本公開涉及計算機應用技術領域，特別涉及一種光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法及裝置。

背景技術：

光模塊是整個光網(wǎng)絡架構(gòu)中重要的一環(huán)，負責光信號和電信號的相互轉(zhuǎn)換，保證整個光網(wǎng)絡的暢通。

現(xiàn)在主流的光模塊主要采用mcu(microcontrollerunit，微控制單元)配合驅(qū)動芯片的硬件電路架構(gòu)，通過mcu發(fā)送正確的配置數(shù)據(jù)給驅(qū)動芯片，從而控制激光器發(fā)射光功率和消光比符合系統(tǒng)要求的光序列。因此，驅(qū)動芯片的配置數(shù)據(jù)是保證激光器正常工作的關鍵。

例如，圖1是根據(jù)一示例性實施例示出的光模塊結(jié)構(gòu)示意圖。光模塊包括驅(qū)動芯片和配合驅(qū)動芯片的控制器。光模塊上電時，控制器通過i2c總線將數(shù)據(jù)寫入驅(qū)動芯片中，從而使激光器正常工作。

然而，由于一些外部條件，比如電源波動，靜電等影響，可能使正在運行的驅(qū)動芯片內(nèi)部配置數(shù)據(jù)被改寫，導致激光器工作異常。而工作異常的激光器若長時間處于異常工作狀態(tài)，將可能被燒毀，導致光模塊的物理損壞。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決相關技術中光模塊中配置數(shù)據(jù)被改寫導致光模塊工作異常的技術問題，本公開提供了一種光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法及裝置。

一種光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法，包括：

讀取光模塊中非易失性存儲器的預存儲數(shù)據(jù)；

檢測所述預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)是否一致，若為否，則

將所述預存儲數(shù)據(jù)重新寫入所述驅(qū)動芯片中。

一種光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入裝置，包括：

數(shù)據(jù)讀取模塊，用于讀取光模塊中非易失性存儲器的預存儲數(shù)據(jù)；

數(shù)據(jù)檢測模塊，用于檢測所述預存儲數(shù)據(jù)是否與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)是否一致；

數(shù)據(jù)寫入模塊，用于在預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)不一致時，將所述預存儲數(shù)據(jù)重新寫入所述驅(qū)動芯片中。

本公開的實施例提供的技術方案可以包括以下有益效果：

工作狀態(tài)的光模塊中，讀取光模塊中非易失性存儲器的預存儲數(shù)據(jù)，并檢測這些預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)是否一致，若不一致，則將預存儲數(shù)據(jù)重新寫入驅(qū)動芯片中，由此使驅(qū)動芯片中的數(shù)據(jù)與對應的預存儲數(shù)據(jù)不一致時能夠迅速恢復，避免驅(qū)動芯片長時間出現(xiàn)異常，保證了驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)準確性，從而保證了光模塊的正常工作。

應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本公開。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本發(fā)明的實施例，并于說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1是根據(jù)一示例性實施例示出的光模塊結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是根據(jù)一示例性實施例示出的一種光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法流程圖；

圖3是根據(jù)一示例性實施例示出的一種光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法中步驟s210的一種具體實現(xiàn)流程圖；

圖4是圖2對應實施例示出的光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法中步驟s130的一種具體實現(xiàn)流程圖；

圖5是圖4對應實施例示出的光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法中步驟s132的一種具體實現(xiàn)流程圖；

圖6是根據(jù)一示例性實施例示出的一種光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入具體應用場景示意圖；

圖7是根據(jù)一示例性實施例示出的一種光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入裝置的框圖；

圖8是根據(jù)一示例性實施例示出的初始化配置模塊210的框圖；

圖9是圖6對應實施例示出的光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入裝置中數(shù)據(jù)異常檢測模塊130的一種框圖；

圖10是圖9對應實施例示出的光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入裝置中數(shù)據(jù)寫入模塊132的一種框圖。

具體實施方式

這里將詳細地對示例性實施例執(zhí)行說明，其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時，除非另有表示，不同附圖中的相同數(shù)字表示相同或相似的要素。以下示例性實施例中所描述的實施方式并不代表與本發(fā)明相一致的所有實施方式。相反，它們僅是與如所附權利要求書中所詳述的、本發(fā)明的一些方面相一致的裝置和方法的例子。

在一個實施例中，本公開涉及的實施環(huán)境包括：光模塊和裝設在光模塊中的數(shù)據(jù)寫入模組。其中，光模塊具有獨立運行空間，可以安裝軟件以及第三方服務商提供的軟件。數(shù)據(jù)寫入模組是能夠?qū)饽K中驅(qū)動芯片的配置數(shù)據(jù)進行寫入的硬件模塊。

圖2是根據(jù)一示例性實施例示出的一種光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法流程圖。如圖2所示，該光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法可以包括以下步驟。

在步驟s110中，讀取光模塊中非易失性存儲器的預存儲數(shù)據(jù)。

光模塊是整個光網(wǎng)絡架構(gòu)中重要的一環(huán)，實現(xiàn)光信號和電信號的相互轉(zhuǎn)換，保證整個光網(wǎng)絡的暢通。

光模塊包括驅(qū)動芯片和配合驅(qū)動芯片的控制器，驅(qū)動芯片內(nèi)部集成有寄存器。

驅(qū)動芯片中，集成有多種不同功能的寄存器。部分寄存器存在一定的變化頻率，因此需通過控制器對這些寄存器進行實時控制；而部分寄存器在上電寫入配置數(shù)據(jù)后，整個工作過程中其配置數(shù)據(jù)保持不變，這部分寄存器即為非易失性寄存器。

例如，dac寄存器等需按需進行寫入或者讀取其配置數(shù)據(jù)；而adc寄存器的配置數(shù)據(jù)經(jīng)常變化，也需按需進行讀??；對于部分控制基本功能的寄存器，在初次上電寫入配置數(shù)據(jù)后，整個工作過程中其配置數(shù)據(jù)保持不變。

預存儲數(shù)據(jù)是預先為驅(qū)動芯片保存的數(shù)據(jù)，存儲于非易失性存儲器中。

非易失性存儲器中的預存儲數(shù)據(jù)在光模塊初次上電時進行配置寫入，在光模塊的后期工作過程中將保持不變。

光模塊中的非易失性存儲器可以為控制器中的flash存儲器，也可以為光模塊中的eeprom，還可以為光模塊中的其它非易失性存儲器。

相應的，預存儲數(shù)據(jù)可以存儲于控制器中的flash存儲器，也可以存儲于光模塊中的eeprom，還可以存儲于光模塊的其它非易失性存儲器中，在此不對的預存儲數(shù)據(jù)的存儲位置進行限定。

在步驟s120中，檢測預存儲數(shù)據(jù)是否與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)是否一致，若為是(n)，則執(zhí)行步驟s130，若為是，則不作處理。

需要說明的是，預存儲數(shù)據(jù)是與驅(qū)動芯片中的數(shù)據(jù)相對應的。

在一具體的示例性實施例中，通過讀取驅(qū)動芯片中寄存器的配置數(shù)據(jù)，從而獲取驅(qū)動芯片中與預存儲數(shù)據(jù)相應的數(shù)據(jù)。

導致預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)不一致的原因有很多，例如電源波動、靜電等原因使驅(qū)動芯片中的數(shù)據(jù)被改寫。

在一具體的實例性實施例中，正常工作時電源電壓典型值為3.3v，當因電壓波動等原因?qū)е露虝r間電源電壓為2.8v時，由于驅(qū)動芯片處于供電下限，驅(qū)動芯片復位，驅(qū)動芯片內(nèi)寄存器的配置數(shù)據(jù)全部改為默認值，使激光器工作異常。

通過將各預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)一一對比，檢測是否完全一致。若各預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)并非完全一致，則驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)存在部分或全部數(shù)據(jù)被改動。

檢測驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)是否與預存儲數(shù)據(jù)一致時，可以通過預設一定的檢測周期，進而在每個檢測周期對預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)進行一致性檢測。

在步驟s130中，將預存儲數(shù)據(jù)重新寫入驅(qū)動芯片中。

在將預存儲數(shù)據(jù)重新寫入驅(qū)動芯片時，可以通過在驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)中查找與對應的預存儲數(shù)據(jù)不一致的數(shù)據(jù)，進而將預存儲數(shù)據(jù)重新寫入驅(qū)動芯片，重新改寫驅(qū)動芯片中與對應的預存儲數(shù)據(jù)不一致的數(shù)據(jù)；也可以在檢測到預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)不一致后，對驅(qū)動芯片中與預存儲數(shù)據(jù)對應的所有數(shù)據(jù)進行預存儲數(shù)據(jù)的寫入。

利用如上所述的方法，通過讀取光模塊中非易失性存儲器的預存儲數(shù)據(jù)，在預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)不一致時，將預存儲數(shù)據(jù)重新寫入驅(qū)動芯片中，使驅(qū)動芯片中的數(shù)據(jù)與對應的預存儲數(shù)據(jù)不一致時能夠迅速恢復，避免驅(qū)動芯片長時間出現(xiàn)異常，保證了驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)準確性，從而保證光模塊的正常工作。

根據(jù)圖2中示出的光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法流程圖，步驟s110之前，該光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法還可以包括以下步驟。

在步驟s210中，光模塊上電初始化中，對驅(qū)動芯片進行數(shù)據(jù)的寫入，完成初始化配置。

可以理解的是，光模塊上電初始化時，對驅(qū)動芯片進行初始化配置，使光模塊進入工作模式，激光器進入正常工作狀態(tài)。

在光模塊上電初始化時，對驅(qū)動芯片進行數(shù)據(jù)寫入，以在初始數(shù)據(jù)控制下，光模塊進入工作模式。

利用如上的方法，在光模塊上電初始化中，控制器進行驅(qū)動芯片中進行數(shù)據(jù)的寫入，完成初始化配置，使光模塊進入工作模式，使光模塊在控制器預存儲數(shù)據(jù)控制下進行工作，保證了光模塊的正常工作。

圖3是根據(jù)一示例性實施例示出的對步驟s210的細節(jié)的描述。該步驟s210可以包括以下步驟。

在步驟s211中，光模塊上電時，判斷驅(qū)動芯片的供電電壓是否達到驅(qū)動芯片工作電壓，若為是(y)，則執(zhí)行步驟s212，若為否(n)，則執(zhí)行步驟s213。

光模塊上電是將光模塊的供電電壓從0提升到正常工作電壓。

可以理解的是，光模塊中驅(qū)動芯片存在一定的工作電壓范圍，供電電壓在此工作電壓范圍內(nèi)，驅(qū)動芯片進行正常工作。例如驅(qū)動芯片的工作電壓范圍為2.8-3.6v，供電電壓在2.8-3.6v內(nèi)驅(qū)動芯片正常工作。

光模塊上電時，供電電壓從0提升到正常工作電壓需要一定的時間。因此，在供電電壓未提升到正常工作電壓時，若對驅(qū)動芯片進行數(shù)據(jù)的寫入，將使驅(qū)動芯片進入非穩(wěn)定狀態(tài)，導致驅(qū)動芯片出現(xiàn)異常。因此，上電時若供電電壓未達到驅(qū)動芯片的工作電壓，則不對驅(qū)動芯片進行數(shù)據(jù)寫入，避免驅(qū)動芯片工作異常。在供電電壓達到驅(qū)動芯片的工作電壓時，再對驅(qū)動芯片進行數(shù)據(jù)的寫入。

在步驟s212中，將預存儲數(shù)據(jù)寫入驅(qū)動芯片中。

在步驟s213中，繼續(xù)進行上電操作。

通過如上所述的方法，在光模塊上電中，在供電電壓達到驅(qū)動芯片的工作電壓時再對驅(qū)動芯片進行數(shù)據(jù)的寫入，避免驅(qū)動芯片進入異常工作狀態(tài)。

圖4是根據(jù)一示例性實施例示出的對步驟s130的細節(jié)的描述。該步驟s130可以包括以下步驟。

在步驟s131中，在驅(qū)動芯片中，確定與對應的預存儲數(shù)據(jù)不同的異常數(shù)據(jù)。

異常數(shù)據(jù)是與對應的預存儲數(shù)據(jù)不一致的數(shù)據(jù)。

可以理解的是，當預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)不一致時，可能是所有預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)均不同，也有可能只是部分預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)不同。

因此，在驅(qū)動芯片中與所有預存儲數(shù)據(jù)對應的數(shù)據(jù)中，通過一一對比查找與對應的預存儲數(shù)據(jù)中不同的異常數(shù)據(jù)。

在步驟s132中，將與異常數(shù)據(jù)對應的預存儲數(shù)據(jù)重新寫入驅(qū)動芯片中。

利用如上所述的方法，在預存儲數(shù)據(jù)和驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)不一致時，確定驅(qū)動芯片中與對應的預存儲數(shù)據(jù)不同的異常數(shù)據(jù)，進而將這些異常數(shù)據(jù)對應的預存儲數(shù)據(jù)重新寫入驅(qū)動芯片中，保證驅(qū)動芯片中數(shù)據(jù)的準確性，而且由于無需對驅(qū)動芯片中的所有數(shù)據(jù)進行改寫，大大提高了數(shù)據(jù)寫入的效率。

圖5是根據(jù)一示例性實施例示出的對圖5中步驟s132的細節(jié)的描述。圖6中，預存儲數(shù)據(jù)存儲于控制器，該步驟s132可以包括以下步驟。

在步驟s1321中，從控制器的預存儲數(shù)據(jù)中選取與異常非易失性寄存器對應的預存儲數(shù)據(jù)。

如前所述的，預存儲數(shù)據(jù)可以存儲于控制器中的非易失性存儲器等位置，例如，控制器中的flash存儲器。

當預存儲數(shù)據(jù)存儲于控制器時，在確定驅(qū)動芯片中與預存儲數(shù)據(jù)對應的異常數(shù)據(jù)后，從控制器的預存儲數(shù)據(jù)中選取與異常數(shù)據(jù)對應的預存儲數(shù)據(jù)，從而方便對驅(qū)動芯片進行預存儲數(shù)據(jù)的寫入。

在步驟s1322中，將選取的預存儲數(shù)據(jù)重新寫入驅(qū)動芯片中。

利用如上所述的方法，預存儲數(shù)據(jù)存儲于控制器時，從控制器的預存儲數(shù)據(jù)中選取與異常非易失性寄存器對應的預存儲數(shù)據(jù)，進而對異常非易失性寄存器重新進行數(shù)據(jù)的寫入，保證非易失性寄存器中數(shù)據(jù)的準確性，而且由于無需對所有非易失性寄存器進行配置數(shù)據(jù)的寫入，大大提高了數(shù)據(jù)寫入的效率。

下面結(jié)合一個具體的應用場景來詳細闡述如上的光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法。光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法運行于一光模塊中。具體的，如圖6所示。

光模塊上電時，判斷自身的供電電壓是否達到驅(qū)動芯片的工作電壓。

若供電電壓達到驅(qū)動芯片的工作電壓(y)，則觸發(fā)光模塊將配置數(shù)據(jù)寫入驅(qū)動芯片中的寄存器。

若供電電壓未達到驅(qū)動芯片的工作電壓(n)，則繼續(xù)進行上電操作。

通過控制器讀取光模塊中非易失性存儲器的預存儲數(shù)據(jù)。

將預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應寄存器的配置數(shù)據(jù)進行對比。判斷預存儲數(shù)據(jù)是否和驅(qū)動芯片中相應寄存器的配置數(shù)據(jù)一致。

如果預存儲數(shù)據(jù)和驅(qū)動芯片中相應寄存器的配置數(shù)據(jù)不一致(n)，則將預存儲數(shù)據(jù)重新寫入驅(qū)動芯片的相應寄存器中。

如果預存儲數(shù)據(jù)和驅(qū)動芯片中相應寄存器的配置數(shù)據(jù)相一致(y)，則不對驅(qū)動芯片中寄存器的配置數(shù)據(jù)進行處理。

下述為本公開裝置實施例，可以用于執(zhí)行本上述光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法實施例。對于本公開裝置實施例中未披露的細節(jié)，請參照本公開光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法實施例。

圖7是根據(jù)一示例性實施例示出的一種光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入裝置的框圖，該裝置包括但不限于：數(shù)據(jù)讀取模塊110、數(shù)據(jù)異常檢測模塊120及數(shù)據(jù)寫入模塊130。

數(shù)據(jù)讀取模塊110，用于讀取光模塊中非易失性存儲器的預存儲數(shù)據(jù)；

數(shù)據(jù)檢測模塊120，用于檢測預存儲是否與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)是否一致；

數(shù)據(jù)寫入模塊130，用于在預存儲數(shù)據(jù)與驅(qū)動芯片中相應的數(shù)據(jù)不一致時，將預存儲數(shù)據(jù)重新寫入驅(qū)動芯片中。

上述裝置中各個模塊的功能和作用的實現(xiàn)過程具體詳見上述光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入方法中對應步驟的實現(xiàn)過程，在此不再贅述。

可選的，根據(jù)圖7中示出的光模塊中驅(qū)動芯片的數(shù)據(jù)寫入裝置框圖，該裝置還包括但不限于：初始化配置模塊210。

初始化配置模塊210，用于光模塊上電初始化中，對驅(qū)動芯片進行數(shù)據(jù)的寫入，完成初始化配置。

可選的，如圖8所示，初始化配置模塊210包括但不限于：電壓判斷單元211和數(shù)據(jù)寫入單元212。

電壓判斷單元211，用于光模塊上電時，判斷驅(qū)動芯片的供電電壓是否達到驅(qū)動芯片工作電壓；

數(shù)據(jù)寫入單元212，用于在供電電壓達到工作電壓時，將預存儲數(shù)據(jù)寫入驅(qū)動芯片中。

可選的，如圖9所示，圖7中所示的數(shù)據(jù)寫入模塊130包括但不限于：異常寄存器確定單元131和數(shù)據(jù)寫入單元132。

異常數(shù)據(jù)確定單元131，用于在驅(qū)動芯片中，確定與對應的預存儲數(shù)據(jù)不同的異常數(shù)據(jù)；

數(shù)據(jù)寫入單元132，用于將與異常數(shù)據(jù)對應的預存儲數(shù)據(jù)重新寫入驅(qū)動芯片中。

可選的，如圖10所示，圖9中所示的數(shù)據(jù)寫入模塊132包括但不限于：預存儲數(shù)據(jù)選取子單元1321和數(shù)據(jù)寫入子單元1322。

預存儲數(shù)據(jù)選取子單元1321，用于從控制器的預存儲數(shù)據(jù)中選取與異常數(shù)據(jù)對應的預存儲數(shù)據(jù)；

數(shù)據(jù)寫入子單元1322，用于將選取的預存儲數(shù)據(jù)重新寫入驅(qū)動芯片中。

應當理解的是，本發(fā)明并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結(jié)構(gòu)，并且可以在不脫離其范圍執(zhí)行各種修改和改變。本發(fā)明的范圍僅由所附的權利要求來限制。