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適用于多種光盤的光頭裝置的制作方法

文檔序號(hào):6744704閱讀:234來源:國(guó)知局
專利名稱:適用于多種光盤的光頭裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光頭(optical pickup)裝置,特別是涉及可以適用于具有較厚和較薄透明襯底的光盤的光頭裝置。
CD-ROM等用來處理多媒體信息的再現(xiàn)光盤已經(jīng)進(jìn)入實(shí)用階段。CD-ROM是一種直徑為12厘米、厚度為1.2毫米而道距為1.6微米的媒質(zhì),其中一面可記錄540MB(兆字節(jié))的信息。最近,采用諸如MPEG之類圖像壓縮數(shù)據(jù)技術(shù)將視頻信息記錄到CD-ROM上的數(shù)字視頻光盤(DVD)的發(fā)展引起了人們的矚目。但是,按照MPEG-2標(biāo)準(zhǔn)(數(shù)據(jù)傳送率為4兆位/秒(Mbps)),現(xiàn)在的CD-ROM只能記錄下大約20分鐘的視頻數(shù)據(jù)。因此現(xiàn)在的CD-ROM的容量不足以存儲(chǔ)大約2小時(shí)的視頻信息。
為了解決這個(gè)問題,已經(jīng)開發(fā)出一種引人注目的高密度技術(shù),用來將現(xiàn)在光盤(它是再現(xiàn)信息的介質(zhì))的記錄密度提高了幾倍。例如,提出了一種SD(超高密度)標(biāo)準(zhǔn),可以將5GB(千兆字節(jié))的信息記錄至與CD-ROM直徑相同(12厘米)的光盤的一個(gè)面上。按照SD標(biāo)準(zhǔn)的光盤采用道距(圖5中的D)約0.725微米而凹坑(pit)最短長(zhǎng)度約為0.4微米的有效調(diào)制系繞。SD規(guī)格的光盤的厚度約為0.6毫米。將這樣兩塊光盤粘合在一起而形成的雙面光盤可以記錄大約10GB的信息。這個(gè)數(shù)量的信息大約包含4小時(shí)的視頻信息。在SD規(guī)格的光盤中,程序區(qū)開始于距光盤中心24毫米位置處。
進(jìn)一步提出的是一種MMCD(多媒體CD)標(biāo)準(zhǔn)(以前稱之為“HDMCD”),可以將大約3.7GB的信息記錄至與CD-ROM直徑相同(12厘米)的光盤的一個(gè)面上。按照MMCD標(biāo)準(zhǔn),道距約為0.84微米,凹坑最短長(zhǎng)度約為0.45微米。MMCD規(guī)格的光盤的厚度為1.2毫米。在MMCD規(guī)格的光盤中,程序區(qū)開始于距光盤中心23毫米位置處。
為了在高記錄密度光盤上進(jìn)行再現(xiàn),必須加光闌調(diào)小激光束光斑直徑。為此,應(yīng)考慮縮短光頭裝置激光波長(zhǎng)(例如大約635納米),增加物鏡數(shù)值孔徑(例如約0.6)。但是,因光盤傾斜而引起的象差正比于物鏡數(shù)值孔徑的三次方。因此,物鏡數(shù)值孔徑太大會(huì)使光盤傾斜余量減少。另一方面,象差還正比于光盤厚度。所以為了解決上述問題,應(yīng)減少光盤襯底厚度。例如在同樣的物鏡數(shù)值孔徑條件下,厚度約為0.6毫米的稱之為DVD的SD規(guī)格光盤其傾斜余量是普通厚度約為1.2毫米的CD的兩倍。本發(fā)明的上述背景技術(shù)已在1995年2月27日出版的《日經(jīng)電子學(xué)》第88-100頁(yè)中有所描述。
光頭裝置物鏡的設(shè)計(jì)通常要考慮到光盤透明襯底的厚度。因此,當(dāng)采用設(shè)計(jì)成適于具有某一厚度光盤的物鏡在具有不同厚度的光盤上進(jìn)行再現(xiàn)時(shí),由于球面象差,激光束焦點(diǎn)沿深度方向發(fā)散,難以令人滿意地再現(xiàn)出信息。例如,當(dāng)采用設(shè)計(jì)成適用于厚度約為0.6毫米的光盤的物鏡在厚度約為1.2毫米的光盤上進(jìn)行再現(xiàn)時(shí),在光盤記錄面上激光強(qiáng)度分布的中央峰值減小很多,從而增加了光斑直徑。因此難以進(jìn)行令人滿意的再現(xiàn)。
將來預(yù)計(jì)可能會(huì)出現(xiàn)具有標(biāo)準(zhǔn)密度并且厚度約為1.2毫米的光盤(CD,CD-ROM)、高密度并且厚度約為1.2毫米的光盤(MMCD)以及高密度并且厚度約為0.6mm的光盤(SD)共存的局面。因此需要一種能同時(shí)在CD等和SD上再現(xiàn)信息的光頭裝置或者可以同時(shí)在SD和MMCD上再現(xiàn)信息的光頭裝置。
本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供一種能在兩種以上光盤上再現(xiàn)信息的光頭裝置。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面,將激光束引向光盤的光頭裝置包括多塊物鏡和一個(gè)移動(dòng)單元。把每塊物鏡設(shè)計(jì)成適用于相應(yīng)類型的光盤。移動(dòng)單元根據(jù)光盤類型有選擇地移動(dòng)多塊物鏡從而使其光軸與激光束的光路一致。
由于光頭裝置可以根據(jù)光盤類型有選擇地使用多個(gè)物鏡,所以這種光頭裝置可在多種類型光盤上再現(xiàn)信息。
按照本發(fā)明的另一個(gè)方面,光頭裝置包括激光器、第一和第二物鏡、支架、轉(zhuǎn)軸、磁體、第一和第二線圈對(duì)、透鏡定位電路以及跟蹤控制電路。激光器將激光束射到光盤上。第一物鏡具有第一數(shù)值孔徑。第二物鏡具有較第一數(shù)值孔徑更大的第二數(shù)值孔徑。第一和第二物鏡由同一支架支托。轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)地支撐住夾持器。夾持器的圓柱面與轉(zhuǎn)軸共軸。磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)垂直于圓柱面。第一線圈對(duì)包括第一和第二線圈。第一線圈固定在圓柱面上。第二線圈固定在圓柱面上,與第一線圈相隔一定距離。第二線圈對(duì)包括第三和第四線圈。第三線圈固定在圓柱面上,位于第一線圈中心與第二線圈中心之間。第四線圈固定在圓柱面上,與第三線圈相隔一定距離。第一線圈位于第三線圈中心與第四線圈中心之間。透鏡定位電路根據(jù)光盤類型有選擇地向第一和第二線圈對(duì)輸送定位電流。當(dāng)定位電流送往第一線圈對(duì)時(shí),跟蹤控制電路沿某個(gè)方向向第二線圈對(duì)輸送跟蹤驅(qū)動(dòng)電流使激光束向光盤光道的一側(cè)位移,以及沿與上述相反方向向第二線圈對(duì)輸送跟蹤驅(qū)動(dòng)電流使激光束向光盤光道的與上述相反的另一側(cè)位移。當(dāng)定位電流送往第二線圈對(duì)時(shí),跟蹤控制電路沿某個(gè)方向向第一線圈對(duì)輸送跟蹤驅(qū)動(dòng)電流使激光束向光盤光道的一側(cè)位移,以及沿與上述相反方向向第一線圈對(duì)輸送尋道驅(qū)動(dòng)電流使激光束向光盤光道的與上述相反的另一側(cè)位移。
因此,當(dāng)采用第一和第二線圈對(duì)中的一個(gè)控制物鏡以使激光束高度精確地跟蹤光盤光道時(shí),光頭裝置能控制物鏡從而使光軸與采用其它線圈對(duì)的激光束的光路一致。
通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述,可以進(jìn)一步理解本發(fā)明上述和其他的目標(biāo)、特征、方面以及優(yōu)點(diǎn)。


圖1是表示按照本發(fā)明第一實(shí)施例的光頭裝置立體結(jié)構(gòu)的透視圖;圖2是以平面方式表示圖1中兩個(gè)跟蹤線圈的設(shè)計(jì);圖3是描述圖1中光頭裝置工作方式的頂視圖;圖4是表示圖1中圓柱體和聚焦線圈的分解透視圖;圖5是表示圖1中包括一個(gè)物鏡的光頭裝置的光學(xué)系統(tǒng)的透視圖;圖6A和6B是表示用于按照本發(fā)明的光頭裝置的光盤一部分的剖面示意圖;圖7A和7B是表示光頭裝置中兩塊物鏡布局的頂視圖;圖8是圖5的光頭裝置中包括半導(dǎo)體激光器的框圖;圖9是表示包含圖1光頭裝置的光學(xué)再現(xiàn)裝置結(jié)構(gòu)的框圖;圖10是詳細(xì)表示圖9光學(xué)再現(xiàn)裝置結(jié)構(gòu)主體結(jié)構(gòu)的框圖;圖11是表示固定在按照本發(fā)明第二實(shí)施例的光頭裝置上的圓柱體和跟蹤線圈對(duì)的頂視圖。
圖12是圖11所示圓柱體和跟蹤線圈對(duì)的前視圖;圖13是以平面方式表示圖11和12中兩個(gè)跟蹤線圈對(duì)的設(shè)計(jì);圖14表示圖11和12中兩個(gè)跟蹤線圈對(duì)與其它兩個(gè)跟蹤線圈對(duì)之間的位置關(guān)系;圖15A-15D是描述圖11-14所示跟蹤線圈對(duì)工作原理的剖面示意圖;圖16A-16C是描述圖11-14所示跟蹤線圈對(duì)阻尼功能的剖面示意圖。
以下參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。要提及的是相同或相應(yīng)的部分用同一參考符號(hào)表示。
第一實(shí)施例首先描述一種對(duì)于厚度為1.2毫米并具有標(biāo)準(zhǔn)密度(按照CD標(biāo)準(zhǔn))的光盤和厚度為0.6毫米并具有較高密度(按照SD標(biāo)準(zhǔn))的光盤兼容的光頭裝置。這種光頭裝置包括一塊按照CD標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的數(shù)值孔徑為0.45(±0.02)的物鏡和波長(zhǎng)為780(±15)納米的半導(dǎo)體激光器。光頭裝置還包括另一塊按照SD標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的數(shù)值孔徑為0.6(±0.02)的物鏡和另一個(gè)波長(zhǎng)為650(±15)納米的半導(dǎo)體激光器。在設(shè)計(jì)每塊物鏡的數(shù)值孔徑時(shí)都考慮到相應(yīng)光盤的厚度。表1表示適于SD、MMCD和CD標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體激光器波長(zhǎng)和物鏡數(shù)值孔徑。
表1
>參照?qǐng)D1,按照第一實(shí)施例的光頭裝置包括一個(gè)固定于光頭裝置殼體(未畫出)上的軛鐵15、固定于光頭裝置殼體上的轉(zhuǎn)軸12、以轉(zhuǎn)軸12為中心相向固定在軛鐵15上的一對(duì)磁體14、由轉(zhuǎn)軸12旋轉(zhuǎn)地支撐的圓柱體16、裝配在圓柱體16的圓柱形凸起161內(nèi)的透鏡支架13、纏繞在圓柱體16上的聚焦線圈FA、附著在聚焦線圈FA上的四個(gè)跟蹤線圈對(duì)以及由透鏡支架13支承的平衡器17。
軛鐵15帶有兩個(gè)相對(duì)而放的凸起151,軸轉(zhuǎn)12位于這二個(gè)凸起之間。磁體14極性相同的一面(例如N極)朝向轉(zhuǎn)軸12。因此,在磁體14與凸起151之間沿著垂直于圓柱體16圓柱面的方向有磁場(chǎng)產(chǎn)生。
在圖1中,只畫出了兩個(gè)跟蹤線圈對(duì)TRa1、TRa2和TRb1、TRb2。跟蹤線圈TRa1和TRa2構(gòu)成一個(gè)線圈對(duì),而跟蹤線圈TRb1和TRb2構(gòu)成另一個(gè)線圈對(duì)。另外兩個(gè)沒有畫出的跟蹤線圈對(duì)分別與跟蹤線圈對(duì)TRa1、TRa2和TRb1、TRb2相對(duì)而放。參見圖2,跟蹤線圈對(duì)TRa1、TRa2附著在圓柱體16的圓柱面上,略微偏離跟蹤線圈對(duì)TRb1、TRb2。每個(gè)跟蹤線圈繞與轉(zhuǎn)軸12垂直的軸纏繞。另外兩個(gè)未畫出的跟蹤線圈對(duì)的結(jié)構(gòu)也相同。圖3不僅畫出了線圈對(duì)TRa1、TRa2和TRb1、TRb2,而且也畫出了與其相對(duì)的另外的跟蹤線圈對(duì)TRa3、TRa4和TRb3、TRb4。注意這里只畫出了跟蹤線圈對(duì)TRa1、TRa2和TRb1、TRb2沿圖2中直線III-III的剖面。其它的跟蹤線圈對(duì)TRa3、TRa4和TRb3、TRb4的布局是相似的。跟蹤線圈TRa3和TRa4構(gòu)成一個(gè)線圈對(duì),而跟蹤線圈TRb3和TRb4構(gòu)成另一對(duì)。跟蹤線圈TRa3與跟蹤線圈TRa1相對(duì)。跟蹤線圈TRa4與跟蹤線圈TRa2相對(duì)。跟蹤線圈TRb3與跟蹤線圈TRb1相對(duì)。跟蹤線圈TRb4與跟蹤線圈TRb2相對(duì)。
參見圖4,首先將跟蹤線圈對(duì)TRb1、TRb2和TRb3、TRb4附著在圓柱體16的圓柱面上,隨后將跟蹤線圈對(duì)TRa1、TRa2和TRa3、TRa4附著在略微偏移的位置上。
回頭再參看圖1,物鏡La和Lb放置在與轉(zhuǎn)軸12相隔預(yù)定距離的位置上。平衡器17以轉(zhuǎn)軸12為中心與物鏡La和Lb相對(duì)而放。
物鏡Lb設(shè)計(jì)成適于CD規(guī)格的光盤。具體而言,物鏡Lb數(shù)字孔徑為0.45,將波長(zhǎng)為780納米的激光束會(huì)聚到CD規(guī)格光盤的記錄面上。另一方面,物鏡La設(shè)計(jì)成適于SD規(guī)格的光盤。具體而言,物鏡La的數(shù)值孔徑為0.6,將波長(zhǎng)為650納米的激光束會(huì)聚到SD規(guī)格光盤的記錄面上。
參見圖5,光頭裝置還包括半導(dǎo)體激光器20、準(zhǔn)直透鏡21、衍射光柵22、偏振光分束器23、1/4波片24、準(zhǔn)直透鏡25和光電探測(cè)器26。在圖5中,只畫出了圖1中的物鏡La和Lb中的一個(gè)。半導(dǎo)體激光器20發(fā)射的激光束穿過準(zhǔn)直透鏡21、衍射光柵22、偏振光分束器23、1/4波片24和物鏡La(Lb)射向光盤11的凹坑111。而且,從光盤11反射的光線穿過物鏡La(Lb)、1/4波片24、偏振光分束器23和準(zhǔn)直透鏡25射向光電探測(cè)器26。
圖6A是表示按照CD標(biāo)準(zhǔn)能夠通過采用物鏡Lb再現(xiàn)信息的光盤結(jié)構(gòu)某一部分的剖面圖。由圖6A可見,光盤11a包括由聚碳酸酯等構(gòu)成的透明襯底112和覆蓋在透明襯底112的記錄面114上的保護(hù)膜113。光盤11a的透明襯底112的厚度為1.2毫米。光盤11a保護(hù)膜113的厚度為10微米。因此,光盤11a的總厚度基本上由透明襯底112的厚度確定。注意可以采用兩塊光盤11a粘合在一起而保護(hù)膜113夾在中間的雙面記錄系統(tǒng)的光盤。
圖6B是表示按照SD標(biāo)準(zhǔn)能夠通過采用物鏡La再現(xiàn)信息的光盤結(jié)構(gòu)某一部分的剖面圖。由圖6B可見,光盤11b包括由聚碳酸酯等構(gòu)成的透明襯底112和覆蓋在透明襯底112的記錄面114上的保護(hù)膜113。光盤110的透明襯底厚度為0.6毫米,小于光盤11a的透明襯底112的厚度。與光盤11a的情形相似,光盤116的總厚度基本上由透明襯底112的厚度確定。與上面一樣,也可以采用將兩塊光盤11b粘合在一起而保護(hù)膜夾在中間的雙面記錄系統(tǒng)的光盤。
如圖7A所示,與用于SD的物鏡La相比,用于CD的在透鏡支架13上的物鏡Lb更靠近光盤11的邊緣。反過來講,與用于CD的物鏡Lb相比,用于SD的物鏡La更靠近光盤11的中央。這是因?yàn)榘凑誄D標(biāo)準(zhǔn),程序區(qū)115b開始于離光盤11中央25毫米處,而按照SD標(biāo)準(zhǔn),程序區(qū)115a開始于離光盤11中央24毫米處。因此,即使這種光頭裝置位于最靠近光盤11中央的位置,也能有效地再現(xiàn)出CD或SD標(biāo)準(zhǔn)的信息。
由圖8可見,除了半導(dǎo)體激光器20之外,光頭裝置還包括另一個(gè)半導(dǎo)體激光器29、分束器30和用于選擇激發(fā)半導(dǎo)體激光器20和29的切換驅(qū)動(dòng)器31。用于按照CD標(biāo)準(zhǔn)的光盤11a的半導(dǎo)體激光器29發(fā)射波長(zhǎng)為780納米的激光束。另一方面,用于按照SD標(biāo)準(zhǔn)的光盤11b的半導(dǎo)體激光器20發(fā)射波長(zhǎng)為650納米的激光束。因此,半導(dǎo)體激光器29發(fā)射的激光束通過物鏡Lb射到CD標(biāo)準(zhǔn)的光盤11a上。激光束被折射入物鏡Lb和光盤11a透明襯底112,并將被聚焦到記錄面114的每條光道上。另一方面,半導(dǎo)體激光束器20發(fā)射的激光束經(jīng)過物鏡La入射到SD標(biāo)準(zhǔn)的光盤11b上。激光束被折射入物鏡La和光盤11b透明襯底112,并將被聚焦到記錄面114的每條光道上。
由圖9可見,除了上述光頭裝置1以外,光學(xué)再現(xiàn)裝置還包括沿各個(gè)方向移動(dòng)光頭裝置1的光頭驅(qū)動(dòng)電路9、對(duì)來自光頭裝置1的光電探測(cè)器26的檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行處理的視頻/音頻信號(hào)處理電路10以及在CD或SD之間切換光頭裝置1的切換控制電路18。光頭驅(qū)動(dòng)電路9具有沿光盤11徑向移動(dòng)光頭裝置1的傳感饋送伺服功能和沿垂直光盤11記錄面114方向移動(dòng)光頭裝置1的聚焦伺服功能。具體而言,光頭驅(qū)動(dòng)電路9向圖1中的聚焦線圈FA輸送控制電流,從而沿轉(zhuǎn)軸12軸向滑動(dòng)圓柱體16。視頻/音頻信號(hào)處理電路10對(duì)來自光電探測(cè)器26的脈沖信號(hào)進(jìn)行預(yù)定的已知處理,從而產(chǎn)生視頻信號(hào)和音頻信號(hào)。
切換控制電路18的細(xì)節(jié)示于圖10中。由圖10可見,光頭裝置1還包括檢測(cè)激光束是否高精度地跟蹤光盤11上的光道的跟蹤傳感器19。當(dāng)激光束沿其行進(jìn)方向上向光道右側(cè)移動(dòng)時(shí),檢測(cè)信號(hào)“RS”強(qiáng)度增加。另一方面,當(dāng)激光束向左側(cè)移動(dòng)時(shí),檢測(cè)信號(hào)“LS”強(qiáng)度增加。
圖1-4所示的四個(gè)跟蹤線圈TRa1-TRa2串聯(lián)在一起。跟蹤線圈TRb1-TRb4也串聯(lián)在一起。
切換控制電路18包括一個(gè)對(duì)來自跟蹤傳感器19的檢測(cè)信號(hào)“RS”和“LS”強(qiáng)度之差進(jìn)行放大的差分放大器2、直流電源7和8、在差分放大器2與直流電源7、8之間進(jìn)行切換的開關(guān)3、驅(qū)動(dòng)跟蹤線圈TRb1-TRb4的跟蹤線圈驅(qū)動(dòng)器4、驅(qū)動(dòng)跟蹤線圈TRa1-TRa4的跟蹤線圈驅(qū)動(dòng)器5以及產(chǎn)生控制開關(guān)3的控制信號(hào)“LEWS”和產(chǎn)生控制圖8中切換驅(qū)動(dòng)器31的控制信號(hào)“WAVE”的控制器6以響應(yīng)于指示放入光學(xué)再現(xiàn)裝置中光盤11類型的光盤鑒別信號(hào)“DSK”。光盤鑒別信號(hào)“DSK”根據(jù)自動(dòng)檢測(cè)到的光盤11類型產(chǎn)生。這里,由于在放入SD標(biāo)準(zhǔn)的光盤11b時(shí)控制器6產(chǎn)生L(邏輯低)電平的控制信號(hào)“LENS”,開關(guān)3引起一個(gè)從差分放大器2到驅(qū)動(dòng)器5的輸出信號(hào),而直流電流從直流電源7送往驅(qū)動(dòng)器4。此時(shí),圖8中的切換驅(qū)動(dòng)器31啟動(dòng)用于SD的半導(dǎo)體激光器20,以響應(yīng)控制器6的控制信號(hào)“WAVE”。另一方面,由于在放入CD標(biāo)準(zhǔn)的光盤11a時(shí)控制器6產(chǎn)生H(邏輯高)電平的控制信號(hào)“LENS”,開關(guān)3引起一個(gè)從差分放大器2到驅(qū)動(dòng)器4的輸出信號(hào),而直流電流從直流電源8送往驅(qū)動(dòng)器5。此時(shí),圖8中的切換驅(qū)動(dòng)器31啟動(dòng)用于CD的半導(dǎo)體激光器29,以響應(yīng)控制器6的控制信號(hào)“WAVE”。
現(xiàn)在描述包括光頭裝置的光學(xué)再現(xiàn)裝置的操作。
(1)放入按照SD標(biāo)準(zhǔn)的光盤11b的情形。
當(dāng)放入按照SD標(biāo)準(zhǔn)的光盤11b時(shí),控制器6產(chǎn)生L電平的控制信號(hào)“LENS”,以響應(yīng)光盤鑒別信號(hào)“DSK”。為響應(yīng)L電平的控制信號(hào)“LENS”,開關(guān)3向驅(qū)動(dòng)器5輸送來自差分放大器2的輸出信號(hào),直流電流從直流電源7流入驅(qū)動(dòng)器4。與此同時(shí),控制器6控制切換驅(qū)動(dòng)器31,從而啟動(dòng)用于SD的半導(dǎo)體激光器20。
驅(qū)動(dòng)器4向跟蹤線圈TRb1-TRb4輸送直流電流。由圖3可見,該電流源在跟蹤線圈TRa1和TRa2之間的跟蹤線圈TRb1上產(chǎn)生沿某一方向的電流,還在與跟蹤線圈TRb1相對(duì)的跟蹤線圈TRb3上產(chǎn)生沿某一方向的電流。因此,跟蹤線圈TRb1和TRb3轉(zhuǎn)動(dòng)圓柱體16。這樣,用于SD的物鏡La發(fā)生移動(dòng)從而使光軸與激光束的光路一致。
另一方面,驅(qū)動(dòng)器5向跟蹤線圈TRa1-TRa4輸送與交流電流類似的電流以響應(yīng)差分放大器2的輸出信號(hào)。當(dāng)激光束移向光道右側(cè)時(shí),檢測(cè)信號(hào)“RS”強(qiáng)度增加,使驅(qū)動(dòng)器5沿某一方向向跟蹤線圈TRa1-TRa4輸送電流。另一方面,當(dāng)激光束移向光道左側(cè)時(shí),檢測(cè)信號(hào)“LS”強(qiáng)度增加,使驅(qū)動(dòng)器5沿與上述相反的方向向線圈TRa1-TRa4輸送電流。當(dāng)激光束正對(duì)光道時(shí),驅(qū)動(dòng)器5不向跟蹤線圈TRa1-TRa4輸送電流。因此跟蹤線圈TRa1-TRa4沿兩個(gè)不同方向轉(zhuǎn)動(dòng)圓柱體16以響應(yīng)來自尋道檢測(cè)器19的檢測(cè)信號(hào)“RS”和“LS”。這樣用于SD的物鏡La向右和向左移動(dòng)從而使激光束總是高精度地跟蹤光道。
如上所述,當(dāng)放入用于SD的光盤11a時(shí),跟蹤控制采用跟蹤線圈TRa1-TRa4,而跟蹤線圈TRb1-TRb4用于從物鏡Lb到物鏡La的切換。
(2)放入按照CD標(biāo)準(zhǔn)的光盤11a的情形當(dāng)放入按照CD標(biāo)準(zhǔn)的光盤11a時(shí),控制器6產(chǎn)生H電平的控制信號(hào)“LENS”以響應(yīng)光盤鑒別信號(hào)“DSK”。為響應(yīng)H電平的控制信號(hào)“LENS’,開關(guān)3向驅(qū)動(dòng)器4輸送來自差分放大器2的輸出信號(hào),而直流電流從直流電源8流入驅(qū)動(dòng)器5。與此同時(shí),控制器6控制圖8中的切換驅(qū)動(dòng)器31,從而啟動(dòng)用于CD的半導(dǎo)體激光器20。
由于驅(qū)動(dòng)器5向跟蹤線圈TRa1-TRa4輸送直流電流,所以跟蹤線圈TRa1-TRa4轉(zhuǎn)動(dòng)圓柱體16從而使用于CD的物鏡Lb的光軸與激光束的光路一致。另一方面,驅(qū)動(dòng)器4向跟蹤線圈TRb1-TRb4輸送類似交流電流的電流以響應(yīng)來自跟蹤檢測(cè)器19的檢測(cè)信號(hào)“RS”和“LS”。因此跟蹤線圈TRb1-TRb4沿兩個(gè)不同方向轉(zhuǎn)動(dòng)圓柱體16從而使激光束總是高精度地跟蹤光道。
如上所述,當(dāng)放入按照CD標(biāo)準(zhǔn)的光盤11a時(shí),跟蹤控制采用跟蹤線圈TRb1-TRb4,而跟蹤線圈TRa1-TRa4用于從SD的物鏡La到CD的物鏡Lb的切換。
按照上述第一實(shí)施例,由于光頭裝置包括用于SD的物鏡La和用于CD的物鏡Lb,所以根據(jù)光盤的類型切換物鏡La和Lb。因此,包含這種光頭裝置的光學(xué)再現(xiàn)裝置不僅可以精確再現(xiàn)按照SD標(biāo)準(zhǔn)的光盤11b上的信息,而且也可以精確再現(xiàn)按照CD標(biāo)準(zhǔn)的光盤11a上的信息。
雖然在上述第一實(shí)施例中用于SD的半導(dǎo)體激光器20的波長(zhǎng)如表1所示為650納米,但半導(dǎo)體激光器20的波長(zhǎng)也可以是635納米。雖然用于CD的半導(dǎo)體激光器29的波長(zhǎng)為780納米,但它也可以用635納米或650納米代替。用于CD的半導(dǎo)體激光器29的波長(zhǎng)也可以與用于SD的半導(dǎo)體激光器20的相同。因此,SD規(guī)格的光盤和CD規(guī)格的光盤可以共用一個(gè)半導(dǎo)體激光器。而且,雖然用于CD的物鏡Lb的數(shù)值孔徑為0.45,但當(dāng)半導(dǎo)體激光器29的波長(zhǎng)變短時(shí),數(shù)值孔徑甚至可以更小。
另外,在上述第一實(shí)施例中,如表2所示,物鏡La設(shè)計(jì)成適用于SD規(guī)格的光盤,而物鏡Lb設(shè)計(jì)成適用于CD規(guī)格的光盤。但是物鏡Lb可以設(shè)計(jì)成適用于按照MMCD標(biāo)準(zhǔn)而非CD標(biāo)準(zhǔn)的光盤。在這種情況下,物鏡Lb的數(shù)值孔徑設(shè)計(jì)為0.52左右,半導(dǎo)體激光器采用的波長(zhǎng)為635或650納米。這亦如上面的表1所示。
如表2所示,物鏡Lb可以設(shè)計(jì)成適用于CD-R規(guī)格的光盤(可錄CD)而非CD規(guī)格的光盤。而且,物鏡Lb可以設(shè)計(jì)成適用于CD規(guī)格的光盤而非MMCD規(guī)格的光盤。
表2
如表2所示,物鏡Lb可以設(shè)計(jì)成適用于按照MMCD或CD標(biāo)準(zhǔn)的光盤,而物鏡La可以設(shè)計(jì)成適用于如表3所示的磁光盤(按照MOD標(biāo)準(zhǔn)的光盤)代替SD規(guī)格的光盤。在這種情況下,物鏡La的數(shù)值孔徑設(shè)計(jì)為0.55,而半導(dǎo)體激光器采用680納米波長(zhǎng)。
而且,如上述表2所示,物鏡La可以設(shè)計(jì)為適用于SD規(guī)格的光盤,而物鏡Lb可設(shè)計(jì)成適用于以下表3所示的光盤。
表3
下述表4表示了按照MMCD(HDMCD)、SD、CD和MOD標(biāo)準(zhǔn)的光盤的規(guī)格。如表4所示,SD規(guī)格的光盤的道距為0.725微米,而CD的為1.6微米。因此SD規(guī)格的光盤的記錄密度高于CD規(guī)格的光盤。MMCD規(guī)格的光盤的道距為0.84微米。因此SD規(guī)格的光盤的記錄密度也高于MMCD規(guī)格的光盤。
表4
在上述第一實(shí)施例中,如圖7A所示,用于SD的物鏡La比起用于CD的物鏡Lb更加接近于光盤11的中央。但是,當(dāng)物鏡La設(shè)計(jì)成適用于MMCD標(biāo)準(zhǔn)而物鏡Lb設(shè)計(jì)成適用于SD標(biāo)準(zhǔn)時(shí),如圖7B所示,用于MMCD的物鏡La比起用于SD的物鏡Lb更加接近于光盤11的中央。這是因?yàn)榘凑誗D標(biāo)準(zhǔn),程序區(qū)116b開始于離光盤11中心24毫米,而按照MMCD標(biāo)準(zhǔn),程序區(qū)116a開始于離光盤11中心23毫米處。因此,即使光頭裝置最靠近光盤11的中心,光頭裝置也可以充分再現(xiàn)按照SD或MMCD標(biāo)準(zhǔn)的光盤上的信息。第二實(shí)施例在上述第一實(shí)施例中,把跟蹤線圈對(duì)TRa1、TRa2和TRa3、TRa4相對(duì)于跟蹤線圈對(duì)TRb1、TRb2和TRb3、TRb4移過預(yù)定角度。但是在第二實(shí)施例中,如圖11-13所示,跟蹤線圈TRa1和TRa2在跟蹤線圈TRb1的中心cb1的兩側(cè)對(duì)稱而放置。反過來看,跟蹤線圈TRb1所處位置使其中心cb1與跟蹤線圈TRa1和TRa2的中間位置一致。此外,跟蹤線圈TRb1和TRb2在跟蹤線圈TRa2的中心ca2兩側(cè)對(duì)稱放置。反過來看,跟蹤線圈TRa2的放置使其中心ca2與跟蹤線圈TRb1和TRb2的中間位置一致。跟蹤線圈對(duì)TRa3、TRa4與TRb3、TRb4之間的位置關(guān)系和跟蹤線圈對(duì)TRa1、TRa2與TRb1、TRb2之間的關(guān)系相同。將這些跟蹤線圈對(duì)以這種位置關(guān)系附著于圓柱體表面上后,兩個(gè)線圈對(duì)用于跟蹤控制,而余下的兩個(gè)跟蹤線圈對(duì)用作代替橡膠或彈簧的阻尼器。
由圖14可見,用于SD的跟蹤線圈TRa1-TRa4串聯(lián)連接,而用于CD的跟蹤線圈TRb1-TRb4也串聯(lián)連接。跟蹤線圈TRa3與跟蹤線圈TRa1相隔180°放置。跟蹤線圈TRa4與跟蹤線圈TRa2相隔180°放置。跟蹤線圈TRb3與跟蹤線圈TRb1相隔180°放置。跟蹤線圈TRb4與跟蹤線圈TRb2相隔180°放置。跟蹤線圈TRa1-TRa4中的每一個(gè)都與相應(yīng)的跟蹤線圈TRb1、TRb2、TRb3或TRb4相隔40°放置。具體而言,跟蹤線圈TRb1-TRb4附著于圓柱體16柱面上,而跟蹤線圈TRa1-TRa4移過40°而附著于柱面上。第二實(shí)施例的特征在于用于CD的跟蹤線圈附著于柱面上從而使其中心位于成對(duì)的用于SD的跟蹤線圈之間,而用于SD的跟蹤線圈附著于柱面上從而使其中心位于成對(duì)的用于SD的跟蹤線圈之間。
現(xiàn)在描述具有這種跟蹤線圈的光頭裝置的操作。
(1)透鏡切換操作在圖15A-15D中,⊙表示電流從紙面背面流向紙面正面,而表示電流從紙面正面流向背面。圖15A表示按照SD標(biāo)準(zhǔn)的光盤在再現(xiàn)時(shí)跟蹤線圈TRa1、TRa2、TRb1和TRb2的狀態(tài)。如圖15A所示,為了響應(yīng)來自圖10中跟蹤傳感器19的檢測(cè)信號(hào)“RS”和“LS”,向跟蹤線圈TRa1和TRa2輸送類似交流電的電流。另一方面,圖10中直流電源7的直流電流輸往跟蹤線圈TRb1和TRb2。因此跟蹤線圈TRa1和TRa2左右移動(dòng)物鏡從而使激光束總是高精度地跟蹤SD規(guī)格光盤上的軌道。另一方面,跟蹤線圈TRb1用作下面將要講到的阻尼器。
當(dāng)放入CD規(guī)格的光盤代替SD規(guī)格的光盤時(shí),圖10中的控制器6產(chǎn)生H電平的控制信號(hào)“LENS”。開關(guān)3向應(yīng)該信號(hào)向驅(qū)動(dòng)器輸出來自差分放大器2的信號(hào),并使來自直流電源8的直流電流流向驅(qū)動(dòng)器5。因此,跟蹤線圈TRb1和TRb2上沒有直流電。另一方面,直流電流開始向跟蹤線圈TRa1和TRa2輸送。這樣,直流電流沿圖15A所示的紙背面到正面的方向在位于磁體14與軛鐵15的凸起151之間的跟蹤線圈TRa1和TRa2的導(dǎo)線內(nèi)流動(dòng)。由于產(chǎn)生的磁場(chǎng)垂直于導(dǎo)線,所以電磁力F作用于跟蹤線圈TRa1和TRa2上。
因此,跟蹤線圈TRa1和TRa2轉(zhuǎn)動(dòng)圓柱體16,使跟蹤線圈TRa1和TRa2、TRb1和TRb2如圖15c所示向左移動(dòng)。
如圖15D所示,整個(gè)跟蹤線圈TRa1在磁場(chǎng)之外而整個(gè)跟蹤線圈TRa2在磁場(chǎng)之內(nèi)。由于直流電流沿圖15D所示的紙面背面至正面的方向在跟蹤線圈TRa2一側(cè)的導(dǎo)線內(nèi)流動(dòng),而直流電流在另一側(cè)的導(dǎo)線內(nèi)沿紙面正面到背面的方向流動(dòng),所以施加在一側(cè)導(dǎo)線上的電磁力被另一側(cè)上的抵消。因此跟蹤線圈使圓柱體停在圖15D所示位置上。此時(shí),由于有類似交流的電流輸往跟蹤線圈TRb1和TRb2以響應(yīng)來自跟蹤傳感器19的檢測(cè)信號(hào)“RS”和“LS”,所以這些跟蹤線圈TRb1和TRb2左右移動(dòng)CD用的物鏡Lb從而使激光束高精度地跟蹤C(jī)D規(guī)格光盤上的軌道。
如上所述,按照第二實(shí)施例,在SD規(guī)格光盤再現(xiàn)時(shí)CD用的跟蹤線圈TRb1或TRb2(TRb3或TRb4)位于磁體14的磁場(chǎng)內(nèi)。另一方面,在再現(xiàn)CD規(guī)格光盤時(shí),SD用的跟蹤線圈TRa1或TRa2(TRa3或TRb4)位于磁體14的磁場(chǎng)內(nèi)。由于在SD規(guī)格光盤再現(xiàn)時(shí)有直流電流輸往用于CD的跟蹤線圈TRb1-TRb4,所以用于CD的位于磁場(chǎng)內(nèi)的跟蹤線圈用作阻尼器。另一方面,由于在CD規(guī)格光盤再現(xiàn)時(shí)有直流電流輸往用于SD的跟蹤線圈TRa1-TRa4,所以用于SD的位于磁場(chǎng)內(nèi)的跟蹤線圈用作阻尼器。當(dāng)輸入直流電流的跟蹤線圈剛好位于磁場(chǎng)中心時(shí),沒有電磁力施加在阻尼器上。但是,當(dāng)跟蹤線圈偏離磁場(chǎng)中心時(shí),施加在跟蹤線圈上朝磁場(chǎng)中心的電磁力就會(huì)增加。因此,這種跟蹤線圈與橡膠或彈簧一樣,用作阻尼器。
(2)阻尼器功能借助圖16A-16C詳細(xì)描述這種阻尼器功能。在這些圖中,⊙表示電流沿紙面正面向背面(Z正方向)流動(dòng)的情形,而表示電流沿紙面背面向正面(-Z方向)流動(dòng)的情形。在圖16A-16C中,圖1中的軛鐵15、磁體14和跟蹤線圈TRb1(TRa2)沿平行于透鏡支架13主平面的X-Y平面剖開。為便于描述,磁體14、跟蹤線圈TRb1(TRa2)、軛鐵15的凸起151以平面圖方式示出。
當(dāng)用于SD的物鏡La的光軸與激光束的光路一致時(shí),如圖16A所示,跟蹤線圈TRb1位于磁體14的磁場(chǎng)的中心。另一方面,當(dāng)用于CD的物鏡Lb的光軸與激光束的光路一致時(shí),跟蹤線圈TRa2位于磁體14的磁場(chǎng)的中心。因此,電流沿紙面背面到正面流動(dòng)的導(dǎo)線數(shù)目等于電流沿紙面正面到背面流動(dòng)的導(dǎo)線數(shù)目,從而使施加到導(dǎo)線兩側(cè)的電磁力相互抵銷。這樣,跟蹤線圈TRb1(TRa2)不發(fā)生移動(dòng),從而使物鏡La(Lb)不發(fā)生移動(dòng)。
當(dāng)物鏡La(Lb)向右側(cè)移動(dòng)時(shí),跟蹤線圈TRb1(TRa2)通常如圖16B所示向左移動(dòng)。這樣,電流從紙面正面流向背面的導(dǎo)線數(shù)目大于電流從低面背面流向正面的導(dǎo)線數(shù)目。因此,沿圖中右側(cè)-x方向的電磁力F施加到跟蹤線圈TRb1(TRa2)上。由此使跟蹤線圈TRb1(TRa2)轉(zhuǎn)動(dòng)圓柱體16,進(jìn)而移動(dòng)物鏡La(Lb)以偏離其初始位置。
當(dāng)物鏡La(Lb)比上述情況進(jìn)一步移向右側(cè)時(shí),施加到跟蹤線圈TRb1(TRa2)上的電磁力進(jìn)一步增大。這是由于電流沿紙面正面流向反面的導(dǎo)線靠近磁通量密度高的磁場(chǎng)中心。
另一方面,當(dāng)物鏡La(Lb)沿相反方向左移動(dòng)時(shí),如圖16C所示,電流從紙面背面流向正面的導(dǎo)線數(shù)目大于電流從紙面正面流向背面的導(dǎo)線數(shù)目。因此,沿圖中左側(cè)+x方向的電磁力F施加到跟蹤線圈TRb1(TRa2)上。由此使跟蹤線圈TRb1(TRa2)轉(zhuǎn)動(dòng)圓柱體16,進(jìn)而移動(dòng)物鏡La(Lb)以偏離其初始位置。
當(dāng)物鏡La(Lb)比上述情況進(jìn)一步偏向左側(cè)時(shí),沿圖中X方向施加到跟蹤線圈TRb1(TRa2)上的電磁力F進(jìn)一步增大。這是由于電流沿紙面正面流向反面的導(dǎo)線靠近磁通量密度高的磁場(chǎng)中心。
如上所述,當(dāng)選擇用于SD的物鏡La時(shí),用于CD的跟蹤線圈TRb1-TRb4中的兩個(gè)位于磁場(chǎng)中心。當(dāng)這些用于CD的跟蹤線圈沿一個(gè)方向移動(dòng)時(shí),就有沿相反方向的電磁力施加到這些用于CD的跟蹤線圈上。因此,這些用于CD的跟蹤線圈將用于SD的物鏡La移回其初始位置。另一方面,當(dāng)選擇用于CD的物鏡Lb時(shí),用于SD的跟蹤線圈TRa1-TRa4中的兩個(gè)位于磁場(chǎng)中心。當(dāng)用于CD的物鏡Lb沿某個(gè)方向移動(dòng)時(shí),用于SD的跟蹤線圈也因此沿一個(gè)方向移動(dòng)。但是,由于有沿相反方向的電磁力施加到用于SD的跟蹤線圈上,所以用于SD的跟蹤線圈將用于CD的物鏡Lb移回其初始位置。這樣,與未被選擇的物鏡對(duì)應(yīng)的跟蹤線圈可以完成與橡膠或彈簧類似的阻尼器功能。
雖然上面只描述了跟蹤線圈沿X方向的移動(dòng),但在沿垂直紙面的Z方向上的位置中也具有與上述相似的功能。具體而言,與如圖16所示的跟蹤線圈的左、右側(cè)導(dǎo)線一樣,跟蹤線圈上側(cè)和下側(cè)導(dǎo)線位于磁體14的磁場(chǎng)中。因此,與跟蹤線圈左、右側(cè)導(dǎo)線一樣,上下側(cè)導(dǎo)線也受到電磁力的作用。這樣,跟蹤線圈也可以抑制物鏡La和Lb在Z方向上的振動(dòng)。
如果送往跟蹤線圈的直流電流增加,則跟蹤線圈的阻尼作用也增強(qiáng)。與橡膠或彈簧不同,跟蹤線圈阻尼效應(yīng)的強(qiáng)度可以任意設(shè)定。因此,在選擇再現(xiàn)SD規(guī)格光盤和CD規(guī)格光盤上信息的光頭裝置中,在再現(xiàn)SD規(guī)格光盤時(shí)可以通過向CD用跟蹤線圈TRb1-TRb4輸送較大電流增強(qiáng)阻尼效果,采用共振頻率較高的光頭裝置從而匹配SD規(guī)格的光盤的轉(zhuǎn)速。而在再現(xiàn)CD規(guī)格光盤時(shí)可以通過向SD用跟蹤線圈TRa1-TRa4輸送較小電流減弱阻尼效果,采用共振頻率較低的光頭裝置從而匹配CD規(guī)格的光盤的轉(zhuǎn)速。
因此,需要按照光頭裝置的再現(xiàn)位置,改變送往用作阻尼器的跟蹤線圈的直流電流強(qiáng)度,從而根據(jù)光盤轉(zhuǎn)速一直改變光頭裝置的共振頻率。在采用諸如橡膠或彈簧之類機(jī)械阻尼器的普通光頭裝置中,阻尼效應(yīng)強(qiáng)弱無法根據(jù)再現(xiàn)位置改變。因此,輸往跟蹤線圈的直流強(qiáng)度在實(shí)際應(yīng)用中不隨再現(xiàn)位置變化而變化。
在上述實(shí)施例中,輸送至跟蹤線圈的直流電流強(qiáng)度隨光盤類型不同而變化。但是,在選擇再現(xiàn)MMCD規(guī)格光盤和SD規(guī)格光盤上信息的光頭裝置中,用于MMCD的直流電流可以與用于SD的直流電流相同。只有在采用MMCD的物鏡再現(xiàn)CD規(guī)格光盤上的信息時(shí),才向用于SD的跟蹤線圈輸送強(qiáng)度較小直流電流。為了減少功耗,也可以輸送低頻脈沖電流代替直流電流。
這可以用在表3所示厚度為0.8毫米的磁光盤與CD規(guī)格或MMCD規(guī)格光盤之間的切換上。還可應(yīng)用在厚度為0.8毫米的光盤與SD規(guī)格的光盤的切換上。
通過與被選擇的物鏡對(duì)應(yīng)的跟蹤線圈進(jìn)行物鏡的跟蹤控制,并通過與被選擇的物鏡不對(duì)應(yīng)的跟蹤線圈進(jìn)行物鏡的位置控制。因此,減輕了用于跟蹤控制的跟蹤線圈的負(fù)擔(dān),提高了用于使物鏡光軸與激光束光路一致的位置控制的精度。而且,由于按照光盤厚度或記錄密度在兩個(gè)物鏡之間進(jìn)行切換,所以可以再現(xiàn)兩種不同類型的光盤。
由于在一對(duì)跟蹤線圈之間放置另一對(duì)跟蹤線圈中的一個(gè)跟蹤線圈,而該對(duì)跟蹤線圈中的一個(gè)跟蹤線圈又位于另一對(duì)跟蹤線圈之間,所以通過向?qū)?yīng)未被選擇物鏡的跟蹤線圈輸送電流,可以使跟蹤線圈起類似橡膠或彈簧的阻尼作用。
雖然上面詳細(xì)闡述了本發(fā)明,但顯而易見的是這些只是便于理解的實(shí)例而無限定作用,本發(fā)明的精神和范圍由后面所附權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種使激光束射向光盤的光頭裝置,其特征在于包括多塊物鏡(La,Lb),每一塊都設(shè)計(jì)成適合于一種類型的所述光盤;以及按照所述光盤的類型用于有選擇地移動(dòng)所述多塊物鏡的移動(dòng)單元(16、TRa1-TRa4、TRb1-TRb4、14、3-8),從而使其光軸與所述激光束光路一致。
2.一種光頭裝置,其特征在于包括使激光束射向光盤((11a、11b)的激光器(20、29);設(shè)計(jì)成適合于所述光盤中的一個(gè)類型(11a)的第一物鏡(Lb);設(shè)計(jì)成適合于所述光盤中的一個(gè)類型(11b)的第二物鏡(La);以及用于按照所述光盤的類型有選擇地移動(dòng)所述第一和第二物鏡的移動(dòng)單元(16、TRa1-TRa4、TRb1-TRb4、14、3-8)從而使光軸與所述激光束光路一致。
3.如權(quán)利要求2所述的光頭裝置,其特征在于進(jìn)一步包括支承所述第一和第二物鏡的公用支架(13),其中所述移動(dòng)單元移動(dòng)所述支架來移動(dòng)所述第一和第二物鏡。
4.如權(quán)利要求2所述的光頭裝置,其特征在于所述一種類型光盤的襯底具有第一厚度;所述另一種類型光盤的襯底具有第二厚度;所述第一物鏡設(shè)計(jì)成將所述激光束會(huì)聚到所述一種類型光盤的記錄面上;以及所述第二物鏡設(shè)計(jì)成將所述激光束會(huì)聚到所述另一種類型光盤的記錄面上。
5.如權(quán)利要求4所述光頭裝置,其特征在于,所述第一厚度為1.15毫米-1.25毫米,而所述第二厚度為0.55毫米-0.65毫米。
6.如權(quán)利要求4所述光頭裝置,其特征在于,所述第一厚度為1.15毫米-1.25毫米,而所述第二厚度為0.75毫米-0.85毫米。
7.如權(quán)利要求4所述光頭裝置,其特征在于,所述第一厚度為0.75毫米-0.85毫米,而所述第二厚度為0.55毫米-0.65毫米。
8.如權(quán)利要求2所述光頭裝置,其特征在于,所述一種類型的光盤具有第一記錄密度;所述另一種類型的光盤具有比所述第一記錄密度更高的第二記錄密度;所述光頭裝置進(jìn)一步包括一個(gè)同時(shí)支承所述第一物鏡和較所述第一物鏡更接近所述光盤中心的所述第二物鏡的支架(13)。
9.如權(quán)利要求4所述光頭裝置,其特征在于,所述一種類型的光盤具有第一記錄密度;所述另一種類型的光盤具有比所述第一記錄密度更高的第二記錄密度;所述光頭裝置進(jìn)一步包括一個(gè)同時(shí)支承所述第一物鏡和較所述第一物鏡更接近所述光盤邊緣的所述第二物鏡的支架(13)。
10.如權(quán)利要求2所述光頭裝置,其特征在于,所述一種類型光盤具有第一道距;所述另一種類型光盤具有較所述第一道距更窄的第二道距;所述第一物鏡設(shè)計(jì)成將所述激光束聚焦到所述一種類型光盤的記錄面上;以及所述第二物鏡設(shè)計(jì)成將所述激光束會(huì)聚到所述另一種類型光盤的記錄面上。
11.如權(quán)利要求10所述光頭裝置,其特征在于,所述第一道距為1.5微米-1.7微米,而所述第二道距為0.695微米-0.755微米。
12.如權(quán)利要求10所述光頭裝置,其特征在于,所述第一道距為1.5微米-1.7微米,而所述第二道距為0.81微米-0.87微米。
13.如權(quán)利要求10所述光頭裝置,其特征在于,所述第一道距為0.81微米-0.87微米,而所述第二道距為0.695微米-0.755微米。
14.如權(quán)利要求2所述光頭裝置,其特征在于,所述激光束波長(zhǎng)為620納米-665納米。
15.如權(quán)利要求2所述光頭裝置,其特征在于,所述激光器包括發(fā)射具有所述第一波長(zhǎng)的第一激光束的第一激光器單元(20);發(fā)射具有比所述第一波長(zhǎng)更長(zhǎng)的第二波長(zhǎng)的第二激光束的第二激光器單元(29);以及按照所述光盤類型選擇啟動(dòng)所述第一和第二激光器單元的啟動(dòng)單元(31)。
16.如權(quán)利要求15所述光頭裝置,其特征在于,所述第一波長(zhǎng)為620納米-665納米,而所述第二波長(zhǎng)為765納米-795納米。
17.如權(quán)利要求2所述光頭裝置,其特征在于進(jìn)一步包括對(duì)所述被移動(dòng)物鏡進(jìn)行控制的跟蹤控制器(2、4、5、14、16、19、TRa1-TRa4、TRb1-TRb4)從而使所述激光束跟蹤所述光盤的軌道。
18.如權(quán)利要求3所述光頭裝置,其特征在于進(jìn)一步包括旋轉(zhuǎn)支承所述支架的轉(zhuǎn)軸(12);固定在所述支架上并與所述支架平行的第一導(dǎo)線(TRa1);固定在所述支架上并與所述支架平行的第二導(dǎo)線(TRb1);產(chǎn)生沿垂直于所述第一和第二導(dǎo)線方向并穿過所述轉(zhuǎn)軸的磁場(chǎng)的磁場(chǎng)發(fā)生器(14);以及跟蹤控制器(2、4、5、19),當(dāng)移動(dòng)所述第一物鏡從而使其光軸與所述激光束光路一致時(shí),用該控制器向所述第一導(dǎo)線沿著使所述激光束移向所述光盤軌道一側(cè)的方向輸送電流并向所述第二導(dǎo)線沿著使所述激光束移向所述光盤相反一側(cè)的方向輸送電流,而當(dāng)移動(dòng)所述第二物鏡從而使其光軸與所述激光束光路一致時(shí),向所述第二導(dǎo)線沿著使所述激光束移向所述光盤軌道一側(cè)的方向輸送電流并向所述第一導(dǎo)線沿著使所述激光束移向所述光盤相反一側(cè)的方向輸送電流。
19.一種光頭裝置,其特征在于包括向光盤發(fā)射激光束的激光器(20、29);具有第一數(shù)值孔徑的第一物鏡(Lb);具有比第一數(shù)值孔徑更大的第二數(shù)值孔徑的第二物鏡(La);同時(shí)支承所述第一和第二物鏡的支架(13);以及旋轉(zhuǎn)支承所述支架的轉(zhuǎn)軸(12);所述支架包括一個(gè)與所述轉(zhuǎn)軸共軸的圓柱面;所述光頭裝置進(jìn)一步包括產(chǎn)生垂直于所述圓柱體表面的磁場(chǎng)的磁場(chǎng)發(fā)生器(14);第一線圈對(duì)(TRb1、TRb2)包括附著于所述圓柱面上的第一線圈(TRb1),以及附著于所述圓柱面上并與所述第一線圈隔開一定距離的第二線圈(TRb2);以及第二線圈對(duì)(TRa2、TRa1)包括位于所述第一線圈中心和所述第二線圈中心之間并固定在所述圓柱體表面上的第三線圈(TRa2),以及與所述第三線圈隔開一定距離并附著于所述圓柱體表面上的第四線圈(TRa1),所述第一線圈位于所述第三線圈中心和所述第四線圈中心之間;所述光頭裝置進(jìn)一步包括按照所述光盤類型有選擇地向所述第一和第二線圈對(duì)輸送定位電流的透鏡定位單元(4、5、7、8);以及跟蹤控制器(2、4、5、19),當(dāng)移動(dòng)所述第一物鏡從而使其光軸與所述激光束光路一致時(shí),用該控制器向所述第一導(dǎo)線沿著使所述激光束移向所述光盤軌道一側(cè)的方向輸送電流并向所述第二導(dǎo)線沿著使所述激光束移向所述光盤相反一側(cè)的方向輸送電流,而當(dāng)移動(dòng)所述第二物鏡從而使其光軸與所述激光束光路一致時(shí),向所述第二導(dǎo)線沿著使所述激光束移向所述光盤軌道一側(cè)的方向輸送電流并向所述第一導(dǎo)線沿著使所述激光束移向所述光盤相反一側(cè)的方向輸送電流。
20.一種光學(xué)再現(xiàn)裝置,其特征在于包括向光盤發(fā)射激光束的激光器(20);具有第一數(shù)值孔徑的第一物鏡(Lb);具有比第一數(shù)值孔徑更大的第二數(shù)值孔徑的第二物鏡(Lb);同時(shí)支承所述第一和第二物鏡的支架(13);根據(jù)所述光盤類型移動(dòng)所述支架從而使所述第一和第二物鏡的光軸使有選擇地與所述激光束光路一致的移動(dòng)單元(3-8、14、16、TRa1-TRa4、TRb1、TRb4);對(duì)來自所述光盤的反射光進(jìn)行檢測(cè)的檢測(cè)器(26);以及通過對(duì)來自所述檢測(cè)器的輸出信號(hào)進(jìn)行預(yù)定的處理產(chǎn)生視頻和/或聲頻信號(hào)的信號(hào)處理電路(16)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光頭裝置,包括兩塊數(shù)值孔徑不同的透鏡(La、Lb)、同時(shí)支承這些透鏡的透鏡支架(13)、固定在透鏡支架上的圓柱體(16)以及附著于圓柱體柱面上的四個(gè)跟蹤線圈對(duì)(TR
文檔編號(hào)G11B7/135GK1138728SQ9610192
公開日1996年12月25日 申請(qǐng)日期1996年1月18日 優(yōu)先權(quán)日1995年5月8日
發(fā)明者土屋洋一, 梶山清治 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社
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