jìn)行記錄。ZCLV方式在半徑方向上將記錄區(qū)分割為多個(gè)區(qū)域，這一點(diǎn)與ZCAV方式相同，但在同一區(qū)域內(nèi)是按照CLV方式、即線速度一定，使盤片一邊旋轉(zhuǎn)并一邊進(jìn)行記錄。因此，將本發(fā)明記錄方法用于ZCLV方式時(shí)，設(shè)最內(nèi)圈區(qū)域及最外圈區(qū)域的線速度分別為Vin及Vout，這時(shí)通過減小Vin與Vout之差，例如使Vout/Vin為1.2～2，以減小媒體對線速度的依從性。本發(fā)明媒體僅僅稍微改變記錄脈沖分割方法，就能夠在線速度3～8m/s的很寬范圍內(nèi)進(jìn)行記錄，因此能夠采用分割成較少區(qū)域數(shù)目的ZCLV方式。這時(shí)，為了成為與區(qū)域無關(guān)的等記錄密度，要使各區(qū)域的線速度Vq與各區(qū)域中的記錄數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期Tq的Tq&#60Vq&#62ave與q無關(guān)地保持一定值。然后，在各區(qū)域中采用最佳記錄脈沖分割方法。也就是說，設(shè)αi=0.3～0.5(2≤i≤m)及βm=0～1.5，設(shè)m、αi+βi-1(3≤i≤m)、α1T、Pe/Pw及Pb與線速度無關(guān)，為一定值，根據(jù)線速度使αi及/或βm變化以進(jìn)行記錄。在如上所述的CLV方式、ZCAV方式或ZCLV方式中，根據(jù)重放時(shí)的線速度來改變記錄脈沖分割方法的例子主要是使βm為與線速度無關(guān)的一定值而簡化脈沖發(fā)生電路的方法。反之，通過積極改變βm以謀求簡化脈沖發(fā)生電路也還是可能的。也就是說采用下述光記錄方法，即在將晶結(jié)態(tài)部分作為未記錄、擦除狀態(tài)，而將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)，利用最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的多種記錄斑點(diǎn)長度來記錄信息時(shí)，在記錄斑點(diǎn)間照射能夠使非晶態(tài)結(jié)晶化的擦除功率Pe的記錄光，在1個(gè)記錄斑點(diǎn)時(shí)間長度為nT時(shí)(T為基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期，n為2以上的整數(shù))，將記錄斑點(diǎn)時(shí)間長度nT依照這一順序進(jìn)行分割，即η1T、α1T、β1T、α2T、β2T、……、αiT、βiT……αmT、βmT、η2T(式中，m為脈沖分割數(shù)，m=n-k，k為0≤k≤2的整數(shù)。又，設(shè)∑i(α1+βi)+η1+η2=n，η1為η1≥0的實(shí)數(shù)，η2為η2≥0的實(shí)數(shù)，0≤η1+η2≤2.0，設(shè)αi(1≤i≤m)為αi＞0的實(shí)數(shù)，βi(1≤i≤m)為βi＞0的實(shí)數(shù)，設(shè)α1=0.1～1.5，β1=0.5～1.0，βm=0～1.5，在2≤i≤m的i中，αi在0.1～0.8的范圍內(nèi)，而且與i無關(guān)，為一定值。又，在3≤i≤m的i中，αi+βi-1在0.5～1.5的范圍內(nèi)，而且與i無關(guān)，為一定值。在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)，照射足以使記錄層熔融的Pw＞Pe的記錄功率Pw的記錄光，在βiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)，照射0＜Pb≤0.2Pe(其中，在βmT中可以有0＜Pb≤Pe的關(guān)系)的偏置功率Pb的記錄光，設(shè)m、αi+βi-1(3≤i≤m)、α1T及αiT(2≤i≤m)與線速度無關(guān)，為一定值，而線速度越小，越使βm單調(diào)增加地變化。首先，為了保持記錄密度一定，采用上述ZCAV方式或ZCLV方式，使基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T與線速度成反比變化。然后，至少在3≤i≤m中，最好在2≤i≤m中，設(shè)αi+βi-1與線速度及i無關(guān)，為一定值，這樣能夠簡化脈沖發(fā)生電路，而且能夠使αi隨線速度降低而單調(diào)減速小，使記錄層冷卻速度增加。通常設(shè)αi+βi-1=1.0。為了實(shí)現(xiàn)這樣的脈沖分割方法，只要在圖11的門信號發(fā)生時(shí)序說明圖中，與基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T同步(可以附加一定的延遲)產(chǎn)生1個(gè)寬度為α1T的固定寬度脈沖(Gate1)及多個(gè)后續(xù)的寬度為αiT(αcT)的固定寬度脈沖(Gate2)，另一方面，僅僅使決定最后切斷脈沖寬度βmT的Gate3根據(jù)線速度變化即可。這里，各記錄線速度中的最大記錄功率記為Pwmax，最小記錄功率記為Pwmin，這時(shí)最好設(shè)定Pwmax/Pwmin≤1.2，Pe/Pw=0.4～0.6，0≤Pb≤1.5(mW)。又，如前所述，至少重寫時(shí)的線速度為5m/s以下時(shí)，為了防止反復(fù)重寫時(shí)的熱損傷，在m=n-1中，最好設(shè)∑αi＜0.4n；在m=n-2中，最好設(shè)∑αi＜0.5n。再者，設(shè)重寫時(shí)在最高線速度的βm為βHm，最低線速度的βm為βLm，則可以采用取重寫時(shí)各線速度的βm為βHm與βLm之間的值，而Pb及Pe/Pw比為與記錄線速度無關(guān)的一定值的記錄方法。這種情況下，如果至少Pe/Pw比、Pb、Pw、α1T、αiT、(βLm與βHm)的數(shù)值預(yù)先利用預(yù)凹坑串或槽變形記錄在媒體的基板上，則同樣能夠自動(dòng)選擇最佳脈沖分割方法，這是比較理想的。還有，若最大線速度達(dá)到最小線速度的一倍左右，則也能夠?qū)崿F(xiàn)維持足夠?qū)嵱玫男盘栙|(zhì)量，同時(shí)βm為與記錄線速度無關(guān)的一定值的光記錄方法。在CLV方式的單放式DVD驅(qū)動(dòng)器中，有一種方式是以重放斑點(diǎn)得到的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期為基準(zhǔn)，產(chǎn)生數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號及旋轉(zhuǎn)同步信號，來進(jìn)行旋轉(zhuǎn)控制。如上所述，像最短斑點(diǎn)長度或信道位長度為與記錄半徑無關(guān)的近似一定值那樣，采用ZCAV方式記錄斑點(diǎn)的媒體能夠用本方式的單放式DVD驅(qū)動(dòng)器直接進(jìn)行重放而不用改動(dòng)。也就是說，由于能夠利用PLL(PhaseLockLoop，即鎖相環(huán))方式進(jìn)行旋轉(zhuǎn)同步控制，而使由記錄斑點(diǎn)生成的數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期Tq’與該驅(qū)動(dòng)器的基準(zhǔn)數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號的Tr大致一致，因此即使線速度或信道位長度多少有一點(diǎn)變化，重放電路也能夠原封不動(dòng)地直接進(jìn)行解碼。特別是在所有區(qū)域中最短斑點(diǎn)長度為0.4μm并大致為一定地進(jìn)行記錄的EFM增強(qiáng)型調(diào)制數(shù)據(jù)，根據(jù)由記錄的斑點(diǎn)生成的旋轉(zhuǎn)同步信號，達(dá)到利用PLL控制的CLV旋轉(zhuǎn)同步。同時(shí)產(chǎn)生頻率為25～27MHz范圍的基準(zhǔn)數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號Tr，根據(jù)該時(shí)鐘，能夠不意識到區(qū)域間的轉(zhuǎn)移，而作為CLV記錄媒體進(jìn)行重放。當(dāng)然，若在基準(zhǔn)數(shù)據(jù)時(shí)鐘為Tr/2的情況下達(dá)到旋轉(zhuǎn)同步，則能夠進(jìn)行2倍速的重放。這樣的利用PLL方式的旋轉(zhuǎn)同步信號發(fā)生電路可以原封不動(dòng)地使用已經(jīng)公知的DVD播放機(jī)或DVD-ROM驅(qū)動(dòng)器的方式。本發(fā)明媒體能夠確保在除反射率以外的全部信號特性中與DVD的重放互換性。因此，理想的是槽內(nèi)記錄，或者最好槽的推挽信號要小。這是因?yàn)槿舨鄣耐仆煨盘柎?，則重放時(shí)使用的DPD法的跟蹤伺服信號小。因而槽深必須比推挽信號為最大的λ/(8n)要淺。式中，λ為空氣中的重放光的波長，n為基板的折射率。但是，由于記錄時(shí)通常跟蹤伺服要利用推挽信號，因此過小也不好。又，關(guān)于重放信號特性，為了得到高的CN比，最好調(diào)制度Mod為0.5以上。這里設(shè)Mod為(DC重放信號包絡(luò)線的振幅)/(DC重放信號包絡(luò)線的上端值)。理想的槽深為d=λ/(20n)～λ/(10n)。若比λ/(20n)還要淺，則記錄時(shí)的推挽信號過小，不進(jìn)行跟蹤伺服；若比λ/(10n)深，則重放時(shí)的跟蹤伺服不穩(wěn)定。例如，在記錄重放波長為630～670nm左右、物鏡數(shù)值孔徑NA為0.6～0.65的情況下，槽深最好在25～40nm范圍內(nèi)。又，為了確保與DVD有相同大小的容量，槽間距取0.6～0.8μm，若槽間距為0.74μm，則容易與DVD有互換性。槽寬最好是0.25～0.5μm。若比0.25μm窄，則推挽信號過??；若比0.5μm寬，則槽間寬度變窄，基板噴射成形時(shí)樹脂難于進(jìn)入，槽的形狀難于正確復(fù)制到基板上。本發(fā)明媒體在記錄后反射率降低。在這樣的媒體中，為了使槽內(nèi)的反射率降低，也就是說，若記錄后槽內(nèi)的平均反射率記為RGa，記錄后槽間的平均反射率記為RLa，則為了使RGa＜RLa，最好槽寬比槽間寬度要窄。例如，為了取得與DVD的互換性，若設(shè)槽間距為0.74μm，則槽寬最好比其一半、即0.37μm要窄。另一方面，若記錄前槽內(nèi)的平均反射率記為RGb，記錄前槽間的平均反射率記為RLb，在只要滿足上述RGa＜RLa、也可以是RGb＞RLb的情況下，將槽寬設(shè)為0.4～0.5μm，以此可以加寬槽內(nèi)記錄的非晶態(tài)斑點(diǎn)的寬點(diǎn)，提高調(diào)制度，或降低跳動(dòng)。為了訪問未記錄的特定道，又為了得到使基板以一定線速度旋轉(zhuǎn)的同步信號，有時(shí)在這些槽設(shè)置周期性變形。通常比較多的是在道的橫斷方向形成蛇行的擺動(dòng)(wobble)，也就是說，若槽以一定頻率fwo蛇行，則通過檢測其頻率，就能夠利用PLL方式取出旋轉(zhuǎn)同步用的信號。槽蛇行的振幅最好為40～80nm(峰值對峰值)。若小于40nm，則振幅過小，信號噪聲(SN)比變壞；若超過80nm，則圖6所示的記錄信號的包絡(luò)線的上下端包含過多的由擺動(dòng)信號產(chǎn)生的低頻分量，重放信號失真變大。在擺動(dòng)頻率接近記錄數(shù)據(jù)頻帶的情況下，最好其振幅為80nm以下。再者，若將該蛇行頻率fwo作為載波，根據(jù)特定的地址信息，形成頻率調(diào)制或相位調(diào)制的蛇行，則將其重放能夠取得地址信息。若使蛇行頻率fwo為一定值而形成蛇行槽，則根據(jù)由fwo生成的槽蛇行信號的基準(zhǔn)周期Tw或其倍數(shù)或約數(shù)，也能夠產(chǎn)生數(shù)據(jù)用的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號T。通常，擺動(dòng)周期設(shè)定為比數(shù)據(jù)頻率分量足夠低的低頻或足夠高的高頻，以防止與數(shù)據(jù)信號分量混合，容易用帶通濾波器等分開。特別是fwo比數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期低1～2個(gè)數(shù)量級左右的情況下，即使是可寫CD等也能實(shí)用化。在采用CLV方式的媒體中，在達(dá)到PLL旋轉(zhuǎn)同步后，將fwo提高1～2個(gè)數(shù)量級左右的倍數(shù)，生成數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號。采用這種方法生成的數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號，通常受旋轉(zhuǎn)同步的擺動(dòng)影響(fwo的0.1～1％左右)，因此容易伴隨有與數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(頻率)相同數(shù)量級的擺動(dòng)。這使得數(shù)據(jù)檢測用的窗口余量劣化。因此，與槽蛇行信號不同，為了補(bǔ)償數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號的擺動(dòng)，每隔一定數(shù)據(jù)長度插入預(yù)刻凹坑或振幅大的特殊擺動(dòng)也是有效的。另一方面，若fwo為數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號頻率(1/T)或其1/100到100倍的范圍內(nèi)，則達(dá)到旋轉(zhuǎn)同步后，以取得的擺動(dòng)信號為基準(zhǔn)，即使照原樣不變產(chǎn)生數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號，也能夠確保足夠的精度，也就是說，設(shè)100/T≥fwo≥1/(100T)(5)又，在已敘述的ZCAV法中，最好使產(chǎn)生的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期Tq為各區(qū)域的槽蛇行基準(zhǔn)周期Twq的倍數(shù)或約數(shù)。也就是說，每個(gè)區(qū)域改變頻率fwo，同時(shí)以一定角速度形成槽蛇行，這樣能夠產(chǎn)生作為fwo生成的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號或其遞增倍數(shù)的頻率作為數(shù)據(jù)用基準(zhǔn)時(shí)鐘信號Tq。這時(shí)，若使槽的擺動(dòng)為滿足(5)式的較高頻率，則容易生成各區(qū)域的數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號。這樣能夠改變每個(gè)區(qū)域的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號Tq，能夠與該信號同步產(chǎn)生可變脈沖分割方法，能夠減少分割的各脈沖位置精度或擺動(dòng)，是比較理想的。作為ZCAV方式的區(qū)域分割之一例，可以考慮將槽的一圈作為1個(gè)區(qū)域。這時(shí)的槽具有與區(qū)域無關(guān)的周期為一定的擺動(dòng)。設(shè)槽間距為TP，蛇行周期為Tw0，如果近似滿足下述關(guān)系式，2π·TP=a·Tw0·V0(式中，a為自然數(shù))則在整個(gè)記錄區(qū)形成周期Tw0為一定的擺動(dòng)，僅僅記錄道的一圈每構(gòu)成外圈增加a個(gè)擺動(dòng)。而且，Tw0要為基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T的整數(shù)倍，即Tw0=mT(m為自然數(shù))，這在根據(jù)Tw0產(chǎn)生基準(zhǔn)時(shí)鐘時(shí)，只要單純?yōu)檎麛?shù)分之1即可，因此可以簡化基準(zhǔn)時(shí)鐘發(fā)生電路，這是所希望的。在這種情況下，m也可以近似不是自然數(shù)，可以允許有±5％左右的誤差。也就是說，對于TP=0.74μm來說，若設(shè)V0=3.5m/s，T=38.23nsec，n=1，則m≈34.7，若設(shè)擺動(dòng)周期近似為Tw0=35T，則每1圈所含的擺動(dòng)數(shù)增加1個(gè)。這種情況下的優(yōu)點(diǎn)是，采用CLV方式，盡管引入了擺動(dòng)，但由于相鄰道的擺動(dòng)相位總是一致，因此由于干涉(差拍)引起的擺動(dòng)信號的重放振幅的變化較小。以上說明了本發(fā)明的適用例，但本發(fā)明對于相變媒體一般的斑點(diǎn)長度記錄在改善線速度依從性及記錄功率依從性是有效的，不限于可擦寫DVD。例如，在采用波長為350～500nm的藍(lán)色激光及使用NA=0.6以上的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行最短斑點(diǎn)長度為0.3μm以下的斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄時(shí)，本發(fā)明媒體及記錄方法也是有效的。最短斑點(diǎn)長度若考慮斑點(diǎn)的穩(wěn)定性，最好為10nm左右以上。這時(shí)必須注意使道的橫斷方向的溫度分布平緩，將第2保護(hù)層膜做成極薄的5～15nm是有效的。在采用波長為350～450nm的激光時(shí)，10nm以下更為理想。再者，本發(fā)明媒體也可以適用于將槽與槽間兩者作為記錄道進(jìn)行記錄、即所謂槽脊與槽溝記錄。用槽脊及槽溝必須滿足相同記錄特性，有一定困難，但容易在保持槽寬較寬不變的情況下縮小道間距，適合于高密度記錄。通過使槽寬GW及槽間寬度LW都為0.2～0.4μm，能夠?qū)崿F(xiàn)高密度，同時(shí)能夠得到穩(wěn)定的跟蹤伺服性能。而若GW/LW比為0.8以上1.2以下，則能夠保持槽內(nèi)及槽間兩者有相同的信號質(zhì)量。為了減少交調(diào)失真影響，最好設(shè)槽深d=λ/(7n)～λ/(5n)或λ/(3.5n)～λ/(2.5n)。實(shí)施例下面所述為實(shí)施例，本發(fā)明只要不超過其要點(diǎn)，不限于下面的實(shí)施例。在下面的實(shí)施例中，基板由噴射成型制成?；鍨楹穸?.6mm的噴射成型的聚碳酸酯樹脂基板，只要不特別事先說明，采用形成槽間距0.74μm、寬0.34μm、深30nm的螺旋形槽的基板。只要不特別事先說明，槽在線速度3.5m/s時(shí)具有頻率為140KHz的擺動(dòng)，擺動(dòng)振幅為約60nm(峰值對峰值)。還有，槽的形狀采用U槽近似的光學(xué)衍射法進(jìn)行測量。也可以用掃描電子顯微鏡或掃描電子探針顯微鏡對槽的形狀進(jìn)行實(shí)例。這時(shí)，槽寬采用槽深一半位置處的寬度。只要不特別事先說明，在該基板上以圖5(a)所示的4層結(jié)構(gòu)成膜后，在其上利用旋轉(zhuǎn)涂覆法設(shè)置紫外線硬化樹脂構(gòu)成的保護(hù)層，再與另一片具有相同層結(jié)構(gòu)的0.6mm厚的基板相互粘貼。而且在下面的實(shí)施例及比較例中，將圖5(a)中的第一保護(hù)層叫做下部保護(hù)層，將第2保護(hù)層叫做上部保護(hù)層。剛成膜后的記錄層為非晶態(tài)，利用聚焦為長軸約90μm、短軸約1.3μm的波長為810～830nm的激光束，在線速度從3.0到6.0m/s范圍內(nèi)選擇適當(dāng)?shù)木€速度照射初始化功率為500～700mW的激光，使其整個(gè)面熔融、再結(jié)晶化后作為初始(未記錄)狀態(tài)。各層組成利用熒光X射線分析法、原子吸收光譜分析法及X射線激發(fā)光電子分光分析法等方法綜合進(jìn)行了確認(rèn)。記錄層及保護(hù)層的膜密度根據(jù)在基板上形成數(shù)百nm左右厚的薄膜時(shí)的重量變化求得。膜厚利用由觸針測量儀測量熒光X射線強(qiáng)度得到的膜厚進(jìn)行校正后使用。反射層的面積電阻率利用4擺針法電阻測量儀｛LorestaFP(商品名)，三菱油化(現(xiàn)為DiaInstrument)社制｝測量。電阻測量是用絕緣的玻璃或聚碳酸酯樹脂基板上成膜的反射層、或以圖5的4層結(jié)構(gòu)(紫外線硬化樹脂保護(hù)覆蓋前)成膜后的作為最上層的反射層進(jìn)行測量的。由于上部保護(hù)層為電介質(zhì)薄膜的絕緣體，因此即使是4層結(jié)構(gòu)，對反射層的面積電阻率測量也沒有影響。另外，按照實(shí)際上可以看成是無限大面積的直徑120mm盤片基板形狀進(jìn)行測量。根據(jù)所得到的電阻值R，利用下式計(jì)算面積電阻率ρs及體積電阻率ρv。ρs=F·R(6)ρv=ρs·t(7)式中，t為膜厚，F(xiàn)為由測量的薄膜區(qū)域形狀決定的修正系數(shù)，取4.3～4.5。這里取4.4。只要不特別事先說明，采用PulseTech公司生產(chǎn)的DDU1000評價(jià)裝置進(jìn)行記錄重放評價(jià)。激光頭的波長為637μm，物鏡數(shù)值孔徑NA為0.6或0.63。光束直徑分別為約0.90μm及約0.87μm。還有，光束直徑相當(dāng)于用高斯光束的能量強(qiáng)度為峰值強(qiáng)度的1/e2以上的區(qū)域。記錄是采用圖10所示的脈沖分割方法，只要不特別事先說明，設(shè)m=n-1，αi+βi-1=1.0(2≤i≤m)，Pb在所有線速度情況下為與重放功率相同的1.0mW，為一定值。只要不特別事先說明，Pe/Pw為0.5，是一定值，設(shè)Pb為0.8～1.0mW之間的一定值，改變Pw，測量調(diào)制度及跳動(dòng)。記錄的信號為DVD采用的8～16調(diào)制(EFM增強(qiáng)型調(diào)制)的隨機(jī)信號。只要不特別事先說明，設(shè)最短斑點(diǎn)長度為0.4μm。又，在不特別事先說明的情況下，是在僅僅用單一記錄道進(jìn)行記錄的狀態(tài)下進(jìn)行測量的，因此不包含交調(diào)失真影響。記錄是以DVD的標(biāo)準(zhǔn)線速度3.5m/s為1倍速，以1倍速、2倍速等各種線速度進(jìn)行，重放總是以線速度3.5m/s進(jìn)行，跳動(dòng)是將通過均衡器后的重放信號2值化后進(jìn)行測量。而跳動(dòng)是指邊界對時(shí)鐘的跳動(dòng)(adge-toclockjitter)，測量值用相對于基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T的百分?jǐn)?shù)(％)來表示，均衡器的特性根據(jù)只讀DVD的標(biāo)準(zhǔn)。最好能夠得到相對于基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T=38.2nsec(26.16MHz)為小于約10％(更理想是小于8％)的跳動(dòng)及50％以上的調(diào)制度，更理想是60％以上的調(diào)制度。還有，希望反復(fù)重寫后的跳動(dòng)增加要小一些，至少100次以后，最好1000次以后的跳動(dòng)相對于T能夠維持在小于13％。另外，從確保與只讀DVD的互換性的立場出發(fā)，重要的一點(diǎn)是用650～660nm的重放光進(jìn)行測量，但可以確認(rèn)本發(fā)明中波長僅僅對聚焦光束形狀產(chǎn)生微弱影響，若調(diào)整重放光學(xué)系統(tǒng)，用660nm光學(xué)系統(tǒng)也能夠得到與本發(fā)明使用的637nm光學(xué)系統(tǒng)相同的跳動(dòng)。(實(shí)施例1及比較例1)為了比較作為記錄層的本發(fā)明的InGeSbTe系與一向眾所周知的InAgSbTe四元系，如表-1所示，準(zhǔn)備了除Ag與Ge組成以外、記錄層組成及層結(jié)構(gòu)幾乎是嚴(yán)格一致的媒體。兩記錄層除了把Ge與Ag置換外，其他組成幾乎都可以看作在測量誤差范圍內(nèi)是在非常相同的范圍內(nèi)。下部保護(hù)層的膜厚不同是為了要調(diào)整得使媒體的反射率Rtop相同。由于記錄層的反射率稍微有一點(diǎn)不同，因此必須進(jìn)行這樣的修正，但是為了使記錄層的光吸收效率相同，使由重放光產(chǎn)生的熱損傷的影響相同后進(jìn)行比較，才必須進(jìn)行修正。由于記錄層膜厚及上部保護(hù)層膜厚相同，因此散熱效果及熱損傷可以看成是相同的。基板為0.6mm厚的聚碳酸酯樹脂，形成槽間距0.74μm、槽寬0.34μm、槽深27nm、擺動(dòng)頻率140KHz(線速度3.5m/s)、擺動(dòng)振幅60nm(峰值對峰值)的槽，在該槽內(nèi)進(jìn)行記錄。對這兩種媒體，以記錄線速度3.5m/s、T=38.2nsec、EFM增強(qiáng)型調(diào)制進(jìn)行記錄，顯示出良好的重寫記錄特性。重寫記錄條件未必是各盤片的特性為最好的條件，但以雙方特性如表-1所示大致相同的共同條件進(jìn)行。也就是說，在圖10(a)所示的脈沖分割方法中，設(shè)m=n-1，αi+βi-1=1.0(2≤i≤m)，αi=αc=一定值(2≤i≤m)，αi=0.5，αc=0.3，βm=0.5，又設(shè)Pw=13.5mW，Pe=6.5mW，Pb=0.8mW。對這樣記錄的信號反復(fù)照射重放光，研究重放光的穩(wěn)定性。以規(guī)定的重放光功率Pr照射規(guī)定次數(shù)后，將重放光功率降低至足夠低的0.5mW，進(jìn)行跳動(dòng)等測量。結(jié)果示于圖12中。實(shí)施例1的媒體，在重放光功率為1mW的情況下直至106次完全沒有出現(xiàn)重放光造成的劣化，功率每增加0.1mW，劣化逐漸加快。另一方面，的比較例1的媒體在重放光功率1mW以上的所有重放光情況下，在最初的100～1000次為止的區(qū)間，跳動(dòng)急劇增加，然后慢慢劣化，作為整體來說，跳動(dòng)值高，但初始的跳動(dòng)劣化是致命的。在比較例1中還有，由于重放光而使調(diào)制度下降，照射100次左右要下降10％左右?？梢哉J(rèn)為，初始由于跳動(dòng)急劇增加，因此調(diào)制度的下降進(jìn)行得不均勻。將實(shí)施例1及比較例1的已經(jīng)記錄完成的媒體放置在80℃/80％RH環(huán)境下進(jìn)行的加速試驗(yàn)。250小時(shí)后實(shí)施例1的盤片特性基本上完全沒有變化，而相反，比較例1的盤片的記錄信號幾乎完全消失?？芍?，比較例1的組成的記錄層材料中非晶態(tài)斑點(diǎn)極不穩(wěn)定。這樣，在實(shí)施例1的盤片中，初始的重寫記錄特性、耐重放光的穩(wěn)定性及長期穩(wěn)定性都很好。這表示，對于Sb0.7Te0.3中含有過剩Sb的合金系，添加適當(dāng)?shù)腉e是非常有效果的。關(guān)于實(shí)施例1媒體，在80℃/80％RH的環(huán)境下進(jìn)行了加速成試驗(yàn)，實(shí)施了長達(dá)2000小時(shí)的加速試驗(yàn)。加速試驗(yàn)前記錄的信號，其跳動(dòng)劣化的程度不過1％左右。又，調(diào)制度在初期為64％，而在2000小時(shí)加速試驗(yàn)后也有61％，幾乎沒有變化。反射率也幾乎完全沒有變化。2000小時(shí)后對未記錄部分初次進(jìn)行記錄時(shí)，跳動(dòng)劣化為3％左右，在實(shí)用上是完全沒有問題的。又，詳細(xì)研究了在實(shí)施例1媒體中，在于m=n-1及m=n-2的情況下跳動(dòng)與記錄脈沖分割方法的關(guān)系。圖13為表示在線速度為3.5m/s時(shí)分別按(a)m=n-1、(b)m=n-2進(jìn)行記錄時(shí)的跳動(dòng)與αi及αc的關(guān)系的等高線圖。又，圖14為表示在線速度為7.0m/s時(shí)分別按(a)m=n-1、(b)m=n-2進(jìn)行記錄時(shí)的跳動(dòng)與α1及αc的關(guān)系的等高線圖。各圖測量所用的Pw、Pe、Pb及βm示于各圖上?？梢钥闯?，在線速度3.5m/s的情況下，m=n-1及m=n-2的任一種情況下在α1=0.7～0.8、αc=0.35～0.40附近都能夠得到最低的跳動(dòng)(約7％以下)。又可以看出，在線速度7.0m/s的情況下，m=n-1及m=n-2的任一種情況下在α1=0.5附近及αc=0.4附近都能夠得到最低的跳動(dòng)。對于得到最低跳動(dòng)的附近的α1及αc，兩種情況都滿足∑αi＜0.5n的條件。另外，在本實(shí)施例中，在線速度3.5m/s及7.0m/s任一種情況下，取m=n-2都能夠得到更低的跳動(dòng)值，而與m=n-1的情況相比，相對于較大的α1也能夠得到低的跳動(dòng)。進(jìn)一步將上述實(shí)施例1的媒體，用NA=0.63的評價(jià)裝置，如表-2所示改變記錄脈沖分割方法對跳動(dòng)與線速度的關(guān)系進(jìn)行評價(jià)。又使基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T與線速度成反比。脈沖分割方法是設(shè)m=n-1、α1+βi-1(2≤i≤m)、αi=αc=一定值(2≤i≤m)。設(shè)Pw、Pb及Pe與線速度無關(guān)，為一定值。這里表-2的脈沖分割方法中，對于所有線速度都滿足∑αi＜0.5n的關(guān)系。從DVD標(biāo)準(zhǔn)線速度的1倍速到2.5倍速左右能夠得到良好的重寫特性。本媒體是將記錄區(qū)分割成3～4個(gè)區(qū)域，對每個(gè)區(qū)域僅稍微改變記錄脈沖策略，這樣，即使是CAV方式，也在整個(gè)記錄區(qū)顯示出良好的重寫特性。又，用波長660nm、NA=0.65的評價(jià)裝置進(jìn)行錄放，也得到了同樣的結(jié)果。(實(shí)施例2)在基板上設(shè)置各種膜厚的下部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20記錄層Ge0.05Sb0.73Te0.22、上部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20及反射層Al0.995Ta0.005。將各層膜厚示于表3。所有薄膜都是利用濺射法在不脫離真空的條件下制成的。反射層成膜是在真空度達(dá)到2×10-4Pa以下、Ar壓強(qiáng)0.54Pa、成膜速度1.3nm/秒的條件下進(jìn)行的。其體積電阻率為55nΩ·m，面積電阻率為0.28Ω/口。氧、氮等雜質(zhì)在用X射線激勵(lì)光電子分光的檢測靈敏度以下，可認(rèn)為全部加起來幾乎不到1原子％。(ZnS)80(SiO2)20保護(hù)層的膜密度為3.50g/cm3，是理論的松密度3.72克/cm3的94％。又，記錄層密度為松密度(bulk)的90％。根據(jù)熱模擬估計(jì)的保護(hù)層熱傳導(dǎo)率為3.5×10-4pJ/(μm·K·nsec)。對這樣制成的媒體分別在1倍速及2倍速下、對各媒體層結(jié)構(gòu)將圖10(a)所示的脈沖分割方法最佳化，而后用其進(jìn)行記錄(重寫)。然后，測量第1次、10次、1000次重寫后的跳動(dòng)，測量時(shí)對于記錄、重放都采用波長637nm、NA=0.63的光學(xué)系統(tǒng)。表-3中匯總了各媒體在1倍速時(shí)的最佳脈沖分割方法、跳動(dòng)、Rtop及調(diào)制度。所有情況下都是以1倍速進(jìn)行最短斑點(diǎn)長度為0.4μm的斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄，得到較大的初始調(diào)制度。若設(shè)上部保護(hù)層膜厚為20nm，則初始跳動(dòng)、1000次重寫后的跳動(dòng)都小于10％。若設(shè)上部保護(hù)層膜厚為30nm，則初始跳動(dòng)良好，但因反復(fù)重寫而使跳動(dòng)略有增加，在1000次重寫后，跳動(dòng)達(dá)到10～12％。若設(shè)上部保護(hù)層膜厚為40nm，則初始跳動(dòng)達(dá)到13％以上，而且因反復(fù)重寫而急劇劣化，達(dá)到20％以上。還有，記錄層膜厚厚達(dá)30nm的實(shí)施例2(h2)。其初臺記錄跳動(dòng)為13％以上，由于反復(fù)重寫而引起的跳動(dòng)劣化顯著。下部保護(hù)層膜厚為45nm的實(shí)施例2(i2)，其反復(fù)重寫耐久性差。又，厚度為250nm的反射層，比200nm能夠得到更小的跳動(dòng)。也就是說，在這樣高密度的斑點(diǎn)長度記錄中，采用“超急冷構(gòu)造”是比較理想的。下面評價(jià)實(shí)施例2(g1)媒體的跳動(dòng)與記錄功率Pw的關(guān)系。脈沖分割方法為圖10中的m=n-1，設(shè)Pw=14mW、Pe/Pw=0.5、βm=0.5，以1倍速及2倍速進(jìn)行記錄。其后，評價(jià)跳動(dòng)相對于α1及αc=αi(2≤i≤m)的關(guān)系。在2倍速時(shí)，設(shè)α1=0.5、αc=0.4、βm=βn-1=0.5、Pw=14mW；在1倍速時(shí)，設(shè)α1=0.7、αc=0.3、βm=βn-1=0.5、Pw=14mW。這時(shí)，在2倍速時(shí)，∑αi=0.3n(n=3)、0.33n(n=4)、0.34n(n=5)、0.38n以下(n=6～14)。在1倍速時(shí)，∑αi=0.33n(n=3)、0.33n=(n=4)、0.32n(n=5)、0.32n以下(n=6～14)。將其結(jié)果示于圖15，給出了第1次及10次重寫后的跳動(dòng)與記錄功率Pw的關(guān)系及10次重寫后反射率Rtop及調(diào)制度Mod與記錄功率Pw的關(guān)系。(a)為2倍速記錄的情況，(b)為1倍速記錄的情況。，則Rtop相當(dāng)于圖6的Itop。圖中所謂DOW(DirectOverwrite)指的是重寫。下面評價(jià)重寫耐久性。圖16所示為其結(jié)果。分別表示直到1000次重寫后跳動(dòng)、反射率及調(diào)制度的值。(a)為2倍速記錄的情況，(b)為1倍速記錄的情況。任一種情況都是在到重寫10次左右之前跳動(dòng)漸漸增加，而10次以后就穩(wěn)定下來，跳動(dòng)、調(diào)制度及反射率一直到1000次都幾乎沒有劣化。再者，對本媒體除了以線速度9m/s、設(shè)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期為14.9nsec以外，采用與上述2倍速(線速度7m/s)相同的脈沖分割方法，以Pw=14mW進(jìn)行重寫。擦除比得到30dB的以上的足夠的數(shù)值。而且，跳動(dòng)也是小于11％的良好結(jié)果。對于實(shí)施例2(g1)媒體，在線速度3～8m/s范圍內(nèi)，設(shè)Pw=14mW，Pb=1mW，Pe/Pw=0.5，βm=0.5，為一定值，通過僅僅改變α1及αc，能夠得到較小的跳動(dòng)。也就是說，用線速度3～5m/s時(shí)，α1=0.7，αc=0.35；而用線速度5～7m/s時(shí)，α1=0.65，αc=0.4；用線速度7～8m/s時(shí)，α1=0.55，αc=0.45，若這樣至少以分三段變化，則能夠得到約小于9％的較小的跳動(dòng)。若更細(xì)分，以1m/s間隔改變α1及αc，則可以認(rèn)為在各線速度都能夠得到更小的跳動(dòng)。又，在Pw=11～14mW時(shí)，Pe/Pw為0.4～0.5能夠得到最小的跳動(dòng)。而若Pb超過1.5mW，則跳動(dòng)急劇劣化，這里是研究Pe/Pw=0.5時(shí)與Pb的關(guān)系，若Pb小于1.0mW，則能夠得到接近最小的跳動(dòng)。亦即Pb/Pe必須小于0.2。下面比較上部保護(hù)層膜厚為20nm的實(shí)施例2(g1)與40nm的實(shí)施例2(d2)。對兩媒體如下所述測量1倍速時(shí)與記錄斑點(diǎn)長度的關(guān)系。采用NA=0.6的光學(xué)系統(tǒng)，在EFM增強(qiáng)型調(diào)制中，將作為最短斑點(diǎn)的3T斑點(diǎn)長度從0.5μm起縮短，評價(jià)此時(shí)跳動(dòng)與斑點(diǎn)長度的關(guān)系。記錄線速度為3.5m/s的一定值，脈沖分割方法也采用上述方法，采用一定值，改變基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期以改變斑點(diǎn)長里。這里，當(dāng)最短斑點(diǎn)長度為0.46μm以上時(shí)，由于裝置上的限制，在重放速度3.5m/s進(jìn)行CLV控制比較困難，因此設(shè)重放速度為5m/s。另外，最短斑點(diǎn)長度為0.4μm，與只讀DVD標(biāo)準(zhǔn)對應(yīng)。將其結(jié)果示于圖17中，(a)為實(shí)施例2(g1)的媒體，(b)為實(shí)施例2(d2)的媒體。由圖可知，實(shí)施例2(g1)的媒體，其最短斑點(diǎn)長度到0.38μm左右，跳動(dòng)小于13％，是能夠使用的。另外，若采用NA=0.63的光學(xué)系統(tǒng)，則能夠降低約2％左右的跳動(dòng)。若使重放時(shí)的均衡器最佳化，則還是能夠降低2％左右。若再加上使用NA=0.65的光學(xué)系統(tǒng)。則即使為0.35μm也可以認(rèn)為能夠得到足夠小的跳動(dòng)。實(shí)施例2(d2)的媒體，在斑點(diǎn)長度為0.45μm以上時(shí)，能夠得到基本上沒有問題的跳動(dòng)，但小于0.45μm則跳動(dòng)急劇增加，當(dāng)斑點(diǎn)長度為0.40μm時(shí)，跳動(dòng)為13％以上，已經(jīng)不能使用。下面，為了進(jìn)行所謂傾斜余量的評價(jià)，在對實(shí)施例2(g1)的媒體上連續(xù)多條記錄道中記錄EFM增強(qiáng)型調(diào)制的隨機(jī)模式信號后，有意識地使基板相對于重放激光光軸傾斜，測量重放時(shí)的跳動(dòng)變化。錄放的光學(xué)系統(tǒng)NA=0.6，記錄線速度為1倍速或2倍速，任一種情況都是在10次重寫后進(jìn)行重放。將測量結(jié)果示于圖18中。傾斜余量在徑向?yàn)椤?.7～0.8度，在圓周方向?yàn)椤?.5～0.6度，在通常的驅(qū)動(dòng)器中，這樣的大小是沒有問題的。&#60加速試驗(yàn)&#62對實(shí)施例2(g1)媒體的一部分記錄道，采用上述最佳脈沖分割方法，以Pw=13mW記錄EFM增強(qiáng)型調(diào)制的隨機(jī)模式(pattern)，測量跳動(dòng)。然后，將本媒體在80°/80RH的高溫高濕下進(jìn)行加速試驗(yàn)，在加速試驗(yàn)500小時(shí)后及1000小時(shí)后，再次測量本記錄道的跳動(dòng)，1000小時(shí)后僅僅劣化1％左右。又，在加速試驗(yàn)1000小時(shí)后，對其他記錄道以上述相同條件記錄隨機(jī)模式，測量跳動(dòng)，發(fā)現(xiàn)劣化2％左右，這種程度實(shí)用上沒有問題。又以1倍速及2倍速同樣進(jìn)行記錄，評價(jià)80°/80RH的高溫高濕下1000小時(shí)加速試驗(yàn)前后的調(diào)制度。1倍速時(shí)，初始調(diào)制度為61％，加速試驗(yàn)后調(diào)制度為58％。2倍速時(shí)，初始調(diào)制度為60％，加速試驗(yàn)后調(diào)制度為58％。&#60對重放光的穩(wěn)定性&#62對實(shí)施例2(g1)媒體，將功率提高至1.2mW照射重放光，10分鐘左右完全沒有劣化。接著，使功率為1.0mW，反復(fù)照射重放光至100萬次，跳動(dòng)的增加小于2％。(實(shí)施例3)除了記錄層組成采用Ge0.05Sb0.71Te0.24以外，采用與實(shí)施例2相同的層結(jié)構(gòu)，制成媒體，各層膜層及評價(jià)結(jié)果示于表-4中。使用NA=0.63的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行測量。與表-3相同，對各種層結(jié)構(gòu)取最佳的α1、αc及βn-1，而且還設(shè)定能夠使跳動(dòng)為最低的Pw及Pe，對跳動(dòng)進(jìn)行評價(jià)。對于實(shí)施例3(a)，與實(shí)施例2(a1)一樣，記錄線速度為1倍速及2倍速時(shí)能夠得到良好的特性，但在9m/s時(shí)，跳動(dòng)比實(shí)施例2(a1)高1～2％。又，對于上層保護(hù)層膜厚為30nm的實(shí)施例3(a)～(f)，能夠得到跳動(dòng)小于10％，100次重寫后也小于13％。對于上部保護(hù)層膜厚為40nm的較厚的實(shí)施例3(g)～(i)，只能得到跳動(dòng)大于13％的值。(實(shí)施例4)層結(jié)構(gòu)是，下部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為215nm，記錄層Ge0.05Sb0.69Te0.26膜厚為18nm，上部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為18nm，反射層Al0.995Ta0.005膜厚為200nm。本記錄層組成以線速度3～5m/s進(jìn)行記錄能夠得到良好的特性，是所謂1倍速用記錄層。但是，由于過剩Sb量比實(shí)施例2及3稍微小一點(diǎn)，因此長期穩(wěn)定好，對于重視記錄信息的保存穩(wěn)定性及由于反復(fù)重放而引起的劣化、即重放光耐久性的情況是比較理想的。下面用NA=0.6的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行評價(jià)。最佳脈沖分割方法如下所述決定。在記錄線速度為3.5m/s時(shí)，設(shè)Pw=13mW，Pe/Pw=0.05，在圖10中的βm=0.5，為一定值，而改變α1和αc以得到最小的跳動(dòng)，選擇這樣的脈沖分割方法。圖19中以跳動(dòng)的等高線圖表示10次重寫后的跳動(dòng)與α1及αc的關(guān)系。由于設(shè)α1=0.4～0.8、αc=0.3～0.35能夠得到基本上是最好的跳動(dòng)，因此以此為基礎(chǔ)，選擇α1=0.6、αc=0.35。這時(shí)，∑αi=0.32n(n=3)、0.33n(n=4)、0.3n(n=5)或小于0.35n(n=6～14)。調(diào)制度為65％，這一數(shù)值即使與只讀DVD相比也毫不遜色。Rtop為23％左右，實(shí)際上若為15％以上，可以認(rèn)為即使用現(xiàn)有的單放驅(qū)動(dòng)器也能夠重放。因此，對本發(fā)明記錄媒體以Pw=12.5mW、線速度3.5m/s記錄圖像數(shù)據(jù)，嘗試用出售的只讀DVD播放機(jī)重放，則聚焦伺服信號、跟蹤伺服信號及跳動(dòng)能夠得到與通常只讀DVD相同的特性。&#60反復(fù)重寫耐久性&#62圖20所示為Pw=12.5mW時(shí)跳動(dòng)、Rtop及調(diào)制度與反復(fù)重寫次數(shù)的關(guān)系。在1000次以上重寫后還是顯出足夠穩(wěn)定的特性。&#60加速試驗(yàn)&#62對本媒體的一部分記錄道，采用上述最佳脈沖分割方法，以Pw=13mW記錄EFM增強(qiáng)型調(diào)制的隨機(jī)模式，測量跳動(dòng)。然后，將本媒體在80℃/80％RH的高溫高濕下進(jìn)行加速試驗(yàn)。在加速試驗(yàn)500小時(shí)后及1000小時(shí)后，再次測量本記錄道的跳動(dòng)，1000小時(shí)后僅僅有小于0.5％的劣化。又，調(diào)制度在初始時(shí)為65％，加速試驗(yàn)后為63％。又，在加速試驗(yàn)1000小時(shí)后，對其他記錄道以上述相同條件記錄隨機(jī)模式，測量跳動(dòng)，發(fā)現(xiàn)劣化1％左右，這樣程度實(shí)用上沒有問題。&#60對重放光的穩(wěn)定性&#62對本媒體，將功率提高到1.3mW照射重放光，10分鐘左右完全沒有劣化。接著，使功率為1.0mW，反復(fù)照射重放光至100萬次，跳動(dòng)的增加小于1％。(實(shí)施例5)在實(shí)施的例2(a1)的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用Ge0.05Sb0.75Te0.20。用NA=0.6的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行評價(jià)。在α1=0.4、αc=0.3、βm=0.5、Pw=14mW、Pe/Pw=0.5的條件下能夠得到最小的跳動(dòng)。10次重寫后的跳動(dòng)勉強(qiáng)達(dá)到10％。1000次后也維持在小于13％。&#60加速試驗(yàn)&#62對本媒體的一部分記錄道，采用上述最佳脈沖分割方法，以Pw=14mW記錄EFM增強(qiáng)型調(diào)制的隨機(jī)模式，測量跳動(dòng)。然后，將本媒體在80℃/80％RH的高溫高濕下進(jìn)行加速試驗(yàn)。在加速試驗(yàn)500小時(shí)后，再次測量本記錄道的跳動(dòng)，僅僅劣化2％左右。又，在加速試驗(yàn)500小時(shí)后，對其他記錄道以與上述相同的條件記錄隨機(jī)模式，測量跳動(dòng)，發(fā)現(xiàn)劣化3％左右，這種程度實(shí)用上沒有問題。&#60對重放光的穩(wěn)定性&#62對本媒體將功率提高至1.0mW照射重放光，10分鐘左右完全沒有劣化。接著，使功率為1.0mW，反復(fù)照射重放光至100萬次，跳動(dòng)的增加小于3％，維持在小于13％。(實(shí)施例6)在實(shí)施例4的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用Ag0.05Ge0.05Sb0.67Te0.23。用NA=0.6的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行評價(jià)。以線速度3.5m/s、Pw=13mW、Pe/Pw=0.5、m=n-1、βm=0.5測定跳動(dòng)與脈沖分割方法的關(guān)系(α1及αc)。得到圖21(a)所示的等高線圖。α1=0.6、αc=0.35大約是最佳值。這種情況下，∑αi=0.32n(n=3)、0.33n(n=4)、0.33n(n=5)或小于0.35n(n=6～14)。圖21(b)所示為第1次、10次及1000次重寫后的跳動(dòng)與功率的關(guān)系，圖21(c)為10次重寫后的Rtop及調(diào)制度與功率的關(guān)系。直到1000次重寫后在很寬的記錄功率范圍內(nèi)能夠維持很小的跳動(dòng)，又能夠達(dá)到Rtop18％及調(diào)制度60％以上。圖22所示為以Pw=13mW的跳動(dòng)、Rtop及調(diào)制度直到10000次重寫后的變化。除了跳動(dòng)比初始增加1％左右以外，其他完全沒有劣化。又用與實(shí)施例1同樣的方法測量跳動(dòng)與最短斑點(diǎn)長度的關(guān)系，結(jié)果示于圖23中。在最短斑點(diǎn)長度為0.38μm條件下，跳動(dòng)小于10％，是非常好的。又，對本媒體，還就m=n-2的脈沖分割方法進(jìn)行了評價(jià)，在α1=1.0、αc=0.5、βm=0.5的條件下能夠得到與圖21相同的特性。N=3時(shí)，∑αi=0.48；n=4時(shí)，∑αi=0.48n；n≥5時(shí)，∑αi=0.46n～0.47n。(比較例2)在實(shí)施例6的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用Ag0.05In0.05Sb0.63Te0.27。以線速度3.5m/s、Pw=13mW、Pe/Pw=0.5、βm=0.5評價(jià)跳動(dòng)與脈沖分割方法的關(guān)系，得到圖24(a)所示的等高線圖。α1=1．0及αc=0.5為最佳，這時(shí)∑αi與n無關(guān)，為0.5n的一定值。圖24(b)及(c)所示為與記錄功率的關(guān)系及至1000次后的反復(fù)重寫特性。第1次記錄的跳動(dòng)及功率余量雖比實(shí)施例5好，但由于反復(fù)重寫而劣化，1000次后跳動(dòng)當(dāng)然更嚴(yán)重。再將重放光功率增加至1mW，5分鐘左右跳動(dòng)劣化，增加到百分之十幾。這個(gè)差別用0.5～1mW的記錄靈敏度之差不能說明。重放光劣化的主要原因在于50～100度左右的溫升，可以知道，本發(fā)明添加Ge對于改善非晶態(tài)斑點(diǎn)的熱穩(wěn)定性是有效果的。(比較例3)層結(jié)構(gòu)采用下部保護(hù)層(ZnS)0.8(SiO2)20膜厚為90nm，記錄層GeO2Sb2Te5膜厚為21nm，上部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為23nm，反射層Al0.995Ta0.005膜厚為200nm。記錄時(shí)，以圖10(a)所示的脈沖分割方法為基礎(chǔ)進(jìn)行微小調(diào)整，使得在各種斑點(diǎn)長度及線速度的條件下能夠得到最小的跳動(dòng)。對于該媒體，如圖25所示，采用α1=αc=α0=0.3～0.4、為一定值及βm=1.0的策略，能夠得到近似最小的跳動(dòng)。又，Pw=13mW、Pe/Pw=0.4(Pe=5mW)及Pb=2.0mW為最佳記錄功率，而Pb/Pe=0.4這個(gè)比值較高。這是因?yàn)?，在本比較例的記錄層中必須維持圖9中的TL于某一較高的程度。即使Pb小于1mW，跳動(dòng)也會劣化；即使Pb超過3mW，跳動(dòng)仍然劣化。以該脈沖分割方法為基礎(chǔ)，再對應(yīng)于斑點(diǎn)長度對α0進(jìn)行0.02大小的精密的脈沖寬度調(diào)整，與實(shí)施例2一樣，測定與斑點(diǎn)長度的關(guān)系。結(jié)果示于圖26(a)中。又，測量重寫時(shí)與線速度關(guān)系，結(jié)果示于圖26(b)中。與線速度關(guān)系是相應(yīng)于線速度改變基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期，使最短斑點(diǎn)長度為0.4μm，重放總是以3.5m/s進(jìn)行。又，關(guān)于與線速度的關(guān)系，給出了10次重寫后的跳動(dòng)及在這之后利用DV擦除后進(jìn)行1次重寫記錄時(shí)的跳動(dòng)。如圖26(a)所示，最短斑點(diǎn)長度為0.4μm時(shí)，跳動(dòng)為10％，最短斑點(diǎn)長度再短，則跳動(dòng)急劇劣化。又，如圖26(b)所示，記錄線速度為5m/s以上時(shí)跳動(dòng)劣化。但是，一旦DC擦除后的記錄情況下，跳動(dòng)降低2～3％以上。根據(jù)這一情況可以認(rèn)為，由于所謂結(jié)晶態(tài)與非晶態(tài)的吸收率差別而導(dǎo)致溫度上升不均勻，因而產(chǎn)生擦除不良或非晶態(tài)斑點(diǎn)形狀畸變，跳動(dòng)劣化。還有，以線速度7m/s重寫后的跳動(dòng)為20％以上，但DC擦除后記錄，跳動(dòng)為15％左右。因而可以認(rèn)為，高線速度時(shí)的跳動(dòng)嚴(yán)重不是因?yàn)闆]有選擇適當(dāng)?shù)拿}沖分割方法。本記錄層原來由于有粗大晶粒而跳動(dòng)嚴(yán)重，再加上以線速度5m/s以上進(jìn)行重寫時(shí)，以前的斑點(diǎn)擦除不充分，與DC擦除后記錄的跳動(dòng)有差別，其影響通過這一差別明顯顯現(xiàn)出來。還有，在對前述實(shí)施例2(g1)媒體以7m/s重寫時(shí)，與DC擦除后記錄時(shí)的跳動(dòng)之差小于0.5％。采用Ge2Sb2Te5那樣的GeTe-Sb2Te3偽二元合金記錄層的記錄媒體的情況下，采用保護(hù)層/記錄層/保護(hù)層/反射層構(gòu)成的4層結(jié)構(gòu)，以5～6m/s以上的高線速度，如上所述DC擦除后進(jìn)行記錄沒有問題，但重寫時(shí)跳動(dòng)劣化。因此，為了降低跳動(dòng)，必須再增加光吸收層等，以相應(yīng)進(jìn)行吸收率補(bǔ)償?shù)取?比較例4)在實(shí)施例2(g1)中，記錄層采用Ge0.15Sb0.64Te0.21。初始晶化非常困難，多次照射初始化光束后終于初始化，在進(jìn)行重寫后測量跳動(dòng)，但在圖10的范圍內(nèi)怎樣改變脈沖分割方法也不能得到13％以下的跳動(dòng)。又，若不斷反復(fù)重寫，則在10次到100次之間跳動(dòng)增加百分之幾。(比較例5)在實(shí)施例2(g1)的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用Ge0.05Sb0.80Te0.15，以7m/s、α1=0.4、αc=0.3、βm=0.5、Pw=14mW、Pe/Pw=0.5的條件能夠得到大約為最小的跳動(dòng)，但10次重寫后，跳動(dòng)接近11％左右，1000次后為13％以上。&#60加速試驗(yàn)&#62對本媒體的一部分記錄道，采用上述最佳脈沖分割方法，以Pw=14mW記錄EFM增加型調(diào)制的隨機(jī)模式，測量跳動(dòng)。然后，將本媒體在80℃/80％RH的高溫高濕下進(jìn)行加速試驗(yàn)，在加速試驗(yàn)500小時(shí)后，再次測量本記錄道的跳動(dòng)，劣化3％左右，達(dá)到13％以上。又，在加速試驗(yàn)500小時(shí)后，對其他記錄道以與上述相同的條件記錄隨機(jī)模式，測量跳動(dòng)，發(fā)現(xiàn)劣化5％左右，劣化速度快。&#60對重放光的穩(wěn)定性&#62對本媒體，將功率提高至1.0mW照射重放光，10分鐘后跳動(dòng)增加3％，而且非常不穩(wěn)定。而且有調(diào)制度下降、斑點(diǎn)消失的趨勢。(實(shí)施例7)對實(shí)施例2(a1)媒體，在從1倍速(線速度為3.5m/s、基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T=38.2nsec)至2.25倍速(7.9m/s、T=17nsec)中，在所有的線速度設(shè)α1T=τ1=19nsec及αcT=τc=11nsec，為一定值，僅僅使T與線速度成反比，對EFM增強(qiáng)型信號進(jìn)行記錄。又，以αi+βi-1=1.0決定一定值的βi。而且僅僅改變最后的切斷脈沖區(qū)間βm，使線速度越慢βm越長。在這樣的脈沖分割方法中，圖11的門信號發(fā)生時(shí)序說明圖中，只要與基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T同步(有時(shí)附加一定的延遲)，產(chǎn)生一個(gè)τ1=19nsec的固定寬度脈沖(Gate1)及n-2個(gè)τc=11nsec的固定寬度脈沖(Gate2)即可，再加上只要僅僅使決定最后切斷脈沖寬度的Gate3相應(yīng)于線速度變化即可，這樣能夠簡化脈沖發(fā)生電路，是理想的。再者，在本實(shí)施例中，由于記錄功率Pw=13.5mW、Pe=5mW、Pb=0.5mW，為一定值，因此能夠使脈沖發(fā)生電路非常簡化。這里，在線速度小于5m/s時(shí)，滿足∑αi=0.47n，因此能夠充分抑制熱損傷。表5中匯總了在各線速度下改變βm時(shí)的跳動(dòng)的數(shù)值。表中V表示基準(zhǔn)速度3.5m/s。激光頭的波長為637nm，NA=0.63。跳動(dòng)值本身與實(shí)施例2那樣能較靈活改變脈沖分割方法的情況相比雖然差一些，但從1倍速成到2.25倍速能夠得到約小于10％的數(shù)值。這里設(shè)2倍速時(shí)βHm=0.3，1倍速時(shí)βLm=0.6(用方形包圍起來的點(diǎn))，可以看出若使βm與線速度成反比變化，則在從1倍速到2倍速的各線速度下能夠得到小于10％的跳動(dòng)。再者，在本實(shí)施例中，使βm的余量較小，取βm=0.2，為一定值，也能夠從1倍速到2.25倍速得到小于10％的跳動(dòng)。這樣可以簡化能隨線速度而變化的脈沖發(fā)生電路。又，若預(yù)先在記錄媒體上利用凹凸的坑或調(diào)制的槽蛇行信號記錄Pb、Pe/Pw、Pw、τ0、τc及(βLm、βHm)，則能夠根據(jù)重寫時(shí)的線速度自動(dòng)決定最佳記錄條件。(實(shí)施例8)層結(jié)構(gòu)取下部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為215nm，記錄層Ge0.05Sb0.69Te0.26膜厚為19nm，上部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為20nm，反射層Al0.995Ta0.005膜厚為200nm。以線速度為3.5m/s，設(shè)脈沖分割方法為α1=0.5、αc=0.35、βm=0.5、Pw=11mW、Pe=6.0mW及Pb=0.5mW，改變基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T使最短斑點(diǎn)長度(3T斑點(diǎn)長度)從0.4μm到0.25μm變化以進(jìn)行記錄。3T斑點(diǎn)的斑點(diǎn)長度為0.4μm時(shí)，T=38.2nsec；斑點(diǎn)長度為0.2μm時(shí)，T=19.1nsec。記錄激光波長為637nm，NA=0.63。由于該聚焦激光具有高斯分布，因此僅僅利用中心的高溫部分，就能夠在光學(xué)分辨率以上進(jìn)行高密度記錄。對記錄部分利用波長432nm、NA=0.6、功率為0.5mW的藍(lán)色激光進(jìn)行重放。該激光是利用非線性光學(xué)效應(yīng)從波長約860nm的激光產(chǎn)生。在該層結(jié)構(gòu)中，即使是432nm也能夠得到調(diào)制度大于50％的大調(diào)制度。圖28所示為利用記錄用的637nm、NA=0.63的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行重放時(shí)及利用432nm、NA=0.6光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行重放時(shí)的跳動(dòng)與最短斑點(diǎn)長度的關(guān)系。測量中在各測量點(diǎn)盡可能使均衡器的設(shè)定值最佳化?？芍撚涗浢襟w用藍(lán)色激光重放時(shí)，即使最短斑點(diǎn)長度0.3μm，也能夠得到小于13％的較小的跳動(dòng)。(比較例6)在實(shí)施例2(a1)的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用Ge0.05Sb0.64Te0.31。利用波長為637nm、NA=0.63的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行記錄評價(jià)。在線速度為3.5m/s，設(shè)m=n-1、α1=0.4、αc=0.4、βm=0.4、Pb=0.5nW、Pe=4.5mW，為一定值，僅改變Pw進(jìn)行重寫記錄，一直至第10次。圖27(a)所示為這時(shí)的跳動(dòng)與記錄功率的關(guān)系。圖中，1write指的是未記錄盤片的第1次記錄，1DOW指的是第1次重寫，10DOW指的是第10次重寫。接著，使Pw=8.5mW，為一定值，僅改變Pe進(jìn)行重寫記錄，一直到第10次。圖27(b)所示為這時(shí)的跳動(dòng)與擦除功率的關(guān)系。在任一種情況下，在第1次記錄(1write)都能夠得到很小的跳動(dòng)，但即使1次重寫，跳動(dòng)也急劇劣化。本比較例的記錄層組成是圖3中比直線A更富Te的組成，由于結(jié)晶速度慢而得不到足夠的擦除比，因而可以認(rèn)為不能得到足夠的重寫特性。(實(shí)施例9及比較例7)使實(shí)施例2(a1)的層結(jié)構(gòu)中的記錄層組成如表-6所示改變。通過將Ge0.05Sb0.73Te0.22靶與Ge一起濺射以改變Ge量。利用波長為637nm、NA=0.63的光學(xué)系統(tǒng)，設(shè)m=n-1、Pb=0.5mW、βm=0.5，改變α1、αc、Pw及Pe，尋找10次重寫后跳動(dòng)為最小的條件。用各種記錄層組成所得到的最小跳動(dòng)如表6所示。隨著Ge添加量的增加，跳動(dòng)增加，當(dāng)Ge超過10原子％時(shí)，在2倍速的跳動(dòng)為14％，非常高。又，將本媒體在80℃/80％RH的條件下進(jìn)行加速試驗(yàn)，與實(shí)施例9(a)相比，實(shí)施例9(b)及(c)略好，也就是說，在加速試驗(yàn)2000小時(shí)后，讀出加速試驗(yàn)前記錄的信號表明，實(shí)施例9(a)～(c)的任一種情況，跳動(dòng)都僅僅劣化1％左右。又，實(shí)施例9(a)～(c)的初始調(diào)制度為61～63％，2000小時(shí)加速試驗(yàn)后也能得到58～59％的調(diào)制度。反射率也幾乎完全沒有變化。特別是實(shí)施例9(b)及(c)，增加了不到0.5％。接著進(jìn)行將Ge0.05Sb0.73Te0.22靶與Ta一起濺射，添加Ta。結(jié)果，在相對于GeSbTe添加1～2原子％的Ta時(shí)得到最小的跳動(dòng)。(實(shí)施例10及比較例8)在實(shí)施例2(g1)的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用添加In的GeSbTe。In是通過與GeSbTe靶一起濺射InSbTe而添加進(jìn)去的。各記錄層組成是，實(shí)施例10(a)為Ge0.05Sb0.74Te0.21，實(shí)施例10(b)為In0.023Ge0.048Sb0.719Te0.21，實(shí)施例10(c)為In0.053Ge0.044Sb0.688Te0.215，比較例8為In0.118Ge0.041Sb0.617Te0.224。評價(jià)這些媒體的跳動(dòng)與功率的關(guān)系的結(jié)果示于圖29(a)、(b)、(c)、(d)中。上面部分為記錄線速度3.5m/s的情況，下面部分為記錄線速度7.0m/s的情況。利用的光學(xué)系統(tǒng)都是637nm及NA=0.63。線速度為3.5m/s時(shí)，設(shè)α1=0.6、αc=0.35、βm=0.5；線速度為7m/s時(shí)，設(shè)α1=0.4、αc=0.4、βm=0.5。Pb=0.5mW，為一定值。Pe為兩個(gè)數(shù)值，為一定值，僅改變Pw測量跳動(dòng)與Pw的關(guān)系。In量添加2～5原子％左右時(shí)Pw余量大幅度改善。但是，若超過10原子％，與不添加的情況相比，跳動(dòng)反而劣化。又，重寫1000次后的跳動(dòng)，對于實(shí)施例10(a)～(c)，兩種線速度的情況下都小于10％，而在比較例8，則兩種線速度情況下都超過13％。&#60加速試驗(yàn)&#62對于實(shí)施例10(b)的媒體，在80℃/80％RH環(huán)境下進(jìn)行加速試驗(yàn)。實(shí)施加速試驗(yàn)長達(dá)2000小時(shí)。加速試驗(yàn)前記錄的信號的跳動(dòng)只不過劣化1％左右。而初始調(diào)制度為61％，2000小時(shí)加速試驗(yàn)后也能夠得到57％的調(diào)制度。反射率也幾乎完全沒有變化。2000小時(shí)后對未記錄部分新進(jìn)行記錄時(shí)的跳動(dòng)劣化是3％左右，這種程度實(shí)用上完全沒有問題。(實(shí)施例11)實(shí)施例2(g1)的層結(jié)構(gòu)中，在具有表-7的槽狀的聚碳酸酯基板上形成記錄層為In0.03Ge0.05Sb0.71Te0.21的盤片。槽間距均為0.74μm。作為擺動(dòng)調(diào)制方式，是載波周期Tw為基準(zhǔn)數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號周期T=38.2nsec的32倍的2值相位調(diào)制。這里所謂相位調(diào)制擺動(dòng)，如圖30所示，與數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)信號的0或1相對應(yīng)，是使擺動(dòng)波的相位移動(dòng)π。也就是說，頻率fc=1/Tw=1/(32T)的未調(diào)制載波(余弦波或正弦波)通過地址用數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)從0切換至1或從1切換至0，正好相位移動(dòng)π。由于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的0、1切換，周期Td比Tw短，Td為Tw的整數(shù)分之一，因此即使相位移動(dòng)π，擺動(dòng)波形也連續(xù)變化。本調(diào)制方法的理想之處在于，與ATIP(AbsoluteTimeinPregroove，即預(yù)刻槽絕對時(shí)間)所用的頻率(FM)調(diào)制不同，蛇行頻率一定，而且用周期為32T的高頻調(diào)制，因此能夠參照擺動(dòng)的時(shí)鐘信號建立盤片的旋轉(zhuǎn)同步，同時(shí)能夠與擺動(dòng)時(shí)鐘信號同步直接生成數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號。為了這樣用數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)調(diào)制改變相位，采用例如圖31中具有的環(huán)形調(diào)制器。數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)與0及1對應(yīng)加上正負(fù)電壓±V。在制作壓模母盤時(shí)，使光刻膠曝光用的激光按照±Vw電壓間2值相位調(diào)制的擺動(dòng)波形沿半徑方向一面蛇行一面曝光。這時(shí)通過將環(huán)形調(diào)制器輸出波加在EO調(diào)制器上，能夠使曝光用光束蛇行運(yùn)動(dòng)。下面稍微詳細(xì)加以說明。若周期cos(2πfct)的信號Vw·cos(2πfct)輸入至未調(diào)制載波輸入端子上，則在輸入變壓器的輸出端出現(xiàn)Vw·cos(2πfct)及-Vw·cos(2πfct)兩個(gè)載波信號。若數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸入為正(+V)，則D1及D1′導(dǎo)通，載波Vw·cos(2πfct)原封不動(dòng)通過D1，在輸出端子上出現(xiàn)調(diào)制。而-Vw·cos(2πfct)的載波經(jīng)過D1’后，利用輸出側(cè)的變壓器反相，成為Vw·cos(2πfct)，與通過D1的輸出相加，得到Vw·cos(2πfct)的輸出。如果數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸入為負(fù)(-V)，即D2及D2’導(dǎo)通，則Vw·cos(2πfct)的信號通過二極管D2送到輸出變壓器的下側(cè)，在輸出端將其反相，調(diào)制波成為-Vw.cos(2πfct)。另一方面，在輸入變壓器的輸出是-Vw·cos(2πfct)的載波通過二極管D2’加到輸出變壓器的同相輸入端，因此，保持極性不變出現(xiàn)在調(diào)制波輸出端(保持-Vw·cos(2πfct)原樣不變)。因而，通過二極管D2及D2’的路徑的載波合成為-Vw·cos(2πfct)，在輸出端出現(xiàn)調(diào)制波。在環(huán)形調(diào)制器的情況下，根據(jù)數(shù)字輸入是正還是負(fù)，向輸出端子輸出Vw·cos(2πfct)或-Vw·cos(2πfct)。這樣調(diào)制的擺動(dòng)波形輸入到EO調(diào)制器，就能夠使曝光用光束蛇行運(yùn)動(dòng)。在本實(shí)施例中，擺動(dòng)振幅全部取60nm(峰值對峰值)。在僅僅記錄于槽內(nèi)的媒體的情況下，相對于記錄重放光波長λ=637nm、基板折射率n=1.56，槽深的理想范圍是，下限為λ/(20n)=20.5nm，上限為λ/(10n)=40.8nm。對本媒體進(jìn)行評價(jià)時(shí)采用波長為637nm、NA=0.63的光學(xué)系統(tǒng)。與實(shí)施例2相同，以m=n-1、α1+βi-1=1.0(2≤i≤m)、αi=αc=一定值(2≤i≤m)的記錄脈沖分割方法進(jìn)行，在線速度為3.5m/s時(shí)，設(shè)α1=0.5、αc=0.3、βm=0.5、Pw=13mV、及Pe=6mW；在線速度為7m/s時(shí)，設(shè)α1=0.4、αc=0.35、βm=0.5、Pw=14mV、Pe=7mW。首先，在槽內(nèi)以線速度3.5m/s進(jìn)行記錄，測量Rtop及調(diào)制度。又以3.5m/s及7m/s測量記錄信號的跳動(dòng)。將結(jié)果示于表-8中。首先，實(shí)施例11(k)具有深度18nm的非常淺的槽，幾乎不能檢測到推挽信號，不能進(jìn)行跟蹤伺服。而且，要均勻形成這樣淺的槽，在壓模成型上也非常困難，實(shí)際上觀察到跟蹤伺服信號非常不穩(wěn)定。圖32(a)及(b)所示為調(diào)制度及Ttop與溝槽形狀的關(guān)系。實(shí)施例11(h)～(j)具有深度42nm的槽，與深度27nm的情況相比，反射率大幅度降低，低了5％以上，這是不理想的。特別在槽較窄的情況下，調(diào)制度下降，在寬度為0.23μm時(shí)，即使深度為35nm，調(diào)制度降低也很顯著。還有，本實(shí)施例取相同的層結(jié)構(gòu)，但深度為42nm時(shí)，為了補(bǔ)償反射率降低采用反射率高的層結(jié)構(gòu)，則調(diào)制度降低更顯著。也就是說，深度為42nm的槽不適合槽內(nèi)記錄。槽深為40nm以上的情況下，在槽寬小于0.3μm時(shí)，擺動(dòng)信號明顯串入記錄數(shù)據(jù)信號。與槽寬大于0.3μm的情況相比，在線速度為3.5m/s時(shí)，跳動(dòng)劣化1～2％以上；在線速度為7m/s時(shí)，跳動(dòng)劣化2～3％。(實(shí)施例子12)該層結(jié)構(gòu)采取下部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為65nm，記錄層Ge0.05Sb0.73Te0.22膜厚為16nm，上部保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20膜厚為20nm，第1反射層Al0.995Ta0.005膜厚為40nm，第2反射層Ag膜厚為70nm的結(jié)構(gòu)。從下部保護(hù)層至第1反射層是不脫離真空條件用濺射法制成，在第1反射層成膜后，開放大氣放置數(shù)分鐘后，再在真空中用濺射法形成第2反射層。第2反射層成膜后，用旋轉(zhuǎn)涂覆法將紫外線硬化樹指作為覆蓋層層積4μm。將兩片制得的盤片覆蓋層相對粘貼。第1反射層成膜是在真空度到達(dá)4×10-4pa以下、Ar壓力0.55Pa的條件下進(jìn)行的。體積電阻率為55nΩ·m。氧、氮等雜質(zhì)低于用X射線激勵(lì)光電子分光檢測的檢測靈敏度，可認(rèn)為全部加起來大約也不到1原子％。第2反射層膜是在真空度到達(dá)4×10-4pa以下、Ar壓力0.35Pa的條件下進(jìn)行的。體積電阻率為32nΩ·m。氧、氮等雜質(zhì)低于用X射線激勵(lì)光電子光的檢測靈敏度，可認(rèn)為全部加起來大約也不到1原子％。使用波長為637nm、NA為0.60的光學(xué)系統(tǒng)，以線速度3.5m/s、采用α1=0.4、αc=0.35及βm=0.5的脈沖分割方法，測量10次重寫后的跳動(dòng)，在以Pw=11mW、Pe=6.0mW、Pb=0.5mW時(shí)得到最小跳動(dòng)為6.5％。將該媒體放置在80℃/80％RH的高溫高濕下500小時(shí)后，再同樣進(jìn)行記錄，完全未發(fā)現(xiàn)劣化。(實(shí)施例13)制成形成螺旋狀槽的壓模，所述螺旋狀槽是槽間距0.74μm、槽寬0.3μm、槽深40nm的、具有擺動(dòng)的槽，再以此壓模為基礎(chǔ)，利用噴射成型法形成直徑120mm、厚0.6mm的聚碳酸酯樹酯基板。如表-9所示，將半徑22.5mm到58.5mm的36mm作為記錄區(qū)，將記錄區(qū)分割為255個(gè)記錄帶(區(qū)域)。各記錄帶包含191道。設(shè)定記錄帶寬度使各記錄帶終端正好是第191道，因此各記錄帶的寬度并不是精確為36/255。因此，記錄區(qū)的最外終端為58.54mm。設(shè)信道位長度為0.133μm，在線速度3.49m/s下得到基準(zhǔn)時(shí)鐘信號為26.16MHz(T=38.23nsec)。擺動(dòng)周期設(shè)定為在各記錄帶中心半徑上為信道位長度的9倍。其物理周期為1.2μm。首先計(jì)算各記錄帶中心半徑上的信道位長度總數(shù)及擺動(dòng)總數(shù)，使同一記錄帶內(nèi)每1圈所含的信道位數(shù)或擺動(dòng)數(shù)為一定值。如表9所示，在記錄帶始端及終端，其信道位數(shù)或擺動(dòng)數(shù)為一定，精度為±％。也就是說，能夠以ZCAV方式實(shí)現(xiàn)與CLV方式完全相同的恒線密度記錄，完全滿足只讀DVD的標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)上述前提，讓盤片旋轉(zhuǎn)時(shí)各記錄帶中心半徑上能夠得到3.49m/s的線速度，這時(shí)擺動(dòng)周期正好為DVD數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T=38.23nsec的9倍。將該媒體旋轉(zhuǎn)，使表-9的最內(nèi)圈記錄帶的記錄帶中心半徑上的線速度為3.49m/s，作為ZCAV方式的媒體使用。將CAV旋轉(zhuǎn)中根據(jù)各記錄帶的擺動(dòng)重放的載波周期縮短為1/9，生成各記錄帶中的數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號Tq，再根據(jù)該時(shí)鐘信號進(jìn)行EFM增強(qiáng)型調(diào)制的數(shù)據(jù)記錄。重放時(shí)若如下所述達(dá)到旋轉(zhuǎn)同步，使根據(jù)記錄的數(shù)據(jù)生成的數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號頻率為26.16MHz，則在各區(qū)域的信道位長度偏差小于±1％，實(shí)際上能夠順利進(jìn)行CLV方式的重放。也就是說，利用石英振蕩器產(chǎn)生上述基準(zhǔn)時(shí)鐘信號26.16MHz(T=38.23nsec)，將該相位與根據(jù)記錄的數(shù)據(jù)生成的數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號的相位進(jìn)行比較，利通常的PLL(PhaseLockedLoop，即鎖相環(huán))控制方式對旋轉(zhuǎn)速度進(jìn)行微調(diào)，使兩者同步。在現(xiàn)在的DVD-ROM的重放中進(jìn)行利用這種PLL控制的旋轉(zhuǎn)控制，在能原封不動(dòng)地采用該方式這一點(diǎn)上是很有用的。(實(shí)施例14)在實(shí)施例2(a1)的層結(jié)構(gòu)中，反射層采用Al0.975Ta0.025。體積電阻率為220nΩ·m。膜厚在200nm到400nm之間變化，制作多個(gè)樣品，與表-3的測量相同，分別采用圖10(a)中的最佳脈沖分割方法，進(jìn)行跳動(dòng)測量。在膜厚300nm左右得到12％的最小的跳動(dòng)。與其相比，反射層厚也好，薄也好，都只能得到更大的跳動(dòng)。(實(shí)施例15)在實(shí)施例11(a)的層結(jié)構(gòu)中，上部保護(hù)層膜厚采用23nm。在本媒體上進(jìn)行槽內(nèi)記錄。采用波長為405nm、NA=0.65的光學(xué)系統(tǒng)，生成近似圓形的光點(diǎn)直徑約0.5μm(高斯光束的1/e2強(qiáng)度的直徑)的光束，通過0.6mm厚的基板進(jìn)行錄放。以線速度4.86m/s對最短斑點(diǎn)(3T斑點(diǎn))長度為0.25μm的EFM增強(qiáng)型調(diào)制信號進(jìn)行記錄。以與實(shí)施例2相同的記錄脈沖分割方法，設(shè)m=n-1、α1=0.5、αc=0.38、βm=0.67，以Pw=9.5mW、Pb=0.5mW、Pe=4.0mW進(jìn)行10次重寫，此時(shí)跳動(dòng)為10％。以藍(lán)色激光進(jìn)行錄放，可以知道，與實(shí)施例7的情況相比，也能夠進(jìn)行更高質(zhì)量的記錄。又，即使是與現(xiàn)行紅色激光配合設(shè)計(jì)的媒體，也能夠原封不動(dòng)用藍(lán)色激光進(jìn)行錄放，謀求實(shí)現(xiàn)高密度化。(實(shí)施例16)在實(shí)施例2(a1)的層結(jié)構(gòu)中，記錄層采用Ga0.05Ge0.05Sb0.68Te0.22的媒體。初始化也與實(shí)施例2(a)一樣進(jìn)行，測定利用波長為637nm、NA=0.63的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行。以線速度3.5m／s對最短斑點(diǎn)3T的長度為0.4μm的EFM增強(qiáng)型調(diào)制信號進(jìn)行。采用與實(shí)施例2相同的記錄脈沖策略，設(shè)m=n-1、αi+βi-1=1.0(2≤i≤m)、αi=αc=一定值(2≤i≤m)，設(shè)α1=0.5、αc=0.3、βm=0.5，采用Pw=13.5mW、Pe=6.0mW、Pb=0.5mW，對重寫特性進(jìn)行評價(jià)。第1次記錄(不是重寫)、10次重寫、100次重寫及1000次重寫情況下，跳動(dòng)分別為6.9％、6.7％、7.0％及7.3％，是比較好的。再以線速度7.0m/s，同樣設(shè)α1=0.4、αc=0.35、βm=0.5，以Pw=14.0mW、Pe=7.0mW、Pb=0.5mW，對重寫特性進(jìn)行評價(jià)。第1次記錄(不是重寫)、10次重寫、100次重寫及1000次重寫的情況下，跳動(dòng)分別為7.4％、7.7％、8.0％及8.5％，是比較好的。調(diào)制度都能夠得到55～60％的值。將本媒體在80℃/80％RH的加速試驗(yàn)環(huán)境下放置1000小時(shí)，試驗(yàn)前進(jìn)行了記錄。加速試驗(yàn)前記錄信號的跳動(dòng)劣化小于1％。又，調(diào)制度得到52～57％的值。(實(shí)施例17)與實(shí)施例2相同，在0.6mm厚的聚碳酸酯樹脂基板上形成間距為0.74μm的擺動(dòng)槽，再像圖5(b)那樣，依次形成反射層、第2保護(hù)層、記錄層及第1保護(hù)層。分別利用濺射法形成膜厚165nm的反射層Al0.995Ta0.005、膜厚20nm的第2保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20、膜厚16nm的記錄層In0.03Ge0.05Sb0.70Te0.22及膜厚68nm的第1保護(hù)層(ZnS)80(SiO2)20。然后，與第1保護(hù)層相對貼緊0.6mm厚的玻璃板。通過玻璃基板以線速度5m/s照射500mW左右的激光來進(jìn)行初始化。通過該玻璃基板，利用波長為637nm、NA=0.6的光學(xué)系統(tǒng)對記錄層照射激光來進(jìn)行錄放。記錄是在從激光入射側(cè)看來遠(yuǎn)離凹凸的一側(cè)進(jìn)行。相對于實(shí)施例2中的槽內(nèi)。以線速度3.5m/s對最短斑點(diǎn)3T的長度為0.4μm的EFM增強(qiáng)型調(diào)制信號進(jìn)行。采用與實(shí)施2相同的記錄脈沖策略，設(shè)m=n-1、αi+βi-1=1.0(2≤i≤m)、αi=αc=一定值(2≤i≤m)，設(shè)α1=0.9、αc=0.35及βm=0.5，以Pw=12.0mW、Pe=6.0mW及Pb=0.5mW，評價(jià)重寫特性。10次重寫后，跳動(dòng)為10.5％、調(diào)制度為61％。再以線速度7.0m/s，同樣設(shè)α1=0.55、αc=0.40及βm=0.5，以Pw=13.0mW、Pe=5.5mW及Pb=0.5mW，對重寫特性進(jìn)行評價(jià)。10次重寫后、跳動(dòng)為11.2％，調(diào)制度為61％。產(chǎn)業(yè)應(yīng)用性采用本發(fā)明得到的光學(xué)信息記錄媒體，能夠高速進(jìn)行重寫，斑點(diǎn)邊界跳動(dòng)小，能夠進(jìn)行高密度的斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄，形成的斑點(diǎn)的長期穩(wěn)定性非常好。又，通過選擇適當(dāng)?shù)挠涗泴咏M成及層結(jié)構(gòu)，能夠得到與只讀媒體的重放互換性好、而且反復(fù)重寫耐久性好的相變型光記錄媒體。更具體地說，能提供一種可用作可擦寫DVD盤片的光學(xué)信息記錄媒體及光記錄方法，它具有與所謂DVD盤片的重放互換性，在包含從其標(biāo)準(zhǔn)重放速度3.5m/s到倍速的7m/s的很寬的線速度范圍內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)單光束重寫，而且即使1萬次以上重寫也沒有顯出劣化。又，由于本發(fā)明媒體的線速度余量很寬，因此即使以CAV方式或ZCAV方式等恒角速度方式使媒體旋轉(zhuǎn)進(jìn)行記錄的情況下，也能夠克服由于媒體內(nèi)外圈線速度之差引起的記錄特性差的問題。若采用CAV方式，則沒有必要在每一個(gè)半徑位置改變盤片轉(zhuǎn)速，因此能夠縮短存取時(shí)間。表-1表-2表-3表-4表-5表-6表-7表-8表-9↓表-9續(xù)↓權(quán)利要求1．一種光學(xué)信息記錄媒體，在基板上至少具有相變型記錄層，將該記錄層的結(jié)晶態(tài)部分作為未記錄及擦除狀態(tài)，將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)，利用最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的多種記錄斑點(diǎn)長度來記錄信息，其特征在于，利用從非晶態(tài)部分或熔融部分與周圍結(jié)晶態(tài)部分的邊界開始的晶體生長所導(dǎo)致的實(shí)際上進(jìn)行的再結(jié)晶化來進(jìn)行擦除。2．如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，所述相變型記錄層由以Ge、Sb及Te為主要成分的薄膜構(gòu)成。3．如權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，所述相變型記錄層由以My(SbxTe1-x)1-y合金為主要成分的薄膜構(gòu)成，其中0.6≤x≤0.9，0＜y≤0.2，M為Ga、Zn、Ge、Sn、In、Si、Cu、Au、Ag、Al、Pd、Pt、Pb、Cr、Co、O、S、Se、Ta、Nb及V中的至少1種。4．一種光學(xué)信息記錄媒體，在基板上具有以Ge、Sb及Te為主要成分的薄膜構(gòu)成的相變型記錄層，將該記錄層的結(jié)晶態(tài)部分作為未記錄及擦除狀態(tài)，將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)，利用最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的多種記錄斑點(diǎn)長度來記錄信息，其特征在于，該媒體在一定線速度的足以使記錄層熔融的記錄功率Pw的記錄光連續(xù)照射下能基本結(jié)晶化，而在一定線速度的足以使記錄層熔融的記錄功率Pw的記錄光照射后，遮斷記錄光，則形成非晶態(tài)斑點(diǎn)。5．如權(quán)利要求1～4的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，在利用最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的多種斑點(diǎn)長度記錄信號時(shí)，將剛記錄后即重放的信號的調(diào)制度記為M0。將記錄后在80℃、80％RH條件下經(jīng)過1000小時(shí)后重放的信號的調(diào)制度記為M1，則M1/M0≥0.9。6．如權(quán)利要求1～4的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，在利用最短斑點(diǎn)長度為0.4μm的多種斑點(diǎn)長度記錄EFM增強(qiáng)型調(diào)制方式的隨機(jī)信號時(shí)，將剛記錄后即重放的信號的調(diào)制度記為M0，將記錄后在80℃、80％RH的條件下經(jīng)過1000小時(shí)后重放的信號的調(diào)制度記為M1，則M1/M0≥0.9。7．一種光學(xué)信息記錄媒體，在基板上從錄放光的入射方向起依序設(shè)置第1保護(hù)層、相變型記錄層、第2保護(hù)層及反射層構(gòu)成，將該記錄層的結(jié)晶態(tài)部分作為未記錄及擦除狀態(tài)，將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)，利用最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的多種記錄斑點(diǎn)長度來記錄信息，其特征在于，相變型記錄層厚度為5nm以上25nm以下，由具有下述區(qū)域的組成的GeSbTe合金為主要成分的薄膜組成，所述區(qū)域?yàn)樵贕eSbTe三元狀態(tài)圖中，用連接(Sb0.7Te0.3)與Ge的直線A、連接(Ge0.03Sb0.68Te0.29)與(Sb0.95Ge0.05)的直線B、連接(Sb0.9Ge0.1)與(Te0.9Ge0.1)的直線C、以及連接(Sb0.8Te0.2)與Ge的直線D等4條直線包圍的區(qū)域，但不包含邊界線上，第2保護(hù)層膜厚為5nm以上30nm以下。8．如權(quán)利要求7所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，記錄層由具有下述區(qū)域的組成的GeSbTe合金為主要成分的薄膜組成，所述區(qū)域?yàn)樵贕eSbTe三元狀態(tài)圖中，用連接(Sb0.7Te0.3)與Ge的直線A、連接(Ge0.03Sb0.68Te0.29)與(Sb0.9Ge0.1)的直線B、連接(Sb0.9Ge0.1)與(Te0.9Ge0.1)的直線C、以及連接(Sb0.8Te0.2)與Ge的直線D等4條直線包圍的區(qū)域，但不包含邊界線上。9．如權(quán)利要求7所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，記錄層由以Gex(SbyTe1-y)1-x合金為主要成分的薄膜構(gòu)成，其中0.04≤x＜0.10，0.72≤y＜0.8。10．如權(quán)利要求7所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，記錄層由以Gex(SbyTe1-y)1-x合金為主要成分的薄膜構(gòu)成，其中0.045≤x≤0.075，0.74≤y＜0.8。11．如權(quán)利要求7～10的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，所述記錄層還含有從O、P及S中選出的至少1種元素，這些元素的總含有量為0.1原子％以上5原子％以下。12．如權(quán)利要求7～10的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，所述記錄層還含有從V、Nb、Ta、Cr、Co、Pt及Zr中選出的至少1種元素，這些元素的總含有量為8原子％以下，而且這些元素與Ge的總含有量為15原子％以下。13．如權(quán)利要求7～10的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，所述記錄層還含有Al、In及Ge中選出的至少1種元素，這些元素的總含量為8原子％以下，而且這些元素與Ge的總含量為15原子％以下。14．如權(quán)利要求7～13的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，記錄層膜厚為10nm以上20nm以下。15．如權(quán)利要求7～14的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，第2保護(hù)層膜厚為10nm以上25nm以下。16．如權(quán)利要求7～15的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，是錄放光通過基板入射，進(jìn)行信息記錄或重放的媒體，第1保護(hù)層膜厚為50nm以上。17．如權(quán)利要求7～16的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，反射層膜厚為40nm以上300nm以下，體積電阻率為20nΩ·m以上150nΩ·m以下。18．如權(quán)利要求17所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，反射層膜厚為150nm以上300nm以下，由含有0.2原子％以上2原子％以下的Ta、Ti、Co、Cr、Si、Sc、Hf、Pd、Pt、Mg、Zr、Mo及Mn中的至少1種的Al合金構(gòu)成。19．如權(quán)利要求17所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，反射層膜厚為40nm以上150nm以下，由含有0.2原子％以上5原子％以下的Ti、V、Ta、Nb、W、Co、Cr、Si、Ge、Sn、Sc、Hf、Pd、Rh、Au、Pt、Mg、Zr、Mo及Mn中的至少1種的Ag合金構(gòu)成。20．如權(quán)利要求7～16的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，反射層為多層金屬膜構(gòu)成的多層反射層，該多層反射層整個(gè)膜厚的50％以上的體積電阻率為20nΩ·m以上150nΩ·m以下。21．如權(quán)利要求17～20的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，在第2保護(hù)層與反射層之間設(shè)置膜厚為5nm以上100nm以下的界面層。22．如權(quán)利要求17所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，在第2保護(hù)層與反射層之間設(shè)置膜厚1nm以上100nm以下的界面層，該界面層由含有0.2原子％以上2原子％以下的Ta、Ti、Co、Cr、Si、Sc、Hf、Pd、Pt、Mg、Zr、Mo及Mn中的至少1種的Al合金構(gòu)成，反射層由含有0.2原子％以上5原子％以下的Ii、V、Ta、Nb、W、Co、Cr、Si、Ge、Sn、Sc、Hf、Pd、Rh、Au、Pt、Mg、Zr、Mo及Mn中r至少1種的Ag合金或Ag構(gòu)成。23．如權(quán)利要求22所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，在上述界面層與反射層之間存在由上述Al合金及/或Ag合金的氧化物構(gòu)成的薄層，該氧化物層的厚度為1nm以上10nm以下。24．如權(quán)利要求7～23的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，記錄信息的記錄道的間距為0.8μm以下。25．如權(quán)利要求24所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，是僅僅將槽內(nèi)作為記錄道記錄信息的媒體，在基板上具間距為0.8μm以下的槽，將重放光波長記為λ、該波長的基板折射率記為n時(shí)，槽深在λ/(20n)～λ/(10n)的范圍內(nèi)。26．如權(quán)利要求25所述的光學(xué)信息記錄媒體，利用數(shù)值孔徑NA為0.6～0.65的物鏡使波長為630～670nm的光通過基板聚焦在記錄層上進(jìn)行數(shù)據(jù)錄放，其特征在于，上述槽的槽間距為0.6～0.8μm，槽深為25～40μm，槽寬為0.25～0.5μm，而且該槽具有數(shù)據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T的30～40倍周期的蛇行，該蛇行的振幅(峰值對峰值)為20～80nm。27．如權(quán)利要求24所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，將槽內(nèi)與槽間兩者作為記錄道記錄信息，在基板上具有槽，將重放光波長記為λ，該波長的基板折射率記為n時(shí)，槽深為λ/(7n)～λ/(5n)，或λ/(3.5n)～λ/(2.5n)，槽寬GW及槽間寬度LW均為0.2μm以上0.4μm以下，而且GW/LW比為0.8以上1.2以下。28．如權(quán)利要求1、4或7的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，在記錄斑點(diǎn)間照射能夠使非晶態(tài)結(jié)晶化的擦除功率Pe的記錄光，將1個(gè)記錄斑點(diǎn)時(shí)間長度記為nT時(shí)(T為基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期，n為2以上的整數(shù))，將記錄斑點(diǎn)時(shí)間長度nT依順序分割為η1T、α1T、β1T、α2T、β2T、……αiT、βiT、……αmT、βmT、η2T(式中，m表示脈沖分割數(shù)，m=n-k，k為0≤k≤2的整數(shù)，而且，設(shè)∑i(αi+βi)+η1+η2=n，η1為η1≥0的實(shí)數(shù)，η2為η2≥0的實(shí)數(shù)，0≤η1+η2≤2.0，設(shè)αi(1≤i≤m)為αi＞0的實(shí)數(shù)，βi(1≤i≤m)為βi＞0的實(shí)數(shù)，設(shè)α1=0.1～1.5，β1=0.3～1.0，βm=0～1.5，αi=0.1～0.8(2≤i≤m)，而且，在3≤i≤m的i中，αi+βi-1在0.5～1.5的范圍內(nèi)，而且與i無關(guān)，為一定值，)在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)，照射足以使記錄層熔融的Pw≥Pe的記錄功率Pw的記錄光；在βiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)，照射0＜Pb≤0.2Pe(但是在βmT中，可以為0＜Pb≤Pe)的偏置功率Pb的記錄光以進(jìn)行記錄。29．如權(quán)利要求28所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，在利用數(shù)值孔徑NA為0.55～0.9的物鏡將波長為350～680nm的光聚焦在記錄層上進(jìn)行數(shù)據(jù)錄放時(shí)，使m=n-1或m=n-2，α1=0.3～1.5，α1≥αi=0.2～0.8(2≤i≤m)，αi+βi-1=1.0(3≤i≤m)，0≤Pb≤1.5(mW)，0.3≤Pe/Pw≤0.6，進(jìn)行記錄。30．如權(quán)利要求28或29所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，在利用數(shù)值孔徑NA為0.55～0.65的物鏡使波長為600～680nm的光通過基板聚焦在記錄層上，取最短斑點(diǎn)長度范圍為0.35～0.45μm的范圍進(jìn)行數(shù)據(jù)錄放時(shí)，取n為1～14的整數(shù)，m=n-1，Pb與線速度無關(guān)，為一定值，Pe/Pw相應(yīng)于線速度能夠在0.4～0.6的范圍內(nèi)變化，(ⅰ)在記錄線速度為3～4m/s范圍內(nèi)，設(shè)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T為T0，α1=0.3～0.8，α1≥αi=0.2～0.4，與i無關(guān)，為一定值(2≤i≤m)，α2+β1≥1．0，αi+βi-1=1．0(3≤i≤m)，βm=0.3～1．5，在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)照射記錄功率Pw1的記錄光，(ⅱ)在記錄線速度6～8m/s范圍內(nèi)，設(shè)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T為T0/2，α’1=0.3～0.8，α’1≥α’i=0.3～0.5，與i無關(guān)，為一定值(2≤i≤m)，α’1+β’i-1=1.0(3≤i≤m)，β’m=0～1.0，在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)照射記錄功率Pw2的記錄光時(shí)，使α’i＞αi(2≤i≤m)，而且0.8≤Pw1/Pw2≤1.2，進(jìn)行記錄。31．如權(quán)利要求28所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，具有規(guī)定的記錄區(qū)，使該媒體以恒角速度旋轉(zhuǎn)，以使記錄區(qū)最內(nèi)圈的線速度為2～4m/s，記錄區(qū)最外圈的線速度為6～10m/s，該記錄區(qū)由按照半徑分割的多個(gè)區(qū)域構(gòu)成，相應(yīng)于各區(qū)域內(nèi)的平均線速度改變基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T，使記錄密度大致為一定，這樣進(jìn)行記錄時(shí)，使m與區(qū)域無關(guān)，為一定值，從外圈區(qū)域向內(nèi)圈區(qū)域，使Pb/Pe及/或αi(i為1≤i≤m的至少1個(gè))單調(diào)減小，以進(jìn)行記錄。32．如權(quán)利要求31所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，上述記錄區(qū)利用半徑分割為p個(gè)區(qū)域，將最內(nèi)圈一側(cè)作為第1區(qū)域，將最外圈一側(cè)作為第p區(qū)域，若第q區(qū)域(這里q為1≤q≤p的整數(shù))中的角速度記為ωq，平均線速度記為&#60Vq&#62ave，最大線速度記為&#60Vq&#62max，最小線速度記為&#60Vq&#62min，基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期記為Tq，最短斑點(diǎn)時(shí)間長度記為nminTq，則&#60Vp&#62ave/&#60V1&#62ave在1.2～3的范圍內(nèi)，&#60Vq&#62max/&#60Vq&#62min為1.5以下，(ⅰ)在同一區(qū)域內(nèi)，ωq、Tq、Xi、βi、Pe、Pb及Pw為一定值，最短斑點(diǎn)物理長度nminTq&#60Vq&#62ave為0.5μm以下，Tq&#60Vq&#62ave對于1≤q≤p的所有的q大致為一定值，而且m=n-1或m=n-2，α1=0.3～1.5，α1≥αi=0.2～0.8(2≤i≤m)，αi+βi-1=1.0(3≤i≤m)，0≤Pb≤1.5(mW)，0.4≤Pe/Pw≤0.6，(ⅱ)在各區(qū)域中，Pb、Pw、Pe/Pw、αi(1≤i≤m)、β1、βm可變，從外圈區(qū)域向內(nèi)圈區(qū)域至少使αi(i為2≤i≤m中的至少1個(gè))單調(diào)減小，以進(jìn)行記錄。33．如權(quán)利要求32所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，該記錄區(qū)中Pw的最大值記為Pwmax，最小值記為Pwmin時(shí)，Pwmax/Pwmin≤1.2。34．如權(quán)利要求31～33的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，利用數(shù)值孔徑NA為0.55～0.65的物鏡使波長為600～680nm的光通過基板聚焦在記錄層上進(jìn)行數(shù)據(jù)錄放時(shí)，上述記錄區(qū)最內(nèi)圈在半徑20～25mm范圍內(nèi)，最外圈在半徑55～60mm范圍內(nèi)，最內(nèi)圈一側(cè)的區(qū)域的平均線速度為3～4m/s，若第q區(qū)域(這里q為1≤q≤p的整數(shù))中的角速度商為ωq，平均線速度為&#60Vq&#62ave，最大線速度為&#60Vq&#62max，最小線速度為&#60Vq&#62min，基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期為Tq，最短斑點(diǎn)時(shí)間長度為nminTq，則n為1～14的整數(shù)，m=n-1，ωq、Pb及Pe/Pw與區(qū)域無關(guān)，為一定值，Tq&#60Vq&#62ave相對于1≤q≤p的所有的q大致為一定值，而且滿足(&#60Vp&#62ave-&#60Vq&#62min/&#60Vq&#62max+&#60Vq&#62min)＜10％，(ⅰ)設(shè)在第1區(qū)域中α11=0.3～0.8，α11≥α1i=0.2～0.4，與i無關(guān)，為一定值(2≤i≤m)，α12+β11≥1.0α11+β1i-1=1.0(3≤i≤m)，(ⅱ)在第p區(qū)域中，αp1=0.3～0.8，αp1≥αpi=0.3～0.5，與i無關(guān)，為一定值(2≤i≤m)，αpi+βpi-1=1.0(2≤i≤m)時(shí)，(ⅲ)在其他區(qū)域中，設(shè)α1i≤αqi≤αpi(2≤i≤m)，αq1作為α11與αp1之間的值，以進(jìn)行記錄。35．如權(quán)利要求34所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，使α1i≥αq1≥αp1(式中α11＞αp1)，以此進(jìn)行記錄。36．如權(quán)利要求34或35所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，Pb、Pe/Pw、β1、βm與區(qū)域無關(guān)，為一定值，使α1及αi(2≤i≤m)隨區(qū)域而變化，以此進(jìn)行記錄。37．如權(quán)利要求34～36的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，至少Pe/Pw、Pb、Pw、βm、(α11、αp1)、(α1c、αPc)的數(shù)值預(yù)先利用預(yù)刻凹坑串或槽變形記錄在基板上。38．如權(quán)利要求34～37的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，是利用預(yù)刻凹坑串或槽變形將地址信息預(yù)先記錄在基板上的光學(xué)信息記錄媒體，包含該地址信息，同時(shí)在該地址中包含與適當(dāng)?shù)摩?及αi(2≤i≤m)有關(guān)的信息。39．如權(quán)利要求1、4及7中任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，在記錄斑點(diǎn)間照射能夠使非晶態(tài)結(jié)晶化的擦除功率Pe的記錄光，將1個(gè)記錄斑點(diǎn)時(shí)間長度記為nT時(shí)(T為基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期，n為2以上的整數(shù))，將記錄斑點(diǎn)時(shí)間長度nT依如下順序分割，即n1T、α1T、β1T、α2T、β2T、……αiT、βiT……αmT、βmT、η2T，(式中，設(shè)m為脈沖分割數(shù)，m=n-k，k為0≤k≤2的整數(shù)，又，設(shè)∑i(αi+βi)+η1+η2=n，η1為η1≥0的實(shí)數(shù)，η2為η2≥0的實(shí)數(shù)，0≤η1+η2≤2.0，設(shè)αi(1≤i≤m)為αi＞0的實(shí)數(shù)，βi(1≤i≤m)為βi＞0的實(shí)數(shù)，設(shè)α1=0.1～1.5，β1=0.3～1.0，βm=0～1.5，在2≤i≤m的i中，αi在0.1～0.8的范圍內(nèi)，而且與i無關(guān)，為一定值，又，在3≤i≤m的i中，αi+βi-1在0.5～1.5的范圍內(nèi)，而且與i無關(guān)，為一定值，)在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)照射足以使記錄層熔融的Pw＞Pe的記錄功率Pw的記錄光；在βiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)，照射0＜Pb≤0.2Pe(但是在βmT中，可以為0＜Pb≤Pe)的偏置功率Pb的記錄光，設(shè)m、αi+βi-1(3≤i≤m)、α1T及αiT(2≤i≤m)與線速度無關(guān)，為一定值，而線速度越小，越使βm向單調(diào)增加方向變化，以此進(jìn)行記錄。40．如權(quán)利要求39的述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，將在各記錄線速度下的最大記錄功率記為Pwmax，最小記錄功率記為Pwmin，這時(shí)設(shè)Pwmax/Pwmin≤1.2，Pe/Pw=0.4～0.6，0≤Pb≤1.5(mW)，以此進(jìn)行記錄。41．如權(quán)利要求40所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，記錄線速度小于5m/s時(shí)，設(shè)∑αi＜0.5n，以此進(jìn)行記錄。42．如權(quán)利要求40或41所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，將最大記錄線速度的βm記為βHm，最小記錄線速度的βm記為βLm，這時(shí)，其他記錄線速度的βm取βLm與βHm之間的值，設(shè)Pb及Pe/Pw為與記錄線速度無關(guān)的一定值，以此進(jìn)行記錄。43．如權(quán)利要求39或40所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，取βm為與記錄線速度無關(guān)的一定值，以此進(jìn)行記錄。44．如權(quán)利要求42所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，至少Pe/Pw比、Pb、Pw、α1T、αiT(2≤i≤m)、(βLm、βHm)的數(shù)值預(yù)先利用預(yù)刻凹坑串或槽變形記錄在基板上。45．如權(quán)利要求1、4及7的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，具有規(guī)定的記錄區(qū)，該記錄區(qū)被割分為在半徑方向上具有相等寬度的p個(gè)區(qū)域，與半徑位置無關(guān)地以恒角速度旋轉(zhuǎn)，利用多種斑點(diǎn)長度記錄信息，在基板上，形成具有規(guī)定槽蛇行信號的槽，該槽蛇行信號的基準(zhǔn)周期在每個(gè)區(qū)域都不同，若第q區(qū)域(這里q為1≤q≤p的整數(shù))中的平均線速度記為&#60Vq&#62ave，最大線速度記為&#60Vq&#62max，最小線速度記為&#60Vq&#62min，槽蛇行信號的基準(zhǔn)周期記為Twq，則，&#60Vq&#62aveTwq為一定值，(&#60Vq&#62max-&#60Vq&#62min)/(&#60Vq&#62max+&#60Vq&#62min)＜1％。46．如權(quán)利要求45所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，以所述槽1圈作為1個(gè)區(qū)域，該槽具有周期與區(qū)域無關(guān)而為一定值的蛇行，若槽間距記為TP，蛇行周期記為Tw0，則近似滿足下式關(guān)系，即2π·TP=a·Tw0·V0(式中，a為自然數(shù))。47．如權(quán)利要求1、4及7的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，具有規(guī)定的記錄區(qū)，該記錄區(qū)被分割為在半徑方向上具有相等寬度的p個(gè)區(qū)域，(這里p為200以上的整數(shù))，與半徑位置無關(guān)地以恒角速度旋轉(zhuǎn)，利用多種斑點(diǎn)長度記錄信息，在基板上，形成具有規(guī)定的槽蛇行信號的槽，該槽蛇行信號的基準(zhǔn)周期在每個(gè)區(qū)域都不同，若第q區(qū)域(這里q為1≤q≤p的整數(shù))中的平均線速度記為&#60Vq&#62ave，槽蛇行信號的基準(zhǔn)周期記為Twq，則&#60Vq&#62aveTwq為一定值。48．如權(quán)利要求47所述的光學(xué)信息記錄媒體，其特征在于，上述記錄區(qū)的最內(nèi)圈在半徑20～25mm范圍內(nèi)，最外圈在半徑55～60mm范圍內(nèi)。49．一種光學(xué)信息記錄媒體的光記錄方法，其特征在于，在權(quán)利要求1、4或7的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體上記錄信息時(shí)，在記錄斑點(diǎn)間照射能夠使非晶態(tài)結(jié)晶化的擦除功率Pe的記錄光，將1個(gè)記錄斑點(diǎn)時(shí)間長度記為nT時(shí)(T為基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期，n為2以上的整數(shù))，將記錄斑點(diǎn)時(shí)間長度nT依如下順序分割，即η1T、α1T、β1T、α2T、β2T、……αiT、βiT……αmT、βmT、η2T(式中，設(shè)m為脈沖分割數(shù)，m=n-k，k為0≤k≤2的整數(shù)，又，設(shè)∑i(α1+βi)+η1+η2=n，η1為η1≥0的實(shí)數(shù)，η2為η2≥0的實(shí)數(shù)，設(shè)0≤η1+η2≤2.0，設(shè)αi(1≤i≤m)為αi＞0的實(shí)數(shù)，βi(1≤i≤m)為βi＞0的實(shí)數(shù)，設(shè)∑αi＜0.5n，設(shè)α1=0.1～1.5，β1=0.3～1.0，βm=0～1.5，設(shè)αi=0.1～0.8(2≤i≤m)，又，在3≤i≤m的i中，在αi+βi-1=0.5～1.5的范圍內(nèi)，而且與i無關(guān)，為一定值，)在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)，照射足以使記錄層熔融的Pw≥Pe的記錄功率Pw的記錄光；在βiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)，照射0＜Pb≤0.2Pb)(但是在βmT中，可以是0＜Pb≤Pe)的偏置功率Pb的記錄光。50．如權(quán)利要求49所述的光記錄方法，其特征在于，利用數(shù)值孔徑NA為0.55～0.9的物鏡使波長為350～680nm的光聚焦在記錄層上進(jìn)行數(shù)據(jù)錄放，m=n-1或m=n-2，α1=0.3～1.5，α1≥αi=0.2～0.8(2≤i≤m)，αi+βi-1=1.0(3≤i≤m)，0≤Pb≤1.5(mW)，0.3≤Pe/Pw≤0.6。51．如權(quán)利要求49或50所述的光記錄方法，其特征在于，利用數(shù)值孔徑NA為0.55～0.65的物鏡使波長為600～680nm的光通過基板聚焦在記錄層上，使最短斑點(diǎn)長度在0.35～0.45μm范圍內(nèi)，進(jìn)行數(shù)據(jù)錄放，設(shè)n為1～14的整數(shù)，m=n-1，Pb與線速度無關(guān)，為一定值，Pe/Pw能夠在0.4～0.6范圍內(nèi)相應(yīng)于線速度變化，(ⅰ)在記錄線速度為3～4m/s范圍內(nèi)，將基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T記To，α1=0.3～0.8，α1≥αi=0.2～0.4，與i無關(guān)，為一定值(2≤i≤m)，α2+β1≥1.0，αi+βi-1=1.0(3≤i≤m)，βm=0.3～1.5，在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)照射記錄功率Pw1的記錄光，(ⅱ)在記錄線速度為6～8m/s范圍內(nèi)，將基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T記為To/2，α’1=0.3～0.8，α’1≥α’i=0.3～0.5，與i無關(guān)，為一定值(2≤i≤m)，α’i+β’i-1=1.0(3≤i≤m)，β1m=0～1.0，在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)照射記錄功率Pw2的記錄光時(shí)，α’i＞αi(2≤i≤m)，而且0.8≤Pw1/Pw2≤1．2。52．如權(quán)利要求49所述的光記錄方法，其特征在于，使具有規(guī)定記錄區(qū)的光學(xué)信息記錄媒體以恒角速度旋轉(zhuǎn)、利用多種斑點(diǎn)長度記錄信息，所述記錄方法是使該媒體旋轉(zhuǎn)，以使記錄區(qū)最內(nèi)圈的線速度為2～4m/s，記錄區(qū)最外圈的線速度為6～10m/s，該記錄區(qū)是由按照半徑分割的多個(gè)個(gè)區(qū)域構(gòu)成，相應(yīng)于各區(qū)域內(nèi)的平均線速度改變基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期T，使記錄密度大致為一定值，又使m與區(qū)域無關(guān)，為一定值，從外圈區(qū)域向內(nèi)圈區(qū)域，使Pb/Pe及/或αi(i為1≤i≤m的至少1個(gè))單調(diào)減小。53．如權(quán)利要求52所述的光記錄方法，其特征在于，上述記錄區(qū)按照半徑分割為p個(gè)區(qū)域，將最內(nèi)圈一側(cè)作為第1區(qū)域，將最外圈一側(cè)作為第p區(qū)域，若第q區(qū)域(這里q為1≤q≤p的整數(shù))的角速度記為ωq，平均線速度記為&#60Vq&#62ave，最大線速度記為&#60Vq&#62max，最小線速度為&#60Vq&#62min，基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期記為Tq，最短斑點(diǎn)時(shí)間長度為nminTq，則&#60Vp&#62ave/&#60V1&#62ave在1.2～3的范圍內(nèi)，&#60Vq&#62max/&#60Vq&#62min為1.5以下，(ⅰ)在同一區(qū)域內(nèi)，ωq、Tq、αi、βi、Pe、Pb及Pw為一定值，最短斑點(diǎn)物理長度nminTq&#60Vq&#62ave為0.5μm以下，Tq&#60Vq&#62ave對于1≤q≤p的所有的q大致為一定值，而且m=n-1或m=n-2，α1=0.3～1.5，α1≥αi=0.2～0.8(2≤i≤m)，αi+βi-1=1.0(3≤i≤m)，0≤Pb≤1.5(mW)，0.4≤Pe/Pw≤0.6，(ⅱ)在每一區(qū)域中，Pb、Pw、Pe/Pw、αi(1≤i≤m)、β1、βm為可變值，從外圈區(qū)域向內(nèi)圈區(qū)域至少使αi(i為2≤i≤m中的至少1個(gè))單調(diào)減小。54．如權(quán)利要求53所述的光記錄方法，其特征在于，設(shè)該記錄區(qū)中的Pw的最大值為Pwmax，最小值為Pwmin時(shí)，則Pwmax/Pwmin≤1.2。55．如權(quán)利要求52～54的任一項(xiàng)所述的光記錄方法，其特征在于，利用數(shù)值孔徑NA為0.55～0.65的物鏡使波長為600～680nm的光通過基板聚焦在記錄層上進(jìn)行數(shù)據(jù)錄放，上述記錄區(qū)最內(nèi)圈在半徑20～25mm范圍內(nèi)，最外圈在半徑55～60mm范圍內(nèi)，最內(nèi)圈一側(cè)區(qū)域的平均線速度為3～4m/s，若第q區(qū)域(這里q為1≤q≤p的整數(shù))的角速度記為ωq，平均線速度為&#60Vq&#62ave，最大線速度為&#60Vq&#62max，最小線速度為&#60Vq&#62min，基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期為Tq，最短斑點(diǎn)時(shí)間長度為nminTq，則n為1～14的整數(shù)，m=n-1ωq、Pb及Pb/Pw與區(qū)域無關(guān)，為一定值，Tq&#60Vq&#62ave相對于1≤q≤p的所有的q大致為一定值，而且滿足下式(&#60Vq&#62max-&#60Vq&#62min)/(&#60Vq&#62max+&#60Vq&#62min)＞10％，(ⅰ)在第一區(qū)域中，設(shè)α11=0.3～0.8，α11≥α1i=0.2～0.4，與i無關(guān)，為一定值(2≤i≤m)，α12+β11≥1.0，α1i+β1i-1=1.0(3≤i≤m)，(ⅱ)在第p區(qū)域中，設(shè)αp1=0.3～0.8，αp1≥αpi=0.3～0.5，與i無關(guān)，為一定值(2≤i≤m)，αpi+βpi-1≥1.0(2≤i≤m)，(ⅲ)在其他區(qū)域中，設(shè)α1i≤αqi≤αpi(2≤i≤m)，αq1取α11與αp1之間的值。56．如權(quán)利要求55所述的光記錄方法，其特征在于是α11≥αq1≥αp1(式中α11＞αp1)。57．如權(quán)利要求55或56所述的光記錄方法，其特征在于，Pb、Pe/Pw、β1及βm與區(qū)域無關(guān)，為一定值，僅僅使α1及αi(2≤i≤m)隨區(qū)域而變化。58．一種光記錄方法，其特征在于，在權(quán)利要求1、4或7的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體上記錄信息時(shí)，在記錄斑點(diǎn)間照射能夠使非晶態(tài)結(jié)晶化的擦除功率Pe的記錄光，將1個(gè)記錄斑點(diǎn)時(shí)間長度記為nT時(shí)(T為基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期，n為2以上的整數(shù))，將記錄斑點(diǎn)時(shí)間長度依如順序分割，即η1T、α1T、β1T、α2T、β2T、……αiT、βiT……αmT、βmT、η2T(式中，設(shè)m為脈沖分割數(shù)，m=n-k，k為0≤k≤2的整數(shù)，又，設(shè)∑i(α1+βi)+η1+η2=n，η1為η1≥0的實(shí)數(shù)，η2為η2≥0的實(shí)數(shù)，0≤η1-η2≤2.0，設(shè)αi(1≤i≤m)為αi＞0的實(shí)數(shù)，βi(1≤i≤m)為βi＞0的實(shí)數(shù)，設(shè)α1=0.1～1.5，β1=0.3～1.0，βm=0～1.5，在2≤i≤m的i中，αi在0.1～0.8的范圍內(nèi)，而且與i無關(guān)，為一定值，還有，在3≤i≤m的i中，αi+βi-1在0.5～1.5的范圍內(nèi)，而且與i無關(guān)，為一定值，〕在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)，照射足以使記錄層熔融的Pw＞Pe的記錄功率Pw的記錄光；在βiT(1≤i≤m)的時(shí)間內(nèi)，照射0＜Pb＜0.2Pe(但是在βmT中，可以是0＜Pb≤Pe)的偏置功率Pb的記錄光，設(shè)m、αi+βi-1(3≤i≤m)、α1T及αiT(2≤i≤m)與線速度無關(guān)，為一定值，而線速度越小，越使βm單調(diào)增加著變化。59．如權(quán)利要求58所述的光記錄方法，其特征在于，將各記錄線速度下的最大記錄功率記為Pwmax，最小記錄功率記為Pwmin，這時(shí)Pwmax/Pwmin≤1.2，Pe/Pw=0.4～0.60≤Pb≤1.5(mW)。60.如權(quán)利要求59所述的光記錄方法，其特征在于，在記錄線速度為5m/s以下時(shí)，∑αi＜0.5n。61．如權(quán)利要求59所述的光記錄方法，其特征在于，設(shè)最大記錄線速度的βm為βHm，最小記錄線速度的βm為βLm，這時(shí)其他記錄線速度的βm為βLm與βHm之間的值，Pb及Pe/Pw比與記錄線速度無關(guān)，為一定值。62．如權(quán)利要求58～60的任一項(xiàng)所述的光記錄方法，其特征在于，βm與記錄線速度無關(guān)，為一定值。63．如權(quán)利要求58～62的任一項(xiàng)所述的光記錄方法，其特征在于，使具有規(guī)定記錄區(qū)的光學(xué)信息記錄媒體旋轉(zhuǎn)、利用多種斑點(diǎn)長度記錄信息，將記錄區(qū)在半徑方向上分割為多個(gè)個(gè)區(qū)域，在各區(qū)域內(nèi)以恒線速度進(jìn)行記錄，最內(nèi)圈區(qū)域的記錄線速度Vin與外圈區(qū)域的記錄線速度Vout之比Vout/Vin為1.2～2，使βm相應(yīng)于各區(qū)域的線速度而變化。64．如權(quán)利要求49所述的光記錄方法，其特征在于，使具有規(guī)定記錄區(qū)的光學(xué)信息記錄媒體旋轉(zhuǎn)，利用多種斑點(diǎn)長度記錄信息，將記錄區(qū)在半徑方向上分割為多個(gè)區(qū)域，在各區(qū)域內(nèi)以恒線速度進(jìn)行記錄，最內(nèi)圈區(qū)域的記錄線速度Vin與最外圈區(qū)域的記錄線速度Vout之比Vout/Vin為1.2～2。設(shè)αi=0.3～0.6(2≤i≤m)及βm=0～1.5，設(shè)m、αi+βi-1(3≤i≤m)、α1T、Pe/Pw及Pb與線速度無關(guān)，為一定值，使αi及/或βm相應(yīng)于線速度而變化。65．一種光記錄方法，其特征在于，在對權(quán)利要求45～48的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄媒體進(jìn)行信息記錄時(shí)，使產(chǎn)生的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號周期Tq為各區(qū)域的槽蛇行基準(zhǔn)周期Twq的倍數(shù)或約數(shù)。全文摘要本發(fā)明光學(xué)信息記錄媒體在基板上至少具有相變型記錄層,將結(jié)晶態(tài)部分作出未記錄及擦除狀態(tài),將非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài),利用最短斑點(diǎn)長度為0.5μm以下的多種記錄斑點(diǎn)長度來記錄信息。揭示了特征在于利用從非晶態(tài)部分或熔融部分與周圍結(jié)晶態(tài)部分的邊界開始的晶體生長實(shí)際上進(jìn)行的再結(jié)晶化進(jìn)行擦除的光學(xué)信息記錄媒體及適用于該媒體的光記錄方法。本發(fā)明媒體能夠高速重寫,斑點(diǎn)邊界跳動(dòng)小,能夠進(jìn)行高密度的斑點(diǎn)長度調(diào)制記錄,形成的斑點(diǎn)的長期穩(wěn)定性非常好。文檔編號G11B7/125GK1286791SQ9980163公開日2001年3月7日申請日期1999年9月8日優(yōu)先權(quán)日1998年9月9日發(fā)明者水野裕宣,大野孝志,堀江通和申請人:三菱化學(xué)株式會社