磁記錄介質(zhì)的制造方法
【專利摘要】一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其目的在于降低潤滑層的摩擦系數(shù)、且提高由潤滑層對保護(hù)層表面的覆蓋率。在一種在被積層體上按順序形成磁記錄層、保護(hù)層、潤滑層的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，所述潤滑層的形成是，使形成了所述保護(hù)層后的所述被積層體不與大氣接觸而利用氣相潤滑成膜方法在所述被積層體上涂布第一潤滑劑，之后，使用溶解于有機(jī)溶劑的第二潤滑劑在所述被積層體上涂布潤滑劑，所述第一潤滑劑中包含的化合物的分子量比所述第二潤滑劑中包含的化合物的分子量高，所述第一潤滑劑中包含的化合物的極性比所述第二潤滑劑中包含的化合物的極性低。
【專利說明】磁記錄介質(zhì)的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近些年，磁存儲裝置被搭載在個人計算機(jī)、動畫記錄器、數(shù)據(jù)服務(wù)器等各種產(chǎn)品中，其重要性正在提高。磁存儲裝置是具有利用磁記錄來保存電子數(shù)據(jù)的磁記錄介質(zhì)的裝置，例如包括磁盤裝置、可撓性盤片裝置、磁帶裝置等。磁盤裝置例如包括硬盤(HDD:HardDisk Drive)等。
[0003]一般的磁記錄介質(zhì)具有多層膜積層構(gòu)造，該多層膜積層構(gòu)造例如在非磁性基板上依次形成襯底層、中間層、磁記錄層及保護(hù)層，并在保護(hù)層的表面涂布了潤滑層。為了防止在形成磁記錄介質(zhì)的各層之間混入不純物等，在磁記錄介質(zhì)的制造中，使用在減壓下可連續(xù)積層各層的串聯(lián)式(in-line type)真空成膜裝置(例如專利文獻(xiàn)I)。
[0004]在串聯(lián)式真空成膜裝置中，具備可在基板上進(jìn)行成膜(形成膜)的成膜單元的多個成膜用腔室與進(jìn)行加熱處理的腔室或預(yù)備腔室等一起通過閘門閥被連接，形成一條成膜線。將基板安裝在托架上并使其在通過成膜線期間，在基板上形成預(yù)定的層，制造期望的磁記錄介質(zhì)。
[0005]一般來說，成膜線被配置成環(huán)狀，在成膜線上具備將基板安裝在托架上或?qū)⒒鍙耐屑苌闲断碌幕宀鹧b腔室。在成膜腔室間循環(huán)一周的托架被供應(yīng)至基板拆裝腔室，成膜后的基板從托架上被拆下，在卸下成膜后的基板的托架上新安裝基板。
[0006]另夕卜，作為在磁記錄介質(zhì)的表面形成潤滑層的方法，提出了氣相潤滑(Vapor-Phase Lubricat1n)成膜方法,該氣相潤滑成膜方法在真空容器內(nèi)配置磁記錄介質(zhì)，并向真空容器內(nèi)導(dǎo)入通過加熱而氣化了的潤滑劑(例如專利文獻(xiàn)2)。
[0007]當(dāng)用串聯(lián)式真空成膜裝置來制造如上所述的具有多層膜積層構(gòu)造的磁記錄介質(zhì)時，例如在磁記錄層的形成中使用利用濺射法所形成的真空成膜裝置，在保護(hù)層的形成中使用利用離子束法所形成的真空成膜裝置，在潤滑層的形成中使用利用氣相潤滑成膜法所形成的真空成膜裝置。由此，可使被積層體不與大氣接觸地來進(jìn)行從磁記錄層到潤滑層的形成工序(或成膜步驟)。
[0008]另外，提出了一種磁記錄介質(zhì)，其形成兩層潤滑層，在保護(hù)層側(cè)具備化學(xué)上穩(wěn)定且具有與保護(hù)層之間適當(dāng)?shù)木o貼性的固定層(或結(jié)合層)，并在表面?zhèn)染邆渲饕傻湍Σ料禂?shù)的材料構(gòu)成的流動層(或自由層)(例如專利文獻(xiàn)3)。
[0009]<現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)>
[0010]〈專利文獻(xiàn)〉
[0011]專利文獻(xiàn)1:(日本)特開平8-274142號公報
[0012]專利文獻(xiàn)2:(日本)特開2004-002971號公報
[0013]專利文獻(xiàn)3:(日本)特開2006_147012號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]<本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題>
[0015]如果考慮磁記錄介質(zhì)與磁頭的接觸，則優(yōu)選潤滑層的摩擦系數(shù)低者。另一方面，若考慮磁記錄介質(zhì)的耐腐蝕性，則優(yōu)選由潤滑層覆蓋保護(hù)層表面的覆蓋率高者。
[0016]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其可降低潤滑層的摩擦系數(shù)、且可提高由潤滑層覆蓋保護(hù)層表面的覆蓋率。〈用于解決技術(shù)問題的方案>
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一個方案，提供一種在被積層體上按順序形成磁記錄層、保護(hù)層、潤滑層的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述潤滑層的形成是，使形成了所述保護(hù)層后的所述被積層體不與大氣接觸而利用氣相潤滑成膜方法在所述被積層體上涂布第一潤滑齊?，之后，使用在有機(jī)溶劑溶解的第二潤滑劑在所述被積層體上涂布潤滑劑，所述第一潤滑劑中包含的化合物的分子量比所述第二潤滑劑中包含的化合物的分子量高，所述第一潤滑劑中包含的化合物的極性比所述第二潤滑劑中包含的化合物的極性低。
[0018]〈發(fā)明的效果〉
[0019]根據(jù)公開的磁記錄介質(zhì)的制造方法，可降低潤滑層的摩擦系數(shù)，且可提高由潤滑層覆蓋保護(hù)層表面的覆蓋率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是表示本發(fā)明的一個實(shí)施方式中的磁記錄介質(zhì)的制造裝置的一個例子的示意圖。
[0021]圖2是表示用圖1的制造裝置所制造的磁記錄介質(zhì)的一個例子的剖視圖。
[0022]圖3是表示具備在本實(shí)施方式中所制造的磁記錄介質(zhì)的磁存儲裝置的構(gòu)成的一個例子的立體圖。

【具體實(shí)施方式】
[0023]以下參照附圖對本發(fā)明的各實(shí)施方式中的磁記錄介質(zhì)的制造方法及裝置進(jìn)行說明。
[0024]根據(jù)本發(fā)明人的研究可知:如果使被積層體不與大氣接觸而連續(xù)地進(jìn)行磁記錄介質(zhì)的從磁記錄層到潤滑層的形成工序，則根據(jù)潤滑劑的種類可將在潤滑層中包含的粘合層的比例(或粘合率)提高至接近100%。但是，根據(jù)本發(fā)明人的研究，對于潤滑層的粘合率，100%也并非是最佳值。從降低磁記錄介質(zhì)與磁頭接觸時的摩擦系數(shù)的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選潤滑層包含適度的自由層。另一方面，如果從提高磁記錄介質(zhì)的耐腐蝕性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選提高由潤滑層覆蓋保護(hù)層表面的覆蓋率。
[0025]因此，如以下所說明的，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，其通過在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)提高潤滑層的對保護(hù)層的表面的粘合率從而在潤滑層中包含適當(dāng)?shù)淖杂蓪?，并提高由潤滑層覆蓋的保護(hù)層表面的覆蓋率。
[0026]對于磁記錄介質(zhì)的潤滑層，在保護(hù)層側(cè)需要與保護(hù)層堅固結(jié)合(也即粘合率(bonded rat1)高)化學(xué)上穩(wěn)定的粘合層,在表面?zhèn)刃枰饕傻湍Σ料禂?shù)的材料形成的自由層。在此，如果使用氣相潤滑成膜方法，則可容易形成該粘合層，但難以提高保護(hù)層表面的由潤滑劑覆蓋的覆蓋率、且難以使?jié)櫥瑢雍羞m度的自由層。換言之，對于具有這樣特性的磁記錄介質(zhì)的潤滑層，其由特殊的潤滑劑及其他的潤滑劑的混合物形成的情況較多，但若要用氣相潤滑成膜方法來涂布這樣的潤滑劑，則存在由于加熱使得包含在潤滑劑中的化合物的一部分會分解或熱聚合而變質(zhì)成別的化合物、或者只是分子量低的低沸點(diǎn)的化合物會先蒸發(fā)而被涂布的問題。
[0027]對此，在磁記錄介質(zhì)的制造方法的一個實(shí)施方式中，由于在用氣相潤滑成膜方法在被積層體上涂布第一潤滑劑之后，使用溶解于有機(jī)溶劑的第二潤滑劑來涂布潤滑劑，因此與包含于潤滑層中的保護(hù)層的結(jié)合力低的化合物被有機(jī)溶劑沖洗，能夠使?jié)櫥瑢哟_實(shí)地包含第二潤滑劑。由此，能夠形成適度包含結(jié)合層和自由層的潤滑層。
[0028]另外，在磁記錄介質(zhì)的制造方法的一個實(shí)施方式中，也可以將在被積層體上涂布第二潤滑劑的步驟設(shè)置成，將涂布在被積層體上的第一潤滑劑的一部分或全部置換為第二潤滑劑的步驟。如上所述，作為用氣相潤滑成膜方法涂布的物質(zhì)，適用分子量低、且分子量范圍窄的物質(zhì)，但這樣性質(zhì)的物質(zhì)與適用于磁記錄介質(zhì)的潤滑層的化合物并不一定一致。換言之，對于磁記錄介質(zhì)的潤滑層，除了粘合率以外，還尋求由潤滑層覆蓋保護(hù)層表面的高覆蓋率。
[0029]另外，包含極性低的化合物的潤滑劑適于氣相潤滑成膜。因此，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，作為形成結(jié)合層的潤滑劑，即使包含于潤滑劑中的化合物的分子量較高也可得到一定程度的覆蓋率及一定值以上的粘合率，因此優(yōu)選化合物的極性較低。另外，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，作為形成自由層的潤滑劑，即使包含于潤滑劑中的化合物的分子量較低也可得到一定值以下的摩擦系數(shù)、抑制磁頭上的潤滑劑拾取、且得到一定值以上的覆蓋率，因此優(yōu)選化合物的極性較高。另一方面，發(fā)現(xiàn)為了發(fā)揮潤滑層的潤滑性，優(yōu)選設(shè)置例如膜厚為2埃(A)?3農(nóng)左右的自由層，如果潤滑層的總膜厚為例如10A，則優(yōu)選粘合層的膜厚為總膜厚的大約80%?大約70%的8 A?7 A左右。
[0030]因此，對于凃布于被積層體的第一潤滑劑，使用對于保護(hù)層表面的粘合率為一定值以上、且可形成適度的結(jié)合層的極性低的化合物，對于置換第一潤滑劑的一部分或全部的第二潤滑劑，使用對于保護(hù)層的表面的覆蓋率為一定值以上、且可形成摩擦系數(shù)為一定值以下的自由層的極性高的化合物。由此，可形成實(shí)現(xiàn)了包含適度的自由層、高粘合率、高覆蓋率、低摩擦系數(shù)的潤滑層。
[0031]將第一潤滑劑的一部分或全部置換為第二潤滑劑的步驟可通過在向被積層體涂布第一潤滑劑的涂布步驟之后，涂布溶解于有機(jī)溶劑的第二潤滑劑來實(shí)現(xiàn)，作為所述步驟的具體涂布方法，可舉出浸潰法(dip method)或旋涂法(spin coat method)等。當(dāng)在由包含極性低的化合物的第一潤滑劑所形成的第一潤滑層上形成了由包含極性高的化合物的第二潤滑劑所形成的第二潤滑層時，包含極性低的化合物的第一潤滑劑的一部分或全部被包含極性高的化合物的第二潤滑劑置換。
[0032]當(dāng)使用浸潰法時，例如可使用如下方法，通過在浸潰涂布裝置的浸潰槽中所加入的潤滑層形成用溶液中，浸潰形成有至保護(hù)層為止的各層的被積層體，之后，以預(yù)定的速度從浸潰槽撈起被積層體，從而將潤滑層形成用溶液涂布在被積層體的保護(hù)層上的表面上。
[0033]當(dāng)使用旋涂法時，例如可使用如下方法，由噴嘴向被積層體表面吹噴潤滑層形成用溶液，之后，使被積層體高速旋轉(zhuǎn)而甩掉多余的溶液，在保護(hù)層上的表面上涂布潤滑劑。
[0034]作為用于潤滑劑層形成用溶液的有機(jī)溶劑，例如可舉出Vertrel XF(商品名，三井杜邦氟化學(xué)公司制)等氟類溶劑等，通過改變?nèi)軇┡c第二潤滑劑的混合比例，從而能夠改變第一潤滑劑的向第二潤滑劑的置換率。具體來說，當(dāng)提高包含于潤滑劑層形成用溶液中的第二潤滑劑的混合比例時，能夠提高第一潤滑劑的向第二潤滑劑的置換率。
[0035]另外，根據(jù)用于潤滑劑層形成用溶液的有機(jī)溶劑的種類，也能夠改變第一潤滑劑的向第二潤滑劑的置換率。具體來說，當(dāng)相對于第二潤滑劑，提高針對有機(jī)溶劑的第一潤滑劑的溶解力時，能夠提高第一潤滑劑的向第二潤滑劑的置換率。
[0036]在磁記錄介質(zhì)的制造方法的一個實(shí)施方式中，第一潤滑劑中包含的化合物的分子量比第二潤滑劑中包含的化合物的分子量高，第一潤滑劑中包含的化合物的極性比第二潤滑劑中包含的化合物的極性低。
[0037]在磁記錄介質(zhì)的制造方法的一個實(shí)施方式中，作為第一潤滑劑，優(yōu)選包含分子量在1500~5000范圍內(nèi)的二元醇(d1l)。通過使用分子量較高、極性較低的二元醇，可得到一定程度的覆蓋率及一定值以上的粘合率、并且可抑制潤滑劑拾取。需要說明的是，所謂的二元醇是2個羥基與2個不同的碳結(jié)合的脂肪族或脂環(huán)化合物的總稱，例如，可例舉下述化合物。當(dāng)?shù)谝粷櫥瑒┲兴幕衔锸嵌紩r，二元醇的極性可由羥基的量而調(diào)整。
[0038][化I]
[0039]

【權(quán)利要求】
1.一種在被積層體上按順序形成磁記錄層、保護(hù)層、潤滑層的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于， 所述潤滑層的形成是，使形成了所述保護(hù)層后的所述被積層體不與大氣接觸而利用氣相潤滑成膜方法在所述被積層體上涂布第一潤滑劑，之后，使用溶解于有機(jī)溶劑的第二潤滑劑在所述被積層體上涂布潤滑劑， 所述第一潤滑劑中包含的化合物的分子量比所述第二潤滑劑中包含的化合物的分子量高， 所述第一潤滑劑中包含的化合物的極性比所述第二潤滑劑中包含的化合物的極性低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，在所述被積層體上涂布所述第二潤滑劑的步驟是將涂布在所述被積層體上的所述第一潤滑劑的一部分或全部置換為所述第二潤滑劑的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，所述第一潤滑劑包含分子量在1500?5000范圍內(nèi)的二元醇。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，所述第二潤滑劑包含分子量在500?2000范圍內(nèi)的四元醇。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，所述第二潤滑劑包含多個化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，將所述保護(hù)層與所述潤滑層的粘合率設(shè)為60%?99%的范圍內(nèi)。
【文檔編號】G11B5/84GK104078057SQ201410112268
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年3月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月27日
【發(fā)明者】岡部健彥, 藤克昭 申請人:昭和電工株式會社