專利名稱：薄膜磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種帶改善了的磁層的薄膜磁頭。
薄膜磁頭或轉(zhuǎn)換器通常具有一陶瓷基底，其上支承由透磁合金制成的兩層磁層，分稱為P1和P2極以形成帶轉(zhuǎn)換間隙的磁軛。在薄膜磁頭制造過(guò)程中，在分別沉積P1和P2層之前，通過(guò)例如射頻噴射而沉積用作基層的由透磁合金構(gòu)成的非常薄的膜。薄膜磁頭上在P1和P2層之間設(shè)置一電繞組。非磁絕緣材料包圍著繞組以與傳導(dǎo)層P1和P2電氣隔離從而防止短路。
磁盤驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的主要目標(biāo)是提供改善的信號(hào)分辨能力，增加線性記錄密度以及數(shù)據(jù)軌道密度。眾所周知，增加矯磁頑力Hc可提高記錄的線性數(shù)據(jù)密度。用于薄膜轉(zhuǎn)換器的透磁合金材料成分限制了高矯磁頑力磁盤的使用。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種薄膜磁轉(zhuǎn)換器，它能提高記錄信號(hào)的分辨能力并在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中改善信號(hào)的讀取。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種薄膜磁轉(zhuǎn)換器，它可以高線性數(shù)據(jù)密度記錄數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種薄膜磁轉(zhuǎn)換器，它可與高矯磁頑力磁盤一起使用從而達(dá)到高線性記錄密度。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供一薄膜磁轉(zhuǎn)換器，它能減少間隙長(zhǎng)度并允許在半脈沖寬度內(nèi)記錄。
下面結(jié)合唯一的附圖
對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，該圖為薄膜磁轉(zhuǎn)換器的截面圖。
如圖所示，薄膜轉(zhuǎn)換器包括一非磁性陶瓷基體10，在沉積薄膜磁頭結(jié)構(gòu)之前將其制成，并進(jìn)行拋光和清潔。在制造薄膜磁頭的過(guò)程中，將一層氧化鋁12沉積在基體10的拋光的光滑表面上。氧化層被研磨和拋光至需要的厚度以消除缺陷。一由透磁合金構(gòu)成的薄膜基層14被沉積在絕緣氧化層12上。在整個(gè)薄片上沉積一厚度為約1000埃的由透磁合金構(gòu)成的第一極層P1。用蒙片通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的照相平版印刷方法而形成第一極層P1和一中間連接層。P1極板被鍍成一約3微米的厚度。
在沉積了P1極層后，通過(guò)在P1層的整個(gè)表面上沉積一薄層氧化鋁而提供一轉(zhuǎn)換間隙16。然后，通過(guò)烘烤和硬化用于限定絕緣層的幾何形態(tài)的光致抗蝕劑層而沉積和形成絕緣層18。再在絕緣層18上設(shè)置一繞組組件20并由通常的蒙片和照相平版印刷所限定。然后在繞組組件20上覆蓋另一絕緣層22，因此兩絕緣層18和22包圍繞組組件20，從而防止導(dǎo)磁的P1層和沉積在絕緣層22上的P2層之間的短路。上極片P2上制有一由透磁合金構(gòu)成的中間連接部26，從而在P1層和非磁性轉(zhuǎn)換間隙16之間形成連續(xù)的磁軛。眾所周知，還可設(shè)置一個(gè)可以用于薄膜磁頭結(jié)構(gòu)的外層絕緣材料和一些粘接墊。
根據(jù)本發(fā)明，在沉積P2層之前，通過(guò)射頻噴射沉積一由Fe-N-Al或Fe-N材料構(gòu)成的基層24，該層例如大約0.5微米或更大的厚度?；鶎?4具有高導(dǎo)磁率(例如4000)和高磁飽和Ms?；鶎?4的高導(dǎo)磁率材料有效地提高了磁頭讀取信號(hào)的信號(hào)水平。高磁感應(yīng)強(qiáng)度(4πMs)的范圍在20-21千高斯之間。業(yè)已發(fā)現(xiàn)，基層24的成分使得合成的薄膜磁頭可用于矯頑磁力Hc高于1400奧斯特的高矯頑磁力磁盤，從而可增加記錄的線性密度。帶有混合的基層材料的薄膜磁頭可減少間隙的長(zhǎng)度而不會(huì)對(duì)寫入場(chǎng)產(chǎn)生任何不利的影響。從而可實(shí)現(xiàn)減小半脈沖寬度同時(shí)增加信號(hào)分辨率。通過(guò)使用本發(fā)明中公開(kāi)的基層材料，可極大地提高線性記錄密度。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)際實(shí)施例中，帶有一層Fe-N-Al合金薄膜基層的薄膜磁頭的磁性能如下磁感應(yīng)強(qiáng)度(4πMs)為約20-21千高斯導(dǎo)磁率為約4000單軸各向異性場(chǎng)Hk為約4-6奧斯特矯頑磁力Hc為約0.3奧斯特本發(fā)明的薄膜磁頭結(jié)構(gòu)可被修改成包括由氧化硅或氧化鋁構(gòu)成的夾在基層24之間的氧化層。氧化層例如可用射頻噴射沉積而成?？稍诒景l(fā)明的范圍內(nèi)對(duì)本發(fā)明設(shè)計(jì)和尺寸進(jìn)行其它修正。
權(quán)利要求
1.一種薄膜磁頭，包括一陶瓷基體；一沉積在所述基體上的由磁性材料構(gòu)成的第一基層；一沉積在所述第一基層上的第一磁極層；一沉積在所述第一磁極層上的電繞組；一圍繞所述繞組沉積的絕緣材料；一由磁性成分形成的第二基層，該磁性成分與沉積在所述絕緣材料上的第一基層的所述磁性材料不同；沉積在所述第二基層上的第二磁極層，所述第一和第二磁極層形成一具有非磁性轉(zhuǎn)換間隙的磁軛。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其特征在于，所述磁性成分為Fe-N-Al或者Fe-N。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其特征在于，所述第二基層夾在氧化硅或氧化鋁層之間。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其特征在于，所述第二基層的厚度為約0.5微米。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其特征在于，所述第二基層的磁導(dǎo)率為4000。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其特征在于，所述第二基層的磁感應(yīng)強(qiáng)度在約20-21千高斯的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其特征在于，所述第二基層的各向異性場(chǎng)Hk在約4-6奧斯忒的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其特征在于，所述第二基層的矯磁頑力Hc為約0.3奧斯物。
全文摘要
一種薄膜磁頭由透磁合金的第一和第二磁層形成以構(gòu)成一帶轉(zhuǎn)換間隙的磁軛，并包括一沉積在第二磁層之下的一基層。基層由Fe-N-Al或Fe-N制成。基層可夾在由氧化硅或氧化鋁構(gòu)成的氧化層之間?；鶎泳哂懈叽判燥柡秃透叽艑?dǎo)率的特性。薄膜磁頭可提供一高的寫入場(chǎng)而不改變磁頭尺寸；或者提供一小的間隙長(zhǎng)度而不減小寫入場(chǎng)的有效性。通過(guò)使用基層的薄膜磁頭可增加線性記錄密度和提高讀取信號(hào)的水平。
文檔編號(hào)G11B5/31GK1083959SQ9310973
公開(kāi)日1994年3月16日 申請(qǐng)日期1993年9月2日 優(yōu)先權(quán)日1992年9月4日
發(fā)明者比得·G·斯科夫, 華慶童 申請(qǐng)人:里德-萊特公司