技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種片上嵌入式Flash的內(nèi)建自測試結(jié)構(gòu)，包括自定義控制模塊、FBIST控制器、ERASE模塊和BYPASS模塊，當(dāng)FBIST控制器使能后，F(xiàn)BIST控制器發(fā)起操作，依據(jù)內(nèi)部控制器狀態(tài)機(jī)與自定義控制模塊和ERASE模塊的相互配合，實(shí)現(xiàn)對其地址、讀寫的序列操作和擦除切換，并將讀出結(jié)果與片上比較器進(jìn)行測試結(jié)果比對，輸出結(jié)果表征信號，測試結(jié)束時(shí)，測試完成標(biāo)識跳高；實(shí)現(xiàn)了對FLASH的內(nèi)部訪問以及測試結(jié)果比較，外部僅需一個(gè)測試啟動(dòng)信號和控制器時(shí)鐘信號，在測試結(jié)束后通過測試完成標(biāo)志位與測試失效標(biāo)志位表征測試結(jié)果，可以掌握FLASH的失效地址、算法執(zhí)行狀態(tài)、讀寫狀態(tài)以及輸出數(shù)據(jù)信息，從而為進(jìn)一步的故障定位提供依據(jù)，實(shí)現(xiàn)芯片級或系統(tǒng)級嵌入式FLASH的內(nèi)建自測試。

技術(shù)研發(fā)人員：顏偉;沈拉民;李俊玲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安微電子技術(shù)研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.15
技術(shù)公布日：2017.10.27