專利名稱：光學記錄介質和光學記錄/再現裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種光學記錄介質，例如光盤和光卡。本發(fā)明還涉及一種用于進行光學記錄和/或再現的光學記錄/再現裝置。
由于近來在信息處理技術領域內的快速發(fā)展，數據越來越多地表示為數字信號。典型的情況是在信息處理、電信、視頻顯示和音頻領域。因此，對用于記錄信息和分配軟件的高密度光盤的需求增大。為提供這種高密度光盤而開發(fā)的一個最有效和可靠的手段涉及高數值孔徑(NA)光學系統使用短波長藍色激光束以記錄和再現光學信號。
這種高密度光盤的一個示例是數字通用盤(DVD)，它的標準化程度變得更高并得到了實際應用。用于增大DVD和與DVD有關的介質的存儲容量的技術發(fā)展已發(fā)表在許多出版物中，例如“Nikkei Electronics”，Vol.No.688，May 5，1997(第13頁的表格1)。
本發(fā)明的一個目的是提供一種高密度光學記錄介質和高密度光學記錄/再現裝置，該裝置使用短波長藍色激光束來進行光學記錄和再現，同時保持與傳統DVD的兼容性。
本發(fā)明的另一目的是提供一種高密度光學記錄介質和高密度光學記錄/再現裝置，該裝置采用高數值孔徑透鏡和藍色激光束來進行光學記錄和再現，同時保持與傳統DVD的兼容性。
參照說明書和附圖，可容易并清楚地理解本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點。
根據本發(fā)明，提供了一種具有厚度大約為0.6mm的透光層的光學記錄介質。該光學記錄介質允許采用入射到光學記錄介質的透光層上的390nm≤λ≤440nm波長的激光束至少進行記錄和再現之一。該激光束通過數值孔徑(NA)為0.6≤NA≤0.72的透鏡系統聚焦在光學記錄介質上。透光層厚度的變化要保持在距其平均厚度值±5.98λ/(NA)4的范圍內。
根據本發(fā)明的另一方面，提供了一種光學記錄/再現裝置，它包括光學記錄介質，該光學記錄介質具有厚度為0.6mm的透光層，該厚度的變化范圍為±5.98λ/(NA)4。該光學記錄/再現裝置采用390nm≤λ≤440nm波長的激光束至少進行記錄和再現之一。該激光束通過數值孔徑(NA)為0.6≤NA≤0.72的物鏡經透光層入射到光學記錄介質上。
根據本發(fā)明，可進行高密度和高容量的記錄或再現，同時保持與傳統DVD的兼容性。因此，在保持與傳統DVD和傳統記錄/再現裝置兼容的情況下，實現高度增大的記錄密度。
另外，根據本發(fā)明的記錄/再現裝置，可根據光學記錄介質的偏斜(skew)來調整用來進行記錄和/或再現的光學單元的斜角(slant angle)。因此，光學記錄介質的任何偏斜可基本上得到補償，并可實現高密度的記錄和再現。
因此，本發(fā)明包括幾個步驟，并且這些步驟中的一個或多個步驟與每個其他步驟相關聯，本發(fā)明還包括體現用來實現這些步驟的結構特征、元件組合和部件布置的裝置，這些均在下面的詳細公開中得以解釋，并且，本發(fā)明的范圍由所附權利要求指示。
為了更完整地理解本發(fā)明，將參照下面的描述和附圖，附圖中

圖1是表示根據本發(fā)明第一實施例構成的光學記錄介質的剖面圖；圖2是表示根據本發(fā)明第二實施例構成的光學記錄介質的剖面圖；圖3是表示根據本發(fā)明第三實施例構成的光學記錄介質的剖面圖；圖4是表示根據本發(fā)明第四實施例構成的光學記錄介質的剖面圖；圖5是表示根據本發(fā)明第五實施例構成的光學記錄介質的剖面圖；圖6表示根據本發(fā)明構成的偏斜補償單元；圖7表示根據本發(fā)明構成的光學拾取器；圖8A和8B表示根據本發(fā)明在光學記錄介質上記錄信息的記錄模式；圖9表示根據本發(fā)明在光學記錄介質上記錄信息的記錄模式；以及圖10A-10C表示根據本發(fā)明在光學記錄介質上記錄信息的記錄模式。
參照圖1至5，表示的是根據本發(fā)明的多個光學記錄介質的剖面圖。如這些圖所示，光學記錄介質由形成于信息記錄面上的透光層“t1～t5”形成。透光層的厚度為0.6mm，其變化范圍Δt為±5.98λ/(NA)4。采用波長λ為390nm≤λ≤440nm的激光束對記錄介質進行再現和記錄，該激光束經數值孔徑(NA)為0.6≤NA≤0.72的透鏡系統通過光學記錄介質的透光層透射。
在圖1-5中，“tc”表示記錄介質的夾持部(clamp section)的厚度。該夾持部被構成為可拆卸地裝配到與一般的DVD兼容的光學記錄/再現裝置的驅動單元。厚度tc目前被標準化為1.2mm，以便與傳統DVD兼容。盡管圖1-5表示的是根據本發(fā)明構成的光學記錄介質的幾個示例，但該光學記錄介質不局限于這些例子。
如圖1所示，光學記錄介質10由透光盤基底構成，該基底例如通過聚碳酸脂(PC)注模而形成。另外，以1.2mm的厚度形成光學記錄介質10的至少一部分，該部分形成夾持部3，它可拆卸地將記錄介質安裝到光學記錄/再現裝置的盤旋轉驅動單元(如上所述)。透光層2由與夾持部3相鄰的記錄介質的外圍部分定義，并且包括形成信息記錄面1的部分。透光層2的厚度t1＝0.6mm±5.98λ/(NA)4，其中λ的單位是微米。通過聚焦經物鏡4通過透光層入射到記錄介質上的激光束L，在光學記錄介質10的信息記錄面1上進行光學記錄和/或再現。
信息記錄面1可形成為ROM(只讀存儲器)的信息記錄面，它包括形成為記錄軌道的信息記錄凹坑。在這種情況下，信息記錄面1的表面由鋁淀積膜形成，并且可將可記錄區(qū)擴展到透光層2的部分或全部。在信息記錄面1上用引導凹槽在透光層2上形成記錄軌道。在每個引導凹槽內和/或相鄰引導凹槽之間形成可記錄區(qū)。在透光層的表面涂敷磁光記錄層，其上形成上述凹槽和凹坑，以便采用克爾(Kerr)效應來讀取信息。另外，可使用記錄激光器，它發(fā)射光束來引起透光層的相變并形成凹坑。這種寫入過程引起透光層的光學特性的變化，并產生干擾模式。根據透光層2中產生的這些特性變化，來讀取信息。按照需要，反射層形成在記錄介質的記錄層上。另外，在透光層2的表面粘著保護層，以便進行保護。圖2所示的裝置采用了與圖1所示相同的元件，但排列上稍微不同。
在圖1的示例中，信息記錄面1形成在相對于夾持部3的主面下陷的記錄介質的凹部。在圖2的示例中，記錄介質20的信息記錄面21包括厚度t2＝0.6mm±5.98λ/(NA)4的透光層22，其中λ的單位是微米，它由與夾持部23的表面共面的凹槽形成。通過聚焦經物鏡24通過透光層入射到記錄介質上的激光束L，在光學記錄介質20的信息記錄面21上進行光學記錄和/或再現。
如圖3和4所示，根據本發(fā)明的第三和第四實施例構成的記錄介質30或40分別采用第一基底31或41和第二基底32或42形成。這些第一和第二基底通過紫外處理樹脂連接，從而使記錄介質(包括其夾持部37或47)的總厚度tc為1.2mm。有利之處在于，第一基底31或41和第二基底32或42由相同材料如聚碳酸脂形成，并且為了防止記錄介質的變形而具有相同的厚度。但是，第二基底32或42可由不透明材料形成。
在圖3所示的示例中，在與第二基底32相對的第一基底31的表面形成信息記錄面33。在圖4所示的示例中，在與第一基底41相對的第二基底42的表面形成信息記錄面43。在這兩種情況下，第一基底31或41分別形成透光層36或46。圖3和4中的信息記錄面以與圖1和2相同的方式形成。
分別通過聚焦通過透光層36或46透射的激光束L，以與圖1和2相同的方式在圖3和4的光學記錄介質的信息記錄面上進行光學記錄和/或再現。
根據如圖5所示的本發(fā)明的第五實施例，第一基底51和第二基底52通過紫外處理樹脂耦合，從而使記錄介質50(包括其夾持部57)的總厚度tc為1.2mm。第一和第二基底51和52最好采用相同的材料如聚碳酸脂形成，并且具有相同的厚度，以便防止記錄介質的變形。但是，第二基底52還可由不透明材料形成。信息記錄面53、54分別在第一和第二基底51和52的每個相對表面上形成。透光層56由第一基底51的信息記錄面53的上部以及用于定義第二信息記錄面54的位于兩個基底51和52之間的透光紫外處理樹脂形成。
從透光層56的記錄介質側部(第一基底51)對記錄在光學記錄介質的信息記錄面53和54的信息進行光學記錄和/或再現。在這種情況下，使用兩個不同的激光束L1和L2。根據各物鏡58和59來選擇激光束L1和L2的焦點，以便分別在第一和第二信息記錄面53和54上記錄或再現信息。
信息記錄面53和54的產生類似于圖1和2情況下所述的信息記錄面。但是，在該示例中，采用通過第一信息記錄面53透射的光束在第二信息記錄面54上進行記錄和再現。為此，第一信息記錄面53的反射面對激光束L2的波長半透射，例如為鋁型金屬反射薄膜或半透射介質反射膜。
根據該本發(fā)明第五實施例的光學記錄/再現裝置采用具有與信息記錄面整體形成的透光層的光學記錄介質。透光層最好以厚度t5＝0.6mm形成，其變化范圍Δt為±5.98λ/(NA)4。該裝置采用波長λ為390nm≤λ≤440nm的激光束至少進行再現和記錄之一，該激光束通過NA(數值孔徑)為0.6≤NA≤0.72的透鏡系統從透光層側提供。
接下來，如圖6所示，根據本發(fā)明第六實施例構成的對光學記錄介質進行記錄和/或再現數據的光學記錄/再現裝置60包括光學拾取單元61。光學單元61具有補償器，它根據光學記錄介質的偏斜來進行機械和電子補償，以對信號特性進行歸一化。光學單元61采用驅動機構62(如電磁裝置或電機驅動器)進行旋轉，以在必要時調整記錄介質的偏斜。光學記錄/再現裝置還具有偏斜檢測器63，用于檢測光學記錄介質的偏斜；放大器64，用于對檢測到的偏斜信號進行放大；以及驅動單元65，用于采用放大器64的輸出來驅動和控制驅動機構62。
光學記錄介質的偏斜一般由記錄介質的U型或其他變形引起，偏斜檢測器63用來檢測記錄介質各部分的斜角。具體地講，偏斜檢測器63最好由半導體激光器66構成，它所工作的波長不影響在光學記錄介質上的記錄和再現信息。激光器66發(fā)射功率檢測光束L0，并且包括檢測元件，如光電二極管67，用于檢測來自光學記錄介質100的檢測光束L0的反射光束LR的功率。檢測光束L0聚焦在光學記錄介質100的一位置上，該位置位于由光學單元61發(fā)射的在光學記錄介質上形成的讀和寫激光束的位置附近。
從光學記錄介質100反射的功率檢測光束L0的反射光束LR被以稍微不同的角度和位置入射到光電二極管67上而被接收，這取決于檢測光束L0的反射斜角，該斜角又取決于光學記錄介質的偏斜。光電二極管67由分段光電二極管構成，從而可確定各分段光電二極管的光量的變化。這就使得能夠檢測從光學記錄介質100反射的光束LR的入射位置。該檢測指示在從光學單元61發(fā)射的讀和寫激光束的位置附近的記錄介質的斜角。
由光電二極管67產生的檢測信號由放大器64放大。放大器64的輸出被輸入到驅動單元65，該驅動單元65接下來控制驅動機構62。這樣調整光學單元61的斜角，以便與光學記錄介質的偏斜角度匹配。以這種方式，可采用光學單元61進行正確的讀和寫，即使由于記錄介質的偏斜或變形而在讀和寫激光束的發(fā)射光斑發(fā)生變形時也是如此。
圖7所示為光學單元61的結構。該結構包括激光束源71，例如半導體激光器或激光器和波長調制元件；衍射光柵72；分束器73；物鏡74；以及檢測元件75，如光電二極管。檢測元件75能夠通過檢測反射光束來讀取信息，該反射光束根據記錄在光學記錄介質100上的信息進行光強調制。
如上所述，圖1至5所示的激光束L、L1或L2的波長λ可以是860nm，通過采用波長調制元件(如SHG(二次諧波產生)元件)來調制激光束的波長而產生約430nm的實際使用波長λ。另一方面，可使用波長約為400nm的半導體激光器來產生激光束。此外，激光束波長的可變化范圍是±10nm。根據這些因數，本發(fā)明中使用的激光束波長最好為390nm≤λ≤440nm。
由如下表達式來表示可容許厚度變化TM和可容許偏斜SMTM∝λ/(NA)4SM∝λ/(NA)3/t因此，當采用波長λ＝0.65μm，TM＝±30μm，SM＝±0.4°的DVD格式作為基準時，并且當假定本發(fā)明光學記錄介質的透光層厚度t為0.6mm以使對光學記錄介質進行讀和寫的本發(fā)明裝置也符合標準DVD格式時，可容許厚度變化TM和可容許偏斜SM由如下表達式表示TM＝±30×(0.6/NA)4×(λ/0.65)＝±5.98λ/(NA)4SM＝±0.4×(0.6/NA)3×(λ/0.65)＝±0.133λ/(NA)3具體是，對于本發(fā)明的結構，當透光層的厚度為0.6mm時，厚度變化Δt被確定為在可容許厚度TM的±5.98λ/(NA)4范圍內。此外，在波長為0.39μm≤λ≤0.44μm的激光束的情況下，數值孔徑(NA)可等于或大于0.6(與DVD相同)，并且最好等于或小于0.72，即0.6≤NA≤0.72。
下面，將描述ROM盤(或DVD)結構，其中本發(fā)明的信息記錄面的直徑為120mm，并形成為單層的基準DVD等效信號記錄區(qū)。
標準DVD的記錄容量是4.7GB，DVD的軌道間距TP＝0.74μm，記錄信息的線密度LD＝0.27μm/比特，最小凹坑長度Pmin＝0.4μm。另外，標準DVD使用波長λ＝0.65μm的記錄和再現激光器，并且其可容許偏斜SM＝±0.4°。根據本發(fā)明構成的裝置采用λ＝0.44μm的激光束和NA＝0.6在DVD兼容記錄介質上記錄的最小記錄容量為4.7×(0.65/0.44)2[GB]＝10.3GB各相關因數如下TM＝±5.98λ/(NA)4[μm]＝±20μmSM＝±0.133λ/(NA)3[度]＝±0.27°TP＝0.74×0.44/0.65[μm]＝0.5μmLD＝0.27×0.44/0.65[μm/比特]＝0.18μm/比特Pmin＝0.4×0.44/0.65[μm]＝0.27μm本發(fā)明的裝置采用λ＝0.39的激光束和NA＝0.72對該相同記錄介質的最大記錄容量為4.7×(0.65/0.39×0.72/0.6)2[GB]＝18.8GB各相關因數如下
TM＝±5.98λ/(NA)4[μm]＝±9μmSM＝±0.133λ/(NA)3[度]＝±0.14°TP＝0.74×0.39/0.65×0.6/0.72[μm]＝0.37μmLD＝0.27×0.39/0.65×0.6/0.72[μm/比特]＝0.13μm/比特Pmin＝0.4×0.39/0.65×0.6/0.72[μm]＝0.20μm根據本發(fā)明，光學記錄介質至少包括一區(qū)域，該區(qū)域包含格式化的凹坑串數據，其格式如下軌道間距范圍從0.37到0.5μm，最小凹坑長度范圍從0.20到0.27μm，記錄線密度范圍從0.13到0.18μm/比特。這些因數表示的是被格式化和緊縮以滿足標準DVD格式的數據。當使用基于日本未審查專利公開No.1-312748的用于減小比特長度的技術時，即使數據不再與標準DVD兼容，比特長度仍減小約30％。因此，該長度被減小到上述Pmin的70％，導致Pmin＝0.37×0.7＝0.26μm。另外，容量增加到18.8/0.7＝26.8GB。
本發(fā)明也可應用于標準DVD+R/W盤(SONY商標)，該盤具有單螺旋凹槽記錄結構，其軌道間距TP＝0.80μm，線密度LD＝0.35μm/比特，標準記錄容量為3.0GB。
當將本發(fā)明應用于這種記錄介質上時，(使用λ＝0.44μm和NA＝0.6時)記錄容量最小，此記錄容量為3.0×(0.65/0.44)2[GB]＝6.5GB其他各因數如下TP＝0.8×0.44/0.65[μm]＝0.54μmLD＝0.35×0.44/0.65[μm/比特]＝0.24μm/比特當需要最大記錄容量時(使用λ＝0.39μm和NA＝0.72)，記錄容量為3.60×(0.65/0.39×0.72/0.6)2[GB]＝12GB其他各因數如下TP＝0.8×0.39/0.65×06./0.72[μm]＝0.4μmLD＝0.35×0.39/0.65×0.6/0.72[μm/比特]＝0.18μm/比特根據本發(fā)明的該實施例，光學記錄介質被配置成具有單螺旋可記錄區(qū)，其軌道間距范圍從0.4到0.54μm，記錄線密度范圍從0.18到0.24μm/比特。
本發(fā)明也可應用于標準DVD-RAM盤，該盤具有L/G(槽脊/凹槽)結構，其軌道間距TP＝0.74μm，線密度LD＝0.41μm/比特，標準記錄容量為2.6GB。
當將本發(fā)明應用于這種記錄介質上時，(使用λ＝0.44μm和NA＝0.6時)記錄容量最小，此記錄容量為2.6×(0.65/0.44)2[GB]＝5.7GBTP為TP＝0.74×0.44/0.65[μm]＝0.5μmLD為LD＝0.41×0.44/0.65[μm/比特]＝0.28μm/比特當需要最大記錄容量時(使用λ＝0.39μm和NA＝0.72)，記錄容量為2.6×(0.65/0.39×0.72/0.6)2[GB]＝10.4GBTP為TP＝0.74×0.39/0.65×0.6/0.72[μm]＝0.37μmLD為LD＝0.41×0.39/0.65×0.6/0.72[μm/比特]＝0.21μm/比特根據本發(fā)明的該實施例，光學記錄介質被配置成具有可記錄區(qū)，其具有槽脊和凹槽結構，其軌道間距范圍從0.37到0.50μm，記錄線密度范圍從0.21到0.28μm/比特。
采用紅色激光格式將信息記錄在磁光記錄介質的記錄系統描述于“(Nikkei Electronics)”(第13頁的表格1)，Vol No.688，May 5，1997。該格式采用槽脊和凹槽(L/G)記錄結構，它的特征是TP＝0.6μm，LD＝0.2μm/比特，并且容量是7GB。當將本發(fā)明的短波長激光器和高NA透鏡應用于該裝置和記錄介質上時，產生ASMO(先進存儲磁光)格式。當需要最小記錄容量時(使用λ＝0.44μm和NA＝0.6)，該容量為5×(0.65/0.44)2[GB]＝10GB其他各因數如下TP＝0.64×0.44/0.65[μm]＝0.43μmLD＝0.23×0.44/0.65[μm/比特]＝0.16μm/比特當需要最大記錄容量時(使用λ＝0.39μm和NA＝0.72)，記錄容量為7×(0.65/0.39×0.72/0.6)2[GB]＝28GB相關的各因數如下TP＝0.6×0.39/0.65×0.6/0.72[μm]＝0.30μm
LD＝0.2×0.39/0.65×0.6/0.72[μm/比特]＝0.10μm/比特根據標準相變記錄方法，當以MMVF格式記錄時，軌道間距TP＝0.56μm，密度LD＝0.285μm/比特，記錄容量為5.2GB。相變方法采用槽脊和凹槽(L/G)記錄結構來記錄。當將本發(fā)明的方法和裝置應用于相變記錄方法，并且當需要最小記錄容量時(λ＝0.44μm和NA＝0.6)，該容量為5.2×)0.65/0.44)2[GB]＝11.3GB其他各因數如下TP＝0.56×0.44/0.65[μm]＝0.38μmLD＝0.285×0.44/0.65[μm/比特]＝0.19μm/比特當需要最大記錄容量時(λ＝0.39和NA＝0.72)，記錄容量為5.2×(0.65/0.39×0.72/0.6)2[GB]＝21GB其他各因數如下TP＝0.56×0.39/0.65×0.6/0.72[μm]＝0.28μmLD＝0.285×0.39/0.65×0.6/0.72[μm/比特]＝0.10μm/比特圖8至10表示本發(fā)明光學記錄介質的信息記錄面的模式例子。圖8A和8B表示的是包括凹坑串數據的排列模式。凹坑P既可在圖8A所示的單螺旋線上形成，也可在多個螺旋線(最好是雙螺旋線)上形成，如圖8B所示。
圖9表示的是一示例，其中在形成凹坑P的區(qū)域以外的區(qū)域中形成可記錄區(qū)40(圖中的斜線部分)?？捎涗泤^(qū)40也可形成在單螺旋線或多個螺旋線中，類似于上述凹坑串數據的情況。
在形成多個螺旋線如雙纏繞螺旋線時，單螺旋凹槽可形成兩個可記錄區(qū)，一個在凹槽內，一個在凹槽間區(qū)域(或槽脊)內。另外，形成ROM的凹坑P可在槽脊上形成。
此外，如圖10A-10C的示意性表示，形成螺旋凹槽Grv(圖中的斜線部分)。如圖10A所示，凹坑串數據P可記錄在凹槽Grv和槽脊Lnd的延伸部分。另外，如圖10B和10C所示，可連續(xù)形成凹槽Grv和槽脊Lnd，并且可在其延伸部分形成凹坑串P。以這種方式，可進行各種變化。
如上所述，根據本發(fā)明的光學記錄介質的各格式，在保持與傳統DVD以及與這些DVD兼容的記錄/再現裝置的兼容性的同時，可實現改進的、更高記錄密度，從而可實現記錄容量的增大。
另外，根據本發(fā)明的記錄/再現裝置，根據光學記錄介質的偏斜來調整用于至少進行記錄和再現之一的光學單元的斜角。因此，光學記錄介質的偏斜可基本上得到補償，并且可進行高質量的記錄和再現。
因此，可以看出，有效地達到了上述目的，上述目的由前面的描述中可清楚地得知，由于可在不背離本發(fā)明的宗旨和范圍的情況下在實現上述方法和結構時進行各種變化，因此，包含在上述描述中并在附圖中表示的所有內容均視為解釋性的，而沒有任何限定意圖。
還應理解的是，所附權利要求將覆蓋所描述的本發(fā)明的一般和具體特征，可認為所述及的本發(fā)明的范圍將落入權利要求中。
權利要求
1.一種光學記錄介質，包括透光層，其厚度大約為0.6mm，其允許采用通過透光層入射到所述光學記錄介質的390nm≤λ≤440nm波長的激光束至少進行記錄和再現之一，其中透光層厚度的變化范圍為±5.98λ/(NA)4。
2.如權利要求1所述的光學記錄介質，其中所示激光束采用數值孔徑(NA)為0.6≤NA≤0.72的透鏡系統聚焦。
3.如權利要求2所述的光學記錄介質，還包括夾持部，其厚度至少為1.2mm，從而符合標準DVD格式。
4.如權利要求2所述的光學記錄介質，其中光學記錄介質的偏斜在±0.133λ/(NA)3(度)的范圍內，其中波長λ的單位為微米。
5.如權利要求2所述的光學記錄介質，至少具有一部分信息區(qū)，其中凹坑串數據的軌道間距范圍從0.37到0.50μm，最小凹坑長度至多為0.27μm，記錄密度至多為0.18μm/比特。
6.如權利要求2所述的光學記錄介質，至少具有一部分信息區(qū)，其中凹坑串數據的軌道間距范圍從0.37到0.50μm，最小凹坑長度的范圍從0.20到0.27μm，記錄密度的范圍從0.13到0.18μm/比特。
7.如權利要求2所述的光學記錄介質，其中在信息記錄區(qū)中包括可記錄區(qū)，其中軌道間距至多為0.54μm，記錄密度至多為0.24μm/比特。
8.如權利要求2所述的光學記錄介質，其中在信息記錄區(qū)中包括記錄區(qū)，其中軌道間距范圍為從0.4到至多0.54μm，記錄密度范圍從0.18到0.24μm/比特。
9.如權利要求2所述的光學記錄介質，其中在具有槽脊和凹槽結構的信息記錄區(qū)中包括記錄區(qū)，其中軌道間距至多為0.50μm，記錄密度至多為0.28μm/比特。
10.如權利要求2所述的光學記錄介質，其中在具有槽脊和凹槽結構的信息記錄區(qū)中包括記錄區(qū)，其中軌道間距范圍為從0.37到至少0.50μm，記錄密度范圍從0.21到0.28μm/比特。
11.一種光學記錄/再現裝置，采用光學記錄介質，該光學記錄介質具有厚度約為0.6mm的透光層，該厚度的變化范圍為±5.98λ/(NA)4，所述裝置包括光學單元，用于至少對所述光學記錄介質進行記錄和再現之一，所述光學單元發(fā)射390nm≤λ≤440nm波長的激光束，該激光束通過透光層入射到所述光學記錄介質上。
12.如權利要求11所述的光學記錄/再現裝置，還包括數值孔徑(NA)為0.6≤NA≤0.72的透鏡系統。
13.如權利要求11所述的光學記錄/再現裝置，還包括補償裝置，用于根據檢測到的光學記錄介質的偏斜來補償再現數據的信號特性。
全文摘要
一種高密度光學記錄介質和光學記錄/再現裝置,使用短波長藍色激光束來進行記錄和再現。0.6mm厚的透光層在記錄介質的信息記錄面上形成。波長λ為390nm≤λ≤440nm的激光束經NA為0.6≤NA≤0.72的透鏡系統通過透光層透射。該光學記錄介質能夠采用該激光束進行記錄和/或再現。透光層的厚度變化范圍為±5.98λ(NA)
文檔編號G11B7/125GK1250932SQ9912151
公開日2000年4月19日 申請日期1999年10月14日 優(yōu)先權日1998年10月14日
發(fā)明者柏木俊行 申請人:索尼公司