專利名稱：磁光記錄體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基體和磁光記錄膜之間粘附性良好、耐氧化性以及磁光記錄特性良好的磁光記錄體。
眾所周知，包括過(guò)渡金屬(諸如鐵、鈷等)以及稀土元素(諸如鋱(Tb)、釓(Gd)等)的磁光記錄膜具有一與薄膜垂直的易磁化軸，并能通過(guò)與薄膜磁化作用反平行的磁化而形成小的反向磁疇。通過(guò)使該反向磁疇的存在或不存在對(duì)應(yīng)于“1”或“0”，有可能將數(shù)字信號(hào)記錄在上述磁光記錄膜上。
作為由該上述過(guò)渡金屬和稀土元素構(gòu)成的磁光記錄膜，例如，在日本專利公告第20691/1982號(hào)中揭示了那些包含15-30原子%Tb的Tb-Fe系磁光記錄膜。還有人采用Tb-Fe-Co、Gd-Tb-Fe和Dy-Tb-Fe-Co系磁光記錄膜。
盡管這些磁光記錄膜具有良好的記錄和復(fù)制特性，從實(shí)際觀點(diǎn)來(lái)看，它們?nèi)源嬖谟袊?yán)重的問(wèn)題，即它們?cè)谕ǔＪ褂眠^(guò)程中容易氧化，并且其性能隨著時(shí)間推移而變化。
譬如，在日本應(yīng)用磁學(xué)協(xié)會(huì)雜志(Journal of Applied Magnetism Society of Japan)，卷9，No.2，PP33-96雜志中，討論了包含上述過(guò)渡金屬和稀土元素的磁光記錄膜的氧化變劣機(jī)理，該文章報(bào)道，可將所述氧化變劣機(jī)理分成下述三種類型。
a)點(diǎn)蝕點(diǎn)蝕是指在磁光記錄膜存在有小孔，該腐蝕主要在高濕度環(huán)境下發(fā)展，例如，它在諸如Tb-Fe、Tb-Co等系列記錄膜中顯著地發(fā)展。
b)表面氧化表面氧化物層在磁光記錄膜上形成，由此使薄膜的克耳旋轉(zhuǎn)角θk隨時(shí)間而變化，并最終變小。
c)稀土元素的選擇氧化存在于磁光記錄膜中的稀土元素被選擇氧化，由如使薄膜的矯頑力Hc隨時(shí)間而顯著變化。
迄今為止，已作了各種努力來(lái)抑制上述磁光記錄膜的氧化變劣。例如，提出了一種方法，其中將磁光記錄膜設(shè)計(jì)成具有三層結(jié)構(gòu)，其中所述薄膜被夾在抗氧化保護(hù)層(諸如Si3N4、SiO、SiO2、Al N等)之間。
另外，人們已作了各種嘗試，通過(guò)將第三組分金屬結(jié)合入Tb-Fe、Tb-Co等系列記錄膜中來(lái)改善磁光記錄膜的耐氧化性。
例如，上述Journal of Applied Magnetism Society of Japan雜志中揭示了一種改善Tb-Fe或Tb-Co系磁光記錄膜耐氧化性的嘗試，它是通過(guò)將數(shù)量為不大于3.5原子%的第三金屬組分(諸如Co、Ni、Pt、Al、Cr、Ti和Pd)結(jié)合入膜膜中來(lái)進(jìn)行的。
為了改善磁光記錄膜的耐氧化性，在Proceedings of The Ninth Conference of Applied Magnetism Society of Japan(1985.11月)的第209頁(yè)中揭示了通過(guò)將數(shù)量為不超過(guò)10原子%的Pt、Al、Cr和Ti加入Tb-Fe或Tb-Fe-Co中而獲得的磁光記錄膜。
日本專利公告號(hào)255546/1986揭示了耐氧化性能改善的磁光記錄膜，它是通過(guò)將貴金屬(諸如Pt、Au、Ag、Ru、Rh、Pd、Os和Ir)加入包括稀土元素和過(guò)渡金屬的磁光記錄膜中來(lái)達(dá)到的，所述貴金屬的含量范圍應(yīng)保證復(fù)制所必要的克耳旋轉(zhuǎn)角。
如上所述，那些通過(guò)將第三金屬(諸如Co、Ni、Pt、Al、Cr、Ti和Pd)加入常規(guī)Tb-Fe系或Tb-Co系而制得的磁光記錄膜是已知的。通過(guò)將由聚碳酸酯構(gòu)成的常規(guī)基片與上述磁光記錄膜進(jìn)行層壓而制得的磁光記錄體仍不具有充分的耐氧化性和磁光記錄特性長(zhǎng)期穩(wěn)定性。所述磁光記錄體具有低的C/N比和高的噪音水平，這是由于其基片的高雙折射率而引起的，它還表現(xiàn)出磁光記錄膜和基片之間的粘附不充分。因此，由聚碳酸酯制得的基片要求熱處理，以使其基本不含水。它們還要求等離子體表面處理，以改善與磁光記錄膜的粘附性。
本發(fā)明人已進(jìn)行研究來(lái)改善上述磁光記錄體的性能，發(fā)現(xiàn)磁光記錄體的氧化劣化不僅是由磁光記錄膜的組成引起的，而且還由與磁光記錄膜層壓的常規(guī)基片本身引起，常規(guī)基片(諸如聚碳酸酯基片)與磁光記錄膜的不充分粘附引起磁光記錄膜不能充分地防止氧化。
本發(fā)明人在上述信息基礎(chǔ)上進(jìn)一步進(jìn)行了研究，最后發(fā)現(xiàn)，通過(guò)采用由乙烯和具有一定結(jié)構(gòu)的環(huán)烯烴的無(wú)規(guī)共聚物構(gòu)成的基片，通過(guò)將所述基片與一種指定的磁光記錄膜層壓，或獲得磁光記錄特性長(zhǎng)期穩(wěn)定性良好的、基片和磁光記錄膜間粘附良好的、耐氧化性良好的、具有高C/N比的磁光記錄體。
本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的各種問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種基片與磁光記錄膜間粘附良好的、并且耐氧化性良好的、磁光記錄特性、磁光記錄特性的長(zhǎng)期穩(wěn)定性良好的磁光記錄體。
本發(fā)明的磁光記錄體具有一基片和其上的磁光記錄膜，所述基片是由包含下列物質(zhì)的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物形成的。
(A)乙烯和由下列通式(Ⅰ)表示的環(huán)烯烴的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物，所述共聚物的特性粘度(η)為0.05至10dl/g(在萘烷中在135℃測(cè)得，軟化溫度(TMA)為至少70℃)。
(B)乙烯和由下列通式(Ⅰ)表示的環(huán)烯烴的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物，所述共聚物的特性粘度(η)為0.05至5dl/g(在萘烷中在135℃測(cè)得，軟化溫度(TMA)為小于70℃)，所述組分(A)/所述組分(B)的重量比為100/0.1至100/10范圍內(nèi)。
其中n為0或正整數(shù)，R1至R12是相同的或不同的，各自代表氫原子、鹵素原子或烴基團(tuán)，R9至R12當(dāng)結(jié)合在一起時(shí)可形成可以選擇性地含有雙鍵或多個(gè)雙鍵的單環(huán)或多環(huán)的烴環(huán)，或R9和R10或R11和R12，當(dāng)結(jié)合在一起時(shí)，可形成亞烷基基團(tuán)。
在上述環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物中，所述環(huán)烯烴組分具有由通式(Ⅱ)表示的結(jié)構(gòu)。
其中n為0或正整數(shù)，R1到R12為相同或各異，各自代表氫原子、鹵素原子或烴基團(tuán)，R9到R12當(dāng)結(jié)合在一起時(shí)可形成單環(huán)烴或多環(huán)烴，后者可選擇性地具有雙鍵或多個(gè)雙鍵，或者R9和R10或R11和R12當(dāng)結(jié)合在一起時(shí)可形成亞烷基基團(tuán)。
在本發(fā)明的磁光記錄體中，將無(wú)定形合金薄膜用作在上述基片上形成的磁光記錄膜，所述磁光記錄膜包括(ⅰ)至少一種選自3d過(guò)渡金屬的元素以及(ⅱ)至少一種選自稀土元素的元素，它具有一與薄膜垂直的易磁化軸。


圖1，2，3和4是本發(fā)明的磁光記錄體的剖視圖。
圖5是表示Co/(Fe+Co)原子比與含有Pt的磁光記錄膜噪音水平(dBm)之間關(guān)系圖。
圖6是表示Co/(Fe+Co)原子比與含有Pd的磁光記錄膜噪音水平(dBm)之間關(guān)系圖。
圖7是表示Co/(Fe+Co)原子比與由磁光記錄膜的△C/N(dB)表示的腐蝕劣化之間關(guān)系圖。
圖8是分別表示Pt和/或Pd含量(原子%)與由含有Pt和/或Pd的磁光記錄膜的△C/N(dB)表示的耐氧化性之間關(guān)系圖。
圖9是表示Oe偏磁場(chǎng)和磁光記錄膜的C/N比之間關(guān)系圖，其中一個(gè)含有Pt，另一個(gè)不含有Pt。
圖10是分別表示Pt或Pd含量(原子%)與含有Pt和Pd的磁光記錄膜的最小偏磁場(chǎng)H飽和(Oe)之間關(guān)系圖。
如圖5至10所示的結(jié)果是由磁光記錄體獲得的，所述記錄體具有如圖1所示的結(jié)構(gòu)，它包括在參考例1中獲得的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物基片，并在其中層壓有一厚度為1000 的磁光記錄膜。
下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的磁光記錄體。
如圖1所示，本發(fā)明的磁光記錄體1具有一種基片2上層壓有磁光記錄膜3的結(jié)構(gòu)。
如圖2所示，本發(fā)明的磁光記錄體1可具有一種結(jié)構(gòu)，其中磁光記錄膜3和反射膜4以該順序?qū)訅河诨?之上。
另外，本發(fā)明的磁光記錄體1可具有一種結(jié)構(gòu)，其中在基片2和磁光記錄膜3之間提供有一增強(qiáng)膜5，如圖3所示。
如圖4所示，本發(fā)明的磁光記錄體1可具有一種結(jié)構(gòu)，其中在基片2和磁光記錄膜3之間有一增強(qiáng)膜5，并且在磁光記錄膜3和反射膜4之間有另一增強(qiáng)膜5。
在本發(fā)明的磁光記錄體中，上述增強(qiáng)膜最好由硅化合物諸如Si3N4和SiNx(0＜X＜4/3)、AlN、ZnS、Si或CdS構(gòu)成。
在本發(fā)明的磁光記錄體1中，上述基片2是由包括下列物質(zhì)的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物形成的(A)乙烯和由下列通式(Ⅰ)表示的環(huán)烯烴的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物，其特性粘度(η)為0.05至10dl/g(在萘烷中在135℃下測(cè)得，軟化溫度(TMA)為至少70℃)，以及(B)乙烯和由下列通式(Ⅰ)代表的環(huán)烯烴的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物，其特性粘度(η)為0.05至5dl/g(在萘烷中在135℃下測(cè)得，軟化溫度(TMA)為小于70℃)。
所述組分(A)/所述組分(B)的重量比范圍為100/0.1至100/10。
其中n為0或正整數(shù)，較佳為不大于3，R1至R12是相同的或不同的，各代表氫原子、鹵素原子或烴基團(tuán)，若R9到R12當(dāng)結(jié)合在一起時(shí)可形成可選擇性地具有雙鍵或多個(gè)雙鍵的單環(huán)或多環(huán)烴環(huán)，或R9和R10或R11和R12當(dāng)結(jié)合在一起時(shí)，會(huì)形成亞烷基基團(tuán)。
下面將進(jìn)一步解釋由通式(Ⅰ)表示的環(huán)烯烴。由通式(Ⅰ)代表的環(huán)烯烴也可由下列通式(Ⅰ-a)表示。
在通式(Ⅰ-a)中，n為0或1，m為0或正整數(shù)，R1到R18各代表由氫原子、鹵素原子和烴基團(tuán)組中選取的一個(gè)原子或一基團(tuán)。
R15到R18當(dāng)結(jié)合在一起時(shí)，可形成單環(huán)烴或多環(huán)烴環(huán)，后者可選擇性地具有雙鍵或多個(gè)雙鍵。
另外，R15和R16或R17和R18當(dāng)結(jié)合在一起時(shí)，可形成亞烷基基團(tuán)。
在上述環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)和(B)中，其環(huán)烯烴組分具有由通式(Ⅱ)所表示的結(jié)構(gòu)。
其中n為0或正整數(shù)，R1到R12為相同或各異，它們各表示氫原子、鹵素原子或烴基團(tuán)，若R9至R12當(dāng)結(jié)合在一起時(shí)，可形成單環(huán)烴或多環(huán)烴環(huán)，后者可選擇性地具有雙鍵或多個(gè)雙鍵，或者R9和R10或R11和R12當(dāng)結(jié)合在一起時(shí)，可形成亞烷基基團(tuán)。
在上述環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)和(B)中，環(huán)烯烴是由通式(Ⅰ-a)表示時(shí)，其環(huán)烯烴組分具有如通式(Ⅱ-a)所示的結(jié)構(gòu)。
在通式(Ⅱ-a)中，n為0或1，m為0或正整數(shù)，R1到R18代表由氫原子、鹵素原子和烴基團(tuán)組中選取的一個(gè)原子或一基團(tuán)。
R15到R18當(dāng)被結(jié)合在一起時(shí)，可形成單環(huán)烴或多環(huán)烴環(huán)，后者可選擇性地具有雙鍵或多個(gè)雙鍵。
另外，當(dāng)將R15和R16或R17和R18結(jié)合在一起時(shí)，可形成亞烷基基團(tuán)。
作為上述環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物的構(gòu)成成份的環(huán)烯烴是選自由通式(Ⅰ)表示的不飽和單體的至少一種環(huán)烯烴。由狄爾斯·阿德耳反應(yīng)，可通過(guò)環(huán)戊二烯與合適的烯烴或環(huán)烯烴的縮合反應(yīng)來(lái)方便地制備由通式(Ⅰ)表示的環(huán)烯烴。
由通式(Ⅰ)表示的環(huán)烯烴的具體例子包括1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘(四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯)，其八氫化萘為諸如2-甲基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-乙基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-丙基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-己基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2，3-二甲基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-甲基-3-乙基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-氯-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-溴-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-氟-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2，3-二氯-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-環(huán)己基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-正丁基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-異丁基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘等。
另外，由通式(Ⅰ)代表的環(huán)烯烴包括二環(huán)[2，2，1]庚-2-烯(hepto-2-en)衍生物、四環(huán)[4，4，02.5，1，17.10]-3-十二碳烯衍生物、六環(huán)[6，6，1，13.6，110.13，02.7，09.14]-4-十七碳烯衍生物、八環(huán)[8，8，0，12.9，14.7，111.18，113.16，03.8，012.17]-5-二十二碳烯衍生物、五環(huán)[8，8，0，12.9，14.7，111.18，113.16，03.8，012.17]-5-二十二碳烯衍生物、五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六碳烯衍生物、七環(huán)-5-二十碳烯衍生物、七環(huán)-5-二十一碳烯衍生物、三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-十碳烯衍生物、三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-十一碳烯衍生物、五環(huán)[6，5，1，13.6，02.7，09.13]-4-十五碳烯衍生物、五環(huán)十五碳二烯衍生物、五環(huán)[4，7，0，12.5，08.13，19.12]-3-十五碳烯衍生物、五環(huán)[7，8，0，13.6，02.7，110.17，011.16，112.15]-4-二十碳烯衍生物以及九環(huán)[9，10，1，1，4，7，03.8，02.10，012.21，113.20，014.19，115.18]-5-二十五碳烯衍生物。
下面將描述上述化合物的具體例子。
二環(huán)[2，2，1]庚-2-烯衍生物諸如二環(huán)[2，2，1]庚-2-烯6-甲基二環(huán)[2，2，1]庚烯5，6二甲基二環(huán)[2，2，1]庚-2-稀1-甲基二環(huán)[2，2，1]庚-2-烯6-乙基二環(huán)[2，2，1]庚-2-烯6-丁基二環(huán)[2，2，1]庚-2-烯6-異丁基二環(huán)[2，2，1]庚-2-烯7-甲基二環(huán)[2，2，1]庚-2-烯四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯衍生物諸如四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯5，10-二甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯2，10-二甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯11，12-二甲基四環(huán)-3-二十碳烯2，7，9-三甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯9-乙基1-2，7-二甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯9-異丁基-2，7-二甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯9，11，12-三甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯9-乙基-11，12-二甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯9-異丁基-11，12-二甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯5，8，9，10-四甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-乙基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯
8-丙基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯〈＆＆ 8 8－己基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯〈＆＆ 8-十八烷基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8，9-二甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-甲基-9-乙基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-氯四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-溴四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-氯四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8，9-二氯四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-環(huán)己基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-異丁基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-丁基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯
8-亞乙基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-亞乙基-9-甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-正-亞丙基-9-乙基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-亞乙基-9-異丙基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-亞乙基-9-丁基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-n-亞丙基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-n-亞丙基-9-甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-亞乙基-9-乙基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-n-亞丙基-9-異丙基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯
8-n-亞丙基-9-丁基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-異亞丙基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-異亞丙基-9-甲基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-異亞丙基-9-乙基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-異亞丙基-9-異丙基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯8-異亞丙基-9-丁基四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯六環(huán)[6，6，1，13.6，110.13，02.7，09.14]-4-十七碳烯衍生物例如六環(huán)[6，6，1，13.6，110.13，02.7，09.14]-4十七碳烯12-甲基六環(huán)[6，6，1，13.6，110.13，02.7，09.14]-4-十七碳烯12-乙基六環(huán)-4-十七碳烯12-異丁基六環(huán)[6，6，1，13.6，110.13，02.7，09.14]-4-十七碳烯1，6，10-三甲基-12-異丁基六環(huán)[6，6，1，13.6，116.13，02.7，09.14]-4-十七碳烯八環(huán)[8，8，0，12.9，14.7，111.18，113.16，03.8，012.17]-5-二十二碳烯衍生物例如八環(huán)[8，8，0，12.9，14.7，111.18，113.16，03.8，012.17]-5-二十二碳烯15-甲基八環(huán)[8，8，0，12.9，14.7，111.18，113.16，03.8，012.17]-5-二十二碳烯15-乙基八環(huán)[8，8，0，12.9，14.7，111.18，113.16，03.8，012.17]-5-二十二碳烯五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六碳烯衍生物例如五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六碳烯1，3-二甲基五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六碳烯，6-二甲基五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六碳烯15，16-二甲基五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六碳烯七環(huán)-5-二十碳烯衍生物或七環(huán)-t-二十一碳烯衍生物例如七環(huán)[8，7，0，12.9，14.7，111.17，03.8，012.16]-5-二十碳烯七環(huán)[8，7，0，12.9，14.7，111.17，03.8，012.16]-5-二十碳烯三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-癸烯衍生物例如三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-癸烯2-甲基三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-癸烯5-甲基三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-癸烯三環(huán)[4，4，0，12.5]-3-十一碳烯衍生物諸如三環(huán)[4，4，0，12.5]-3-十一碳烯10-甲基三環(huán)[4，4，0，12.5]-3-十一碳烯五環(huán)[6，5，1，13.6，02.7，09.13]-4-十五碳烯衍生物例如五環(huán)[6，5，1，13.6，02.7，09.13]-4-十五碳烯1，3-二甲基五環(huán)[6，5，1，13.6，02.7，09.13]-4-十五碳烯1，6-二甲基五環(huán)[6，5，1，13.6，02.7，09.13]-4-十五碳烯14，15-二甲基五環(huán)[6，5，1，13.6，02.7，09.13]-4-十五碳烯二烯類化合物例如
五環(huán)[6，5，1，13.6，02.7，09.13]-4，10-十五碳二烯五環(huán)[4，7，0，12.8，08.13，19.13]-3-十五碳烯衍生物例如五環(huán)[4，7，0，12.5，08.13，19.12]-3-十五碳烯甲基取代的五環(huán)[4，7，0，12.5，08.13，19.12]-3-十五碳烯七環(huán)[7，8，0，13.6，02.7，110.17，011.16，112.15]-4-二十碳烯衍生物例如
七環(huán)[7，8，0，13.6，02.7，110.17，011.16，112.15]-4-二十碳烯二甲基取代的七環(huán) -4-二十碳烯九環(huán)[9，10，1，14.7，03.8，02.10，012.21，113.20，014.19，115.18]-5-二十五碳烯衍生物例如九環(huán)[9，10，1，14.7，03.8，02.10，012.21，113.20，014.19，115.18]-5-二十五碳烯三甲基取代的九環(huán)[9，10，1，14.7，03.8，02.10，012.21，113.20，014.19，115.18]-5-二十五碳烯如上所述，環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)和(B)包括乙烯單元和上述環(huán)烯烴單元作為其基本組分，然而，如果必要，除了這兩種基本組分外，所述共聚物可包含其他可共聚的不飽和單體組分，只要它們不給達(dá)到本發(fā)明的目的造成障礙。與共聚物(A)和(B)進(jìn)行共聚作用(如果必要)的不飽和單體可包括例如具有3至20個(gè)碳原子的α-烯烴，諸如丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-十八碳烯和1-二十碳烯，所用的量可為不大于所得無(wú)規(guī)共聚物中乙烯組分單元的等摩爾量。
在軟化點(diǎn)(TMA)為至少70℃的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)中，由乙烯衍生而來(lái)的重復(fù)單元(a)存在的量為40至85摩爾%，較佳為50至75摩爾%，而由環(huán)烯烴衍生而來(lái)的重復(fù)單元(b)存在的量為15至60摩爾%，較佳為25至50摩爾%，在基本為直鏈的共聚物(A)鏈中，這些重復(fù)單元(a)和(b)無(wú)規(guī)則地排列。重復(fù)單元(a)和(b)的摩爾百分?jǐn)?shù)由13C-NMR確定。該環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)在135℃下完全可溶于萘烷這一事實(shí)證實(shí)，它基本上為直鏈的，無(wú)膠凝交聯(lián)結(jié)構(gòu)。
環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)的特性粘度(η)為0.05至10dl/g，較佳為0.08至5dl/g(在135℃下在萘烷中測(cè)得)。
由熱機(jī)械分析儀測(cè)得，環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)的軟化溫度(TMA)為至少70℃，較佳為90至250℃，最好為100至200℃。上述軟化溫度(TMA)是通過(guò)采用一杜邦分司制造及銷售的熱機(jī)械分析儀，通過(guò)觀察1mm厚的共聚物(A)板的熱變形行為來(lái)確定的。更具體地說(shuō)，將一石英針垂直放在所述板上，加載49克，以5℃/分鐘的速度將該組件加熱，所述針刺入板的深度為0.635mm時(shí)的溫度即為TMA。該環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)的玻璃化轉(zhuǎn)化溫度(Tg)通常為50℃至230℃，最好為70℃至210℃。
由X線衍射儀測(cè)得的該環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)的結(jié)晶度通常為0至10%，較佳為0至7%，最好為0至5%。
在具有上述軟化點(diǎn)(TMA)(低于70℃)的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(B)中，由乙烯衍生而來(lái)的重復(fù)單元(a)存在的量為60至98摩爾%，較佳為60至95摩爾%，由環(huán)烯烴衍生而來(lái)的重復(fù)單元(b)存在的量為2至40摩爾%，較佳為5至40摩爾%，在基本上為直鏈的共聚物(B)鏈中，由乙烯衍生而來(lái)的重復(fù)單元(a)和由環(huán)烯烴衍生而來(lái)的重復(fù)單元(b)無(wú)規(guī)則地排列。重復(fù)單元(a)和(b)的摩爾百分?jǐn)?shù)由13C-NMR測(cè)得。該環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(B)在135℃下完全可溶于萘烷這一事實(shí)證實(shí)，它基本上是直鏈型的，無(wú)膠凝交聯(lián)結(jié)構(gòu)。
上述環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(B)的特性粘度(η)為0.05至5dl/g，較佳為0.08至3dl/g，在135℃下在萘烷中測(cè)得。
由熱機(jī)械分析儀測(cè)得的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(B)的軟化溫度(TMA)為小于70℃，較佳為-10℃至60℃，最好為10℃至55℃。該環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(B)的玻璃化轉(zhuǎn)化溫度(Tg)通常為-30℃至60℃，較佳為-20℃至50℃。
根據(jù)X線衍射儀測(cè)量，該環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(B)的結(jié)晶度為0至10%，較佳為0至7%，最好為0至5%。
在本發(fā)明的磁光記錄體中，用于形成所述記錄體基片的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物中的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)/環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(B)重量比為100/0.1至100/10，較佳為100/0.3至100/7，最好為100/0.5至100/5。通過(guò)將上述組分(B)與在環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物中的上述組分(A)混合，其有利之處在于，在嚴(yán)劣條件下，與只包含組分(A)的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物相比，用于本發(fā)明的基片和磁光記錄膜之間的粘附得到了進(jìn)一步改善，同時(shí)，還保持了基片本身良好的透明度和表面光滑性。因此，由包括上述組分(A)和(B)混合物的上述環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物形成的用于本發(fā)明的基片具有這樣的特性，使得即使在使基片經(jīng)受高溫和高濕度環(huán)境后，仍保持用于本發(fā)明的所述基片和增強(qiáng)膜之間良好的粘附性。
構(gòu)成用于本發(fā)明的用于形成基片的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物的環(huán)烯烴共聚物(A)和(B)可全部由本發(fā)明人在日本專利公告第168708/1985、120816/1986、115912/1986、115916/1986、252406/1987、252407/1987、271308/1986和272216/1986號(hào)所提出的方法制備，同時(shí)適當(dāng)?shù)剡x擇條件。
上述環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物可由已知方法制備，例如一種方法，其中分別制備環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)和(B)，并由擠出機(jī)將它們混合以制得所述組成物;還有另一種所謂的溶液混合方法，其中共聚物(A)和(B)被分別完全溶入合適的溶劑中，所述溶劑為諸如飽和烴，例如庚烷、己烷、癸烷或環(huán)烷，或?yàn)榉甲鍩N，例如甲苯、苯或二甲苯，隨后將所得溶液混合以制備所述組成物;另有一種方法，其中由分立的聚合反應(yīng)器制備的共聚物(A)和(B)在另一容器中混合，以制備所述組成物。
這樣制備的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組合物的特性粘度(η)(在135℃下在萘烷中測(cè)得)為0.05至10dl/g，較佳為0.08至5dl/g，由熱機(jī)械分析儀測(cè)得的軟化溫度(TMA)為70至250℃，較佳為80至250℃，最佳為100至200℃，其玻璃化轉(zhuǎn)化溫度(Tg)為70至230℃，最佳為90至210。
另外，本發(fā)明的磁光記錄體的基片可由具有由環(huán)烯烴單體(Ⅰ)的開(kāi)環(huán)而產(chǎn)生的通式為(Ⅲ)的重復(fù)單元的聚合物構(gòu)成，或由具有由單元(Ⅲ)的氫化而產(chǎn)生的通式為(Ⅳ)的重復(fù)單元的聚合物構(gòu)成。
在通式(Ⅲ)或(Ⅳ)中，n和R1至R12與通式(Ⅰ)中定義的相同。
盡管上述環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組分包括環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)和環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(B)作為主要成份，但如果必要，本發(fā)明的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物可結(jié)合有適當(dāng)比例的各種添加劑，諸如熱穩(wěn)定劑、防老化劑、抗靜電劑、滑脫劑、防粘劑、防翳劑、潤(rùn)滑劑、染料、顏料、天然油、合成油和石蠟。例如，可選擇性地結(jié)合入內(nèi)的穩(wěn)定劑具體包括酚抗氧化劑，諸如四[亞甲基-3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]甲烷和β-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸烷基酯(特別優(yōu)先的是少于18個(gè)碳原子的烷基酯)。酚抗氧化劑諸如(2，2′-草酰氨基雙[乙基-3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸酯等;脂肪酸的金屬鹽，諸如硬脂酸鋅、硬脂酸鈣、12-羥基硬脂酸鈣等;多元醇的脂肪酸酯，諸如甘油一硬脂酸酯、甘油二硬脂酸酯、季戊四醇一硬脂酸酯、季戊四醇二硬脂酸酯、季戊四醇三硬脂酸酯等?？蓪⑦@些化合物單獨(dú)或組合加入環(huán)烯烴共聚物或其組成物中。例如，可采用四[亞甲基-3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]甲烷與硬脂酸鋅或甘油一硬脂酸酯的組合和類似的組合。
在本發(fā)明中，特別希望采用酚抗氧化劑與多元醇的脂肪酸酯的組合，所述脂肪酸酯最好是那些由部分至少三價(jià)的多元醇的醇式羥基基團(tuán)的酯化而獲得的物質(zhì)。
上面所用的多元醇的脂肪酸酯具體包括甘油的脂肪酸酯，諸如甘油一硬脂酸酯、甘油一月桂酸酯、甘油一肉豆蔻酸酯、甘油一棕櫚酸酯、甘油二硬脂酸酯、甘油二月桂酸酯等，以及季戊四醇的脂肪酸酯，諸如季戊四醇一硬脂酸酯、季戊四醇一月桂酸酯、季戊四醇二硬脂酸酯、季戊四醇二月桂酸酯、季戊四醇三硬脂酸酯等。
所用的酚抗氧化劑量為0.01至10份(重量，以100份環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物的重量為基準(zhǔn))，較佳為0.05至3份(重量)，最好為0.1至1份(重量)，所用的多元醇的脂肪酸酯量為0.01至10份(重量，以100份所述組成物的重量為基準(zhǔn))，較佳為0.05至3份(重量)。
在本發(fā)明中，采用上述環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物來(lái)形成基片2。該環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物或組成物的吸水性比目前用作基片2的聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯低，因此在所述基片上形成的磁光記錄膜3較少被基片中的水份氧化。由該環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物形成的基片2與磁光記錄膜3和尤其由Si3N4或SiNx(0＜x＜4/3)構(gòu)成的增強(qiáng)膜4的粘附性良好，因此，可有效地抑制基片2上形成的磁光記錄膜3氧化。因此，包括層壓于基片2之上的磁光記錄膜3的磁光記錄體1具有良好的操作性能和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
由上述環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物或其組成物形成的基片2的雙折射率小，因而在磁光記錄膜3讀出時(shí)的靈敏度高，在讀出時(shí)，可采用非差動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置。
在本發(fā)明的磁光記錄體1中，作為磁光記錄膜3，非晶態(tài)金屬合金膜被直接或間接地層壓于基片2上，所述薄膜具有一與薄膜垂直的易磁化軸，它包含例如(ⅰ)選自3d過(guò)渡金屬的至少一種元素以及(ⅱ)選自稀土元素的至少一種元素，較佳包含(ⅰ)選自3d過(guò)渡金屬的至少一種元素(ⅱ)耐腐蝕金屬以及(ⅲ)選自稀土元素的至少一種元素。
包含上述(ⅰ)、(ⅱ)和(ⅲ)的磁光記錄膜3將在下文中得到闡述。
(ⅰ)所用的3d過(guò)渡金屬包括Fe、Co、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn等，其中較佳的是Fe或Co，或兩者兼有之。
該3d過(guò)渡金屬在磁光記錄膜3中存在的量較佳為20至90原子%，更好為30至85原子%，最好為35至80原子%。
(ⅱ)包含于磁光記錄膜3中的耐腐蝕金屬能夠改善所述記錄膜的耐氧化性。所用的耐腐蝕金屬包括Pt、Pd、Ti、Zr、Ta、Nb、Mo、Hf等。這些元素中，較佳的是Pt、Pd和Ti，最好為Pt或Pd或兩者兼有之。
所述記錄膜3中存在的耐腐蝕金屬量較佳為5至30原子%，更好為5至25原子%，特別好為10至25原子%，最好為10至20原子%。
含有少于5原子%耐腐蝕金屬，所得磁光記錄膜3的耐氧化性并沒(méi)有顯著地改善，因此，所述薄膜的矯頑力Hc趨于隨時(shí)間顯著變化，或者克耳旋轉(zhuǎn)角θk趨于減小。另一方面，如果磁光記錄膜體的耐腐蝕金屬含量超過(guò)30原子%，所得非晶態(tài)合金薄膜的居里點(diǎn)趨于減小，它通常低于環(huán)境溫度。
所述磁光記錄膜3除了含有上述組分(ⅰ)和(ⅱ)外，它最好由選自下列元素組的至少一種稀土元素(ⅲ)構(gòu)成。
所述元素組由Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm和Eu構(gòu)成。
在這些上述元素中，較佳的是Gd、Tb、Dy、Ho、Nd、Sm和Pr。
選自上述組的至少一種稀土元素在所述記錄膜3中存在的量較佳為5至50原子%，更佳為8至45原子%，最好為10至40原子%。
在本發(fā)明中，特別希望磁光記錄膜3具有下述的組成物。
(ⅰ)3d過(guò)渡金屬在本文中推薦的磁光記錄膜3中，含有Fe或Co或兩者兼有之，磁光記錄膜3中存在的Fe和/或Co量較佳為至少40原子%，但不超過(guò)80原子%，較佳為至少40原子%，但小于75原子%，最佳為至少40原子%，但不超過(guò)59原子%。
另外，磁光記錄膜3中存在的Fe和/或Co量較佳是這樣的，使得Co/(Fe+Co)原子比為0至0.3，較佳為0至0.2，最佳為0.01至0.2。
當(dāng)Fe和/式Co量為至少40原子%和不超過(guò)80原子%范圍內(nèi)時(shí)，有這樣一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即獲得了耐氧化性良好的并具有一垂直于薄膜的易磁化軸的磁光記錄膜。
因此，當(dāng)將Co結(jié)合入磁光記錄膜中時(shí)，觀察到這樣現(xiàn)象，即(A)磁光記錄膜的居里點(diǎn)增高了，并且(B)克耳旋轉(zhuǎn)角(θk)變大了。結(jié)果，可由結(jié)合入的Co量來(lái)調(diào)節(jié)磁光記錄膜的記錄靈敏度，進(jìn)而，通過(guò)結(jié)合Co，復(fù)制信號(hào)的載波電平增強(qiáng)了。在較佳的磁光記錄膜中，Co/(Fe+Co)原子比為0至0.3，較佳為0至0.2，最好為01至0.2。
圖5表明了Pt Tb Fe Co系列磁光記錄膜的Co/(Fe+Co)原子比與噪音水平(dBm)之間的關(guān)系，圖6表明了Pd Tb Fe Co系列磁光記錄膜的Co/(Fe+Co)原子比與噪音水平(dBm)之間的關(guān)系。
如圖5所示，在本文中推薦的具有由Pt13Tb28Fe50Co9表示的組成物的磁光記錄膜情況下，其中Co/(Fe+Co)原子比為0.15，噪音水平為-56dBm，而在具有由Pt13Tb28Fe36Co23表示的組成物的磁光記錄膜情況下，其中Co/(Fe+Co)原子比為0.39，其噪音水平為-50dBm。由上述事實(shí)可以知道，當(dāng)上述原子比增加時(shí)，噪音水平趨于增加。另外，如圖6所示，在本文中推薦的具有由Pd14Tb27Fe52Co7表示的組成物的磁光記錄膜情況下，其中Co/(Fe+Co)原子比為0.12，噪音水平為-56dBm，而在具有如Pd14Tb27Fe41Co8所示的組成物的磁光記錄膜情況下，其中Co/(Fe+Co)原子比為0.31，噪音水平為-51dBm。由該事實(shí)可以知道，在這種情況下，當(dāng)上述原子比增加時(shí)，噪音水平也趨于增加。
圖7表示了兩種系列磁光記錄膜(一種是Pt Tb Fe Co組成物，另一種是Pd Tb Fe Co組成物)的由△C/N比(dB)表示的磨蝕劣化與Co/(Fe+Co)原子比之間的關(guān)系。
具體地說(shuō)，即使在抹去記錄于其中的信息時(shí)而用加強(qiáng)的能量來(lái)對(duì)本文中推薦的具有Pt13Tb28Fe50Co7所示組成物的磁光記錄膜進(jìn)行照射時(shí)，其中Co/(Fe+Co)原子比為0.155，也不存在薄膜性能的變化，并可在消除信息的記錄膜上記錄上新的信息，它具有與消除信息前相同的C/N值。
另外，借助本文推薦的磁光記錄膜，即使重復(fù)進(jìn)行記錄和消除信息過(guò)程，也不會(huì)發(fā)生薄膜性能的變化。例如，即使在具有組成物Pt13Tb28Fe50Co9的磁光記錄膜中進(jìn)行100，000次記錄和消除信息操作，也沒(méi)觀察到C/N比的降低。
(ⅱ)耐腐蝕金屬較佳的磁光記錄膜3包含至少一種Pt、Pd、Ti、Zr、Ta、Nb和Mo作為耐腐蝕金屬，較佳為Pt或Pd或兩者兼有之，較佳的磁光記錄膜中包含的Pt和/或Pd量為5至30原子%，較佳為大于10原子%但不超過(guò)30原子%，更佳為大于10原子%但小于20原子%，最佳為至少11原子%但不超過(guò)19原子%。
存在于磁光記錄膜中的Pt和/或Pd量為至少5原子%(特別是超過(guò)10原子%)，這就帶來(lái)了這樣的優(yōu)點(diǎn)，即所述記錄膜的耐氧化性變得良好，即使它被用了很長(zhǎng)時(shí)間，也不發(fā)生點(diǎn)蝕，并且C/N比不變低，在Ti、Mo、Zr、Ta和Nb中也觀察到類似優(yōu)點(diǎn)。
圖8表明了在將環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物用于基片情況下，當(dāng)將所述記錄膜在85%RH和80℃環(huán)境下保持1000小時(shí)時(shí)，含有Pt或Pd的磁光記錄膜中Pt或Pd含量與C/N比減小的關(guān)系。
因此由圖8可以知道，當(dāng)磁光記錄膜中Pt或Pd的量為至少5原子%時(shí)，特別是大于10原子%時(shí)，所述記錄膜的耐氧化性改善了，即使在長(zhǎng)期使用后，也不產(chǎn)生點(diǎn)蝕，另外，C/N比不會(huì)變差。
例如，即使當(dāng)在85%RH和80℃環(huán)境下保持1000小時(shí)時(shí)，具有如Pt13Tb28Fe50Co9或Pd12Tb28Fe53Co7所示的組成物的磁光記錄膜的C/N比根本不會(huì)變化。相反，當(dāng)在85%RH和80℃環(huán)境下保持1000小時(shí)時(shí)，具有如Tb25Fe68Co7所示的不含Pt或Pd的組成物的磁光記錄膜的C/N比會(huì)顯著降低。
通過(guò)在磁光記錄膜中結(jié)合入數(shù)量在上述范圍內(nèi)的選自Pt、Pd、Ti、Zr、Ta、Nb和Mo的至少一種元素，當(dāng)在磁光記錄膜上記錄信息或當(dāng)從其上讀出信息時(shí)，甚至由一小偏磁場(chǎng)也能獲得足夠高的C/N比。如果由一小偏磁場(chǎng)獲得足夠高的C/N比，用于產(chǎn)生偏磁場(chǎng)的磁體可做得尺寸小一些，另外，可抑制由磁體產(chǎn)生熱量，因而使用于其上載有磁光記錄膜的光盤的驅(qū)動(dòng)裝置的簡(jiǎn)化成為可能。進(jìn)而，由于由一小偏磁場(chǎng)可獲得足夠大的C/N比，因而容易設(shè)計(jì)一種用于能夠重寫(xiě)的磁場(chǎng)調(diào)節(jié)記錄的磁體。
圖9表示了具有推薦組成物Pt13Tb28Fe52Co9的磁光記錄膜以及具有Tb25Fe68Co7組成物的磁光記錄膜的C/N比(dB)與偏磁場(chǎng)的關(guān)系。
由圖9可知道，在常規(guī)已知的磁光記錄膜(由Tb25Fe68Co9表示)中，C/N沒(méi)有飽和，除非施加大于250 Oe的偏磁場(chǎng)。而在本發(fā)明推薦的磁光記錄膜中(由Pt13Tb28Fe50Co9表示)，甚至用一小偏磁場(chǎng)也能進(jìn)行記錄，并且C/N比在120 Oe或更大的水平下飽和。在下列例子和對(duì)照例中，顯示了各磁光記錄膜的最小偏磁場(chǎng)的H飽和值，在該點(diǎn)上C/N比達(dá)到飽和。該H飽和值越小，就意味著C/N比由一小偏磁場(chǎng)而飽和。
圖10表示了Pt Tb Fe Co系列磁光記錄膜和Pd Tb Fe Co系列磁光記錄膜的Pt或Pd含量與最小偏磁場(chǎng)H飽和(Oe)之間的關(guān)系。
由圖10可以看出，當(dāng)Pt和/或Pd含量超過(guò)10原子%時(shí)，最小偏磁場(chǎng)H飽和變得足夠小。
(ⅲ)稀土元素(Re)在磁光記錄膜3中，包含至少一種稀土元素(Re)，可用作稀土元素的有Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho，它們可單獨(dú)或結(jié)合使用。
在上述稀土元素中，特別有用的是Nd、Pr、Gd、Tb和Dy，最好是Tb。稀土元素可以兩種元素或多種元素的組合來(lái)使用，在這種情況下，所述組合最好包含至少50原子%Tb。
從獲得具有與薄膜垂直的易磁化軸的光磁學(xué)觀點(diǎn)來(lái)看，較佳的是該稀土元素在磁光記錄膜中存在的量為0.15≤X≤0.45，最好為0.20≤X≤0.4，其中X代表Re/(Re+Fe+Co)(原子比)。
在本發(fā)明中，通過(guò)在磁光記錄膜中結(jié)合入各種不同元素來(lái)改善居里溫度。補(bǔ)償溫度、矯頑力Hc或克耳旋轉(zhuǎn)角θk或降低生產(chǎn)成本也是可能的。為此目的使用的這些元素的比例例如可為小于10原子%(以構(gòu)成記錄膜的元素原子總數(shù)為基準(zhǔn))。
除了那些磁光記錄膜構(gòu)成物外，可用于該目的的元素例子包括下列元素(Ⅰ)除了Fe和Co之外的3d過(guò)渡元素，具體地說(shuō)，這些過(guò)渡元素包括Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn。
上面舉出的這些元素例子中，較佳的是Ti、Ni、Cu和Zn(Ⅱ)除了Pd之外的4d過(guò)渡元素具體地說(shuō)，這些過(guò)渡元素包括Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ag和Cd。
上面舉例的這些過(guò)渡元素中，較佳的是Zr和Nb。
(Ⅲ)除了Pt之外的5d過(guò)渡元素具體地說(shuō)，這些過(guò)渡元素包括Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Au和Ag。
這些過(guò)渡元素中，較佳的是Ta、Hf。
(Ⅳ)ⅢB族元素具體地說(shuō)，采用B、Al、Ga、In和Tl。
這些元素中，較佳的是B、Al和Ga。
(Ⅴ)ⅣB族元素具體地說(shuō)，采用C、Si、Ge、Sn和Pb。
這些元素中，較佳的是Si、Ge、Sn和Pb。
(Ⅵ)ⅤB族元素具體地說(shuō)，采用N、P、As、Sb和Bi。
這些元素中，較佳的是Sb。
(Ⅶ)ⅥB族元素具體地說(shuō)，采用S、Se、Te和Po。
這些元素中，較佳的是Te。
另外，在本發(fā)明中，磁光記錄膜由(ⅰ)選自3d過(guò)渡金屬的至少一種元素和(ⅲ)選自上述稀土元素的至少一種元素構(gòu)成。該磁光記錄膜最好是Tb Fe Co系列的，其中最好Tb量為10至40原子%，F(xiàn)e量為30至90原子%，Co量為0至30原子%。在本發(fā)明中，除了包含(ⅰ)3d過(guò)渡金屬和(ⅲ)上述稀土元素外，另外還進(jìn)一步包含其他元素(例如上述(Ⅰ)-(Ⅶ)元素)的磁光記錄膜也可被用作磁光記錄膜3。
由大角度X線衍射法證實(shí)，具有上述組成物的磁光記錄膜3具有一與薄膜平面垂直的易磁化軸，它們中的許多可以是表現(xiàn)出良好的傾斜的克耳磁滯回線的非晶態(tài)薄膜，這表明它可垂直磁化，并能進(jìn)行磁光記錄。
這里所用的“良好的傾斜的克耳磁滯回線”這一術(shù)語(yǔ)我們指θk2/θk1比為至少0.8，其中θk1是外界磁場(chǎng)為最大的飽和克耳旋轉(zhuǎn)角，θk2是外界磁場(chǎng)為O的殘留克耳旋轉(zhuǎn)角。
磁光記錄膜3的厚度為100-50000 ，較佳為100至3000 ，最好為約150至2000 。
反射膜在本發(fā)明的磁光記錄體中，可在磁光記錄膜3上形成反射膜4。反射膜4最好由金屬或合金構(gòu)成，其熱導(dǎo)不大于2J/cm.sec.K，較佳為不大于1J/cm·sec·K。
更佳的是，所述反射膜4是由反射率為至少50%(較佳為至少70%)的、熱導(dǎo)不大于2J/cm·sec·K較佳不大于1J/cm·sec·K)的金屬或合金構(gòu)成。
具體地說(shuō)，所述反射膜4是由Pt、Pd、Ti、Co、Zr或其合金構(gòu)成的，Pt的熱導(dǎo)為0.71J/cm·sec·K，Pb的熱導(dǎo)為0.76J/cm·secc·K，Ti的熱導(dǎo)為0.22J/cm·sec·K，Co的熱導(dǎo)為0.99J/cm·sec·K，Zr的熱導(dǎo)為0.23J/cm·sec·K。然而，在本發(fā)明中，希望采用由鎳合金構(gòu)成的反射膜4，鎳合金的反射率為至少50%，較佳為至少70%，熱導(dǎo)為不高于2J/cm·sec·K，較佳為不高于1J/cm·sec·K。
用于構(gòu)成反射膜4的合適的鎳合金較佳包括作為主要組分的鎳和選自由硅、鉬、鐵、鉻和銅構(gòu)成的組的至少一種合金金屬。該鎳合金的鎳含量為30至99原子%，較佳為50至90原子%。
這里可用于構(gòu)成反射膜的鎳合金例子包括例如Ni-Cr合金(例如，30至99原子%Ni和1至70原子%Cr的合金，較佳為70至95原子%Ni和5至30原子%Cr的合金)。
Ni-Si合金(例如85原子%Ni、10原子%Si、3原子%Cu和2原子%Al的合金)，
Ni-Cu合金(例如，63原子%Ni、29至30原子%Cu、0.9至2原子%Fe、0.1至4原子%Si和0至2.75原子%Al的合金)，Ni-Mo-Fe合金(例如，60至65原子%Ni、25至35原子%Mo和5原子%Fe的合金)，Ni-Mo-Fe-Cr合金(例如，55至60原子%Ni、15至20原子%Mo、6原子%Fe、12至16原子%Cr和5原子%W的合金)，Ni-Mo-Fe-Cr-Cu合金(例如，60原子%Ni、5原子%Mo、8原子%Fe、21原子%Cr、3原子%Cu、1原子%Si、1原子%Mn和1原子%W的合金;以及44至47原子%Ni、5.5至7.5原子%Mo、21至23原子%Cr、0.15原子%Cu、1原子%Si、1至2原子%Mn、2.5原子%Co、1原子%W、1.7至2.5原子%Nb和剩下為Fe的合金)，Ni-Cr-Cu-Mo合金(例如，56至57原子%Ni、23至24原子%Cr、8原子%Cu、4原子%Mo、2原子%W和1原子%Si或Mn的合金)，Ni-Cr-Fe合金(例如，79.5原子%Ni、13原子%Cu、6.5原子%Fe和0.2原子%Cu的合金;以及30至34原子%Ni、19至22原子%Cr、0.5原子%Cu、1原子%Si、1.5原子%Mn和剩下為Fe的合金)。
另外，這里提出的反射膜4是用了提高磁光記錄膜的耐氧化性，并因此提供一種能夠長(zhǎng)時(shí)間保持良好的可靠性的磁光記錄體。
較佳的反射膜4包括熱導(dǎo)為不高于2J/cm·sec·K、較佳為不高于1J/cm·sec·K的鎳合金，從高C/N比出發(fā)，特別好的是由Ni-Cr合金構(gòu)成的反射膜，所述合金包括30至99原子%Ni和1至70原子%Cr，較佳為70至96原子%Ni和5至30原子%Cr。
根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)采用由金屬或合金(具體是具有減小的熱導(dǎo)和增加的反射率的鎳合金)構(gòu)成的反射膜4時(shí)，即使用較薄的磁光記錄膜，也可實(shí)現(xiàn)大的克耳旋轉(zhuǎn)角和較高的反射率。
反射膜4的厚度通常為100至4000
，較佳為約200至約2000
。
磁光記錄膜3和反射膜4的總厚度通常為300至4600
，較佳為約350至約2400
。
本發(fā)明的磁光記錄體1的基片2和磁光記錄膜3之間可具有一增強(qiáng)膜5。在磁光記錄膜3和反射膜4之間還可有一增強(qiáng)膜5。增強(qiáng)膜5增加了磁光記錄體1的靈敏度，它還作為磁光記錄膜3的保護(hù)膜。只要其折射率高于基片并且是透明的，就可采用增強(qiáng)膜5。
下列材料可用作磁光記錄體的增強(qiáng)膜的典型例子ZnS、SnSe、CdS、Si3N4、SiNx(0＜x＜4/3)、Si和AlN，這是由于它們與基片的良好粘附性以及其磁光記錄特性的長(zhǎng)期穩(wěn)定性決定的。增強(qiáng)膜的厚度為100至2000
，較佳為約300至1500
。鑒于增強(qiáng)膜的防裂能力，Si3N4和SiNx(0＜x＜4/3)是特別好的材料。
下面將闡述用于制備本發(fā)明的第一磁光記錄體的方法。
由已知的濺射方法或電子束沉積法，通過(guò)在基片上沉積具有預(yù)定組成的非晶態(tài)合金膜，可制備第一磁光記錄體，其中將基片保持在室溫附近(該基片可以是固定的或旋轉(zhuǎn)的)，采用具有構(gòu)成預(yù)定比例非晶態(tài)合金膜的元素片的復(fù)合靶，或者采用具有預(yù)定組成的合金靶，如果必要，然后由類似過(guò)程在這樣形成的磁光記錄膜上形成反射膜。
上述磁光記錄體可在室溫下制備，這樣形成的磁光記錄膜并不總需要這樣的熱處理，諸如為使所述薄膜具有與薄膜垂直的易磁化軸而進(jìn)行的退火。
因此，如果必要，也可在基片上形成非晶態(tài)合金膜，同時(shí)將基片加熱至50至100℃，或同時(shí)將基片冷卻至-50℃。
另外，在濺射時(shí)，對(duì)基片加偏壓也是可能的，從而使基片具有負(fù)電勢(shì)。這樣，在電場(chǎng)中加速的惰性氣體(諸如氬)離子不僅會(huì)撞擊靶物質(zhì)，而且還撞擊形成的磁光記錄膜，因而可頻繁地獲得具有更佳特性的磁光記錄膜。
在本發(fā)明的磁光記錄體中，由于所述記錄體是由包括乙烯和環(huán)烯烴構(gòu)成的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物基片以及層壓于其上的由非晶態(tài)合金膜構(gòu)成的磁光記錄膜構(gòu)成的，因而基片和磁光記錄膜之間的粘附良好，并且耐氧化性和磁光記錄特性的長(zhǎng)期穩(wěn)定性也良好。
根據(jù)下列過(guò)程來(lái)測(cè)量或評(píng)價(jià)實(shí)例中指出的各種物理性能。
下面將參照實(shí)例來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，但應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明并不僅限于這些例子。
(1)所獲得的記錄膜組成是由ICP輻射光譜分析來(lái)確定的。
(2)從玻璃基體一側(cè)，在外界磁場(chǎng)為零的剩磁下，由傾斜入射法(λ＝780nm)對(duì)克耳旋轉(zhuǎn)角進(jìn)行測(cè)量，由Kazuo Yamakawa編的“Measuring Techniques of Magnetic Materials”一書(shū)(由Torikepps K.K.出版，1985.12.15)的第261-263頁(yè)中描述了具體的測(cè)量方法以及用于傾斜入射法的裝置。
(3)獲得的磁光盤的直徑為130mm，采用該磁光盤，在記錄頻率為1MHz(負(fù)載比50%)、線速度為11.1m/s、寫(xiě)入時(shí)偏磁場(chǎng)為200 Oe、讀出激光束能量為1.0mw的條件下，用一驅(qū)動(dòng)裝置(NakamichiOMS-1000)來(lái)進(jìn)行記錄和復(fù)制。
(4)表1還顯示了當(dāng)用一定記錄能量(最佳記錄能量)進(jìn)行記錄時(shí)的噪音比(C/N比)和噪音水平的載波，載波的二次諧波頻率水平(由光譜分析儀測(cè)量)變得最小。
(5)隨后，用比該最佳記錄能量大3.0mW的能量來(lái)消除記錄的信息，并且在消除信息的記錄膜上記錄上新的信息。將該操作重復(fù)10次，然后，測(cè)量消除信息前后C/N比的差異，并由△C/N比表示。
(6)關(guān)于偏磁場(chǎng)強(qiáng)度，所述偏磁場(chǎng)強(qiáng)度(H飽和)是通過(guò)當(dāng)在上述條件下偏磁場(chǎng)變大至50-500Oe時(shí)，由C/N比的變化而獲得的。
(7)另外，為了長(zhǎng)期可靠性，對(duì)獲得的比進(jìn)行壽命試驗(yàn)，其中在一烘箱中使所述盤承受80℃高溫和85% RH濕度的環(huán)境。1000小時(shí)后，測(cè)量C/N比，從而獲得如表1所示的結(jié)果。
參考例1由環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成的構(gòu)成的基片的制備(ⅰ)聚合作用例1軟化溫度不低于70℃的共聚物(A)的制備借助于安裝有一攪拌葉片的2立升玻璃聚合反應(yīng)器，在乙烯和四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯(1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，結(jié)構(gòu)式為
，此后縮寫(xiě)為DMON)之間連續(xù)進(jìn)行共聚反應(yīng)。即，在聚合反應(yīng)器中連續(xù)把裝填入DMON在環(huán)己烷中的溶液，從而使聚合反應(yīng)器中的DMON濃度成為60g/l，在環(huán)己烷中VO(OC2H5)Cl2溶液作為催化劑，從而使聚合反應(yīng)器中的釩濃度為0.9mmol/l，在環(huán)己烷中有倍半氯化乙基鋁(Al(C2H5)1.5Cl1.5)溶液，從而使聚合反應(yīng)器中的鋁濃度達(dá)到7.2mmol/l，同時(shí)不斷地從聚合反應(yīng)器底部移出聚合物液體，從而使聚合反應(yīng)器中的聚合物液體體積一直為1立升。在此同時(shí)，以85l/hr速度由聚合反應(yīng)器頂部加入乙烯，氫氣以6l/hr速度加入，并且氮?dú)庖?5l/hr速度加入。通過(guò)使致冷劑經(jīng)過(guò)一固定在聚合反應(yīng)器外部的夾套而使共聚反應(yīng)在10℃下進(jìn)行。
在上述條件下進(jìn)行共聚反應(yīng)，由此獲得包含乙烯/DMON無(wú)規(guī)共聚物的聚合反應(yīng)混合物。通過(guò)將少量異丙基醇加至由反應(yīng)器底部移出的聚合液體來(lái)中止聚合反應(yīng)。然后，將聚合液體傾注入含體積為聚合液體約三倍的丙酮的家用混合器中，同時(shí)旋轉(zhuǎn)混合器，由此沉積出所得共聚物。通過(guò)過(guò)濾來(lái)收集沉積出的共聚物，并將其分散于丙酮中，從而使聚合物濃度達(dá)到約50g/l，在丙酮的沸點(diǎn)下將共聚物處理2小時(shí)。在上述處理后，通過(guò)過(guò)濾來(lái)收集共聚物，并在減壓下在120℃下干燥過(guò)夜(12小時(shí))。
根據(jù)13C-NMR分析測(cè)量，由此獲得的乙烯/DMON無(wú)規(guī)共聚物(A)的乙烯單元為59mol%，在萘烷中和135℃下測(cè)得特性粘度(η)為0.42dl/g，并且軟化溫度(TMA)為154℃。
(ⅱ)聚合例2軟化溫度低于70℃的共聚物(B)的制備進(jìn)行與聚合例1相同的共聚反應(yīng)，不同之處在于將DMON、VO(OC2H5)Cl2和倍半氯化乙基鋁送入聚合反應(yīng)器，從而聚合反應(yīng)器的DMON、VO(OC2H5)Cl2和倍半氯化乙基鋁的濃度分別為23g/l、0.7mmol/l和5.6mmol/l。分別以140l/hr、13l/hr和25l/hr的速率將乙烯、氫氣和氮?dú)夥謩e送入聚合反應(yīng)器中，聚合溫度為10℃。共聚反應(yīng)結(jié)束后，象聚合例1中一樣，將所得共聚物沉積并收集，并在減壓下在180℃下干燥12小時(shí)。
根據(jù)13C-NMR分析測(cè)量，由此獲得的乙烯/DMON共聚物(B)的乙烯單元為89mol%，在萘烷中在135℃下測(cè)得其特性粘度(η)為0.44dl/g，并且軟化溫度(TMA)為39℃。
(ⅲ)環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物和其基片的制備在8立升環(huán)己烷中，注入400g由聚合例1中獲得的共聚物(A)和4g由聚合例2中獲得的共聚物(B)(重量比(A)/(B)＝100/1)，在約50℃下將其溶解，同時(shí)充分?jǐn)嚢?，從而獲得一種均質(zhì)的溶液。將這樣獲得的均質(zhì)溶液注入24立升丙酮中以沉積(A)/(B)混合物。在減壓和120℃下將這樣獲得的混合物干燥過(guò)夜。
將這樣獲得的(A)/(B)與0.5%四[亞甲基-3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸]甲烷、0.05%硬脂酸鋅和作為穩(wěn)定劑的0.5%甘油一硬脂酸酯結(jié)合，上述各個(gè)含量是以共聚物(A)和(B)的總重量為基準(zhǔn)的。采用20mmφ擠出機(jī)(L/D＝20)，在23℃下將所得混合物造粒，并采用一注射模塑機(jī)(商標(biāo)為IS-50，由TOSHIBAKIKAI有限公司制造)將其模塑成光盤基片。所得基片的直徑為130mmφ，厚度為1mm，其兩個(gè)表面都是有金屬光澤的。
例1用Fleon TE，在不干燥情況下，對(duì)參考例1中獲得的由環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物構(gòu)成的圓盤基片(130mmφ)(此后稱為PO基片)進(jìn)行超聲洗滌，然后使用。在所獲得的圓盤基片上，采用Fe-Co靶上具有給定比例Pt和Tb片的復(fù)合靶作為靶子，根據(jù)磁控管濺射法，在最終真空度為不超過(guò)1.0×10-7乇的氬氣氛條件下，在20至50℃，在所述增強(qiáng)層上沉積上厚度為1000 的Pt12Tb30Fe49Co9磁光記錄膜作為磁光記錄層。
根據(jù)由大角度X線衍射法測(cè)得的結(jié)果，所獲得的磁光記錄膜是非晶態(tài)的。薄膜的組成由ICP輻射光譜分析確定。
磁光記錄體(膜)的物理性能如表1所示。
使具有薄膜的所獲得的130mm φ?qǐng)A盤在一空調(diào)設(shè)備中于85℃和85%RH下放置170小時(shí)。該試驗(yàn)后，對(duì)記錄膜的外觀進(jìn)行顯微觀察，發(fā)現(xiàn)與試驗(yàn)前的薄膜相比，沒(méi)有造成記錄膜外觀的變化，并且薄膜的粘附良好。
例2重復(fù)例1的過(guò)程，采用相同的PO基片和Fe-Co靶上具有給定比例的Tb片的復(fù)合靶作為靶子，從而形成厚度為1000
的Tb25Fe68Co7磁光記錄膜。
所獲得的磁光記錄膜是非晶態(tài)的。
磁光記錄體(膜)的物理性能如表2所示，顯微鏡觀測(cè)到的薄膜情況良好。
使所得到的具有薄膜的130mm φ?qǐng)A盤在一空調(diào)裝置中于85℃和85%RH環(huán)境下放置170小時(shí)。該試驗(yàn)后，對(duì)記錄膜的外觀進(jìn)行顯微觀測(cè)，發(fā)現(xiàn)與試驗(yàn)前的薄膜相比，沒(méi)有造成記錄膜外觀的變化，并且薄膜的粘附良好。
對(duì)照例1在一濺射裝置中，于80℃下對(duì)由聚碳酸酯樹(shù)脂(PC)構(gòu)成的圓盤基片進(jìn)行干燥處理，抽真空過(guò)夜，然后采用Fe-Co靶上有給定比例Pt和Tb片的復(fù)合靶作為靶子，由DC磁控管濺射法，在最終真空度為不大于1.0×10-7乇和Ar氣氛條件下沉積上厚度為1000
的包括Pt12Tb30Fe49Co9的磁光記錄膜作為磁光記錄層。
根據(jù)大角度X線衍射法測(cè)得的結(jié)果，所述磁光記錄膜是非晶態(tài)的。記錄膜的組成由ICP發(fā)射光譜分析確定。
對(duì)照例2重復(fù)對(duì)照例1的過(guò)程，采用一由聚碳酸酯樹(shù)脂構(gòu)成的圓盤基片，并采用Fe-Co靶上具有預(yù)定比例Tb片的復(fù)合靶作為靶子，因而形成了厚度為1000
的Tb25Fe68Co7磁光記錄膜。
根據(jù)大角度X線衍射法測(cè)定結(jié)果，所獲得的磁光記錄膜是非晶態(tài)的。
對(duì)基片和磁光記錄膜之間的粘附性評(píng)價(jià)例1和2以及對(duì)照例1和2中獲得的各圓盤的基片和磁光記錄膜之間的粘附性評(píng)價(jià)是按下列方式進(jìn)行的。
結(jié)果如表1所示。
粘附性試驗(yàn)正交切割粘附試驗(yàn)(J I S-K5400)在作為試樣的記錄層上，用一切割刀在長(zhǎng)和寬各個(gè)方向上以1mm的間隔劃出11條互相成直角的平行線。進(jìn)行切割，從而得到棋盤狀的100個(gè)方塊(每1cm3)。
采用玻璃紙帶(Nichiban的產(chǎn)品)進(jìn)行剝落評(píng)價(jià)。
評(píng)價(jià)(1)在所述層形成即刻后。
(2)過(guò)100小時(shí)，在80℃和85%℃RH環(huán)境下。
例3至20重復(fù)例1的過(guò)程，采用相同的PO基片，并改變磁光記錄膜(如表1所示)，由此獲得的磁光記錄體的性能如表2所示。
例21在參考例1中制備的由環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物構(gòu)成的圓盤基片上，依次形成厚度為700 的SiNx(0＜x＜4/3，反射率n＝2.3，k(衰減常數(shù))＝0.014)薄膜作為增強(qiáng)層、Pt18Tb34Fe38Co10薄膜作為磁光記錄膜以及厚度為700 的Ni18Cr20薄膜作為反射膜。
在記錄頻率為1MHz(負(fù)載比50%)和線速度為5.4m/sec下測(cè)量這樣獲得的磁光記錄體的記錄復(fù)制特性。結(jié)果，最佳記錄激光能量為3.5mW，C/N為50d B(復(fù)制激光能量為1.0mW)。
例22至27重復(fù)例21的過(guò)程，不同之處在于改變了磁光記錄膜和反射膜9如表2所示)，從而獲得磁光記錄體。以與例21相同的方式進(jìn)行評(píng)價(jià)，結(jié)果如表3所示。
例28
重復(fù)例11的過(guò)程，不同之處在于用參考例1的聚合例(1)中制備的環(huán)烯烴型無(wú)規(guī)共聚物(A)來(lái)代替參考例1中獲得的環(huán)烯烴型無(wú)規(guī)共聚物組成物，從而獲得雙面磁光記錄體。
以與例11相同的方式評(píng)價(jià)所述記錄體的特性(但對(duì)于△C/N，△C/N的測(cè)量是在使所述記錄體在80℃和85%RH環(huán)境下放置1000小時(shí)后進(jìn)行的，最佳能量為3.5mW，C/N為50dB，1000小時(shí)后，△C/N為O dB)。

表權(quán)利要求
1.一種具有基片和其上的磁光記錄膜的磁光記錄體，所述基片是由環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物形成的，所述組成物包括(A)乙烯和由下列通式[Ⅰ]表示的環(huán)烯烴的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物，所述共聚物特性粘度(η)為0.05到10dl/g(在135℃下在萘烷中測(cè)得)，其軟化溫度(TMA)為至少70℃，(B)乙烯和由下列通式[Ⅰ]代表的環(huán)烯烴的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物，所述共聚物的特性粘度(η)為0.05至5dl/g(在135℃下在萘烷中測(cè)得)，其軟化溫度(TMA)為小于70℃，所述組分(A)/所述組分(B)的重量比范圍為100/0.1至100/10通式
其中n為0或正整數(shù)，R1到R12是相同的或各異的。它們各代表氫原子、鹵素原子或烴基團(tuán)，假定當(dāng)將R7到R12結(jié)合在一起時(shí)，它們可形成可選擇性地具有雙鍵或多個(gè)雙鍵的單環(huán)或多環(huán)烴環(huán)，或者R7與R10或R11與R12當(dāng)被結(jié)合在一起時(shí)，可形成亞烷基基團(tuán)，所述磁光記錄膜是非晶態(tài)合金膜，所述膜包括(i)選自3d過(guò)渡金屬的至少一種元素以及(iii)選自稀土元素的至少一種元素，所述膜具有一與膜垂直的易磁化軸。
2.如權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于所述磁光記錄膜是一非晶態(tài)合金膜，所述膜包括(ⅰ)至少一種3d過(guò)渡金屬，(ⅱ)至少一種耐腐蝕金屬以及(ⅲ)至少一種稀土元素，所述耐腐蝕金屬的含量為5至30原子%，所述膜具有一垂直于所述膜的易磁化軸。
3.如權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于所述包含于所述磁光記錄膜中的3d過(guò)渡金屬(ⅰ)為Fe或Co或兩者兼有之。
4.如權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于所述包含于所述磁光記錄膜中的耐腐蝕金屬(ⅱ)是選自Pt、Pd、Ti、Ta、Nb、Zr和Mo及Hf的至少一種元素。
5.如權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于所述包含于所述磁光記錄膜中的耐腐蝕金屬(ⅱ)是Pt或Pd或兩者兼有之。
6.如權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于所述包含于所述磁光記錄膜中的稀土元素(ⅲ)是由Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho中選取的。
7.如權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于所述磁光記錄膜包含40至80原子%3d過(guò)渡金屬(ⅰ)和大于10原子%且不超過(guò)30原子%的耐腐蝕金屬(ⅱ)。
8.如權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于所述磁光記錄膜是一非晶態(tài)合金膜，它包括(ⅰ)至少一種3d過(guò)渡金屬和(ⅱ)5至30原子%至少一種耐腐蝕金屬，所述膜具有一與所述膜垂直的易磁化軸。
9.如權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于所述磁光記錄膜是一非晶態(tài)合金膜，它由(ⅰ)選自3d過(guò)渡金屬的至少一種元素以及(ⅲ)選自稀土元素的至少一種元素構(gòu)成，所述膜具有一與膜垂直的易磁化軸。
10.如權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于所述包含于所述磁光記錄膜中的稀土元素(ⅲ)是從Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho中選取的。
11.如權(quán)利要求1所述的磁光記錄體，其特征在于所述反射膜層壓于所述磁光記錄膜之上。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種磁光記錄體，其基片與磁光記錄膜之間的粘附性良好，耐氧化性和磁光記錄特性的長(zhǎng)期穩(wěn)定性良好，所述基片包含環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成物，并具有特定的結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)G11B7/253GK1051102SQ9010231
公開(kāi)日1991年5月1日 申請(qǐng)日期1990年4月19日 優(yōu)先權(quán)日1989年10月19日
發(fā)明者水本邦彥, 橋本英彥, 藤堂昭 申請(qǐng)人:三井石油化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社