技術(shù)總結(jié)
說明了用于SRAM集成電路的基于晶閘管的存儲(chǔ)器單元連同制造它的過程。存儲(chǔ)器單元可以在MOS與雙極型選擇晶體管的不同組合中或者在沒有選擇晶體管的情況下實(shí)施，晶閘管在具有淺槽隔離的半導(dǎo)體襯底中。標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝技術(shù)可以用于制造該SRAM。特定電路在待機(jī)過程中提供降低的功耗。

技術(shù)研發(fā)人員：H·欒;B·貝特曼;V·阿克賽爾拉德;C·程;C·謝瓦利爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：克勞帕斯科技有限公司
文檔號(hào)碼：201580011000
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.25
技術(shù)公布日：2017.03.22