存儲(chǔ)器件、存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種存儲(chǔ)器件，其包括：?jiǎn)卧嚵?，其具有多個(gè)字線；地址計(jì)數(shù)單元，其適合于產(chǎn)生每當(dāng)刷新該多個(gè)字線中的一個(gè)或多個(gè)時(shí)改變的計(jì)數(shù)地址；以及控制單元，其適合于：在該多個(gè)字線當(dāng)中選擇對(duì)應(yīng)于該計(jì)數(shù)地址的字線，且在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比該第一周期長(zhǎng)的第二周期內(nèi)和在該第二操作模式開(kāi)始之后的高頻區(qū)段中在比該第二周期短的第三周期內(nèi)刷新選中的字線。
【專(zhuān)利說(shuō)明】存儲(chǔ)器件、存儲(chǔ)系統(tǒng)及其操作方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)主張于2013年8月9日提出申請(qǐng)的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第10-2013-0094781號(hào)的優(yōu)先權(quán)，該韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)以其全文引用的方式并入本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的例不性實(shí)施例涉和一種存儲(chǔ)器件、一種存儲(chǔ)系統(tǒng)和一種用于操作存儲(chǔ)器件的方法。

【背景技術(shù)】
[0004]存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器單元由用于儲(chǔ)存電荷(是數(shù)據(jù))的電容器和用于開(kāi)關(guān)電容器的晶體管形成。數(shù)據(jù)的邏輯電平(是高(邏輯電平I)或低(邏輯電平O))取決于電容器中電荷的累積，此意指數(shù)據(jù)的邏輯電平取決于電容器的電壓。
[0005]由于數(shù)據(jù)以電容器中所累積電荷的形式儲(chǔ)存，因此在理論上不存在功耗。然而，由于電容器中的所累積電荷被放電且所累積電荷量因由晶體管的PN結(jié)引起的電流泄露而降低，因此數(shù)據(jù)會(huì)在無(wú)電力供應(yīng)的情況下丟失。為了防止數(shù)據(jù)丟失，存儲(chǔ)器單元的電容器應(yīng)在儲(chǔ)存于電容器中的數(shù)據(jù)丟失之前反復(fù)地再充電以便保持電荷量。給存儲(chǔ)器單元反復(fù)地再充電的此過(guò)程稱(chēng)為刷新操作。
[0006]響應(yīng)于自存儲(chǔ)器控制器施加的刷新命令而在存儲(chǔ)器件中執(zhí)行刷新操作。存儲(chǔ)器控制器以和考慮存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)保持時(shí)間的預(yù)定周期將刷新命令重復(fù)地施加至存儲(chǔ)器件。例如，當(dāng)假設(shè)存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)保持時(shí)間是大致64ms時(shí)，那么存儲(chǔ)器件中的整個(gè)存儲(chǔ)器單元會(huì)以刷新命令的約8000次輸入被刷新。亦即，存儲(chǔ)器控制器在大致64ms內(nèi)將刷新命令施加至存儲(chǔ)器件大致8000次以執(zhí)行刷新操作。
[0007]隨著存儲(chǔ)器件的集成度增大，包含于存儲(chǔ)器件中的多個(gè)字線之間的間隙減小且鄰近字線之間的耦合效應(yīng)增大。出于此原因，與在刷新操作期間的鄰近字線相比，當(dāng)頻繁地激活存儲(chǔ)器件的特定字線時(shí)，會(huì)損壞與相鄰于特定字線的多個(gè)字線耦接的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)。此現(xiàn)象稱(chēng)為字線干擾。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的實(shí)施例是針對(duì)一種存儲(chǔ)器件和一種可以防止字線干擾的存儲(chǔ)系統(tǒng)。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器件可以包括:單元陣列，其具有多個(gè)字線；地址計(jì)數(shù)單元，其適合于產(chǎn)生每當(dāng)刷新所述多個(gè)字線中的一個(gè)或多個(gè)時(shí)改變的計(jì)數(shù)地址；以及控制單元，其適合于:在所述多個(gè)字線當(dāng)中選擇對(duì)應(yīng)于所述計(jì)數(shù)地址的字線，且在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比所述第一周期長(zhǎng)的第二周期內(nèi)以及在所述第二操作模式開(kāi)始之后的高頻區(qū)段中在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述選中的字線。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器件可以包括:單元陣列，其被配置具有多個(gè)字線；地址計(jì)數(shù)單元，其適合于產(chǎn)生每當(dāng)刷新所述多個(gè)字線中的一個(gè)或多個(gè)時(shí)改變的計(jì)數(shù)地址；刷新控制單元，其適合于:在所述多個(gè)字線當(dāng)中選擇對(duì)應(yīng)于所述計(jì)數(shù)地址的字線，且響應(yīng)于周期性刷新命令而刷新所述選中的字線A次，其中A是等于或大于2的有理數(shù)；響應(yīng)于周期性第二刷新信號(hào)而刷新所述選中的字線B次，其中B是小于A的有理數(shù)；及在高頻區(qū)段中響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號(hào)而刷新所述選中的字線C次，其中C是大于B的有理數(shù)；以及第二刷新控制單元，其適合于從使能第二刷新進(jìn)入命令時(shí)至使能第二刷新退出命令時(shí)使能所述周期性第二刷新信號(hào)。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，一種存儲(chǔ)系統(tǒng)可以包括:存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括具有多個(gè)字線的單元陣列、且適合于:在第一操作模式期間在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比所述第一周期長(zhǎng)的第二周期內(nèi)且在所述第二操作模式開(kāi)始之后的高頻區(qū)段中在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述單元陣列；以及存儲(chǔ)器控制器，其適合于:在所述第一操作模式期間以所述設(shè)定周期將刷新命令輸入至所述存儲(chǔ)器件中、且將存儲(chǔ)器件設(shè)定在所述第二操作模式中。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，一種用于操作包含具有多個(gè)字線的單元陣列的存儲(chǔ)器件的方法可以包括以下操作:響應(yīng)于周期性刷新命令而在第一周期內(nèi)刷新所述單元陣列；響應(yīng)于第二刷新而進(jìn)入命令進(jìn)入第二操作模式；以及在第二操作模式中在比所述第一周期長(zhǎng)的第二周期內(nèi)和在所述第二操作模式開(kāi)始之后的高頻區(qū)段期間在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述單元陣列。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是圖解說(shuō)明存儲(chǔ)器件的單元陣列的一部分的電路圖；
[0014]圖2是圖解說(shuō)明刷新操作的波形圖；
[0015]圖3是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的框圖；
[0016]圖4是圖解說(shuō)明圖3中所示的存儲(chǔ)器件的周期控制單元的兩項(xiàng)實(shí)例的框圖；
[0017]圖5是圖解說(shuō)明圖3中所示的存儲(chǔ)器件的操作的波形圖；
[0018]圖6是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖；且
[0019]圖7是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于操作存儲(chǔ)器件的方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]下文將參考隨附附圖更詳細(xì)地闡述本發(fā)明的例示性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以不同形式體現(xiàn)且不應(yīng)被視為局限于本文中所陳述的實(shí)施例。而是，提供這些實(shí)施例以使得本公開(kāi)將是充分和完整的且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_(dá)本發(fā)明的范圍。貫穿本發(fā)明，在本發(fā)明的所有各圖和實(shí)施例中相同附圖標(biāo)記是指相同部件。
[0021]附圖未必按比例繪制，且在某些例項(xiàng)中，可以夸大比例以便清晰地圖解說(shuō)明所述實(shí)施例的特征。當(dāng)將第一層稱(chēng)為在第二層“上”或在襯底“上”時(shí)，其不僅指其中第一層直接形成于第二層上或襯底上的情形，而亦指其中第一層與第二層或襯底之間存在第三層的情形。亦注意，在此說(shuō)明書(shū)中，“連接/耦接”指一個(gè)組件不僅直接耦接另一組件而亦指通過(guò)中間組件間接耦接另一組件。另外，單數(shù)形式可以包含復(fù)數(shù)形式，只要句中未特意提及。
[0022]圖1是圖解說(shuō)明存儲(chǔ)器件的單元陣列的一部分的電路圖。
[0023]圖1示出單元陣列中彼此平列安置的多個(gè)字線WLK-UWLK和WLK+1。與第K_1字線WLK-1和第K+1字線WLK+1相比，以HIGH_ACT標(biāo)記的第K字線WLK是頻繁地被激活的字線。第K-1字線WLK-1和第K+1字線WLK+1是相鄰于第K字線WLK安置的鄰近字線。字線WLK-1、WLK和WLK+1分別與存儲(chǔ)器單元CELL_K_1、CELL_K和CELL_K+1耦接。亦耦接至位線BL的存儲(chǔ)器單元CELL_K-1、CELL_K以及CELL_K+1分別包含單元晶體管TR_K_1、TR_K和TR_K+1 以及單元電容器 CAP_K-1、CAP_K 和 CAP_K+1。
[0024]當(dāng)?shù)贙字線WLK被激活或去激活(亦即，預(yù)充電)時(shí)，字線干擾會(huì)發(fā)生且鄰近字線WLK-1和WLK+1的電壓由于發(fā)生于第K字線WLK與鄰近字線WLK-1和WLK+1之間的耦合效應(yīng)而升高或降低。此可以影響儲(chǔ)存于鄰近字線WLK-1和WLK+1的單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1中的電荷量。因此，隨著第K字線WLK頻繁地被激活且預(yù)充電且因此第K字線WLK在激活狀態(tài)與預(yù)充電狀態(tài)之間進(jìn)列頻繁地切換，會(huì)損壞儲(chǔ)存于單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1中的電荷量或儲(chǔ)存于鄰近字線WLK-1和WLK+1的存儲(chǔ)器單元CELL_K-1和CELL_K+1中的數(shù)據(jù)。
[0025]另外，會(huì)損壞與鄰近字線耦接的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)，此乃因隨著第K字線WLK在激活狀態(tài)與預(yù)充電狀態(tài)之間進(jìn)列切換而產(chǎn)生的電磁波致使電子進(jìn)出鄰近字線的單元電容器。
[0026]圖2是圖解說(shuō)明刷新操作的波形圖。在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令而執(zhí)行第一刷新操作。在第二操作模式期間無(wú)刷新命令而執(zhí)行第二刷新操作。
[0027]在第一操作模式期間，存儲(chǔ)器件可以響應(yīng)于可以被周期性地輸入的刷新命令REF而執(zhí)行刷新操作一次或多次。在第二操作模式期間，存儲(chǔ)器件可以每當(dāng)?shù)诙⑿滦盘?hào)SREF可以被周期性地和內(nèi)部地使能時(shí)執(zhí)行刷新操作一次或多次。第二刷新信號(hào)SREF的周期可以與刷新命令REF的周期相同。
[0028]圖2中所示的第一波形201圖解說(shuō)明了如下情形:在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令REF而執(zhí)行刷新操作兩次和在第二操作模式的區(qū)段中響應(yīng)于第二刷新信號(hào)SREF而執(zhí)行刷新操作一次。
[0029]圖2中所示的第二波形202圖解說(shuō)明了如下情況:在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令REF而執(zhí)行刷新操作兩次和在第二操作模式的區(qū)段中響應(yīng)于第二刷新信號(hào)SREF而執(zhí)行刷新操作兩次。刷新信號(hào)REF_ACT的每單次使能可以執(zhí)行刷新操作一次。
[0030]與第二波形202的刷新操作相比，第一波形201的刷新操作中刷新操作的數(shù)目相對(duì)少于第二操作模式區(qū)段中，此可以致使對(duì)存儲(chǔ)器件的字線干擾。
[0031]在第二波形202的刷新操作中，刷新操作的數(shù)目相對(duì)大，因此發(fā)生字線干擾的可能性相對(duì)低，然而在第二操作模式期間消耗很多電力。
[0032]圖3是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的框圖。
[0033]如圖3中所示，存儲(chǔ)器件可以包含命令輸入單元310、地址輸入單元320、命令解碼單元330、控制單元340、地址計(jì)數(shù)單元350和單元陣列360。
[0034]命令輸入單元310可以接收自存儲(chǔ)器控制器施加的命令CMDs。地址輸入單元320可以接收自存儲(chǔ)器控制器施加的地址ADDs。命令CMDs和地址ADDs中的每一個(gè)可以包含多位信號(hào)。
[0035]命令解碼單元330可以解碼通過(guò)命令輸入單元310輸入的命令CMDs且產(chǎn)生刷新命令iREF、第二刷新進(jìn)入命令iSREF_ENTRY和第二刷新退出命令iSREF_EXIT。當(dāng)所輸入的命令CMDs的組合表示刷新命令REF時(shí)，可以使能刷新命令iREF。當(dāng)所輸入的命令CMDs的組合表示第二刷新進(jìn)入命令SREF_ENTRY時(shí)，可以使能第二刷新進(jìn)入命令iSREF_ENTRY。當(dāng)所輸入的命令CMDs的組合表示第二刷新退出命令SREF_EXIT時(shí)，可以使能第二刷新退出命令iSREF_EXIT。除此之外，命令解碼單元330亦可以解碼所輸入的命令CMDs且產(chǎn)生諸如激活命令、預(yù)充電命令、讀取命令和寫(xiě)入命令的命令，但由于這些命令不直接與根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的操作相關(guān)，因此在此說(shuō)明書(shū)中未示出和闡述所述命令。存儲(chǔ)器件可以響應(yīng)于第二刷新進(jìn)入命令SREF_ENTRY進(jìn)入第二操作模式。存儲(chǔ)器件可以響應(yīng)于第二刷新退出命令iSREF_EXIT退出第二操作模式。
[0036]在第一操作模式期間，命令解碼單元330可以響應(yīng)于刷新命令REF而以預(yù)定周期使能刷新命令iREF。
[0037]單元陣列360可以包含各自與多個(gè)存儲(chǔ)器單元MC耦接的多個(gè)字線WLO至WLN。每一存儲(chǔ)器單元MC可以與多個(gè)字線WLO至WLN和位線(圖3中未示出)當(dāng)中的對(duì)應(yīng)字線和對(duì)應(yīng)位線耦接。
[0038]地址計(jì)數(shù)單元350可以執(zhí)行計(jì)數(shù)操作以產(chǎn)生計(jì)數(shù)地址CNT_ADD，計(jì)數(shù)地址CNT_ADD指示多個(gè)字線中的一個(gè)且每當(dāng)刷新單元陣列360或使能刷新信號(hào)REF_ACT時(shí)改變。每當(dāng)使能刷新信號(hào)REF_ACT時(shí)，地址計(jì)數(shù)單元350可以將計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的值增大‘I’。例如，計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的值可以以如下這種方式改變:使得當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的當(dāng)前值指示第K字線時(shí)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的下一值指示第K+1字線。
[0039]控制單元340可以基于計(jì)數(shù)地址CNT_ADD依序刷新多個(gè)字線WLO至WLN。在第一操作模式期間，控制單元340可以響應(yīng)于周期性刷新命令iREF在第一周期內(nèi)通過(guò)重復(fù)刷新操作逐個(gè)地刷新單元陣列360中的多個(gè)字線WLO至WLN。此外，在第二操作模式期間，控制單元340可以在比第一周期長(zhǎng)的第二周期內(nèi)通過(guò)重復(fù)刷新操作逐個(gè)地刷新單元陣列360中的多個(gè)字線WLO至WLN。另外，在包含于第二操作模式的時(shí)間區(qū)段中的高頻區(qū)段期間，控制單元340可以在比第二周期短的第三周期內(nèi)通過(guò)重復(fù)刷新操作逐個(gè)地刷新單元陣列360中的多個(gè)字線WLO至WLN。高頻區(qū)段可以在第二操作模式的開(kāi)始處開(kāi)始?？刂茊卧?40可以刷新對(duì)應(yīng)于計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的多個(gè)字線WLO至WLN中的一個(gè)，該計(jì)數(shù)地址CNT_ADD自地址計(jì)數(shù)單元350發(fā)送且每當(dāng)刷新單元陣列360中的多個(gè)字線WLO至WLN中的一個(gè)或在第一和第二刷新操作期間使能刷新信號(hào)REF_ACT時(shí)改變，且當(dāng)執(zhí)行并非刷新操作的另一操作(諸如激活操作、讀取操作和寫(xiě)入操作)時(shí)，其可以在多個(gè)字線WLO至WLN當(dāng)中選擇對(duì)應(yīng)于輸入地址iADD的字線。本文中，刷新單元陣列360意指刷新單元陣列360中選中的字線。
[0040]高頻區(qū)段可以針對(duì)存儲(chǔ)器件被設(shè)定成以在第二操作模式開(kāi)始時(shí)或之后刷新多個(gè)字線WLO至WLN—次或多次。高頻區(qū)段可以是第二操作模式的時(shí)間區(qū)段的一部分，例如早期區(qū)段。在高頻區(qū)段期間的刷新操作的操作頻率可以比在第二刷新操作的時(shí)間區(qū)段的剩余區(qū)段期間大。第三周期可以等于或小于第一周期。亦即，在高頻區(qū)段期間刷新單元陣列360的頻率可以等于或大于在第一操作模式期間刷新單元陣列360的頻率，此是為了防止字線干擾。
[0041]針對(duì)第一實(shí)例，高頻區(qū)段可以設(shè)定為對(duì)應(yīng)于設(shè)定時(shí)間TSET的持續(xù)時(shí)間。設(shè)定時(shí)間TSET可以長(zhǎng)于第三周期乘以多個(gè)字線WLO至WLN的數(shù)目。例如，當(dāng)?shù)谌芷谑荰3且包含于單元陣列360中的多個(gè)字線的數(shù)目是N+1時(shí)，設(shè)定時(shí)間TSET可以比T3X (N+1)的持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)。在比第三周期乘以多個(gè)字線WLO至WLN的數(shù)目長(zhǎng)的設(shè)定時(shí)間TSET期間，可以刷新包含于單元陣列360中的所有多個(gè)字線一次或多次?？刂茊卧?40可以在設(shè)定時(shí)間TSET期間在第三周期內(nèi)刷新單元陣列360中的所有多個(gè)字線WLO至WLN且在第二操作模式的時(shí)間區(qū)段的剩余區(qū)段期間在第二周期內(nèi)刷新單元陣列360。
[0042]針對(duì)第二實(shí)例，高頻區(qū)段可以設(shè)定為對(duì)應(yīng)于對(duì)多個(gè)字線WLO至WLN的一個(gè)或多個(gè)循環(huán)的刷新操作的持續(xù)時(shí)間或自第二操作模式開(kāi)始時(shí)至計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的值在計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的值改變一個(gè)循環(huán)之后變?yōu)槌跏贾礗NIT_VAL時(shí)的持續(xù)時(shí)間。初始值INIT_VAL可以是當(dāng)?shù)诙僮髂Ｊ介_(kāi)始時(shí)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的初始值。如上文所闡述，計(jì)數(shù)地址CNT_ADD可以指示多個(gè)字線WLO至WLN中的一個(gè)且每當(dāng)刷新多個(gè)字線WLO至WLN中的一個(gè)時(shí)改變。計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的值因此可以在對(duì)多個(gè)字線WLO至WLN的刷新操作的循環(huán)的完成之后再次變?yōu)槌跏贾礗NIT_VAL。控制單元340可以在第二操作模式開(kāi)始時(shí)儲(chǔ)存計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的值作為初始值INIT_VAL、在第三周期內(nèi)刷新單元陣列360直至計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的值變?yōu)槌跏贾礗NIT_VAL為止或在高頻區(qū)段期間刷新單元陣列360以及在第二操作模式的剩余區(qū)段期間在第二周期內(nèi)接著刷新單元陣列360。
[0043]除上文所闡述的兩項(xiàng)實(shí)例之外，高頻區(qū)段亦可以以多種不同方法設(shè)定。
[0044]控制單元340可以包含第二刷新控制單元341、周期控制單元342、刷新控制單元343和行控制單元344。
[0045]第二刷新控制單元341可以從第二刷新進(jìn)入命令iSREF_ENTRY被使能時(shí)至第二刷新退出命令iSREF_EXIT被使能時(shí)周期性地使能第二刷新信號(hào)SREF。此外，第二刷新控制單元341可以從第二刷新進(jìn)入命令iSREF_ENTRY被使能時(shí)至第二刷新退出命令iSREF_EXIT被使能時(shí)使能區(qū)段信號(hào)SREF_M0DE。區(qū)段信號(hào)SREF_M0DE可以表示存儲(chǔ)器件處于第二操作模式。
[0046]周期控制單元342可以產(chǎn)生高頻信號(hào)HIGH_FREQ，高頻信號(hào)HIGH_FREQ在高頻區(qū)段期間被使能以控制第二刷新操作的刷新周期。
[0047]針對(duì)第一實(shí)例，周期控制單元342可以在區(qū)段信號(hào)SREF_M0DE被使能時(shí)在設(shè)定時(shí)間TSET或高頻區(qū)段期間使能高頻信號(hào)HIGH_FREQ。根據(jù)第一實(shí)例，周期控制單元342可以包含計(jì)時(shí)器以在使能區(qū)段信號(hào)SREF_M0DE時(shí)檢查設(shè)定時(shí)間TSET的推移。盡管圖3圖解說(shuō)明了周期控制單元342接收區(qū)段信號(hào)SREF_M0DE和計(jì)數(shù)地址CNT_ADD兩者的情形，但具有計(jì)時(shí)器的周期控制單元342可以不需要計(jì)數(shù)地址CNT_ADD。
[0048]針對(duì)第二實(shí)例，周期控制單元342可以?xún)?chǔ)存計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的值(其是初始值INIT_VAL)且當(dāng)區(qū)段信號(hào)SREF_M0DE被使能時(shí)使能高頻信號(hào)HIGH_FREQ。當(dāng)高頻信號(hào)HIGH_FREQ被使能時(shí)，周期控制單元342可以比較計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的當(dāng)前值(每當(dāng)多個(gè)字線WLO至WLN中之一被刷新時(shí)可以依序改變)與所儲(chǔ)存的值或初始值INIT_VAL。周期控制單元342可以在計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的當(dāng)前值在對(duì)多個(gè)字線WLO至WLN的刷新操作的循環(huán)的完成之后再次變?yōu)樗鶅?chǔ)存的值或初始值INIT_VAL時(shí)禁止高頻信號(hào)HIGH_FREQ。
[0049]刷新控制單元343可以產(chǎn)生用于在第一刷新操作和第二刷新操作期間刷新單元陣列360的刷新信號(hào)REF_ACT。刷新控制單元343可以在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令iREF而使能刷新信號(hào)REF_ACT “A”次，其中“A”是等于或大于2的有理數(shù)。刷新控制單元343可以在高頻信號(hào)HIGH_FREQ的禁止期間使能刷新信號(hào)REF_ACT “B”次，其中B是小于A的有理數(shù)；且在第二操作模式中響應(yīng)于第二刷新信號(hào)SREF而在高頻信號(hào)HIGH_FREQ的使能期間使能刷新信號(hào)REF_ACT “C”次，其中C是大于B的有理數(shù)。因此，“A”、“B”和“C”可以是每次刷新命令REF或第二刷新信號(hào)SREF的刷新操作的數(shù)目。當(dāng)周期性第二刷新信號(hào)SREF的周期與周期性刷新命令REF的周期相同時(shí)，C可以等于或大于A。
[0050]后文闡述當(dāng)“A”和“C”的每一值是2 (A = C = 2)且“B”的值是I (B = I)時(shí)。在第一操作模式期間周期性刷新信號(hào)REF_ACT的周期可以對(duì)應(yīng)于第一周期。高頻區(qū)段中的周期性刷新信號(hào)REF_ACT的周期可以對(duì)應(yīng)于第三周期。由于刷新命令iREF的周期與第二刷新信號(hào)SREF的周期相同且刷新命令iREF和第二刷新信號(hào)SREF每次使能時(shí)刷新信號(hào)REF_ACT的數(shù)目或刷新操作的數(shù)目是相同的(其是2)，因此第一周期和第三周期可以是相同的。由于刷新控制單元343在高頻信號(hào)HIGH_FREQ的禁止期間第二刷新信號(hào)SREF每次使能時(shí)使能刷新信號(hào)REF_ACT —次，因此第二周期可以是第一周期和第三周期兩倍。
[0051]例如，可能設(shè)計(jì)“A”等于2、“B”等于I且“C”等于2.5。如上文所闡述，“A”、“B”和“C”可以是每次刷新命令REF或第二刷新信號(hào)SREF的刷新操作的數(shù)目。作為實(shí)例，“C”等于2.5(5/2)可以意指在第二刷新信號(hào)SREF的兩次使能期間刷新單元陣列五次。另外，“A”等于2可以意指在刷新命令iREF的一次使能期間使能刷新信號(hào)REF_ACT或刷新單元陣列兩次。
[0052]刷新控制單元343可以在使能刷新信號(hào)REF_ACT之后且接著在足以用于激活字線的預(yù)定時(shí)間經(jīng)過(guò)之后使能預(yù)充電信號(hào)REF_PRE。
[0053]響應(yīng)于刷新信號(hào)REF_ACT，行控制單元344可以刷新對(duì)應(yīng)于計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的多個(gè)字線WLO至WLN中的一個(gè)。行控制單元344可以在使能刷新信號(hào)REF_ACT時(shí)激活對(duì)應(yīng)于計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的多個(gè)字線WLO至WLN中的一個(gè)且在使能預(yù)充電信號(hào)REF_PRE時(shí)給被激活字線預(yù)充電。
[0054]圖4是圖解說(shuō)明圖3中所示的存儲(chǔ)器件的周期控制單元342的兩項(xiàng)實(shí)例的框圖。
[0055]針對(duì)第一實(shí)例，周期控制單元342可以基于設(shè)定時(shí)間TSET設(shè)定高頻區(qū)段。針對(duì)第二實(shí)例，周期控制單元342可以基于初始值INIT_VAL設(shè)定高頻區(qū)段。
[0056]后文，參考圖3和圖4闡述周期控制單元342。
[0057]根據(jù)第一實(shí)例，周期控制單元342可以包含計(jì)時(shí)器411和信號(hào)發(fā)生器412。計(jì)時(shí)器411可以在區(qū)段信號(hào)SREF_M0DE被使能時(shí)被激活、可以使能通過(guò)信號(hào)TSET且可以在時(shí)間經(jīng)過(guò)多達(dá)設(shè)定時(shí)間TSET時(shí)被初始化。信號(hào)發(fā)生器412可以從區(qū)段信號(hào)SREF_M0DE被使能時(shí)至通過(guò)信號(hào)TSET被使能時(shí)使能高頻信號(hào)HIGH_FREQ。
[0058]根據(jù)第二實(shí)例，周期控制單元342可以包含地址儲(chǔ)存器421、地址比較器422和信號(hào)發(fā)生器423。地址儲(chǔ)存器421可以在使能區(qū)段信號(hào)SREF_M0DE時(shí)儲(chǔ)存計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的值。地址儲(chǔ)存器421可以在第二操作模式開(kāi)始時(shí)儲(chǔ)存計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的值作為初始值INIT_VAL且在高頻信號(hào)HIGH_FREQ被使能期間保留初始值INIT_VAL。地址比較器422可以比較初始值INIT_VAL與計(jì)數(shù)地址CNT_ADD，計(jì)數(shù)地址CNT_ADD可以在高頻區(qū)段期間每當(dāng)多個(gè)字線WLO至WLN中的一個(gè)被刷新時(shí)依序改變。當(dāng)計(jì)數(shù)地址CNT_ADD在對(duì)多個(gè)字線WLO至WLN的刷新操作的循環(huán)的完成之后變?yōu)槌跏贾礗NIT_VAL時(shí)，地址比較器422可以使能檢測(cè)信號(hào)DET。信號(hào)發(fā)生器423可以從使能區(qū)段信號(hào)SREF_M0DE時(shí)至使能檢測(cè)信號(hào)DET時(shí)使能高頻信號(hào)HIGH_FREQ。
[0059]圖5是圖解說(shuō)明圖3中所示的存儲(chǔ)器件的操作的波形圖。
[0060]第一波形510圖解說(shuō)明作為基于設(shè)定時(shí)間TSET設(shè)定高頻區(qū)段的第一實(shí)例所的存儲(chǔ)器件的操作。第二波形520圖解說(shuō)明作為基于初始值INIT_VAL設(shè)定高頻區(qū)段的第二實(shí)例的存儲(chǔ)器件的操作。
[0061]后文，參考圖3至圖5闡述存儲(chǔ)器件的操作。
[0062]如第一波形510中所示，存儲(chǔ)器件可以響應(yīng)于刷新信號(hào)REF_ACT執(zhí)行第一刷新操作，每次刷新命令iREF該刷新信號(hào)REF_ACT被使能兩次(“A”等于2)。在高頻區(qū)段中，存儲(chǔ)器件可以響應(yīng)于刷新信號(hào)REF_ACT執(zhí)行第二刷新操作，每次第二刷新信號(hào)SREF該刷新信號(hào)REF_ACT被使能兩次(“C”等于2)。針對(duì)第一實(shí)例，高頻區(qū)段的持續(xù)時(shí)間可以是設(shè)定時(shí)間TSET。當(dāng)高頻區(qū)段結(jié)束時(shí)，存儲(chǔ)器件可以響應(yīng)于刷新信號(hào)REF_ACT執(zhí)行第二刷新操作，每次第二刷新信號(hào)SREF該刷新信號(hào)REF_ACT被使能一次(“B”等于I)。
[0063]如第二波形520中所示，可以基于比較初始值INIT_VAL與計(jì)數(shù)地址CNT_ADD的結(jié)果設(shè)定高頻區(qū)段。當(dāng)?shù)刂繁容^器422使能檢測(cè)信號(hào)DET時(shí)，高頻區(qū)段可以結(jié)束。
[0064]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器件可以在防止字線干擾的同時(shí)減少針對(duì)刷新操作消耗的電流量，其中通過(guò)在第二刷新操作的時(shí)間區(qū)段的一部分(例如，高頻區(qū)段)期間以類(lèi)似于或高于第一刷新操作的頻率的頻率執(zhí)行第二刷新操作、并且在第二刷新操作的時(shí)間區(qū)段的剩余部分期間以低于第一刷新操作的頻率的頻率執(zhí)行第二刷新操作來(lái)防止字線干擾。
[0065]圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。
[0066]參考圖6，存儲(chǔ)系統(tǒng)可以包含存儲(chǔ)器件610和存儲(chǔ)器控制器620。
[0067]后文,參考圖3至圖6闡述存儲(chǔ)系統(tǒng)。
[0068]存儲(chǔ)器控制器620可以通過(guò)施加命令CMDs和地址ADDs控制存儲(chǔ)器件610的操作。存儲(chǔ)器件610和存儲(chǔ)器控制器620可以在讀取操作和寫(xiě)入操作期間彼此傳遞數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器控制器620可以將指示刷新命令REF、第二刷新進(jìn)入命令SREF_ENTRY和第二刷新退出命令SREF_EXIT的命令CMDs輸入至存儲(chǔ)器件610。存儲(chǔ)器控制器620可以通過(guò)輸入周期性刷新命令REF以第一周期刷新包含于存儲(chǔ)器件610中的單元陣列360。在第一刷新操作和第二刷新操作期間存儲(chǔ)器控制器620不必向存儲(chǔ)器件610輸入將地址ADDs，此乃因存儲(chǔ)器件610可以?xún)?nèi)部地產(chǎn)生用于選擇多個(gè)字線WLO至WLN中的將被刷新的一個(gè)字線的計(jì)數(shù)地址CNT_ADD。
[0069]存儲(chǔ)器件610(參考圖3)可以接收命令CMDs、周期性地使能刷新命令iREF和在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令iREF在第一周期內(nèi)刷新單元陣列360。存儲(chǔ)器件610可以在第二操作模式期間接收命令CMDs、使能第二刷新進(jìn)入命令iSREF_ENTRY且使能第二刷新退出命令iSREF_EXIT。存儲(chǔ)器件610可以周期性地使能第二刷新信號(hào)SREF和在第二操作模式期間響應(yīng)于第二刷新信號(hào)SREF刷新單元陣列360。存儲(chǔ)器件610可以在高頻區(qū)段期間在第三周期內(nèi)且在第二操作模式的時(shí)間區(qū)段的剩余區(qū)段期間在第二周期內(nèi)刷新單元陣列360。
[0070]圖7是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于操作存儲(chǔ)器件的方法的流程圖。
[0071]參考圖7，用于操作具有單元陣列(其具有多個(gè)字線)的存儲(chǔ)器件的方法可以包含以下操作:在步驟S710處執(zhí)行第一刷新操作、在步驟S720處進(jìn)入第二操作模式、在步驟S730處執(zhí)行第二刷新操作且在步驟S740處退出第二操作模式。
[0072]后文，參考圖3至圖7闡述用于操作存儲(chǔ)器件的方法。
[0073]在步驟S710的第一刷新操作處，存儲(chǔ)器件可以響應(yīng)于可以被周期性地輸入的刷新命令REF而在第一周期內(nèi)刷新單元陣列360。例如，存儲(chǔ)器件可以響應(yīng)于刷新信號(hào)REF_ACT執(zhí)行第一刷新操作，每次刷新命令REF該刷新信號(hào)REF_ACT使能兩次(“A”等于2)。
[0074]在進(jìn)入第二操作模式的步驟S720處，存儲(chǔ)器件可以響應(yīng)于第二刷新進(jìn)入命令SREF_ENTRY進(jìn)入第二操作模式。
[0075]執(zhí)行第二操作模式的步驟S730可以包含步驟S731的高頻刷新操作和步驟S732的正常頻率刷新操作。步驟S731的高頻刷新操作對(duì)應(yīng)于上文所闡述的在高頻區(qū)段期間的第二刷新操作，且在步驟S731處存儲(chǔ)器件可以在相同于或短于第一周期的第三周期內(nèi)刷新單元陣列360。步驟S732的正常頻率刷新操作對(duì)應(yīng)于上文所闡述的在第二操作模式的時(shí)間區(qū)段的剩余區(qū)段期間的第二刷新操作，且在步驟S732處存儲(chǔ)器件可以在比第一周期和第三周期短的第二周期內(nèi)刷新單元陣列360。
[0076]在退出第二操作模式的步驟S740處，存儲(chǔ)器件可以響應(yīng)于第二刷新操作退出命令SELF_EXIT退出第二操作模式。
[0077]根據(jù)用于操作根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的方法，在第二操作模式的時(shí)間區(qū)段的一部分(例如，高頻區(qū)段)期間以相同于或高于第一刷新操作的頻率的頻率以及在第二操作模式的時(shí)間區(qū)段的剩余部分期間以低于第一刷新操作的頻率的頻率執(zhí)行第二刷新操作。以此方式，在防止字線干擾的同時(shí)針對(duì)刷新操作消耗的電流量可以減小。
[0078]本文中，附圖標(biāo)記‘REF’、‘SREF_ENTRY’和‘SREF_EXIT’可以是由自存儲(chǔ)器控制器輸入的命令信號(hào)CMDs的組合表示的外部命令，且附圖標(biāo)記‘iREF’、‘iSREF_ENTRY’和‘iSREF_EXIT’可以是響應(yīng)于上述命令信號(hào)CMDs的組合由命令解碼單元使能的內(nèi)部命令。第一刷新操作可以是自動(dòng)刷新操作且第二刷新操作可以是自刷新操作。
[0079]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)?shù)诙僮髂Ｊ介_(kāi)始時(shí)，存儲(chǔ)器件和存儲(chǔ)系統(tǒng)可以通常通過(guò)快速刷新所有字線操作且因此防止由于字線干擾引起的數(shù)據(jù)的惡化。
[0080]雖然已關(guān)于特定實(shí)施例闡述本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將明了，可以在不背離如以下申請(qǐng)權(quán)利要求范圍中所定義的本發(fā)明的主旨和范圍的情況下做出各種改變和修改。
[0081]通過(guò)以上實(shí)施例可以看出，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。
[0082]技術(shù)方案1.一種存儲(chǔ)器件，包括:
[0083]單元陣列，具有多個(gè)字線；
[0084]地址計(jì)數(shù)單元，適合于產(chǎn)生每當(dāng)刷新所述多個(gè)字線中的一個(gè)或多個(gè)時(shí)改變的計(jì)數(shù)地址；以及
[0085]控制單元，適合于:在所述多個(gè)字線當(dāng)中選擇對(duì)應(yīng)于所述計(jì)數(shù)地址的字線，且在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比所述第一周期長(zhǎng)的第二周期內(nèi)以及在所述第二操作模式開(kāi)始之后的高頻區(qū)段中在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新選中的字線。
[0086]技術(shù)方案2.如技術(shù)方案I所述的存儲(chǔ)器件，其中，在所述高頻區(qū)段期間所述多個(gè)字線被刷新一次或多次。
[0087]技術(shù)方案3.如技術(shù)方案I所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述第三周期等于或短于所述第一周期。
[0088]技術(shù)方案4.如技術(shù)方案I所述的存儲(chǔ)器件，其中，將所述高頻區(qū)段設(shè)定為長(zhǎng)于所述第三周期乘以所述多個(gè)字線的數(shù)目。
[0089]技術(shù)方案5.如技術(shù)方案I所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述高頻區(qū)段設(shè)定為自所述第二操作模式開(kāi)始時(shí)至所述計(jì)數(shù)地址的值等于初始計(jì)數(shù)地址值時(shí)的持續(xù)時(shí)間，所述初始計(jì)數(shù)地址值是當(dāng)所述第二操作模式開(kāi)始時(shí)所述計(jì)數(shù)地址的值。
[0090]技術(shù)方案6.如技術(shù)方案I所述的存儲(chǔ)器件，其中所述控制單元包括:
[0091]第二刷新控制單元，適合于從使能第二刷新進(jìn)入命令時(shí)至使能第二刷新退出命令時(shí)使能周期性第二刷新信號(hào)；
[0092]周期控制單元，適合于產(chǎn)生被使能以定義所述高頻區(qū)段的高頻信號(hào)；
[0093]刷新控制單元，適合于:在所述第一操作模式期間響應(yīng)于周期性刷新命令而使能刷新信號(hào)A次，其中A是等于或大于2的有理數(shù)；在所述第二操作模式期間當(dāng)所述高頻信號(hào)被禁止時(shí)響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號(hào)而使能刷新信號(hào)B次，其中B是小于A的有理數(shù)；且在所述第二操作模式期間當(dāng)所述高頻信號(hào)被使能時(shí)響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號(hào)而使能刷新信號(hào)C次，其中C是大于B的有理數(shù)；以及
[0094]行控制單元，適合于響應(yīng)于所述刷新信號(hào)而刷新所述多個(gè)字線當(dāng)中對(duì)應(yīng)于所述計(jì)數(shù)地址的字線。
[0095]技術(shù)方案7.如技術(shù)方案6所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述周期控制單元在所述第三周期乘以所述多個(gè)字線的數(shù)目的期間使能所述高頻信號(hào)。
[0096]技術(shù)方案8.如技術(shù)方案6所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述周期控制單元在所述第二操作模式開(kāi)始時(shí)儲(chǔ)存所述計(jì)數(shù)地址的初始值、且從所述第二操作模式開(kāi)始時(shí)至所述計(jì)數(shù)地址的值等于所述初始值時(shí)使能所述高頻信號(hào)。
[0097]技術(shù)方案9.如技術(shù)方案6所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述地址計(jì)數(shù)單元每當(dāng)所述刷新信號(hào)被使能時(shí)依序改變所述計(jì)數(shù)地址。
[0098]技術(shù)方案10.如技術(shù)方案6所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述周期性第二刷新信號(hào)的周期等于所述周期性刷新命令的周期、且C等于或大于A。
[0099]技術(shù)方案11.一種存儲(chǔ)器件，包括:
[0100]單元陣列，被配置具有多個(gè)字線；
[0101]地址計(jì)數(shù)單元，適合于產(chǎn)生每當(dāng)刷新所述多個(gè)字線中的一個(gè)或多個(gè)時(shí)改變的計(jì)數(shù)地址；
[0102]刷新控制單元，適合于:在所述多個(gè)字線當(dāng)中選擇對(duì)應(yīng)于所述計(jì)數(shù)地址的字線，且響應(yīng)于周期性刷新命令而刷新選中的字線A次，其中A是等于或大于2的有理數(shù)；響應(yīng)于周期性第二刷新信號(hào)而刷新所述選中的字線B次，其中B是小于A的有理數(shù)；及在高頻區(qū)段中響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號(hào)而刷新所述選中的字線C次，其中C是大于B的有理數(shù)；以及
[0103]第二刷新控制單元，適合于從使能第二刷新進(jìn)入命令時(shí)至使能第二刷新退出命令時(shí)使能所述周期性第二刷新信號(hào)。
[0104]技術(shù)方案12.如技術(shù)方案11所述的存儲(chǔ)器件，其中，在所述高頻區(qū)段期間所述多個(gè)字線被刷新一次或多次。
[0105]技術(shù)方案13.如技術(shù)方案11所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述周期性第二刷新信號(hào)的周期等于所述周期性刷新命令的周期、且C等于或大于A。
[0106]技術(shù)方案14.一種存儲(chǔ)系統(tǒng),包括:
[0107]存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括具有多個(gè)字線的單元陣列，且適合于:在第一操作模式期間在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比所述第一周期長(zhǎng)的第二周期內(nèi)以及在所述第二操作模式開(kāi)始之后的高頻區(qū)段中在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述單元陣列；以及
[0108]存儲(chǔ)器控制器，適合于:在所述第一操作模式期間以設(shè)定周期將刷新命令輸入至所述存儲(chǔ)器件中、且將所述存儲(chǔ)器件設(shè)定在所述第二操作模式中。
[0109]技術(shù)方案15.如技術(shù)方案14所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，在所述高頻區(qū)段期間所述多個(gè)字線被刷新一次或多次。
[0110]技術(shù)方案16.如技術(shù)方案14所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述第三周期等于或短于所述第一周期。
[0111]技術(shù)方案17.如技術(shù)方案14所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述高頻區(qū)段被設(shè)定為長(zhǎng)于所述第三周期乘以所述多個(gè)字線的數(shù)目。
[0112]技術(shù)方案18.如技術(shù)方案14所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述高頻區(qū)段被設(shè)定為從所述第二操作模式開(kāi)始時(shí)至所述計(jì)數(shù)地址的值等于初始計(jì)數(shù)地址值時(shí)的持續(xù)時(shí)間，所述初始計(jì)數(shù)地址值是當(dāng)所述第二操作模式開(kāi)始時(shí)所述計(jì)數(shù)地址的值。
[0113]技術(shù)方案19.一種用于操作具有單元陣列的存儲(chǔ)器件的方法，所述單元陣列包括多個(gè)字線，所述方法包括:
[0114]響應(yīng)于周期性刷新命令而在第一周期內(nèi)刷新所述單元陣列；
[0115]響應(yīng)于第二刷新進(jìn)入命令而進(jìn)入第二操作模式；以及
[0116]在第二操作模式中在比所述第一周期長(zhǎng)的第二周期內(nèi)和在所述第二操作模式開(kāi)始之后的高頻區(qū)段期間在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述單元陣列。
[0117]技術(shù)方案20.如技術(shù)方案19所述的方法，其中，在所述高頻區(qū)段期間刷新所述多個(gè)字線一次或多次。
[0118]技術(shù)方案21.如技術(shù)方案19所述的方法，其中，所述第三周期等于或短于所述第一周期。
[0119]技術(shù)方案22.如技術(shù)方案19所述的方法，其中，所述高頻區(qū)段被設(shè)定為長(zhǎng)于所述第三周期乘以所述多個(gè)字線的數(shù)目。
[0120]技術(shù)方案23.如技術(shù)方案19所述的方法，其中，所述高頻區(qū)段被設(shè)定為從所述第二操作模式開(kāi)始時(shí)至所述計(jì)數(shù)地址的值等于初始計(jì)數(shù)地址值時(shí)的持續(xù)時(shí)間，所述初始計(jì)數(shù)地址值是當(dāng)所述第二刷新模式開(kāi)始時(shí)所述計(jì)數(shù)地址的值。
[0121]技術(shù)方案24.如技術(shù)方案19所述的方法，進(jìn)一步包括:
[0122]響應(yīng)于第二刷新退出命令而退出所述第二操作模式。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲(chǔ)器件，包括: 單元陣列，具有多個(gè)字線； 地址計(jì)數(shù)單元，適合于產(chǎn)生每當(dāng)刷新所述多個(gè)字線中的一個(gè)或多個(gè)時(shí)改變的計(jì)數(shù)地址；以及 控制單元，適合于:在所述多個(gè)字線當(dāng)中選擇對(duì)應(yīng)于所述計(jì)數(shù)地址的字線，且在第一操作模式期間響應(yīng)于刷新命令在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比所述第一周期長(zhǎng)的第二周期內(nèi)以及在所述第二操作模式開(kāi)始之后的高頻區(qū)段中在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新選中的字線。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，在所述高頻區(qū)段期間所述多個(gè)字線被刷新一次或多次。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述第三周期等于或短于所述第一周期。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，將所述高頻區(qū)段設(shè)定為長(zhǎng)于所述第三周期乘以所述多個(gè)字線的數(shù)目。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述高頻區(qū)段設(shè)定為自所述第二操作模式開(kāi)始時(shí)至所述計(jì)數(shù)地址的值等于初始計(jì)數(shù)地址值時(shí)的持續(xù)時(shí)間，所述初始計(jì)數(shù)地址值是當(dāng)所述第二操作模式開(kāi)始時(shí)所述計(jì)數(shù)地址的值。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中所述控制單元包括: 第二刷新控制單元，適合于從使能第二刷新進(jìn)入命令時(shí)至使能第二刷新退出命令時(shí)使能周期性第二刷新信號(hào)； 周期控制單元，適合于產(chǎn)生被使能以定義所述高頻區(qū)段的高頻信號(hào)； 刷新控制單元，適合于:在所述第一操作模式期間響應(yīng)于周期性刷新命令而使能刷新信號(hào)A次，其中A是等于或大于2的有理數(shù)；在所述第二操作模式期間當(dāng)所述高頻信號(hào)被禁止時(shí)響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號(hào)而使能刷新信號(hào)B次，其中B是小于A的有理數(shù)；且在所述第二操作模式期間當(dāng)所述高頻信號(hào)被使能時(shí)響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號(hào)而使能刷新信號(hào)C次，其中C是大于B的有理數(shù)；以及 行控制單元，適合于響應(yīng)于所述刷新信號(hào)而刷新所述多個(gè)字線當(dāng)中對(duì)應(yīng)于所述計(jì)數(shù)地址的字線。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述周期控制單元在所述第三周期乘以所述多個(gè)字線的數(shù)目的期間使能所述高頻信號(hào)。
8.一種存儲(chǔ)器件，包括: 單元陣列，被配置具有多個(gè)字線； 地址計(jì)數(shù)單元，適合于產(chǎn)生每當(dāng)刷新所述多個(gè)字線中的一個(gè)或多個(gè)時(shí)改變的計(jì)數(shù)地址； 刷新控制單元，適合于:在所述多個(gè)字線當(dāng)中選擇對(duì)應(yīng)于所述計(jì)數(shù)地址的字線，且響應(yīng)于周期性刷新命令而刷新選中的字線A次，其中A是等于或大于2的有理數(shù)；響應(yīng)于周期性第二刷新信號(hào)而刷新所述選中的字線B次，其中B是小于A的有理數(shù)；及在高頻區(qū)段中響應(yīng)于所述周期性第二刷新信號(hào)而刷新所述選中的字線C次，其中C是大于B的有理數(shù)；以及 第二刷新控制單元，適合于從使能第二刷新進(jìn)入命令時(shí)至使能第二刷新退出命令時(shí)使能所述周期性第二刷新信號(hào)。
9.一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括: 存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括具有多個(gè)字線的單元陣列，且適合于:在第一操作模式期間在第一周期內(nèi)、在第二操作模式期間在比所述第一周期長(zhǎng)的第二周期內(nèi)以及在所述第二操作模式開(kāi)始之后的高頻區(qū)段中在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述單元陣列；以及 存儲(chǔ)器控制器，適合于:在所述第一操作模式期間以設(shè)定周期將刷新命令輸入至所述存儲(chǔ)器件中、且將所述存儲(chǔ)器件設(shè)定在所述第二操作模式中。
10.一種用于操作具有單元陣列的存儲(chǔ)器件的方法，所述單元陣列包括多個(gè)字線，所述方法包括: 響應(yīng)于周期性刷新命令而在第一周期內(nèi)刷新所述單元陣列； 響應(yīng)于第二刷新進(jìn)入命令而進(jìn)入第二操作模式；以及 在第二操作模式中在比所述第一周期長(zhǎng)的第二周期內(nèi)和在所述第二操作模式開(kāi)始之后的高頻區(qū)段期間在比所述第二周期短的第三周期內(nèi)刷新所述單元陣列。
【文檔編號(hào)】G11C11/4063GK104347109SQ201410203005
【公開(kāi)日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年5月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月9日
【發(fā)明者】梁鐘烈 申請(qǐng)人:愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司