本發(fā)明一般來說涉及集成電路電測試，且更明確地說涉及包含潛在地具有弱長期可靠性的鐵電單元的集成電路的篩選。

背景技術：

常規(guī)金屬氧化物半導體(mos)及互補mos(cmos)邏輯及存儲器裝置普遍存在于現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，這是因為所述裝置連同其高密度及大規(guī)模集成的適合性一起提供快速開關時間與低功率耗散的卓越組合。然而，根本上，那些裝置本質(zhì)上是易失性的，因此根據(jù)這些技術所構造的邏輯及存儲器電路在移除偏置電力后即刻不保持其數(shù)據(jù)狀態(tài)。尤其在移動及微型系統(tǒng)中，用于以非易失性方式存儲存儲器及邏輯狀態(tài)的能力是極合意的。因此，近年來已開發(fā)用于構造非易失性裝置的各種技術。

用于實現(xiàn)非易失性固態(tài)存儲器裝置的近期開發(fā)的技術涉及其中電介質(zhì)材料為可極化鐵電材料(例如，鈦酸鉛鋯(pzt)或鉭酸鍶鉍(sbt))而非通常用于非鐵電電容器中的二氧化硅或氮化硅的電容器的構造?；阼F電材料的極化狀態(tài)的電荷與電壓(q-v)的關系的特性中的滯后實現(xiàn)了那些電容器中的二進制狀態(tài)的非易失性存儲。相比之下，常規(guī)mos電容器在裝置斷電時會失去其所存儲電荷。鐵電電容器可通過很大程度上可與現(xiàn)代cmos集成電路兼容的過程而構造，例如通過將電容器放置在晶體管層級上方在金屬導體的上覆層級之間而構造。

鐵電技術用于非易失性固態(tài)讀取/寫入隨機存取存儲器(ram)裝置中。這些存儲器裝置(通常稱為“鐵電ram”或“feram”或“fram”裝置)用于許多電子系統(tǒng)(特別是便攜式電子裝置及系統(tǒng))中。fram因fram存儲器的超低電力消耗而在植入式醫(yī)療裝置(例如起搏器、除顫器及監(jiān)測裝置)中尤其具有吸引力。包含鐵電電容器的各種存儲器單元架構是已知的，包含其中單元中的兩個鐵電電容器被極化為互補狀態(tài)的2t-2c(兩晶體管兩電容器)單元。另一類型的fram單元是基于眾所周知的“6t”cmos靜態(tài)ram單元，所述單元在正常操作期間操作為sram單元，但其中耦合到每一存儲節(jié)點的鐵電電容器可利用所存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)而編程從而以非易失性方式保存存儲器內(nèi)容。在一些集成電路中，鐵電電容器還實施為可編程模擬電容器。1t-1c(單晶體管單電容器)布置中所構造的鐵電單元(類似于常規(guī)動態(tài)ram存儲器單元)因其小芯片面積而具有吸引力，但與較大面積2t-2c及6t單元類型的鎖存相比，所述小芯片面積是以不太穩(wěn)健讀取性能為代價的。

圖1a圖解說明常規(guī)鐵電電容器的q-v特性的實例。如所展示，跨越導電板所存儲的電荷(q)取決于施加到板(v)的電壓，且還取決于所述電壓的近期歷史。如果跨越電容器板所施加的電壓v超過“強制”電壓+vα，那么電容器極化為“+1”狀態(tài)。根據(jù)此特性，在被極化為“+1”狀態(tài)之后，只要電壓v保持高于強制電壓–vβ，電容器便展現(xiàn)+q1的所存儲電荷。相反地，如果跨越電容器板所施加的電壓v的負性大于強制電壓-vβ，那么電容器被極化為“-1”狀態(tài)，且將針對低于+vα的所施加電壓v而展現(xiàn)為–q2的所存儲電荷。

出于集成電路中的非易失性存儲的目的，鐵電電容器的重要特性為在鐵電電容器的經(jīng)極化狀態(tài)之間由鐵電電容器所展現(xiàn)的電容的差。根本上，元件的電容是指所存儲電荷與所施加電壓的比率。雖然鐵電電容器具有線性電容，但由于其如被電介質(zhì)膜(即，鐵電材料)分離的平行板的構造，因此所述鐵電電容器響應于在施加極化電壓后即刻發(fā)生的極化狀態(tài)的改變還展現(xiàn)顯著極化電容(即，電荷存儲)。舉例來說，參考圖1a，鐵電電容器從其“-1”狀態(tài)到其“+1”狀態(tài)的極化反映于相對高電容c(-1)中，從而反映響應于極化狀態(tài)因超過強制電壓vα的電壓而發(fā)生的改變而將極化電荷存儲于電容器中。另一方面，已處于其“+1”狀態(tài)的電容器因極化而展現(xiàn)極小電容c(+1)，這是因為其鐵電域已沿所施加強制電壓的方向?qū)?，從而致使極少額外極化電荷被存儲。如從以下說明將明了，所存儲邏輯狀態(tài)通過詢問鐵電電容器中的電容來辨別其極化狀態(tài)而讀取。

作為進一步背景，已觀察到，常規(guī)鐵電電容器的極化性質(zhì)對氫的存在是相當敏感的。更明確地說，據(jù)信氫滲入到鐵電膜中會導致鐵電電容器的滯后特性的降級。在fram存儲器應用中，此降級根據(jù)圖1a的命名而由經(jīng)弱化數(shù)據(jù)保持(還稱為“印記降級”，特別是針對“-1”極化狀態(tài))展現(xiàn)。

圖1b以橫截面圖解說明包含鐵電電容器及n溝道金屬氧化物半導體(mos)晶體管的集成電路的一部分的典型構造。在此布置中，mos晶體管在p型襯底10(或阱)的表面處得以實現(xiàn)，在此實例中，在安置于由淺溝槽隔離形成的隔離電介質(zhì)結構15之間的作用區(qū)域處得以實現(xiàn)。n+源極/漏極區(qū)域14以自對準方式形成到襯底10中在多晶硅柵極元件16的相對側(cè)上。柵極元件16通過柵極電介質(zhì)17而與作用區(qū)域的表面分離，從而形成晶體管。通常在形成源極/漏極區(qū)域擴展中于柵極元件16的側(cè)邊上提供側(cè)壁間隔件19。鐵電電容器在此結構中由鐵電堆疊形成，所述鐵電堆疊包含其間安置有鐵電材料22的導電板20a、20b(由元素金屬或?qū)щ娊饘倩衔镄纬?，所述導電金屬化合物例如金屬氮化物、導電金屬氧化物或硅化物或者這些層中的兩者或多于兩者的堆疊)。在此實例中，鐵電材料22由pzt組成。底部導電板20a由導電插塞18連接到源極/漏極區(qū)域14，所述導電插塞形成到蝕刻穿過電介質(zhì)膜13的觸點開口中。

制造鐵電電容器的常規(guī)工藝流程(例如圖1b中所展示)通過將鈍化膜沉積在鐵電電容器結構上方已解決鐵電材料的氫污染問題。舉例來說，參考圖1b，在鐵電堆疊上方形成多個鈍化膜以抑制鐵電材料22的氫污染。在此常規(guī)實例中，氧化鋁層24形成于鐵電堆疊上方(例如)達約25nm的厚度，且既充當氫阻障并充當鐵電材料22與其它鈍化膜之間的化學阻障。氮化硅層25通過高密度等離子體(hdp)而形成于氧化鋁層24上方(例如)達約50nm的厚度，接著通過化學氣相沉積(cvd)而沉積第二氮化硅膜26達足以填充hdp氮化物25中的任何間隙或薄區(qū)(即，空隙)的厚度(例如，約50nm)，且此增加總體鈍化層的厚度。然而，長期可靠性測試展示包含fram單元的集成電路群體的某一部分保持為隨時間易受去極化損壞，而不管此鈍化如何。

作為進一步背景，于2014年10月21日提出申請且以引用的方式并入本文中的同在申請中且共同讓與的第us14/519,894號專利申請案描述fram單元的數(shù)據(jù)保持可靠性篩選，其中高極化電容數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，“1”狀態(tài))的讀取的參考電壓電平針對正測試的每一集成電路而確定。集成電路中的若干fram單元編程為“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)，且接著在高溫下被讀取。比較故障單元的數(shù)目與通過/失敗閾值以確定所述集成電路是否易受長期數(shù)據(jù)保持故障損壞。

技術實現(xiàn)要素：

所描述實例包含一種執(zhí)行對包含鐵電存儲器單元的集成電路的時間零篩選的方法，所述方法檢測將展現(xiàn)經(jīng)弱化數(shù)據(jù)保持的那些單元及電路。

所描述實例提供可在呈晶片形式的集成電路上執(zhí)行且可在不必改變鐵電存儲器的設計的情況下實施的此一方法。

根據(jù)某些實施例，一種就潛在數(shù)據(jù)保持故障而測試集成電路(每一集成電路包含鐵電存儲器單元，例如呈布置成陣列的1t-1c鐵電隨機存取存儲器(fram)單元的形式)的方法通過以下方式而實施：將所述集成電路的fram單元中的多個單元編程為第一數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，“0”數(shù)據(jù)狀態(tài))，且接著使集成電路經(jīng)受高溫烘烤。接著，在高溫下通過以下方式對每一集成電路進行電測試：首先將第二數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，“1”數(shù)據(jù)狀態(tài))編程到每一單元中；在所述高溫下暫停達指定時間；及接著在各種參考電壓電平下讀取單元的多個樣本群組以確定多個參考電壓內(nèi)的故障位的數(shù)目。針對所述集成電路依據(jù)故障位計數(shù)而計算測試參考電壓電平，且集成電路的所有單元接著被編程，且在暫停之后，在所述測試參考電壓下被讀取。

附圖說明

圖1a是常規(guī)鐵電電容器的電荷與電壓的關系的特性的曲線圖。

圖1b是圖解說明包含根據(jù)常規(guī)方法而構造的鐵電電容器的集成電路的一部分的橫截面圖。

圖2a及2b是圖解說明常規(guī)1t-1c鐵電存儲器單元及其操作的呈示意圖及框圖形式的電氣圖。

圖2c是圖解說明圖2a及2b的1t-1c鐵電存儲器單元的讀取操作的時序圖。

圖3a圖解說明包含1t-1c鐵電隨機存取存儲器(fram)的集成電路的累積位故障分布與參考電壓電平的關系的曲線圖。

圖3b圖解說明包含1t-1cfram存儲器的集成電路群體的故障分布與分離窗的關系的曲線圖。

圖4是根據(jù)實施例的時間零可靠性篩選的流程圖。

圖5a是包含1t-1cfram單元的集成電路的位故障計數(shù)與參考電壓電平的關系的曲線圖，其圖解說明圖4的實施例中的過程操作。

圖5b是圖解說明如圖4的實施例的測試過程中所涉及的陣列中的經(jīng)取樣fram單元的布置及選擇的框圖。

圖5c是根據(jù)圖4的實施例的圖解說明計算集成電路中的fram單元的測試參考電壓的曲線圖。

圖6是根據(jù)另一實施例的時間零可靠性篩選的流程圖。

具體實施方式

本說明書中所描述的實例性實施例實施于鐵電隨機存取存儲器(fram)的制造測試中，且此實施方案在所述上下文中是特別有利的。然而，實例性實施例的概念可有益地應用于其它應用，例如應用于包含除存儲器單元以外的其它類型的鐵電元件的集成電路，或應用于應用于fram及其它鐵電裝置的表征或其它測試應用中。

圖2a圖解說明結合其可使用本文中所描述的實施例的常規(guī)1t-1cfram單元的典型布置。電學上，如圖2a中所展示，fram單元2jk表示類似單元2的陣列中的單個單元，所述單元駐存于所述陣列的行j及列k中。單元2jk包含n溝道傳輸晶體管4及鐵電電容器6。晶體管4的源極/漏極路徑連接于陣列的列k的位線blk與鐵電電容器6的頂部板之間。晶體管4的柵極受陣列的行j的字線wlj控制。鐵電電容器6的底部板連接到板線pl，所述板線可為陣列中(或取決于所述架構，陣列的特定部分中)的所有單元2所共用。在操作中，選擇行j致使字線wlj被激勵，從而接通單元2jk中(及行j中的所有單元2中)的晶體管4，所述晶體管將電容器6的頂部板連接到位線blk。接著，耦合到位線blk的感測電路能夠感測鐵電電容器6的極化狀態(tài)，如下文所論述。

可實現(xiàn)圖2a的單元2jk的一種方式是通過例如上文所論述的圖1b中所展示的結構而實現(xiàn)。參考所述圖1b，n溝道m(xù)os晶體管4由多晶硅柵極元件16的相對側(cè)上的n+源極/漏極區(qū)域14實現(xiàn)，其中柵極元件充當字線wlj且源極/漏極區(qū)域14中的一者充當位線blk。單元2jk的鐵電電容器6由分別安置在由pzt形成的鐵電材料22ed下方或上方的導電板20a、20b的鐵電堆疊實施。底部導電板20a由穿過電介質(zhì)膜13的導電插塞18連接到源極/漏極區(qū)域14及因此連接到晶體管4。

對于1t-1c存儲器單元，例如通過在接通傳輸晶體管4的情況下跨越位于位線blk與板線pl之間的鐵電電容器6施加電壓而感測的圖2a的1t-1c存儲器單元，在感測時展現(xiàn)較高電容的極化狀態(tài)通常視為“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)。在此實例中，感測操作對應于圖1a的滯后圖中所圖解說明的操作，其中極化狀態(tài)通過跨越鐵電電容器6施加正電壓而感測。因此，在此說明中，1t-1cfram單元2jk的處于其“-1”極化狀態(tài)(即，展現(xiàn)圖1a中所展示的較高電容c(-1)狀態(tài))的鐵電電容器6將視為“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)，且電容器6的“+1”極化狀態(tài)(較低電容c(+1)狀態(tài))將視為單元2jk的“0”數(shù)據(jù)狀態(tài)。在操作中，單元2jk通過將電壓施加到板線pl及位線blk(此在字線wlj被激勵的情況下將電容器6極化為所要極化狀態(tài))而編程。在此實例中，對應于圖1a的“+1”極化狀態(tài)的“0”數(shù)據(jù)狀態(tài)通過以下方式而寫入：將低電壓(vss)施加到位線blk、接通字線wlj且接著將板線pl提高到高電壓(vcc)。相反地，對應于“-1”極化狀態(tài)的“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)通過以下方式而寫入：將低電壓(vss)施加到板線pl、接通字線wlj且接著將位線blk提高到高電壓(vcc)。

圖2b及2c圖解說明fram單元2jk的讀取操作。如圖2b中所展示，所述讀取通過以下方式而執(zhí)行：將低電壓vss施加到位線blk且接著將板線pl的電壓從低電壓vss提高到高電壓vcc，其中字線wlj被激勵且晶體管4被接通。板線pl及電容器6的下部板處的電壓的提高根據(jù)圖1a的滯后圖、明確地說通過感測由單元2jk經(jīng)由位線blk傳導的讀取電流ir的電平而詢問電容器6的極化電容。耦合到位線blk的讀出放大器8將有效地比較由讀取電流ir誘發(fā)的電壓與由參考電壓產(chǎn)生器電路9產(chǎn)生的參考電壓vref以辨別所存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)。如圖2c中所展示，如果電容器6處于“+1”極化狀態(tài)，那么讀取電流ir將相對低，由讀出放大器8解譯為“0”數(shù)據(jù)狀態(tài)的相對低電平(<vref)電壓轉(zhuǎn)變v(0)展現(xiàn)。相反地，如果電容器6處于“-1”極化狀態(tài)，那么讀取電流ir將相對強且將產(chǎn)生由讀出放大器8解譯為“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)的相對高電平(>vref)電壓轉(zhuǎn)變v(1)。在此布置中，“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)的讀取具破壞性，這是因為讀取操作本質(zhì)上將單元2jk編程為相反數(shù)據(jù)狀態(tài)。接著，通常執(zhí)行回寫操作以使單元2jk返回到其先前極化狀態(tài)。

從長期可靠性測試已觀察到，某一數(shù)目個fram裝置保持為隨時間易受去極化損壞。此去極化反映于長期(～1000小時)高溫烘烤期間的數(shù)據(jù)保持故障中。這些數(shù)據(jù)保持故障據(jù)信是由氫阻障膜的不均勻性、暴露于裝置群體上的氫的變化或pzt電容器中的其它物理缺陷所致，上述各者中的每一者均可導致氫滲入到鐵電材料中及因此導致并入有所述材料的鐵電電容器的滯后特性的降級。在fram存儲器應用中，此降級(還稱為“印記降級”)由在通過施加感測電壓進行感測時展現(xiàn)較高電容的極化狀態(tài)的經(jīng)弱化數(shù)據(jù)保持展現(xiàn)。在跨越電容器施加正極性電壓的感測操作中(如圖1a中)，“-1”極化狀態(tài)具有較高電容c(-1)且由于此機制而展現(xiàn)經(jīng)弱化數(shù)據(jù)保持。在圖2a及2b的單元2jk中，此較高電容(“-1”)極化狀態(tài)對應于“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)，且因此經(jīng)弱化數(shù)據(jù)保持針對“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)將顯現(xiàn)為經(jīng)降級讀取裕度。2t-2cfram單元與1t-1cfram單元相比不太易受此類型的數(shù)據(jù)保持故障影響，此歸因于因2t-2c單元的差分讀取信號而產(chǎn)生的較大讀取裕度。實際上，據(jù)信，數(shù)據(jù)保持性能在一定程度上持續(xù)限制1t-1cfram存儲器針對許多應用的使用。

圖3a圖解說明如上文關于圖2a及2b所描述而構造的fram單元2jk的陣列的讀取裕度降級的此機制的行為。圖3a的曲線圖呈針對“0”及“1”經(jīng)編程數(shù)據(jù)狀態(tài)且在長期數(shù)據(jù)保持烘烤之前及在此之后的累積故障位計數(shù)與參考電壓vref的變化電平的關系的曲線圖的形式，所述參考電壓vref由參考電壓產(chǎn)生器電路9產(chǎn)生且在讀取操作中施加到圖2c的讀出放大器8。參考電壓vref_nom圖解說明(例如)存儲器的正常操作中所使用的標稱參考電壓，在導出所展示的曲線圖中參考電壓vref從標稱參考電壓開始變化。明確地說，曲線圖30、30’圖解說明在增加參考電壓vref的情況下陣列中被編程為“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)但在讀取時返回不正確“0”數(shù)據(jù)狀態(tài)的位的累積數(shù)目。曲線圖30圖解說明單個fram陣列在數(shù)據(jù)保持烘烤之前的此性能，且曲線圖30’圖解說明同一陣列在125℃下進行數(shù)據(jù)保持烘烤達1000小時之后的此性能。類似地，曲線圖32、32’展示在參考電壓vref降低時分別在數(shù)據(jù)保持烘烤之前及在此之后的被編程為“0”數(shù)據(jù)狀態(tài)的位的累積故障數(shù)目。

如從圖3a中的曲線圖30到曲線圖30’的移位明了，數(shù)據(jù)保持烘烤導致“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)降級，此對應于在感測操作中展現(xiàn)較大電容的極化狀態(tài)(在此情形中，為“-1”)。相反地，較低極化電容“0”數(shù)據(jù)狀態(tài)(“+1”極化狀態(tài))展現(xiàn)從曲線圖32到曲線圖32’的由數(shù)據(jù)保持烘烤所致的低得多的移位。由氫污染所致的極化損失在讀取電壓與極化狀態(tài)具有相同極性的情況下具有較小影響。

雖然圖3a圖解說明單個fram陣列內(nèi)的累積故障位，但圖3b圖解說明在長期數(shù)據(jù)保持烘烤之前或在此之后的各自包含fram存儲器陣列的集成電路群體的概率分布。曲線圖34、34’的水平軸對應于分離窗，即由群體(呈晶片形式)中的每一個別集成電路裸片展現(xiàn)的“0”與“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)之間的電壓差，其中垂直軸對應于群體中的集成電路的累積百分比概率分布。曲線圖34是群體在數(shù)據(jù)保持烘烤之前的概率分布曲線圖，且曲線圖34’是同一群體在125℃下進行數(shù)據(jù)保持烘烤達1000小時之后的概率分布曲線圖。

如從圖3b將明了，分離窗因數(shù)據(jù)保持烘烤而針對整個群體進行移位，且所述群體的一部分wk_pop因數(shù)據(jù)保持烘烤而展現(xiàn)分離窗中的較大降級，其中所述部分wk_pop的故障分布的斜率不同于群體的其余部分的斜率。據(jù)信，總體群體的此較弱部分wk_pop中的集成電路與群體的其余部分相比在操作壽命內(nèi)在實際應用中具有更大故障風險。如上文所提及，由于1t-1c類型的fram單元與2t-2c單元相比更易受此類型的數(shù)據(jù)保持故障損壞，因此此易感性至少在一定程度上限制1t-1cfram存儲器針對許多應用的使用。因此，在制造過程中從群體移除這些裝置是合意的。

在制造時識別fram裝置群體的此較弱部分wk_pop是困難的。識別這些弱裝置的長期數(shù)據(jù)保持烘烤的持續(xù)時間在制造流程中無法被容忍，即使在樣本基礎也是如此。此外，經(jīng)受數(shù)據(jù)保持烘烤的那些裝置(即使不在較弱部分wk_pop中)因所述過程而老化。雖然針對“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)使用嚴格參考電壓vref(即，接近圖3a的曲線圖30的初始故障電壓)進行的制造中的時間零電測試將消除群體中具有群體的最差讀取裕度的那些集成電路(本文中還稱為“裝置”)，但已觀察到，那些裝置不一定是展現(xiàn)數(shù)據(jù)保持烘烤中的最大移位的裝置。因此，已觀察到，常規(guī)時間零電篩選使不展現(xiàn)數(shù)據(jù)保持易損性(錯誤否定)的裝置不通過而使具有數(shù)據(jù)保持易損性(錯誤肯定)的裝置通過，因而導致合格率損失而不改進群體的可靠性。

如根據(jù)本說明書中所揭示的實施例所描述，提供針對此數(shù)據(jù)保持易損性而識別及篩選集成電路且適合于在制造測試流程中實施的時間零電測試方法。這些實施例可使得1t-1cfram單元能夠用于非易失性存儲器應用中，從而具有可接受數(shù)據(jù)保持可靠性。

參考圖4，在針對包含fram單元(例如上文所描述的1t-1c單元2jk)的集成電路執(zhí)行可靠性篩選以識別具有弱數(shù)據(jù)保持可靠性的那些集成電路的實例性方法中，此可靠性篩選在制造中的某一點(通常稱為呈晶片形式的集成電路的“多點探測”電測試)處被執(zhí)行，此可使用在一或多個常規(guī)多點探測測試站處實施的常規(guī)電測試裝備而實施。因此，根據(jù)此實施例的可靠性篩選遵循圖4中的過程40，其中包含布置成存儲器陣列的鐵電存儲器單元的集成電路以常規(guī)方式形成于半導體晶片的表面處。過程40中所制造的裝置中的fram單元的特定布置及實施方案可廣泛地變化，例如較大規(guī)模集成電路(例如微處理器或微控制器)內(nèi)的或作為獨立fram存儲器集成電路而實現(xiàn)的一或多個fram存儲器陣列。此外，這些實施例的可靠性篩選替代地可全部或部分地在不再呈晶片形式的個別集成電路(無論是否封裝)上執(zhí)行。然而，在呈晶片形式的裝置上執(zhí)行此篩選通常將是有利的以避免封裝成本及以其它方式處理將不適合最終使用的裝置。

為說明的清晰起見，參考單個集成電路(即，晶片上的“裸片”)而描述根據(jù)此實施例的可靠性篩選的以下說明。過程40中所制造的晶片上的每一裸片將以相同方式進行測試、在此測試流程中逐過程進行測試、以用于呈晶片形式的電路的電測試的常規(guī)方式進行測試。此外，此實施例及本說明書中所描述的其它實施例的可靠性篩選可使用在一或多個常規(guī)多點探測測試站處所實施的常規(guī)電測試裝備而實施。

在過程42中，對晶片上的集成電路進行的電功能與參數(shù)測試使用在一或多個常規(guī)多點探測測試站處所實施的常規(guī)電測試裝備而執(zhí)行。在至少一個實例中，作為針對于fram單元的此過程42的部分而執(zhí)行的特定測試包含典型功能性測試(所有單元的兩種數(shù)據(jù)狀態(tài)的寫入及讀取)、模式感測性測試、地址解碼器功能性(例如，“跨步”測試)及性能測試，例如評估讀取存取時間。在此實施例中，功能測試過程42將在室溫(即，≤30℃)下且使用用于其讀取操作的標稱參考電壓(例如圖3a中所展示的vref_nom)而執(zhí)行。作為功能測試過程42的一部分，晶片上的每一裸片的fram單元在完成功能測試過程42時被編程為具有“0”狀態(tài)。在根據(jù)此實施例的過程42中被編程到fram單元中的“0”狀態(tài)對應于上文針對單元2jk的電容器6所描述的“+1”極化狀態(tài)，所述“+1”極化狀態(tài)是在讀取操作中展現(xiàn)較低極化電容的極化狀態(tài)。因此，在通過跨越電容器6施加正電壓而進行讀取時，此“0”數(shù)據(jù)狀態(tài)對應于圖1a的滯后圖中的c(+1)狀態(tài)。

在功能測試過程42之后，在過程44中，包含經(jīng)編程fram單元的晶片經(jīng)受高溫烘烤。在此實施例中已觀察到，烘烤過程44會激活在長期內(nèi)可能展現(xiàn)極化損失(至少比將由總體群體中的穩(wěn)定單元展現(xiàn)的程度大)的那些fram電容器的鐵電材料中的去極化機制。結合實例性實施例，已觀察到，烘烤過程44的溫度必須是相對高的以產(chǎn)生所要效應。更明確地說，已觀察到，在85℃下烘烤1小時并不足以使可疑單元去極化，且因此，在此實施例中，在高于85℃的溫度下執(zhí)行烘烤過程44達至少約二十分鐘的持續(xù)時間。在過程44中用于烘烤的條件的實例是針對根據(jù)其中鐵電材料為pzt的目前技術而構造的fram單元在155℃下進行1小時。

在烘烤過程44之后，根據(jù)此實施例，針對晶片上的集成電路中的每一者而執(zhí)行第二多點探測測試45。根據(jù)此實施例，第二多點探測測試45在高溫下執(zhí)行，且因此，通過將晶片放置在多點探測測試站處的經(jīng)加熱多點探測卡盤上而將晶片加熱到高溫，例如高于約60℃的溫度。在此實施例的一個實施方案中，在過程46中晶片被加熱到的高溫為約85℃。

由于此是針對晶片上的單個集成電路裸片而執(zhí)行，因此第二多點探測測試45將針對所述同一晶片上的每一裸片(跳過在功能測試過程42中被標記為出故障的任何裸片)重復進行，同時從過程46開始，晶片保持處于經(jīng)加熱卡盤上及因此處于高溫。

在過程48中，多點探測測試裝備通過以下方式而“預調(diào)節(jié)”受測試裸片(“dut”)中的fram單元：首先從fram單元中的每一者讀取“0”狀態(tài)(舉例來說，在標稱vref下)，且接著將fram單元中的每一者編程為“1”狀態(tài)。如果在過程48中fram單元中的任一者在讀取時不展現(xiàn)“0”狀態(tài)(或另一選擇為，如果有比經(jīng)由冗余可修復的fram單元更多的fram單元發(fā)生故障)，那么裸片此時可被視為故障的，且針對所述裸片不需要執(zhí)行測試的剩余部分。過程48中所實施的“1”狀態(tài)的編程可針對數(shù)據(jù)“寫入”操作以正常方式執(zhí)行。dut的所有fram單元此時均將被編程為此“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)。根據(jù)此實施例在過程48中被編程到fram單元中的此“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)對應于上文針對單元2jk的電容器6所描述的“-1”極化狀態(tài)，所述“-1”極化狀態(tài)是在通過跨越電容器6施加正電壓而進行讀取時展現(xiàn)較高極化電容(即，圖1a中所展示的c(-1)狀態(tài))的極化狀態(tài)。

根據(jù)此實施例，在預調(diào)節(jié)過程48之后，在過程50中觀察到至少約十秒的暫停，其中晶片保持處于經(jīng)加熱卡盤上及因此處于高溫。已觀察到，結合此實施例，經(jīng)弱化fram單元中的鐵電材料的去極化發(fā)生于極化之后的弛豫時間內(nèi)。已觀察到，此去極化是時間相依的，使得過程50的暫停將增強經(jīng)弱化fram單元中的經(jīng)編程狀態(tài)的漂移，從而促進對所述漂移的觀察。對于pzt鐵電材料，已觀察到，此弛豫時間在85℃的高溫下發(fā)生于十秒的時間周期內(nèi)。此弛豫時間可隨溫度而變化，且可推知針對所關注的特定材料在特定溫度下的適當原位弛豫暫停。

在過程50的暫停之后，在過程52中在參考電壓的范圍內(nèi)讀取dut中的fram單元48的樣本群組的內(nèi)容。已發(fā)現(xiàn)，在1t-1cfram裝置(例如，此實施例中的fram單元)中，在fram單元的編程及弛豫之后對fram單元的第一次讀取對于檢測去極化是關鍵的。常規(guī)讀取操作之后的回寫處理將使經(jīng)編程狀態(tài)恢復為在讀取中所感測的狀態(tài)。因此通過在變化的參考電壓內(nèi)執(zhí)行“什穆(shmoo)”(即，單元的重復讀取)可不準確確定給定fram單元的任何去極化的程度，這是因為僅編程及弛豫之后的第一次讀取將提供對去極化的準確指示。因此，根據(jù)此實施例，操作測試裝備而以取樣方式確定fram單元從過程48中所編程的“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)去極化的程度。更明確地說，dut中的fram單元的經(jīng)取樣群組在針對經(jīng)編程“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)的數(shù)個參考電壓電平vref(k)(例如，以約5mv的步長逐步變化的一系列參考電壓電平vref(k))中的每一者下被讀取。

圖5a圖解說明在一系列參考電壓電平vref(1)到vref(8)內(nèi)針對“0”及“1”經(jīng)編程數(shù)據(jù)狀態(tài)的累積故障位計數(shù)的曲線圖。這些參考電壓電平vref(k)中的每一者將高于在正常操作中用于區(qū)分“0”與“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)的標稱參考電壓vref_nom，這是因為合意地樣本群組中的一或多個fram單元應使經(jīng)編程“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)在那些參考電壓電平vref(k)中的每一者下的讀取發(fā)生故障。將預期，較高參考電壓電平vref(k)將致使更多fram單元使“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)的讀取發(fā)生故障，這是因為參考電壓越高需要的“1”狀態(tài)讀取電流便越強。故障fram單元的數(shù)目對參考電壓電平vref(k)的此相依性將用于識別易受去極化損壞的那些單元及裝置中。

往回參考圖4，在過程50的暫停之后在高溫下執(zhí)行讀取過程52的第一實例，在此第一實例中，dut中的fram單元的第一樣本群組在第一參考電壓電平vref(k)下被讀取以確定不返回經(jīng)編程“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)的那些單元的數(shù)目。在此實施例的一個實施方案中，給定樣本群組由沿著陣列中的fram單元2jk的一或多個行的fram單元構成，其中每一行由共享同一字線wlj的那些單元2jk構成。圖5b圖解說明此實施方案的實例，其中fram陣列70被視為若干具有八行的塊。在此實例中，fram單元2jk的第一樣本群組wlg(1)是行wlg(1)0、wlg(1)1、wlg(1)2等等(即，若干具有八行的塊中的每一者中的第一行)中的那些樣本群組。在讀取過程52的此第一實例中，此第一樣本群組wlg(1)的每一行中的fram單元2jk使用根據(jù)圖2b的架構由參考電壓產(chǎn)生器9施加到讀出放大器8的參考電壓電平vref(1)而讀取。在過程54中，對此第一樣本群組wlg(1)中錯誤地返回“0”數(shù)據(jù)狀態(tài)的fram單元2jk的數(shù)目進行計數(shù)。在圖5a的實例中，參考電壓電平vref(1)是過程52的實例中所施加的參考電壓電平vref(k)中的最低者，且在此參考電壓電平vref(1)下故障單元(“位”)的數(shù)目為最左邊計數(shù)68(1)。

在過程54中獲得計數(shù)之后，決策55確定額外參考電壓電平vref(k)及因此額外樣本群組wlg(k)是否保持為被讀取。如果保持為被讀取(決策55為“是”)，那么在過程56中使索引k遞增，在下一參考電壓電平vref(k)下針對下一樣本群組wlg(k)執(zhí)行讀取過程52的下一實例，且在過程54中獲得在所述電平vref(k)下所述樣本群組wlg(k)中的故障位計數(shù)68(k)。以此方式重復過程52、54及決策55以及遞增過程56直到已針對所有所要參考電壓電平vref(k)的對應樣本群組wlg(k)評估所有所要參考電壓電平vref(k)為止，如由決策55返回“否”結果所指示。

對dut中的fram單元進行取樣的特定方式可不同于上文所描述的基于行的方法。然而，樣本群組根據(jù)行進行的組織從測試時間角度來看通常將是高效的。此外，雖然各種樣本群組不需要包含如圖5b的實例中的跨越陣列而分布的fram單元，但在每一樣本群組中包含陣列的各種位置中的單元將減小結果對裝置中的單元的物理位置的相依性。此外，雖然在過程52中所讀取的樣本群組中的一者中包含dut中的每一fram單元將通過使那些群組的樣本大小最大化而提供最佳結果，但不必要包含每一fram單元，例如以減小測試時間。

在所有所要vref(k)電平內(nèi)確定故障位計數(shù)之后(即，在決策55返回“否”結果后)，在過程58中針對dut而計算零故障位參考電壓vref(0)。在此實施例中，此零故障位參考電壓vref(0)在針對dut的所評估參考電壓電平vref(k)內(nèi)依據(jù)位故障計數(shù)68(k)而計算，且因此具體地且單獨地針對受測試晶片上的每一裸片而計算，這是因為每一裝置取決于其對去極化的特定易損性將具有不同位故障計數(shù)68(k)。執(zhí)行測試序列的測試裝備將能夠(例如)通過如通過常規(guī)數(shù)值處理可實施的曲線擬合及外推例程在所述測試序列期間在原位計算零故障位參考電壓vref(0)。

圖5c圖解說明圖5a中所展示的位故障計數(shù)68(k)的計算過程58的實例。在此實例中，計算過程58沿著對應于數(shù)個較低vref(k)電平與因此從針對dut的迭代過程52、54獲得的較低位故障計數(shù)68(k)的最佳擬合線72而執(zhí)行直線外推法。在圖5a及5c中所展示的實例中，較低的四個位故障計數(shù)68(1)到68(4)沿著位故障計數(shù)的半對數(shù)標度大體上是線性的，且因此，最佳擬合線72沿著這四個位故障計數(shù)68(1)到68(4)延續(xù)且朝向零位故障計數(shù)(bfc)值軸線而擴展。位故障計數(shù)的半對數(shù)標度與vref的關系上未定義真實的“零”位故障計數(shù)。因此，過程58的此實例中的零故障位參考電壓vref(0)經(jīng)計算作為最佳擬合線72與小于1(例如，0.1)的選定bfc值相交處的參考電壓vref。在此情形中，“零”位故障計數(shù)實際上是非零位故障計數(shù)，且對應零故障位參考電壓vref(0)實際對應于預期大于零位故障計數(shù)處的參考電壓。

如上文所提及，測試裝備針對dut而確定零故障位參考電壓vref(0)的方式可不同于圖5c中所展示的直線外推法。舉例來說，代替最佳擬合直線可使用不同曲線擬合及外推例程，或可選擇不同特定位故障計數(shù)(bfc)值來確定零故障位參考電壓vref(0)。

再次參考圖4，在決策59中，比較在過程58中所確定的零故障位參考電壓vref(0)與通過/失敗閾值參考電壓電平vref(min)。閾值參考電壓電平vref(min)為先前(例如)通過表征、實驗或仿真所確定的參考電壓，以識別展現(xiàn)低于所要可靠性標準的鐵電去極化性能的那些裝置(換句話說，識別具有太多具有可疑可靠性的fram單元的那些裝置)。以此方式，決策59確定針對給定dut的經(jīng)外推零故障位參考電壓vref(0)是否指示針對所述dut的迭代過程52、54中的故障位的數(shù)目過高。此高位故障計數(shù)68(k)將表示在裝置的操作壽命內(nèi)對去極化的過度易損性。如果在過程58中所確定的零故障位參考電壓vref(0)低于閾值參考電壓電平vref(min)(即，決策59返回“否”結果)，那么dut被視為電測試已發(fā)生故障。接著，第二多點探測測試45可被視為針對此dut已完成。

如果過程58中所確定的零故障位參考電壓vref(0)滿足閾值最小參考電壓電平vref(min)(即，決策59返回“是”結果)，那么第二多點探測測試45針對所述dut繼續(xù)進行以識別所述dut的fram單元中易受去極化損壞的那些單元(如果有)。明確地說，那些易受損單元是展現(xiàn)出去極化達到如下程度的那些單元：在編程及于高溫下進行弛豫之后，當使用對應于過程58中所確定的零故障位參考電壓vref(0)的參考電壓vref進行讀取時未返回較高極化電容數(shù)據(jù)狀態(tài)。如上文在其中如圖1b中所展示的fram單元2jk通過跨越其電容器6施加正電壓而讀取的此實施例中所描述，此較高極化電容狀態(tài)是圖1a中所展示的c(-1)狀態(tài)。此“-1”極化狀態(tài)被視為“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)。

因此，在此實施例中，第二多點探測測試45的其余部分以過程60開始，其中dut的fram單元2jk明確地說通過首先編程為“0”數(shù)據(jù)狀態(tài)、接著編程為“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)而“預調(diào)節(jié)”，所述兩個編程均在由第二多點探測測試45中先前所使用的經(jīng)加熱卡盤提供的相同高溫(例如，高于60℃，例如處于85℃)下進行。編程過程60可首先將dut中的所有fram單元2jk編程為“0”狀態(tài)且接著將所有fram單元2jk編程為“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)。另一選擇為，可適當?shù)馗膶⒀b置的fram單元編程為不同數(shù)據(jù)狀態(tài)的次序(例如，通過將一些單元子組編程為“0”狀態(tài)且接著編程為“1”狀態(tài)、之后再將下一子組編程為“0”狀態(tài))，只要被測試的所有fram單元均以所述次序編程為“0”狀態(tài)且接著編程為“1”狀態(tài)即刻。在編程過程60之后，在過程62中，再次觀察晶片靜止在高溫下至少約十秒的暫停。如上文所描述，過程62的此暫停允許在此高溫下針對新編程的“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)的弛豫時間，從而實現(xiàn)易受時間相依去極化損壞的那些fram單元的經(jīng)編程狀態(tài)的時間相依漂移。

在過程62的暫停之后，在過程64中在高溫下使用測試參考電壓vref(δ)來讀取dut的fram單元，所述測試參考電壓vref(δ)是基于且對應于在過程58中針對所述dut而確定的零故障位參考電壓vref(0)。針對此實施例參考圖5c，通過(針對“1”數(shù)據(jù)狀態(tài)情形)用零故障位參考電壓vref(0)減去裕度δv而確定此測試參考電壓vref(δ)。此裕度δv允許某種水平的統(tǒng)計方差以避免過度“錯誤肯定”。裕度δv通常將是相當小的，例如大約幾mv。不需要應用此裕度(即，δv＝0)，在此情形中，測試參考電壓vref(δ)將與過程58中所計算的零故障位參考電壓vref(0)相同。在過程64中，dut的在過程60中被編程為“1”狀態(tài)的所有fram單元均使用此測試參考電壓vref(δ)來讀取。

在決策65中，測試裝備確定任何fram單元是否使過程64的讀取測試發(fā)生故障，且如果是，那么確定那些故障單元的數(shù)目及地址位置。如果未觀察到故障單元(決策65返回“無”結果)，那么dut被視為已通過根據(jù)此實施例的時間零可靠性篩選。另一方面，如果使過程64的讀取發(fā)生故障的fram單元的數(shù)目及那些故障單元的相對地址位置低于可通過冗余“修復”(更準確地，“替換”)的單元的極限(即，如果決策65返回“<修復極限”結果)，那么過程66實施所述修復且裝置被視為已通過。在此情形中，制造商可認為冗余單元還易受去極化損壞的統(tǒng)計可能性太低而不需要對那些新啟用的單元進行類似篩選，或另一選擇為，可將包含上文所描述的過程的測試序列應用于這些冗余單元。然而，如果故障fram單元的數(shù)目或地址位置妨礙通過冗余進行的修復(決策65返回“>修復極限”結果)，那么dut被視為已使此可靠性篩選完全故障。

在任何情形中，在針對此特定裸片完成第二多點探測測試45之后，測試裝備前進到晶片上的下一裸片，且以過程48開始以如上文所描述的類似方式針對所述下一dut實施第二多點探測測試45的可靠性篩選。此以此方式繼續(xù)進行此逐裸片測試直到已篩選晶片上的所有裝置為止，在此之后，以常規(guī)方式繼續(xù)進行集成電路的制造，針對所要最終產(chǎn)品視情況而定。

根據(jù)上文所描述的實施例，提供鐵電裝置的時間零篩選以識別且移除或修復在其預期操作壽命內(nèi)易受長期可靠性故障損壞的那些裝置。特定來說，此實施例使得能夠在制造時且以觀察到的用以俘獲在預期操作壽命內(nèi)因去極化將易受非易失性數(shù)據(jù)損失的那些裝置的準確方式針對所有裝置而評估鐵電存儲器的數(shù)據(jù)保持能力。據(jù)信，如與常規(guī)可靠性篩選相比且尤其如與經(jīng)取樣測試相比，這些實施例的可靠性篩選將使“錯誤否定”(即，通過篩選但實際上易受去極化損壞的裝置)及“錯誤肯定”(即，使篩選發(fā)生故障但實際上不易受去極化損壞的裝置)兩者的發(fā)生最少化。因此，經(jīng)制造且安裝到系統(tǒng)應用中的鐵電集成電路的整個群體的總體可靠性通過這些實施例而得以改進。fram存儲器的數(shù)據(jù)保持可靠性的此改進可促進1t-1cfram單元針對先前需要具有較強讀取裕度的2t-2c或其它單元來確?？山邮軘?shù)據(jù)保持性能的應用的使用，此產(chǎn)生那些電路中顯著增加的存儲器密度及容量以及經(jīng)降低成本的可能性。

如上文結合fram單元的數(shù)據(jù)保持可靠性篩選所描述，應用測試序列，其中在dut中的存儲器單元的樣本群組內(nèi)對參考電壓vref進行“什穆”操作。已發(fā)現(xiàn)，此經(jīng)取樣“什穆”在鐵電存儲器單元的此應用中是特別有用的，這是因為在單元的編程及弛豫之后對單元的第一次讀取對于檢測去極化是關鍵的。因此，如果給定單元自身通過在多個變化的vref值下測試所述單元而被進行“什穆”操作，那么可不準確地確定任何數(shù)據(jù)保持的薄弱程度。此經(jīng)取樣什穆確定可用于確定除參考電壓vref之外的參數(shù)的適當測試參數(shù)值且實際上確定具有潛在數(shù)據(jù)保持故障的其它類型的存儲器裝置的測試參數(shù)值。此類其它存儲器裝置的實例包含具有其它非易失性存儲器技術的那些存儲器裝置(例如，電可擦除可編程只讀存儲器或eeprom)及動態(tài)隨機存取存儲器(dram)、靜態(tài)ram(sram)及其它易失性存儲器類型。就此來說，此經(jīng)取樣什穆方法對于篩選數(shù)據(jù)保持的薄弱點將是特別有用的，特別是在例如上文針對1t-1cfram所描述的情況的那些情況中更是如此，其中所關注的是特定參數(shù)的漂移而非通過對將要測試的每一單元進行“什穆”操作針對特定集成電路可確定的絕對或規(guī)格參數(shù)值。因此，此方法針對于在逐裝置基礎上針對每一集成電路裝置的經(jīng)個別化測試參數(shù)值的表征(即，群體中的每一裝置將在其自身測試參數(shù)值下被測試，其中那些值在群體中的裝置內(nèi)可能不同)。

現(xiàn)在參考圖6，在供結合fram存儲器或其它存儲器類型一起使用的更廣義數(shù)據(jù)保持測試過程中，用于對集成電路進行電測試的測試裝備將對將要測試的每一集成電路裝置實施此測試過程。在過程70中，受測試裝置(dut)中的存儲器單元被設定為所要數(shù)據(jù)狀態(tài)，且在過程72中，dut經(jīng)受數(shù)據(jù)保持應力條件。在過程72中所應用的此數(shù)據(jù)保持應力條件用于引起或起始由此篩選尋址的數(shù)據(jù)保持機制，且過程70中的所要數(shù)據(jù)狀態(tài)的設定用于以針對其所述機制在弱或易受損單元中可具有可檢測效應的數(shù)據(jù)狀態(tài)放置單元。舉例來說，參考上文所描述的fram可靠性篩選，過程70是指在圖4的過程42中將fram單元變?yōu)椤?”數(shù)據(jù)狀態(tài)的預調(diào)節(jié)，且過程72的數(shù)據(jù)保持應力條件是指過程44中對晶片進行的烘烤。過程70中所設定(即，寫入或編程)的特定數(shù)據(jù)狀態(tài)取決于特定存儲器技術及數(shù)據(jù)保持故障機制，且可為“0”狀態(tài)、“1”狀態(tài)、多位狀態(tài)(例如在一些現(xiàn)代eeprom存儲器中)或隨單元位置(例如棋盤格)而變化的數(shù)據(jù)狀態(tài)的組合。在至少一個實例中，過程72中所應用的特定數(shù)據(jù)保持應力條件包含高溫暴露(例如，上文所描述)及應力電壓的施加，且可涉及在那些條件下達經(jīng)擴展時間的等待或暫停。

在過程74中，針對參數(shù)x的一組預定值中的一個參數(shù)值x(k)而讀取dut中的存儲器單元群體中的存儲器單元的樣本群組k。實施過程74的經(jīng)取樣讀取的特定方式及應用值x(k)的特定參數(shù)x是取決于所述技術及正評估的數(shù)據(jù)保持機制。過程74中可應用的參數(shù)的實例包含讀取參考電壓電平、電力供應器或其它偏置電壓電平、信號計時(例如，時鐘計時、循環(huán)計時、設置時間、保持時間等)及針對可編程非易失性存儲器的情形而編程的電壓電平。針對上文所描述的fram數(shù)據(jù)保持篩選的實例，參數(shù)x(k)對應于參考電壓vref(k)，且讀取過程74對應于圖4的過程48的預調(diào)節(jié)、暫停過程50及讀取過程52，其中樣本群組k對應于fram單元(即，共享共同字線的單元)的一或多個行。在過程76中，對樣本群組k中使針對參數(shù)值x(k)的過程74的讀取測試發(fā)生故障的存儲器單元的數(shù)目進行計數(shù)。執(zhí)行決策77以確定是否將評估參數(shù)x的更多值及因此更多樣本群組。如果將評估參數(shù)x的更多值及因此更多樣本群組(決策77為“是”)，那么在過程78中增長索引k的值，且重復進行過程74、76及決策77。

在已評估所有樣本群組(決策77為“否”)之后，測試裝備執(zhí)行過程80以基于過程76關于在過程74中所評估的所有樣本群組的結果而計算dut的測試參數(shù)值x(0)。參考上文所描述的fram實例，過程80對應于過程58的零位故障參考電壓vref(0)的計算。再次，過程80中所計算的特定測試參數(shù)值x(0)將取決于正評估的特定存儲器技術及數(shù)據(jù)保持故障機制。在決策81中，比較過程80中所計算的測試參數(shù)值x(0)與最小(或最大，視情況而定)閾值，且如果dut的值x(0)不恰當，那么dut可被視為使篩選發(fā)生故障。如果所計算測試參數(shù)值x(0)滿足閾值準則(決策81為“是”)，那么在過程82中使用來自過程80的所計算測試參數(shù)值x(0)來測試dut中的所有單元。任何故障單元或裝置被修復或被視為使篩選發(fā)生故障，視情況而定，如上文所描述。

根據(jù)此實施例，結合圖6所描述的經(jīng)取樣什穆表征方法能夠確定群體當中正篩選的所述特定裝置特有的測試參數(shù)值，而非使用針對群體中的所有裝置而選擇的且因此易受錯誤肯定及錯誤否定兩種類型的錯誤損壞的特定參數(shù)。此篩選可用于篩選呈晶片形式的裝置(即，在“多點探測”測試處)及篩選經(jīng)封裝裝置。

雖然實施例大體描述為應用于篩選呈晶片形式的集成電路(即，在多點探測處)，但這些實施例可應用于具有鐵電存儲器的經(jīng)封裝集成電路。對于其中在每集成電路基礎上確定特定參考電壓的實施例，跟蹤那些個別經(jīng)封裝集成電路的身份將是有用的。此外，在可依據(jù)表征而確定時及在集聚數(shù)據(jù)時，可應用其它通過/失敗準則。此外，雖然上文關于一種二進制數(shù)據(jù)狀態(tài)的實例而描述了若干實施例，但使用與本文中所描述的那些電壓互補的電壓針對相反數(shù)據(jù)狀態(tài)也可容易地實施所述實施例。

在權利要求書的范圍內(nèi)，在所描述實施例中可做出若干修改，且其它實施例是可能的。