專利名稱：傾斜檢測裝置,光盤裝置和傾斜控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種把激光照射在光盤媒體上而存儲信息的光盤，及其光盤裝置。
近年來，光盤裝置作為存儲和復(fù)制大量信息的裝置已有很大的發(fā)展，實(shí)現(xiàn)高密度存儲的設(shè)備也得到采用。這些方法中之一是利用雙向晶體的相位變化型—非晶態(tài)變化的光盤裝置。
在相位變化型光盤裝置中，通過利用兩個(gè)能量裝置將半導(dǎo)體激光照射在光盤媒體上，使標(biāo)記(非晶質(zhì)部分)和這些標(biāo)記之間的間隙(結(jié)晶部分)都形成于一個(gè)光盤媒體上，所述兩個(gè)能量裝置一個(gè)是峰值功率裝置，用于提供結(jié)晶區(qū)的非晶質(zhì)，另一個(gè)是偏置功率裝置，用于結(jié)晶非晶質(zhì)區(qū)。
脊/槽錄音技術(shù)即為將這些標(biāo)記和間隔以軌跡形式記錄在唱盤上導(dǎo)槽的脊區(qū)和槽區(qū)。
為了提高光盤的準(zhǔn)確性，必須在光盤上存儲和重放高質(zhì)量的信號。如果光盤的記錄表面相對光束的光軸存在傾斜(傾角)，則光斑發(fā)生偏差，變得難于在光盤上記錄和重放高質(zhì)量的信號。因此，為了把信號記錄到光盤上和從其上重放信號，必須精確地檢測上述傾角，并修正這種傾角。
現(xiàn)有的修正傾斜的方法是利用圖2所示的傾斜裝置。
圖2中的標(biāo)號201為光盤；標(biāo)號202是光頭，它將光束聚焦在所述光盤上；標(biāo)號203是傾斜平臺；標(biāo)號204是信號計(jì)算電路；標(biāo)號205表示聚焦控制機(jī)構(gòu)，用以控制光盤表面上光斑的聚焦位置；標(biāo)號206表示跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制光斑關(guān)于磁跡的位置；標(biāo)號207是對照射光的傾斜傳感器，用以檢測光盤信號關(guān)于上述光束的光軸在光盤上的偏差，接收光盤的反射光并檢測光盤記錄表面關(guān)于所述光束光軸的傾斜；標(biāo)號208表示傾斜控制機(jī)構(gòu)，用于通過根據(jù)所述傾斜傳感器測得的值傾斜上述傾斜平臺，以控制上述光盤的記錄表面關(guān)于所述光束光軸的傾斜。
圖3表示在普通光盤裝置中在光盤的內(nèi)部周圓和外部周圓處修正傾斜位置情況的曲線。
但在現(xiàn)有的制品中，由于如圖2所示的傾斜傳感器和傾斜控制機(jī)構(gòu)被用于檢測光盤的傾斜位置，為了修正光盤記錄表面關(guān)于光束光軸的傾斜，就必須設(shè)置用于檢測傾角的傾斜傳感器207，它與光頭202是分開的。光頭和傾斜傳感器這兩個(gè)光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)合造成光學(xué)裝置較為復(fù)雜，增大了裝置所占的空間，并導(dǎo)致成本提高。此外，必須調(diào)節(jié)光頭和傾斜傳感器這兩個(gè)光學(xué)系統(tǒng)的光軸，因而使調(diào)節(jié)工作變得較為復(fù)雜，在傾斜傳感器與光盤記錄表面關(guān)于所述光束光軸的傾斜(傾角)之間容易發(fā)生誤差，致使難于精確地檢測這種傾角。
本發(fā)明克服了上述所有的問題，其目的在于，通過按由傾斜檢測機(jī)構(gòu)測得的值為一適當(dāng)值的方式修正光盤在其內(nèi)部周圓、中部周圓及外部周圓徑向位置處關(guān)于光束光軸的傾斜，提高光斑的質(zhì)量，改善記錄與重放的特性。為了解決上述問題，本發(fā)明包括以下幾方面本發(fā)明的第一方面對應(yīng)于方法(1)的實(shí)施例。
第一方面涉及一種傾斜檢測裝置，用以檢測光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和所形成的第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得該第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；二隙(two-split)光探測器，用于接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行的方向分開的第一光探測元件和第二光探測元件；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于通過差值信號輸出檢測光盤記錄表面關(guān)于所述光束光軸的傾斜，所述差值信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述連續(xù)磁跡的反射光情況下，來自所述第一和第二光探測元件的信號間的差。
因而，通過由預(yù)先記錄在光盤上的凹坑檢測傾角，它能提高記錄和重放的過程中的信號質(zhì)量，而無需與記錄和重放信號的光學(xué)系統(tǒng)分開設(shè)置檢測傾角的光學(xué)系統(tǒng)。因此，這具有減小裝置整體尺寸及降低成本的效果。
本發(fā)明的第二方面對應(yīng)于方法(4)的實(shí)施例。
第二方面涉及一種傾斜檢測裝置，用于檢測光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得該第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；二隙光探測器，用于接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行的方向分開的第一光探測元件和第二光探測元件；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于通過比較第一求和信號與第二求和信號檢測光盤記錄表面的傾斜，所述第一求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和，所述第二求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和。
本發(fā)明的第三方面對應(yīng)于方法(4)的實(shí)施例，特別對應(yīng)于圖21A，21B和21C表示的低值信號。
第三方面涉及根據(jù)本發(fā)明第二方面的傾斜檢測裝置，其中所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)比較第一求和信號的包絡(luò)信號的低值絕對值與第二求和信號的包絡(luò)信號的低值絕對值。
本發(fā)明的第四方面對應(yīng)于方法(4)的實(shí)施例，特別對應(yīng)于圖21A，21B和21C表示的高值信號。
第四方面涉及根據(jù)本發(fā)明第二方面的傾斜檢測裝置，其中所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)比較第一求和信號的包絡(luò)信號的高值絕對值與第二求和信號的包絡(luò)信號的高值絕對值。
本發(fā)明的第五方面對應(yīng)于方法(4)的實(shí)施例，特別對應(yīng)于圖21A，21B和21C表示的幅值信號。
第五方面涉及根據(jù)本發(fā)明第二方面的傾斜檢測裝置，其中所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)比較第一求和信號的幅值與第二求和信號的幅值。
本發(fā)明的第六方面對應(yīng)于方法(5)的實(shí)施例。
第六方面涉及一種傾斜檢測裝置，用于檢測光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得該第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；二隙光探測器，用于接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行的方向分開的第一光探測元件和第二光探測元件；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于通過比較第一差值信號與第二差值信號檢測光盤記錄表面的傾斜，所述第一差值信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號間的差，所述第二差值信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的差。
本發(fā)明的第七方面對應(yīng)于方法(5)的實(shí)施例，特別對應(yīng)于圖22A，22B和22C表示的低值信號。
第七方面涉及根據(jù)本發(fā)明第六方面的傾斜檢測裝置，其中所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)比較第一差值信號包絡(luò)的高值絕對值與第二差值信號包絡(luò)的高值絕對值。
本發(fā)明的第八方面對應(yīng)于方法(5)的實(shí)施例，特別對應(yīng)于圖22A，22B和22C表示的幅值信號。
第八方面涉及根據(jù)本發(fā)明第六方面的傾斜檢測裝置，其中所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)比較第一差值信號的幅值與第二差值信號的幅值。
本發(fā)明的第九方面對應(yīng)于偏離磁跡檢測的實(shí)施例。
第九方面是本發(fā)明的傾斜檢測裝置，還包括偏離磁跡檢測機(jī)構(gòu)，用于通過比較第三求和信號與第四求和信號，輸出一個(gè)偏移量，表示磁跡中心與光斑中心間偏移的量，所述第三求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和，所述第四求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和，所述偏移量被加給所述跟蹤控制機(jī)構(gòu)。
本發(fā)明的第十方面對應(yīng)于所述偏移凹坑間的間隔的實(shí)施例。
第十方面是本發(fā)明的傾斜檢測裝置，其中按重復(fù)的連續(xù)方式提供第一種偏移凹坑，并與第一種偏移凹坑接續(xù)地按重復(fù)的連續(xù)方式提供第二種偏移凹坑。
本發(fā)明的第十一方面對應(yīng)于偏移凹坑間的間隔較小(圖8)情況的實(shí)施例。
第十一方面是本發(fā)明第十方面的傾斜檢測裝置，其中間隔Ls表示第一種偏移凹坑按該間隔被重復(fù)，使得Lp＜Ls＜2Lp，這里的Lp是凹坑長度。
本發(fā)明的第十二方面對應(yīng)于偏移凹坑間的間隔較大(圖9)情況的實(shí)施例。
第十二方面是本發(fā)明第十方面的傾斜檢測裝置，其中間隔Ls表示第一種偏移凹坑按該間隔被重復(fù)，使得20Lp＜Ls，這里的Lp是凹坑長度。
本發(fā)明的第十三方面對應(yīng)于方法(3)的實(shí)施例。
第十三方面涉及一種傾斜檢測裝置，用以檢測具有按包含周期性擺動方式形成之磁跡的光盤的記錄表面的傾斜，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；光探測器，用于接收從所述光盤反射的光；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)在由所述光探測器接收上述擺動的磁跡反射的光的情況下輸出的擺動信號檢測光盤記錄表面的傾斜。
本發(fā)明的第十四方面對應(yīng)于方法(2)的實(shí)施例。
第十四方面涉及一種傾斜檢測裝置，用以檢測光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；
光探測器，用于接收從所述光盤反射的光；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)在由所述光探測器接收從磁跡反射的光的情況下的跟蹤誤差信號輸出的幅值檢測光盤記錄表面的傾斜，關(guān)斷所設(shè)置的跟蹤控制機(jī)構(gòu)，使光斑越過各磁跡。
本發(fā)明的第十五方面對應(yīng)于

圖10的實(shí)施例。
第十五方面是關(guān)于本發(fā)明的傾斜檢測裝置，在光盤的內(nèi)部周圓區(qū)、中部周圓區(qū)和外部周圓區(qū)進(jìn)行傾斜檢測和傾斜值的取樣。從而能夠精確地檢測傾角，而與光盤上的徑向位置無關(guān)，因此可使記錄和重放過程中的信號質(zhì)量得到提高。
本發(fā)明的第十六方面對應(yīng)于圖10的實(shí)施例。
如果所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)的輸出為規(guī)定的值或大于該值，實(shí)行傾斜值的修正。
本發(fā)明的第十七方面對應(yīng)于方法(1)的實(shí)施例。
第十七方面涉及一種光盤裝置，用于檢測和修正光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；二隙光探測器，用于接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行方向分開的第一探測元件和第二光探測元件；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于通過差值信號輸出檢測光盤記錄表面關(guān)于所述光束光軸的傾斜，所述差值信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述連續(xù)磁跡的反射光情況下，來自第一和第二光探測元件信號間的差；傾角修正機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)測得的傾角值控制光盤的角度。
本發(fā)明的第十八方面對應(yīng)于方法(4)的實(shí)施例。
第十八方面涉及一種光盤裝置，用于檢測和修正光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；二隙光探測器，用于接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行方向分開的第一探測元件和第二光探測元件；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于通過比較第一求和信號與第二求和信號檢測光盤記錄表面的傾斜，所述第一求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和，所述第二求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和；傾角修正機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)測得的傾角值控制光盤的角度。
本發(fā)明的第十九方面對應(yīng)于方法(5)的實(shí)施例。
第十九方面涉及一種光盤裝置，用于檢測和修正光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；二隙光探測器，用于接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行方向分開的第一探測元件和第二光探測元件；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于通過比較第一差值信號與第二差值信號檢測光盤記錄表面的傾斜，所述第一差值信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下，從第一和第二光探測元件輸出信號間的差，所述第二求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號間的差；傾角修正機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)測得的傾角值控制光盤的角度。
本發(fā)明的第二十方面對應(yīng)于方法(3)的實(shí)施例。
第二十方面涉及一種光盤裝置，用以檢測和修正具有按包含周期性擺動方式形成之磁跡的光盤的記錄表面的傾斜，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；光探測器，用于接收從所述光盤反射的光；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)在由所述光探測器接收上述擺動的磁跡反射的光的情況下輸出的擺動信號幅值檢測光盤記錄表面的傾斜。
傾角修正機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)測得的傾角值控制光盤的角度。
本發(fā)明的第二十一方面對應(yīng)于方法(2)的實(shí)施例。
第二十一方面涉及一種光盤裝置，用于檢測和修正光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；光探測器，用于接收從所述光盤反射的光；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)在由所述光探測器接收從一條磁跡反射的光的情況下輸出的跟蹤誤差信號的幅值檢測光盤記錄表面的傾斜，關(guān)斷所設(shè)置的跟蹤控制機(jī)構(gòu)，使光斑越過各磁跡；傾角修正機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)測得的傾角值控制光盤的角度。
本發(fā)明的第二十二方面對應(yīng)于方法(1)的實(shí)施例。
第二十二方面涉及一種用于檢測光盤記錄表面傾斜的傾斜檢測方法，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述方法包括以下步驟將光斑聚焦在所述光盤上；
由光探測器接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行方向分開的第一探測元件和第二光探測元件；實(shí)行跟蹤控制，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；由差值信號檢測光盤記錄表面關(guān)于所述光束光軸的傾斜，所述差值信號表示在接收所述連續(xù)磁跡反射的光的情況下來自所述第一和第二光探測元件的信號間的差。
本發(fā)明的第二十三方面對應(yīng)于方法(4)的實(shí)施例。
第二十三方面涉及一種用于檢測光盤記錄表面傾斜的傾斜檢測方法，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述方法包括以下步驟將光斑聚焦在所述光盤上；由光探測器接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行方向分開的第一探測元件和第二光探測元件；實(shí)行跟蹤控制，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；通過比較第一求和信號與第二求和信號檢測光盤記錄表面的傾斜，所述第一求和信號表示在接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和，所述第二求和信號表示在接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和。
本發(fā)明的第二十四方面對應(yīng)于方法(5)的實(shí)施例。
第二十四方面涉及一種用于檢測光盤記錄表面傾斜的傾斜檢測方法，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述方法包括以下步驟將光斑聚焦在所述光盤上；由光探測器接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行方向分開的第一探測元件和第二光探測元件；實(shí)行跟蹤控制，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；通過比較第一差值信號與第二差值信號檢測光盤記錄表面的傾斜，所述第一差值信號表示在接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下，從第一和第二光探測元件輸出信號間的差，所述第二差值信號表示在接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下，從第一和第二光探測元件輸出信號間的差。
本發(fā)明的第二十五方面對應(yīng)于方法(3)的實(shí)施例。
第二十五方面涉及一種用于檢測具有按包含周期性擺動方式形成之磁跡的光盤的記錄表面傾斜的傾斜檢測方法，所述方法包括以下步驟將光斑聚焦在所述光盤上；接收從所述光盤反射的光；實(shí)行跟蹤控制，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；根據(jù)在由所述光探測器接收從上述擺動磁跡反射的光的情況下輸出的擺動信號的幅值檢測光盤記錄表面的傾斜。
本發(fā)明的第二十六方面對應(yīng)于方法(2)的實(shí)施例。
第二十六方面涉及一種用于檢測光盤記錄表面傾斜的傾斜檢測方法，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述方法包括以下步驟將光斑聚焦在所述光盤上；接收從所述光盤反射的光；實(shí)行跟蹤控制，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；根據(jù)在由接收從磁跡反射的光的情況下輸出的跟蹤誤差信號的幅值檢測光盤記錄表面的傾斜，關(guān)斷所設(shè)置的跟蹤控制機(jī)構(gòu)，使光斑越過各磁跡。
本發(fā)明的第二十七方面對應(yīng)于圖26和圖27A，27B，27C和27D的實(shí)施例。
第二十七方面涉及本發(fā)明的一種傾斜檢測裝置，它還包括偏離磁跡檢測機(jī)構(gòu)，在由一個(gè)四隙光探測器接收自第一和第二種偏移凹坑反射的光的情況下，此檢測機(jī)構(gòu)通過從該四隙光探測器輸出之對角線求和信號比較與第一和第二種偏移凹坑對應(yīng)的各輸出值的位相表示跟蹤控制的偏移量，所述偏移量被加給所述跟蹤控制機(jī)構(gòu)。
本發(fā)明的第二十八方面對應(yīng)于圖26和圖27A，27B，27C和27D的實(shí)施例。
第二十八方面涉及一種光盤裝置，它包括光頭，用于通過將光斑聚焦在具有磁跡的光盤上記錄和重放信號；聚焦控制機(jī)構(gòu)，用于控制所述光斑在光盤表面上的焦點(diǎn)位置；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；四隙光探測器，用于接收自所述光盤反射的光，所述光探測器具有四個(gè)以垂直分線分開的光接收表面；計(jì)算電路，用于產(chǎn)生由所述四隙光探測器的輸出生成的聚焦誤差信號；由所述四隙光探測器的輸出生成的跟蹤誤差信號；由所述四隙光探測器的輸出生成的總和信號；由兩個(gè)對角線求和信號生成的偏離磁跡檢測信號，所述每個(gè)對角求和線信號表示在所述四隙光探測器中兩個(gè)按對角線對置的光探測元件的總和輸出；偏離磁跡檢測機(jī)構(gòu)，用于由所述計(jì)算電路生成的偏離磁跡檢測信號檢測磁跡偏離的量；偏離磁跡控制機(jī)構(gòu)，用于從所述偏離磁跡檢測機(jī)構(gòu)測得的檢測值修正所述光斑的偏離磁跡的位置。
本發(fā)明的第二十九方面對應(yīng)于圖26和圖27A，27B，27C和27D的實(shí)施例。
第二十九方面涉及關(guān)于本發(fā)明第二十八方面的一種光盤裝置，其中在通過第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑時(shí)，從所述光頭重放的重放信號檢測由偏離磁跡檢測機(jī)構(gòu)測得的檢測值，所述第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)。
本發(fā)明的第三十方面對應(yīng)于圖26和圖27A，27B，27C和27D的實(shí)施例。
第三十方面涉及一種有關(guān)光盤的偏離磁跡檢測方法，它包括以下步驟通過將光斑聚焦在具有磁跡的光盤上記錄和重放信號；
控制所述光斑在光盤表面上的焦點(diǎn)位置，以控制聚焦；實(shí)行跟蹤控制，以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；由四隙光探測器接收從所述光盤反射的光，所述光探測器具有四個(gè)以垂直分線分開的光接收表面；實(shí)行計(jì)算，為了生成由所述四隙光探測器的輸出生成的聚焦誤差信號；由所述四隙光探測器的輸出生成的跟蹤誤差信號；由所述四隙光探測器的輸出生成的總和信號；由兩個(gè)對角線求和信號生成的偏離磁跡檢測信號，所述每個(gè)對角求和線信號表示在所述四隙光探測器中兩個(gè)按對角線對置的光探測元件的求和輸出；從所述計(jì)算步驟生成的偏離磁跡檢測信號檢測磁跡偏離的量；控制偏離磁跡，用以從所述偏離磁跡檢測步驟測得的檢測值修正所述光斑的磁跡偏離位置。
本發(fā)明的第三十一方面對應(yīng)于圖26和圖27A，27B，27C和27D的實(shí)施例。
第三十一方面涉及有關(guān)本發(fā)明第三十方面的一種光盤裝置，其中在通過第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑時(shí)，從所述光頭重放的重放信號檢測由所述偏離磁跡檢測步驟測得的檢測值，所述第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)。
圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例光盤裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)光盤裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是表示現(xiàn)有技術(shù)關(guān)于光盤的傾斜修正方法的示意圖；圖4是描述本發(fā)明第一實(shí)施例光盤裝置中記錄和重放的示意圖；圖5是本發(fā)明第一實(shí)施例光盤裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是描述本發(fā)明第一實(shí)施例光盤裝置中R傾斜的示意圖；圖7是描述本發(fā)明第一實(shí)施例光盤裝置中T傾斜的示意圖；圖8是本發(fā)明第一實(shí)施例光盤的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是本發(fā)明第一實(shí)施例光盤的結(jié)構(gòu)示意圖10是表示本發(fā)明第一實(shí)施例中徑向位置與R傾斜之間關(guān)系的曲線；圖11是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中R傾斜與推挽TE信號之間關(guān)系的曲線；圖12是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中R傾斜與推挽TE信號的幅值之間關(guān)系的曲線；圖13是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中R傾斜與擺動信號的幅值之間關(guān)系的曲線；圖14是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中R傾斜與所形成的重復(fù)凹坑序列的各求和信號的低值信號差之間關(guān)系的曲線；圖15是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中R傾斜與差值信號幅值跟重復(fù)的重復(fù)凹坑序列的的差之間關(guān)系的曲線；圖16是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中在存在磁跡偏離情況下R傾斜與差值信號幅值跟重復(fù)的重復(fù)凹坑序列的的差之間關(guān)系的曲線；圖17是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中R傾斜與求和信號跟孤立的凹坑的低值信號差之間關(guān)系的曲線；圖18A，18B和18C是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中R傾斜與推挽TE信號之間關(guān)系的示意圖；圖19A，19B和19C是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中R傾斜與推挽TE信號幅值之間關(guān)系的示意圖；圖20A，20B和20C是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中R傾斜與擺動信號幅值之間關(guān)系的示意圖；圖21A，21B和21C是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中R傾斜與重復(fù)的重復(fù)凹坑序列的求和信號輸出之間關(guān)系的示意圖；圖22A，22B和22C是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中R傾斜與重復(fù)的重復(fù)凹坑序列的差值信號輸出之間關(guān)系的示意圖；圖23是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中差值信號的示意圖；圖24是本發(fā)明第一實(shí)施例光盤的結(jié)構(gòu)示意圖；圖25A，25B和25C是描述本發(fā)明第一實(shí)施例中偏離磁跡與重復(fù)的重復(fù)凹坑序列的求和信號輸出之間關(guān)系的示意圖26是描述本發(fā)明第一實(shí)施例的偏離磁跡檢測方法的示意圖；圖27A，27B，27C和27D是描述本發(fā)明第一實(shí)施例位相差信號的示意圖；圖28A，28B和28C是描述本發(fā)明第一實(shí)施例的偏離磁跡檢測方法的示意圖；圖29是表示本發(fā)明第一實(shí)施例中關(guān)于R傾斜的磁跡偏離誤差的模擬結(jié)果的示意圖。
以下參照附圖描述本發(fā)明的第一實(shí)施例。圖1是按照本實(shí)施例一種光盤裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖1中的參考標(biāo)號101為一光盤；標(biāo)號102是將光束聚焦在光盤上的光頭；標(biāo)號100是四隙光探測器；標(biāo)號103是傾斜平臺；標(biāo)號104是信號計(jì)算電路；標(biāo)號105表示聚焦控制機(jī)構(gòu)，用于控制光盤表面上光斑的焦點(diǎn)位置；標(biāo)號106表示跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用于控制光斑關(guān)于磁跡的位置；標(biāo)號107是照射光的傾斜傳感器，用以檢測光盤上的光盤信號關(guān)于上述所接收的光盤反射光的光束光軸的傾斜，并且檢測光盤記錄表面關(guān)于上述光束光軸的傾斜；標(biāo)號108表示傾斜控制機(jī)構(gòu)，用以通過按照上述傾斜傳感器檢測到的值傾斜上述傾斜平臺，控制上述光盤的記錄表面關(guān)于上述光束光軸的傾斜；標(biāo)號110是偏離磁跡檢測部分，而標(biāo)號111是偏離磁跡控制部分。如果認(rèn)為四隙光探測器中的a和d是一個(gè)整體單元，類似地認(rèn)為b和c也是一個(gè)整體單元，則可將該光探測器看成是一個(gè)被分成與磁跡方向平行的兩部分的二隙光探測器。
接下去描述記錄和重放工作過程。
由光頭102引向光盤101的光斑被聚焦控制部分105聚焦在光盤101上，并由跟蹤控制部分106使光斑追蹤至在所需的光盤101的徑向位置處所需的跟蹤位置。通過重現(xiàn)光盤上的成波浪形的凹坑讀取光盤上存儲的數(shù)據(jù)，或者在相位變化型光盤的情況下，利用按前述方式聚焦和追蹤的光斑讀取具有不同反射率的較密和較亮的標(biāo)記。
以下參照圖4描述記錄操作。
在相位變化型光盤中，通過在兩種功率下將半導(dǎo)體激光照射在光盤媒體上，使標(biāo)記(非晶質(zhì)部分)404和位于這些變化之間的間隙(結(jié)晶部分)405被形成在一個(gè)光盤上，所述兩種功率一為峰值功率401，用于提供結(jié)晶區(qū)的非晶質(zhì)，另一為偏置功率402，用于結(jié)晶非晶質(zhì)區(qū)。
在重放過程中，由于所述標(biāo)記和間隙的反射不同，因此通過利用比上述峰值功率401低的重放功率403或利用偏置功率402讀取這些不同的反射，來讀出所存儲的信號。
以下參照圖5描述傾斜。
如圖5所示，連接光盤501中心和來自光頭502被聚焦在光盤501上的光斑的直線被稱為徑向(R向)504，而把在光盤501平面內(nèi)垂直于上述徑向504的方向稱為切向(T向)505。垂直于光盤501平面的方向被稱為Z軸方向506。
當(dāng)以方向區(qū)分時(shí)，傾斜包括沿與磁跡正交方向的徑向傾斜和沿與磁跡平行方向的切向傾斜。
下面參照圖6描述徑向傾斜(R傾斜)。
圖6中的標(biāo)號601是光盤，標(biāo)號602是光頭，而標(biāo)號603是傾斜平臺。徑向傾斜(R傾斜)包括光盤的R傾斜604，這是由于光盤的翹曲或者由光盤的旋轉(zhuǎn)造成的表面不對稱產(chǎn)生的，還有基于光盤601記錄表面關(guān)于光束光軸傾斜的驅(qū)動R傾斜，所述記錄表面的傾斜是由光頭的不正確安裝或傾斜平臺的傾斜所造成的。特別將光盤的R傾斜和驅(qū)動R傾斜統(tǒng)稱為R傾斜，而不再區(qū)分。
以下參照圖7描述切向傾斜(T傾斜)。
圖7中的標(biāo)號701是光盤，標(biāo)號702是光頭，而標(biāo)號703是傾斜平臺。切向傾斜(T傾斜)包括光盤的T傾斜704，這是由于光盤轉(zhuǎn)動時(shí)的擺動、光盤表面精度誤差等引起的，還有基于光盤701記錄表面關(guān)于光束光軸傾斜的驅(qū)動T傾斜705，所述記錄表面的傾斜是由光頭的不正確安裝或傾斜平臺的傾斜所造成的。特別將光盤的T傾斜和驅(qū)動T傾斜統(tǒng)稱為T傾斜，而不再區(qū)分。
接下去描述一種檢測R傾斜的方法。圖1中的傾斜檢測部分107測得的信號如下(1)一種方法是沿著磁跡情況，換句話說即光束沿磁跡運(yùn)行的情況下，由二隙光探測器檢測差值信號(推挽TE)的電壓，該二隙光探測器接收由光盤上預(yù)先形成的導(dǎo)槽衍射的光。
(2)一種方法是跟蹤偏離情況，換句話說即光束沿與磁跡垂直的方向運(yùn)行的情況下，由二隙光探測器檢測差值信號(推挽TE)的幅值，該二隙光探測器接收由光盤上預(yù)先形成的導(dǎo)槽衍射的光。
(3)一種方法是沿著磁跡情況下，由光盤上預(yù)先形成的導(dǎo)槽檢測“擺動”信號的幅值，這些預(yù)先形成的導(dǎo)槽使光盤包含周期性的偏離(“擺動”)。
(4)一種方法是沿著磁跡情況下，在重放光盤上預(yù)先形成的連續(xù)的鋸齒形凹坑的情況下，在作為二隙光探測器輸出的重放信號的前半部分和后半部分比較所述幅值或低值信號(下包絡(luò))或高值信號(上包絡(luò))。
(5)一種方法是沿著磁跡情況下，在重放光盤上預(yù)先形成的連續(xù)的鋸齒形凹坑的情況下，在作為二隙光探測器的差值信號輸出的重放信號的前半部分和后半部分比較所述幅值或高值信號(上包絡(luò))。
(6)一種方法是沿著磁跡情況下，在重放光盤上預(yù)先形成的孤立的鋸齒形凹坑的情況下，在作為二隙光探測器的求和信號輸出的重放信號的前半部分和后半部分比較所述幅值或低值信號(下包絡(luò))。
在上述(1)，(3)，(4)，(5)和(6)的方法中，在跟蹤情況下實(shí)現(xiàn)控制。即使發(fā)生R傾斜和T傾斜，也能利用偏離磁跡檢測部分110和偏離磁跡控制部分111將光斑定位在磁跡的中心。因此，按照方法(1)，(3)，(4)，(5)，(6)，首先能夠利用偏離磁跡檢測部分110和偏離磁跡控制部分111將光斑定位在磁跡的中心。在這種情況下，由平行于磁跡方向的直線將光斑沿其中心(圓形區(qū)域的中心)分成兩部分，并測試每個(gè)被分開的區(qū)域中的光量。如果兩個(gè)被分開區(qū)域中的光量相等，則無傾斜，反之，若這些光量間存在差別，則存在傾斜。
在以下關(guān)于方法(1)，(3)，(4)，(5)，(6)的描述中，要說明是如何利用偏離磁跡檢測部分110和偏離磁跡象差控制部分111使光斑被定位在磁跡中心的。以下參照圖24到圖29詳細(xì)描述偏離磁跡檢測部分110和偏離磁跡控制部分111。
首先，給出用于檢測二隙光探測器的差值信號(推挽TE)方法(1)的描述，所述二隙光探測器接收受到光盤上以下形成之導(dǎo)槽衍射的光斑的光。
圖18A，18B和18C分別表示光盤上導(dǎo)槽的截面圖和與之相關(guān)的重放信號的波形。標(biāo)號1801是槽的磁跡，標(biāo)號1802是脊的磁跡。
圖18A-18C的示例表示一種實(shí)現(xiàn)沿著磁跡控制并實(shí)現(xiàn)偏離磁跡控制的情況。換句話說，是一種以光斑沿磁跡中心運(yùn)行的方式控制光斑的情況。圖18A-18C中的波形圖表示在信號重放過程中來自二隙光探測器的差值信號輸出(推挽TE信號)。按照這種重放信號波形，當(dāng)R傾角為0°時(shí)(圖18B)，推挽TE信號充當(dāng)一參考電平1803。如果發(fā)生+0.4°的R傾斜(圖18C)，則由于該R傾斜而使光斑產(chǎn)生象差。在這種情況下，所述推挽TE信號發(fā)生位相偏移，并且推挽TE信號的重放信號離開R傾角為0°的參考電平為+G的偏置。如果發(fā)生-0.4°的R傾斜(圖18A)，則由于該R傾斜而使光斑產(chǎn)生象差。在這種情況下，所述推挽TE信號發(fā)生位相偏移，并且推挽TE信號的重放信號離開R傾角為0°的參考電平為-G的偏置。當(dāng)R傾角為+0.4°和當(dāng)R傾角為-0.4°時(shí)，所述推挽TE信號離開參考電平的偏置G不同。傾斜檢測部分將此偏置G的值保存為該傾斜檢測部分的檢測值。
傾斜控制部分取此傾斜檢測值作為傾角，并修正這個(gè)傾角。
圖11表示在發(fā)生R傾斜情況下R傾斜的量與傾斜檢測部分測得的檢測值G之間關(guān)系的模擬結(jié)果。模擬所用的光學(xué)條件是波長＝650nm，NA＝0.6，徑向RIM強(qiáng)度＝0.25，切向RIM強(qiáng)度＝0.83。此外，這些結(jié)果屬于光斑沿磁跡中心運(yùn)行的情況。在圖11中，如果不發(fā)生R傾斜，則推挽TE信號的偏置G是0。如果發(fā)生R傾斜，則光斑有象差，自導(dǎo)槽衍射的光將不會形成真正的圓形。如果R傾角是沿+方向的(見圖6)，則對圓形的右側(cè)產(chǎn)生一個(gè)+1的光斑(見圖18C)，而如果R傾角是沿-方向的，則對圓形的左側(cè)產(chǎn)生一個(gè)-1的光斑(見圖18A)。如果R傾角是+0.4°或-0.4°，則當(dāng)所述二隙光探測器接收自導(dǎo)槽衍射的光時(shí)所產(chǎn)生的差值信號的輸出(推挽TE信號)中發(fā)生差異。圖11的曲線標(biāo)繪出所述推挽信號中的偏置G的值。
傾斜檢測部分通過取上述推挽TE信號的偏置G作為傾角檢測值檢測所述傾角。
例如，如果作為傾斜檢測部分107測得的檢測值的推挽TE信號的偏置G是-0.08，則由圖11可見，R傾角為+0.4°，因此，傾斜修正部分108對傾斜控制部分109發(fā)送與該檢測值對應(yīng)的傾斜修正值，并由傾斜控制部分109驅(qū)動傾斜平臺103修正該R傾角。
這種R傾斜檢測方法的應(yīng)用并不限于本模擬中所用的光學(xué)條件。
當(dāng)100％的光被二隙光探測器中的反射鏡反射回來時(shí)，傾斜檢測值具有標(biāo)準(zhǔn)值1。
接下去的描述給出方法(2)，用以檢測來自二隙光探測器接收的光的差值信號(推挽TE)的幅值，所述接收的光來自受到光盤上預(yù)先形成的導(dǎo)槽衍射的光斑。
這里，由于本這種處于脫離跟蹤狀態(tài)，所以光斑的運(yùn)行是使它沿橫向與磁跡相交。圖19A，19B和19C各自表示光盤上導(dǎo)槽的截面視圖和與之相關(guān)的重放信號波形。標(biāo)號1901為光斑。標(biāo)號1902是磁跡中心，也即導(dǎo)槽的中心，而標(biāo)號1903是光盤上預(yù)先形成的導(dǎo)槽。
在這個(gè)例子中，當(dāng)產(chǎn)生脫離跟蹤時(shí)，由二隙光探測器得到一個(gè)差值信號輸出(在這種情況下即推挽TE信號)。
在重放信號波形中，當(dāng)R傾角為0°時(shí)，推挽TE信號的幅值K較大。如果發(fā)生0.4°的R傾斜，則由于這一R傾斜而使光斑產(chǎn)生象差。在這種情況下，由于光衍射的影響，使推挽TE信號的幅值K減小。如果發(fā)生-0.4°的R傾斜，則由于這一R傾斜而使光斑產(chǎn)生象差。在這種情況下，也是由于光衍射的影響，使推挽TE信號的幅值K減小。當(dāng)R傾角是+0.4°或R傾角是-0.4°時(shí)，推挽TE信號的幅值K與在R傾角為0°時(shí)作為峰值的幅值K不同。傾斜檢測部分把這種推挽TE信號的幅值K保存為傾斜檢測部分的檢測值。
傾斜控制部分取此傾斜檢測值作為傾角，并修正此傾角。
圖12表示發(fā)生R傾斜情況下的R傾斜量與傾斜檢測部分所測得的檢測值H之間關(guān)系的模擬結(jié)果。該模擬中所用的光學(xué)條件是波長650nm，NA＝0.6，徑向RIM強(qiáng)度＝0,25，切向RIM強(qiáng)度＝0.83。此外，這些結(jié)果屬于光斑沿磁跡中心運(yùn)行的情況。在圖12中，如果不發(fā)生R傾斜，則推挽TE信號的幅值是1.0。如果發(fā)生R傾斜，則光斑產(chǎn)生象差，而且如果自導(dǎo)槽衍射的光包含+0.4°的R傾角或-0.4°的R傾角，則當(dāng)所述二隙光探測器接收自導(dǎo)槽衍射的光時(shí)所得到的差值信號的輸出(推挽TE信號)中發(fā)生差異。
圖12的曲線標(biāo)繪出所述推挽TE信號的幅值K。
傾斜檢測部分通過取上述推挽TE信號的幅值K作為傾角檢測值檢測所述傾角。
例如，如果作為傾斜檢測部分107測得的檢測值的推挽TE信號的幅值K是0.8，則由圖12可見，R傾角為+0.4°或-0.4°，因此，傾斜修正部分108對傾斜控制部分109發(fā)送與該檢測值對應(yīng)的傾斜修正值，并由傾斜控制部分109驅(qū)動傾斜平臺103修正該R傾角。
這種R傾斜檢測方法的應(yīng)用并不限于本模擬中所用的光學(xué)條件。
當(dāng)100％的光被二隙光探測器中的反射鏡反射回來時(shí)，傾斜檢測值具有標(biāo)準(zhǔn)值1。
接下去的描述給出方法(3)，用以檢測來自二隙光探測器接收的光的差值信號(擺動信號)的幅值，所述接收的光來自受到光盤上預(yù)先形成的導(dǎo)槽衍射的光斑，使得它包含周期性的波動(“擺動”)。
圖20A，20B和20C各自表示光盤上導(dǎo)槽的結(jié)構(gòu)視圖和與之相關(guān)的重放信號波形。標(biāo)號2001為光斑。標(biāo)號2002是磁跡中心，也即導(dǎo)槽的中心，而標(biāo)號2003是預(yù)先形成的導(dǎo)槽，使其包含“波動”。
這里，由于本裝置處于沿著磁跡狀態(tài)，所以光斑沿磁跡的中心運(yùn)行。圖20A-20C表示重放期間二隙光探測器的差值信號輸出(在這種情況下是擺動信號)。
在重放信號波形中，當(dāng)R傾角為0°時(shí)，擺動信號的幅值H取最大值。如果發(fā)生0.4°的R傾斜，則由于這一R傾斜而使光斑產(chǎn)生象差。在這種情況下，由于光衍射的影響，使擺動信號的幅值H減小。如果發(fā)生-0.4°的R傾斜，則由于這一R傾斜而使光斑產(chǎn)生象差。在這種情況下，也是由于光衍射的影響，使擺動信號的幅值H減小。當(dāng)R傾角是+0.4°或R傾角是-0.4°時(shí)，擺動信號的幅值H與在R傾角為0°時(shí)的幅值H不同。傾斜檢測部分把這種擺動信號的幅值H保存為傾斜檢測部分的檢測值。
傾斜控制部分取此傾斜檢測值作為傾角，并修正此傾角。
圖13表示發(fā)生R傾斜情況下的R傾斜量與傾斜檢測部分所測得的檢測值H之間關(guān)系的模擬結(jié)果。該模擬中所用的光學(xué)條件是波長650nm，NA＝0.6，徑向RIM強(qiáng)度＝0,25，切向RIM強(qiáng)度＝0.83。此外，這些結(jié)果屬于光斑沿磁跡中心運(yùn)行的情況。如果圖12中不發(fā)生R傾斜，則擺動信號的幅值H是0.09。如果發(fā)生R傾斜，則光斑產(chǎn)生象差，而且如果自導(dǎo)槽衍射的光包含+0.4°的R傾角或-0.4°的R傾角，則當(dāng)所述二隙光探測器接收自導(dǎo)槽衍射的光時(shí)所得到的差值信號的輸出(擺動信號)中發(fā)生差異。圖13的曲線標(biāo)繪出擺動信號的幅值H。
傾斜檢測部分通過取所述擺動信號的幅值H作為傾角檢測值檢測所述傾角。
例如，如果作為傾斜檢測部分107測得的檢測值的擺動信號的幅值H是0.083，則由圖13可見，R傾角為+0.4°或-0.4°，因此，傾斜修正部分108對傾斜控制部分109發(fā)送與該檢測值對應(yīng)的傾斜修正值，并由傾斜控制部分109驅(qū)動傾斜平臺103修正該R傾角。
這種R傾斜檢測方法的應(yīng)用并不限于本模擬中所用的光學(xué)條件。
當(dāng)100％的光被二隙光探測器中的反射鏡反射回來時(shí)，傾斜檢測值具有標(biāo)準(zhǔn)值1。
接下去的描述給出方法(4)，當(dāng)重放光盤上預(yù)先形成的連續(xù)鋸齒形凹坑時(shí)，通過比較作為二隙光探測器的求和信號輸出的重放信號的前半部分和后半部分中的低值信號檢測傾角。
圖8表示光盤上凹坑的布置。標(biāo)號801是為了記錄數(shù)據(jù)而被形成螺旋形的導(dǎo)槽的槽磁跡，而標(biāo)號802是處于各槽磁跡之間的脊磁跡。標(biāo)號803是前半部分重復(fù)凹坑序列，該序列被形成從槽磁跡的中心被偏移至外側(cè)和內(nèi)側(cè)。標(biāo)號804是后半部分重復(fù)凹坑序列，它接續(xù)于上述前半部分重復(fù)凹坑序列，關(guān)于磁跡中心按對稱位置的方式，從槽磁跡中心移至上述前半部分重復(fù)凹坑序列。凹坑形成重復(fù)圖樣的形式，其中沿徑向方向的被移動光點(diǎn)序列的坑-坑間隔是1.19μm，凹坑寬度是0.36μm，凹坑深度是λ/6，凹坑長度是0.462μm，沿切向方向的坑-坑間隔是1.12μm，各凹坑按從磁跡中心到凹坑中心0.3μm的距離移至內(nèi)側(cè)或外側(cè)。形成這一間隔(這些偏移凹坑按此間隔重復(fù))的間隙Ls滿足關(guān)系Lp＜Ls＜2Lp，其中Lp是凹坑長度。
圖21A，21B和21C每一個(gè)表示一個(gè)實(shí)例，其中得到由二隙光探測器求和信號輸出。這里，由于本裝置處于沿著磁跡狀態(tài)，所以光斑沿磁跡的中心運(yùn)行。
在重放信號波形中，在R傾角為0°的情況下(圖21B)，在前半部分的重復(fù)凹坑被重放時(shí)和在后半部分的重復(fù)凹坑被重放時(shí)，受凹坑序列調(diào)制的輸出求和信號的低值A(chǔ)b和Bb之間分別存在Ab＝Bb的關(guān)系。如果發(fā)生0.4°的R傾斜(圖21A)，則由于這一R傾斜而使光斑產(chǎn)生象差。在這種情況下，由前半部分重復(fù)凹坑序列重放的求和信號輸出的低值A(chǔ)b不同于由后半部分重復(fù)凹坑序列重放的求和信號的低值Bb。傾斜檢測部分保存所述前半部分和后半部分的求和信號輸出的低值信號Ab-Bb作為該傾斜檢測部分的檢測值。
如果發(fā)生-0.4°的R傾斜(圖21C)，則由于這一R傾斜而使光斑產(chǎn)生象差。在這種情況下，由前半部分重復(fù)凹坑序列重放的求和信號輸出的低值A(chǔ)不同于由后半部分重復(fù)凹坑序列重放的求和信號的低值B。傾斜檢測部分保存所述前半部分和后半部分的求和信號輸出的低值信號A-B作為該傾斜檢測部分的檢測值。
由一采樣保持電路將所述前半部分和后半部分求和信號輸出的幅值保存為DC電壓值，取前半部分求和信號輸出的保存值A(chǔ)b與后半部分求和信號輸出的保存值Bb之間的差值信號Ab-Bb為傾斜檢測值，同時(shí)傾斜控制部分取此傾斜檢測值為傾角，并相應(yīng)地修正此傾角。
圖14表示發(fā)生R傾斜情況下的R傾斜量與由傾斜檢測部分測得的檢測值A(chǔ)b-Bb之間關(guān)系的模擬結(jié)果。
該模擬中所用光學(xué)條件是波長650nm，NA＝0.6，徑向RIM強(qiáng)度＝0,25，切向RIM強(qiáng)度＝0.83。此外，這些結(jié)果屬于光斑沿磁跡中心運(yùn)行的情況。如果不發(fā)生R傾斜(圖21B)，則所述求和信號輸出的各低值信號之間的差值信號Ab-Bb是0。如果發(fā)生R傾斜(圖21A或21C)，則光斑產(chǎn)生象差，而且，由前半部分的重復(fù)凹坑衍射的光量與后半部分的重復(fù)凹坑衍射的光量之間發(fā)生差異。圖14的曲線標(biāo)繪出前半部分時(shí)求和信號輸出的低值A(chǔ)b與后半部分時(shí)求和信號輸出的低值Bb之間的差值信號Ab-Bb。
傾斜檢測部分通過取所述低值信號差A(yù)b-Bb作為傾角檢測值檢測所述傾角。
例如，如果作為傾斜檢測部分107測得的檢測值的所述求和信號的低值信號差A(yù)b-Bb是-0.06，則由圖14可見，R傾角為+0.4°，因此，傾斜修正部分108對傾斜控制部分109發(fā)送與該檢測值對應(yīng)的傾斜修正值，并由傾斜控制部分109驅(qū)動傾斜平臺103修正該R傾角。
這里所給定的描述中，把所述重復(fù)凹坑序列前半部分和后半部分的求和信號輸出的各低值信號之間的差取為傾斜控制部分的檢測值，但也可用所述重復(fù)凹坑序列求和信號輸出中的高值信號差A(yù)t-Bt作為所述傾斜檢測值來代替求和信號輸出中的低值信號差A(yù)b-Bb。
這里所給定的描述中，把所述重復(fù)凹坑序列前半部分和后半部分的求和信號輸出的各低值信號之間的差取為傾斜控制部分的檢測值，但也可用所述重復(fù)凹坑序列求和信號輸出中的信號幅值差C-D作為所述傾斜檢測值來代替求和信號輸出中的低值信號差A(yù)b-Bb。
正如下面參照圖26和27A，27B，27C及27D所描述的那樣，也可將前半部分重復(fù)凹坑序列的求和信號與后半部分重復(fù)凹坑序列的求和信號之間的差用于磁跡偏離的檢測。正如前面所揭示者，由于求和信號符合正弦曲線，所以可按三種方法之一推得各求和信號的值(i)尋找高值信號；(ii)尋找低值信號；(iii)尋找正弦曲線的幅值。如果在采樣方法(4)檢測曲線時(shí)采樣途徑(i)(ii)(iii)中之一，則將其它剩余的途徑用于偏離磁跡的檢測。于是，就能避免曲線檢測所用信號與偏離磁跡檢測所用信號之間的完全重合。
這種R傾斜檢測方法的應(yīng)用并不限于本模擬中所用的光學(xué)條件。
當(dāng)100％的光被二隙光探測器中的反射鏡反射回來時(shí)，傾斜檢測值具有標(biāo)準(zhǔn)值1。
接下去的描述給出方法(5)，當(dāng)重放光盤上預(yù)先形成的連續(xù)鋸齒形凹坑時(shí)，通過比較作為二隙光探測器的差值信號的重放信號輸出的前半部分和后半部分中的幅值檢測傾角。
圖23表示光盤上凹坑的布置。標(biāo)號2301是為了記錄數(shù)據(jù)而被形成螺旋形的導(dǎo)槽的槽磁跡，而標(biāo)號2302是處于各槽磁跡之間的脊磁跡。標(biāo)號2303是通過從槽磁跡的中心偏移至外側(cè)或內(nèi)側(cè)所形成的前半部分重復(fù)凹坑序列，而標(biāo)號2304是后半部分重復(fù)凹坑序列，它接續(xù)于上述前半部分重復(fù)凹坑序列，通過關(guān)于磁跡中心按對稱位置的方式，從槽磁跡中心偏移至上述前半部分重復(fù)凹坑序列。凹坑形成重復(fù)圖樣的形式，其中沿徑向方向移動光點(diǎn)序列的坑-坑間隔是1.19μm，凹坑寬度是0.36μm，凹坑深度是λ/6，凹坑長度是0.462μm，沿切向方向的坑-坑間隔是1.12μm，各凹坑按從磁跡中心到凹坑中心0.3μm的距離移至內(nèi)側(cè)或外側(cè)。
這里，描述沿著磁跡時(shí)的二隙光探測器的差值信號輸出。由于所述裝置處于沿著磁跡狀態(tài)，所以光斑沿磁跡中心運(yùn)行。
圖23中的N1是一個(gè)二隙光探測器，N2是又一個(gè)探測器。當(dāng)重放按偏移磁跡中心的方式所構(gòu)成的重復(fù)凹坑時(shí)，該二探測器之一深受各凹坑衍射的光調(diào)制，而另一探測器并不太受起因于所述凹坑的光的衍射的影響，光的強(qiáng)度表現(xiàn)出很小的變化。所述差值信號輸出是N1和N2的差值輸出N1-N2，并被稱為N-。
圖22A，22B和22C表示一個(gè)重放二隙光探測器的差值信號輸出的實(shí)例。
在重放信號波形中，當(dāng)R傾角為0°時(shí)，在前半部分重復(fù)凹坑被重放和后半部分重復(fù)凹坑被重放情況下，由凹坑序列調(diào)制的信號的I和J之間存在I＝J的關(guān)系。如果發(fā)生0.4°的R傾斜，則由于這一R傾斜而使光斑產(chǎn)生象差。在這種情況下，由前半部分重復(fù)凹坑序列重放的差值信號輸出的幅值I不同于后半部分重復(fù)凹坑序列重放的差值信號輸出的幅值J。傾斜檢測部分把所述前半部分與后半部分的差值信號輸出的幅值差I(lǐng)-J保存為該傾斜檢測部分的檢測值。
發(fā)生-0.4°的R傾斜，則由于這一R傾斜而使光斑產(chǎn)生象差。
在這種情況下，由前半部分重復(fù)凹坑序列重放的差值信號輸出的幅值I不同于后半部分重復(fù)凹坑序列重放的差值信號輸出的幅值J。傾斜檢測部分把所述前半部分與后半部分的差值信號輸出的幅值差I(lǐng)-J保存為該傾斜檢測部分的檢測值。
由一采樣保持電路將所述前半部分和后半部分求和信號輸出的幅值保存為DC電壓值，取前半部分求和信號輸出的保存值I與后半部分求和信號輸出的保存值J之間的差值信號I-J為傾斜檢測值，同時(shí)傾斜控制部分取此傾斜檢測值為傾角，并相應(yīng)地修正此傾角。
圖15表示發(fā)生R傾斜情況下的R傾斜量與由傾斜檢測部分測得的檢測值I-J之間關(guān)系的模擬結(jié)果。該模擬中所用光學(xué)條件是波長650nm，NA＝0.6，徑向RIM強(qiáng)度＝0,25，切向RIM強(qiáng)度＝0.83。此外，這些結(jié)果屬于光斑沿磁跡中心運(yùn)行的情況。在圖15中，如果不發(fā)生R傾斜，則差值信號輸出的幅值之間的差I(lǐng)-J是0。如果發(fā)生R傾斜，則光斑有象差，而且，由前半部分重復(fù)凹坑衍射的光量與后半部分重復(fù)凹坑衍射的光量之間發(fā)生差異。圖15的曲線標(biāo)繪出前半部分時(shí)差值信號輸出的幅值I與后半部分時(shí)差值信號輸出的幅值J之間的幅值差I(lǐng)-J。
傾斜檢測部分通過取所述差值信號輸出之間的幅值差I(lǐng)-J作為傾角檢測值檢測所述傾角。
例如，如果作為傾斜檢測部分107測得的檢測值的所述差值信號輸出之間的幅值差I(lǐng)-J是-0.09，則由圖15可見，R傾角為+0.4°，因此，傾斜修正部分108對傾斜控制部分109發(fā)送與該檢測值對應(yīng)的傾斜修正值，并由傾斜控制部分109驅(qū)動傾斜平臺103修正該R傾角。
圖16表示在光斑位于偏離磁跡中心+0.02μm情況下，R傾角的度數(shù)與傾斜檢測部分測得的檢測值I-J之間關(guān)系的模擬結(jié)果。該模擬中所用光學(xué)條件是波長650nm，NA＝0.6，徑向RIM強(qiáng)度＝0,25，切向RIM強(qiáng)度＝0.83。此外，這些結(jié)果屬于光斑沿磁跡中心運(yùn)行的情況。在圖16中，如果不發(fā)生R傾斜，則差值信號輸出的幅值之間的差I(lǐng)-J是0。如果發(fā)生R傾斜，則光斑有象差，而且，由前半部分重復(fù)凹坑衍射的光量與后半部分重復(fù)凹坑衍射的光量之間發(fā)生差異。圖16的曲線標(biāo)繪出前半部分中差值信號輸出的幅值I與后半部分中差值信號輸出的幅值J之間的幅值差I(lǐng)-J。圖16中的曲線實(shí)際上與圖15中的曲線一樣。這表明對傾角的檢測結(jié)果與光斑處于磁跡中心的情況(圖15)及光斑偏離磁跡中心+0.02μm情況(圖16)相同。
傾斜檢測部分通過取所述差值信號輸出之間的幅值差I(lǐng)-J作為傾角檢測值檢測所述傾角。
例如，如果作為傾斜檢測部分107測得的檢測值的所述差值信號輸出的幅值差I(lǐng)-J是-0.09，則由圖16可見，R傾角為+0.4°，因此，傾斜修正部分108對傾斜控制部分109發(fā)送與該檢測值對應(yīng)的傾斜修正值，并由傾斜控制部分109驅(qū)動傾斜平臺103修正該R傾角。
在這種情況下，即使光處于偏離磁跡中心的磁跡，也能夠精確地檢測R傾斜。
這里所給定的描述中，把所述前半部分和后半部分重復(fù)凹坑序列的差值信號輸出的幅值之間的差取為傾斜控制部分的檢測值，但也可用所述重復(fù)凹坑序列差值信號輸出中的高值信號差I(lǐng)t-Jt作為所述傾斜檢測值來代替求和信號輸出中的幅值差I(lǐng)-J。
這種R傾斜檢測方法的應(yīng)用并不限于本模擬中所用的光學(xué)條件。
當(dāng)100％的光被二隙光探測器中的反射鏡反射回來時(shí)，傾斜檢測值具有標(biāo)準(zhǔn)值1。
接下去的描述給出方法(6)，當(dāng)重放光盤上預(yù)先形成的連續(xù)鋸齒形凹坑時(shí)，通過比較作為二隙光探測器的求和信號的重放信號輸出的前半部分和后半部分中的低值信號檢測傾角。
圖9表示包含孤立的凹坑的光盤上凹坑的結(jié)構(gòu)和與之相關(guān)的重放信號波形圖。標(biāo)號901是為了記錄數(shù)據(jù)而被形成螺旋形的導(dǎo)槽的槽磁跡，而標(biāo)號902是處于各槽磁跡之間的脊磁跡。標(biāo)號903表示通過從槽磁跡的中心偏移至外側(cè)或內(nèi)側(cè)所形成的前半部分孤立凹坑，而標(biāo)號2304表示后半部分孤立凹坑，它接續(xù)于上述前半部分孤立凹坑，通過關(guān)于磁跡中心按對稱位置的方式，從槽磁跡中心偏移至上述前半部分孤立凹坑。這些凹坑形成沿徑向方向移動光點(diǎn)的坑-坑間隔是1.19μm，沿磁跡方向的坑-坑間隔至少是10μm，凹坑寬度是0.36μm，凹坑深度是λ/6，凹坑長度是0.462μm，而且，各凹坑按從磁跡中心到凹坑中心0.3μm的距離移至內(nèi)側(cè)或外側(cè)。這里形成這一間隔(這些偏移凹坑按此間隔重復(fù))的間隙Ls滿足關(guān)系20Lp＜Ls，其中Lp是凹坑長度。
重放信號的波形是從二隙光探測器輸出的重放信號的實(shí)例。這里，由于所述裝置處于沿著磁跡狀態(tài)，所以光斑沿磁跡中心運(yùn)行。
在重放信號波形中，當(dāng)R傾角為0°時(shí)，在前半部分孤立凹坑被重放和后半部分孤立凹坑被重放情況下，由各凹坑調(diào)制的求和信號輸出的低值E和F之間存在E＝F的關(guān)系。如果發(fā)生+0.6°的R傾斜，則由于這一R傾斜而使光斑產(chǎn)生象差。在這種情況下，由前半部分孤立凹坑重放的求和信號輸出的低值E不同于后半部分孤立凹坑重放的求和信號輸出的低值F。傾斜檢測部分把所述前半部分與后半部分的求和信號輸出的低值信號差E-F保存為該傾斜檢測部分的檢測值。
如果發(fā)生-0.6°的R傾斜，則由于這一R傾斜而使光斑產(chǎn)生象差。在這種情況下，由前半部分孤立凹坑重放的求和信號輸出的低值E不同于后半部分孤立凹坑重放的求和信號輸出的低值F。傾斜檢測部分把所述前半部分與后半部分的求和信號輸出的低值信號差E-F保存為該傾斜檢測部分的檢測值。
由一采樣保持電路將所述前半部分和后半部分求和信號輸出的幅值保存為DC電壓值，將前半部分求和信號輸出的保存值E與后半部分求和信號輸出的保存值F之間的差值信號E-F取為傾斜檢測值，同時(shí)傾斜控制部分取此傾斜檢測值為傾角，并相應(yīng)地修正此傾角。
圖17表示發(fā)生R傾斜情況下的R傾斜量與傾斜檢測部分測得的檢測值E-F之間關(guān)系的模擬結(jié)果。該模擬中所用光學(xué)條件是波長650nm，NA＝0.6，徑向RIM強(qiáng)度＝0,25，切向RIM強(qiáng)度＝0.83。此外，這些結(jié)果屬于光斑沿磁跡中心移動的情況。在圖17中，如果不發(fā)生R傾斜，則求和信號輸出的低值信號之間的差E-F是0。如果發(fā)生R傾斜，則光斑有象差，而且，由前半部分孤立凹坑衍射的光量與后半部分孤立凹坑衍射的光量之間發(fā)生差異。圖17的曲線標(biāo)繪出前半部分中的求和信號輸出的低幅E與后半部分中的求和信號輸出的低值F之間的差E-F。
傾斜檢測部分通過取所述求和信號輸出的低值信號差E-F作為傾角檢測值檢測所述傾角。
例如，如果作為傾斜檢測部分107測得的檢測值的所述求和信號輸出的低值信號差E-F是+0.06，則由圖17可見，R傾角為+0.6°，因此，傾斜修正部分108對傾斜控制部分109發(fā)送與該檢測值對應(yīng)的傾斜修正值，并由傾斜控制部分109驅(qū)動傾斜平臺103修正該R傾角。
這種R傾斜檢測方法的應(yīng)用并不限于本模擬中所用的光學(xué)條件。
當(dāng)100％的光被二隙光探測器中的反射鏡反射回來時(shí)，傾斜檢測值具有標(biāo)準(zhǔn)值1。
按照這種方法，由傾斜檢測部分測得的檢測值被傾斜控制部分用以計(jì)算傾角，然后傾斜控制部分使傾斜平臺相應(yīng)地移動，從而消除R傾斜，提高記錄和重放信號的質(zhì)量。
為了用上述方法(1)至(6)中所需要的一種檢測R傾斜，光斑沿預(yù)先由導(dǎo)槽形成的磁跡中心掃描。光盤的磁跡中心與光斑之間的偏差被稱為磁跡偏離。如果這種磁跡偏離是0，換句話說，如果在光斑沿光盤上預(yù)先形成的導(dǎo)槽中心被掃描的情況下用上述方法(1)至(6)中的一種檢測R傾斜，則可以更精確地檢測R傾斜。
以下描述修正磁跡偏離的方法。
以偏移的方式，用來自光盤上預(yù)先形成的重復(fù)凹坑序列、由光斑重放的信號的求和信號輸出控制磁跡偏離。
圖24示出光盤上凹坑的布置。標(biāo)號2401是為了記錄數(shù)據(jù)而被形成螺旋形的導(dǎo)槽的槽磁跡，而標(biāo)號2402是處于各槽磁跡之間的脊磁跡。標(biāo)號2403是前半部分重復(fù)凹坑序列，該序列被形成從槽磁跡的中心被偏移至外側(cè)和內(nèi)側(cè)，而標(biāo)號2404是后半部分重復(fù)凹坑序列，它接續(xù)于上述前半部分重復(fù)凹坑序列，關(guān)于磁跡中心按對稱位置的方式，從槽磁跡中心移至上述前半部分重復(fù)凹坑序列。凹坑形成重復(fù)圖樣的形式，其中沿徑向方向的被移動光點(diǎn)序列的坑-坑間隔是1.19μm，凹坑寬度是0.36μm，凹坑深度是λ/6，凹坑長度是0.462μm，沿切向方向的坑-坑間隔是1.12μm，各凹坑按從磁跡中心到凹坑中心0.3μm的距離移至內(nèi)側(cè)或外側(cè)。
圖25A，25B和25C每一個(gè)表示一個(gè)實(shí)例，其中得到由二隙光探測器求和信號輸出。
在重放信號波形中，在磁跡偏離為0的情況下，在前半部分的重復(fù)凹坑被重放時(shí)和在后半部分的重復(fù)凹坑被重放時(shí)，受凹坑序列調(diào)制的信號的幅值L和M之間分別存在L＝M的關(guān)系。如果發(fā)生0.02μm的磁跡偏離，則由于這一磁跡偏離，將使兩個(gè)二隙光探測器間的光量不同。在這種情況下，由前半部分重復(fù)凹坑序列重放的求和信號輸出的幅值L不同于由后半部分重復(fù)凹坑序列重放的求和信號的幅值M。由一采樣保持電路將前半部分和后半部分求和信號輸出的幅值保存為DC值，前半部分求和信號輸出的保存值L與后半部分求和信號輸出的保存值M之間的差L-M被取為磁跡偏離的檢測值，并將此檢測值取為偏離磁跡的位置，同時(shí)相應(yīng)地修正此偏離磁跡的位置。在這種情況下，可以修正偏離磁跡的位置，而與傾斜無關(guān)。
接下去描述在光盤上不同徑向位置處由傾斜檢測部分測得的檢測值修正R傾斜的方法。
由光盤的變形引起R傾斜，因此，有如圖10中的曲線1001所示，R傾斜的值從光盤的內(nèi)側(cè)到外側(cè)變化。
圖10中的標(biāo)號1001是傾斜曲線，用以表示一種方式，其中光盤記錄表面關(guān)于光束光軸的傾斜隨光盤上的徑向位置變化，標(biāo)號1002是關(guān)于傾斜曲線1001的內(nèi)側(cè)在所需徑向位置處傾斜(或傾角)的量，標(biāo)號1003是在傾斜曲線1001的中間部分的所需徑向位置處傾斜(或傾角)的量，而標(biāo)號1004是關(guān)于傾斜曲線1001的外側(cè)在所需徑向位置處傾斜(或傾角)的量。
接下去描述來自傾斜檢測部分測得的檢測值的傾斜量。標(biāo)號1005是在光盤內(nèi)側(cè)的所需徑向位置處的來自上述傾斜檢測部分測得的檢測值的傾斜量，標(biāo)號1006是在光盤外側(cè)的所需徑向位置處的來自上述傾斜檢測部分測得的檢測值的傾斜量。
標(biāo)號1007是在光盤中間部分的所需徑向位置處的來自上述傾斜檢測部分測得的檢測值的傾斜量，而標(biāo)號1008是內(nèi)插曲線，用直線將源于中部周圓的傾斜量1007與源于所示內(nèi)側(cè)的傾斜量1005及源于所示外部周圓的傾斜量1006聯(lián)系在一起。
當(dāng)光盤傾斜時(shí)，在光盤的內(nèi)側(cè)與外側(cè)的傾斜量不同。在本發(fā)明的光盤裝置中，有如圖10所示，為了檢測傾斜量隨徑向位置的不同，至少在三個(gè)位置，也即在光盤的內(nèi)部周圓、外部周圓和中部周圓處檢測傾斜量。在檢測傾角的內(nèi)部徑向位置與中部徑向位置之間的所需徑向位置處的傾斜量來源于曲線1008的值，曲線1008連接源于所述內(nèi)部周圓檢測值的傾斜量1005和源于所述中部周圓檢測值的傾斜量1007。在檢測傾角的外部徑向位置與中部徑向位置之間所需徑向位置處的傾斜量來源于曲線1008的值，曲線1008連接源于所述外部周圓檢測值的傾斜量1006和源于所述中部周圓檢測值的傾斜量1007。
在這種情況下，可以精確地修正源于光盤中部周圓所需位置處的傾斜量1007和光盤中部周圓處的實(shí)際傾斜量1003，因此，與現(xiàn)有技術(shù)的方法相比，能夠更為可靠和更為精確地修正光盤上任何徑向位置處的傾斜位置，其中傾斜量在光盤內(nèi)部周圓和外部周圓之間變化，在將信號記錄在光盤上和從光盤上重放信號過程中，可以明顯地改善信號的質(zhì)量。
以下描述傾斜修正部分108的工作情況。圖10中在中部周圓的徑向位置處的傾角(R傾斜)為0°。另外，在內(nèi)部周圓處的相對傾角是0°。由于光盤的卷曲效果，光盤的外部周圓處的傾角大于內(nèi)部周圓處的傾角。這種卷曲在光盤之間是變化的，傾角關(guān)于徑向位置的量的特性對于每個(gè)盤是不相同的。
當(dāng)光斑會聚在光盤表面上的徑向位置朝光盤外側(cè)移動時(shí)，檢測部分在光盤的中部周圓和外部周圓測得傾角，如果內(nèi)插曲線1008上的傾角不同于閾值(如0.4°)或者大于內(nèi)部周圓處的傾角，則傾斜修正部分指示傾斜平臺103按如下方式移動——使得在傾角已達(dá)到上述閾值的徑向位置處的傾角變?yōu)?°。
于是，通過移動傾斜平臺，能夠減小由于從光盤的內(nèi)側(cè)到外側(cè)發(fā)生的畸變所造成的傾角，從而使得能夠改善對光盤記錄或重放過程中的信號質(zhì)量。
以下詳細(xì)描述檢測及控制磁跡偏離的操作。
圖26示出計(jì)算電路104的工作過程，所述計(jì)算電路通過接收四隙探測器100的四個(gè)光探測元件的輸出a，b，c，d而起作用。這個(gè)計(jì)算電路104產(chǎn)生TE信號(a+d)-(b+c)，F(xiàn)E信號(a+c)-(b+d)，RF信號(a+b+c+d)，偏離磁跡檢測信號(OF信號)對角線求和信號(a+c)對角線求和信號(b+d)將TE信號傳送給跟蹤控制部分106，用于控制光斑關(guān)于光盤的磁跡的跟蹤位置。將FE信號傳送給聚焦控制部分105，用于控制光斑關(guān)于光盤的磁跡的聚焦位置。RF信號是通過讀取光盤上記錄的所得到的重放信號，并提供數(shù)據(jù)處理。將RF信號傳送給偏離磁跡檢測部分110，用于檢測偏離磁跡的位置。將偏離磁跡檢測信號(OF信號)傳送給偏離磁跡檢測部分110，用于檢測偏離磁跡的位置。
接下去描述在偏離磁跡檢測部分110由偏離磁跡檢測信號檢測偏離磁跡的位置的過程。
通過提取兩個(gè)偏離磁跡檢測信號的位相差檢測偏離磁跡的位置。
下面參照圖27A，27B，27C和27D描述這種位相差信號的細(xì)節(jié)。
當(dāng)光斑2701位于磁跡中心時(shí)，探測器處衍射光的強(qiáng)度將被表示如圖27B中所示，并因此對角線差值信號(a+c)-(b+d)將為0。即使光斑和沿箭號方向發(fā)生的凹坑序列隨光盤轉(zhuǎn)動，這個(gè)值也總保持為0，但如果光斑從磁跡偏移，如圖27A或圖27C所示，則當(dāng)光斑隨著光盤轉(zhuǎn)動而沿箭號方向移動時(shí)，對角線差值信號二者將都表現(xiàn)出一個(gè)正弦波輸出，而且由于這些輸出值關(guān)于RF信號(a+b+c+d)具有+90°或-90°的位相關(guān)系，于是，通過檢測對角線差值信號與RF信號之間的位相差，能夠檢測光斑從各凹坑的中心偏離磁跡多遠(yuǎn)。
前半部分重復(fù)凹坑序列的求和信號與后半部分重復(fù)凹坑序列的求和信號間的差也可被用于偏離磁跡的檢測。類似于有關(guān)圖21A，圖21B和圖21C的描述，由于對角線求和信號符合正弦曲線，可將各對角線求和信號的值匯入三種方法之一(i)找出高值信號；(ii)找出低值信號；(iii)找出正弦曲線的幅值。
圖27D是表示對角線差值信號的位相差與磁跡偏離程度位之間關(guān)系的波形圖。該圖中的(Bsig)是光斑通過凹坑中心時(shí)的輸出點(diǎn)，而(Asig)和(Csig)分別是光斑通過凹坑的左手側(cè)或右手側(cè)時(shí)的輸出點(diǎn)。用此位相差可以檢測偏離磁跡離凹坑中心的位置。
如圖28A所示，光盤中預(yù)先記錄的刻痕預(yù)凹坑2805包括各凹坑的前半部分預(yù)凹坑序列2803，所述各凹坑依次位于由Wa(＝Tp/4)所示的沿越過磁跡方向離導(dǎo)槽的槽磁跡中心的位置；還包括各凹坑的后半部分預(yù)凹坑序列2804，所述各凹坑依次類似地位于與前半部分預(yù)凹坑序列的槽磁跡中心相對的側(cè)面。這里，前半部分預(yù)凹坑的位移寬度Wa等于后半部分預(yù)凹坑的位移寬度Wb。位于(Wa＝Wb)的凹坑是單一頻率的凹坑依序序列。
圖28B是源于中心在一凹坑上的對角線差值信號的位相差信號曲線。當(dāng)光斑通過前半部分預(yù)凹坑序列的槽磁跡中心時(shí)，所述位相差信號輸出為Pa，而當(dāng)光斑通過后半部分預(yù)凹坑序列的槽磁跡中心時(shí)，所述位相差信號輸出為Pb。圖28C示出在保存所述前半部分預(yù)凹坑序列位相差信號和后半部分預(yù)凹坑序列位相差信號并且由偏離磁跡檢測部分計(jì)算所述前半部分預(yù)凹坑序列輸出及后半部分預(yù)凹坑序列輸出的和時(shí)所得的結(jié)果。如果光斑通過磁跡的中心，則此位相差信號將是0。
從以下述條件為基礎(chǔ)的計(jì)算機(jī)模擬得到這里描述的結(jié)果。所述各凹坑形成重復(fù)偏移的凹坑序列，其中激光波長(λ)＝650nm；物鏡的NA＝0.6；切向RIM強(qiáng)度＝0.83；徑向PIM強(qiáng)度＝0.25，光盤磁跡間距＝1.19μm，凹坑深度＝λ/6，凹坑寬度＝0.36μm，凹坑沿直線方向重復(fù)的周期＝1.12μm，凹坑長度＝0.46μm。
圖29示出發(fā)生R傾斜時(shí)所得的特性。
圖29表示在按(a)，(b)，(c)順序加給-0.6°，±0.0°和+0.6°的R傾斜的情況下，由前半部分偏移凹坑和后半部分偏移凹坑的位相差信號計(jì)算的偏離磁跡檢測信號。水平軸表示關(guān)于磁跡中心磁跡偏離的量?？v軸表示偏離磁跡檢測信號。當(dāng)偏離磁跡檢測信號是0時(shí)，光斑位于磁跡中心。當(dāng)不存在R傾斜時(shí)，如曲線(b)，從曲線可以看到，得到與磁跡偏離量對應(yīng)的偏離磁跡檢測信號。另外，當(dāng)磁跡偏離的位置為0時(shí)，偏離磁跡檢測信號也變?yōu)?。
例如，當(dāng)存在R傾斜時(shí)，在存在有曲線(a)所示的-0.6°傾角的情況下，從曲線可以看到，得到與磁跡偏離量對應(yīng)的偏離磁跡檢測信號。另外，當(dāng)磁跡偏離的位置為0時(shí)，偏離磁跡檢測信號也變?yōu)?。
類似地這也應(yīng)用于曲線(c)。
按照這種方式，在偏移的結(jié)構(gòu)中通過重放位相差信號和連續(xù)的預(yù)凹坑，能夠精確地檢測磁跡偏離的量，而不受R傾斜量的影響，而且，如果把這個(gè)系統(tǒng)用于圖1所述實(shí)施例的偏離磁跡檢測部分中，就能得到很好的傾斜檢測和傾斜控制結(jié)果。
于是使跟蹤精度得以提高，消除各種影響，從而在記錄過程中消除相鄰磁跡的影響，還可改善相鄰磁跡上記錄的信號質(zhì)量。
按照本發(fā)明的光盤這種和光盤傾斜的控制方法，通過保存獨(dú)立地或者保存聯(lián)合地檢測跟蹤信號和傾角，能夠提高記錄和重放過程中的信號質(zhì)量，而無需設(shè)置與記錄和重放光學(xué)系統(tǒng)分開的檢測傾角的光學(xué)系統(tǒng)，利用預(yù)先記錄在光盤上的槽磁跡、脊磁跡和按以下方式形成的重放凹坑序列，所述方式使其中心朝向離開槽磁跡中心的外側(cè)或內(nèi)側(cè)偏移，并且，利用傾斜修正部分和傾斜控制部分修正傾角。依次，無需設(shè)置分立的傾斜探測器，從而能夠使這種的尺寸減小以及能夠限制成本。
另外，還能如圖10所示傾斜檢測方法那樣，通過從光盤的內(nèi)部周圓、中部周圓和外部周圓處的三個(gè)以上檢測值獲得在光盤上任何徑向位置處的傾斜量，明顯地提高記錄和重放特性，而不會降低記錄和重放過程中的信號質(zhì)量。
權(quán)利要求
1.一種傾斜檢測裝置，用以檢測光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和所形成的第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得該第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；二隙光探測器，用于接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行的方向分開的第一光探測元件和第二光探測元件；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于通過差值信號輸出檢測光盤記錄表面關(guān)于所述光束光軸的傾斜，所述差值信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述連續(xù)磁跡的反射光情況下，來自所述第一和第二光探測元件的信號間的差。
2.一種傾斜檢測裝置，用于檢測光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得該第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；二隙光探測器，用于接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行的方向分開的第一光探測元件和第二光探測元件；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于通過比較第一求和信號與第二求和信號檢測光盤記錄表面的傾斜，所述第一求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和，所述第二求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和。
3.按照權(quán)利要求2所述的傾斜檢測裝置，其特征在于所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)比較第一求和信號的包絡(luò)信號的低值絕對值與第二求和信號的包絡(luò)信號的低值絕對值。
4.按照權(quán)利要求2所述的傾斜檢測裝置，其特征在于所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)比較第一求和信號的包絡(luò)信號的高值絕對值與第二求和信號的包絡(luò)信號的高值絕對值。
5.按照權(quán)利要求2所述的傾斜檢測裝置，其特征在于所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)比較第一求和信號的幅值與第二求和信號的幅值。
6.一種傾斜檢測裝置，用于檢測光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得該第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；二隙光探測器，用于接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行的方向分開的第一光探測元件和第二光探測元件；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于通過比較第一差值信號與第二差值信號檢測光盤記錄表面的傾斜，所述第一差值信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號間的差，所述第二差值信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的差。
7.按照權(quán)利要求6所述的傾斜檢測裝置，其特征在于所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)比較第一差值信號包絡(luò)的高值絕對值與第二差值信號包絡(luò)的高值絕對值。
8.按照權(quán)利要求6所述的傾斜檢測裝置，其特征在于所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)比較第一差值信號的幅值與第二差值信號的幅值。
9.按照權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的傾斜檢測裝置，其特征在于還包括偏離磁跡檢測機(jī)構(gòu)，用于通過比較第三求和信號與第四求和信號，輸出一個(gè)偏移量，從偏移量表示所述磁跡中心與光斑中心間偏移的量，所述第三求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和，所述第四求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和，所述偏移量被加給所述跟蹤控制機(jī)構(gòu)。
10.按照權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的傾斜檢測裝置，其特征在于按重復(fù)的連續(xù)方式提供第一種偏移凹坑，并與第一種偏移凹坑接續(xù)地按重復(fù)的連續(xù)方式提供第二種偏移凹坑。
11.按照權(quán)利要求10所述的傾斜檢測裝置，其特征在于間隔Ls表示所述第一種偏移凹坑按該間隔被重復(fù)，使得Lp＜Ls＜2Lp，這里的Lp是凹坑長度。
12.按照權(quán)利要求10所述的傾斜檢測裝置，其特征在于間隔Ls表示所述第一種偏移凹坑按該間隔被重復(fù)，使得20Lp＜Ls，這里的Lp是凹坑長度。
13.一種傾斜檢測裝置，用以檢測具有按包含周期性擺動方式形成之磁跡的光盤的記錄表面的傾斜，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；光探測器，用于接收從所述光盤反射的光；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)在由所述光探測器接收上述擺動的磁跡反射的光的情況下輸出的擺動信號檢測光盤記錄表面的傾斜。
14.一種傾斜檢測裝置，用以檢測光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；光探測器，用于接收從所述光盤反射的光；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)在由所述光探測器接收從磁跡反射的光的情況下的跟蹤誤差信號輸出的幅值檢測光盤記錄表面的傾斜，關(guān)斷所設(shè)置的跟蹤控制機(jī)構(gòu)，使光斑越過各磁跡。
15.按照權(quán)利要求1至14任一項(xiàng)所述的傾斜檢測裝置，其特征在于在光盤的內(nèi)部周圓區(qū)、中部周圓區(qū)和外部周圓區(qū)進(jìn)行傾斜檢測和傾斜值的取樣。
16.按照權(quán)利要求1至14任一項(xiàng)所述的傾斜檢測裝置，其特征在于如果所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)的輸出為規(guī)定的值或大于該值，實(shí)行傾斜值的修正。
17.一種光盤裝置，用于檢測和修正光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；二隙光探測器，用于接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行方向分開的第一探測元件和第二光探測元件；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于通過差值信號輸出檢測光盤記錄表面關(guān)于所述光束光軸的傾斜，所述差值信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述連續(xù)磁跡的反射光情況下，來自所述第一和第二光探測元件信號間的差；傾角修正機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)測得的傾角值控制光盤的角度。
18.一種光盤裝置，用于檢測和修正光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；二隙光探測器，用于接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行方向分開的第一探測元件和第二光探測元件；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于通過比較第一求和信號與第二求和信號檢測光盤記錄表面的傾斜，所述第一求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和，所述第二求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和；傾角修正機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)測得的傾角值控制光盤的角度。
19.一種光盤裝置，用于檢測和修正光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；二隙光探測器，用于接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行方向分開的第一探測元件和第二光探測元件；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于通過比較第一差值信號與第二差值信號檢測光盤記錄表面的傾斜，所述第一差值信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下，從第一和第二光探測元件輸出信號間的差，所述第二求和信號表示在由所述二隙光探測器接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號間的差；傾角修正機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)測得的傾角值控制光盤的角度。
20.一種光盤裝置，用以檢測和修正具有按包含周期性擺動方式形成之磁跡的光盤的記錄表面的傾斜，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；光探測器，用于接收從所述光盤反射的光；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)在由所述光探測器接收上述擺動的磁跡反射的光的情況下輸出的擺動信號的幅值檢測光盤記錄表面的傾斜；傾角修正機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)測得的傾角值控制光盤的角度。
21.一種光盤裝置，用于檢測和修正光盤記錄表面的傾斜，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述裝置包括光頭，用于通過將光斑聚焦在所述光盤上記錄和重放信號；光探測器，用于接收從所述光盤反射的光；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；傾斜檢測機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)在由所述光探測器接收從磁跡反射的光的情況下輸出的跟蹤誤差信號的幅值檢測光盤記錄表面的傾斜，關(guān)斷所設(shè)置的跟蹤控制機(jī)構(gòu)，使光斑越過各磁跡；傾角修正機(jī)構(gòu)，用于根據(jù)所述傾斜檢測機(jī)構(gòu)測得的傾角值控制光盤的角度。
22.一種用于檢測光盤記錄表面傾斜的傾斜檢測方法，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述方法包括以下步驟將光斑聚焦在所述光盤上；由光探測器接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行方向分開的第一探測元件和第二光探測元件；實(shí)行跟蹤控制，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；由差值信號輸出檢測光盤記錄表面關(guān)于所述光束光軸的傾斜，所述差值信號輸出表示在接收所述連續(xù)磁跡反射的光的情況下來自所述第一和第二光探測元件的信號間的差。
23.一種用于檢測光盤記錄表面傾斜的傾斜檢測方法，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述方法包括以下步驟將光斑聚焦在所述光盤上；由光探測器接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行方向分開的第一探測元件和第二光探測元件；實(shí)行跟蹤控制，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；通過比較第一求和信號與第二求和信號檢測光盤記錄表面的傾斜，所述第一求和信號表示在接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和，所述第二求和信號表示在接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下從第一和第二光探測元件輸出信號的和。
24.一種用于檢測光盤記錄表面傾斜的傾斜檢測方法，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述方法包括以下步驟將光斑聚焦在所述光盤上；由光探測器接收從所述光盤反射的光，所述光探測器包括沿與磁跡平行方向分開的第一探測元件和第二光探測元件；實(shí)行跟蹤控制，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；通過比較第一差值信號與第二差值信號檢測光盤記錄表面的傾斜，所述第一差值信號表示在接收來自所述第一種偏移凹坑的反射光情況下，從第一和第二光探測元件輸出信號間的差，所述第二差值信號表示在接收來自所述第二種偏移凹坑的反射光情況下，從第一和第二光探測元件輸出信號間的差。
25.一種用于檢測具有按包含周期性擺動方式形成之磁跡的光盤的記錄表面傾斜的傾斜檢測方法，所述方法包括以下步驟將光斑聚焦在所述光盤上；接收從所述光盤反射的光；實(shí)行跟蹤控制，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；根據(jù)在由所述光探測器接收從上述擺動磁跡反射的光的情況下輸出的擺動信號的幅值檢測光盤記錄表面的傾斜。
26.一種用于檢測光盤記錄表面傾斜的傾斜檢測方法，所述光盤具有磁跡和第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑，所述凹坑被形成使得所述第一種偏移凹坑及第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)，所述方法包括以下步驟將光斑聚焦在所述光盤上；接收從所述光盤反射的光；實(shí)行跟蹤控制，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；根據(jù)在由接收從磁跡反射的光的情況下輸出的跟蹤誤差信號的幅值檢測光盤記錄表面的傾斜，關(guān)斷所設(shè)置的跟蹤控制機(jī)構(gòu)，使光斑越過磁跡。
27.按照權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的傾斜檢測裝置，其特征在于還包括偏離磁跡檢測機(jī)構(gòu)，在由所述四隙光探測器接收自所述第一和第二種偏移凹坑反射的光的情況下，所述檢測機(jī)構(gòu)通過比較各輸出值的位相表示對所述跟蹤控制的偏移量，所述各輸出值與從該四隙光探測器輸出之對角線求和信號的第一和第二種偏移凹坑對應(yīng)；所述偏移量被加給所述跟蹤控制機(jī)構(gòu)。
28.一種光盤裝置，它包括光頭，用于通過將光斑聚焦在具有磁跡的光盤上記錄和重放信號；聚焦控制機(jī)構(gòu)，用于控制所述光斑在光盤表面上的焦點(diǎn)位置；跟蹤控制機(jī)構(gòu)，用以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；四隙光探測器，用于接收自所述光盤反射的光，所述光探測器具有四個(gè)以垂直分線分開的光接收表面；計(jì)算電路，用于產(chǎn)生由所述四隙光探測器的輸出生成的聚焦誤差信號；由所述四隙光探測器的輸出生成的跟蹤誤差信號；由所述四隙光探測器的輸出生成的總和信號；由兩個(gè)對角線求和信號生成的偏離磁跡檢測信號，每個(gè)對角求和線信號表示所述四隙光探測器中的兩個(gè)按對角線對置的光探測元件的總和輸出；偏離磁跡檢測機(jī)構(gòu)，用于由所述計(jì)算電路生成的偏離磁跡檢測信號檢測偏離磁跡的量；偏離磁跡控制機(jī)構(gòu)，用于從所述偏離磁跡檢測機(jī)構(gòu)測得的檢測值修正所述光斑的偏離磁跡位置。
29.按照權(quán)利要求28所述的光盤裝置，其特征在于在通過第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑時(shí)，從所述光頭重放的重放信號檢測由偏離磁跡檢測機(jī)構(gòu)測得的檢測值，所述第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)。
30.一種對光盤的偏離磁跡檢測方法，它包括以下步驟通過將光斑聚焦在具有磁跡的光盤上記錄和重放信號；控制所述光斑在光盤表面上的焦點(diǎn)位置，以控制聚焦；實(shí)行跟蹤控制，以控制所述光斑關(guān)于磁跡的位置；由四隙光探測器接收從所述光盤反射的光，所述光探測器具有四個(gè)以垂直分線分開的光接收表面；實(shí)行計(jì)算，以生成由所述四隙光探測器的輸出生成的聚焦誤差信號；由所述四隙光探測器的輸出生成的跟蹤誤差信號；由所述四隙光探測器的輸出生成的總和信號；由兩個(gè)對角線求和信號生成的偏離磁跡檢測信號，每個(gè)對角求和線信號表示在所述四隙光探測器中兩個(gè)按對角線對置的光探測元件的求和輸出；從所述計(jì)算步驟生成的偏離磁跡檢測信號檢測偏離磁跡的量；控制偏離磁跡，用以從所述偏離磁跡檢測步驟測得的檢測值修正所述光斑的偏離磁跡的位置。
31.按照權(quán)利要求30所述對光盤的偏離磁跡檢測方法，其特征在于在通過第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑時(shí)，從所述光頭重放的重放信號檢測由所述偏離磁跡檢測步驟測得的檢測值，所述第一種偏移凹坑和第二種偏移凹坑分別從一條磁跡的中心被偏移到該磁跡的第一側(cè)和第二側(cè)。
全文摘要
一種傾斜檢測裝置檢測光盤表面關(guān)于光束光軸的傾斜(傾角)。該裝置具有光頭,用于將光束照射在光盤上;光探測器,用于接收光盤反射的光;以及傾斜檢測器,用于利用光探測器的信號輸出檢測光盤記錄表面關(guān)于光束光軸的傾斜。
文檔編號G11B7/007GK1277712SQ99801607
公開日2000年12月20日 申請日期1999年7月13日 優(yōu)先權(quán)日1998年9月14日
發(fā)明者中村敦史, 東海林衛(wèi), 石田隆 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社