專利名稱：：使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路的制作方法發(fā)明的領(lǐng)域本發(fā)明是關(guān)于激光產(chǎn)生電路，特別是具備有將高頻率信號重疊于半導(dǎo)體激光裝置之驅(qū)動用之直流電流上所用之高頻率振蕩電路之激光產(chǎn)生電路。已有技術(shù)最近幾年，DVD(數(shù)位、視頻、碟片)，MO(光磁碟)及PD(相變化碟片PhaseChangeRewritableDisk)等，使用激光之高密度存儲信息記錄媒體(光碟)被大量使用。將信息寫入這些光碟或?qū)⒈粚懭胫畔⒂枰宰x取之光拾取裝置，系包含半導(dǎo)體激光裝置(激光產(chǎn)生元件)，及光學(xué)系裝置所構(gòu)成。例如，以光拾取裝置讀取時(shí)，如特公昭59-9086號公報(bào)所揭示，從半導(dǎo)體激光裝置所射出之光束，經(jīng)過光學(xué)透鏡，被導(dǎo)引到光碟上之存儲位置，藉由以光檢測器所檢測出之反射光，讀取記錄于光碟之信息。于讀取時(shí)，將高頻率電流重疊于驅(qū)動上述半導(dǎo)體激光裝置之直流上，藉此，可以抑制從光碟來之半反射光射入上述半導(dǎo)體激光裝置所造成之半導(dǎo)體激光之光之輸出變動，像這樣之方式，是已知者。又，產(chǎn)生重疊于上述半導(dǎo)體激光裝置之驅(qū)動用之直流電流上之高頻電流所用之高頻產(chǎn)生裝置，其高頻產(chǎn)生時(shí)之不需要之輻射之對策，是設(shè)計(jì)其光拾取裝置等之機(jī)器時(shí)所應(yīng)該解決之重要設(shè)計(jì)條件之一，舉一個(gè)例子，以金屬殼密封機(jī)器內(nèi)之高頻產(chǎn)生部等之手段，藉此，解決不需要之輻射。第1圖是表示激光產(chǎn)生電路之一例之方框圖。如第1圖所示，光拾取裝置2是由高頻振蕩器3、半導(dǎo)體激光(未圖示)、可撓性印刷電路板(FPC)4等所形成，藉由上述FPC4而與控制電路5所連接。上述光拾取裝置2之接地線6，是經(jīng)由控制電路5內(nèi)之接地線，連接于光碟裝置1之框體之接地，成為接地7。驅(qū)動半導(dǎo)體激光裝置所用之高頻電流，是以圖1所示之光拾取裝置2之高頻置蕩器3所產(chǎn)生，所以，F(xiàn)PC4產(chǎn)生送信天線這樣之功能，造成產(chǎn)生不需要之輻射之原因。第2圖是表示圖1之激光產(chǎn)生電路之高頻振蕩器3之習(xí)知構(gòu)成之方框圖。如圖2所示，以激光驅(qū)動電路CT2內(nèi)之直流電電源LDD所產(chǎn)生之LD驅(qū)動電流，是成為以低通率波器FT1除去高頻雜訊之直流電流Idc，被供給到激光裝置LD1之激光驅(qū)動端子LDT。另一方面，高頻振蕩電路CT1所產(chǎn)生之高頻電流，經(jīng)由耦合電容Cc1，利用于與接地之間被并聯(lián)連接之匹配電容Cm1，來進(jìn)行阻抗匹配，作為高頻電流Iac，被供給到半導(dǎo)體激光裝置LD1之激光驅(qū)動端子LDT。耦合容量Cc1，是也產(chǎn)生將上述高頻振蕩電路CT1所產(chǎn)生之高頻電流，重疊于由直流電源LDD所供給之直流電流之作用。又，匹配電容Cm1，因?yàn)榘雽?dǎo)體激光裝置LD1是發(fā)生與電氣電感等效之動作，所以，匹配電容Cm1設(shè)定成與其并聯(lián)共振者。點(diǎn)線之激光驅(qū)動電路CT2之低通濾波器FT1，是防止從高頻振蕩電路CT1來之高頻電流，流入直流電流源LDD者，同時(shí)，使從耦合容量Cc1所看見之直流電流源LDD側(cè)之阻抗變高，使其不會影響到激光驅(qū)動電路CT2。半導(dǎo)體激光裝置LD1之接地端子GDT被接地，發(fā)光量確認(rèn)用之光探測器端子PD，連接于激光之控制電路。第3圖是表示第1圖與第2圖之激光產(chǎn)生電路之高頻振蕩器3之習(xí)知之內(nèi)部電路之電路圖。圖3是由點(diǎn)線所表示之中的電路之高頻振蕩電路CT1、及也是點(diǎn)線所表示之中之電路之激光驅(qū)動電路CT2、及耦合容量Cc1、匹配電容Cm1等所構(gòu)成，電力被從電源Vcc供給到高頻振蕩電路CT1，從電源Vcc來的電源供給線與光探測器端子到激光控制電路之線，在與接地之間具有比較大之電容之C4、C6，從直流電流源LDD到半導(dǎo)體激光裝置LD1之線，是如上述這樣，被插入構(gòu)成低通濾波器FT1之電感L3、L4，及電容C5。圖3中，于晶體管TR1之集極，從直流電源Vcc經(jīng)由電阻R1，直流電壓被施加，同時(shí)，于集極與基極間，連接自身偏壓電壓用之電阻R2。晶體管TR1之基極，被連接決定振蕩頻率之主要元件之電感L1與電容C1之串聯(lián)電路，另一方之端，被連接接地(GND)。然后，于射極與接地間，連接電阻R3與電感L2之串聯(lián)電路，于基極與射極間，經(jīng)由上述電阻R3，被連接回受用之電容C2。更者，耦合容量Cc1之一端，連接于電阻R3與電感L2之中間點(diǎn)，其他端作為振蕩輸出端，連結(jié)于半導(dǎo)體激光裝置LD1之一個(gè)端子，且，上述振蕩輸出端與接地間，連接電容Cm1。又，于晶體管體TR1之集極與接地間，并聯(lián)連接高頻旁通電容器用電容C3。半導(dǎo)體激光裝置LD1是如上所述，藉由半導(dǎo)體激光驅(qū)動用電源LDD(端子)所供給之直流電流所驅(qū)動，同時(shí)，高頻振蕩器CT來之高頻電流經(jīng)由容器C3，被重疊于上述直流電流。又，半導(dǎo)體激光LD1之發(fā)光量檢測用之光檢測器(PD)端子之輸出，被連接于外部控制部，但是，以上述半導(dǎo)體激光LD1之發(fā)光量成為所期望值之方式，被省略圖示之電路所控制。一方面，半導(dǎo)體激光LD1為電氣上為低阻抗，等效地，呈現(xiàn)有作為電感之特性，所以，電容C1、電感L2與半導(dǎo)體激光LD1串聯(lián)連接，包含容量Cc1在內(nèi)使其并聯(lián)共振，將高頻振蕩器之輸出電流，以最大地來供給半導(dǎo)體激光LD1之電路構(gòu)成。又，于直流電源Vcc(端子)與上述電阻R1之間，半導(dǎo)體激光驅(qū)動用電電源LDD(端子)與半導(dǎo)體激光LD1之端子之間，光探測器(PD)端子與半導(dǎo)體激光之端子之間，分別被插入電容C4、電感L3及L4及電容C5所形成之低通濾波器、容量C6，接地端子(GND)被接地。又，點(diǎn)線所表示之高頻振蕩電路CT1，是由晶體管TR1、電感L1、L2、C2、電阻R1、R2、R3所構(gòu)成，是所謂科耳皮茲型之振蕩電路。晶體管TR1之基極一射極間所串聯(lián)連接之電容C2與電阻R3之合成電容為C22’，電感L2上并聯(lián)連接由耦合容量Cc1及匹配電容Cm1所構(gòu)成之串聯(lián)電路之電路之阻抗為L22’，則振蕩頻率依據(jù)C1、L1、C22’、L22’構(gòu)成之振蕩環(huán)路之元件值所決定。像上述這樣，第3圖所示之激光產(chǎn)生電路之輸出頻率，是取決于構(gòu)成振蕩環(huán)路之元件、電感L1、容量C1、容量C2、電感L2、耦合容量Cc1及匹配容量Cm1之值，藉由變化其元件值，使激光產(chǎn)生電路之頻率成為可變。但是，其中，特別是，串聯(lián)電路之電感L1、容量C1之元件值具有決定影響。點(diǎn)線之激光驅(qū)動電路CT2內(nèi)之直流電流源LDD連接之低通濾波器，是像上述這樣，由電感L3、L4及容量C5所構(gòu)成，防止從高頻振蕩電路CT1來之高頻電流Iac流入直流電流源LDD，同時(shí)，使從容量Cc1所看到之直流電流源LDD側(cè)之阻抗提高，以使其影響不及激光驅(qū)動電路CT2側(cè)。于上述高頻振蕩器3中，放射不需要之輻射之部分，主要為，供給電源給高頻振蕩電路CT1之電源線(Vcc)、連接于直流電流源之激光驅(qū)動線(LDD)、確認(rèn)激光之發(fā)光量用之光探測器(PD)、接地線(GND)。像第3圖這樣，減低不需要之輻射之習(xí)知之手段，是藉由于電源Vcc等與接地GND間，插入大容量之旁通電容器C4或C6等，而使不需要之高頻電流流入接地側(cè)，或插入構(gòu)成低通濾波器之L3～4、C5，壓制不要之輻射。使用第3圖之電路構(gòu)成，表示所試作之激光產(chǎn)生電路之一例時(shí)，則使用2SC4184作為晶體管TR1，電阻R1為100Ω，電阻R2為10Ω，電阻R3為15Ω，容量C1為22pF，容量C2為22pF，容量C3為330P，容量Cc1為15pF，容量Cm1為56pF，電感L1為33nH，電感L3為39nH。又，不需要輻射阻止用之元件值，為電感L3、L4=27nH，容量C4為31pF，容量C5=1000pF，容量C6=330pF等。但是，于設(shè)有上述之不需要輻射減低用低通電容器C4或C6之高頻振蕩器3中，其所測定之不需要輻射之一例，如第4圖所示，例如，不能滿足FCC(美國聯(lián)邦通信委員會)所設(shè)定之規(guī)格者，常常發(fā)生，為了要滿足該規(guī)格，要調(diào)整不需要輻射特性，所以需要很大的調(diào)整功夫，或必須藉由金屬外殼予以遮蔽，像這些都是問題。第4圖是使用第3圖之上述元件值之激光產(chǎn)生電路之頻率對不需要輻射波之電界強(qiáng)度(dBμV/m)(輸出位準(zhǔn))之一例。第3圖之激光產(chǎn)生電路之振蕩頻率，為260MHz～300MNz之范圍，由該第4圖可知，對于不需要輻射波之FCC(B)規(guī)格(階段狀之限制值)，電界強(qiáng)度之測定值，是于800MHz～1200MHz之間，不會溢出，不能滿足規(guī)格是很清楚者。但是，為了輸出規(guī)定之光量之激光，不需要使激光產(chǎn)生電路之高頻信號之輸出變大，所以，必須接近輻射規(guī)格處予以設(shè)定。第5圖是表示以模式產(chǎn)生上述這樣之高頻振蕩部所產(chǎn)生之頻率成分與不需要輻射之規(guī)格之關(guān)系，如該圖所示，基波成分(f1)與第2(f2)、第3(f3)……等之高諧波成分會產(chǎn)生很多。一方面，一般而言，高頻振蕩電路CT1之輸出之一部份，會泄漏到外部，但是，不需要輻射之規(guī)格，是如第4圖所示，以各頻率成分之位準(zhǔn)值(峰值)所規(guī)定。如第4圖或第5圖所示，于實(shí)際制造時(shí)，將基波成分調(diào)整到輻射規(guī)格之極限時(shí)，于其高諧波成分等之頻率中，由于激光產(chǎn)生電路之個(gè)別差異，常常會產(chǎn)生超過輻射規(guī)格之問題。又，于第3圖之習(xí)知之電路，將由電感與電容所構(gòu)成之LC低通濾波器插入激光驅(qū)動用電源LDD，阻止高諧波成分，但是，要將不需要輻射完全抑制是很困難的，為了滿足規(guī)格，要將激光產(chǎn)生電路之元件值予以種種調(diào)整，需要很大的功夫，此為其問題。又，與上述相同地，將由電感與電容所構(gòu)成之LC低通濾波器插入電源Vcc電路，阻止高諧波時(shí)，與上述相同地，要將不需要輻射完全抑制使很困難地，為了滿足規(guī)格，要將激光產(chǎn)生電路之元件值予以種種調(diào)整，需要很大的功夫，此為其問題。又，以前，像上述這樣，為了獲得重疊效果之最佳值或所期望之值所作之，調(diào)整由于是以嘗試錯(cuò)誤來調(diào)整匹配電容Cm1之值，所以，其調(diào)整需要很大之功夫，增加成本。發(fā)明之公開本發(fā)明是以提供減低上述之不需要之輻射之激光產(chǎn)生電路為目的，更詳細(xì)地說，是提供于激光產(chǎn)生電路，即使將重疊于激光驅(qū)動用直流電源之高頻信號位準(zhǔn)弄小，也可以獲得充分之激光產(chǎn)生量之安定構(gòu)成，藉此減低不需要之輻射之激光產(chǎn)生電路，或提供藉由所需之最小限之零件，例如，使FCC充分滿足之方式極力減少不需要波之輻射之激光產(chǎn)生電路為目的。為了達(dá)成其目的，本發(fā)明使用以下所說明之各構(gòu)成及方法。(1)驅(qū)動半導(dǎo)體激光所用之高頻振蕩器，于其高頻振蕩器之接地線上，插入于其高頻振蕩器之振蕩高頻附近，呈現(xiàn)高阻抗之電感。(2)上述(1)之外，將以同樣之高頻振蕩器之振蕩頻率附近，呈現(xiàn)高阻抗之電感，也插入將電源供給高頻振蕩電路CT1之電源線(Vcc)、連接于直流電流源之激光驅(qū)動線(LDD)及激光之發(fā)光量確認(rèn)用之光探測器線(PD)。(3)上述(2)之外，使用鐵氧體磁珠(フエライトビ一ズ)，作為其高頻振蕩器之振蕩頻率附近呈現(xiàn)高阻抗之電感。(4)將鐵氧體磁珠使用于高頻振蕩電路之回授電路之儲能電路。(5)將半導(dǎo)體激光與高頻振蕩器之匹配電容，一起插入于高頻振蕩器之振蕩頻率，藉此，所期望之重疊效果可以用短時(shí)間之調(diào)整達(dá)成。(6)使重疊于激光驅(qū)動線路之高頻，不只包含基波、也包含2倍或3倍波等之高諧波，或使基波之振蕩電路成為復(fù)數(shù)，將2頻率以上之多頻率數(shù)予以重疊。附圖的簡單說明圖1是表示光拾取裝置之內(nèi)部構(gòu)成之圖。圖2是表示習(xí)知之激光產(chǎn)生電路之一例之方框圖。圖3是表示習(xí)知之激光產(chǎn)生電路之一路之電路圖。圖4是表示習(xí)知之激光產(chǎn)生電路之一例之不要之輻射之測定頻率及測定位準(zhǔn)及不需要輻射規(guī)格之關(guān)系圖。圖5是以模式表示激光產(chǎn)生電路之一例之基波、高諧波之頻譜數(shù)據(jù)及不需要輻射規(guī)格之關(guān)系之圖。圖6是表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之電路圖。圖7是表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之不需要輻射之測定頻率及測定位準(zhǔn)及不需要輻射規(guī)格之關(guān)系之圖。圖8是表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之電路圖。圖9是表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之電路圖。圖10是表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之電路圖。圖11是表示鐵氧體磁珠所代表之特性之圖。圖12(a)～(c)是表示鐵氧體磁珠陣列之構(gòu)造及完成之方塊之立體圖。圖13是表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之電路圖。圖14是以模式表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之基波、高諧波之頻譜數(shù)據(jù)及不需要之輻射規(guī)格之關(guān)系之圖。圖15是表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之頻譜之電路圖。圖16是從激光產(chǎn)生電路之驅(qū)動電流與半導(dǎo)體激光輸出之關(guān)系，說明重疊效果之圖。圖17是表示高諧波振蕩頻率為250MHz時(shí)之半導(dǎo)體激光之形式、重疊用電流之頻率與匹配電容之關(guān)系之圖。圖18是表示高諧波振蕩頻率為350MHz時(shí)之半導(dǎo)體激光之形式、重疊用電流之頻率與匹配電容之關(guān)系之圖。實(shí)施發(fā)明之最佳型態(tài)為了更詳細(xì)說明本案說明，依據(jù)附圖所示之適當(dāng)之實(shí)施例，作一說明。圖6是表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之電路圖。圖6之實(shí)施例之激光產(chǎn)生電路，與圖3之習(xí)知之激光產(chǎn)生電路之不同處是，將電感插入該激光產(chǎn)生電路之接地線，以高頻領(lǐng)域，切離高頻振蕩電路CT1之接地與控制裝置(PD)等之接地，使不需要之輻射不放射此點(diǎn)上。又，理想者為，該電感L5是如后述這樣，使用體氧體磁珠等來構(gòu)成最好。圖6之實(shí)施例，是由于本發(fā)明之發(fā)明者參加攜帶型無電電機(jī)等之設(shè)計(jì)，而研究出來者。攜帶型無線機(jī)等之設(shè)計(jì)，是電流產(chǎn)生磁場所用之足夠之線長或足夠之導(dǎo)電圖案面積，如果存在，則會產(chǎn)生電磁波之輻射，者是已知者。但是，激光用之高頻振蕩器之電路部，足夠小型(5mm×5mm)，從其電路部來之輻射幾乎完全沒有。所以，如果認(rèn)為激光用之高頻振蕩器之不需要輻射，是藉由從高頻振蕩器將接地線拉很長地圍繞，所產(chǎn)生者，則只要將地線從接地線切離，則可以減低上述不需要輻射，此為發(fā)明者所推測者。以圖7表示，對于依據(jù)上述之考量所試驗(yàn)之激光用高頻振蕩器，測定其不需要輻射之一例。圖7是表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之不需要輻射之測定頻率及測定位準(zhǔn)與不需要輻射規(guī)格之關(guān)系圖。圖6及圖7是試驗(yàn)之高頻振蕩電路CT1之振蕩頻率為300MHz，插入地線之電感之阻抗為300MHz約500歐姆。圖7可知，于無遮蔽殼之狀態(tài)下，充分滿足FCC規(guī)格，是很明白者。圖8是與插入圖7之地線之電感L5相同地，將高頻振蕩電路CT1及已高頻領(lǐng)域切離所用之電感L6～L8，插入于直流電源Vcc(端子)與上述電阻R1之間，插入半導(dǎo)體激光驅(qū)動用電源LDD(端子)與半導(dǎo)體激光LD1端子之間，使不會放射不需要輻射。表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之實(shí)施例之電路圖。又，較理想者，是該電感L6～L8也與上述L5相同地，使用后述之鐵氧體磁珠等來構(gòu)成最好。圖9是表示插入電容C7及電阻R4及電感L9所構(gòu)成之儲能電路，代替圖8之電路之高頻振蕩電路CT1之本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之電路圖。該儲能電路，由于藉由電容C7及電感L9之頻率特型可以獲得高回授量與安定之振蕩，所以被使用，但是，儲能電路之Q(頻率選擇特性)成為過高，為了避免引起自激振蕩等之異常，所以插入并聯(lián)之阻尼電阻之電阻R4，使Q下降。圖10是表示將圖9之電感L5～L8及儲能電路換成體氧體磁珠FB1～FB5之本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之電路圖。就如同圖6之實(shí)施例也說明過，電感最理想者是使用鐵氧體磁珠，其理由是體氧體磁珠于特定之頻率中，與高電感一起具有表示高純電阻值。藉由使用鐵氧體磁珠，圖9之儲能電路所要求之特性，是可以以1個(gè)鐵氧體磁珠構(gòu)成，為了將電波之輻射封了磁環(huán)內(nèi)，所以，可以減低對振蕩電路之影響。所以，可以達(dá)成振蕩之安定化。藉由該鐵氧體磁珠之使用，可以達(dá)成電路之小型化、低成本、振蕩之安定化。圖11是表示鐵氧體磁珠之代表性特性之圖。從圖11可以理解鐵氧體磁珠于特定之頻率，具有表示高阻抗及高純電阻之特性。圖12(a)～(b)是表示鐵氧體磁珠陣列之構(gòu)造與完成之塊之立體圖。圖12(a)是第1層之立體圖，圖12(b)是第2層之立體圖，第13(c)是將第12圖(a)與第12(b)輪流層積構(gòu)成之線圈4個(gè)予以收容之鐵氧體磁珠存儲體陣列(以下，稱FBA)之立體圖。該圖12(c)之FBA之形成法，是于圖12(a)所示之第1片之矩形之鐵氧體材片(以下，稱為綠片(グリ一ンシ一ト))11上，沿著形成綠片之矩形之直角之2邊之內(nèi)邊，將導(dǎo)電材料涂抹成半矩形狀，同時(shí)，于由其導(dǎo)電材料12所構(gòu)成之導(dǎo)體之始端部及終端部，分別設(shè)有導(dǎo)電材料之面積大之墊部之始端部13-1及終端部14-1。其次，于第2片之綠片上，對于剛才之第1片之綠片上之導(dǎo)電材料12，涂抹以綠片之中心作為旋轉(zhuǎn)軸，幾乎為點(diǎn)對稱之導(dǎo)電材料15之導(dǎo)體予以形成，于其導(dǎo)體之始端部及終端部，與第1片相同地，設(shè)有為墊部之始端部13-2及終端部14-2。同樣地，于綠片上，層積有將半矩形狀之導(dǎo)體圖案輪流涂抹者。上述層積之綠片上，以第1片之始端13-1作為輸入端子，第1片之終端14-1與第2片之始端13-2，以形成通孔，以獲得導(dǎo)通。同樣地，第2片之終端14-2與第3片之未圖示之始端一起，以通孔導(dǎo)通之作業(yè)重復(fù)，以最后之綠片之終端作為輸出端。像上述這樣，各綠片所設(shè)之導(dǎo)體之始端及終端，以通孔予以連接，藉此，從第1片之綠片之輸入端子到最后之綠片之輸出端子，導(dǎo)通之線圈被形成。將上述之方法所形成之線圈，以與輸入端子及輸出端子連結(jié)方向之垂直方向，并排4個(gè)塊化者，為第12圖(c)之FBA，形成每個(gè)各輸出入端子之組合獨(dú)立之電感。將該圖12(c)之FBA用于圖10之FB2～FB5，可以防止于直流電源Vcc、半導(dǎo)體激光驅(qū)動用電源LDD、半導(dǎo)體激光之發(fā)光量檢測用光檢測器(PD)電路、接地(GND)電路中，基波及高諧波成分向外部之電路擴(kuò)散。又，將該鐵氧體磁珠陣列FBA用于上述Vcc、LDD、PD、GND之各電路時(shí)，連接于晶體管TR1之集極之電源Vcc線之相位及晶體管TR1之射極所連接之半導(dǎo)體激光驅(qū)動用電源線LDD之相位，是彼此為逆相位，所以，F(xiàn)BA中，將不需要之輻射阻止用之電感予以接近配置之構(gòu)造，藉由串音彼此將不需要輻射成分抵消減低，所以，可以防止上述之基波與高諧波成分朝向外部之電路擴(kuò)散是可以想像地。以上是使用電感，從接地線切離激光產(chǎn)生電路之接地線，藉此，減低不需要輻射之激光產(chǎn)生電路之構(gòu)成，及作為電感使用之鐵氧體磁珠陣列之構(gòu)成，作了說明，其次，說明不使用電感，而可以減低不需要輻射之激光產(chǎn)生電路。圖13是表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之電路圖。該圖13所示之激光產(chǎn)生電路，是由以點(diǎn)線所圍著的第1高頻振蕩電路CT1，及點(diǎn)線所圍的第2的高頻振蕩電路CT21及剩下的半導(dǎo)體激光電路所構(gòu)成。圖1及圖2的高頻振蕩電路CT11、CT21是使用電流回授偏壓電路之所謂科耳皮茲型振蕩器，基極分壓電阻RB11、12及RB21、22之串聯(lián)電路，連接于直流電源Vcc與接地間，從其中點(diǎn)，電壓被供給到晶體管TR11及TR21之基極，同時(shí)，于TR11,TR21之集極，從Vcc介由電子R11、R21，被施加直流電壓。然后于晶體管TR11、TR12之基極與接地間，連接決定振蕩頻率之主要元件之電感L11、L21與電容C11、C21之串聯(lián)電路，于基極與射極間，電容C12、C22被并聯(lián)連接。更者，晶體管TR11、TR21之射極與接地間，被連接電感L12、L22，射極電阻R12、R22及射極電容C14、C24之并聯(lián)電路之串聯(lián)電路，同時(shí)，從晶體管TR11、TR21之射極，介由電容Cc11、Cc21，振蕩輸出電流被取出，將該高頻信號重疊于半導(dǎo)體激光驅(qū)動電源LDD來之直流電流，半導(dǎo)體激光LD11被驅(qū)動。又，直流電源Vcc被插入由電感L13與電容C15所構(gòu)成之低通濾波器，于晶體管TR11、TR21之集極與接地間，連結(jié)旁路電容器C13、C23。直流電源Vcc、半導(dǎo)體驅(qū)動用電源LDD所插入之低通濾波器極電感，是防止激光產(chǎn)生電路所產(chǎn)生之高諧波分介由電源線極其他之線，泄漏于其他之外部電路。又，半導(dǎo)體激光LD11之發(fā)光量檢測用之光檢測器(PD)端子之輸出是連接于外部控制部，上述半導(dǎo)體激光之發(fā)光量控制。圖13所示之高頻振蕩電路CT11，依存于構(gòu)成振蕩環(huán)路之元件、電L11、電容C11、電容C12、電感L12、電容C14、藕合電容Cc11、及匹配電容Cm11之值，又，高頻振蕩電路CT21，是依存于構(gòu)成振蕩環(huán)路之元件、電感L21、電容C21、電容C22、電感L22、電容C24、藕合電容Cc21、及匹配電容Cm11之值，藉由使這些元件值變化，而可以使振蕩頻率微可變；特別是，電感L11、電容C11之串聯(lián)電路之元件之值或電感L21、電容C21之串聯(lián)電路之元件之值是控制地。一方面，半導(dǎo)體激光LDD，是微電氣之低阻抗，等效地呈現(xiàn)電感特性，所以應(yīng)使其與其微并聯(lián)共振，將電容Cm11、電感L12與半導(dǎo)體激光LD11并聯(lián)連接，包含電容Cc11、電容C14，使其并聯(lián)共振，將高頻振蕩電路CT11之輸出電流，最大地供給半導(dǎo)體激光LD1之電路而構(gòu)成。同樣地，將電容Cm11、電感L22與半導(dǎo)體激光LD11并聯(lián)連接，將電容Cm21、電感L12與半導(dǎo)體激光LD11并聯(lián)連接，包含電容Cc21、電容C24，使半導(dǎo)體激光LD11并聯(lián)共振，將高頻振蕩電路CT21之輸出電流，最大地供給半導(dǎo)體激光LD11之電路而構(gòu)成。又，被插入值流電源Vcc之電感L13、電容C15所形成之低通濾波器，及被插入驅(qū)動用電源LDD之電感L14、電感L15、電容C16所構(gòu)成之低通濾波器，是防止高頻振蕩電路CT11、CT21所產(chǎn)生之高諧波成分，經(jīng)由電源線，泄漏于其他之電路方塊者。像這樣，以高頻振蕩電路CT11、及CT21所生成之2頻率以上之高頻電流，該高頻電流重疊于值流電流，驅(qū)動半導(dǎo)體激光LD11，藉此，減低不需要之輻射。圖14是以模式表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之基波、高諧波之頻譜數(shù)據(jù)及不需要輻射之關(guān)系的圖。如圖13所示，2臺之激光產(chǎn)生電路A、B之輸出成分之中，基波成分分別為fa1、fb1、高諧波成分為fa2、fb、……fa4、fb4，將其施加半導(dǎo)體激光LD之情況。像這樣，則與藉由重疊惟一之高頻之電源，驅(qū)動上述半導(dǎo)體激光LD時(shí)之情況相比，即使將各基波成分、高諧波成分都抑制于低輸出位準(zhǔn)，也可以獲得同樣重疊效果。藉此，藉由將各重疊用高頻振蕩器之輸出位準(zhǔn)控制低，可以使其不需要之輻射之位準(zhǔn)明顯地變小。圖15是表示本發(fā)明之激光產(chǎn)生電路之一實(shí)施例之頻譜之電路圖。構(gòu)成高頻振蕩器CT11及CT21之元件之值，是作為圖15之高頻振蕩電路CT11、CT21元件值，使用RB11(RB21)=2.2kΩ、RB12(RB22)=1kΩ、R11(R21)=30Ω、L11(L21)=15mH、C11(C21)=12pF、L12(L22)=39mH、R12(R22)=33Ω、C14(C24)=33pF、Cc11(Cc21)=2pF、C13(C23)=330pF、L13=L14=L15=27mH、C15=C16=330Pf、Cm11=13pF。高頻振蕩器CT11之振蕩頻率，是520MHz、輸出10.3dBm，高頻振蕩器CT21之振蕩是將上述元件值調(diào)整，成為600MHz、輸出10.3dB。圖15是表示將直流電流重疊于該2頻率之高頻率電流，施加于半導(dǎo)體激光，使發(fā)光3mW時(shí)之頻譜，高頻振蕩器CT21之基波之位準(zhǔn)，是-19.0dBm，高頻振蕩器CT11是控制于-21.0dBm。更者，高諧波成分即使是最大者，以1724MHz被抑制于-33.0dBm之小值。本發(fā)明的重疊用高頻振蕩器，系只要是產(chǎn)生高頻者，即使LD振蕩器、RC振蕩器及水晶振蕩器、陶瓷振蕩器等的壓電振蕩器，也有同樣的效果。這是確認(rèn)過者。又，實(shí)施例中，是使用2個(gè)不同頻率者，但是，也可以作用2個(gè)以上的復(fù)數(shù)的不同頻率。其次，說明上述的激光產(chǎn)生電路的調(diào)整方法。第16圖是從激光產(chǎn)生電路的驅(qū)動電流及半島以激光輸出的關(guān)系，說明重疊效果之圖。第16圖是以驅(qū)動電流(單元mA)為橫軸，以光輸出(單元mW)為縱軸，只以直流電流驅(qū)動半導(dǎo)體激光LD時(shí)的光輸出，以曲線A(重疊前A)表示，將高頻電流重疊到直流電流，驅(qū)動上述半導(dǎo)體激光LD時(shí)的光輸出，以曲線(重疊B)所示者。該第16圖中，例如，比較光輸出為5mW時(shí)的曲線A及曲線B，則重疊高頻電流的曲線B，只要以少許驅(qū)動電流即可。這時(shí)所謂重疊效果，要以曲線A及曲線B獲得同一光輸出，所需要的驅(qū)動電流之差，稱為調(diào)變度>將高頻電流重疊于驅(qū)動半導(dǎo)體激光LD的直流電流時(shí)，不只是基波成本，高諧波成分也與光輸出力變動的抑制，有很深的關(guān)連，這是大家所熟之者。一方面，不需要輻射的規(guī)格，是以各頻率成分的位準(zhǔn)值(峰值)所規(guī)定，無論是哪一個(gè)頻率，超越規(guī)格是不被允許者。其重疊用高頻振蕩器的頻率成分與不需要輻射規(guī)格的關(guān)系，是如第5圖所示，如該圖所示，藉由基波成分(f1)及第2(f2)、第3(f3)…的高諧波成分的存在，獲得上述的重疊效果。驅(qū)動第2圖或第3圖的半導(dǎo)體激光LD1的直流電流Idc，將高頻電流Iac重疊于上，藉此，將半導(dǎo)體激光LD1的光輸出值安定化的效果，是不只高頻振蕩電路CT1的輸出的基波成分f1，藉由其高諧波成分f2～f4等的存在，變成更大。此處，于第6圖及第8圖～第10圖的實(shí)施例，將高頻振蕩電路CT1的輸出，介由藕合電容Cc1，連接于半導(dǎo)體激光電路CT2，同時(shí)，將匹配電容CCm并聯(lián)連接于半導(dǎo)體激光LD1的LD端子與接地(GND)間。更者，介由低通濾波器或電感，藉由半導(dǎo)體激光LD驅(qū)動電流源LDD，將驅(qū)動電流供給半導(dǎo)體激光LD1。例如，使用第10圖，說明取高頻振蕩電路CT1與半討體激光LD1的阻抗匹配的過程。以前，都認(rèn)為是高頻振蕩電路CT1的輸出位準(zhǔn)愈大，重疊效果也愈大，但是，一邊將高頻振蕩電路CT1單體的輸出，以50Ω終端的測定器，例如光譜分析器觀測，調(diào)整為可獲得最大的輸出。晶由藕合電容Cc1，將高頻振蕩電路CT1連接于半導(dǎo)體激光LD1，測定半導(dǎo)體激光LD1的光輸出，測定重疊效果。如果重疊效果(重疊量)不是最大值或期望值時(shí)，交換匹配電容Cm1，再次測定重疊量的工程，一邊重復(fù)進(jìn)行，-邊以試錯(cuò)法調(diào)整匹配電容Cm1之值。因此，應(yīng)改善該匹配電容Cm1的調(diào)整法，為了使高頻振蕩電路CT1的頻率、半導(dǎo)體激光LD1的形式與匹配電容Cm1的關(guān)系明確，所以進(jìn)行種種的實(shí)驗(yàn)。第17圖是表示高頻振蕩頻率為250MHz時(shí)的半導(dǎo)體激光的形式、重疊用電流的頻率及匹配電容的關(guān)系之圖。第17圖是使用2種的半導(dǎo)體激光A、B，將高頻振蕩電路CT1的振蕩頻率設(shè)定于例如250MHz時(shí)，測定匹配電容Cm1(PF)及重疊量(mA)及高頻振蕩器50Ω終端時(shí)的輸出位準(zhǔn)(dBm)的關(guān)系圖?？梢灾溃S著半導(dǎo)體激光的種類，表示重疊效果(重疊量)的最大值的匹配電容值Cm1不同，及高頻振蕩電路CT1的輸出位準(zhǔn)的最大值與重疊量的最大值之間，沒有任何關(guān)系。第18圖是表示高頻振蕩頻率為350MHz時(shí)的半導(dǎo)體激光的形式、重疊用電流的頻率及匹配電容的關(guān)系之圖。第18圖是使用與第17圖相同的形式的半導(dǎo)體激光A、B，將高頻振蕩電路CT1的頻率設(shè)于350MHz時(shí)，測定重疊量及50Ω終端時(shí)的輸出位準(zhǔn)及匹配電容Cm1關(guān)系圖。可以知道，即使使用同一形式的半導(dǎo)體激光，藉由重疊于半導(dǎo)體激光的LD驅(qū)動用直流電流的高頻電流的頻率，重疊量呈現(xiàn)最大的匹配電容Cm1的值不同。藉由以上的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，可以知道，半導(dǎo)體激光的重疊效果的最大值，依存于半導(dǎo)體激光的形式、重疊的高頻電流的頻率。所以，于每次事先組合半導(dǎo)體激光的形式及重疊的振蕩器的頻率，使匹配電容Cm變化，先取得重疊量的數(shù)據(jù)，用于激光產(chǎn)生電路的半導(dǎo)體激光的形式及重疊用的頻率電流的頻率的要求如果決定，也就是匹配電容被決定。又，重疊量的要求不一定是在值，也有指定離最大值很遠(yuǎn)的值是。對于這樣的要求，激光的形式、重疊用的高頻振器的頻率及匹配電容Cm的數(shù)據(jù)，被事先準(zhǔn)備，則可以容易地決定匹配電容。半導(dǎo)體激光、高頻振蕩器、藕合電容、匹配電容及電容所形成的激光產(chǎn)生電路中，事先，于每次上述半導(dǎo)體激光及上述高頻振蕩器的頻率的組合，使上述匹配電容變化，測定頻率重疊的量，依據(jù)該數(shù)據(jù)，可以獲得最大的匹配電容，可以調(diào)整上述匹配電容使成為所期望的重疊量。以上的各實(shí)施例所示的本發(fā)明，是將信息寫入使用激光的高密度存儲信息記錄媒體(光碟)，或?qū)⒈粚懭氲男畔⒂枰宰x取所用的光拾取裝置，于高頻電路的接地線及裝置的接地線之間，插入以高頻呈現(xiàn)高阻抗之，例如電感器等的裝置，使以前于高頻振蕩器及控制裝置之間所必須要的金屬盒等的所謂的遮蔽盒成為不需要，達(dá)成小型化，達(dá)成不只使可動性優(yōu)良的拾取器的構(gòu)成為可能，也使成本降低也成為可能的效果。更者，于直流電源供應(yīng)路徑、及直流激光驅(qū)動電流供給路徑、及發(fā)光量的確認(rèn)路徑中，與上述接地線相同地，插入以高頻呈現(xiàn)高阻抗之，例如電感器等的裝置，藉此，使高頻振蕩器與控制裝置側(cè)可以以高頻分離，使與上述相同的小型化或可動性優(yōu)良的拾取器的構(gòu)成成為可能，使成本減低成為可能。更者，上述的電感器等的裝置，使用鐵氧體磁珠，使電路的小型化或成本降低成為可能，將其鐵氧體磁珠使用于上述復(fù)數(shù)的路徑時(shí)，使用鐵氧體磁珠陣列，更可以獲得相位不同的不需要輻射的相抵的效果。于高頻振蕩電路的信號回授路徑中，插入以高頻呈現(xiàn)高阻抗的例如電感器等的裝置，可以獲得送訊的安全化，以其電感器等的裝置作為鐵氧體磁珠，使電路的小型化及低成本化成為可能。又，本發(fā)明是，藉由可以振蕩2個(gè)基波的高頻振蕩電路或利用基波及其諧波的高頻振蕩電路，將2個(gè)不同的高頻信號，重疊于直流激光驅(qū)動電流，驅(qū)動半導(dǎo)體激光而構(gòu)成者，藉此，即使將其高頻振蕩電路來的基波或高諧波之位準(zhǔn)抑制成很低，也可以化得足夠的重疊效果，所以，可以將高頻振蕩電路的不需要的輻射顯著地降低。符號說明R1電阻R2電阻R3電阻LD1半導(dǎo)體激光L3、L4電感C5電容L21電感C21電容C22電容權(quán)利要求1.一種使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其具有接受直流電源的供給以產(chǎn)生高頻電流的至少1個(gè)的高頻振蕩電路；有接地端子，接受從激光驅(qū)動電流源來的直流激光驅(qū)動電流產(chǎn)生激光將其放出，同時(shí)接受其反射光，進(jìn)行發(fā)光量確認(rèn)輸出的半導(dǎo)體激光裝置；被插入于上述高頻振蕩電路與上述半導(dǎo)體激光裝置之間，使上述高頻振蕩電路和上述半導(dǎo)體激光裝置進(jìn)行耦合，于上述直流激光驅(qū)動電流上，重疊上述高頻電流的藕合電容；及被插入于上述直流激光驅(qū)動電流的輸出端子與接地端子間，將上述高頻電流進(jìn)行阻抗匹配的匹配電容，其特征為將具有上述高頻振蕩電路的振蕩頻率的高阻抗的電感元件，至少插入于從上述接地端子到控制上述激光產(chǎn)生電路的其他之內(nèi)部電路的接地部的路徑上，經(jīng)由該電感元件，將接地端子和內(nèi)部電路連接。2.如權(quán)利要求1所述的使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其中，上述高頻振蕩電路的信號回授路徑上，設(shè)有對于規(guī)定的頻率具有高阻抗的電路。3.如權(quán)利要求2所述的使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其中，具有上述高阻抗的電路，是以鐵氧體磁珠所構(gòu)成。4.如權(quán)利要求1所述的使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其特征是上述接地端子，是從上述高頻振蕩電路的直流電流源供給路徑上、上述直流激光驅(qū)動電流路徑上、上述發(fā)光量的確認(rèn)輸出路徑上，分別經(jīng)由接地電容，被電氣連接。5.一種使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其至少具備有直流電源供給端子；半導(dǎo)體激光驅(qū)動電源供給端子；半導(dǎo)體激光的發(fā)光量確認(rèn)用端子；接地端子；及高頻振蕩電路，將上述高頻振蕩電路的輸出重疊于上述半導(dǎo)體激光驅(qū)動電源而構(gòu)成的；其特征為至少于上述接地端子上，插入于上述高頻振蕩電路的振蕩頻率，具有高阻抗的電感元件，經(jīng)由該電感元件，連接接地端子及電感元件。6.如權(quán)利要求5所述的使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其中，具有上述高阻抗的電感元件，是鐵氧體磁珠的電感元件。7.如權(quán)利要求4所述的使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其中上述高頻振蕩電路的信號回授路徑上，設(shè)有對于規(guī)定的頻率具有高阻抗的電路。8.如權(quán)利要求7所述的使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其中上述具有高阻抗的電路，是以鐵氧體磁珠所構(gòu)成的。9.一種使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其至少具備高頻振蕩電路，將上述高頻振蕩電路輸出重疊于半導(dǎo)體激光驅(qū)動電源而構(gòu)成的，其特征是上述高頻振蕩電路，是具備有于信號回授電路的路徑中，對于所要的頻率具有高阻抗的電路；該具有高阻抗的電路是使用鐵氧體磁珠的電感元件。10.如權(quán)利要求1所述的使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其中，將上述電感元件，加入到從上述接地端子到控制上述激光產(chǎn)生電路的其他的內(nèi)部電路的接地部的路徑上，并插入上述高頻振蕩電路的直流電源供給電路路徑上、上述直流激光驅(qū)動電流路徑上、及上述發(fā)光量的確認(rèn)輸出的路徑上。11.如權(quán)利要求10所述的使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其中上述阻抗元件是以鐵氧體磁珠所構(gòu)成。12.如權(quán)利要求11所述的使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其中上述阻抗元件，是由將多個(gè)的鐵氧體磁珠予以一體化的鐵氧體磁珠陣列所構(gòu)成。13.一種使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其是至少具備有直流電源供給端子；半導(dǎo)體激光驅(qū)動電源供給端子；半導(dǎo)體激光發(fā)光量確認(rèn)用端子；接地端子；及高頻振蕩電路，其是將上述高頻振蕩電路的輸出重疊于上述半導(dǎo)體激光驅(qū)動電源而構(gòu)成的，其特征為于上述直流電源供給端子、上述半導(dǎo)體激光驅(qū)動電源供給端子、上述半導(dǎo)體激光的發(fā)光量確認(rèn)用端子及接地端子上，插入將復(fù)數(shù)的鐵氧體磁珠所形成的電感元件一體化的鐵氧體磁珠陣列，經(jīng)由該電感元件，連接上述各端子及內(nèi)部電路。14.如權(quán)利要求10所述的使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其中上述高頻振蕩電路的信號回授路徑上，設(shè)有對于規(guī)定的頻率具有高阻抗的電路。15.如權(quán)利要求14所述的使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其中上述具有高阻抗的電路，是以鐵氧體磁珠所構(gòu)成。16.一種使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其具有接受直流電源的供給，產(chǎn)生高頻電流的至少1個(gè)的高頻振蕩電路；有接地端子，接受從激光驅(qū)動電流源來的直流激光驅(qū)動電流，產(chǎn)生激光將其放出，同時(shí)接受其反射光，進(jìn)行發(fā)光量確認(rèn)輸出的半導(dǎo)體激光裝置；被插入于上述高頻振蕩電路與上述半導(dǎo)體激光裝置之間，將上述高頻振蕩電路和上述半導(dǎo)體激光裝置耦合，于上述直流激光驅(qū)動電流上，重疊上述高頻電流的藕合電容；及被插入于上述直流激光驅(qū)動電流的輸入端子與接地端子間，將上述高頻電流進(jìn)行阻抗匹配的匹配電容，其特征為上述高頻振蕩電路的高諧波電流輸出，是于振蕩頻率的基波輸出上，至少重疊1種的高諧波輸出的輸出。17.一種使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其具有接受直流電源的供給，產(chǎn)生高頻電流的至少1個(gè)的高頻振蕩電路；有接地端子，并接受從激光驅(qū)動電流源來的直流激光驅(qū)動電流，產(chǎn)生激光將其放出，同時(shí)接受其反射光，進(jìn)行發(fā)光量確認(rèn)輸出的半導(dǎo)體激光裝置；被插入于上述高頻振蕩電路和上述半導(dǎo)體激光裝置之間，使上述高頻振蕩電路和上述半導(dǎo)體激光裝置耦合，于上述直流激光驅(qū)動電流上，重疊上述高頻電流的藕合電容；及被插入于上述直流激光驅(qū)動電流的輸入端子與接地端子間，將上述高頻電流進(jìn)行阻抗匹配的匹配電容，其特征為上述高頻產(chǎn)生電路，是以復(fù)數(shù)的高頻產(chǎn)生電路所構(gòu)成，復(fù)數(shù)的振蕩頻率的基波輸出，作為高諧波電流輸出，重疊于上述直流激光驅(qū)動電流。18.如權(quán)利要求17所述的使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其中上述高頻振蕩電路的高諧波電流輸出，是上述復(fù)數(shù)的振蕩頻率的各基波輸出，至少重疊1種的高諧波輸出的輸出。19.一種使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其至少具備有高頻振蕩電路，其是將上述高頻振蕩電路輸出重疊于半導(dǎo)體激光驅(qū)動電源而構(gòu)成，其特征為上述高頻振蕩電路產(chǎn)生復(fù)數(shù)的振蕩頻率信號，將該復(fù)數(shù)的高頻振蕩信號重疊于半導(dǎo)體激光驅(qū)動電源而構(gòu)成。20.如權(quán)利要求19所述的使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路，其中上述高頻振蕩電路系含有復(fù)數(shù)之高頻振蕩器而構(gòu)成。全文摘要一種使用半導(dǎo)體激光裝置的激光產(chǎn)生電路,具有接受直流電源的供給產(chǎn)生高頻電流的至少一個(gè)的高頻振蕩電路;有接地端子、接受從激光驅(qū)動電源來的直流激光驅(qū)動電流,產(chǎn)生激光將其放出,并接受其反射光,進(jìn)行發(fā)光量確認(rèn)輸出的半導(dǎo)體激光裝置;被插入于高頻振蕩電路與半導(dǎo)體激光裝置之間,將高頻振蕩電路及半導(dǎo)體激光裝置耦合,于直流激光驅(qū)動電流的輸入端子與接地端子間,將高頻電流進(jìn)行阻抗匹配的匹配電容,其將具有高頻振蕩電路的振蕩頻率的高阻抗的電感元件,至少插入于從接地端子到控制激光產(chǎn)生電路的其他之內(nèi)部電路的接地部的路徑上,經(jīng)由該電感元件,將接地端子以及內(nèi)部電路連接。文檔編號G11B7/125GK1219266SQ98800282公開日1999年6月9日申請日期1998年3月12日優(yōu)先權(quán)日1997年3月13日發(fā)明者石田匡亨,佐藤富雄,長谷川伸申請人:東洋通信機(jī)株式會社