專利名稱：利用時(shí)鐘調(diào)制技術(shù)測(cè)試高速存儲(chǔ)器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體集成電路器件的測(cè)試。特別涉及利用時(shí)鐘調(diào)制技術(shù)、采用具有低于欲測(cè)器件工作速度的最大頻率的測(cè)試設(shè)備測(cè)試高速半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法。
大多數(shù)已在銷售的常規(guī)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)具有快速頁(yè)面模式功能，被稱作快速頁(yè)面模式DRAM。DRAM中快速頁(yè)面模式工作允許在由頁(yè)邊界限定的行地址內(nèi)較快地進(jìn)行數(shù)據(jù)操作。一般情況下，這是通過(guò)將行地址選通(RAS／)信號(hào)固定為低電位，觸發(fā)列地址選通信號(hào)，進(jìn)行較快存儲(chǔ)周期實(shí)現(xiàn)的。通常，選擇新行大約要花比選擇一行中其它列的時(shí)間長(zhǎng)三倍的時(shí)間。
DRAM其它性能的選擇已知為擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出，或有時(shí)稱作超頁(yè)面模式。具有這種特征的DRAM叫作EDO DRAM。EDO DRAM的形式與快速頁(yè)面模式類似，只不過(guò)以較快周期速率工作。這是由于轉(zhuǎn)換快的CAS／信號(hào)不再控制輸出緩沖器，由此提供管道(pipeline)數(shù)據(jù)流的緣故。這便允許更快地讀出和處理數(shù)據(jù)。一般情況下，擴(kuò)展輸出是由構(gòu)建例如快速頁(yè)面模式DRAM等DRAM實(shí)現(xiàn)的，所以在CAS／進(jìn)行預(yù)充電時(shí)，CAS／信號(hào)不再使I／O緩沖器為三態(tài)。在EDO DRAM中，因CAS／預(yù)充電引起的數(shù)據(jù)預(yù)充電消失，這樣，取得數(shù)據(jù)的時(shí)間和工作周期時(shí)間可以減少。
另一方面，這些存儲(chǔ)器件的高速發(fā)展需要快速測(cè)試設(shè)備。然而，高速測(cè)試設(shè)備很貴，導(dǎo)致設(shè)備投入的成本很高。而且，在某些情況下，測(cè)試設(shè)備的發(fā)展跟不上迅速發(fā)展的存儲(chǔ)器件。因此，如果可以利用現(xiàn)有低速測(cè)試設(shè)備測(cè)試高速存儲(chǔ)器件，則成本可以降低，新開發(fā)的器件可以更快地投入市場(chǎng)。
例如，日本MINATO的可用于存儲(chǔ)器件測(cè)試的測(cè)試設(shè)備M9600的最大頻率為33MHZ(30納秒)，且可用的速率從30納秒至4毫秒。用此測(cè)試設(shè)備，不可能實(shí)現(xiàn)16M DRAM EDO50ns／60ns測(cè)試頁(yè)面的讀／寫動(dòng)作周期時(shí)間tHPC(超頁(yè)面周期時(shí)間)20ns／25ns。
本發(fā)明的目的是克服測(cè)試設(shè)備的最大頻率極限，可以測(cè)試高速存儲(chǔ)器件。
本發(fā)明的另一目的是提供用低速測(cè)試設(shè)備測(cè)試高速存儲(chǔ)器的測(cè)試方法。
在本發(fā)明的測(cè)試方法中，具有最大頻率(=最小速率)并產(chǎn)生多個(gè)普通時(shí)鐘信號(hào)的測(cè)試設(shè)備用來(lái)測(cè)試工作周期時(shí)間比測(cè)試設(shè)備最大頻率快的存儲(chǔ)器的電特性。測(cè)試設(shè)備從多個(gè)普通時(shí)鐘信號(hào)中選取兩個(gè)時(shí)鐘信號(hào)并進(jìn)行調(diào)制，使其成為滿足存儲(chǔ)器的工作周期時(shí)間的時(shí)鐘信號(hào)。將從測(cè)試設(shè)備來(lái)的調(diào)制時(shí)鐘信號(hào)加到要測(cè)試的存儲(chǔ)器上。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，對(duì)于時(shí)鐘調(diào)制，使用規(guī)定作為行地址信號(hào)和列地址信號(hào)提供的兩個(gè)普通時(shí)鐘信號(hào)。將調(diào)制時(shí)鐘信號(hào)作為CAS／信號(hào)加到存儲(chǔ)器。為了給存儲(chǔ)器提供地址信號(hào)，通常規(guī)定作為CAS／信號(hào)的普通時(shí)鐘信號(hào)與多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)結(jié)合。根據(jù)存儲(chǔ)器的工作周期，地址格式可以是X-Y-Y／或者Y-Y／。
本發(fā)明特別適用于具有快速頁(yè)面模式和EDO模式功能的存儲(chǔ)器。
上面已闡述了本發(fā)明的某些目的和優(yōu)點(diǎn)，參照附圖和下面的詳細(xì)說(shuō)明，則會(huì)更充分理解本發(fā)明的其他目的與優(yōu)點(diǎn)，其中

圖1是根據(jù)本發(fā)明有接收CAS／信號(hào)調(diào)制的時(shí)鐘的EDO DRAM的時(shí)間圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的地址信號(hào)調(diào)制的時(shí)間圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的EDO混合模式測(cè)試項(xiàng)目的時(shí)間圖。
測(cè)試設(shè)備的最小速率由測(cè)試設(shè)備中定時(shí)信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生的脈沖信號(hào)的最大頻率決定。下面說(shuō)明用最大頻率為33MHZ(30ns)的測(cè)試設(shè)備測(cè)試由本受讓人制造的KM41C16004B 16M EDO DRAM的測(cè)試方法。EDO DRAM的功能測(cè)試與快速頁(yè)面模式測(cè)試項(xiàng)相似。AC參數(shù)測(cè)試項(xiàng)包括EDO tDOH(輸出數(shù)據(jù)持續(xù)時(shí)間)項(xiàng)和EDO混合項(xiàng)。EDO混合測(cè)試項(xiàng)的AC參數(shù)包括tHPC、tCP(CAS／預(yù)充電時(shí)間)、tCAP(從CAS／預(yù)充電的存取時(shí)間)，主要在頁(yè)面-頁(yè)面周期時(shí)限中測(cè)試這些項(xiàng)。
KM41C1600B DRAM器件的AC參數(shù)規(guī)定為tHPC=20ns、tCP／min·=10ns、tCPA／max·=40ns。因此，如果用從最小速率為30ns的測(cè)試設(shè)備上的單個(gè)CAS／時(shí)鐘信號(hào)，就不可能實(shí)現(xiàn)20ns的tHPC參數(shù)。換句話說(shuō)，該測(cè)試設(shè)備不能測(cè)試16MDRAM的EDO模式工作。為克服此限制，如圖1所示，本發(fā)明人調(diào)制兩個(gè)時(shí)鐘信號(hào)以實(shí)現(xiàn)如圖1所示的tHPC=20ns。
圖1是有接收CAS／信號(hào)調(diào)制的時(shí)鐘的EDO DRAM的時(shí)間圖。為了時(shí)鐘調(diào)制，使用兩個(gè)普通時(shí)鐘信號(hào)。M9600測(cè)試設(shè)備共能產(chǎn)生10個(gè)普通時(shí)鐘信號(hào)，它們能用作測(cè)試中的EDO DRAM的RAS／、CAS／、行地址、列地址、WE／(寫啟動(dòng))、OE／(輸出啟動(dòng))、選通脈沖、轉(zhuǎn)移、三態(tài)等信號(hào)。RAS／和CAS／信號(hào)分別用來(lái)控制相關(guān)操作的行地址和相關(guān)操作的列地址。WE／和OE／是控制存儲(chǔ)器讀寫動(dòng)作的信號(hào)，選通信號(hào)啟動(dòng)比較從存儲(chǔ)器輸出的數(shù)據(jù)與參考值的比較器。轉(zhuǎn)移信號(hào)選擇地連接存儲(chǔ)器的輸入／輸出端與驅(qū)動(dòng)器或比較器。三態(tài)信號(hào)使存儲(chǔ)器的輸出緩沖器為高阻三態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，CAS／時(shí)鐘調(diào)制使用通常設(shè)計(jì)為行地址和列地址信號(hào)供應(yīng)的時(shí)鐘6和時(shí)鐘7。通過(guò)使周期時(shí)間為40ns、保持在高態(tài)時(shí)間為10ns到20ns的時(shí)鐘6與周期時(shí)間為40ns、保持在高態(tài)時(shí)間為30ns到40ns的時(shí)鐘7為非，可以得到如圖1所示的滿足條件tHPC=20ns和tCP=10ns的CAS／脈沖信號(hào)。
在用時(shí)鐘調(diào)制CAS／信號(hào)進(jìn)行EDO DRAM的頁(yè)面-頁(yè)面讀周期動(dòng)作時(shí)，測(cè)試設(shè)備的速率(測(cè)試一個(gè)周期)設(shè)置為40ns，比EDO工作周期時(shí)間tHPC=20ns長(zhǎng)兩倍。因?yàn)閿?shù)據(jù)輸出由按EDO模式工作的CAS／時(shí)鐘來(lái)控制，如果CAS／在測(cè)試一個(gè)周期(40ns)時(shí)觸發(fā)兩次，則可以控制每20ns數(shù)據(jù)輸出。參照由有效Y地址信號(hào)得到的有效數(shù)據(jù)輸出，測(cè)量如tHPC、tCP、tCPA和tDOH等AC參數(shù)，同時(shí)從有效Y地址信號(hào)得到的有效數(shù)據(jù)輸出由不測(cè)量的DRAM器件臨時(shí)控制。
盡管對(duì)無(wú)效數(shù)據(jù)輸出不能進(jìn)行AC參數(shù)的測(cè)試，但實(shí)現(xiàn)了tCP=10ns，并有可能在下一個(gè)測(cè)試周期的下一個(gè)有效數(shù)據(jù)輸出中看見CAS／預(yù)充電作用。
在頁(yè)面-頁(yè)面寫周期中，啟動(dòng)在有效Y地址中的WE／時(shí)鐘，從而允許有效數(shù)據(jù)進(jìn)入存儲(chǔ)器，便得到tHPC和有關(guān)的EDO AC參數(shù)。
另一方面，因?yàn)樵贑AS／時(shí)鐘調(diào)制中使用了通常作為行和列地址供應(yīng)的時(shí)鐘6和時(shí)鐘7，需要分配新的地址時(shí)鐘。為此，使用通常規(guī)定作為CAS／時(shí)鐘的時(shí)鐘2和多時(shí)鐘信號(hào)。通過(guò)結(jié)合時(shí)鐘2與多時(shí)鐘信號(hào)，將行地址和列地址信號(hào)從測(cè)試設(shè)備加到存儲(chǔ)器。
圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)現(xiàn)地址信號(hào)調(diào)制的時(shí)間圖。多時(shí)鐘信號(hào)由測(cè)試設(shè)備獨(dú)立于普通時(shí)鐘信號(hào)而產(chǎn)生。當(dāng)多時(shí)鐘信號(hào)為激活態(tài)時(shí)，加到存儲(chǔ)器的地址信號(hào)為列地址信號(hào)。如前所述，EDO DRAM在由行地址限制的頁(yè)面單位(page unit)中工作，頁(yè)面單位由置頁(yè)面、頁(yè)面-頁(yè)面、出頁(yè)面周期構(gòu)成。在置頁(yè)面周期中，一個(gè)頁(yè)面周期開始，且CAS／與RAS／成為低激活態(tài)，而在出頁(yè)面周期中，RAS／與CAS／為預(yù)充電到其非激活態(tài)高電平，從而結(jié)束頁(yè)面周期。在置頁(yè)面和出頁(yè)面之間的頁(yè)面-頁(yè)面周期中，RAS／保持低電平，且觸發(fā)CAS／。
因此，EDO混合測(cè)試項(xiàng)的置頁(yè)面周期中的地址格式為X-Y，在頁(yè)面-頁(yè)面周期中為Y-Y／。這里，Y／代表無(wú)效Y地址。通過(guò)結(jié)合多時(shí)鐘信號(hào)與時(shí)鐘信號(hào)2，產(chǎn)生所需的地址格式。例如，置頁(yè)面周期中，多時(shí)鐘在33ns啟動(dòng)，所以地址格式變?yōu)閄-Y，而在頁(yè)面-頁(yè)面周期，多時(shí)鐘在0ns啟動(dòng)，所以加到存儲(chǔ)器的僅為Y地址。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的EDO混合測(cè)試項(xiàng)的時(shí)間圖。在圖3中，Y／和D／分別代表無(wú)效地址和無(wú)效數(shù)據(jù)，為了使地址格式在置頁(yè)面周期中為X-Y，加33ns的多時(shí)鐘，在此周期RAS／和CAS／都變?yōu)榈碗娖健Ｒ驗(yàn)镃AS在置頁(yè)面周期不觸發(fā)，所以在置頁(yè)面周期不能進(jìn)行CAA／時(shí)鐘調(diào)制。在置頁(yè)面周期內(nèi)，WE／為不激活的高態(tài)，OE／為激活的低態(tài)，允許有效數(shù)據(jù)從地址信號(hào)所指的存儲(chǔ)單元中輸出。從由RAS／到低態(tài)的轉(zhuǎn)換到有效數(shù)據(jù)的輸出所需時(shí)間為tRAC(RAS／的存取時(shí)間)。從由CAS／到低電平的轉(zhuǎn)換到有效數(shù)據(jù)的取出所需時(shí)間為tCAC(CAS／存取的時(shí)間)。tAA(Y地址存取的時(shí)間)定義為從有效Y地址到有效數(shù)據(jù)輸出的時(shí)間。
在頁(yè)面-頁(yè)面周期，RAS／保持為激活態(tài)，CAS／觸發(fā)。為了實(shí)現(xiàn)tHPC=20ns和tCP=10ns，進(jìn)行本發(fā)明的CAS時(shí)鐘調(diào)制，并加0ns的多時(shí)鐘以提供Y-Y／地址信號(hào)。列地址保持時(shí)間過(guò)后，且CAS／進(jìn)入預(yù)充電之后，CAS／重新為低電平。但是，不用關(guān)心第二次激活CAS／時(shí)識(shí)別的數(shù)據(jù)。
在出頁(yè)面周期，CAS／也觸發(fā)，因此，需進(jìn)行本發(fā)明的CAS／時(shí)鐘調(diào)制，以得到tHPC=20ns和tCP=10ns，并為Y-Y／地址格式加0ns的多時(shí)鐘。
關(guān)于上述本發(fā)明的時(shí)鐘調(diào)制，可以用最大速率為30ns的測(cè)試設(shè)備測(cè)試tHPC=20ns和tCP=10ns的EDO存儲(chǔ)器。
下面表1列出本發(fā)明的測(cè)試結(jié)果。在測(cè)試中，使用M9600測(cè)試設(shè)備，所測(cè)存儲(chǔ)器選自那些已經(jīng)被比存儲(chǔ)器工作速率高的高速存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備淘汰的器件。
<表1>
例如，最高頻率為66MHz的ADVAN X-9062存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備報(bào)告共3003個(gè)存儲(chǔ)器失效，其中EDO模式工作的失效為74。用M9600和本發(fā)明的時(shí)鐘調(diào)制重新測(cè)試這些實(shí)際失效的器件。如表1所示，M9600報(bào)告20個(gè)器件為速度失效、46個(gè)器件為CBR(CAS／在RAS前)時(shí)限tRP(RAS／預(yù)充電時(shí)間)邊緣失效、8個(gè)器件為EDO tDOH失效。結(jié)果，M9600共找出74個(gè)不合格器件。
如上所述，利用本發(fā)明，可以克服測(cè)試設(shè)備的最高頻率限制，用時(shí)鐘調(diào)制技術(shù)測(cè)試高速存儲(chǔ)器。
以上參照例示實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明，但顯然本發(fā)明并不限于此。對(duì)本發(fā)明領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)很顯然，結(jié)合本說(shuō)明書和現(xiàn)有技術(shù)，發(fā)明的實(shí)施例可以有很多變化和組合及其它實(shí)施例。因此本發(fā)明的附屬權(quán)利要求包含這些變形或?qū)嵤├?br> 權(quán)利要求
1．利用測(cè)試設(shè)備測(cè)試具有工作周期的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，所述測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生多個(gè)具有低于存儲(chǔ)器件的工作周期的最大頻率值的普通時(shí)鐘信號(hào)，所述測(cè)試方法包括以下步驟通過(guò)調(diào)制多個(gè)普通時(shí)鐘信號(hào)中的第一和第二普通時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生調(diào)制時(shí)鐘信號(hào)，以使所述調(diào)制的時(shí)鐘信號(hào)的最大頻率等于或大于存儲(chǔ)器件的工作周期；給存儲(chǔ)器件提供調(diào)制的時(shí)鐘信號(hào)，作為存儲(chǔ)器件的特定控制信號(hào)；及根據(jù)多個(gè)測(cè)試項(xiàng)測(cè)試存儲(chǔ)器件的電失效。
2．利用測(cè)試設(shè)備測(cè)試具有擴(kuò)展輸出模式功能和EDO工作周期時(shí)間的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，所述測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生多個(gè)具有低于存儲(chǔ)器件的EDO工作周期時(shí)間的最大頻率值的普通時(shí)鐘信號(hào)，所述測(cè)試方法包括以下步驟通過(guò)調(diào)制多個(gè)普通時(shí)鐘信號(hào)中的第一和第二普通時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生調(diào)制時(shí)鐘信號(hào)，以使所述調(diào)制時(shí)鐘信號(hào)的最大頻率等于或大于存儲(chǔ)器件的EDO工作周期；給存儲(chǔ)器件提供調(diào)制時(shí)鐘信號(hào)，作為控制與存儲(chǔ)器件動(dòng)作有關(guān)的列地址的CAS／信號(hào)，并提供多個(gè)普通時(shí)鐘信號(hào)中的第三普通時(shí)鐘信號(hào)，作為控制與存儲(chǔ)器件動(dòng)作有關(guān)的行地址的RAS／信號(hào)；及根據(jù)多個(gè)測(cè)試項(xiàng)測(cè)試存儲(chǔ)器件的電失效。
3．如權(quán)利要求2的測(cè)試方法，其中，所述測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生多脈沖信號(hào)，用于由測(cè)試設(shè)備生成地址信號(hào)，該信號(hào)被存儲(chǔ)器件識(shí)別為列地址信號(hào)，通過(guò)結(jié)合所述多脈沖信號(hào)和多個(gè)普通時(shí)鐘信號(hào)中的第四普通時(shí)鐘信號(hào)，所述測(cè)試設(shè)備為存儲(chǔ)器件提供行和列地址信號(hào)。
4．如權(quán)利要求3的測(cè)試方法，其中，所述存儲(chǔ)器件以由RAS／和CAS／皆變成其激活態(tài)的置頁(yè)面周期、RAS／保持其激活態(tài)而CAS／觸發(fā)的至少一個(gè)頁(yè)面-頁(yè)面周期、及RAS／和CAS／皆變成其不激活態(tài)的出頁(yè)面周期構(gòu)成的頁(yè)面單位工作，且其中提供給存儲(chǔ)器件的地址信號(hào)具有行地址-列地址格式。
5．如權(quán)利要求3的測(cè)試方法，其中，所述存儲(chǔ)器件以由RAS／和CAS／皆變成其激活態(tài)的置頁(yè)面周期、RAS／保持其激活態(tài)而CAS／觸發(fā)的至少一個(gè)頁(yè)面-頁(yè)面周期、及RAS／和CAS／皆變成其不激活態(tài)的出頁(yè)面周期構(gòu)成的頁(yè)面單位工作，且其中提供給存儲(chǔ)器件的地址信號(hào)具有列地址格式。
6．如權(quán)利要求2的測(cè)試方法，其中，發(fā)生步驟使第一和第二普通時(shí)鐘信號(hào)為非。
7．如權(quán)利要求2的測(cè)試方法，其中，多個(gè)測(cè)試項(xiàng)包括輸出保持時(shí)間(tDOH)、超頁(yè)面周期時(shí)間(tHPC)、CAS／預(yù)充電時(shí)間(tCP)、及從CAS／預(yù)充電的存取時(shí)間(tCPA)。
8．如權(quán)利要求3的測(cè)試方法，其中，所述存儲(chǔ)器件以由RAS／和CAS／皆變成其激活態(tài)的置頁(yè)面周期、RAS／保持其激活態(tài)而CAS／觸發(fā)的至少一個(gè)頁(yè)面-頁(yè)面周期、及RAS／和CAS／皆變成其不激活態(tài)的出頁(yè)面周期構(gòu)成的頁(yè)面單位工作，且其中存儲(chǔ)器件的讀和寫動(dòng)作由多個(gè)普通時(shí)鐘信號(hào)提供的WE／和OE／信號(hào)控制。
9．如權(quán)利要求8的測(cè)試方法，其中，在存儲(chǔ)器件處于頁(yè)面-頁(yè)面讀周期時(shí)，參考由第一激活態(tài)的CAS／產(chǎn)生的有效數(shù)據(jù)測(cè)試存儲(chǔ)器件的電特性。
全文摘要
利用測(cè)試設(shè)備測(cè)試具有擴(kuò)展輸出模式功能的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法,所述測(cè)試設(shè)備具有低于欲測(cè)試存儲(chǔ)器件的工作速度的最大頻率。測(cè)試設(shè)備從多個(gè)普通時(shí)鐘信號(hào)中選擇兩個(gè)時(shí)鐘信號(hào)并調(diào)制,使它們成為滿足存儲(chǔ)器件的工作周期時(shí)間的時(shí)鐘信號(hào)。關(guān)于時(shí)鐘調(diào)制,使用規(guī)定作為行地址信號(hào)和列地址信號(hào)供應(yīng)的兩個(gè)普通時(shí)鐘信號(hào)。調(diào)制時(shí)鐘信號(hào)作為CAS/信號(hào)供給存儲(chǔ)器件。
文檔編號(hào)G11C29/48GK1204125SQ9711655
公開日1999年1月6日 申請(qǐng)日期1997年9月19日 優(yōu)先權(quán)日1997年6月30日
發(fā)明者周基鳳, 柳財(cái)奔, 止一植, 韓 熙 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社