本發(fā)明的實(shí)施方式涉及使用具有高頻振蕩器的記錄頭的盤裝置和記錄頭的驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

近年來，提出了如下高頻輔助記錄方式的磁頭：在記錄頭設(shè)置自旋扭矩振蕩器作為高頻振蕩器，在進(jìn)行記錄時(shí)，從自旋扭矩振蕩器向磁盤的磁記錄層施加高頻磁場。關(guān)于高頻輔助記錄中使用的自旋扭矩振蕩器，提出了組合垂直膜和軟磁性層而成的非對稱型以及組合兩層等效的軟磁性層并以光學(xué)模式進(jìn)行振蕩的對象型。

對象型的自旋扭矩振蕩器有時(shí)因加工偏差而產(chǎn)生一些非對稱性。自旋扭矩振蕩器的振蕩效率有時(shí)因這樣的加工時(shí)的偏差而下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施方式，提供能夠?qū)崿F(xiàn)高頻振蕩器的振蕩效率的提高的盤裝置和記錄頭的驅(qū)動(dòng)方法。

實(shí)施方式的盤裝置具有：盤，其具有記錄層；記錄頭，其具有向所述記錄層施加記錄磁場的主磁極、以及與所述主磁極相鄰地設(shè)置，向所述記錄層施加高頻磁場的高頻振蕩器；電流供給電路，其對所述高頻振蕩器進(jìn)行通電；以及切換電路，其切換對所述高頻振蕩器的通電方向。

附圖說明

圖1是概略性示出第1實(shí)施方式的磁盤裝置(HDD)的框圖。

圖2是示出所述HDD中的磁頭、懸架、記錄介質(zhì)的側(cè)視圖。

圖3是將所述磁頭的頭部和磁盤的一部分放大而概略性示出的剖視圖。

圖4是將記錄頭的前端部和自旋扭矩振蕩器(STO)放大而示出的剖視圖。

圖5是從空氣支承面?zhèn)扔^察所述記錄頭而得到的記錄頭的俯視圖。

圖6是示出所述記錄頭中的通電方向的設(shè)定動(dòng)作的流程圖。

圖7(a)和7(b)是示意性示出實(shí)施例的STO的振蕩層和通電方向的俯視圖。

圖8是示出以負(fù)通電方向?qū)ι鲜鰧?shí)施例的STO進(jìn)行通電的情況下的STO的振蕩行為的圖。

圖9是示出以正通電方向?qū)ι鲜鰧?shí)施例的STO進(jìn)行通電的情況下的STO的振蕩行為的圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖，對實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。

(第1實(shí)施方式)

圖1是將第1實(shí)施方式的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)作為盤裝置而概略性示出的框圖，圖2是示出懸浮狀態(tài)的磁頭和磁盤的側(cè)視圖。

如圖1所示，HDD 10具有矩形的殼體11、配設(shè)在殼體11內(nèi)的作為記錄介質(zhì)的磁盤12、支承磁盤12并使其旋轉(zhuǎn)的主軸馬達(dá)14、以及向磁盤12進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入和讀出的多個(gè)磁頭16。此外，HDD 10具有使磁頭16在磁盤12上的任意磁道上移動(dòng)并定位的頭致動(dòng)器18。頭致動(dòng)器18包含以能夠移動(dòng)的方式支承磁頭16的懸架組件20以及使該懸架組件20轉(zhuǎn)動(dòng)的音圈馬達(dá)(VCM)22。

HDD 10具有頭放大器IC 30和主控制器40。頭放大器IC 30例如設(shè)置于懸架組件20，與磁頭16電連接。主控制器40例如由設(shè)置在殼體11的背面?zhèn)鹊奈磮D示的控制電路基板構(gòu)成。主控制器40具有R/W通道42、硬盤控制器(HDC)44、微處理器(MPU)46和驅(qū)動(dòng)器IC 48。主控制器40經(jīng)由頭放大器IC 30和驅(qū)動(dòng)器IC 48與VCM 22和主軸馬達(dá)14電連接。HDD 10可以與未圖示的主機(jī)連接。

如圖1和圖2所示，磁盤12構(gòu)成為垂直磁記錄介質(zhì)。磁盤12例如形成為直徑約2.5英寸(6.35cm)的圓板狀，并具有包括非磁性體的基板101。在基板101的各表面，依次層疊有作為基底層的軟磁性層102以及層疊在其上層部的磁記錄層103和保護(hù)膜104。磁盤12與主軸馬達(dá)14的輪轂(hub)彼此同軸地嵌合。磁盤12通過主軸馬達(dá)14以預(yù)定的速度沿箭頭B方向旋轉(zhuǎn)。

懸架組件20具有以轉(zhuǎn)動(dòng)自如的方式固定于殼體11的軸承部24以及從軸承部24延伸的多個(gè)懸架26。如圖2所示，磁頭16支承在各懸架26的延伸端。磁頭16經(jīng)由設(shè)置于懸架組件20的配線部件28，與頭放大器IC 30電連接。

接下來，對磁頭16的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。圖3是將磁頭的頭部和磁盤的一部分放大而示出的剖視圖，圖4是將記錄頭的前端部和磁盤的一部分放大而示出的剖視圖，圖5是從ABS側(cè)觀察到的記錄頭前端部的俯視圖。

如圖2和圖3所示，磁頭16具有：滑塊15，其構(gòu)成為懸浮型的頭，形成為大致長方體狀；以及頭部17，其形成在滑塊的流出端(尾隨)側(cè)的端部?；瑝K15例如由氧化鋁和碳化鈦的燒結(jié)體(AlTiC)形成，頭部17由多層的薄膜形成。

滑塊15具有與磁盤12的表面相對的矩形的盤相對面(空氣支承面(ABS))13。滑塊15通過因磁盤12的旋轉(zhuǎn)而在盤表面與ABS 13之間產(chǎn)生的空氣流C，維持為從磁盤12的表面懸浮預(yù)定量的狀態(tài)?？諝饬鰿的方向與磁盤12的旋轉(zhuǎn)方向B一致。滑塊15具有位于空氣流C的流入側(cè)的引導(dǎo)端15a和位于空氣流C的流出側(cè)的尾隨端15b。

如圖3所示，頭部17在滑塊15的尾隨端15b具有通過薄膜處理形成的讀取頭54和記錄頭58，形成為分離型的磁頭。此外，頭部17具有自旋扭矩振蕩器(STO)65作為高頻振蕩器。

讀取頭54由磁性膜55以及屏蔽膜56、57構(gòu)成，所述磁性膜55表現(xiàn)出磁阻效應(yīng)，所述屏蔽膜56、57以夾著磁性膜55的方式配置在該磁性膜55的尾隨側(cè)和引導(dǎo)側(cè)。這些磁性膜55、屏蔽膜56、57的下端從滑塊15的ABS 13露出。讀取頭54經(jīng)由未圖示的電極、配線和配線部件28與頭放大器IC 30連接，將讀取出的數(shù)據(jù)輸入到頭放大器IC。

記錄頭58與讀取頭54相對地設(shè)置在滑塊15的尾隨端15b側(cè)。記錄頭58具有：包含高磁導(dǎo)率材料的主磁極60，其產(chǎn)生與磁盤12的表面垂直方向的記錄磁場；尾隨屏蔽件(寫入屏蔽件，第1屏蔽件)62；以及引導(dǎo)屏蔽件(第2屏蔽件)64。主磁極60和尾隨屏蔽件62構(gòu)成形成磁路的第1磁芯，主磁極60和引導(dǎo)屏蔽件64構(gòu)成形成磁路的第2磁芯。記錄頭58具有卷繞于第1磁芯的第1線圈(記錄線圈)70和卷繞于第2磁芯的第2線圈(記錄線圈)72。

如圖3和圖4所示，主磁極60與磁盤12的表面大致垂直地延伸。主磁極60的磁盤12側(cè)的前端部60a朝向盤面，以端部變細(xì)的方式縮窄。關(guān)于主磁極60的前端部60a，截面例如形成為臺(tái)形狀。主磁極60的前端面從滑塊15的ABS 13露出。前端部60a的尾隨側(cè)端面60b的寬度與磁盤12中的磁道的寬度大致對應(yīng)。

由軟磁性體形成的尾隨屏蔽件62配置在主磁極60的尾隨側(cè)，并設(shè)置用于經(jīng)由主磁極60的正下方的磁盤12的軟磁性層102而高效地使磁路閉合。尾隨屏蔽件62形成為大致L字形狀，具有與主磁極60連接的第1連接部50。第1連接部50經(jīng)由非導(dǎo)電體52與主磁極60的上部、即主磁極60的遠(yuǎn)離ABS 13的部分連接。

尾隨屏蔽件62的前端部62a形成為細(xì)長矩形。尾隨屏蔽件62的前端面從滑塊15的ABS 13露出。前端部62a的引導(dǎo)側(cè)端面62b沿著磁盤12的磁道的寬度方向延伸，并與ABS 13大致垂直地延伸。該引導(dǎo)側(cè)端面62b與主磁極60的尾隨側(cè)端面60b以隔著寫入間隙WG而大致平行的方式相對。

第1線圈70配置為卷繞于包含主磁極60和尾隨屏蔽件62的磁路(第1磁芯)。第1線圈70例如繞第1連接部50進(jìn)行卷繞。在向磁盤12寫入信號(hào)時(shí)，使記錄電流流過第1線圈70，由此，第1線圈70使主磁極60勵(lì)磁，使磁通流過主磁極60。

如圖4和圖5所示，STO 65在寫入間隙WG內(nèi)設(shè)置在主磁極60的前端部60a與尾隨屏蔽件62之間，其一部分從ABS 13露出。STO 65使用了組合有兩層等效的軟磁性層并以光學(xué)模式進(jìn)行振蕩的對象型的STO。即，STO 65具有包含磁性層的第1振蕩層(FGL1)65a、中間層(非磁性導(dǎo)電層，例如Cu)65b、包含磁性層的第2振蕩層(FGL2)65c，并使這些層從主磁極60側(cè)朝尾隨屏蔽件62側(cè)依次層疊而構(gòu)成。第1振蕩層65a和第2振蕩層65c期望以彼此具有大致相等的磁體積的方式形成和加工。第1振蕩層65a經(jīng)由非磁性導(dǎo)電層(基底層)66a，與主磁極60的尾隨側(cè)端面60b接合。第2振蕩層65c經(jīng)由非磁性導(dǎo)電層(蓋層)66b，與尾隨屏蔽件62的引導(dǎo)側(cè)端面62b接合。

第1振蕩層65a、中間層65b、第2振蕩層65c分別具有沿與ABS 13交叉例如正交的方向延伸的層疊面或膜面。STO 65的下端面從ABS 13露出，形成為與ABS 13為同一表面。STO 65的寬度SW被設(shè)定為與磁記錄層103的磁道寬度大致相等或小于磁道寬度。STO 65的高度(與ABS 13垂直的方向的高度)SH形成為大致等于或小于尾隨屏蔽件62的引導(dǎo)側(cè)端面62b的高度。

另外，STO 65的下端面不限于位于與ABS 13同一表面的情況，也可以朝高度方向上方從ABS 13分離。此外，第1振蕩層65a、中間層65b、第2振蕩層65c的層疊面或膜面也可以形成為相對于與ABS 13垂直的方向傾斜。

如圖3所示，在主磁極60和尾隨屏蔽件62分別連接有連接端子91、92，這些連接端子91、92經(jīng)由配線與頭放大器IC 30連接。由此，使電流電路構(gòu)成為：能夠使STO電流從頭放大器IC 30通過主磁極60、STO 65、尾隨屏蔽件62而串聯(lián)地通電。

如圖3和圖4所示，由軟磁性體形成的引導(dǎo)屏蔽件64在主磁極60的引導(dǎo)側(cè)與主磁極60相對地設(shè)置。引導(dǎo)屏蔽件64形成為大致L字形狀，磁盤12側(cè)的前端部64a形成為細(xì)長矩形。該前端部64a的前端面(下端面)從滑塊15的ABS 13露出。前端部64a的尾隨側(cè)端面64b沿著磁盤12的磁道的寬度方向延伸。該尾隨側(cè)端面64b與主磁極60的引導(dǎo)側(cè)端面以隔著間隙的方式相對。后述的作為非磁性體的保護(hù)膜絕緣膜位于該間隙中。

引導(dǎo)屏蔽件64在從磁盤12分離的位置具有與主磁極60接合的第2連接部68。該第2連接部68例如由軟磁性體形成，與主磁極60和引導(dǎo)屏蔽件64一同形成磁路。記錄頭58的第2線圈72被配置為卷繞于包含主磁極60和引導(dǎo)屏蔽件64的磁路(第2磁芯)，向該磁路施加磁場。第2線圈72例如繞第2連接部68進(jìn)行卷繞。另外，也可以在第2連接部68的一部分插入非導(dǎo)電體或非磁性體。

第2線圈72與第1線圈70反向地卷繞。第1線圈70和第2線圈72與寫入電流端子95、96分別連接，這些寫入電流端子95、96經(jīng)由配線與頭放大器IC 30連接。第2線圈72也可以與第1線圈70串聯(lián)連接。此外，第1線圈70和第2線圈72可以分別進(jìn)行電流供給控制。向第1線圈70和第2線圈72供給的電流由頭放大器IC 30和主控制器40控制。

如圖5所示，記錄頭58還具有以隔著間隙的方式配置在主磁極60的寬度方向兩側(cè)的一對側(cè)方屏蔽件67。在本實(shí)施方式中，側(cè)方屏蔽件67與尾隨屏蔽件62和引導(dǎo)屏蔽件64形成為一體，通過它們包圍主磁極60的前端部60a和寫入間隙WG。

在上述記錄頭58中，關(guān)于構(gòu)成主磁極60、尾隨屏蔽件62、引導(dǎo)屏蔽件64和側(cè)方屏蔽件67的軟磁性材料，可以從包含F(xiàn)e、Co和Ni中的至少一種的合金或化合物中選擇使用。

如圖3所示，讀取頭54和記錄頭58除了從滑塊15的ABS 13露出的部分以外，被保護(hù)絕緣膜76覆蓋。保護(hù)絕緣膜76構(gòu)成頭部17的外形。

如圖1所示，驅(qū)動(dòng)如上那樣構(gòu)成的磁頭16和記錄頭58的頭放大器IC30具有：記錄電流供給電路81，其經(jīng)由寫入電流端子95、96，向第1線圈70和第2線圈72供給記錄電流；STO電流供給電路82，其用于經(jīng)由未圖示的配線和連接端子91、92，向STO 65供給驅(qū)動(dòng)電流；未圖示的定時(shí)運(yùn)算部，其控制使電流流過記錄電流供給電路81和STO電流供給電路82的時(shí)間和定時(shí)；未圖示的記錄電流波形產(chǎn)生器，其根據(jù)通過R/W通道42產(chǎn)生的記錄模式信號(hào)，產(chǎn)生記錄電流波形；測定電路84，其測定STO 65的振蕩特性、此處測定磁盤12中記錄的數(shù)據(jù)的誤碼率并進(jìn)行比較；以及切換電路83，其根據(jù)STO 65的振蕩特性，切換STO驅(qū)動(dòng)電流的通電方向，設(shè)定良好的通電方向。

在HDD 10動(dòng)作時(shí)，主控制器40在MPU 46的控制下，通過驅(qū)動(dòng)器IC 48驅(qū)動(dòng)主軸馬達(dá)14，使磁盤12以預(yù)定的速度旋轉(zhuǎn)。此外，主控制器40通過驅(qū)動(dòng)器IC 48驅(qū)動(dòng)VCM 22，使磁頭16移動(dòng)和定位到磁盤12的期望的磁道上。

在進(jìn)行記錄時(shí)，頭放大器IC 30的記錄電流供給電路81根據(jù)從R/W通道42產(chǎn)生的記錄信號(hào)、記錄模式，使記錄電流通過第1線圈70和第2線圈72。由此，第1線圈70和第2線圈72使主磁極60勵(lì)磁，從主磁極60產(chǎn)生記錄磁場。

STO電流供給電路82在MPU 46的控制下，向主磁極60和尾隨屏蔽件62施加電壓，由此，使驅(qū)動(dòng)電流通過配線、連接端子91、92、主磁極60、STO 65、尾隨屏蔽件62而串聯(lián)地通電。即，STO電流供給電路82按照第1通電方向+i或相反方向的第2通電方向-i，沿STO 65的第1振蕩層65a和第2振蕩層65c的膜厚方向通過電流。通過進(jìn)行通電，能夠使STO65的第1振蕩層65a和第2振蕩層65c的磁化旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生高頻磁場(微波)。由此，STO 65向磁盤12的磁記錄層103施加高頻磁場，使磁記錄層103的矯頑力下降。在這樣的狀態(tài)下，從記錄頭58向磁記錄層103施加記錄磁場，向磁記錄層103寫入期望的數(shù)據(jù)。

由上述兩層的振蕩層(磁性層)構(gòu)成并以光學(xué)模式進(jìn)行振蕩的STO 65的優(yōu)點(diǎn)在于，對輔助效果有貢獻(xiàn)的高頻磁場的旋轉(zhuǎn)面與記錄介質(zhì)平行；以及兩層振蕩層間的高頻磁場加強(qiáng)而振蕩層的外側(cè)的高頻磁場相消。因此，兩層的振蕩層產(chǎn)生的高頻磁場期望盡可能相同。但是，例如，即使在以相同的成膜厚度來形成第1振蕩層和第2振蕩層的情況下，有時(shí)也因之后的頭個(gè)體的加工偏差而不能得到相同的磁體積。在兩層的磁體積不同的情況下，從磁體積較大一方的振蕩層向磁體積較小一方的振蕩層進(jìn)行通電的話，STO的振蕩效率提高。然而，最終哪個(gè)振蕩層的磁體積較大，取決于細(xì)微加工時(shí)的偏差而在各個(gè)頭產(chǎn)生偏差。因此，STO 65的振蕩特性、振蕩效率有可能根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流的通電方向而產(chǎn)生偏差。

因此，根據(jù)本實(shí)施方式的HDD 10，主控制器40和頭放大器IC 30具有對第1通電方向+i和第2通電方向-i分別測定STO 65的振蕩特性或振蕩效率，切換并設(shè)定為振蕩效率較優(yōu)一方的通電方向的功能，即校正振蕩特性的偏差的功能。

圖6是示出磁頭的驅(qū)動(dòng)方法(通電方向調(diào)整方法)即通過主控制器40和頭放大器IC 30進(jìn)行的通電方向的選擇、設(shè)定動(dòng)作的流程圖。在HDD 10出廠時(shí)或者按預(yù)定的期間，主控制器40執(zhí)行通電方向的選擇和設(shè)定動(dòng)作。

如圖6所示，主控制器40首先設(shè)定記錄電流Iw和檢查用的STO電流Si(ST1)，按3個(gè)條件將記錄信號(hào)記錄到磁盤。第1個(gè)條件為：在斷開STO電流Si的狀態(tài)(零的狀態(tài))下通過記錄電流Iw向磁盤12記錄了信號(hào)之后(ST2)，通過頭放大器IC 30的測定電路84測定所記錄的信號(hào)的誤碼率ER0(ST3)。第2個(gè)條件為：在將STO電流Si的通電方向設(shè)定為第1通電方向+i(正向：例如，從主磁極60通過STO 65流向尾隨屏蔽件62的方向)的狀態(tài)下，在施加STO電流Si和記錄電流Iw而向磁盤12記錄了信號(hào)之后(ST4)，通過測定電路84測定所記錄的信號(hào)的誤碼率ER+(ST3)。第3個(gè)條件為：在將STO電流Si的通電方向設(shè)定為與第1方向相反方向的第2通電方向-i(負(fù)向：例如，從尾隨屏蔽件62通過STO65流向主磁極60的方向)的狀態(tài)下，在施加STO電流Si和記錄電流Iw而向磁盤12記錄了信號(hào)之后(ST5)，通過測定電路84測定所記錄的信號(hào)的誤碼率ER-(ST3)。

接下來，對通過測定電路84測定出的誤碼率ER0、ER+、ER-進(jìn)行比較(ST6)。在誤碼率彼此相等(ER0＝ER+＝ER-)的情況下，即，在誤碼率與有無對STO施加電流無關(guān)地沒有發(fā)生變化的情況下，主控制器40判斷為STO 65的檢查電流Si的絕對值不足，在增大了檢查電流Si的電流值后(ST7)，反復(fù)執(zhí)行上述步驟ST2～ST5。

在比較的結(jié)果為比誤碼率ER-低于誤碼率ER+的情況下(ST8)，切換電路83選擇誤碼率較低即STO 65的振蕩效率良好的第2通電方向-i，將STO電流供給電路82的通電方向切換到第2通電方向-i來設(shè)定通電方向(ST9)。此外，主控制器40將所設(shè)定的第2通電方向-i的STO電流Si的電流值優(yōu)化為適合于記錄動(dòng)作的值(ST10)。

相反，在比較的結(jié)果為誤碼率ER+低于誤碼率ER-的情況下(ST11)，切換電路83選擇誤碼率較低即STO 65的振蕩效率良好的第1通電方向+i，將STO電流供給電路82的通電方向切換到第1通電方向+i來設(shè)定通電方向(ST12)。此外，主控制器40將所設(shè)定的第2通電方向+i的STO電流Si的電流值優(yōu)化為適合于記錄動(dòng)作的值(ST13)。由此，主控制器40結(jié)束通電方向的選擇、設(shè)定動(dòng)作。

如上所述，例如基于誤碼率的大小來選擇STO 65的振蕩效率良好的通電方向，由此，能夠?qū)Ω鱾€(gè)磁頭設(shè)定最優(yōu)的通電方向。由此，能夠提高STO 65的振蕩效率，進(jìn)行高頻輔助效果和通電電流下降的優(yōu)化。

(實(shí)施例)

圖7是示意性示出實(shí)施例的STO的振蕩層和通電方向的俯視圖，圖8是示出以負(fù)通電方向?qū)ι鲜鰧?shí)施例的STO進(jìn)行通電的情況下的STO的振蕩行為的圖，圖9是示出以正通電方向?qū)ι鲜鰧?shí)施例的STO進(jìn)行通電的情況下的STO的振蕩行為的圖。

在磁頭的主磁極和寫入屏蔽件之間形成具有第1振蕩層(FGL1)和第2振蕩層(FGL2)的自旋扭矩振蕩器(STO)。STO的成膜結(jié)構(gòu)為：Ta(3nm)/Cu(2nm)/Fe45Co45Al10原子％(10nm)(FGL1)/Cu(2nm)(中間層)/Fe45Co45Al10原子％(10nm)(FGL2)/Ru(5nm)。通過離子蝕刻(ion milling)，將STO圖案化為一邊為大約40nm的四邊形。針對該磁頭，向主磁極的線圈施加記錄電流，在產(chǎn)生信號(hào)寫入磁場的狀態(tài)下，測定STO的振蕩特性。

圖8示出了如圖7(a)所示那樣以3種施加電壓按負(fù)通電方向?qū)TO通電的情況下的線圈施加電流與STO的電阻變化量之間的關(guān)系。圖9示出了如圖7(b)所示那樣以3種施加電壓按正通電方向?qū)TO通電的情況下的線圈施加電流與STO的電阻變化量之間的關(guān)系。

根據(jù)這些圖8和圖9可知，通過以合適的通電方向進(jìn)行通電，提高了STO的振蕩特性、振蕩效率。即，如圖9所示，在正通電方向的情況下，無論哪一個(gè)施加電壓，電阻變化量都小，與線圈施加電流大致成比例地下降。與此相對，如圖8所示，在負(fù)通電方向的情況下，STO產(chǎn)生的磁化旋轉(zhuǎn)所引起的電阻變化的上升表現(xiàn)得更強(qiáng)。即，可知STO的振蕩效率提高。

通過進(jìn)行剖面電子顯微鏡觀察，在觀察STO的形狀時(shí)，可知第2振蕩層(FGL2)的體積大于第1振蕩層(FGL1)?？芍?，通過振蕩層的磁體積不同，從而對于STO的振蕩效率是否優(yōu)良，表現(xiàn)出極性。即，可知，設(shè)為負(fù)通電方向的情況下，STO的振蕩效率提高。

根據(jù)如上那樣構(gòu)成的本實(shí)施方式，在使用以光學(xué)模式進(jìn)行振蕩的STO的高頻輔助磁盤裝置中，能夠避免因磁頭的加工偏差造成的STO振蕩不良所引起的輔助效果的不足，提高成品率。由此，能夠提供可實(shí)現(xiàn)高頻振蕩器的振蕩效率的提高的盤裝置和磁頭的驅(qū)動(dòng)方法(調(diào)整方法)。

上述STO驅(qū)動(dòng)電流的通電方向調(diào)整影響到記錄頭的記錄性能，因此，在進(jìn)行HDD的初始設(shè)定時(shí)，期望在進(jìn)行記錄能力發(fā)生影響的設(shè)定項(xiàng)目的調(diào)整之前進(jìn)行。在初始設(shè)定中，在以下的5個(gè)項(xiàng)目中進(jìn)行調(diào)整動(dòng)作。

1)頭懸浮調(diào)整、2)記錄再現(xiàn)位置偏移調(diào)整、3)信號(hào)處理參數(shù)調(diào)整、4)線記錄密度和磁道間距優(yōu)化調(diào)整、5)環(huán)境溫度試驗(yàn)

進(jìn)行這些設(shè)定的順序?yàn)榇颂幱浭龅捻樞颉?/p>

STO通電方向調(diào)整在各項(xiàng)目之前進(jìn)行，但不是必須緊接在全部項(xiàng)目之前進(jìn)行。STO通電方向調(diào)整必須在信號(hào)處理參數(shù)調(diào)整之前進(jìn)行，該信號(hào)處理參數(shù)調(diào)整是涉及到最終的記錄性能的設(shè)定。另一方面，關(guān)于頭懸浮調(diào)整，在使用利用了加熱器的熱膨脹的情況下，伴隨相對于STO的體積膨脹，根據(jù)加熱器的溫度設(shè)定值，STO的振蕩行為有可能受到影響。因此，STO電流方向調(diào)整優(yōu)選在頭懸浮調(diào)整之后進(jìn)行。

磁道間距的優(yōu)化調(diào)整根據(jù)對記錄頭施加的線圈電流的大小來進(jìn)行，因此，STO有可能受到一些熱膨脹的影響。因此，關(guān)于STO電流調(diào)整，期望在線記錄密度和磁道間距的優(yōu)化調(diào)整之后，再次執(zhí)行STO通電方向調(diào)整。此外，環(huán)境溫度試驗(yàn)也有可能受到一些熱膨脹的影響。因此，期望在環(huán)境溫度試驗(yàn)之后再次進(jìn)行STO通電方向調(diào)整。

HDD在使用時(shí)，由于磁頭與記錄介質(zhì)的碰撞，有時(shí)會(huì)在磁頭產(chǎn)生一些應(yīng)變。在該情況下，有可能伴隨有STO的變形和/或應(yīng)變。因此，在HDD的使用中，期望在經(jīng)過一定的期間之后和/或在錯(cuò)誤的次數(shù)增加時(shí)進(jìn)行STO的通電方向調(diào)整。例如，在剛剛記錄之后的記錄質(zhì)量確認(rèn)中，在檢測出一定次數(shù)以上的錯(cuò)誤的情況下，有可能通過進(jìn)行STO通電方向調(diào)整而使記錄能力復(fù)原。

本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式本身，在實(shí)施階段中，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)，能夠使構(gòu)成要素變形來進(jìn)行具體化。此外，通過上述實(shí)施方式中公開的多個(gè)構(gòu)成要素的適當(dāng)組合，能夠形成各種發(fā)明。例如，也可以從實(shí)施方式所示的全部構(gòu)成要素中刪除幾個(gè)構(gòu)成要素。而且，也可以適當(dāng)組合不同的實(shí)施方式中的構(gòu)成要素。

例如，高頻振蕩器不限于主磁極的尾隨側(cè)，也可以設(shè)置在主磁極的引導(dǎo)側(cè)。記錄頭不限于具有尾隨屏蔽件和引導(dǎo)屏蔽件的雙芯構(gòu)造，也可以構(gòu)成為僅具有尾隨屏蔽件和引導(dǎo)屏蔽件中的任意一方。

如上所述，關(guān)于STO的通電方向的調(diào)整、設(shè)定，不僅在HDD的初始設(shè)定中使其發(fā)揮作用，對于因使用中的STO的歷時(shí)變化而產(chǎn)生的磁化穩(wěn)定性的反轉(zhuǎn)也能夠使其發(fā)揮作用。即，在經(jīng)過了一定的使用時(shí)間后，再次進(jìn)行圖7所示的順序的通電方向的優(yōu)化，由此，能夠以可始終獲得最大輔助效果的通電方向來使用HDD。