技術(shù)編號(hào):6746066
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體集成電路器件的測(cè)試。特別涉及利用時(shí)鐘調(diào)制技術(shù)、采用具有低于欲測(cè)器件工作速度的最大頻率的測(cè)試設(shè)備測(cè)試高速半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的測(cè)試方法。大多數(shù)已在銷售的常規(guī)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)具有快速頁(yè)面模式功能,被稱作快速頁(yè)面模式DRAM。DRAM中快速頁(yè)面模式工作允許在由頁(yè)邊界限定的行地址內(nèi)較快地進(jìn)行數(shù)據(jù)操作。一般情況下,這是通過將行地址選通(RAS/)信號(hào)固定為低電位,觸發(fā)列地址選通信號(hào),進(jìn)行較快存儲(chǔ)周期實(shí)現(xiàn)的。通常,選擇新行大約要花比選擇一行中其...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
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