靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)是利用鎖存來存儲每一位的存儲器。因為SRAM是靜態(tài)的，所以不必周期性地更新存儲器，且因此SRAM通常比動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)更快、密度更低且更昂貴。由于SRAM的速度，SRAM通常用于需要快速存儲器的計算機(jī)應(yīng)用中，所述快速存儲器例如用于中央處理單元(CPU)的高速緩沖存儲器、外部突發(fā)模式SRAM高速緩存、硬盤緩存、路由器緩存、CPU寄存器文件等。盡管SRAM較快速，但它也消耗系統(tǒng)級動態(tài)功率的較大部分。在一些情況下，SRAM可消耗系統(tǒng)級動態(tài)功率的差不多90％。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

上文所提及的問題在很大程度上通過用于減少靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)中的功耗的系統(tǒng)和方法來解決。在一些實施例中，SRAM包含布置為行和列的存儲單元的陣列，以及用于管理從存儲單元進(jìn)行的讀取的讀控制器。存儲單元的陣列包含對應(yīng)于行的字線和對應(yīng)于列的位線。讀控制器經(jīng)配置以接收預(yù)充電信號和字線信號，且識別經(jīng)由字線中的同一字線存取的存儲單元的連續(xù)讀取。讀控制器進(jìn)一步經(jīng)配置以基于指示SRAM將在部分突發(fā)模式下操作的預(yù)充電信號和字線脈沖信號，在連續(xù)讀取期間對位線預(yù)充電不超過一次，且在連續(xù)讀取中的每一讀取之后，對字線中的同一字線充電。

另一說明性實施例是一種用于減少SRAM中的功耗的方法。所述方法可以包括對布置為行和列的存儲單元的陣列的多個位線預(yù)充電。所述多個位線對應(yīng)于所述列。所述方法還可以包括對存儲單元的陣列的第一字線充電。第一字線對應(yīng)于所述行中的第一行。所述方法還可以包括識別經(jīng)由第一字線存取的存儲單元的連續(xù)讀取。所述方法還可以包括，作為連續(xù)讀取的部分，讀取第一存儲單元和第二存儲單元，而不在所述第一存儲單元和第二存儲單元的讀取之間對位線預(yù)充電。所述方法還可以包括在連續(xù)讀取中的每一讀取之后，對第一字線充電。

又一說明性實施例是一種集成電路，其包含處理器、讀模式信號發(fā)生器，以及耦合到處理器和讀模式信號發(fā)生器的SRAM。讀模式信號發(fā)生器可以經(jīng)配置以產(chǎn)生預(yù)充電信號和字線脈沖信號。SRAM包括布置為行和列的存儲單元的陣列，以及用于管理從存儲單元進(jìn)行的讀取的讀控制器。SRAM包含對應(yīng)于行的字線和對應(yīng)于列的位線。讀控制器包括預(yù)充電電路系統(tǒng)和字線脈沖電路系統(tǒng)。預(yù)充電電路系統(tǒng)經(jīng)配置以識別對經(jīng)由字線中的同一字線存取的存儲單元的連續(xù)讀取，并且，基于指示SRAM將在部分突發(fā)模式下操作的預(yù)充電信號和字線信號，在少于全部連續(xù)讀取時對位線預(yù)充電。字線脈沖電路系統(tǒng)經(jīng)配置以基于指示SRAM將在部分突發(fā)模式下操作的預(yù)充電信號和字線信號，在連續(xù)讀取中的每一讀取之后，對字線中的同一字線充電。

附圖說明

為了對各種實例的詳細(xì)描述，現(xiàn)將參考附圖，在附圖中：

圖1示出根據(jù)各種實施例的一種集成電路的框圖；

圖2示出根據(jù)各種實施例的一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)的框圖；

圖3示出根據(jù)各種實施例的一種存儲單元陣列的框圖；

圖4示出根據(jù)各種實施例的一種用于減少SRAM中的功耗的方法的流程圖；以及

圖5示出根據(jù)各種實施例的一種用于讀取SRAM中的存儲單元的方法的流程圖。

符號和術(shù)語

貫穿以下描述和權(quán)利要求書，使用特定的術(shù)語來指代特定的系統(tǒng)組件。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，公司可以用不同的名稱指代組件。本文件不意在將名稱不同而非功能不同的組件區(qū)分開。在以下論述中且在權(quán)利要求書中，術(shù)語“包含”和“包括”在開放形式下使用，且因此應(yīng)被解釋為意指“包含但不限于...”。并且，術(shù)語“耦合(couple、couples)”意在意指間接或直接連接。因此，如果第一裝置耦合到第二裝置，那么所述連接可以是通過直接連接，或通過經(jīng)由其它裝置和連接的間接連接。敘述“基于”意在意指“至少部分基于”。因此，如果X是基于Y，那么X可以是基于Y和任何數(shù)目的其它因素。

具體實施方式

以下論述針對本發(fā)明的各種實施例。盡管這些實施例中的一個或更多個可以是優(yōu)選地，但所公開的實施例不應(yīng)被解釋為或以其它方式用于限制本公開(包含權(quán)利要求書)的范圍。另外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，以下描述具有廣泛的應(yīng)用，且任何實施例的論述意在僅作為所述實施例的示例，且并不意在暗示本公開(包含權(quán)利要求書)的范圍限于所述實施例。

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)是利用鎖存來存儲每一位的存儲器。因為SRAM是靜態(tài)的，所以不必周期性地更新存儲器，且因此SRAM通常比動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)更快、密度更低且更昂貴。由于SRAM的速度，SRAM通常用于需要快速存儲器的計算機(jī)應(yīng)用中，所述快速存儲器例如用于中央處理單元(CPU)的高速緩沖存儲器、外部突發(fā)模式SRAM高速緩存、硬盤緩存、路由器緩存、CPU寄存器文件等。因此，SRAM是許多系統(tǒng)的基本構(gòu)建塊。盡管SRAM較快速，但它也消耗系統(tǒng)級動態(tài)功率的較大部分。在一些情況下，SRAM可消耗系統(tǒng)級動態(tài)功率的差不多90％。因此，期望減少SRAM的功耗。

常規(guī)SRAM設(shè)計總是在每一讀取存取時對存儲器存儲陣列的列中的位線中的每一差分對預(yù)充電。因此，無論存儲單元陣列中的存儲單元何時將被讀取，都會開始位線的預(yù)充電。一旦在常規(guī)SRAM中對位線預(yù)充電，就對對應(yīng)于其中存儲單元將被讀取的行的字線充電。這在包含被讀取的存儲單元的列中創(chuàng)建差分電壓，從而允許感測放大器讀取存儲單元的內(nèi)容。如果另一存儲單元將被讀取，那么過程重復(fù)以位線的預(yù)充電開始。位線的此重復(fù)預(yù)充電產(chǎn)生較高的功耗水平。

每一預(yù)充電可以選擇性地進(jìn)行，而非在每一讀取時預(yù)充電。當(dāng)執(zhí)行線性突發(fā)讀取時，可不對位線預(yù)充電，使得將同一行地址(即，對同一字線充電)用于連續(xù)讀取。例如，在存儲單元的第一讀取之后，如果待讀取的下一存儲單元在同一字線上但在存儲陣列的不同列中，可不執(zhí)行預(yù)充電。這將SRAM中的功耗減少差不多50％。然而，在一些情況下(例如，如果系統(tǒng)中的時鐘頻率非常低和/或節(jié)點(diǎn)具有非常高的泄漏)，位線可以開始放電至在沒有預(yù)充電的情況下讀取連續(xù)的存儲單元變得困難的情況。因此，為改進(jìn)噪聲容限使得位線中的電荷保持足夠高，以使得甚至在沒有預(yù)充電的情況下可以讀取存儲單元，在連續(xù)讀取中的每一讀取后，可以將字線充電至預(yù)定電壓(即，施加脈沖)。這使得位線能夠維持其電荷，使得在不對位線預(yù)充電的情況下，可以讀取沿著字線的存儲單元的內(nèi)容。

因此，SRAM可以在三種模式下操作：常規(guī)模式(即，無突發(fā)模式)，其中在每一讀取后對位線預(yù)充電；全突發(fā)模式，其中在沿著同一行地址的連續(xù)讀取之間不對位線預(yù)充電，在所述連續(xù)讀取之間不對字線施加脈沖；以及部分突發(fā)模式，其中在沿著同一行地址的連續(xù)讀取之間不對位線預(yù)充電，但在連續(xù)讀取中的每一讀取后，對字線施加脈沖。因此，可以實施控制器以控制SRAM將在三種模式中的哪一種模式下操作。

圖1示出根據(jù)各種實施例的一種集成電路100的框圖。集成電路100可以包含處理器102和SRAM 104，在一些實施例中，所述SRAM可以耦合到處理器102。集成電路100還可以包含各種附加組件，例如收發(fā)器、時鐘發(fā)生器、端口等；然而，這些組件已經(jīng)被省略以提高清晰性。處理器102可以是控制處理器、信號處理器、中央處理器或任何其它類型的處理器。處理器102可以是，例如通用微處理器、數(shù)字信號處理器、微控制器或經(jīng)配置以執(zhí)行用于執(zhí)行操作的指令的其它合適的裝置。處理器架構(gòu)通常包含執(zhí)行單元(例如，定點(diǎn)、浮點(diǎn)、整數(shù)等)、指令解碼、外圍設(shè)備(例如，中斷控制器、定時器、直接存儲器存取控制器等)、輸入/輸出系統(tǒng)(例如，串行端口、并行端口等)以及各種其它組件和子系統(tǒng)。

SRAM 104是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，其可以提供能夠由處理器102處理的數(shù)據(jù)和/或指令的存儲。SRAM 104經(jīng)設(shè)計使得其顯示數(shù)據(jù)殘留，且利用鎖存電路系統(tǒng)以存儲數(shù)據(jù)的每一位。SRAM 104耦合到處理器102，使得處理器102可以從SRAM 104讀取數(shù)據(jù)和/或指令，和/或?qū)?shù)據(jù)和/或指令寫入到SRAM104用于存儲。在一些實施例中，SRAM 104是處理器102的一部分，而在替代實施例中，SRAM 104與處理器102區(qū)別開。此外，多個SRAM 104可以被包含在集成電路100中。

圖2示出根據(jù)各種實施例的一種SRAM 104的框圖。SRAM 104可以包含存儲單元陣列202、讀控制器204、列解碼器206、感測放大器208，以及讀模式信號發(fā)生器250。盡管在圖2中示出為SRAM 104的一部分，但在替代實施例中，讀模式信號發(fā)生器250可以與SRAM 104分開。

存儲單元陣列202可以被布置為存儲單元(有時被稱為位單元)的行和列，每一存儲單元存儲數(shù)據(jù)的一位。圖3示出根據(jù)各種實施例的一種存儲單元陣列202的框圖。存儲單元陣列202可以包含對應(yīng)于存儲單元陣列202的行的字線302-312以及列322-328。列322-328中的每個可以由位線的差分對組成。例如，列322可以由位線332-334組成；列324可以由位線336-338組成；列326可以由位線340-342組成；以及列328可以由位線344-346組成。在字線302-312與列322-328中的每個的交叉點(diǎn)處的是存儲單元，例如，存儲單元352、354以及356，這些存儲單元組成存儲單元陣列202。

存儲陣列202中的存儲單元中的每個，例如存儲單元352、354以及356可以經(jīng)布置以存儲數(shù)據(jù)的單個位。在一些實施例中，存儲單元中的每個包括六晶體管(“6T”)SRAM單元，其形成有一對交叉耦合反相器。每一反相器包含p溝道晶體管和n溝道晶體管。第一傳輸門(pass gate)晶體管的源極連接到第一反相器的柵極節(jié)點(diǎn)和第二反相器的漏極節(jié)點(diǎn)。類似地，第二傳輸門晶體管的源極連接到第二反相器的柵極節(jié)點(diǎn)和第一反相器的漏極節(jié)點(diǎn)。傳輸門晶體管的柵極連接到共同字線，例如，存儲單元352和354的字線302和存儲單元356的字線308，而傳輸門晶體管的漏極連接到位線的差分對，例如，存儲單元352和356的位線332和334，以及存儲單元354的位線336和338。在替代實施例中，存儲陣列202的存儲單元可以是任何類型的SRAM位單元，例如四晶體管(“4T”)SRAM單元、八晶體管(“8T”)SRAM單元、十晶體管(“10T”)SRAM單元或任何其它SRAM存儲單元。

返回圖2，讀控制器204耦合到存儲單元陣列202，且經(jīng)配置以管理存儲單元陣列202中包含的存儲單元的讀取。讀控制器204可包括預(yù)充電電路系統(tǒng)210、地址檢測器212以及字線脈沖電路系統(tǒng)214。讀控制器可以是管理來自存儲單元陣列202和去往存儲單元陣列202的數(shù)據(jù)流的任何類型的存儲器控制器。在讀周期的開始，預(yù)充電電路系統(tǒng)210經(jīng)配置以引起位線的差分對中的每個(正信號和負(fù)信號兩者)預(yù)充電至共同電壓。為了讀取存儲單元中的任一個，對對應(yīng)于待讀取的存儲單元的字線充電。因此，字線脈沖電路系統(tǒng)214經(jīng)配置以對對應(yīng)的字線施加脈沖(即，將字線充電至預(yù)定電壓)。例如，如果存儲單元352將被讀取，那么字線脈沖電路系統(tǒng)214經(jīng)配置以通過將字線302充電至預(yù)定電壓來給字線302充電。一旦字線被充電，就啟用來自被充電的字線上的存儲單元中的每個的傳輸門晶體管中的每個。例如，如果字線302被充電，那么啟用存儲單元352和354中的傳輸門晶體管，以及啟用連接到字線302的任何其它存儲單元的傳輸門晶體管。這引起連接到存儲單元中的每個的位線的兩個差分對中的一個的位線電壓基于連接到差分對的存儲單元是存儲0還是1而降低。例如，一旦字線302被充電，沿著位線332或334的電壓將基于存儲單元352是存儲0還是1而降低。類似地，沿著位線336或338的電壓將基于存儲單元354是包含0還是1而降低。

列解碼器206確定來自圖3的列322-328中的哪一個包含待讀取的存儲單元。更具體地說，列解碼器206經(jīng)配置以從列322-328中的每個接收輸出信號，且選擇來自對應(yīng)于正被讀取的存儲單元的列的輸出信號。輸出信號中的每個對應(yīng)于在位線的差分對中攜帶的差分電壓。例如，如果存儲單元352將被讀取，那么列解碼器206選擇列322及其位線332-334的差分對。感測放大器208隨后可通過放大來感測所選擇的位線的差分對中的哪一個具有較高電壓，由此確定存儲單元是存儲0還是1。換句話說，感測放大器208經(jīng)配置以通過感測列電壓差分來確定所選擇的列的狀態(tài)。繼續(xù)先前的實例，一旦列解碼器206選擇列322，感測放大器就將感測或確定位線332和334中的哪一個具有較高電壓。一旦這得到確定，就能夠確定存儲單元352的狀態(tài)。

讀模式信號發(fā)生器250可以經(jīng)配置以確定SRAM 104將在多個模式中的哪一個模式下操作。例如，讀模式信號發(fā)生器250可以經(jīng)配置以確定SRAM104是否將在無突發(fā)模式、全突發(fā)模式和/或部分突發(fā)模式下操作。在一個實施例中，讀模式信號發(fā)生器250是可編程的，且可以從用戶接收指示SRAM104將在哪一個模式下操作的指令。例如，讀模式信號發(fā)生器250可以從用戶接收指示SRAM 104將在部分突發(fā)模式下操作的指令。在一些實施例中，讀模式信號發(fā)生器250可以從用戶接收指示SRAM 104將在某些情況下在一特定模式中操作而在不同的情況下在另一模式中操作的指令。例如，讀模式信號發(fā)生器250可以接收指示以下操作的指令：當(dāng)由溫度傳感器(未示出)感測到的溫度超過閾值時，SRAM 104將在無突發(fā)模式下操作，以及當(dāng)所感測到的溫度低于閾值時，所述SRAM將在部分突發(fā)模式下操作。以此方式，讀模式信號發(fā)生器250可以自動地確定SRAM 104將在哪一模式下操作，且在一些實施例中，讀模式信號發(fā)生器可以確定在SRAM 104操作時切換其操作模式。

讀模式信號發(fā)生器250可以經(jīng)配置以基于信號發(fā)生器250已經(jīng)確定SRAM 104將在哪一讀模式下操作來產(chǎn)生預(yù)充電信號222和字線脈沖信號224。例如，如果讀模式信號發(fā)生器250確定SRAM 104將在無突發(fā)模式下操作，預(yù)充電信號222將處于特定狀態(tài)，并且字線脈沖信號224也將處于特定狀態(tài)(例如，預(yù)充電信號222可以是低(0)且字線脈沖信號224可以是低(0))。類似地，如果讀模式信號發(fā)生器250確定SRAM 104將在全突發(fā)模式下操作，預(yù)充電信號222將處于特定狀態(tài)，并且字線脈沖信號224也將處于特定狀態(tài)(例如，預(yù)充電信號222可以是高(1)且字線脈沖信號224可以是高(1))。此外，如果讀模式信號發(fā)生器250確定SRAM 104將在部分突發(fā)模式下操作，預(yù)充電信號222將處于特定狀態(tài)，并且字線脈沖信號224也將處于特定狀態(tài)(例如，預(yù)充電信號222可以是高(1)且字線脈沖信號224可以是低(0))。因此，預(yù)充電信號222和字線脈沖信號224的組合可以指示SRAM 104將在哪一讀模式下操作。

讀控制器204可以從讀模式信號發(fā)生器250接收預(yù)充電信號222和字線脈沖信號224。讀控制器隨后可以經(jīng)配置以基于接收到的預(yù)充電信號222和字線脈沖信號224確定SRAM 104將在哪一模式下操作。

如果讀控制器204確定SRAM 104將在全突發(fā)模式下操作(例如，讀控制器204接收到為高的預(yù)充電信號222和為高的字線脈沖信號224)，那么讀控制器204可以識別經(jīng)由同一字線存取的存儲單元的連續(xù)讀取。例如，如果存儲單元352的讀取后面緊跟著與存儲單元352在同一字線(字線302)上的存儲單元354的讀取，那么讀控制器204進(jìn)行此識別。如果進(jìn)行以下識別：通過讀控制器204實現(xiàn)經(jīng)由同一字線存取的存儲單元的連續(xù)讀取，那么在這兩讀取之間不對位線332-346預(yù)充電。因為對特定的字線充電產(chǎn)生字線上的存儲單元中的每個的差分，所述差分表示存儲單元中的每個中的位的狀態(tài)，所以不需要預(yù)充電來讀取同一字線上的其它存儲單元。因此，可以結(jié)合連續(xù)讀取，在連續(xù)讀取之前或在連續(xù)讀取開始時對位線332-346僅預(yù)充電一次。通過減少預(yù)充電的數(shù)目(即，通過在每一讀取后不對位線的差分對預(yù)充電)，由SRAM 104消耗的功率減少。此外，當(dāng)在全突發(fā)模式下操作時，在連續(xù)讀取中的每個之后可以不對字線302施加脈沖。例如，當(dāng)字線302被充電時，可以僅在連續(xù)讀取開始時對所述字線施加脈沖。

在讀周期結(jié)束時(一旦連續(xù)讀取結(jié)束)，預(yù)充電電路系統(tǒng)210經(jīng)配置以再次引起位線的差分對中的每個預(yù)充電至共同電壓。更具體地說，地址檢測器212經(jīng)配置以確定(即，檢測)SRAM 104中的任何行地址改變請求。換句話說，地址檢測器212經(jīng)配置以確定SRAM 104是否以及何時請求讀取存儲陣列202中的不在當(dāng)前被讀取的字線上的存儲單元。一旦地址檢測器212檢測到行地址改變請求，讀控制器204利用預(yù)充電電路系統(tǒng)210引起位線332-346的差分對中的每個預(yù)充電以使能夠讀取不同字線上的存儲單元。例如，如果存儲單元352正被讀取，則對字線302充電。然而，如果地址檢測器212檢測到行地址改變請求，使得存儲單元356將被讀取，然后字線306需要被充電。因為字線306是與字線302不同的字線(在不同行上)，預(yù)充電電路系統(tǒng)210引起位線332-346的差分對預(yù)充電。因此，讀控制器204可以存儲上次斷言哪一字線(在此實例中為字線302)的指示。基于當(dāng)前正被斷言或?qū)⒈粩嘌缘淖志€(在此實例中為字線306)不同于上次斷言的字線(字線302)，預(yù)充電電路系統(tǒng)210引起位線332-346的預(yù)充電。

如果讀控制器204確定SRAM 104將在無突發(fā)模式下操作(例如，讀控制器204接收為低的預(yù)充電信號222和為低的字線脈沖信號224)，那么預(yù)充電電路系統(tǒng)210引起位線332-346的差分對中的每個在每一讀取后預(yù)充電。換句話說，即使讀控制器204識別經(jīng)由同一字線存取的存儲單元的連續(xù)讀取，預(yù)充電電路系統(tǒng)210引起位線332-346的差分對中的每個在每個個別的讀取后預(yù)充電。例如，如果存儲單元352的讀取后面緊跟著存儲單元354的讀取，預(yù)充電電路系統(tǒng)210將引起位線332-346在存儲單元352的讀取完成后且在存儲單元354的讀取前預(yù)充電至共同電壓。

如果讀控制器204確定SRAM 104將在部分突發(fā)模式下操作(例如，讀控制器204接收為高的預(yù)充電信號22和為低的字線脈沖信號224)，那么讀控制器204可以識別經(jīng)由同一字線存取的存儲單元的連續(xù)讀取。例如，如果存儲單元352的讀取后面緊跟著與存儲單元352在同一字線(字線302)上的存儲單元354的讀取，讀控制器204做出此識別。如果做出以下識別：通過讀控制器204做出經(jīng)由同一字線存取的存儲單元的連續(xù)讀取，在這兩讀取之間以與在SRAM 104將在全突發(fā)模式下操作時相似的方式不對位線332-346預(yù)充電。因為對特定字線的充電產(chǎn)生字線上的存儲單元中的每個的差分，所述差分表示存儲單元中的每個中的位的狀態(tài)，不需要預(yù)充電來讀取同一字線上的其它存儲單元。因此，可以結(jié)合連續(xù)讀取，在連續(xù)讀取之前或在連續(xù)讀取開始時對位線332-346僅預(yù)充電一次。類似于全突發(fā)模式，一旦地址檢測器212檢測到行地址改變請求，讀控制器204利用預(yù)充電電路系統(tǒng)210引起位線332-346的差分對中的每個預(yù)充電以使能夠讀取不同字線上的存儲單元。通過減少預(yù)充電的數(shù)目(即，通過在每一讀取后不對位線的差分對預(yù)充電)，由SRAM 104消耗的功率減少。

然而，從字線的充電起經(jīng)過一時間段后，位線332-346的差分對可以開始放電至讀取存儲單元變得困難的情況。因此，為了改進(jìn)噪聲容限，使得位線332-346中的電荷甚至在沒有預(yù)充電的情況下保持可讀取，在連續(xù)讀取中的每一讀取后，可以將已充電字線(例如，字線302)充電至預(yù)定電壓(即，施加脈沖)。這使位線能夠維持其電荷，使得可以在不對位線預(yù)充電的情況下，沿著已充電字線讀取存儲單元的內(nèi)容。例如，如果存儲單元352的讀取后面緊跟著存儲單元354的讀取，字線脈沖電路系統(tǒng)214可以在存儲單元352的讀取完成后且在存儲單元354的讀取前將字線302充電至預(yù)定電壓。位線332-346可以在連續(xù)讀取結(jié)束且地址檢測器212檢測到行地址改變請求后僅預(yù)充電一次。

圖4示出根據(jù)各種實施例的用于減少SRAM(例如SRAM 104)中的功耗的方法400的流程圖。圖5示出根據(jù)各種實施例的一種用于讀取SRAM(例如SRAM 104)中的存儲單元的方法500的流程圖。盡管為了方便而順序地描繪，方法400和500中所示的動作中的至少一些能夠以不同次序執(zhí)行和/或并行執(zhí)行。另外，一些實施例可以僅執(zhí)行所示出的動作中的一些，或可以執(zhí)行額外的動作。在一些實施例中，方法400和500的操作中的至少一些以及本文中描述的其它操作能夠由SRAM 104、讀控制器204和或讀模式信號發(fā)生器250執(zhí)行，所述讀模式信號發(fā)生器250通過執(zhí)行存儲在非暫時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)或狀態(tài)機(jī)中的指令的處理器實施。

方法400在框402中以對存儲單元陣列的位線(例如，存儲單元陣列202的位線332-346)預(yù)充電開始。在框404中，方法400繼續(xù)將存儲單元陣列的第一字線充電至預(yù)定電壓。例如，字線302可經(jīng)充電以便讀取字線302上的存儲單元(例如存儲單元352)的內(nèi)容。通過對字線充電，在組成存儲單元陣列中的列的位線的多個差分對中的每個之間產(chǎn)生差分。列解碼器，例如列解碼器206，隨后可以選擇來自對應(yīng)于正被讀取的存儲單元的列的輸出信號，以及感測放大器，例如感測放大器208可以感測正被讀取的存儲單元的狀態(tài)。

方法400在框406中繼續(xù)識別(在一些實施例中通過讀控制器204識別)經(jīng)由第一字線存取的存儲單元的連續(xù)讀取。例如，讀控制器204可以經(jīng)配置以確定經(jīng)由字線302存取的存儲單元354是否在也經(jīng)由字線302存取的存儲單元352之后被連續(xù)讀取。在框408中，方法400繼續(xù)接收(在一些實施例中通過讀控制器204接收)預(yù)充電信號，例如預(yù)充電信號222，以及字線脈沖信號，例如字線脈沖信號224。在一些實施例中，通過讀模式信號發(fā)生器250產(chǎn)生預(yù)充電信號和字線脈沖信號。

方法400在框410中繼續(xù)確定(在一些實施例中通過讀控制器204確定)SRAM(例如SRAM 104)是否將在全突發(fā)模式下操作。例如，在接收預(yù)充電信號222和字線脈沖信號224之后，讀控制器204可以基于那些信號的狀態(tài)，確定SRAM 104是否將在全突發(fā)模式下操作(例如，是否預(yù)充電信號222為高且字線脈沖信號224為高)。如果在框410中做出確定SRAM將在全突發(fā)模式下操作，那么方法400在框412中繼續(xù)讀取第一存儲單元和第二存儲單元，而在所述讀取之間不對位線預(yù)充電且在所述讀取之間不對字線充電。繼續(xù)先前的實例，一旦位線332和334的差分被感測放大器208感測以讀取存儲單元352的內(nèi)容，位線336和338的差分被感測放大器208感測以讀取存儲單元354的內(nèi)容，而在所述讀取之間不對位線332-346預(yù)充電且在所述讀取之間不對字線302充電。

如果在框410中做出確定SRAM不是將在全突發(fā)模式下操作，那么方法400在框414中繼續(xù)確定(在一些實施例中通過讀控制器204確定)SRAM(例如SRAM 104)是否將在無突發(fā)模式下操作。例如，在接收預(yù)充電信號222和字線脈沖信號224之后，讀控制器204可以基于那些信號的狀態(tài)，確定SRAM 104是否將在無突發(fā)模式下操作(例如，是否預(yù)充電信號222為低且字線脈沖信號224為低)。如果在框414中做出確定SRAM將在無突發(fā)模式下操作，那么方法400在框416中繼續(xù)讀取第一存儲單元，例如存儲單元352。在框418中，方法400繼續(xù)對位線(例如位線332-346)或存儲單元陣列(例如存儲單元陣列202)預(yù)充電。方法400在框420中繼續(xù)讀取與第一存儲單元處于同一字線上的第二存儲單元，例如存儲單元354。

如果在框414中做出確定SRAM不是將在無突發(fā)模式下操作，那么方法400在框422中繼續(xù)確定(在一些實施例中通過讀控制器204確定)SRAM(例如SRAM 104)將在部分突發(fā)模式下操作。例如，在接收預(yù)充電信號222和字線脈沖信號224之后，讀控制器204可以基于那些信號的狀態(tài)確定SRAM 104將在部分突發(fā)模式下操作(例如，預(yù)充電信號222為高且字線脈沖信號224為低)。在框424中，方法400繼續(xù)讀取第一存儲單元，例如存儲單元352。方法400在框426中繼續(xù)對第一存儲單元駐留在其中的字線(例如字線302)充電，而不對位線(例如位線332-346)預(yù)充電。在框428中，方法400繼續(xù)讀取與第一存儲單元處于同一字線上的第二存儲單元，例如存儲單元354。

方法500是一種用于讀取SRAM(例如SRAM 104)中的存儲單元的方法。方法500在框502中以檢測連接到第一存儲單元的兩個位線之間的列電壓差分開始。例如，如果讀取存儲單元352，由位線332和334的差分對攜帶的列322的列電壓差分被感測放大器208檢測。在框504中，方法500繼續(xù)檢測連接到第二存儲單元的兩個位線之間的列電壓差分。例如，如果讀取作為第二存儲單元的存儲單元354，由位線336和338的差分對攜帶的列324的列電壓差分被感測放大器208檢測。以此方式，可以讀取存儲單元352和354，而在所述讀取之間不對位線332-346預(yù)充電。

上述論述意在說明本發(fā)明的原理和各種實施例。一旦完全領(lǐng)會上述公開內(nèi)容后，眾多變化和修改對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將變得明顯。以下權(quán)利要求書意在被解釋為涵蓋所有此類變化和修改。