技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種電阻式記憶胞的操作方法及電阻式內(nèi)存。電阻式記憶胞的操作方法包括下列步驟：進行電阻式記憶胞的形成操作；判斷所述電阻式記憶胞是否位于第一狀態(tài)，其中所述第一狀態(tài)對應(yīng)第一操作；當所述電阻式記憶胞沒有位于所述第一狀態(tài)時，進行所述電阻式記憶胞關(guān)于第二操作的互補切換操作，以使所述電阻式記憶胞產(chǎn)生關(guān)于所述第二操作的互補切換現(xiàn)象。藉此，可有效使無法藉由一般的形成操作來保存數(shù)據(jù)的電阻式記憶胞能夠藉由互補切換現(xiàn)象來具備數(shù)據(jù)保存能力。

技術(shù)研發(fā)人員：廖紹憬;王炳琨;陳達
受保護的技術(shù)使用者：華邦電子股份有限公司
文檔號碼：201510905821
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.09
技術(shù)公布日：2017.05.03