專利名稱：磁記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適用于縱向記錄的磁記錄介質(zhì)。
金屬薄膜型磁記錄介質(zhì)包括由已知的傾斜真空沉積結(jié)法構(gòu)成的磁性層。
在真空中構(gòu)成的金屬薄膜能夠由PVD(物理蒸發(fā)沉積)或者CVD(化學(xué)蒸發(fā)沉積)來完成，然而，具有高矯頑力的磁性金屬薄膜是不能簡單地用PVD或CVD來獲得的。在用這些方法形成的磁薄膜中，用傾斜真空沉積方法形成的一個磁薄膜呈現(xiàn)相當(dāng)高的矯頑力，但由于其中晶粒的取向，它仍然不能適用于特殊的用途。
為了消除上述缺陷，已經(jīng)提出一種包括具有供給氧氣的傾斜真空沉積磁性金屬晶粒的方法。換言之，所提出的方法包括磁性金屬晶粒的氧化和分離，以致傾斜取向的圓柱形磁性金屬晶粒被磁性地分離而使每單位體積的磁性晶粒的占有率減少，由此提高金屬薄膜的矯頑力。
于是，已經(jīng)被分離和取向和然后傾斜生長的柱形晶粒組稱為“柱”。
業(yè)已發(fā)現(xiàn)，當(dāng)磁性薄膜從相同的磁性金屬形成時，按照它們的柱形結(jié)構(gòu)它們具有不同的電磁變換特性。
該發(fā)明人研究磁性薄膜的柱形結(jié)構(gòu)發(fā)現(xiàn)磁性薄膜呈現(xiàn)不同的電磁變換特性取決于圓柱曲率。更具體地說，發(fā)現(xiàn)具有較大圓柱曲率的磁性薄膜能夠采用環(huán)形磁頭有利地用于高頻記錄(重放)。
本發(fā)明的目的是提供一種具有優(yōu)良電磁變換特性的磁記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的上述目的是用磁記錄介質(zhì)來實現(xiàn)的，該磁記錄介質(zhì)包括一個具有在其上包括傾斜生長的磁性金屬晶粒圓柱的金屬薄膜的支撐，其中每個圓柱被彎曲成10％或更大的曲率。
參照下列附圖，通過實施例對發(fā)明進行更清楚的描述

圖1是根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的示意圖；圖2是為根據(jù)本發(fā)明的用于制作磁記錄介質(zhì)的傾斜真空沉積設(shè)備的實施例的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的用于制作磁記錄介質(zhì)的傾斜真空沉積設(shè)備的另一個實施例的示意圖。
圓柱曲率的上限較好為40％或更少些，更好為35％或更少些，特別好為25％或更少些。圓柱曲率的下限是10％，較好為15％。
圓柱的傾斜角較好為從35°至55°，更好為從40°至50°或更少一些。
所用的圓柱的曲率和傾斜角按如下確定，由傾斜真空法構(gòu)成的磁性薄膜示意地顯示在圖1中，假設(shè)置于支撐2上的磁性薄膜10的圓柱結(jié)構(gòu)如圖1所示形成的，曲率(％)由(a/b)×100表示，其中a是與圓柱結(jié)構(gòu)的弦相垂直的線的最大長度，b是圓柱結(jié)構(gòu)的長度AB(弦)。圓柱的傾斜角是直線AB(圓柱結(jié)構(gòu)的弦)和支撐(水平方向)之間的夾角。
磁性薄膜較好的厚度為1000至5000，更好為1000至4000，特別好為1000至1800。
具有較大曲率已經(jīng)傾斜生長的磁性薄膜能有利地用于環(huán)形磁頭的理由如下在圖1中，來自環(huán)形磁頭的磁力線按箭頭H方向運行。在該系統(tǒng)中，磁頭是環(huán)形磁頭，并且磁帶和磁頭相互以高速移動。這樣，與沿來自磁頭的磁力線匹配的圓柱結(jié)構(gòu)對于容易磁化是有利的。因此，本發(fā)明能夠提供高輸出和好的重寫性(清除率)，求得圓柱的最佳曲率是10％或更多一些，優(yōu)選為15％或更多一些，更優(yōu)選為20％因而得到圓柱的最佳傾斜角為35°至55°，優(yōu)選為40°至50°。
用于本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的支撐可以是磁性的或者是非磁性的，一般是非磁性的。這種有用支撐材料的例子包括有機材料，例如聚酯(例如EPT)、聚酰胺、聚酰亞胺、聚砜、聚碳酸脂、烯烴樹脂(例如聚丙烯)、纖維素樹脂、陶瓷，例如玻璃和金屬材料，例如鋁合金，該支撐可任選具有提供在其表面上的內(nèi)涂層，用于增強使它粘到磁層(磁性薄膜)上。
然后，磁性薄膜通過例如傾斜真空沉積法在支撐的一側(cè)上構(gòu)成。組成磁性薄膜的磁性晶粒材料的實例包括金屬，例如Fe、Co和Ni，Co-Ni合金、Co-Pt合金、Co-Ni-Pt合金、Fe-Co合金、Fe-Ni合金、Fe-Co-Ni合金、Fe-Co-B合金、Co-Ni-Fe-B合金、Co-Cr合金，并且那些薄膜通過在這些材料中加入金屬鋁獲得的。另一方面，鐵磁金屬的氮化物、碳化物和氧化物，例如Fe-N、Fe-N-O、Fe-C、Fe-C-O和Fe-N-C-O和其混合物可以采用。磁性層的厚度小于普通值，例如，它小于1000至4000，優(yōu)選地為1000至1600。
優(yōu)選的磁性金屬薄膜的形成是通過供氧氣實施的，以致在表面形成由氧化物膜構(gòu)成的保護層。由類似金剛石的碳化物、碳氮化物、硅氧化物、硼碳化物、硅氮化物構(gòu)成的另一保護層可被優(yōu)選地形成。由碳或氟潤滑劑制成的層可優(yōu)選地形成在保護層上，作為潤滑層。
由于傾斜真空沉積硝性金屬薄膜的設(shè)備可以采用圖2所示的傾斜真空沉積設(shè)備，因此，圓柱形滾筒可以用作如圖3所示的冷卻支撐的導(dǎo)向裝置。
在圖2和3中，標(biāo)號1a和1b分別表示傳送支撐2和卷繞支撐2的滾筒，標(biāo)號3a和3b表示冷卻導(dǎo)向裝置，標(biāo)號4a和4b表示設(shè)置在支撐2的運行過程的導(dǎo)向滾筒，標(biāo)號5、6、7和8分別表示坩堝、電子槍、供氧氣噴嘴和磁性金屬。在操作中，磁性金屬晶粒從坩堝5蒸發(fā)時，支撐2從傳送滾筒運載到卷繞滾筒。在這樣安排中，磁性金屬晶粒聚集在由冷卻導(dǎo)和裝置3a或3b導(dǎo)向的支撐2上。在圖3所示的實施例的情況下，隔板9設(shè)置在坩堝5上方，用于控制磁性金屬晶粒的聚集。然后，檢查這樣獲得的磁性薄膜，如果檢查的結(jié)果與本發(fā)明的要求一致，則能夠在相同的條件下連續(xù)生成磁性薄膜，如果檢查的結(jié)果背離本發(fā)明的要求，則改變導(dǎo)向滾筒4a或坩堝5的位置，以確定根據(jù)本發(fā)明的磁性薄膜的圓柱結(jié)構(gòu)的要求相一致的適當(dāng)條件。然后，磁性薄膜可以在這樣確定的條件下繼續(xù)生長。
在下面實施例中，將進一步描述本發(fā)明，但是，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。
例1圖2的設(shè)備用以制備圖1所示的金屬薄膜型的磁帶。
假設(shè)用Co(100％純度)作為磁性金屬，這樣形成的磁性薄膜是單層的，磁性薄膜的厚主工為1500。
這樣獲得的磁性薄膜的圓柱曲率((a/b)×100)是20％，圓柱的傾斜角θ為45°。
該磁帶呈現(xiàn)2340Oe的垂直矯頑力，1620Oe的縱向矯頑力和5400G的飽和磁化強度。
例2下述磁帶是根據(jù)例1的方法制備的。
磁性材料 Co(100％純度)磁性薄膜厚度(單層)1500圓柱曲率30％圓柱傾斜角θ 35°垂直矯頑力2420Oe縱向矯頑力1480Oe飽和磁化強度 5600G例3下述磁帶是根據(jù)例1的方法制備的磁性材料 Co(100％純度)磁性薄膜厚度(單層)1500圓柱曲率 15％圓柱傾斜角θ 40°垂直矯頑力2550Oe
縱向矯頑力 1700Oe飽和磁化強度5500G例4下述磁帶是根據(jù)例1的方法制備的磁性材料 Co(100％純度)磁性薄膜厚度(單層)1500圓柱曲率 35％圓柱傾斜角θ 55°垂直矯頑力2810Oe縱向矯頑力1720Oe飽和磁化強度 5400G比較例1下述磁帶是根據(jù)例1的方法制備的磁性材料 Co(100％純度)磁性薄膜厚度(單層)1500圓柱曲率 5％圓柱傾斜角θ 30°垂直矯頑力2100Oe縱向矯頑力1600Oe飽和磁化強度 5400G
比較例2下述磁帶是根據(jù)例1的方法制備的磁性材料 Co(100％純度)磁性薄膜厚度(單層)1500圓柱曲率 7％圓柱傾斜角θ 25°垂直矯頑力2210Oe縱向矯頑力1620Oe飽和磁化強度 5500G比較例3下述磁帶是根據(jù)例1的方法制備的磁性材料 Co(100％純度)磁性薄膜厚度(單層)1600圓柱曲率 5％圓柱傾斜角θ 40°垂直矯頑力2220Oe縱向矯頑力1580Oe飽和磁化強度 5450G特點采用Sony公司市售的新型ED-βVCR，把1MHz、5MHz、10MHz、20MHz和30MHz信號記錄在上述磁帶上，使用相同儀器，這些信號被重現(xiàn)，然后確定重視輸出和重寫性(在20MHz沫除率)。其結(jié)果示于表1。
為了計算重現(xiàn)輸出，每個頻率的正弦波信號被記錄在磁帶上。然后通過頻譜分析儀測量重現(xiàn)輸出。
為了計算重寫性，把10MHz正弦波信號記錄在磁帶上，然后測量重現(xiàn)輸出信號。接著，20MHz接著信號記錄在相同的磁帶上，測量留下的10MHz輸出信號，并且把它與重現(xiàn)輸出信號相比較。
表1例No 1MHz5MHz10MHz20MHz30MHz清除率例1 0 0 +0.5 +1.1 +1.3 -6.4例2 0 0 +0.1 +1.4 +2.4 -6.6例3 0 0 +0.3 +1.0 +2.1 -4.8例4 0 0 +0.4 +1.4 +2.9 -5.4比較例1 0 0 0000比較例2 0 0 +0.1 +0.2 +0.6 -0.8比較例3 0 0 +0.2 +0.4 +0.7 0
(注1)該輸出相對于比較例1的輸出表示為0dB。
(注2)該沫除相對于比較例1的沫除表示為0dB，較大的負(fù)值表示較好的沫除。
從上面的結(jié)果可以看出，本發(fā)明的磁帶適用于高密度記錄和給出高重現(xiàn)輸出，并且呈現(xiàn)良好的重寫性。因此，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)適用于高密度記錄、給出高重現(xiàn)輸出和呈現(xiàn)良好的重寫性。
雖然，參照特定實施例已經(jīng)對本發(fā)明進行詳細(xì)描述，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員不脫離本發(fā)明的精神和范圍能夠作出各種變化和改型。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，包括一個具有在其上包括傾斜生長的磁性金屬晶粒圓柱的金屬薄膜的支撐，其中，每個圓柱被彎曲成10％或更大的曲率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所說的曲率的上限是40％或更小些。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述的曲率是15至35％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，每個所述的圓柱具有35℃至55°傾斜角。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種磁記錄介質(zhì)，包括一個具有在其上包括傾斜生長的磁性金屬晶粒圓柱的金屬薄膜的支撐，其中，每個所述的圓柱被彎曲成10％或更大的曲率。
文檔編號G11B5/851GK1137669SQ9610436
公開日1996年12月11日 申請日期1996年1月25日 優(yōu)先權(quán)日1995年1月25日
發(fā)明者北折典之, 吉田修, 佐佐木克己, 石川準(zhǔn)子 申請人:花王株式會社