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一種為FLASH存儲(chǔ)器芯片提供編程電壓的升壓電路的制作方法

文檔序號(hào):12128688閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種為FLASH存儲(chǔ)器芯片提供編程電壓的升壓電路,包括順序連接的N級(jí)升壓電路單元、輔助級(jí)電路和輸出級(jí)電路。本發(fā)明可以利用N級(jí)升壓?jiǎn)卧?,一個(gè)輔助級(jí)和一個(gè)穩(wěn)壓輸出級(jí)提供FLASH存儲(chǔ)器高于電源電壓的編程電壓,保證了FLASH存儲(chǔ)單元在編程操作時(shí)具有較高的可靠性,使FLASH存儲(chǔ)器能夠高效穩(wěn)定地工作,提高了整個(gè)電路系統(tǒng)的性能。

技術(shù)研發(fā)人員:趙宏建;周剛
受保護(hù)的技術(shù)使用者:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所
文檔號(hào)碼:201610953518
技術(shù)研發(fā)日:2016.11.03
技術(shù)公布日:2017.03.15

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