專利名稱：信息記錄媒體和應(yīng)用該信息記錄媒體的信息記錄再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用能束的照射進行信息記錄的信息記錄媒體和應(yīng)用了該信息記錄媒體的信息記錄再生裝置，特別是涉及相變光盤或磁光效應(yīng)式光盤之類的可改寫型光盤以及對來自上述可改寫型光盤和再生專用型光盤的信息進行再生的信息記錄再生裝置。
作為這種技術(shù)，有JP-A-3-272032中所述的技術(shù)，在該文獻中敘述了這樣一種技術(shù)設(shè)有2層金屬層，使離記錄層近的一方的第1金屬層的導熱率為低導熱率，而在與第1金屬層的記錄層一側(cè)的相反一側(cè)，則設(shè)有導熱率相對較大的第2金屬層。
此外，在proceeding of International Symposium on Optical Memory1995、pp151～152中報道說不用上述第1金屬層，而代之以淀積一層透射率大的Si之類的半導體薄膜。
一般地說，考慮到跟蹤伺服系統(tǒng)、聚焦伺服系統(tǒng)等的穩(wěn)定性，要求媒體反射率大于15％，再生信號調(diào)制度，考慮到再生信號的信號品質(zhì)，要求大于50％，這就是與再生專用型光盤的再生互換性的條件。
作為滿足這一要求的信息記錄媒體，就如“A CD-compatible erasabledisc.”(J.H.Coombs et al)，Proceeding of Topical Meeting on OpticalData Storage，1994，pp94-106中所述的那樣，人們已知道使用了Au等的高反射率金屬的信息記錄媒體。
另外，作為光記錄媒體，有JP-A-6-76361這一文獻中所述的媒體。
本發(fā)明的目的是提供一種記錄靈敏度良好，且可以得到優(yōu)質(zhì)的再生信號的信息記錄媒體，以及在用上述信息記錄媒體進行信息的記錄再生時，可靠性高的信息記錄再生裝置。
本發(fā)明的實施例中的第1個特征在于信息記錄媒體具備有因能束的照射而使原子排列發(fā)生變化或/和因電子狀態(tài)發(fā)生變化來進行信息(記錄標記)記錄的記錄層，至少在與記錄層的能束入射一側(cè)相反一側(cè)具備有組成不同的第1金屬層和第2金屬層，其中，位于距記錄層近的一側(cè)的第1金屬層的組成以Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd為主要成分，這些原子的含量總和大于60％。
第2金屬層的組成是以Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd為主要成分，且這些金屬原子的含量之和可以比第1金屬層大。
第2個特征在于信息再生裝置，具有上述第1特征的信息記錄媒體，該記錄媒體具備有因能束的照射而使原子排列發(fā)生變化或/和因電子狀態(tài)發(fā)生變化來進行信息(記錄標記)再生的記錄層，已記錄在上述記錄層上的記錄標記，可以借助于能束的照射進行再生，此外，上述記錄媒體至少在與記錄層的能束入射一側(cè)相反一側(cè)具有組成不同的第1金屬層和第2金屬層，其中，位于距記錄層近的一側(cè)的第1金屬層的組成以Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd為主要成分，這些原子含有量之和大于60％。信息再生裝置還具有用于從記錄媒體中再生記錄標記的激光束照射電路和從采用對已設(shè)于上述信息記錄媒體上的地址信息標記進行再生的辦法得到的電信號中檢測出地址信息的地址信息檢測電路。還有，信息記錄媒體也可以是可換型的。
第3個特征在于信息再生裝置，具有上述第1特征的信息記錄媒體，該記錄媒體具備有因能束的照射而使原子排列發(fā)生變化或/和因電子狀態(tài)發(fā)生變化來進行信息(記錄標記)記錄再生的記錄層，已記錄在上述記錄層上的記錄標記，可以借助于能束的照射進行記錄再生，此外，上述記錄媒體至少在與記錄層的能束入射一側(cè)相反一側(cè)具有組成不同的第1金屬層和第2金屬層，其中，位于距記錄層近的一側(cè)的第1金屬層的組成以Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd為主要成分，這些原子的含量之和大于60％。信息再生裝置還具有用于從記錄媒體中記錄再生標記的激光照射電路和用于記錄與信息信號對應(yīng)的長度的記錄標記的記錄信號調(diào)制電路和再生信號解調(diào)電路。
借助于上述構(gòu)成，本發(fā)明如上所述，在信息記錄媒體中，在把反射率做成為對于跟蹤伺服系統(tǒng)、聚焦伺服系統(tǒng)足夠的15％以上的同時，還可把再生信號調(diào)制度做成為大于50％。此外，由于有多層金屬層，所以可以借助于第1金屬層的反射使之滿足光學方面的要求，借助于其它金屬層的熱傳導使之滿足熱特性。
特別是，在第1金屬層的組成以Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd為主要成分，且這些原子的組成比之和大于70％而小于85％的情況下，與單獨使用上述金屬的情況下相比，因為可以把導熱率做成為小于1/10，故可以提高記錄時的靈敏度。
此外，即使在這些高反射率金屬中，Al在其反射率與光波長依賴性低、比較便宜，借助于微量的添加物就可以容易地降低導熱率這一點上也是最出色的。
另外，若在與第1金屬層的光入射一側(cè)相反的一側(cè)設(shè)置與第1金屬層的組成不同的第2金屬層，并使第2金屬層的組成形成為比第1金屬層具有更高的導熱率、更高的強度，則可以提供在記錄時的標記間熱干擾(thermal interference)抑制效果高，再生信號品質(zhì)良好，且大量生產(chǎn)性高的信息記錄媒體。
另外，若設(shè)置導熱率比較低的第1金屬層，則可以加厚金屬膜的總膜厚而不會降低記錄靈敏度。結(jié)果是變成為記錄膜流動抑制效果高的信息記錄媒體。
若在第2保護層與第1金屬層之間設(shè)置反射率比第1金屬層還高的第3金屬層，則還可以進一步改善信息記錄媒體的反射率、調(diào)制度等的光學特性。
在第1金屬層和第2金屬層之間設(shè)有低導熱率的非金屬層的情況下，熱特性還可以進一步改善，可以提高記錄靈敏度，可以抑制記錄標記間的熱干擾。
另外，本發(fā)明在透明基板的上邊設(shè)有溝，對于把記錄標記記錄于溝(groove)和脊(land)這兩方中的溝/脊記錄方式的信息記錄媒體來說將發(fā)揮特別大的效果。即便是在磁道步距比能束直徑(在把激光用作能束的情況下，在把激光波長設(shè)為λ，把用于激光聚焦到信息記錄媒體上的物鏡的孔徑數(shù)設(shè)為NA的情況下，與λ/NA對應(yīng))還小的情況下，也可以實現(xiàn)不會產(chǎn)生交叉擦除(cross erase)的高密度記錄。
還有，本發(fā)明的第4個特征在于把記錄媒體的保護層做成為2層的疊層膜。在第2保護層2中，理想的是用(ZnS)80(SiO2)20(摩爾比)，或者代之用(雖然記錄靈敏度或晃動(jitter)多少變壞)已換了ZnS和SiO2的混合比的物質(zhì)(SiO2為15～20摩爾％)、與ZnS和下述氧化物10～40摩爾％的混合組成相近組成的材料。進行混合的氧化物理想的是SiO2、SiO、TiO2、AL2O3、Y2O3、CeO、La2O3、In2O3、GeO、GeO2、PbO、SnO、SnO2、Bi2O3、TeO2、WO2、WO3、Sc2O3、Ta2O5、ZrO2。除此之外，也可以用應(yīng)用了下述材料的保護層。這些材料是Si-N系材料、Si-O-N系材料、Si-Al-O-N系材料等的氧化物，TaN、AlN、Si3N4、Al-Si-N系材料、Ge-N系材料(例如AlSiN2)等的氮化物，ZnS、Sb2S3、CdS、In2S3、Ga2S3、GeS、SnS2、PbS、Bi2S3等的硫化物，SnSe2、Sb2Se3、CdSe、ZnSe、In2Se3、Ga2Se3、GeSe、GeSe2、SnSe、PbSe、Bi2Se3、等的硒化物，CeF3、MgF2、CaF2等的氟化物或與上述的材料相近組成的材料。還可以是這些材料的混合材料的層。把由ZnS與氧化物構(gòu)成的保護膜和除此之外的上述材料的保護層叫做第3保護層。做成把成分不同的保護層進行疊層起來的多層的保護層好處很大。在除去由ZnS和氧化物構(gòu)成的材料以外的材料之內(nèi)更為理想的是氧化物、氮化物、氟化物中的任意一個。
除此之外，作為取代第3保護層的Al2O3的材料，由于以Al2O3為主要成分的材料、SiO2、以SiO2為主要成分的材料，可以降低在后沿的改寫次數(shù)10～100次附近所看到的晃動的上升，所以是更理想的。
上述第3保護層的效果是借助于第1保護層的材料和記錄膜的材料的相互擴散，防止因改寫而引起的反射率的變化，在膜厚不足2nm時效果不大。在膜厚大于2nm時，可以把反射率的變化抑制到實用水平的3％以下，在4nm的情況下，反射率變成為2％。在膜厚進一步加厚時，對反射率的變化來說在4nm的情況下，雖沒什么大的差別，但因為第3保護層材料的導熱率比(ZnS)80(SiO2)20高，所以，第3保護層膜厚理想的是在2nm以上而在20nm以下的范圍，在4nm以上而在8nm以下的范圍內(nèi)則特別理想。這樣的2層保護層，在沒有本發(fā)明的第1金屬層的情況下，或由Si構(gòu)成的情況下，以及在基板與第1保護層之間進行讀出，并且即使象已追加上使光透過50％以上那樣薄的金屬層那樣的疊層構(gòu)造那樣，已追加上了別的層的疊層構(gòu)造等其它的疊層構(gòu)造，也具有防止因第1保護層材料向記錄媒體中擴散而帶來的壞影響的效果。此外，倘若在記錄膜與第2保護層之間設(shè)置由可在上述第3保護層中用的任何一種材料構(gòu)成的第4保護層，則效果還會更高。膜厚也可與第3保護膜相同。
在本發(fā)明的信息記錄媒體中，由于可以極力抑制記錄時的標記之間的熱干擾的影響，所以即便是已在標記邊沿進行了記錄的情況下，也可以把記錄標記的長度抑制到適當?shù)拈L度。
此外，如磁光效應(yīng)式光盤所代表的那樣，采用照射一定水平的激光束，調(diào)制外部磁場方向的辦法，即便是在使用于進行信息記錄方式(磁場調(diào)制記錄方式)的情況下，本發(fā)明的信息記錄媒體也是適用的，但在對能束(激光束)的功率水平進行調(diào)制后在進行信息的記錄方式(光強度調(diào)制方式)中使用的情況下，將發(fā)揮特別大的效果。就是說，在光強度調(diào)制記錄的情況下，雖然要是使用通常的記錄媒體的話，由于熱易于在記錄層平面上傳播，故該熱將易于對在此之前記錄下來的記錄標記的形狀或者后邊要記錄的記錄標記的形狀造成影響(熱干擾)，但要是用本發(fā)明的信息記錄媒體的話，由于熱選擇性地從第1金屬層向第2金屬層擴散，故可以極力抑制記錄層媒體平面上的熱擴散。
此外，在相變記錄方式中，雖然一般說在多次改寫時易于發(fā)生記錄膜的流動或形狀變化，但用本發(fā)明的信息記錄媒體，則可容易地抑制這樣一些劣化。
通過應(yīng)用已用于本發(fā)明的信息記錄媒體中去的合適組成的記錄層，被MPEG2那樣的圖象壓縮方式所壓縮后的圖象信息或者同等數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送速率的信息記錄是可能的。
采用把本發(fā)明的信息記錄媒體使用到上述信息記錄再生裝置中去的辦法，高密度記錄是可能的，可以得到良好的品質(zhì)的再生信號，而且，可以實現(xiàn)也可進行再生專用型光盤的再生的信號記錄再生系統(tǒng)。
以下，簡單地說明附圖。


圖1是本發(fā)明的信息記錄媒體的剖面圖。
圖2是本發(fā)明的信息記錄再生裝置的框圖。
圖3是本發(fā)明的另一種信息記錄媒體的剖面圖。
圖4是本發(fā)明的另一種信息記錄媒體的剖面圖。
圖5是本發(fā)明的另一種信息記錄媒體的剖面圖。
以下，依據(jù)附圖對本發(fā)明的實施例進行說明。另外，在本發(fā)明中，雖然已做成為把多層薄膜進行疊層，并充分發(fā)揮各薄膜的特性的構(gòu)造，但并不是非要把各層嚴密地分開來，例如，如果是10nm以下那樣的厚度的話，在層間的邊界附近處的組成比即便是連續(xù)地進行變化也不要緊。此外，在本發(fā)明中，各膜的組成用原子％來表示。
實施例1圖1示出了本發(fā)明的信息記錄媒體的一例，在該記錄媒體中，以1.48μm的步距設(shè)有寬0.74μm、深0.07μm的溝，并在各扇區(qū)的開頭部分設(shè)有用于在溝內(nèi)和脊這兩方上記錄信息的地址信息，且記錄媒體1在厚度為0.6mm的脊/溝記錄用聚碳酸脂基板上邊，用濺射工藝順次形成了示于圖1的構(gòu)造的薄膜，即，形成了作為第1保護層12的(ZnS)80(SiO2)20，厚度為80nm作為記錄層13(相變記錄層)的Ag2.5Ge21Sb21Te55.5，其厚度為20nm，作為第2保護層的14的(ZnS)80(SiO2)20，其厚度為20nm，作為第1金屬層15的Al75Cr25，其厚度為140nm，作為第2金屬層16的Al97Ti3，其厚度為140nm。再在第2金屬層16的上邊，作為有機保護層17，用旋轉(zhuǎn)涂敷法涂敷約10μm的紫外線硬化樹脂并以紫外線固化。把這樣形成后的相位改變的2片記錄媒體1，把已涂上保護層17的面貼在一起。此外，也可以不使用聚碳酸脂基板，而代之以使用聚乙烯、APO基板、玻璃基板等。
在該記錄媒體的半徑方向上，有24個用戶記錄用的區(qū)域，在區(qū)域內(nèi)一周內(nèi)存在著17～40個扇區(qū)。作為在進行記錄再生時的電機控制方法，采用了使之對每一進行記錄再生的區(qū)域變化盤的轉(zhuǎn)數(shù)的ZCLV(ZoneConstant Linear Velocity，區(qū)域線速度恒定)方式。在該格式中，在各區(qū)域內(nèi)的最內(nèi)周和最外周處盤的線速度不同，最內(nèi)周和最外周的盤的線速度分別為6.0m/s、6.35m/s。此外，對于記錄媒體1的電機的控制方法，可以利用H.Miyamoto的美國專利申請系列號08/600130和08/863126，以及M.Miyamoto在1997年4月10日提出的專利申請Information RecordingMethod and Information Recording Apparatus中所述的裝置。
利用上述的記錄媒體1和示于圖2的記錄再生裝置進行信息的記錄。以下，說明本信息記錄再生裝置的動作。
來自信息記錄再生裝置外部的信息以8位為1個單位，被送往8-16調(diào)制器8。在向記錄媒體1上記錄信息的時候，用把信息8位變換成16位的調(diào)制方式，即用所謂8-16調(diào)制方式進行記錄。在該調(diào)制方式中，向媒體1上進行與8位的信息對應(yīng)的3T～11T標記長的信息的記錄。圖中的8-16調(diào)制器8進行這一調(diào)制。此外，其中所說的T表示信息記錄時的時鐘的周期，在這里是34.2ns。
用8-16調(diào)制器調(diào)制后的3T～14T的數(shù)字信號被送往記錄波形產(chǎn)生電路6，令高功率脈沖的寬度為T/2，在高功率脈沖的激光照射期間，進行寬度約T/2的低功率脈沖的激光照射，產(chǎn)生在上述一連串的高功率脈沖期間進行中間功率脈沖的激光照射的多脈沖記錄波形。這時，設(shè)用于形成記錄標記的高功率脈沖為11.0mW，設(shè)可以消去記錄標記的中間功率脈沖為4.5mW，設(shè)比中間功率低的低功率脈沖為0.5mW。
采用記錄波形產(chǎn)生電路6產(chǎn)生的記錄波形送往激光驅(qū)動電路7，在激光驅(qū)動電路7所產(chǎn)生的記錄波形之下，使光頭3內(nèi)的半導體激光器發(fā)光。
在已搭載于本記錄裝置上的光頭3中，作為信息記錄用的能束使用了光波長650nm的半導體激光。此外，用透鏡NA為0.6的物鏡把該激光聚焦到上述記錄媒體1的記錄層13上，采用照射與上述記錄波形對應(yīng)能量的激光束的辦法，進行信息的記錄。這時，激光束的直徑約為1微米，把激光束的偏振光作成為圓偏振。
本記錄裝置采用在溝內(nèi)和脊上這兩方記錄信息的方式，即采用所謂的脊槽記錄方式。在本記錄裝置中，可以用溝/脊伺服電路9任意地選擇對脊和溝的跟蹤。
已記錄完畢的信息的再生也用上述光頭3進行。采用向已記錄下的標記上照射與記錄時相同大小地聚焦后的激光束，以檢測來自標記和標記以外的部分的反射光的辦法，獲得再生信號。該再生信號的振幅用前置放大電路9放大，送往8-16解調(diào)器10。在8-16解調(diào)器10中每一16位的信息變換為8位的信息。通過上述的動作，結(jié)束所記錄的標記的再生。
在以上的條件下在上述記錄媒體1上進行記錄時，本身為最短標記的3T標記的標記長度大體上約為0.62μm，本身為最長標記的14T標記長度約為3.08μm。
另外，要調(diào)整記錄層13的結(jié)晶化速度，使得已照射過由高功率脈沖、中間功率脈沖和低功率脈沖構(gòu)成的多脈沖波形之內(nèi)的高功率脈沖的記錄媒體1a的部分變成非晶狀態(tài)，而已照射過中間功率的激光束部分則將變成結(jié)晶。
用上述記錄再生裝置進行再生之際的上述記錄媒體1的反射率是17％。此外，把由14T標記再生出來的反射光，用光頭內(nèi)的光電變換器件變換成電壓時的電壓水平設(shè)為V14，把來自尚未記錄記錄標記的(晶體狀態(tài))區(qū)域的反射光，用光電變換器件變換成電壓時的電壓水平設(shè)為V0時，雖然把(V0-V14)/V0叫做再生信號調(diào)制度，但光盤1在上述條件下進行記錄再生時的再生信號調(diào)制度是60％。
就如以上詳細說明過的那樣，采用把本發(fā)明的的信息記錄媒體使用于上述信息記錄再生裝置中去的辦法，信息的高密度記錄是可能的，可以得到良好品質(zhì)的再生信號，且將實現(xiàn)也可以再生再生專用型記錄媒體的信息記錄再生裝置。此外，在以上的實施例中，雖然是對結(jié)晶區(qū)域的一方的反射率比記錄標記區(qū)域(非晶區(qū)域)高的情況進行的說明，但并不是結(jié)晶區(qū)域一方的反射率非要比記錄標記區(qū)域高不可，即便是記錄媒體一方的反射率比結(jié)晶區(qū)域還高也不要緊。在這種情況下，只要把從14T再生后的反射光的反射率設(shè)計為大于15％，使得設(shè)再生信號調(diào)制度為(V14-V0)/V14時，該值變?yōu)榇笥?0％就行。上述的記錄媒體再生裝置可以是固定性地備有本發(fā)明的記錄媒體1的所謂硬盤，也可以把記錄媒體1做成是可以替換的。
實施例2對依據(jù)圖1進行了說明的記錄媒體1的特征進行說明。設(shè)上述記錄媒體1的第1金屬層15的添加元素為Co，對把記錄層13作成為結(jié)晶狀態(tài)的情況下的反射率和記錄所需的激光功率(記錄功率)進行說明。在第1金屬層15的Co添加量小于5％的情況下，雖然可以得到足夠大的再生信號調(diào)制度，但是，記錄功率將變成13mW以上，不實用。另外，在Co的添加量大于35％的情況下，雖然記錄功率可得到9mW以下的足夠低的值，但是，再生信號調(diào)制度將變成低于50％，得不到實用性的再生信號品質(zhì)。在Co的添加量大于5％而小于35％的情況下，則可以得到記錄功率在13mW以下，再生信號調(diào)制度大于50％這樣實用性的值。這時，由于結(jié)晶狀態(tài)的反射率顯示出15～24％這樣良好的值。此外，作為添加元素，對于除Co之外的Ti、Cr、Ni、Mg、Si、V、Ca、Fe、Zn、Zr、Nb、Mo、Rh、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pb、B和C也將得到同樣的結(jié)果。另外，特別是在添加元素為Co、Cr、Ti、Ni、Fe、Cu的情況下，有很大的效果。此外，Al的含有量與添加元素無關(guān)，在65～95％的時候表現(xiàn)出大的效果，特別是在Al的含有量為70～80％的情況下，記錄靈敏度良好，且可得到大的再生信號調(diào)制度。
除Al之外當向Cu、Ag、Pt、Pd等的高反射率的金屬中添加上述元素Co時，可以出現(xiàn)同樣的結(jié)果。特別是Al、Au在耐腐蝕試驗后和多次改寫時的再生信號品質(zhì)的可靠性高，作為第1金屬層15是優(yōu)秀的。
另外，Co、Ni等雖然不象上述高反射率金屬那么高，但也比較高，采用使之含有上述添加元素的辦法，也將實現(xiàn)高反射率、高調(diào)制度、高記錄靈敏度的記錄媒體1。
還有，在本發(fā)明的記錄媒體1中，采用存在第1金屬層15的辦法，在記錄時雖然在記錄層13中發(fā)生的熱難于向記錄層13的平面方向擴散，但卻具有變得易于選擇性地從第1金屬層15流向第2金屬層16的傾向。為此，可以抑制在標記邊沿記錄時將成為問題的激光照射時所發(fā)生的標記間熱干擾，可以得到低晃動的高品質(zhì)信號。
實施例3以下，對示于圖1的記錄媒體1的另一特征進行說明。設(shè)上述記錄媒體1的第2金屬層16的添加元素為Cu，說明在把記錄層13做成為結(jié)晶狀態(tài)的情況下的再生信號的晃動。在Al的含有量低于90％的時候，再生信號的晃動值大于10％，不可能達到實用值。在Al的含有量大于90％的時候，可以得到低于10％的良好的晃動值。這時，源于結(jié)晶狀態(tài)的反射率為17％，可以得到再生信號調(diào)制度為65％，記錄功率為13mW以下這樣良好的值。此外，作為添加元素，對于除Co之外的Ti、Cr、Ni、Mg、Si、V、Ca、Fe、Zn、Zr、Nb、Mo、Rh、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pb、B和C也將得到同樣的結(jié)果。另外，特別是在添加元素為Co、Cr、Ti、Ni、Fe、Cu的情況下，有很o大的效果。此外，Al的含有量與添加元素無關(guān)，在90％以上的時候表現(xiàn)出大的效果，特別是在Al的含有量為95～98％的情況下，記錄靈敏度良好，且可得到足夠低的晃動值。
除Al之外當向Cu、Ag、Pt、Pd、Mo等的高反射率的金屬中添加上述元素Cu時，可以出現(xiàn)同樣的結(jié)果。特別是Al、Au、Mo在耐腐蝕試驗后和多次改寫時的再生信號品質(zhì)的可靠性高，作為第2金屬層16是優(yōu)秀的。
另外，Co、Ni等雖然不象上述高反射率金屬那么高，但也比較高，采用使之含有上述添加元素的辦法，也會實現(xiàn)高反射率、高再生信號調(diào)制度、高記錄靈敏度的記錄媒體1。
還有，在本發(fā)明的記錄媒體1中，采用存在第2金屬層16的辦法，在記錄時雖然在記錄層13中發(fā)生的熱，不會存熱于第1金屬層15中，具有變得易于選擇性地從第1金屬層15流向第2金屬層16的傾向。為此，可以抑制在標記邊沿記錄時將成為問題的激光照射時所發(fā)生的標記間熱干擾，而且，由于可以使記錄層13速冷，故在多次改寫后，難于產(chǎn)生記錄膜流動等的問題。為此，可以得到低晃動的高品質(zhì)信號。
在本實施例中，作為記錄媒體1雖然是對以Ge、Sb、Te、In、Ag等為主要成分的相變記錄層進行的記錄，但本發(fā)明的基礎(chǔ)是用能束產(chǎn)生熱，再用該熱控制進行記錄標記的記錄的記錄媒體1的光學特性(反射率、再生信號調(diào)制度)的同時，還控制熱特性(溫度分布、冷卻速度分布)，所以，并不特別限定于相變光盤，即便是對于以Tb、Fe、Co、Dy、Gd等為主要成分的光磁記錄層的記錄中，也將發(fā)揮效果。此外，也不限定于可改寫型信息記錄媒體。還有，在使基板11或記錄層13的形狀發(fā)生變化進行記錄的有機染料記錄的情況下，僅在照射了高功率脈沖的激光束的情況下，才發(fā)生變化，雖然該變化是不可逆的，但如上所述，本發(fā)明的基礎(chǔ)是用能束產(chǎn)生熱，再用該熱控制進行記錄標記的記錄的記錄媒體1的光學特性(反射率、再生信號調(diào)制度)的同時，還控制熱特性(溫度分布、冷卻速度分布)，所以，并不特別限定于改寫型光盤，也可以應(yīng)用于追記型光盤。
實施例4依據(jù)圖1再說明信息記錄媒體1的另一特征。在本發(fā)明的記錄媒體1中，存在著第1金屬層15、第2金屬層16的膜厚的最佳范圍。在第1金屬層過薄時，就將發(fā)生記錄靈敏度降低，因記錄標記的消去殘留而引起的晃動上升等的問題，而過厚時，則將發(fā)生生產(chǎn)率下降，因記錄標記形狀搖擺(在記錄時在記錄標記周圍產(chǎn)生的粗大晶粒的影響)而引起的晃動上升等問題。在第2金屬層16過薄的情況下，將發(fā)生因記錄標記形狀搖擺所產(chǎn)生的晃動上升、和記錄膜流動等問題，在過厚的情況下，就將發(fā)生記錄靈敏度降低，因記錄標記的消去殘留而引起的晃動上升等的問題。把第1金屬層15的組成做成為Al77Cr23，把第2金屬層16的組成做成為Al95Cu5進行實驗，求出第1金屬層15的膜厚與再生信號晃動之間的關(guān)系。
在第1金屬層15的膜厚比30nm薄的時候，或比30nm厚的時候，晃動值上升，不可能得到本身為實用性值的10％以下的晃動值，但在30nm以上而在300nm以下的情況下，就可以得到10％以下的良好的晃動。此外，這時，反射率、再生信號調(diào)制度、記錄功率分別顯示出20％、65％、9.5～12.5mW這樣的良好的值。
以下，說明本發(fā)明的記錄媒體1在10萬次改寫后的再生信號晃動和記錄功率對第2金屬層膜16的膜厚依賴性。這時，第1金屬層15的組成做成為Al77Ni23，第2金屬層16的組成為Mo。
在第2金屬層16的膜厚比50nm薄的時候，記錄功率雖然可以得到9.5mW以下這樣的良好的值，但10萬次改寫后的再生信號晃動變成為大于10％，不實用。另一方面，在第2金屬層16的膜厚比250nm厚的情況下，10萬次改寫后的再生信號的晃動雖然小于8％，是良好的，但記錄功率則大于13mW，不是實用性的值。此外，在第2金屬層16的膜厚在50nm以上而在250nm以下的情況下，則10％以下的良好的晃動值和13mW以下的高記錄靈敏度可以兼容。此外，這時，反射率、再生信號調(diào)制度和記錄功率分別顯示出15％、55％這樣的良好的值。另外，由于使第2金屬層16為Mo，故得以大幅度地抑制記錄膜流動。
實施例5依據(jù)圖1說明信息記錄媒體1的另一特征。在本發(fā)明的記錄媒體1中，由于第1金屬層15的反射率與Al、Cu、Au、Ag、Pt、Pd等的反射率金屬相比具有變低的傾向，所以第1保護層12、第2保護層14、記錄層13的膜厚，為了使得在光學方面變成為反射率大于15％，再生信號調(diào)制度大于50％，就必須控制到適當?shù)姆秶畠?nèi)。第1保護層12，在設(shè)激光波長為λ，第1保護層12的折射率為n的情況下，若做成為λ/(3n)～λ/(6n)就行。這樣一來，在記錄層15的表面與透明基板11的表面之間激光將產(chǎn)生干擾，就可以得到高的再生信號調(diào)制度。
此外，第1保護層12可以使用折射率大于1.5的氧化物、低氧化物、硫化物、氮化物或吸收率小的Si等的半導體等，理想的是，例如，SiO、SiO2、In2O3、Al2O3、GeO、GeO2、PbO、SnO、SnO2、Bi2O3、TeO2、WO2、WO3、Ta2O5、TiO2、ZrO2、CdS、ZnS、CdSe、ZnSe、In2S3、InSe3、Sb2S3、Sb2Se3、Ga2S3、Ga2Se3、MgF2、GeS、GeSe、GeSe2、SnS、SnSe、PbS、PbSe、Bi2S3、Bi2Se3、TaN、Si3N4、AlN、Si中的至少一種，或與二種以上的混合物相近組成的物質(zhì)。一般地說，為了提高機械強度或防止從聚碳酸脂基板浸透進來的水分和記錄層13的化學變化，最低需要約50nm的膜厚。
此外，由于當?shù)?保護層12的膜厚過厚時，將偏離上述激光的干擾條件，故上限是100nm左右。特別是在第1保護層12的膜厚為70～90nm的情況下，所謂滿足反射率大于15％，再生信號調(diào)制度大于50％的條件，指的是比值(Rr/Rn)為小于0. 5和大于2.0。其中Rr是來自在記錄媒體1上以激光的振幅的一半以下的振幅和一倍以上的長度記錄下來的非晶狀態(tài)的記錄標記的反射光水平，Rn是來自沒有記錄記錄標記的結(jié)晶狀態(tài)的部分的反射光的水平，(若滿足該條件則)可以得到充分的機械強度，還可以防止從聚碳酸脂基板11浸透進來的水分和記錄層13的化學變化。特別是在記錄層13發(fā)生象相變記錄膜那樣的因多次記錄所引起的記錄膜流動，使再生信號劣化之類的情況下，采用把第1保護層12的膜厚做成為70～90nm的辦法，就可以抑制記錄膜流動。
此外，從光學上說，作為記錄層13的膜厚，在5nm以上而在30nm以下是合適的。特別是，在記錄層13的膜厚大于15nm而小于25nm的情況下，可以把反射率做成為15％以上，可以把再生信號調(diào)制度做成50％以上。但是，通常，在象相變記錄層那樣因記錄膜流動而使再生信號變壞的記錄層中，在記錄層13為25nm以下的情況下，記錄層13的強度弱，易于劣化。本發(fā)明中所使用的第1金屬層15，與通常的高反射率金屬比較，由于熱膨脹系數(shù)小，在強度上出色，故即便是在把記錄層13的膜厚做成為25nm以下時，也可以抑制記錄膜流動。
作為可以使用于第1保護層14的物質(zhì)，可以使用與第1保護層12同樣的物質(zhì)。從光學上說，要求盡可能的薄，但由于易于和第2保護層14、記錄層13、第1金屬層15進行反應(yīng)或易于加熱記錄層13，所以，10nm以上而在40nm以下是合適的。特別是在15nm以上而在30nm以下的情況下，可以得到良好的熱特性和光學特性。
此外，在上述說明中，對第1保護層12、第2保護層14、記錄層13由單一的層構(gòu)成的情況進行了說明，但重要之點是在位于記錄層13的光入射一側(cè)的透明基板11和記錄層13之間已設(shè)有50nm以上100nm以下的第1保護層12，使得滿足上述激光的干擾條件這一點，與第1保護層12組成不同的第3保護層20，如圖5所示，即便是與第1保護層相鄰地存在也沒關(guān)系。特別是在第1保護層12和記錄層13之間存在有第3保護層20，且在第3保護層20中已添加進了Al和O的化合物的情況下，可以抑制因多次改寫而引起的反射率變化或再生信號調(diào)制度變化。
實施例6在本實施例中，雖然用(ZnS)80(SiO2)20(摩爾比)形成了第1保護層2，但代之用(雖然記錄靈敏度或晃動多少變壞)已換了ZnS和SiO2的混合比的物質(zhì)(SiO2為15～20摩爾％)、與ZnS和下述氧化物10～40摩爾％的混合組成相近組成的材料。進行混合的氧化物理想的是SiO2、SiO、TiO2、AL2O3、Y2O3、CeO、La2O3、In2O3、GeO、GeO2、PbO、SnO、SnO2、Bi2O3、TeO2、WO2、WO3、Sc2O3、Ta2O5、ZrO2。除此之外，也可以用應(yīng)用了下述材料的保護層。這些材料是Si-N系材料、Si-O-N系材料、Si-Al-O-N系材料、等的氧化物，TaN、AlN、Si3N4、Al-Si-N系材料、Ge-N系材料(例如AlSiN2)等的氮化物，ZnS、Sb2S3、CdS、In2S3、Ga2S3、GeS、SnS2、PbS、Bi2S3等的硫化物，SnSe2、Sb2Se3、CdSe、ZnSe、In2Se3、Ga2Se3、GeSe、GeSe2、SnSe、PbSe、Bi2Se3等的硒化物，CeF3、MgF2、CaF2等的氟化物或與上述的材料相近的組成的材料。還可以是這些材料的混合材料的層。如本實施例的那樣，把由ZnS與氧化物構(gòu)成的保護膜和除此之外的上述材料的保護層叫做第3保護層。做成把成分不同的保護層進行疊層起來的多層的保護層好處很大。在除去由ZnS和氧化物構(gòu)成的材料以外的材料之內(nèi)更為理想的是氧化物、氮化物、氟化物中的任何一種。
除此之外，作為取代第3保護層的Al2O3的材料，由于以Al2O3為主要成分的材料、SiO2、以SiO2為主要成分的材料，可以降低在后沿的改寫次數(shù)10～100次附近所看到的晃動的上升，所以是更理想的。
上述第3保護層的效果是借助于第1保護層的材料和記錄膜的材料的相互擴散，防止因多次改寫而引起的反射率的變化，在膜厚不足2nm時效果不大。在膜厚大于2nm時，可以把反射率的變化抑制到實用水平的3％以下，在4nm的情況下，反射率的變化成為2％。在膜厚進一步加厚時，對反射率的變化來說在4nm的情況下，雖沒什么大的差別，但因為第3保護層材料的導熱率比(ZnS)80(SiO2)20高，所以，若超過了8nm，則記錄靈敏度降低超過10％，若超過20nm則記錄靈敏度降低將超過15％。因此，第3保護層膜厚理想的是在2nm以上而在20nm以下的范圍，在4nm以上面在8nm以下的范圍內(nèi)則特別理想。這樣的2層保護層，在沒有本發(fā)明的第1金屬層的情況下，或由Si構(gòu)成的情況下，以及在基板與第1保護層之間進行讀出，并且即便是象已追加上使光透過50％以上那樣薄的金屬層的疊層構(gòu)造那樣，已追加上了別的層的疊層構(gòu)造等本實施例以外的疊層構(gòu)造，也具有防止因第1保護層材料向記錄媒體中擴散而帶來的壞影響的效果。此外，倘若在記錄膜與第2保護層之間設(shè)置由可在上述第3保護層中用的任何一種材料構(gòu)成的第4保護膜，則效果還會更高。膜厚可與第3保護層相同。
還有，對于記錄層13、第2保護層14來說，沒有必要特別用單一的層構(gòu)成，也可用多層組成不同的層構(gòu)成。
依據(jù)圖3說明記錄媒體1的另一個例子。在本發(fā)明的記錄媒體1中，采用在第2保護層14與第1金屬層15之間，設(shè)置Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd等的高反射率金屬的含量比第1金屬層15還大的第3金屬層18的辦法，使反射率和再生信號調(diào)制度都進一步提高(圖3)。但是，第3金屬層18的膜厚存在著最佳范圍。在第3金屬層18過厚的情況下，將會發(fā)生晃動上升、記錄靈敏度下降的問題。
以下，說明本發(fā)明的記錄媒體1的記錄功率和再生信號調(diào)制度對第3金屬層18的膜厚的依賴性。這時，設(shè)第1金屬層15的組成為Al71Co29，第2金屬層16的組成為Al98Ti2，第3金屬層18的組成為Al98Ti2。
在第3金屬層18的膜厚比30nm厚時，記錄功率將上升，在實用性的值13mW以下的記錄功率下，不能進行記錄。在小于30nm的情況下，用13mW以下的記錄功率可以進行記錄。此外，這時，再生信號調(diào)制度與第3金屬層18的膜厚一起上升，第3金屬層18在30nm的時候?qū)⒆兂杉s70％。此外，這時，反射率則顯示出17％這樣的良好的值。
實施例7依據(jù)圖4對記錄媒體1的另一例子進行說明。在本發(fā)明的記錄媒體1中，在第1金屬層15和第2金屬層16之間，采用對含有下述金屬(半導體)的氧化物、低氧化物、硫化物、氮化物、Si等的半導體，例如，SiO、SiO2、In2O3、Al2O3、GeO、GeO2、PbO、SnO、SnO2、Bi2O3、TeO2、WO2、WO3、Ta2O5、TiO2、ZrO2、CdS、ZnS、CdSe、ZnSe、In2S3、InSe3、Sb2S3、Sb2Se3、Ga2S3、Ga2Se3、MgF2、GeS、GeSe、GeSe2、SnS、SnSe、PbS、PbSe、Bi2S3、Bi2Se3、TaN、Si3N4、AlN、Si中的至少一種的中間層19進行疊層的辦法，就可以抑制記錄膜流動，同時還可以提高記錄靈敏度，降低晃動。此外，作為上述中間層19也可使用已向金屬中添加了上述氧化物、低氧化物、硫化物、氮化物、Si等的半導體的材料。本發(fā)明的中間層19所需的條件是導熱率至少要比第2金屬層16小。另外，理想的是比第1全屬層15小。作為在第1金屬層15和第2金屬層16之間已設(shè)置了中間層19的情況下的第1金屬層15的最佳膜厚，是10nm以上100nm以下。在比30nm還薄的情況下，由于第1金屬層15使激光透過，中間層19的光學性質(zhì)(折射率、膜厚)影響再生信號，所以是不理想的。另外，在比100nm還厚的情況下，將會發(fā)生記錄層13的冷卻速度降得過低、記錄層劣化、因再結(jié)晶而引起的記錄標記形狀的失真。在第1金屬層15的膜厚大于50nm而小于80nm的情況下，將出現(xiàn)特大的效果。
在上述中間層19的膜厚中也存在有適當?shù)闹?。在上述中間層19的膜厚比200nm還厚時，記錄靈敏度雖然良好，但由于在記錄標記的周圍所產(chǎn)生的粗大結(jié)晶的影響，再生信號的晃動將大幅度地增大。在上述中間層19的膜厚小于200nm的情況下，再生信號的晃動將變成實用水平10％以下的值。在上述中間層19的膜厚大于50nm而小于100nm的情況下，相變記錄膜特有的記錄膜流動受到抑制，即便是在10萬次改寫后也將表現(xiàn)出良好的晃動值和記錄膜流動抑制效果。
實施例8在向本發(fā)明的信息記錄媒體1中記錄用MPEG2這樣的圖象壓縮方式壓縮后的圖象信息的情況下，或者在用與上述圖象信息的記錄所需的信息傳送速率同等的信息傳送速率記錄的情況下，或者在把本發(fā)明的信息記錄再生裝置設(shè)計為使得可以記錄用MPEG2這樣的圖象壓縮方式壓縮后的圖象信息的情況下，以及，在設(shè)計為使得進行已記錄下用這樣的壓縮方式壓縮后的圖象的再生專用型光盤的再生的情況下，在記錄層13的組成中存在著最佳范圍。以下，說明其理由。此外，關(guān)于再生專用型光盤，可以使用由S.Yonezawa申請的美國專利申請系列號08/744760和由該申請人S.Yonezawa于1997年9月17日提出的2件繼續(xù)申請中所述的裝置。
通常，在用由MPEG2之類的圖象壓縮方式記錄下來的再生專用型光盤進行信息的再生的時候，或者在用MPEG2之類的圖象壓縮方式對圖象信息進行壓縮并向信息記錄媒體中進行記錄的時候，在信息記錄時的數(shù)據(jù)傳送速率(信息傳送速率)中存在有適當?shù)闹怠１热?，用MPEG2壓縮后的圖象信息的數(shù)據(jù)傳送速率約為6Mb/s，但是在把這種程度的傳送速率的信息向本發(fā)明的信息記錄媒體中記錄或進行再生的情況下，必須以3～12m/s的盤線速度進行記錄再生。這是因為在盤線速度小的情況下，實時地記錄再生圖象信息是不可能的，而在盤線速度比這還大的情況下，高速地處理連續(xù)地傳送的圖象信息是不可能的。
此外，在相變記錄方式的記錄層13中存在著與信息記錄媒體1的構(gòu)造和盤線速度對應(yīng)的最佳組成。在使用了本發(fā)明的信息記錄媒體1的情況下，由于在第2保護層14與第2金屬層16之間存在著導熱率比較小的第1金屬層15，所以與不存在第1金屬層15的一般信息記錄媒體1不同的范圍組成的記錄層13將變成為有效。
專心進行研究的結(jié)果，在設(shè)盤線速度定為3～12m/s，并向本發(fā)明的信息記錄媒體中進行信息的記錄，使得最短的標記長度為0.2～0.7μm的情況下，可知至少以Ge、Sb、Te為主要成分，添加由Ge、Sb、Te、Ag、In、Co、Se、Ti、Cr、Ni、Mg、Si、V、Ca、Fe、Zn、Zr、Nb、Mo、Rh、Sn、Ta、W、Ir、Pb、B和C構(gòu)成的群中選出的至少一個元素以上構(gòu)成的添加元素M，其組成比為(Ge2Sb2Te5)(1-x)+Mx(其中，0.015＜x＜0.20)的記錄層13是合適的。
其中，所謂M并不一定要表示單一的元素，即便是由多種元素構(gòu)成也可以。其中重要的是對Ge2Sb2Te5組成的化合物，添加一種以上的上述添加元素，并把上述添加元素的組成比之和做成為1.5％以上而且10％以下這一點。在上述添加元素的組成比之和小于1.5％的情況下，由于將成為在記錄標記周邊噪聲上升的原因的再結(jié)晶化(粗大結(jié)晶化)區(qū)域會變大，所以在12m/s以下的高密度記錄再生是不可能的，在上述添加元素之和比10％大的情況下，記錄標記的消去(結(jié)晶化)是不可能的(發(fā)生消去殘留)，信息的重寫(over write)將變成為不可能，所以再生信號晃動將大幅度地上升。在上述添加元素的組成比之和為1.5％以上而在10％以下的情況下，則不會發(fā)生因記錄標記周邊的再結(jié)晶化所引起的噪聲上升和因消去殘留而引起的晃動上升，可以實現(xiàn)良好的記錄再生。
權(quán)利要求
1.一種信息記錄媒體，用借助于能束的照射使原子排列發(fā)生變化或/和電子狀態(tài)發(fā)生變化，向記錄層(13)上進行記錄標記的記錄，再用能束照射再生已記錄于該記錄層(13)上的上述記錄標記的信息記錄媒體，其特征是至少在與上述記錄層的能束入射一側(cè)相反的一側(cè)具備組成不同的第1金屬層(15)和第2金屬層(16)，其中位于與上述記錄層近的一側(cè)的上述第1金屬層的組成以Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd為主要成分，且這些原子的含量之和大于60％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄媒體，其特征是上述第2金屬層(16)的組成以Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd為主要成分，且這些原子的含量之和比上述第1金屬層的這些原子的含量之和大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄媒體，其特征是上述第1金屬層(15)含有65％以上95％以下的Al。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄媒體，其特征是上述第1金屬層(15)以Ti、Cr、Co、Ni、Mg、Si、V、Ca、Fe、Zn、Zr、Nb、Mo、Rh、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pb、B和C構(gòu)成的組中選出的至少一種元素為主要成分進行添加。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項所述的信息記錄媒體，其特征是上述第1金屬層(15)的膜厚為30nm以上且300nm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄媒體，其特征是上述第2金屬層(16)以Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、Mo為主要成分，這些原子的含量之和比上述第1金屬層(15)中的這些原子的含量之和大。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的信息記錄媒體，其特征是上述第2金屬層(16)的Al含有量大于90％。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的信息記錄媒體，其特征是上述第2金屬層(16)的膜厚為50nm以上且在250nm以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任意一項所述的信息記錄媒體，其特征是至少在上述能束入射一側(cè)具有透明基板(11)，在上述透明基板與上述第1金屬層之間，具有第1保護層(12)和第2保護層(14)這兩個保護層，在該第1保護層和第2保護層之間，具有上述記錄層(13)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息記錄媒體，其特征是至少上述第1保護層(12)和第2保護層(14)的不論哪一層中都含有Zn和S。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的信息記錄媒體，其特征是上述第1保護層(12)和第2保護層(14)之內(nèi)，與上述透明基板(11)相近一側(cè)的上述第1保護層(12)的膜厚為50nm以上且100nm以下，上述記錄層(13)的膜厚為5nm以上且30nm以下，上述第2保護層(14)的膜厚為10nm以上且在40nm以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的信息記錄媒體，其特征是在上述第1保護層(12)與記錄層(13)之間具有含有Al和O的化合物的第3保護層(20)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的信息記錄媒體，其特征是上述第3保護層(20)的膜厚為2nm以上且20nm以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息記錄媒體，其特征是上述第1金屬層(15)與第2金屬層(16)的膜厚之和為130nm以上且在400nm以下。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息記錄媒體，其特征是在上述第1金屬層(15)與記錄層(13)之間，具有以Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd為主要成分，這些原子的含量之和比上述第1金屬層大的第3金屬層(18) 。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的信息記錄媒體，其特征是上述第3金屬層(18)具有含有90％以上的Al。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的信息記錄媒體，其特征是上述第1金屬層(15)與第3金屬層(18)相鄰而存在，且上述第3金屬層(18)的膜厚為30nm以下。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息記錄媒體，其特征是在上述第1金屬層(15)與第2金屬層(16)之間具有厚度為200nm以下的非金屬層(19)。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄媒體，其特征是在上述記錄層(13)上形成有溝和脊，在上述溝內(nèi)和脊上這兩方上邊設(shè)有用于記錄記錄標記的地址信息標記。
20.根據(jù)權(quán)利要求1、9、19中的任一項所述的信息記錄媒體，其特征是上述溝和脊用記錄與信息信號對應(yīng)的多個長度標記的方式進行記錄。
21.根據(jù)權(quán)利要求1、9、19中的任一項所述的信息記錄媒體，其特征是上述能束其第1功率水平比第2功率水平高，且由上述第1功率水平所形成的第1狀態(tài)為非晶狀態(tài)，由上述第2功率水平所形成的第2狀態(tài)為結(jié)晶狀態(tài)。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的信息記錄媒體，其特征是上述記錄層(13)至少以Ge、Sb、Te為主要成分，添加由Ge、Sb、Te、Ag、In、Co、Se、Ti、Cr、Ni、Mg、Si、V、Ca、Fe、Zn、Zr、Nb、Mo、Rh、Sn、Ta、W、Ir、Pb、B和C構(gòu)成的組中選出的至少一種元素以上構(gòu)成的添加元素M，其組成比為(Ge2Sb2Te5)(1-x)+Mx(其中，0.015＜x＜0.20)。
23.根據(jù)權(quán)利要求1、9、19中的任一項所述的信息記錄媒體，其特征是上述能束是與上述信息記錄媒體(1)的記錄再生有關(guān)的規(guī)格決定下來的能束，比值(Rr/Rn)為小于0.5和大于2.0，其中Rr是在來自在上述信息記錄媒體(1)上以上述能束幅度的一半以下的幅度和一倍以上的長度記錄下來的非晶狀態(tài)的記錄標記的反射光水平，Rn是來自沒有記錄記錄標記的結(jié)晶狀態(tài)的部分的反射光的水平。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的信息記錄媒體，其特征是上述反射光水平的最高水平Rh為15～24％。
25.根據(jù)權(quán)利要求1、9、19中的任一項所述的信息記錄媒體，其特征是上述記錄層(13)用上述能束的功率水平的至少第1功率水平和第2功率水平進行上述記錄標記的記錄，用第1功率水平的照射使之變化為非晶狀態(tài)，用第2功率水平的照射使之變化為結(jié)晶狀態(tài)。
26.根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息記錄媒體，其特征是在上述第1保護層與上述記錄層之間有第3保護層，第3保護層是氧化物、氮化物、氟化物中的任意一種。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的信息記錄媒體，其特征是上述第3保護層的膜厚為2nm以上且20nm以下。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的信息記錄媒體，其特征是在上述第2保護層與上述記錄層之間有第4保護層，第4保護層是氧化物、氮化物、氟化物中的任意一種。
29.一種從記錄媒體中再生信息的信息再生裝置，其特征是，具有下述部分組成不同的第1金屬層(15)和第2金屬層(16)，上述金屬層形成于借助于因為能束的照射而引起的原子排列變化或/和電子狀態(tài)變化進行記錄標記的記錄的至少與上述記錄層的能束入射一側(cè)相反的一側(cè)；信息記錄媒體(1)，其中，位于與上述記錄層相近的一側(cè)的上述第1金屬層的組成以Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd為主要成分，這些原子含有量之和為60％以上；激光束照射電路(3、7、6)，用于從上述記錄媒體中再生信息；地址信息檢測電路(3、4、10)，用于從用再生已設(shè)于上述信息記錄媒體上的地址信息得到的電信號中，檢測出地址信號。
30.一種對信息記錄媒體進行信息的記錄再生的信息記錄再生裝置，其特征是，具有下述部分記錄層(13)，借助于因為能束的照射而引起的原子排列變化或/和電子狀態(tài)變化進行記錄標記的記錄；組成不同的第1金屬層(15)和第2金屬層(16)，至少形成于與上述記錄層的能束入射一側(cè)相反的一側(cè)；信息記錄媒體(1)，其中，位于與上述記錄層相近的一側(cè)的上述第1金屬層的組成以Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd為主要成分，這些原子含有量之和為60％以上；激光束照射電路(3、7、6)，用于在上述信息記錄媒體中形成記錄標記，并從上述記錄媒體中再生該記錄信息；記錄信號調(diào)制電路(8)和再生信號解調(diào)電路(10)，用于對與信息信號對應(yīng)的多數(shù)個長度的記錄標記以記錄的方式進行記錄。
31.根據(jù)權(quán)利要求29或30所述的裝置，其特征是記錄標記記錄用的上述能束，是用透鏡的孔徑數(shù)為0.56以上且在0.66以下的物鏡對光波長為600～700nm的激光聚光后的能束，上述多個長度的記錄標記之內(nèi)，最短的記錄標記長度為0.2微米以上且在0.7微米以下。
32.根據(jù)權(quán)利要求29或30所述的裝置，其特征是上述能束是其光波長為600～700nm的能束，該裝置具有上述激光束照射電路(3、7)，用于用透鏡孔徑數(shù)為0.56以上且在0.66以下的物鏡對上述能束聚光；記錄波形產(chǎn)生電路(6)，控制用于記錄最短記錄標記長度的能束照射時間，使得上述多數(shù)長度的記錄之中最短記錄標記長在0.2微米以上且在0.7微米以下。
33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其特征是具有功率水平調(diào)制電路(7)，用于在第1功率水平和第2功率水平之間調(diào)制上述能束的功率水平。
34.根據(jù)權(quán)利要求30所述的裝置，其特征是上述信息記錄媒體是非可換型的。
35.根據(jù)權(quán)利要求29或30所述的裝置，其特征是具有光電變換電路(4、7)，用于把來自上述信息記錄媒體的反射光水平的高低變換成電信號。
全文摘要
信息記錄媒體(1),至少在與記錄層(13)的能束入射一側(cè)相反的一側(cè)具有組成不同的第1金屬層(15)和第2金屬層(16),其中,位于與記錄層相近的一側(cè)的第1金屬層的組成以Al、Ag、Au、Pt、Pd為主要成分,這些原子的含量之和大于60%。這樣,就可實現(xiàn)可靠性高的信息的記錄再生。
文檔編號G11B7/30GK1183611SQ9712278
公開日1998年6月3日 申請日期1997年11月24日 優(yōu)先權(quán)日1996年11月25日
發(fā)明者宮本真, 寺尾元康, 福井幸夫, 德宿伸弘, 安藤圭吉, 西田哲也, 廣常朱美, 宮內(nèi)靖, 森谷宏一 申請人:株式會社日立制作所, 日立馬庫塞魯株式會社