專利名稱：內(nèi)容尋址存儲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種由使用匹配檢測信號的多個內(nèi)容尋址存儲器單元組成的內(nèi)容尋址存儲器(一般相關(guān)存儲器)。特別是，本發(fā)明涉及一種內(nèi)容尋址存儲器存儲裝置，在這種內(nèi)容尋址存儲器存儲裝置中，匹配操作的數(shù)量被減少。
內(nèi)容尋址存儲器(下面稱之為“CAM”)將預(yù)先存儲在存儲器中的數(shù)據(jù)與外部提供的檢索數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，確定是否具有匹配的存儲數(shù)據(jù)，和如果獲得匹配數(shù)據(jù)則提取所存儲數(shù)據(jù)的地址。
圖6示出了根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的一個CAM結(jié)構(gòu)的例子。這里，一個位表示一個字，并示出了在一個沒有列結(jié)構(gòu)中的CAM。
如圖6所示，以矩陣的形式排列了一個CAM單元A11-Anm陣列。在CAM單元行方向上延伸的選擇控制線(下面稱2為“字線”)WL1和在所述CAM單元行方向上延伸的用于傳送匹配結(jié)果的匹配檢測信號線(下面稱之為“匹配線”)ML1被共同連接到在那個行中的所有CAM單元A11-A1m上。字線WL2-WLn和匹配線ML2-MLn被類似地共同連接到在所述相應(yīng)行中的所有CAM單元上。字線WL1-WLn被連接到地址譯碼器100上。匹配線ML1被連接到匹配線預(yù)充電電路111和匹配檢測電路103上。其它匹配線ML2-MLn被類似地分別連接到匹配線與充電電路112-11n和匹配檢測電路103上。
匹配檢測電路103輸出已經(jīng)實現(xiàn)與檢索數(shù)據(jù)匹配的CAM的地址。匹配線預(yù)充電電路111-11n響應(yīng)來自一個控制電路101的預(yù)充電信號PC對連接到預(yù)定電位的匹配線ML1-MLn在每個字線的基礎(chǔ)上進(jìn)行預(yù)充電。
檢索數(shù)據(jù)輸入電路120具有數(shù)據(jù)輸入線D1并由來自所述控制電路101的預(yù)充電信號PC控制將檢索數(shù)據(jù)傳送給一對檢索數(shù)據(jù)線CD1和CD1B。檢索數(shù)據(jù)輸入電路121-12m被以和檢索數(shù)據(jù)輸入電路120類似的方式構(gòu)成和以類似的方式工作。
所述一對檢索數(shù)據(jù)線CD1和CD1B被連接到在相應(yīng)列中的所有CAM單元A11-An1上，其它對檢索數(shù)據(jù)線CD2-CDm、CD2B-CDmB被類似地連接到所述相應(yīng)列的所有CAM單元上。
具有輸入地址A1-An的地址譯碼器100由來自具有時鐘輸入端CLK的控制電路101的信號控制，并控制所述字線WLl-WLn的選擇。
數(shù)據(jù)被預(yù)先存儲在CAM單元的存儲器部分。存儲數(shù)據(jù)的一個例子如下WLl行方向-A11,A12,A13,A1m:0,0,0,0WL2行方向-A21,A22,A23,A2m:0,1,0,1WLn行方向-An1,An2,An3,Anm:1,1,1,1假設(shè)檢索數(shù)據(jù)是1,1,1,1。當(dāng)所有的“1”被作為數(shù)據(jù)輸入D1-Dm施加時，檢索數(shù)據(jù)被分別傳送給所有對檢索數(shù)據(jù)線CD1-CDm,CD1B-CDmB。此時，在字線WLn行方向CAM單元An1-Anm中的所有存儲數(shù)據(jù)位與所述檢索數(shù)據(jù)相匹配，并在匹配線MLn上輸出一個匹配信號。利用匹配檢測電路103檢測字線WLn行方向CAM單元An1-Anm的地址。當(dāng)使用被檢測出的地址讀其它存儲器裝置的數(shù)據(jù)時，可以獲得與所述CAM字線WLn的行方向CAM數(shù)據(jù)對應(yīng)的信息。
如果已經(jīng)存儲在所述CAM單元存儲器都分中的多項數(shù)據(jù)是相同的，例如WL1行方向-A11,A12,A12,A1m:0,0,0,0WL2行方向-A21,A22,A23,A2m:0,1,0,lW1n行方向-An1,An2,An3,Anm:1,1,1,1那么，在檢索數(shù)據(jù)是1,1,1,1的情況下，字線WLn和WL2的某些行方向CAM單元將提供與檢索數(shù)據(jù)的匹配。
如果與所述CAM字線WL2的行方向CAM對應(yīng)的信息是希望的，首先檢測字線WLn的行方向CAM單元的地址和通過使用這個地址從其它存儲器裝置中讀出數(shù)據(jù)獲得信息。接著，檢測所述字線WL2所述行方向ACAM單元的地址并使用這個地址讀出其它存儲器裝置中的數(shù)據(jù)，借此，獲得與所述CAM字線WL2的行方向CAM數(shù)據(jù)對應(yīng)的信息。如果存儲在CAM單元存儲器部分中的數(shù)據(jù)在每行基礎(chǔ)上提供多個與所述檢索數(shù)據(jù)的匹配，那么，檢索的數(shù)量將等同于這些字線的數(shù)量。檢索的數(shù)量然后可以根據(jù)檢索數(shù)據(jù)的內(nèi)容指出冗余。
圖7簡要示出了根據(jù)現(xiàn)有計數(shù)的CAM單元電路的結(jié)構(gòu)。
如圖7所示，CAM單元電路包括一個存儲器部分(靜態(tài)RAM)212和一個用于將所存儲的數(shù)據(jù)和檢索數(shù)據(jù)進(jìn)行比較的比較器電路部分213。
存儲器部分212和比較器電路部分213包括被構(gòu)成一個觸發(fā)器的反相器201和202；N-溝道MOS晶體管(下面稱之為“NMOS晶體管”)203、204、205、206和207；一對檢索線CD208、CDB209；用于控制向存儲器部分寫入數(shù)據(jù)的字線WL210和用于輸出表示在每行基礎(chǔ)上在相關(guān)個別字線上是否實現(xiàn)所存儲的數(shù)據(jù)與檢索數(shù)據(jù)相匹配的信息的匹配線ML211。
圖8例示了由圖7中的CAM單元電路所構(gòu)成的電路中的一個字部分。
圖8示出了與圖7所示CAM單元相同的CAM單元311-31m，并且所述CAM單元中的每一個都通過一對在所述列方向中的檢索數(shù)據(jù)線ACD1-CS1B到CDM-CDMB共同連接到一起。
所提供的檢索數(shù)據(jù)輸入電路120-12m用于各個列并具有數(shù)據(jù)輸入端D1-Dm。另外，檢索數(shù)據(jù)輸入電路120-12m由在檢索數(shù)據(jù)線CD1上的預(yù)充電信號PC控制并在檢索數(shù)據(jù)線CD1、CD1B和CDm和CDmB上傳送檢索數(shù)據(jù)。檢索數(shù)據(jù)線CD1B傳送在檢索數(shù)據(jù)線CD1上與所述數(shù)據(jù)反相的數(shù)據(jù)。
匹配線預(yù)充電電路111由P-溝道晶體管(下面稱之為“PMOS”)組成。預(yù)充電信號PC輸入這個PMOS晶體管的柵極。一個擴散層(例如源極)被連接到電源VDD，其它的擴散層(漏極)被連接到在所述行方向中的CAM的匹配線ML1。提供一個匹配線預(yù)充電電路，用于在所述行方向中的每個獨立匹配線和根據(jù)預(yù)充電信號PC的控制對所述匹配線進(jìn)行充電。
在所述CAM單元行方向中的字結(jié)構(gòu)包括m個利用在所述行方向中的字線WL1和匹配線ML1連接到一起的CAM單元。在所述CAM單元行方向中的其它字結(jié)構(gòu)322-32n被分別利用字線WL2-WLn和匹配線ML2-MLn連接到一起。
下面結(jié)合圖7描述檢索和比較操作。
在檢索和比較部分中，在一對檢索數(shù)據(jù)線CD208和CD209上傳送檢索數(shù)據(jù)之前，在每個字線的基礎(chǔ)上將相關(guān)字線的匹配線ML充電到VDD電平(電源電壓)(其中，在CDB上的信號是在CD上信號的互補信號)。檢索數(shù)據(jù)經(jīng)過檢索數(shù)據(jù)輸入電路被傳送給一對檢索數(shù)據(jù)線CD208和CDB209，從而可以執(zhí)行檢索和比較操作。
假設(shè)檢索數(shù)據(jù)和所存儲的數(shù)據(jù)匹配。如果圖7所示檢索數(shù)據(jù)線CD208處于VDD電平(檢索數(shù)據(jù)線CDB209、即與在CD208上數(shù)據(jù)反相的數(shù)據(jù)處于地GND電平)和在節(jié)點214處存儲的數(shù)據(jù)處于VDD電平(在節(jié)點215處的存儲數(shù)據(jù)處于GND電平)，那么，其柵極被提供有節(jié)點214處電位的NMOS晶體管205被激活(NMOS晶體管206被截止)，這樣，檢索數(shù)據(jù)線CD208上的電位被經(jīng)過NMOS晶體管205傳送給NMOS晶體管207的柵極。然后，NMSO晶體管207的柵極處于高電平和NMOS晶體管207導(dǎo)通。預(yù)充電匹配線ML211上的電位被經(jīng)過NMOS晶體管207放電的地電位。
假設(shè)檢索數(shù)據(jù)與所存儲的數(shù)據(jù)不匹配。如果圖7所示檢索數(shù)據(jù)線CD208處于地電平(檢索數(shù)據(jù)線CDB209、即與CD208上的數(shù)據(jù)反相的數(shù)據(jù)處于VDD電平)和在節(jié)點204處所存儲的數(shù)據(jù)處于VDD電平(在節(jié)點215處存儲的數(shù)據(jù)處于地電平)，那么，NMOS晶體管205被激活(NMOS晶體管206被截止)，這樣，檢索數(shù)據(jù)線CD208的電位經(jīng)過NMOS晶體管205被傳送給NMOS晶體管207的柵極。NMOS晶體管207的柵極逆轉(zhuǎn)到低電平和NMOS晶體管207被截止。結(jié)果是匹配線ML211保持在預(yù)充電電位。
如圖6和8所示，每個字線的CAM單元都被那一行的匹配線連接到一起。因此，如果檢索的結(jié)果是與那一行中的任一單元匹配，那么，相關(guān)字線的的匹配線被放電到地電平。如果檢索的結(jié)果是與所有的單元都不匹配，那么，相關(guān)字線的匹配線被保持在預(yù)充電電位。
圖9的定時曲線示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)CAM電路的操作。時鐘CLK和預(yù)充電信號PC同步和同相位。當(dāng)時鐘處于高電平(時鐘1)時，則對應(yīng)于CAM數(shù)據(jù)檢索間隔。當(dāng)時鐘處于低電平(時鐘2)時，則對應(yīng)于匹配線預(yù)充電間隔。
如果在時鐘1(CAM數(shù)據(jù)檢索間隔)期間預(yù)充電信號PC的VDD電平進(jìn)入在由這個PMOS晶體管構(gòu)成的匹配線預(yù)充電電路111中的PMOS晶體管的柵極，所述PMOS晶體管將被激活并結(jié)束預(yù)充電。
預(yù)充電匹配線的電位根據(jù)在所述CAM中數(shù)據(jù)檢索的結(jié)果而變化。如果檢索的結(jié)果是匹配，那么所述匹配線將進(jìn)入地電位。另一方面，如果檢索結(jié)果是沒有匹配，那么，所述匹配線被保持在預(yù)充電電位。假設(shè)檢索數(shù)據(jù)在時鐘CLK上升的同時被傳送給所述檢索數(shù)據(jù)線和在一個周期之內(nèi)所述檢索數(shù)據(jù)不變。當(dāng)檢索數(shù)據(jù)從數(shù)據(jù)輸入端D進(jìn)入時，檢索數(shù)據(jù)被從檢索數(shù)據(jù)輸入電路輸出并在一對檢索數(shù)據(jù)線CD和CDB上傳送。
如果在時鐘2(匹配線預(yù)充電間隔)期間預(yù)充電信號PC的地電平進(jìn)入在匹配線預(yù)充電電路111中的PMOS晶體管的柵極，那么，PMOS晶體管被激活(導(dǎo)通)。結(jié)果是VDD電平被傳送給所述匹配線和相關(guān)字線的匹配線被預(yù)充電到VDD電平。另外，當(dāng)預(yù)充電信號PC的地電平被輸入給檢索數(shù)據(jù)輸入電路時，后者在一對檢索數(shù)據(jù)線CD和CDB上傳送地電平而與檢索數(shù)據(jù)的內(nèi)容無關(guān)。因此，NMOS晶體管207的柵極被截止，結(jié)果是在所述匹配線上的預(yù)充電無效。
周期A被用于檢索數(shù)據(jù)和存儲數(shù)據(jù)匹配的情況。由于檢索結(jié)果是匹配，在時鐘1的CAM數(shù)據(jù)檢索間隔內(nèi)，所述匹配線ML被從預(yù)充電電位放電到地電位。當(dāng)后面的時鐘處于低電平(時鐘2)時，匹配線ML被預(yù)充電。
周期B被用于檢索數(shù)據(jù)和存儲數(shù)據(jù)不匹配的情況。由于檢索的結(jié)果是不匹配，在時鐘1的CAM數(shù)據(jù)檢索間隔內(nèi)，所述匹配線ML被保持在預(yù)充電電位。當(dāng)后面的時鐘處于低電平(時鐘2)時，執(zhí)行到匹配線預(yù)充電間隔的轉(zhuǎn)換，但所述匹配線保持在預(yù)充電電位。
通過利用圖6所示匹配檢測電路103在所述時鐘1的CAM數(shù)據(jù)檢索間隔中檢測所述匹配線ML的電位電平，可以確定在CAM中的檢索結(jié)果是匹配還是不匹配。
在日本專利公開JP-A-62-293596(1987)說明書中披露的傳統(tǒng)內(nèi)容尋址存儲器裝置是一個字由n個位組成。所述裝置包括一個譯碼器，該譯碼器執(zhí)行與在n位數(shù)據(jù)中寫入相關(guān)的字選擇；第一內(nèi)容尋址存儲器單元陣列，在該陣列中，一個字由m位組成；第一讀出放大器，用于讀出由所述第一內(nèi)容尋址存儲器單元陣列執(zhí)行的比較結(jié)果；第二內(nèi)容尋址存儲器單元陣列，在該陣列中，一個字由n-m位組成，用于使用第一讀出放大器的輸出執(zhí)行比較操作；和第二讀出放大器，用于根據(jù)第一讀出放大器的輸出讀出由所述第二內(nèi)容尋址存儲器單元陣列執(zhí)行的比較結(jié)果，借此，可以指望減少在比較操作時的功耗。
下面將描述能夠克服上述現(xiàn)有技術(shù)CAM存在的若干問題的本發(fā)明。
一個問題是需要大量的檢索操作以實現(xiàn)單一匹配。其原因如下；在傳統(tǒng)的CAM中要針對每個地址和每個字執(zhí)行數(shù)據(jù)檢索從而使所述檢索變得非常煩瑣、或可以根據(jù)檢索數(shù)據(jù)的內(nèi)容執(zhí)行與字線數(shù)量的次數(shù)相等的數(shù)據(jù)檢索。換言之，如果當(dāng)使用已經(jīng)在所述CAM中檢測到的一個地址讀出在另一個存儲器裝置中的數(shù)據(jù)時已經(jīng)存儲在所述CAM單元存儲器部分中的多個數(shù)據(jù)項是相同的，那么，執(zhí)行所述檢索直到獲得所希望的信息為止和這種檢索的次數(shù)與所存儲數(shù)據(jù)的相同項的數(shù)量相同。
另外的一個問題是導(dǎo)致功耗增加的不必要的電流。
當(dāng)作為在連接到在由傳統(tǒng)CAM單元組成的內(nèi)容尋址存儲器裝置中相關(guān)字線的匹配線上的所有CAM中進(jìn)行數(shù)據(jù)檢索的結(jié)果獲得一個匹配時，通過在CAM單元數(shù)據(jù)檢索部分中的晶體管的導(dǎo)通，所述匹配線被充電和放電。接著，字線的數(shù)量和位長被加大，從而導(dǎo)致功耗的增加。之所以這樣的原因是當(dāng)考慮到一個單個字線的比較結(jié)果指出總的匹配時，所述CAM單元的所有數(shù)據(jù)檢索部分都進(jìn)行工作，從而使在檢索之前充電的部分匹配線放電和產(chǎn)生不必要的功耗。
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種內(nèi)容尋址存儲器，在這種存儲器中，當(dāng)CAM工作時，數(shù)據(jù)檢索操作的數(shù)量被減少并具有較小的功耗。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，通過提供一個具有地址譯碼器、控制電路、用于向內(nèi)部電路輸入保持?jǐn)?shù)據(jù)和檢索數(shù)據(jù)的檢索數(shù)據(jù)輸入電路、用于向結(jié)果匹配信號線(下面稱之為“匹配線”)充電的匹配線預(yù)充電電路和用于檢測在一個匹配線上是否已經(jīng)獲得一個匹配的匹配檢測電路的內(nèi)容尋址存儲器來實現(xiàn)上述目的。所述內(nèi)容尋址存儲器包括匹配選擇控制電路，作為輸入，該匹配選擇控制電路被連接有作為地址譯碼器輸出的多個字線，用于提供作為用于匹配線禁止信號的預(yù)定電位(例如電源電位)，所述匹配線對應(yīng)于階數(shù)高于或低于所述地址譯碼器已經(jīng)選擇的一個字線的所有字線。所述內(nèi)容尋址存儲器還包括一個匹配選擇電路(即匹配線選擇放電電路)，該電路被連接到相應(yīng)匹配線上并被輸入有來自匹配選擇控制電路的匹配線禁止信號和用于從所述控制電路向匹配線充電的預(yù)充電信號，所述匹配選擇電路用于使與所述匹配線禁止信號對應(yīng)的匹配線放電。
根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)容尋址存儲器的功能是用于輸入外部提供的包括多個位的檢索數(shù)據(jù)，將所述檢索數(shù)據(jù)與內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較以確定所述數(shù)據(jù)是否匹配。內(nèi)容尋址存儲器包括連接到相應(yīng)的一些匹配線(

圖1所示ML1-MLn)上的匹配選擇電路(圖1所示511-51n)和用于控制所述匹配選擇電路的匹配選擇控制電路(圖1所示500)。通過規(guī)定在字線單元內(nèi)的檢索范圍和禁止在所述檢索范圍以外的字線單元內(nèi)進(jìn)行比較檢索，僅在其余單獨字線的基礎(chǔ)上(即僅在規(guī)定檢索范圍內(nèi)字線的基礎(chǔ)上)執(zhí)行比較檢索。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種內(nèi)容尋址存儲器，用于多部輸入包括多個位的檢索數(shù)據(jù)，和將所述檢索數(shù)據(jù)與內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，并確定所述檢索數(shù)據(jù)是否與內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)相匹配，所述內(nèi)容尋址存儲器包括連接到相應(yīng)一些匹配線上的匹配選擇電路，每一個都在每個字線的基礎(chǔ)上共同連接相應(yīng)行的所有行方向CAM單元；和匹配選擇控制電路，用于控制所述匹配選擇電路；其中，通過在每個字線的基礎(chǔ)上利用已經(jīng)由地址譯碼器選擇的一個字線位置規(guī)定一個數(shù)據(jù)檢索范圍并通過在規(guī)定檢索范圍以外的每個字線的基礎(chǔ)上禁止比較檢索，使得僅在每個字線基礎(chǔ)上對剩余單獨字線進(jìn)行比較檢索。
本發(fā)明的其余方面和特性在所附權(quán)利要求中作了披露這里作為參考而引入了包含在每個權(quán)利要求和/或段落的相互結(jié)合或單獨的整個內(nèi)容和/或特性。
本發(fā)明的其它特性和優(yōu)點將通過下面結(jié)合附圖的描述變得明顯，其中，在整個附圖中，類似的參考字符指出相同或類似的部分。
圖1的框圖示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的內(nèi)容尋址存儲器的結(jié)構(gòu)；圖2示出了在第一實施例中所述電路的一個字線；圖3的電路圖示出了根據(jù)第一實施例匹配選擇控制電路的結(jié)構(gòu)；圖4的定時曲線用于描述第一實施例的操作；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的電路結(jié)構(gòu)；圖6的框圖示出了現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)容尋址存儲器的結(jié)構(gòu)；圖7示出了現(xiàn)有技術(shù)CAM單元中的電路結(jié)構(gòu)；圖8示出了圖6所示電路的一個字；和圖9的定時曲線示出了現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)容尋址存儲器的操作。
下面描述用于實踐本發(fā)明的模式。
在本發(fā)明的最佳實施例中，通過規(guī)定不需要(在每個字線基礎(chǔ)上)檢索的單獨字線的行方向CAM單元和規(guī)定需要(在每個字線單元基礎(chǔ)上)檢索的單獨字線的行方向CAM單元的范圍，減少檢索操作的數(shù)量。另外，提供了一種規(guī)定裝置，用于(在每個字線的基礎(chǔ)上)規(guī)定不進(jìn)行與檢索數(shù)據(jù)相關(guān)的檢索的單獨字線的行方向CAM單元范圍。在除了由所述規(guī)定裝置規(guī)定的單獨字線的行方向CAM單元以外的CAM單元中執(zhí)行檢索操作。
具體地說，根據(jù)本發(fā)明的最佳實施例，提供了一種內(nèi)容尋址存儲器，用于輸入包括多個位的外部提供的檢索數(shù)據(jù)，將所述檢索數(shù)據(jù)與內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，并確定所輸入的檢索數(shù)據(jù)是否與內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)相匹配。匹配選擇電路(圖1所示511-51n)中相應(yīng)的一些匹配選擇電路被連接到匹配線(圖1所示ML1-MLn)中相應(yīng)的一些匹配線上，其中的每一個被共同連接到一行相應(yīng)單獨字線(即在每個字線的基礎(chǔ)上沖的行方向CAM單元上。被作為輸入連接有所述字線的匹配選擇控制電路(圖1中的500)產(chǎn)生一個或多個當(dāng)在內(nèi)容尋址存儲器中執(zhí)行數(shù)據(jù)檢索時禁止檢索的匹配線禁止信號。在來自控制電路(圖1中的101)的預(yù)充電信號PC和來自提供給它的匹配選擇控制電路(500)的匹配線禁止信號的基礎(chǔ)上，一個或多個匹配選擇電路禁止在連接到某些連接到這些匹配選擇電路上的規(guī)定匹配線上的行方向CAM單元中的數(shù)據(jù)檢索，借此，根據(jù)單獨字線規(guī)定數(shù)據(jù)檢索范圍。在這種情況下，與所述規(guī)定檢索范圍內(nèi)任一單獨字線(即在每個字線基礎(chǔ)上)對應(yīng)的匹配線保持在非匹配狀態(tài)，而不必考慮檢索的結(jié)果是否匹配。由此，利用所選擇字線的位置規(guī)定了一個數(shù)據(jù)檢索范圍。
下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進(jìn)行描述。
圖1的框圖示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的CAM結(jié)構(gòu)。
如圖1所示，以矩陣的形式安排所述陣列CAM單元A11-Anm。在所述CAM單元行方向延伸的字線W11-WLn被連接到地址譯碼器100。字線WL1和匹配線ML1被共同連接到在那個行中的所有CAM單元A11-A1m上。字線WL2-WLn和匹配線ML2-MLn被類似地共同連接到在相應(yīng)行中的所有CAM單元上。匹配線ML1-MLn被類似地分別連接到匹配選擇電路511-51n、分別連接到匹配線預(yù)充電電路111-11n上和經(jīng)過所述CAM單元最終被連接到匹配檢測電路103上。匹配檢測電路103檢測所述檢索數(shù)據(jù)與存儲數(shù)據(jù)相匹配的CAM的地址。
被連接有作為輸入的字線WL1-WLn的匹配選擇控制電路500將匹配線禁止信號CUTML1-CUTMLn分別傳送給匹配選擇電路511-51n。在來自被輸入有時鐘信號CLK和來自匹配選擇控制電路500的匹配線禁止信號CUTML1-CUTMLn的所述控制電路101的預(yù)充電信號PC的基礎(chǔ)上，匹配選擇電路511-51n將匹配線ML1-MLn置于匹配狀態(tài)，借此以禁止在連接到所述匹配線ML1-MLn的所述行方向CAM單元處的數(shù)據(jù)檢索。
匹配線預(yù)充電電路111-11n響應(yīng)來自控制電路101的預(yù)充電信號PC在每個字線的基礎(chǔ)上將連接到它的匹配線ML1-MLn預(yù)充電到預(yù)定電位。檢索數(shù)據(jù)輸入電路120具有數(shù)據(jù)輸入端D1并由來自控制電路101的預(yù)充電信號PC控制將檢索數(shù)據(jù)傳送給一對檢索數(shù)據(jù)線CD1和CD1B。檢索數(shù)據(jù)輸入電路121-12m以與檢索數(shù)據(jù)輸入電路120類似的形式構(gòu)成并以類似的方式操作。
所述一對檢索數(shù)據(jù)線CD1和CD1B被連接到相應(yīng)列中的所有ACAM單元A11-An1上。其它對檢索數(shù)據(jù)線CD2-CDm、CD2B-CDmB被類似地連接到相應(yīng)列的所有CAN單元上。
具有輸入地址A1-An的地址譯碼器100由來自控制電路101的信號控制，并控制字線WL1-WLn的選擇。
圖2示出了對應(yīng)于圖1所示一個字(或字線)的部分CAM的結(jié)構(gòu)。
如圖2所示，CAM單元311-31m與圖7所示現(xiàn)有技術(shù)的CAM單元相同，并共同利用在所述列方向中的一對檢索數(shù)據(jù)線CD1-CDm,CD1B-CDMB將所述CAM單元進(jìn)行連接。
檢索數(shù)據(jù)輸入電路120由預(yù)充電信號PC控制并在檢索數(shù)據(jù)線CD1和CDB1上傳送所述檢索數(shù)據(jù)。檢索數(shù)據(jù)線CD1B傳送與在檢索數(shù)據(jù)線CD1上的數(shù)據(jù)反相的數(shù)據(jù)。對其它對檢索數(shù)據(jù)線CDm,CDmB完全相同。在逐列的基礎(chǔ)上提供檢索數(shù)據(jù)輸入電路120-12m。
具有輸入地址A1-An的地址譯碼器100由來自控制電路101的一個信號控制，并控制字線WL1-WLn的選擇。在所述CAM單元行方向中的字(字線)結(jié)構(gòu)321包括所有都由在所述行方向中的字線WL1和匹配線ML1連接的m個CAM單元。在所述CAM單元所述行方向中的其它字(字線)結(jié)構(gòu)322-32n也都分別由字線WL2-WLn和匹配線ML2-MLn連接。連接在該行中所有所述CAM單元的匹配線ML1被連接到匹配線預(yù)充電電路111和匹配選擇電路511。
匹配線預(yù)充電電路111是由PMOS晶體管構(gòu)成的。預(yù)充電信號PC被輸入給所述PMOS晶體管的柵極，它的一個擴展層被連接到VDD，而另一個擴展層被連接到所述行方向CAM單元的匹配線ML1上。
響應(yīng)來自控制電路101的預(yù)充電信號PC，匹配線預(yù)充電電路111-11n在每個字線的基礎(chǔ)上將連接到它的各匹配線ML1-MLn充電到預(yù)充電電位。
匹配選擇電路511由兩個堆棧型晶體管601和602的陣列構(gòu)成。NMOS晶體管601具有被施加預(yù)充電信號PC的一個柵極、一個連接到匹配線ML1的擴展層和一個連接到與NMOS晶體管602共用的另一個擴展層的的擴展層。NMOS晶體管602具有被施加來自匹配線選擇控制電路500的匹配線禁止信號CUTML1的柵極。沒有被連接到NMOS晶體管601的所述擴展層上的NMOS晶體管602的一個擴展層被接地。其它匹配選擇電路512-51n具有類似的結(jié)構(gòu)。
被連接作為輸入的字線WL1-WLn的匹配選擇控制電路500分別將匹配線禁止信號CUTML1-CUTMLn傳送給匹配選擇電路511-51n。
圖3的電路示出了圖1和2中對應(yīng)于4個字的匹配選擇控制電路500的結(jié)構(gòu)。
如圖3所示，匹配選擇控制電路500包括反相器70、71、72、73、77、78、79和兩輸入端與非門74、75、76。當(dāng)利用一個地址的內(nèi)容使字線WL2被選擇(即這個字線上的電位從GND上升到VDD電平)時，字線WL1、WL2、WL3和WL4上的電位將分別是GND、VDD、GND和GND。其輸入是WL4的反相器70的輸出(匹配線禁止信號CUTML4)是所述VDD電位。其輸入是WL3的反相器71的輸出被輸入給與非門74，反相器70的輸出(匹配線禁止信號CUTML4)也被輸入給與非門74。當(dāng)與非門74的輸出進(jìn)入反相器77時，反相器77的輸出(匹配線禁止信號CUTML3)變成VDD電位。
其輸入是WL2的反相器72的輸出被輸入給與非門75，反相器77的輸出(匹配線禁止信號CUTML3)也被輸入給與非門75。當(dāng)與非門75的輸出進(jìn)入反相器78時，反相器78的輸出(匹配線禁止信號CUITWL2)變成GND電平。一輸入是WL1的反相器73的輸出被輸入給與非門76，反相器78的輸出(匹配線禁止信號CUTML2)也被輸入給與非門76。當(dāng)與非門76的輸出進(jìn)入反相器79時，反相器79的輸出(匹配線禁止信號CUTML1)變成GND電平。
由此，匹配線禁止信號CUTML1、CUTML2、CUTML3和CUTML4的電位分別變成GND、GND、VDD和VDD。VDD電位被確認(rèn)給與階次高于所選擇字線階次的地址字線對應(yīng)的所有匹配線禁止信號CUTML。匹配線禁止信號CUTML1-CUTMLn的狀態(tài)由利用一個地址內(nèi)容選擇的字線WL1-WLn的狀態(tài)決定。換言之，可以通過所選擇字線的位置規(guī)定用于單獨字線的數(shù)據(jù)檢索范圍。另外，在電路結(jié)合的基礎(chǔ)上，可以產(chǎn)生與階次低于所選擇字線的地址字線對應(yīng)的匹配線禁止信號。
圖4的定時曲線示出了根據(jù)這個實施例的CAM的操作。所述CAM的操作將結(jié)合圖2和4予以描述。在檢索和比較過程中，檢索數(shù)據(jù)與存儲數(shù)據(jù)匹配的操作和檢索數(shù)據(jù)與存儲數(shù)據(jù)不匹配的操作與上述現(xiàn)有技術(shù)的描述相同。
相關(guān)字線的匹配線(在每個字線的基礎(chǔ)上)在檢索數(shù)據(jù)被傳送給一對檢索數(shù)據(jù)線CD、CDB之前被充電到VDD電平(電源電壓)。所述檢索數(shù)據(jù)被提供給數(shù)據(jù)輸入端D并經(jīng)過檢索數(shù)據(jù)輸入電路傳輸給一對檢索數(shù)據(jù)線CD、CDB，從而可以執(zhí)行檢索和比較操作。
時鐘CLK和預(yù)充電信號PC相互同步和同相。當(dāng)所述時鐘處于高電平(時鐘1)時，這對應(yīng)于CAM數(shù)據(jù)檢索間隔。當(dāng)所述時鐘處于低電平(時鐘2)時，這對應(yīng)于匹配線預(yù)充電間隔。通過檢測時鐘1的CAM數(shù)據(jù)檢索間隔中所述匹配線ML的電位電平，確定在所述CAM中的檢索是導(dǎo)致匹配還是導(dǎo)致不匹配。這在現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)做了描述。
在時鐘1的間隔(所述CAM數(shù)據(jù)檢索間隔)中，假設(shè)檢索數(shù)據(jù)在所述時鐘CLK上升的同時被傳送給所述檢索數(shù)據(jù)線和在一個周期期間所述檢索數(shù)據(jù)不變化。當(dāng)檢索數(shù)據(jù)從數(shù)據(jù)輸入端D進(jìn)入時，該檢索數(shù)據(jù)從檢索數(shù)據(jù)輸入電路輸出并經(jīng)過一對檢索數(shù)據(jù)線CD、CDB傳送。由于VDD電平從預(yù)充電信號PC進(jìn)入匹配線預(yù)充電電路111中PMOS晶體管的柵極，所述PMOS晶體管截止和預(yù)充電結(jié)束(檢索間隔開始)。
由于VDD電平進(jìn)入匹配選擇電路511的NMOS晶體管601的柵極，該NMOS晶體管被導(dǎo)通。NMOS晶體管602柵極的輸入狀態(tài)和匹配線禁止信號CUTML1的狀態(tài)由字線WL1的狀態(tài)(被選擇或未被選擇)決定。
當(dāng)字線WL1被選擇時，匹配線禁止信號CUTML1由于匹配選擇控制電路500的作用而處于GND電平；而其它匹配線禁止信號CUTML2-CUTMLn則上升到VDD電平。如果匹配線禁止信號CUTML1(處于GND電平)進(jìn)入由兩個NMOS晶體管601、602構(gòu)成的匹配線選擇電路511，那么，作為匹配線ML1電位沒有變化的結(jié)果，NMOS晶體管602截止，NMOS晶體管601導(dǎo)通。
匹配線ML1上的電位變化取決于所述CAM中數(shù)據(jù)檢索的結(jié)果。如果檢索的結(jié)果是匹配，所述匹配線處于GND電位。另一方面，如果檢索的結(jié)果是不匹配，那么，所述匹配線被保持在預(yù)充電電位。在被輸入有其它匹配線禁止信號CUTML2-CUTMLn(VDD電位)的匹配選擇電路512-51n中，由于在匹配線ML2-MLn上傳送了將地電位施加給輸入給NMOS晶體管的所述擴展層、即它們柵極的匹配線禁止信號CUTML2-CUTMLn，所以，在每個電路中的所述兩個晶體管都導(dǎo)通，借此，這些匹配線被從所述預(yù)充電電位放電到GND。
換言之，在與階次高于所選擇字線WL1的地址字線對應(yīng)的所有匹配線禁止信號CUTML2-CUTMLn上傳送CDD電位。不考慮在所述CAM中的數(shù)據(jù)檢索結(jié)果是否匹配，以和檢索結(jié)果指出一個匹配的相同方式，匹配線ML2-MLn從預(yù)充電電位放電到地電位和不執(zhí)行所述數(shù)據(jù)檢索。由此，可以利用所選擇字線的位置規(guī)定(定義)數(shù)據(jù)檢索范圍。
如果在時鐘2(匹配線預(yù)充電間隔)期間預(yù)充電信號PC的GND電位進(jìn)入匹配線預(yù)充電電路111中的PMOS晶體管的柵極，所述PMOS晶體管被激活(導(dǎo)通)。結(jié)果是CDD電平被傳送給所述匹配線和相關(guān)字線的匹配線被預(yù)充電到VDD電平并被激活。匹配選擇電路511的NMOS晶體管601具有施加到它柵極的GND電平和處于截止?fàn)顟B(tài)。結(jié)果是匹配線WL1的電位沒有變化，而不必考慮匹配線禁止信號CUTML1的狀態(tài)。對于其它的匹配線ML2-MLn結(jié)果是相同的。
當(dāng)預(yù)充電信號PC的GND電平被施加到檢索數(shù)據(jù)輸入電路時，它在不考慮所述檢索數(shù)據(jù)內(nèi)容的情況下在—對檢索數(shù)據(jù)線CD、CDBA上傳送GND電位，因此，使NMOS晶體管207截止。結(jié)果是匹配線ML1的預(yù)充電電位不變化。
周期A被用于檢索數(shù)據(jù)和存儲數(shù)據(jù)相匹配的情況。由于檢索的結(jié)果是匹配，所以，在時鐘1的CAM數(shù)據(jù)檢索間隔中相關(guān)字線的匹配線ML被從預(yù)充電電位放電到GND電位。當(dāng)后續(xù)時鐘處于低電平(時鐘2)時，所述匹配線ML被再次預(yù)充電。這個周期已經(jīng)在現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行了描述。
周期B被用于檢索數(shù)據(jù)和存儲數(shù)據(jù)不匹配的情況。由于檢索的結(jié)果是不匹配，在時鐘1的CAM數(shù)據(jù)檢索間隔中匹配線ML被保持在預(yù)充電電位。當(dāng)后續(xù)時鐘(時鐘2)處于低電平時，將變換到匹配線預(yù)充電間隔，但所述匹配線仍保持在所述預(yù)充電電平。這個周期也已經(jīng)在現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行了描述。
周期C被用于規(guī)定檢索數(shù)據(jù)范圍的情況。在時鐘1的CAM數(shù)據(jù)檢索間隔中，與相關(guān)字線對應(yīng)的匹配線ML被從所述預(yù)充電電位放電到GND電位，而不必考慮檢索結(jié)果是否匹配。當(dāng)后續(xù)時鐘處于低電平(時鐘2)時，匹配線ML被再次預(yù)充電。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的結(jié)構(gòu)。在第一實施例中，CAM單元的匹配線連接是根據(jù)檢索的結(jié)果以或邏輯為基礎(chǔ)的。而在第二實施例中，所述連接是根據(jù)檢索的結(jié)果以與邏輯為基礎(chǔ)的。
如圖5所示，CAM單元911-91n與圖7所示現(xiàn)有技術(shù)的CAM單元具有相同的結(jié)構(gòu)。但是，某些連接是不同的。在圖5中，連接到圖7所示GND的NMOS晶體管207的所述擴展層被連接到相鄰CAM單元的NMOS晶體管207的所述擴展層。在每個行方向中所述CAM單元的第一NMOS晶體管207的擴展層被連接到相應(yīng)行的匹配選擇電路(901-90n)上。
在所述行方向中的CAM單元的最后NMOS晶體管207的擴展層被連接到相應(yīng)行的匹配線預(yù)充電電路(111-11n)上。
一對檢索數(shù)據(jù)線CD1、CD1B連接所述列的所有CAM單元。輸入端D1是一個向由預(yù)充電信號PC控制以在對檢索數(shù)據(jù)線CD1、CD1B對上傳送所述檢索數(shù)據(jù)的檢索數(shù)據(jù)輸入電路120輸入的輸入端。
檢索數(shù)據(jù)線CD1B傳送與檢索數(shù)據(jù)線CD1上的數(shù)據(jù)反相的數(shù)據(jù)。對于其它對檢索數(shù)據(jù)線CDm、CDmB情況相同。所述檢索數(shù)據(jù)輸入電路以逐列為基礎(chǔ)進(jìn)行安排。
在行方向CAM單元的字(線)結(jié)構(gòu)921由m個單元在行方向中的字線WL1和匹配線ML1連接的CAM單元所組成。在所述行方向的CAM單元中的其它字(線)結(jié)構(gòu)922-92n都利用字線WL2-WLn進(jìn)行連接。
匹配線預(yù)充電電路111是由一個PMOS晶體管構(gòu)成的。預(yù)充電信號PC被輸入給所述PMOS晶體管的柵極，該PMOS晶體管的一個擴展層被連接到VDD，而它的其它擴展層被連接到所述行方向CAM單元的匹配線ML1上。提供了一個用于每個行方向字線的匹配線預(yù)充電電路，并根據(jù)所述預(yù)充電信號PC的內(nèi)容向相應(yīng)的匹配線預(yù)充電。
匹配選擇電路901是由一個PMOS晶體管構(gòu)成的。該PMOS晶體管具有被施加有匹配線禁止信號CUTML1的柵極、被連接到地的一個擴展層和被連接到與在所述行方向中平行安排的CAM單元的NMOS晶體管207所述擴展層上的另一個擴展層。一個匹配選擇電路被提供給所述行方向中的每個字線。
當(dāng)在所述CAM中進(jìn)行數(shù)據(jù)檢索過程中已經(jīng)選擇了字線WL1時，匹配線禁止信號CUTML1保持在GND電平，而匹配線禁止信號CUTML2-CUTMLn保持在VDD電平。
當(dāng)檢索結(jié)果是不匹配時，由于匹配線ML1保持在預(yù)充電電位，所以，CAM單元(911-91m)的NMOS晶體管207截止，這在現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)做了描述。對于其它匹配線ML2-MLn也是如此。
當(dāng)檢索的結(jié)果是匹配時，所述字線CAM單元(911-91m)的所有NMOS晶體管207都導(dǎo)通。所述匹配線禁止信號CUTML1保持在地電平和匹配選擇電路901的PMOS晶體管導(dǎo)通。結(jié)果是匹配線ML1被從預(yù)充電電位放電到GND電位。這個在現(xiàn)有技術(shù)中也已經(jīng)進(jìn)行了描述。
匹配線禁止信號CUTML2-CUTMLn保持在VDD電平，匹配選擇電路902-90n的PMOS晶體管截止。結(jié)果是利用和不存在數(shù)據(jù)檢索匹配結(jié)果相同的方式使與字線WL2-WLn對應(yīng)的匹配線ML2-MLn保持在預(yù)充電電位，且不執(zhí)行數(shù)據(jù)檢索。由此，可以根據(jù)個別的字線利用所選擇字線的位置規(guī)定數(shù)據(jù)檢索范圍。
根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實施例，利用單列結(jié)構(gòu)的內(nèi)容尋址存儲器敘述了本發(fā)明。但是，上述實施例也可以被應(yīng)用于多列結(jié)構(gòu)的內(nèi)容尋址存儲器電路。
本發(fā)明的一個效果是減少了檢索操作的數(shù)量。其原因如下傳統(tǒng)的裝置是這樣的如果當(dāng)使用來自CAM的一個檢測地址從另一個存儲器器裝置讀數(shù)據(jù)時已經(jīng)存儲在所述CAM單元存儲器中的多項數(shù)據(jù)是相同的，那么，使用相當(dāng)于存儲數(shù)據(jù)相同項數(shù)量的一定數(shù)量的檢索執(zhí)行檢索，直到獲得所需信息為止。反之，在本發(fā)明中，通過根據(jù)單獨的字線(即在每個字線的基礎(chǔ)上)指定一個數(shù)據(jù)檢索范圍可以減少所述的檢索數(shù)量。
本發(fā)明的另一個效果是可以減少所述CAM操作的功耗，其原因如下傳統(tǒng)的裝置是這樣的當(dāng)考慮到單獨字線的比較結(jié)果指出總的匹配時，CAM單元的所有數(shù)據(jù)檢索部分都進(jìn)行工作，在檢索操作之前充電的匹配線的電位被放電，從而消耗了不必要的能量。相反，在本發(fā)明中，通過規(guī)定一個數(shù)據(jù)檢索范圍限制了在每個字線基礎(chǔ)上操作的CAM單元的數(shù)據(jù)檢索操作。例如，如果所述裝置具有40位×1024字、4列結(jié)構(gòu)和數(shù)據(jù)檢索范圍是整個字線的一半，那么，可以實現(xiàn)每單元1.2μA或整個1.5mA的減少。
當(dāng)不脫離本發(fā)明的精神和范圍就可以做出本發(fā)明很多明顯不同的實施例時，應(yīng)當(dāng)理解，除了所附權(quán)利要求書的規(guī)定以外，本發(fā)明并不局限于所述特定實施例或作為實施例所述的元素特定組合。
權(quán)利要求
1．一種具有地址譯碼器、控制電路、用于向內(nèi)部電路輸入保持?jǐn)?shù)據(jù)和檢索數(shù)據(jù)的檢索數(shù)據(jù)輸入電路、用于向匹配線充電的匹配線預(yù)充電電路、和用于檢測在一個匹配線上是否已經(jīng)獲得匹配的匹配線檢索電路的內(nèi)容尋址存儲器，所述內(nèi)容尋址存儲器包括一個匹配選擇控制電路，作為輸入，該電路被連接到作為所述地址譯碼器輸出的多個字線上，所述電路用于提供一個預(yù)定電位作為用于與階次高于或低于由所述地址譯碼器已經(jīng)選擇的一個字線的所有字線對應(yīng)的匹配線的禁止信號；和多個匹配選擇電路，該電路被連接到相應(yīng)的匹配線上，并且被輸入有來自所述匹配選擇控制電路的匹配線禁止號和來自所述控制電路并用于向匹配線充電的預(yù)充電信號，該電路用于使與匹配線禁止信號對應(yīng)的匹配線放電。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征是所述預(yù)定電位是電源電位。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征是所述匹配選擇控制電路包括其中階次1的字線經(jīng)過一個緩沖器連接到階次1的匹配線禁止信號上的電路，階次2的匹配線禁止信號被通過作為階次2字線和階次1匹配線禁止信號組合而形成的一個信號傳送，階次n(其中n是自然數(shù))的匹配線禁止信號被通過作為階次n字線和階次n-1匹配線禁止信號的組合形成的一個信號傳送。
4．根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征是所述匹配選擇控制電路包括一個電路，在該電路中，階次n(n是一個自然數(shù))的字線被連接到階次n的匹配線禁止信號上，階次n-1的匹配線禁止信號被通過作為階次n-1的一個字線和階次n的匹配線禁止信號的組合形成的一個信號傳送，階次1的匹配線禁止信號被通過作為階次1的字線和階次2的匹配線禁止信號的組合而形成的一個信號傳送。
5．根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征是所述匹配選擇電路中的每一個都包括一個電路，該電路將所述匹配線禁止信號和預(yù)充電信號邏輯地組合起來并具有一個開關(guān)功能，當(dāng)所述開關(guān)功能被接通時，所述匹配選擇電路使相應(yīng)的匹配線放電。
6．一種內(nèi)容尋址存儲器，用于外部輸入包括多個位的檢索數(shù)據(jù)，將所述檢索數(shù)據(jù)與內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)比較和確定所述檢索數(shù)據(jù)是否與所述內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)相匹配，所述內(nèi)容尋址存儲器包括連接到相應(yīng)一些匹配線上的多個匹配選擇電路，其中的每一個都在每個字線的基礎(chǔ)上被共同連接到相應(yīng)行所有的行方向CAM單元上；和一個匹配選擇控制電路，用于控制所述匹配選擇電路；其中，通過在每個字線的基礎(chǔ)上利用一個已經(jīng)被地址譯碼器選擇的字線位置規(guī)定一個數(shù)據(jù)檢索范圍和通過在所規(guī)定檢索數(shù)據(jù)范圍之外的每個字線的基礎(chǔ)上的禁止比較檢索，只在每個字線基礎(chǔ)上對剩余單獨字線執(zhí)行比較檢索。
7．根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器，其特征是所述匹配選擇控制電路利用通過規(guī)定用做所述數(shù)據(jù)檢索范圍邊界字線的一個字線所獲得的字線位置規(guī)定一個數(shù)據(jù)檢索范圍。
8．根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器，其特征是所述匹配選擇控制電路從與分配給所述匹配線的字線對應(yīng)的所述匹配選擇控制電路接收一個禁止信號，所述禁止信號禁止所述匹配線進(jìn)行匹配檢索。
9．根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器，其特征是所述匹配線中的每一個都根據(jù)預(yù)充電信號利用匹配線預(yù)充電電路預(yù)充電到一個預(yù)定電位，和其中所述匹配線中任一個的所述預(yù)定電位根據(jù)數(shù)據(jù)檢索范圍放電。
10．根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器，其特征是所述放電是由接收匹配線禁止信號的所述匹配選擇電路執(zhí)行的。
11．根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器，所述存儲器包括其中的每一個都經(jīng)過串聯(lián)連接到所述匹配線上的開關(guān)元件共同連接到在行的基礎(chǔ)上的CAM單元上的多個匹配線，和其中，所述匹配線的一端被連接到一0預(yù)充電電路，它的另一端被連接到由所述匹配選擇控制電路提供的一個匹配線禁止信號控制的匹配線選擇電路上。
12．根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器，其特征是所述匹配選擇電路使被預(yù)充電的匹配線放電。
13．根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器，其特征是所述匹配選擇電路使被預(yù)充電的匹配線放電。
14．根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器，其特征是所述匹配線被連接到被分配給在邏輯與組合中所述匹配線的CAM單元。
15．根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器，其特征是所述匹配線被連接到被分配給在邏輯或組合中的所述匹配線。
16．根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器，其特征是還提供了一種匹配檢測電路，用于檢測沒有被禁止比較檢索的匹配線的輸出。
全文摘要
多個匹配選擇電路被連接到用于連接與多個字線相關(guān)的CAM單元相應(yīng)行的相應(yīng)一些匹配線上。輸入是所述字線的匹配選擇控制電路在CAM中執(zhí)行數(shù)據(jù)檢索時產(chǎn)生禁止檢索的匹配線禁止信號。在來自控制電路的預(yù)充電信號和來自匹配選擇控制電路的匹配線禁止信號的基礎(chǔ)上,匹配選擇電路禁止在連接到被分別連接到這些匹配選擇電路的所述匹配線的行方向CAM單元中的數(shù)據(jù)檢索,借此,根據(jù)單獨的字線規(guī)定一個數(shù)據(jù)檢索范圍。
文檔編號G11C15/00GK1220468SQ98125258
公開日1999年6月23日 申請日期1998年11月21日 優(yōu)先權(quán)日1997年11月21日
發(fā)明者池田勢津子 申請人:日本電氣株式會社