技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種存儲陣列，包括多個存儲分頁，每一存儲分頁包括多個存儲單元，每一存儲單元包括浮接?xùn)艠O模塊、控制組件及清除組件。浮接?xùn)艠O模塊設(shè)置于第一井區(qū)、清除組件設(shè)置于第二井區(qū)，而控制組件設(shè)置于第三井區(qū)。第一井區(qū)、第二井區(qū)及第三井區(qū)設(shè)置于相同的深參雜區(qū)，且多個存儲分頁中的存儲單元都設(shè)置于相同的深參雜區(qū)。因此，深參雜區(qū)之間的隔離空間規(guī)則就不會造成存儲陣列的面積限制，使得存儲陣列的面積能夠降低。

技術(shù)研發(fā)人員：賴宗沐;景文澔;柏正豪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：力旺電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.18
技術(shù)公布日：2017.08.04