本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?01380045657.3(國際申請(qǐng)?zhí)枮閜ct/jp2013/067944)、申請(qǐng)日為2013年6月8日、發(fā)明名稱為“磁盤用玻璃基板、磁盤”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

本發(fā)明涉及磁盤用玻璃基板和磁盤。

背景技術(shù)：

如今，在個(gè)人計(jì)算機(jī)或dvd(digitalversatiledisc)記錄裝置等中內(nèi)置有用于記錄數(shù)據(jù)的硬盤裝置(hdd：harddiskdrive)。特別是在筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)等以移動(dòng)性為前提的設(shè)備中使用的硬盤裝置中，使用在玻璃基板上設(shè)置有磁記錄層的磁盤，利用在磁盤的面上方略微懸浮的磁頭對(duì)磁記錄層記錄或讀取磁記錄信息。作為該磁盤的基板，由于具有比金屬基板(鋁基板)等更難以發(fā)生塑性變形的性質(zhì)，因而優(yōu)選使用玻璃基板。

另外，應(yīng)增大硬盤裝置中存儲(chǔ)容量的要求，尋求磁記錄的高密度化。例如使用垂直磁記錄方式進(jìn)行磁記錄信息區(qū)域(記錄位(bit))的微細(xì)化，在垂直磁記錄方式中，使磁記錄層中的磁化方向相對(duì)于基板的面為垂直方向。垂直磁記錄方式的磁盤在金屬基板或玻璃基板上依次成膜有例如附著層、軟磁性層(sul：softunderlayer)、基底層、磁記錄層、保護(hù)層、潤滑層等。通過采取垂直磁記錄方式，可以增大1張盤片基板中的存儲(chǔ)容量。進(jìn)一步，為了進(jìn)一步增大存儲(chǔ)容量，還進(jìn)行通過使磁頭的記錄再現(xiàn)元件部更加突出，從而極大地縮短其與磁記錄層之間的距離，進(jìn)一步提高信息的記錄再現(xiàn)精度(提高s/n比)。另外，這種磁頭的記錄再現(xiàn)元件部的控制被稱作dfh(dynamicflyingheight：動(dòng)態(tài)飛行高度)控制機(jī)構(gòu)，配備該控制機(jī)構(gòu)的磁頭被稱作dfh頭。與這種dfh頭組合用于hdd的磁盤用玻璃基板為了避免與磁頭或從磁頭進(jìn)一步突出的記錄再現(xiàn)元件部之間的碰撞和接觸，按照使基板的表面凹凸極小的方式進(jìn)行制作。

另一方面，已知有，磁盤用玻璃基板的表面形狀對(duì)在基板上成膜的磁記錄層中的磁性粒的特定的晶面，例如co(002)面或ru(002)面的晶體取向方差(δθ50；晶體相對(duì)于垂直方向的偏差)產(chǎn)生影響。δθ50被計(jì)算為如下情況中的峰值的半值寬度，即，使用x-射線衍射裝置進(jìn)行θ/2θ的測定，從磁記錄層的晶面的峰值頂起測定2θ值，將2θ固定并進(jìn)行了θ掃描。該晶體取向方差δθ50是表示易磁化軸的方差的指標(biāo)，該值越小越優(yōu)選。通過改善δθ50(使其接近零)，能夠使磁特性良好，并提高信噪比(snr)，因此，能夠進(jìn)一步提高記錄密度。

關(guān)于晶體取向方差(δθ50)，在對(duì)比文件1中記載了如下的磁盤用玻璃基板：以提高磁記錄層的晶體取向方差(δθ50)以及提高snr為目的，并不是以表面粗糙度ra為基準(zhǔn)，而是使方均根傾斜角的值成為規(guī)定值以下(例如為5度以下，更優(yōu)選為3度以下)。

此外，在對(duì)比文件2中記載了設(shè)表面粗糙度ra滿足ra≤0.15nm，并且使平均傾斜角為2度以下的磁盤用玻璃基板。通過采用該基板，能夠降低δθ50從而降低介質(zhì)噪聲(使用130gbpsi相當(dāng)?shù)膖mr頭，按照825kbpi的線記錄密度來評(píng)價(jià))。另外，在線記錄密度為825kbpi的情況下，記錄位長度(以下，表示基于線記錄密度的計(jì)算值)在30nm程度。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

【專利文獻(xiàn)1】日本特開2009-140584號(hào)

【專利文獻(xiàn)2】日本特開2008-293552號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的問題

另外，本發(fā)明人獲知：當(dāng)如上述各對(duì)比文件所述，使用使磁盤用玻璃基板(以下，簡稱作“基板”)的主表面的表面粗糙度或主表面的方均根傾斜角(或者，平均傾斜角)的值成為規(guī)定值以下的基板制作了磁盤時(shí)，雖然使主表面的表面粗糙度或方均根傾斜角的值足夠小，并使δθ50足夠小，但是，有時(shí)對(duì)于被高記錄密度化的磁盤而言，再現(xiàn)信號(hào)的snr未必能提高。也就是說獲知，雖然隨著基板的主表面的表面粗糙度或方均根傾斜角的值降低到某種程度，在該基板的基礎(chǔ)上制作出的磁盤的再現(xiàn)信號(hào)的snr變得良好，但是，即使比該程度進(jìn)一步降低主表面的表面粗糙度或方均根傾斜角，有時(shí)磁盤的再現(xiàn)信號(hào)的snr也不會(huì)提高。

近年來，例如，為了實(shí)現(xiàn)例如2.5英寸尺寸且600gb/p以上的高記錄密度，磁頭的記錄再現(xiàn)元件部的突出量增加，與磁盤之間的間隙變得極小，結(jié)果能夠進(jìn)行利用比以往更高的高記錄密度的寫入。今后，認(rèn)為磁盤的進(jìn)一步的高記錄密度化將得到發(fā)展，并認(rèn)為來自被高記錄密度化的磁盤的再現(xiàn)信號(hào)的snr的提高變成更重要的要素。

因此，本發(fā)明的目的在于提供能夠使比以往被更高記錄密度化的磁盤的再現(xiàn)信號(hào)的snr提高的磁盤用玻璃基板和磁盤。

用于解決問題的手段

本申請(qǐng)的發(fā)明人為了明了雖然充分縮小了主表面的表面粗糙度或主表面的方均根傾斜角(或者平均傾斜角)的值，但卻沒有看到被高記錄密度化的磁盤的snr的提高的原因，詳細(xì)調(diào)查了各種基板的主表面的表面性狀。結(jié)果得知，有時(shí)即使主表面的表面粗糙度或主表面的方均根傾斜角(或者，平均傾斜角)的值在相同程度，磁盤的再現(xiàn)信號(hào)的snr也不同。

因此，關(guān)于各種基板的表面形狀，在并不著眼于主表面的傾斜角的平均值(方均根傾斜角或平均傾斜角)，而是著眼于各個(gè)斜率的值時(shí)，可知對(duì)于被高記錄密度化的磁盤的snr表現(xiàn)出相對(duì)低的傾向的基板的主表面，規(guī)定值以上的微小間隔的斜率的頻次高。另外，斜率是指例如在基板的主表面上的表面性狀中，采用了主表面上的規(guī)定的微小間隔的2點(diǎn)的情況下，將該2點(diǎn)中的高度的變化量除以微小間隔的長度而得到的值。

本申請(qǐng)的發(fā)明人對(duì)于在由于主表面的斜率的偏差而使得局部地存在大斜率的情況下磁盤的snr不提高的理由，進(jìn)行了以下的考察。

即，可認(rèn)為當(dāng)在基板的主表面存在大斜率時(shí)，形成在存在該大斜率的基板上的位置的正上方的磁記錄層的晶體取向方向相對(duì)于垂直方向大幅傾斜，或者，晶體不會(huì)恰當(dāng)?shù)赝庋由L而變成缺陷，但是，認(rèn)為該問題在以往的記錄位長度(例如，上述的30nm左右)的情況下，不會(huì)作為再現(xiàn)噪聲而變得顯著。參照?qǐng)D1對(duì)該點(diǎn)進(jìn)行說明。圖1是用于說明在記錄位長度長的情況(c1)和記錄位長度短的情況(c2)下的、基板上存在大斜率的部位的情況的影響的圖。如圖1的c1所示，在記錄位長度長的情況下，可以推斷即使是在基板上為大斜率的位置的正上方存在相對(duì)于垂直方向大幅傾斜或者變成缺陷的磁性粒的情況下，由于包含在1個(gè)記錄位長度中的其他許多磁性粒形成了正確的磁場，因此，整體上能讀出正確的信號(hào)，不會(huì)給信號(hào)質(zhì)量造成影響。

另一方面，如圖1的c2所示，當(dāng)由于高記錄密度化使得記錄位長度變短時(shí)，在基板上為大斜率的位置的正上方存在相對(duì)于垂直方向大幅傾斜或者變成缺陷的磁性粒的情況下，該磁性粒帶來的影響相對(duì)增高，來自包含該磁性粒的區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)不再正確(也就是說，變成噪聲)的可能性增高。也就是說，可以推斷在記錄位長度短的情況下，由于在基板的主表面局部地存在大斜率，造成磁盤的snr得不到提高。可認(rèn)為磁盤的snr得不到提高這一問題通過以例如2000kbpi以上的線記錄密度(例如，大概12.70nm以下的記錄位長度)進(jìn)行記錄而首次變得明顯。尤其是對(duì)于被高記錄密度化的磁盤，由于記錄位長度變得極短，因此上述問題變得明顯。

另外，本申請(qǐng)的發(fā)明人對(duì)在被高記錄密度化的磁盤的再現(xiàn)信號(hào)的snr中產(chǎn)生了差異的磁盤的δθ50進(jìn)行了比較，沒有發(fā)現(xiàn)明顯的差異。整體上來看對(duì)snr造成影響的大斜率的基板上的部位少，因此，可認(rèn)為在計(jì)算δθ50時(shí)，沒有通過x-射線衍射裝置檢測出。也就是說，可認(rèn)為雖然δθ50是通過x-射線衍射裝置觀察到的峰值的半值寬度，但是，這只不過是表示易磁化軸的偏差的一個(gè)指標(biāo)，例如即使是相同的半值寬度，根據(jù)x-射線強(qiáng)度低的區(qū)域中的θ的擴(kuò)展度的寬窄，易磁化軸的偏差也會(huì)不同。

本申請(qǐng)的發(fā)明人認(rèn)為，在基板的主表面局部地存在大斜率的情況下，作為以往再現(xiàn)噪聲不明顯的理由，還由于附著層以及sul的合計(jì)膜厚(也就是說，非晶態(tài)層的膜厚)大。參照?qǐng)D2對(duì)該點(diǎn)進(jìn)行說明。圖2是用于說明在基板與磁記錄層之間的膜厚厚的情況(c1)和膜厚薄的情況(c2)下的基板上存在大斜率的部位的情況的影響的圖。

以往，可認(rèn)為由于通過濺射等成膜的附著層(例如，crti)或sul(例如，fecotazr)等非晶態(tài)金屬層的合計(jì)膜厚比較大(例如，在50nm左右以上)，因此，存在如下的效果：即使在基板上局部地存在為大斜率的不規(guī)整部位的情況下，在成膜后對(duì)于該不規(guī)整部位，非晶態(tài)金屬的膜也會(huì)對(duì)基板上的不規(guī)整部位進(jìn)行調(diào)整(也就是說，降低斜率)，由此，磁記錄層中的磁性粒的晶體的取向變得良好(圖2的c1)。

但是，近年來，以降低由sul自身的磁性引起的噪聲為目的，進(jìn)行了例如將sul薄膜化成30nm以下的程度等，降低基板上的不規(guī)整部位的斜率的效果變?nèi)?圖2的c2)。因此，磁盤的snr得不到提高這一上述問題變得更明顯。

本發(fā)明的發(fā)明人根據(jù)上述考察，進(jìn)行了深刻研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過在磁盤用玻璃基板的主表面的表面性狀中，限制規(guī)定值以上的斜率的頻次，能夠解決上述問題，從而完成了發(fā)明。

更具體而言，本發(fā)明的第1觀點(diǎn)是一種磁盤用玻璃基板，所述磁盤用玻璃基板的特征在于，在以10nm的間隔取得了主表面的斜率的樣本的情況下，斜率的平方的平均值在0.0025以下、且斜率的平方的值在0.004以上的頻次在15％以下。

上述磁盤用玻璃基板優(yōu)選為上述斜率的平方的值在0.004以上的頻次在10％以下。

上述磁盤用玻璃基板優(yōu)選為非晶態(tài)玻璃。

上述磁盤用玻璃基板優(yōu)選為由玻璃化溫度在650℃以上的玻璃構(gòu)成。

上述磁盤用玻璃基板優(yōu)選為所述主表面的算術(shù)平均粗糙度ra在0.15nm以下。

本發(fā)明的第2觀點(diǎn)是一種磁盤，所述磁盤的特征在于，在上述磁盤用玻璃基板的表面至少形成有磁記錄層。

本發(fā)明的第3觀點(diǎn)是一種具有一對(duì)平坦的主表面的磁盤用玻璃基板，所述磁盤用玻璃基板的特征在于，確定在以10nm的間隔取得了所述主表面的斜率的樣本的情況下的斜率的平方的平均值的最大值，并且確定斜率的平方的值在0.004nm以上的頻次的最大值，以使得在所述主表面的上方形成磁記錄層而制作出磁盤后，對(duì)該磁記錄層以2000kbpi以上的線記錄密度進(jìn)行了信號(hào)的寫入時(shí)的再現(xiàn)信號(hào)的信噪比變成良好的級(jí)別。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明的磁盤用玻璃基板和磁盤，能夠使被高記錄密度化的磁盤的再現(xiàn)信號(hào)的snr提高。

附圖說明

圖1是用于說明在記錄位長度長的情況和記錄位長度短的情況下的、磁盤用玻璃基板上存在大斜率的部位的情況的影響的圖。

圖2是用于說明在基板與磁記錄層之間的膜厚厚的情況和膜厚薄的情況下的、基板上存在大斜率的部位的情況的影響的圖。

圖3是用于說明磁盤用玻璃基板的主表面的斜率的測定方法的圖。

圖4是在第1研磨處理中使用的研磨裝置(雙面研磨裝置)的立體分解圖。

圖5是在第1研磨處理中使用的研磨裝置(雙面研磨裝置)的截面圖。

具體實(shí)施方式

以下，詳細(xì)說明本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法。

[磁盤用玻璃基板]

作為本實(shí)施方式中的磁盤用玻璃基板的材料，可以使用鋁硅酸鹽玻璃、堿石灰玻璃、硼硅酸鹽玻璃等。尤其是從能夠?qū)嵤┗瘜W(xué)強(qiáng)化并且能夠制作主表面平坦度和基板強(qiáng)度優(yōu)異的磁盤用玻璃基板這些方面考慮，可以優(yōu)選使用鋁硅酸鹽玻璃。若為非晶態(tài)的鋁硅酸鹽玻璃則進(jìn)一步優(yōu)選。

對(duì)本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的組成不作限定，但本實(shí)施方式的玻璃基板優(yōu)選為由如下組成構(gòu)成的非晶態(tài)的鋁硅酸鹽玻璃：換算成氧化物基準(zhǔn)，以摩爾％表示，含有50％～75％的sio2；1～15％的al2o3；合計(jì)為5％～35％的選自li2o、na2o和k2o中的至少1種成分；合計(jì)為0％～20％的選自mgo、cao、sro、bao和zno中的至少1種成分；以及合計(jì)為0％～10％的選自zro2、tio2、la2o3、y2o3、ta2o5、nb2o5和hfo2中的至少1種成分。

此外，本實(shí)施方式的玻璃基板優(yōu)選為由如下組成構(gòu)成的非晶態(tài)態(tài)的鋁硅酸鹽玻璃：以質(zhì)量％表示，具有57～75％的sio2；5～20％的al2o3(其中，sio2和al2o3的合計(jì)量在74％以上)；合計(jì)為超過0％且在6％以下的zro2、hfo2、nb2o5、ta2o5、la2o3、y2o3和tio2；超過1％且在9％以下的li2o；5～18％的na2o(其中，質(zhì)量比li2o/na2o在0.5以下)；0～6％的k2o；0～4％的mgo；超過0％且在5％以下的cao(其中，mgo和cao的合計(jì)量在5％以下，并且cao的含量比mgo的含量多)；以及0～3％的sro+bao。

此外，本實(shí)施方式的玻璃基板以氧化物為基準(zhǔn)的質(zhì)量％來表示，還可以是：

sio2：45.60～60％、

al2o3：7～20％、

b2o3：1.00以上且小于8％、

p2o5：0.50～7％、

tio2：1～15％、

ro的合計(jì)量為5～35％(其中，r為zn以及mg)。

在該情況下，進(jìn)一步優(yōu)選為采用cao的含量在3.00％以下；bao的含量在4％以下；以及不含有pbo、as2o3、sb2o3、cl－、no－、so²－、f－成分的玻璃組成(第2玻璃組成)。通過對(duì)這種玻璃實(shí)施晶化處理，能夠制成如下的晶化玻璃：作為主晶相，含有選自ral2o4、r2tio4(其中r為選自zn、mg的一種以上)的一種以上，主晶相的晶粒徑在0.5nm～20nm的范圍，晶化度在15％以下，且比重在2.95以下。

即，也可以是如下的晶化玻璃：含有sio2：45.60～60％、以及al2o3：7～20％、以及b2o3：1.00～小于8％、以及p2o5：0.50～7％、以及tio2：1～15％、以及ro的合計(jì)量為5～35％(其中，r是zn以及mg)的各成分，cao的含量在3.00％以下，bao的含量在4％以下，不含有pbo成分、as2o3成分、sb2o3成分以及cl^－、no^－、so^2－、f^－成分，作為主晶相，含有選自ral2o4、r2tio4(其中，r是選自zn、mg中的1種以上)中的一種以上，主晶相的晶體粒徑在0.5nm～20nm的范圍，晶化度在15％以下，且比重在2.95以下。

此外，在本實(shí)施方式中使用的玻璃的組成例如是，

sio2：35～65摩爾％；

al2o3：5～25摩爾％；

mgo：10～40摩爾％；

tio2：5～15摩爾％。

此時(shí)，優(yōu)選為上述組成的合計(jì)至少在92摩爾％以上的玻璃組成(第1玻璃組成)。通過對(duì)這種玻璃實(shí)施晶化處理，能夠制成主晶體成為頑輝石及/或其固態(tài)溶液的晶化玻璃。

本實(shí)施方式中的磁盤用玻璃基板是圓環(huán)狀的薄板玻璃基板。磁盤用玻璃基板的尺寸沒有限制，但是，例如優(yōu)選為公稱直徑為2.5英寸的磁盤用玻璃基板。

本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的主表面在以大概10nm的間隔取得了斜率的樣本的情況下，斜率的平方的平均值在0.0025以下，并且斜率的平方的值在0.004以上的頻次在15％以下。更優(yōu)選的是，斜率的平方的值在0.004以上的頻次在10％以下。通過使主表面為這種形狀，由此在主表面上形成有大斜率的部位變得極少，因此，幾乎不存在形成在磁盤用玻璃基板上的磁記錄層的晶體取向相對(duì)于與主表面垂直的方向大幅傾斜，或者晶體不適當(dāng)生長的情況。

另外，僅通過縮小玻璃基板的主表面的斜率的偏差，無法實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的課題。雖然也存在通過縮小主表面的斜率的偏差(斜率的方差等)使得主表面中的大斜率的頻次變小的傾向，但是，斜率本身的分布并不限于遵從正態(tài)分布，因此，即使在存在相同程度的斜率的偏差的情況下，也可能會(huì)產(chǎn)生包含大斜率的頻次大不相同的情況。當(dāng)包含大斜率的頻次增大時(shí)，存在大斜率的部位的磁信號(hào)有可能會(huì)變成噪聲。因此，除了通過使斜率的平方的平均值在規(guī)定值以下，還使斜率的平方的值在一定量以上的頻次降低，從而能夠得到在主表面上大斜率少的玻璃基板。

尤其是，關(guān)于被高記錄密度化的磁盤，雖然記錄位長度變得非常地短，但是，即使在該情況下，磁盤的再現(xiàn)信號(hào)的snr也會(huì)變得良好。

對(duì)磁盤用玻璃基板(以下，僅稱作“基板”。)的主表面的斜率的測定方法進(jìn)行說明。在對(duì)主表面的斜率進(jìn)行測定時(shí)，使用afm(原子力顯微鏡)進(jìn)行。使用afm觀察到的數(shù)據(jù)是在基板的測定面(x-y平面)等間隔排列的高度z(x，y)的數(shù)據(jù)。

例如，如圖3所示，對(duì)在基板的主表面上將1μm×1μm的測定區(qū)域沿x方向以及y方向分別分割成512個(gè)后的位置的高度z(x，y)的值進(jìn)行測定，根據(jù)大概10nm(更正確來說，9.76nm)間隔的z(x，y)的值，并根據(jù)下述式(1)，計(jì)算方均根斜率sdq。

本發(fā)明的“斜率的平方的平均值”是取方均根斜率sdq的平方所得的值。

【式1】

另一方面，相鄰的采樣位置的微小間隔(大概10nm)的主表面的斜率dq通過下述式2表示。

本發(fā)明的“斜率的平方的值”是取斜率dq的平方所得的值。

【式2】

另外，相鄰的采樣位置的距離優(yōu)選為接近被高記錄密度化的磁盤的記錄位長度。按照接近記錄位長度的分辨率來測定斜率，從而，在測量值與磁記錄層的包含于1個(gè)記錄位中的磁性粒的晶體取向之間很容易取得相關(guān)，進(jìn)而也很容易取得與再現(xiàn)信號(hào)的snr之間的相關(guān)。例如，采樣位置的間隔優(yōu)選為假定的記錄位長度(例如，在2000kbpi以上的記錄密度中，大概在12.70nm以下)的一半～2倍程度。

在本發(fā)明中，例如，“斜率的平方的值在0.004以上的頻次在15％以下”是指斜率的平方的值在0.004以上的采樣的數(shù)量與在主表面上取得的斜率的平方的值的采樣的比率(或者比例)在15％以下。

本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板在以大概10nm的間隔進(jìn)行了采樣的情況下，斜率的平方的平均值在0.0025以下，并且斜率的平方的值在0.004以上的頻次在15％以下，因此，在以該玻璃基板為基礎(chǔ)制作出磁盤時(shí)，磁盤的snr提高。

另外，如上所述，從能夠高精度地對(duì)主表面進(jìn)行平滑化，并容易降低大角度的傾斜的頻次的方面考慮，優(yōu)選將本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板制成非晶態(tài)玻璃。此外，通過對(duì)上述非晶態(tài)玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化，能夠在表層形成壓縮應(yīng)力層，提高磁盤用玻璃基板的耐沖擊性。

本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板也可以是晶化玻璃(水晶玻璃)。通過使其為晶化玻璃，能夠提高玻璃基板的硬度從而提高耐沖擊性。

[磁盤用玻璃基板的制造方法]

以下，按照每個(gè)工序說明本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法。但是，也可以對(duì)各處理的順序適當(dāng)進(jìn)行調(diào)換。

(1)玻璃坯板的成型和粗磨削處理

例如在利用浮法形成板狀玻璃之后，從該板狀玻璃切出規(guī)定形狀的玻璃坯板，作為磁盤用玻璃基板的基礎(chǔ)。也可以代替浮法，而通過使用了上模和下膜的沖壓成型來成型出玻璃坯板。另外，玻璃坯板不限于上述方法，可以使用下拉(downdraw)法、再拉(redraw)法、熔融法等公知的制造方法進(jìn)行制造。

另外，對(duì)于玻璃坯板的兩個(gè)主表面，根據(jù)需要，可以進(jìn)行使用了游離磨粒的粗磨削加工。

(2)內(nèi)孔形成處理

例如，使用圓筒狀的鉆頭，在玻璃坯板的中心部形成內(nèi)孔，制成圓環(huán)狀的玻璃坯板。

(3)形狀加工處理

內(nèi)孔形成處理之后，進(jìn)行形狀加工處理，在端部(外周端部和內(nèi)周端部)形成倒角部。在形狀加工處理中，對(duì)于圓環(huán)狀的玻璃坯板的外周端部和內(nèi)周端部，例如通過使用金剛石磨粒的砂輪等實(shí)施倒角，形成倒角部。此外，此時(shí)也可以同時(shí)調(diào)整外徑以及內(nèi)徑。

(4)端面研磨處理

接著，進(jìn)行圓環(huán)狀的玻璃坯板的端面研磨。

在端面研磨中，利用刷光(brushing)研磨對(duì)玻璃坯板的內(nèi)周側(cè)的側(cè)壁面(端面)和外周側(cè)的側(cè)壁面(端面)進(jìn)行鏡面拋光。此時(shí)，使用含有氧化鈰或氧化鋯等微粒作為游離磨粒的漿料。通過進(jìn)行端面研磨，進(jìn)行除去在玻璃坯板的側(cè)壁面附著灰塵等的污染、破損或傷痕等的損傷，由此可以防止熱粗糙的產(chǎn)生、防止產(chǎn)生鈉、鉀等的導(dǎo)致腐蝕的離子析出。

(5)精磨削處理

在精磨削處理中，使用具備行星齒輪機(jī)構(gòu)的雙面磨削裝置對(duì)圓環(huán)狀的玻璃坯板的主表面進(jìn)行磨削加工。磨削的余量例如為幾μm～100μm左右。雙面磨削裝置具有上下一對(duì)定盤(上定盤和下定盤)，在上定盤和下定盤之間夾持圓環(huán)狀的玻璃坯板。并且，對(duì)上定盤或下定盤的任意一方或兩方進(jìn)行移動(dòng)操作，使玻璃坯板和各定盤進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此可以對(duì)玻璃坯板的兩個(gè)主表面進(jìn)行磨削。作為定盤，可以使用在其表面粘貼有利用樹脂固定了金剛石等磨粒的固定磨粒的定盤。

(6)第1研磨(主表面研磨)處理

接著，對(duì)磨削后的玻璃坯板的主表面實(shí)施第1研磨。第1研磨的余量例如為1μm～50μm左右。第1研磨的目的在于通過利用固定磨粒進(jìn)行的磨削進(jìn)行殘留在主表面的傷痕和失真的去除、起伏和微小起伏的調(diào)整。作為在第1研磨中使用的游離磨粒，例如使用懸浮在漿料中的氧化鈰磨粒、或者氧化鋯磨粒等(粒子尺寸：直徑為1～2μm左右)。

(6-1)研磨裝置

對(duì)于第1研磨處理中使用的研磨裝置，參照?qǐng)D4和圖5進(jìn)行說明。圖4是在第1研磨處理中使用的研磨裝置(雙面研磨裝置)的立體分解圖。圖5是在第1研磨處理中使用的研磨裝置(雙面研磨裝置)的截面圖。另外，與該研磨裝置同樣的構(gòu)成也可以適用于上述磨削處理中使用的磨削裝置中。

如圖4所示，研磨裝置具有上下一對(duì)定盤、即上定盤40和下定盤50。上定盤40和下定盤50之間夾持圓環(huán)狀的玻璃坯板g，通過對(duì)上定盤40或下定盤50中的任意一方或兩方進(jìn)行移動(dòng)操作，使玻璃坯板g和各定盤進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，由此可以對(duì)該玻璃坯板g的兩個(gè)主表面進(jìn)行研磨。

參照?qǐng)D4和圖5對(duì)研磨裝置的構(gòu)成進(jìn)一步進(jìn)行具體說明。

研磨裝置中，在下定盤50的上表面和上定盤40的底面上，作為整體安裝有圓環(huán)形狀的平板的研磨墊10。載具30具有設(shè)置在外周部且與太陽齒輪61和內(nèi)齒輪62嚙合的齒部31、和用于容納保持玻璃坯板g的1個(gè)或多個(gè)孔部32。太陽齒輪61、在外邊緣設(shè)置的內(nèi)齒輪62和圓板狀的載具30作為整體構(gòu)成以中心軸ctr為中心的行星齒輪機(jī)構(gòu)。圓板狀的載具30在內(nèi)周側(cè)與太陽齒輪61嚙合，且在外周側(cè)與內(nèi)齒輪62嚙合，同時(shí)容納保持1塊或多塊玻璃坯板g(工件)。在下定盤50上，載具30作為行星齒輪在進(jìn)行自轉(zhuǎn)的同時(shí)進(jìn)行公轉(zhuǎn)，使玻璃坯板g和下定盤50進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)。例如，若太陽齒輪61沿ccw(逆時(shí)針)的方向旋轉(zhuǎn)，則載具30沿cw(順時(shí)針)的方向旋轉(zhuǎn)，內(nèi)齒輪62沿ccw的方向旋轉(zhuǎn)。其結(jié)果使研磨墊10和玻璃坯板g之間產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)?？梢酝瑯拥厥共Ａ靼錱和上定盤40進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)。

上述相對(duì)運(yùn)動(dòng)的動(dòng)作中，上定盤40被以規(guī)定的負(fù)荷朝向玻璃坯板g(即在鉛直方向上)按壓，研磨墊10被朝向玻璃坯板g按壓。另外，通過未圖示的泵將研磨液(漿料)從研磨液供給罐71經(jīng)由1根或多根配管72供給至玻璃坯板g和研磨墊10之間。通過該研磨液中含有的研磨件對(duì)玻璃坯板g的主表面進(jìn)行研磨。

另外，對(duì)研磨墊可以使用任意的材料，但是，優(yōu)選使用由聚氨酯的樹脂拋光材料構(gòu)成的研磨墊。

另外，在該研磨裝置中，出于對(duì)玻璃坯板g設(shè)定所期望的研磨負(fù)荷的目的，優(yōu)選調(diào)整施加給玻璃坯板g的上定盤40的負(fù)荷。從實(shí)現(xiàn)高研磨速度的觀點(diǎn)出發(fā)，負(fù)荷優(yōu)選為50g/cm²以上，更優(yōu)選為70g/cm²以上，進(jìn)一步優(yōu)選為90g/cm²以上。并且從減少刮擦以及品質(zhì)穩(wěn)定化的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨負(fù)荷優(yōu)選為180g/cm²以下，更優(yōu)選為160g/cm²以下，進(jìn)一步優(yōu)選為140g/cm²以下。即，負(fù)荷優(yōu)選為50g/cm²～180g/cm²，更優(yōu)選為70g/cm²～160g/cm²，進(jìn)一步優(yōu)選為90g/cm²～140g/cm²。

研磨加工時(shí)的研磨液的供給速度因研磨墊10、研磨液的組成和濃度、玻璃坯板g的尺寸的不同而不同，但從提高研磨速度的觀點(diǎn)出發(fā)，研磨加工時(shí)的研磨液的供給速度優(yōu)選為500ml/分鐘～5000ml/分鐘，更優(yōu)選為1000ml/分鐘～4500ml/分鐘，進(jìn)一步優(yōu)選為1500ml/分鐘～4000ml/分鐘。研磨墊10的轉(zhuǎn)速優(yōu)選為10rpm～50rpm，更優(yōu)選為20rpm～40rpm，進(jìn)一步優(yōu)選為25rpm～35rpm。

在第1研磨處理中，對(duì)于玻璃坯板的主表面的表面凹凸，進(jìn)行研磨使得粗糙度(ra)為0.5nm以下且使微觀波紋度(mw-rq)為0.5nm以下。此處，微觀波紋度可以以rms(rq)值表示，rms(rq)值是作為主表面的區(qū)域中的波段為100μm～500μm的粗糙度而算出的，例如可以使用光學(xué)式的表面形狀測定裝置進(jìn)行計(jì)測。

主表面的粗糙度以根據(jù)jisb0601：2001所規(guī)定的算術(shù)平均粗糙度ra表示，例如可以用afm進(jìn)行計(jì)測。在本申請(qǐng)中，可以使用在1μm×1μm見方的測定區(qū)域中按照512×512像素的分辨率進(jìn)行測定時(shí)的算術(shù)平均粗糙度ra。

(7)化學(xué)強(qiáng)化處理

接著，對(duì)第1研磨后的玻璃坯板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化。

作為化學(xué)強(qiáng)化液，可以使用例如硝酸鉀和硫酸鈉的混合液等。

由此，將玻璃坯板浸漬于化學(xué)強(qiáng)化液中，由此玻璃坯板的表層的鋰離子和鈉離子分別被置換成化學(xué)強(qiáng)化液中的離子半徑相對(duì)大的鈉離子和鉀離子，玻璃坯板得到強(qiáng)化。

(8)第2研磨處理

接著，使用與第1研磨相同的雙面研磨裝置對(duì)經(jīng)過化學(xué)強(qiáng)化且被充分清洗的玻璃坯板實(shí)施最終研磨。此時(shí)，樹脂拋光材料使用軟質(zhì)拋光材料(絨面革)的研磨墊(例如，askerc硬度為75的發(fā)泡聚氨酯)。研磨墊的硬度優(yōu)選為askerc硬度為60～90的范圍內(nèi)。該第2研磨處理是用于維持在上述第1研磨處理中得到的平坦的表面，且例如使玻璃基板主表面的表面粗糙度ra成為0.15nm以下的平滑的鏡面的鏡面研磨加工。作為研磨液，使用分散有膠態(tài)氧化硅(平均粒徑(d50)為10～50nm)的ro水，并以規(guī)定的含量添加了硫酸鋁并使其溶解而得到的研磨液。硫酸鋁的濃度優(yōu)選為0.001～1摩爾/l。另外，此處，平均粒徑(d50)是指在以通過光散射法測定出的粒度分布中的粉體集群的總體積作為100％而求出累積曲線時(shí)，該累積曲線成為50％的點(diǎn)的粒徑，例如使用粒徑/粒度分布測定裝置進(jìn)行測定而得到的值。

接著，直接使用相同的雙面研磨裝置進(jìn)行漂洗處理。在漂洗處理中，例如，使用如下的漂洗液：使向研磨墊與玻璃基板之間供給的處理液為ro水，并適量添加硫酸鋁并使其溶解。硫酸鋁的濃度可以與上述相同。

將結(jié)束了上述漂洗處理的玻璃基板浸漬在清洗槽中，進(jìn)行超聲波清洗并干燥。由此能夠得到磁盤用玻璃基板。另外，通過在酸性的清洗液中的清洗，主表面會(huì)變得粗糙，主表面的傾斜角的偏差會(huì)惡化，因此最好使用中性或者堿性的清洗液。另外，在使用中性或者堿性的清洗液時(shí)，清洗液的ph優(yōu)選在6～11的范圍內(nèi)。此外，優(yōu)選不使用ph在5以下的酸性的清洗液。

通過第2研磨處理以及漂洗處理，然后經(jīng)過清洗，能夠得到主表面上的斜率的偏差小且大斜率的頻次低的磁盤用玻璃基板。即，在以大概10nm的間隔取得了斜率的樣本的情況下，得到斜率的平方的平均值在0.0025以下、且斜率的平方的值在0.004以上的頻次在10％以下的磁盤用玻璃基板。另外，關(guān)于主表面的斜率的大小，還可以通過研磨時(shí)間、漂洗時(shí)間以及清洗時(shí)間來適當(dāng)進(jìn)行調(diào)整。

以上，按照每個(gè)處理說明了本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法，但是，處理的順序也不限于上述順序。此外，也可以根據(jù)其用途或者玻璃組成而省略化學(xué)強(qiáng)化處理。

[磁盤]

磁盤是在本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板上具有磁記錄層的磁記錄介質(zhì)。

磁盤例如具有如下結(jié)構(gòu)：在磁盤用玻璃基板(下面適當(dāng)稱為“基板”)的主表面上，自靠近主表面的一側(cè)起至少依次層積有附著層、基底層、磁記錄層、保護(hù)層、潤滑層。

例如，將基板導(dǎo)入進(jìn)行了抽真空后的成膜裝置內(nèi)，利用dc磁控濺射法在ar氣氛中，在基板的主表面上依次成膜出附著層至磁記錄層。作為附著層可以使用例如crti，作為基底層可以使用例如crru。作為磁記錄層，可以使用例如copt系合金。上述成膜后，例如通過cvd法使用c2h4成膜出保護(hù)層，在同一腔室內(nèi)，進(jìn)行對(duì)表面導(dǎo)入氮的氮化處理，由此能夠形成磁記錄介質(zhì)。之后，例如通過浸漬涂布法在保護(hù)層上涂布pfpe(パーフルオロポリエーテル(全氟聚醚))，由此能夠形成潤滑層。

此外，在附著層與磁記錄層之間，可以利用濺射法(包括dc磁控管濺射法、rf磁控管濺射法等)、真空蒸鍍法等公知的成膜方法形成sul(軟磁性層)、種子層、中間層等。上述各層的詳細(xì)內(nèi)容可以參照例如日本特開2009－110626號(hào)的第[0027]～[0032]段。

另外，如前所述，通過使用本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板，即使sul的膜厚在30nm以下，也能夠得到高的snr。

另外，本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的組成還可以是，作為必要成分含有從由sio2、li2o、na2o、以及mgo、cao、sro和bao構(gòu)成的組中選擇的一種以上的堿土金屬氧化物，cao的含量相對(duì)于mgo、cao、sro和bao的合計(jì)含量的摩爾比(cao/(mgo+cao+sro+bao))在0.20以下，玻璃化溫度在650℃以上。這種組成的磁盤用玻璃基板適用于在能源輔助磁記錄用磁盤中使用的磁盤用玻璃基板。

關(guān)于能源輔助磁記錄用磁盤，考慮優(yōu)選使用高ku磁性材料形成磁記錄層。例如，磁記錄層可以為包含以fe及/或co與pt的合金為主要成分的磁性材料的l10有序合金。為了得到這種磁記錄層，進(jìn)行如下的退火處理，即在基板的主表面對(duì)以fe及/或co與pt的合金為主要成分的磁性材料進(jìn)行了成膜后，被有序化。此處，上述退火處理通常在500℃的高溫下進(jìn)行。因此，當(dāng)構(gòu)成基板的玻璃缺乏耐熱性時(shí)，在高溫下會(huì)發(fā)生變形，平坦性被破壞。與此相對(duì)，上述組成的基板示出了優(yōu)異的耐熱性(作為玻璃化溫度在650℃以上)，因此，在退火處理后，也能夠維持高的平坦性。

此外，本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板也可以是晶化玻璃。

在通過晶化處理制作晶化玻璃時(shí)，例如，也可以進(jìn)行如下的處理。具體而言，例如，在多個(gè)玻璃基板各自的玻璃基板之間夾持盤狀的被稱作設(shè)置器(setter)的板，放入到加熱爐中進(jìn)行熱處理。設(shè)置器也能夠?yàn)樘沾芍啤Ｔ跓崽幚碇?，例如，在核形成溫度下保持?guī)定時(shí)間，之后，在晶體生長溫度下保持規(guī)定時(shí)間，由此使玻璃基板晶化。核形成以及晶體生長的溫度和時(shí)間可以根據(jù)玻璃基板的玻璃組成適當(dāng)設(shè)定。在加熱后的冷卻中，優(yōu)選調(diào)整冷卻速度，以使得在玻璃基板中不產(chǎn)生失真或撓曲。

晶化后的玻璃基板例如能夠使用通過粉末x-射線衍射法獲得的衍射強(qiáng)度分布來判定是否晶化。另外，從縮小玻璃基板的主表面的表面粗糙度這一點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使晶相的平均晶粒徑在10nm以下的晶體析出。

被晶化的玻璃(以下，稱作晶化玻璃)是一種對(duì)非晶質(zhì)的玻璃進(jìn)行加熱由此使晶體在玻璃內(nèi)部析出的結(jié)構(gòu)的材料，能夠與非晶質(zhì)玻璃區(qū)分開來。

在本實(shí)施方式中，作為晶化處理后的玻璃基板的楊氏模量，優(yōu)選為100gpa以上，更優(yōu)選為120gpa以上。由此，能夠制成抗折強(qiáng)度和耐沖擊性高的玻璃基板。從提高耐沖擊性的觀點(diǎn)考慮，所述晶化處理后的玻璃基板的抗折強(qiáng)度優(yōu)選在7kgf以上，尤其優(yōu)選在8kgf以上。由此，作為面向10000rpm以上的高速旋轉(zhuǎn)的hdd(硬盤驅(qū)動(dòng)裝置)，能夠獲得適宜的磁盤用玻璃基板。

[實(shí)施例、比較例]

為了確認(rèn)本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法的效果，使用制成的磁盤用玻璃基板，制作了2.5英寸的磁盤。制作出的磁盤用玻璃基板的玻璃組成1如下所述。

(玻璃組成1)

以質(zhì)量％表示，是由具有65.08％的sio2、15.14％的al2o3、3.61％的li2o、10.68％的na2o、0.35％的k2o、0.99％的mgo、2.07％的cao、1.98％的zro2、0.10％的fe2o3的組成構(gòu)成的非晶態(tài)的鋁硅酸鹽玻璃，玻璃化溫度在510℃。

[實(shí)施例、比較例的磁盤用玻璃基板的制作]

按照順序進(jìn)行本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法的各處理。

此處，

(1)的玻璃坯板的成型使用了沖壓成型方法。在粗磨削中，使用了氧化鋁系游離磨粒。

(4)的端面研磨中，使用氧化鈰作為游離磨粒，利用研磨刷進(jìn)行了研磨。

(5)的精磨削中，使用磨削裝置進(jìn)行磨削，該磨削裝置中，將利用樹脂結(jié)合劑固定了金剛石磨粒的固定磨粒粘貼在定盤上。

(6)的第1研磨中，使用圖4和圖5的研磨裝置研磨了60分鐘。使用了硬質(zhì)聚氨酯墊作為平均粒徑為1μm的氧化鈰磨粒研磨墊。

(7)的化學(xué)強(qiáng)化中，使用硝酸鉀(60重量％)與硝酸鈉(40重量％)的混合液等作為化學(xué)強(qiáng)化液，將化學(xué)強(qiáng)化液的溫度設(shè)為350℃，使預(yù)先預(yù)熱到200℃的玻璃坯板在化學(xué)強(qiáng)化液內(nèi)浸漬4小時(shí)。

(8)的第2研磨中，使用與圖4和圖5同樣的另一研磨裝置進(jìn)行了研磨。拋光材料使用了軟質(zhì)拋光材料(絨面革)的研磨墊(askerc硬度為75的發(fā)泡聚氨酯)。作為研磨液，使用了分散有膠態(tài)氧化硅(平均粒徑(d50)為30μm)的ro水，并以0.01摩爾/l的含量添加硫酸鋁并使其溶解而得到的研磨液。負(fù)荷為100g/cm²，將研磨余量設(shè)為5μm。接著，直接使用相同研磨裝置進(jìn)行漂洗處理。在漂洗處理中，使用了以向研磨墊與玻璃坯板之間供給的處理液作為ro水，并以0.01摩爾/l的含量添加硫酸鋁并使其溶解而得到的漂洗液。負(fù)荷為100g/cm²，將處理時(shí)間設(shè)為5分鐘。將結(jié)束了上述漂洗處理的玻璃基板浸漬在分別充滿了中性洗滌劑、堿性清洗液(ph在10以下)、純水、ipa的清洗槽中，進(jìn)行超聲波清洗，之后通過ipa(蒸汽干燥)進(jìn)行了干燥。由此能夠得到磁盤用玻璃基板。制作成的磁盤用玻璃基板是公稱2.5英寸(內(nèi)徑為20mm、外徑為65mm、板厚為0.635mm)的磁盤用的基板。

利用第2研磨的研磨時(shí)間以及清洗時(shí)間來調(diào)整主表面的斜率，由此，得到了表1的實(shí)施例以及比較例的磁盤用玻璃基板。使用afm測定了制成的磁盤用玻璃基板的主表面的表面性狀。如與圖3關(guān)聯(lián)地所說明地，對(duì)將制作成的磁盤用玻璃基板的主表面上的1μm×1μm的測定區(qū)域沿x方向以及y方向分別分割成512個(gè)后的位置的高度進(jìn)行測定，算出了以大概10nm(準(zhǔn)確來說，1000/512*5＝9.76nm)為間隔的斜率的平方的平均值、以及斜率的平方的值在0.004以上的頻次。另外，將測定位置設(shè)為距中心22mm的主表面上，計(jì)算出了2次的測定結(jié)果的平均值。

其結(jié)果是，斜率的平方的平均值大于0.0025、以及斜率的平方的平均值在0.0025以下且斜率的平方的值在0.004以上的頻次超過15％的為比較例(表1的比較例1，2)，斜率的平方的平均值在0.0025以下、且斜率的平方的值在0.004以上的頻次在15％以下的為實(shí)施例(表1的實(shí)施例1，2)。

另外，關(guān)于實(shí)施例的磁盤用玻璃基板，當(dāng)使用afm，在1μm×1μm見方的測定區(qū)域中，按照512×512像素的分辨率測定了算術(shù)平均粗糙度ra時(shí)，全部在0.15nm以下。

[實(shí)施例、比較例的磁盤的制作]

接著根據(jù)比較例以及實(shí)施例的磁盤用玻璃基板，制作了磁盤。

另外，如下進(jìn)行了對(duì)磁盤用玻璃基板的成膜。首先，使用進(jìn)行抽真空后的成膜裝置，利用dc磁控濺射法在ar氣氛中，在基板上依次成膜出了附著層、sul、前基底層、基底層、磁記錄層、輔助記錄層、保護(hù)層、潤滑層。另外，在沒有特別預(yù)先說明的情況下，成膜時(shí)的ar氣體壓力在0.6pa下進(jìn)行。作為附著層，將cr－50ti成膜4nm。作為sul，夾持0.7nm的ru層，分別將92co－3ta－5zr成膜10nm。作為前基底層，將ni－10w成膜8nm。作為基底層，在0.6pa下將ru成膜10nm的基礎(chǔ)上，再在5pa下將ru成膜10nm。作為磁記錄層，在3pa下將90(72co－10cr－18pt)－5(sio2)－5(tio2)成膜15nm。作為輔助記錄層，將62co－18cr－15pt－5b成膜6nm。作為保護(hù)層，通過cvd法使用c2h4成膜4nm，并對(duì)表層進(jìn)行了氮化處理。作為潤滑層，通過浸漬涂布法使用pfpe(パーフルオロポリエーテル(全氟聚醚))，形成1nm。

通過以上的制造工序，得到了與比較例以及實(shí)施例的磁盤用玻璃基板對(duì)應(yīng)的磁盤。

通過平面tem對(duì)磁記錄層的磁性粒的粒徑(直徑)進(jìn)行了調(diào)查，平均為8nm。此外，通過截面tem對(duì)成膜狀態(tài)進(jìn)行了確認(rèn)，crti和sul在非晶態(tài)狀態(tài)下看不到晶界等，但是，從niw至輔助記錄層觀察到了晶界，并觀察到了呈列狀進(jìn)行了晶體生長的情形。

[實(shí)施例、比較例的磁盤的評(píng)價(jià)]

按照以下的條件，對(duì)制作成的磁盤進(jìn)行了再現(xiàn)信號(hào)的snr(信噪比)的測定。另外，使用了dfh機(jī)構(gòu)搭載頭。利用dfh機(jī)構(gòu)將記錄再現(xiàn)元件部的前端與磁盤表面之間的距離設(shè)定為1nm。

·信號(hào)寫入時(shí)的線記錄密度為2000kbpi

·磁盤的轉(zhuǎn)速為5400rpm

另外，在將ref(基準(zhǔn))設(shè)為比較例1的snr時(shí)，snr的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)如下?！鹨约啊稹稹ⅰ稹稹馂楹细?。

○○○：ref+0.5[db]≤snr

○○：ref+0.3[db]≤snr

○：ref<snr<ref+0.3[db]

×：ref同等以下

【表1】

根據(jù)表1的結(jié)果可知，關(guān)于斜率的平方的平均值在0.0025以下、且斜率的平方的值在0.004以上的頻次在15％以下的實(shí)施例，作為磁盤，得到了良好的snr。關(guān)于斜率的平方的值在0.004以上的頻次在10％以下的實(shí)施例，作為磁盤，得到了更良好的snr。這是由于，實(shí)施例的磁盤用玻璃基板上的傾斜整體變小，并且包含大傾斜的頻次低，因此，幾乎不存在實(shí)施例的形成在磁盤用玻璃基板上的磁記錄層的晶體取向相對(duì)于與主表面垂直的方向大幅傾斜，或者晶體不恰當(dāng)生長的情況。

[在不同的玻璃組成中的評(píng)價(jià)]

接著，為了進(jìn)一步確認(rèn)本實(shí)施方式的磁盤用玻璃基板的制造方法的效果，使用與上述組成1不同的組成2的磁盤用玻璃基板，制作了2.5英寸的磁盤。磁盤用玻璃基板的制作方法與組成1的情況(即，上述(1)～(8))相同。玻璃的組成2如下所述。另外，作為使用于在能源輔助磁記錄用磁盤中使用的磁盤用玻璃基板的玻璃的組成，優(yōu)選玻璃的組成2。

(玻璃的組成2)

65摩爾％(64.7質(zhì)量％)的sio2、6摩爾％(10.13質(zhì)量％)的al2o3、1摩爾％(0.5質(zhì)量％)的li2o、9摩爾％(9.24質(zhì)量％)的na2o、17摩爾％(11.35質(zhì)量％)的mgo、0摩爾％(0質(zhì)量％)的cao、0摩爾％(0質(zhì)量％)的sro、0摩爾％(0質(zhì)量％)的bao、2摩爾％(4.08質(zhì)量％)的zro2。

另外，是cao的含量相對(duì)于mgo、cao、sro以及bao的合計(jì)含量的摩爾比(cao/(mgo+cao+sro+bao))為0，且玻璃化溫度為671℃的非晶態(tài)的鋁硅酸鹽玻璃。

根據(jù)上述玻璃組成2的玻璃，制作出了使第2研磨處理中的研磨時(shí)間與實(shí)施例1的情況相同的磁盤用玻璃基板(實(shí)施例6)。其結(jié)果是，與實(shí)施例1相同，斜率的平方的平均值在0.0025以下、且斜率的平方的值在0.004以上的頻次在15％以下。由此，在根據(jù)實(shí)施例6制作出磁盤的情況下，與實(shí)施例1的情況相同，也可認(rèn)為幾乎不存在磁記錄層的晶體取向相對(duì)于與主表面垂直的方向大幅傾斜，或者晶體不恰當(dāng)生長的情況，可以期待能夠得到與實(shí)施例1同樣良好的snr。

以上，詳細(xì)說明了本發(fā)明的磁盤用玻璃基板、磁盤，但是，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)，當(dāng)然可以進(jìn)行各種改良和變更。

標(biāo)號(hào)說明

10：研磨墊；30：載具；40：上定盤；50：下定盤；61：太陽齒輪；62：內(nèi)齒輪；71：研磨液供給罐；72：配管。