使用前端預(yù)充電的存儲(chǔ)器的制造方法
【專利摘要】一種方法，包括：由包括多個(gè)存儲(chǔ)單元和與其相關(guān)聯(lián)的多條位線的存儲(chǔ)器接收用于對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一子組執(zhí)行第一操作的第一命令；響應(yīng)于接收第一命令，發(fā)起選擇性預(yù)充電操作，導(dǎo)致多條位線中耦合到多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一子組的子組的預(yù)充電狀態(tài)，多條位線的子組包括的位線少于多條位線；由存儲(chǔ)器接收用于對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)單元的第二子組執(zhí)行第二操作的第二命令，其中多個(gè)存儲(chǔ)單元的第二子組不同于多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一子組，并且多個(gè)存儲(chǔ)單元的第二子組耦合到多條位線的子組；以及響應(yīng)于接收第二命令，對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)單元的第二子組執(zhí)行第二操作，第二操作發(fā)生在多條位線的子組保持在響應(yīng)于接收第一命令而發(fā)起的選擇性預(yù)充電操作所導(dǎo)致的預(yù)充電狀態(tài)的期間。
【專利說(shuō)明】使用前端預(yù)充電的存儲(chǔ)器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開的實(shí)施例涉及集成電路，具體地，涉及使用選擇性預(yù)充電的數(shù)字存儲(chǔ)體。
【背景技術(shù)】
[0002]電子系統(tǒng)應(yīng)用于許多設(shè)備中，所述設(shè)備包括個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)、服務(wù)器、路由器、集線器、交換機(jī)、線卡、蜂窩電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、電子游戲設(shè)備、高清晰度電視機(jī)(HDTV)、以及工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備等等。這些電子系統(tǒng)的主要技術(shù)驅(qū)動(dòng)是數(shù)字邏輯和控制、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、輸入/輸出(I/O)以及復(fù)合信號(hào)(模擬和數(shù)字)技術(shù)。獨(dú)立產(chǎn)品的例子包括微處理器/控制器、動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(DRAM)、SRAM、閃存EEPROM、A/D轉(zhuǎn)換器等。嵌入式產(chǎn)品的例子包括作為SIC(片內(nèi)系統(tǒng))的多片集成電路(IC)或作為SOC(片上系統(tǒng))的單片1C。
[0003]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(例如DRAM、SRAM、ROM、EPROM、EEPROM、閃存 EEPROM、鐵電 RAM、MAGRAM等)在三十多年里在許多電子系統(tǒng)中扮演了重要角色。它們的用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、代碼(指令)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)檢索/訪訪問(wèn)(讀/寫)的功能持續(xù)地跨越各種應(yīng)用。這些獨(dú)立的/分立的存儲(chǔ)器產(chǎn)品形式和嵌入式形式的存儲(chǔ)器(例如集成有如邏輯等的其它功能的存儲(chǔ)器)在模塊或單片IC中的應(yīng)用持續(xù)增長(zhǎng)。在各種應(yīng)用中，成本、工作功率、帶寬、延遲、使用的簡(jiǎn)易性、支持廣泛應(yīng)用的能力(平衡訪問(wèn)對(duì)比不平衡訪問(wèn))以及非易失性都是所期望的特性。
[0004]從20世紀(jì)70年代的在單片IC上數(shù)千比特的存儲(chǔ)量起，半導(dǎo)體技術(shù)在每存儲(chǔ)器芯片的密度上已經(jīng)有了很大的發(fā)展。目前在易失性讀/寫RAM(如DRAM)以及非易失性讀/寫存儲(chǔ)器(如閃存EEPROM)中可以實(shí)現(xiàn)I吉比特(GB)每單片1C。但是，訪問(wèn)的粒度(granularity of access)卻未跟上。雖然目前可利用多存儲(chǔ)體(multibank) IC,但是一次不能訪問(wèn)多于32比特。實(shí)際上，對(duì)于讀/寫而言，一次僅可用一個(gè)存儲(chǔ)體，而其它的存儲(chǔ)體則無(wú)法用于基本上同時(shí)進(jìn)行的操作。訪問(wèn)和周期次數(shù)已經(jīng)得到改善，從而提供了帶有例如“列預(yù)取(column pre-fetch) ”、“ 開放頁(yè)(open page)”、和“專用 1/0 接口” (DDR, QDR,RambusTM)等的限制的較高帶寬。但是，隨機(jī)延遲——訪問(wèn)存儲(chǔ)器中任何地方的任何隨機(jī)位置的能力——仍然是個(gè)問(wèn)題。在由于便攜性而要求低電壓和電池供電的情況下，還需大幅降低功率和延遲。例如，移動(dòng)SDRAM(例如Micron等所提供的移動(dòng)SDRAM)在降低“待機(jī)功率”方面已采取了一些措施。但是，降低工作功率仍是這種存儲(chǔ)器的一個(gè)問(wèn)題。
[0005]在例如以矩陣方式逐行逐列地組織的、在市場(chǎng)上可購(gòu)買到的DRAM中，在開放行(等于一個(gè)“頁(yè)面”)時(shí)，一旦該“頁(yè)面”被開放，則對(duì)于快速隨機(jī)訪問(wèn)而言可使用一千至四千比特。但是，由于各種原因，通信存儲(chǔ)器在使用開放頁(yè)面架構(gòu)的情況下效率不高。首先，與計(jì)算系統(tǒng)存儲(chǔ)器中的不平衡的讀/寫(讀可能以多于三比一的比例超過(guò)寫)不同，通信存儲(chǔ)器需要平衡的讀/寫(讀的次數(shù)大約等于寫的次數(shù))。第二，在通信存儲(chǔ)器中，包存儲(chǔ)器內(nèi)容的外出(輸出)完全是隨機(jī)的和不可預(yù)測(cè)的。因此，由于這些原因，任何包(或包的部分)的隨機(jī)延遲需要有用的帶寬，而非快速訪問(wèn)例如開放頁(yè)面中的受限的尋址空間的能力。此外，在可以開放新的頁(yè)面(如DRAM中)之前，必須關(guān)閉現(xiàn)有的或當(dāng)前的頁(yè)面，并對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)體進(jìn)行預(yù)充電。因此，如果單個(gè)存儲(chǔ)體具有64Mb的密度，則即使只需要被訪問(wèn)行中的16個(gè)新的比特，也必須對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)體進(jìn)行預(yù)充電，該預(yù)充電消耗了功率且提高了存儲(chǔ)器器件的溫度。
[0006]盡管帶寬、延遲、成本，功率和波形因數(shù)都是重要的，但是對(duì)于移動(dòng)應(yīng)用而言，低功率是關(guān)鍵。隨著新一代器件的密度和速度的提高，工作功率的降低是關(guān)注的重點(diǎn)。DRAM、SRAM和閃存EEPROM中的異步操作是當(dāng)前降低工作功率的優(yōu)先選擇，但是，這對(duì)訪問(wèn)時(shí)間和性能有不利影響。另一方面，同步操作需要對(duì)集成電路(IC)中的上百萬(wàn)個(gè)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行啟動(dòng)和預(yù)充電，從而導(dǎo)致了高功率成本。例如在CMOS設(shè)計(jì)中，工作功率大約等于CV2f，其中f是頻率，C是(各種)電容，V是電壓。V和C的降低是有限的。一般地，為了更好的性能，必須提高f，使得同時(shí)降低工作功率更加困難。
[0007]多存儲(chǔ)體存儲(chǔ)器在DRAM、SRAM和閃存中是常見的。為改善帶寬，在DRAM和SRAM(例如RambusTM、DDR、QDR等)中均已普及數(shù)據(jù)和“開放頁(yè)”的預(yù)定(例如預(yù)取)突發(fā)。RLDRAM?和FCRAM?是帶寬和延遲推力(latency thrust)的兩個(gè)例子。輪詢(round-robin)方案也可用于降低功率，但是由于限于以預(yù)定順序訪問(wèn)每個(gè)存儲(chǔ)體，因而不允許隨機(jī)行訪問(wèn)。因此，隨機(jī)行訪問(wèn)時(shí)間平均被延長(zhǎng)。
[0008]在1998年10月27日授予Rogers等人的美國(guó)專利5，828，610中，公開了一種靜態(tài)RAM(SRAM)。該SRAM被描述為能夠在對(duì)數(shù)據(jù)字進(jìn)行讀訪問(wèn)操作之前對(duì)該數(shù)據(jù)字進(jìn)行選擇性預(yù)充電，以節(jié)省功率。但是，其中并未講解或暗示在寫訪問(wèn)操作之前進(jìn)行選擇性預(yù)充電。該美國(guó)專利5，828，610也沒有講解或暗示對(duì)存儲(chǔ)器單元的單個(gè)列進(jìn)行選擇性預(yù)充電的方法。此外，盡管示出了選擇性預(yù)充電，Roger的SRAM以及其它未利用選擇性預(yù)充電的標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器的操作需要在可以訪問(wèn)另一存儲(chǔ)器段之前完成一個(gè)防問(wèn)周期，這種操作方式導(dǎo)致了延遲的增加。此外，SRAM通常不如其它形式的存儲(chǔ)器(例如DRAM)那樣密集。因此，與更密集的形式的存儲(chǔ)器如現(xiàn)代DRAM相比，SRAM較少受到軟錯(cuò)誤的影響。除了對(duì)軟錯(cuò)誤的靈敏性之外，與DRAM不同，傳統(tǒng)的SRAM典型地不需要支持各種突發(fā)模式操作。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]通過(guò)結(jié)合附圖的以下詳細(xì)描述將容易地理解本公開的實(shí)施例。
[0010]在附圖的圖示中以示例方式而不是限定性的方式來(lái)示出本公開的實(shí)施例。
[0011]圖1a-1h示出了本領(lǐng)域中已知的示例DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0012]圖2a_2c示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的各種示例性磁心存儲(chǔ)器單元矩陣結(jié)構(gòu)和物理布局;
[0013]圖3示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的包括存儲(chǔ)單元詳情的典型存儲(chǔ)器矩陣架構(gòu)；
[0014]圖4示出了描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)字存儲(chǔ)器操作的流程圖；
[0015]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的存儲(chǔ)器矩陣陣列架構(gòu)的框圖；
[0016]圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元架構(gòu)的示意圖；
[0017]圖7示出了根據(jù)實(shí)施例的包括預(yù)充電選擇線的存儲(chǔ)器矩陣架構(gòu)；
[0018]圖8示出了根據(jù)實(shí)施例的包括預(yù)充電選擇線和預(yù)充電電壓的存儲(chǔ)器矩陣架構(gòu)；
[0019]圖9示出了描述根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的數(shù)字存儲(chǔ)器操作的流程圖，其中可以用一個(gè)命令來(lái)替代另一個(gè)命令而不需要發(fā)起新的訪問(wèn)周期；
[0020]圖10-21描述了現(xiàn)有技術(shù)中的DRAM芯片的時(shí)序圖；
[0021]圖22-28示出了根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的、對(duì)傳統(tǒng)DDRSDRAM(同步雙數(shù)據(jù)速率DRAM)的改進(jìn)；以及
[0022]圖29示出了被配置為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各種實(shí)施例的示例性計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
[0023]圖30描述了包含對(duì)一個(gè)或多個(gè)電子電路的形式描述或編譯描述的介質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0024]本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種方法，包括:由包括多個(gè)存儲(chǔ)單元以及與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的多條位線的存儲(chǔ)器接收用于對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一子組執(zhí)行第一操作的第一命令；響應(yīng)于接收所述第一命令，發(fā)起選擇性預(yù)充電操作，其中選擇性預(yù)充電操作導(dǎo)致所述多條位線中耦合到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組的子組的預(yù)充電狀態(tài)，并且其中所述多條位線的所述子組包括的位線少于所述多條位線；由存儲(chǔ)器接收用于對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的第二子組執(zhí)行第二操作的第二命令，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第二子組不同于所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組，并且其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第二子組耦合到所述多條位線的所述子組；以及響應(yīng)于接收所述第二命令，對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第二子組執(zhí)行第二操作，其中所述第二操作發(fā)生在所述多條位線的所述子組保持在響應(yīng)于接收所述第一命令而發(fā)起的選擇性預(yù)充電操作所導(dǎo)致的預(yù)充電狀態(tài)的期間。
[0025]本發(fā)明的另一個(gè)方面提供了一種設(shè)備，包括:用于接收用于對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一子組執(zhí)行第一操作的第一命令的裝置；用于接收用于對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的第二子組執(zhí)行第二操作的第二命令的裝置，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第二子組不同于所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組；用于響應(yīng)于接收所述第一命令執(zhí)行選擇性預(yù)充電操作的裝置，其中選擇性預(yù)充電操作導(dǎo)致多條位線的子組的預(yù)充電狀態(tài)，其中所述多條位線的所述子組耦合到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組和所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第二子組，并且其中所述多條位線的所述子組包括的位線少于所述多條位線；以及用于響應(yīng)于接收所述第二命令執(zhí)行第二操作的裝置，其中所述第二操作發(fā)生在所述多條位線的所述子組保持在響應(yīng)于接收所述第一命令而發(fā)起的選擇性預(yù)充電操作所導(dǎo)致的預(yù)充電狀態(tài)的期間。
【具體實(shí)施方式】
[0026]在下面的詳細(xì)說(shuō)明中參考構(gòu)成本文中一部分的附圖，其中以本公開的示例性實(shí)施例的方式來(lái)示出所述附圖。應(yīng)當(dāng)理解，在不背離本公開的范圍的情況下，可以使用其它實(shí)施例并且可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)上或邏輯上的變化。因此，以下詳細(xì)說(shuō)明不應(yīng)被認(rèn)為是限制性的，而是根據(jù)本公開的實(shí)施例的范圍由所附的權(quán)利要求及其等效內(nèi)容來(lái)限定。
[0027]可以以有助于理解各種實(shí)施例的方式將各個(gè)操作描述為多個(gè)依次的離散操作；但是，不應(yīng)將所描述的順序解釋為這些操作是順序相關(guān)的。
[0028]本說(shuō)明書可以使用基于透視法的描述，例如上/下、后/前、以及頂/底。這種描述僅僅用于方便討論，而并非旨在限制實(shí)施例的應(yīng)用。
[0029]可以使用術(shù)語(yǔ)“耦合”和“連接”及其派生詞。應(yīng)當(dāng)理解，這些術(shù)語(yǔ)并不是旨在作為彼此的同義詞。而是在具體實(shí)施例中，“連接”可以用于表示兩個(gè)或更多個(gè)元件相互之間直接物理接觸或電接觸?！榜詈稀笨梢灾竷蓚€(gè)或更多個(gè)元件直接物理接觸或電接觸。當(dāng)然，“耦合”還可以指兩個(gè)或更多個(gè)元件相互之間并不直接接觸，但仍然相互協(xié)作或相互作用。
[0030]對(duì)于本說(shuō)明書而言，“A/B”形式的措詞是指A或B。對(duì)于本說(shuō)明書而言，“A和/或B”形式的措詞是指“(A)、(B)、或(A和B)”。對(duì)于本說(shuō)明書而言，以“A、B和C中的至少一個(gè)”的形式的措詞是指“㈧、⑶、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)、或(A、B和C) ”。對(duì)于本說(shuō)明書而言，以“㈧B”形式的措詞是指“⑶或(AB) ”，也就是說(shuō)，A是可選的元件。
[0031]本說(shuō)明書可能會(huì)使用以下措詞:“各種實(shí)施例”、“在實(shí)施例中”、或“在多個(gè)實(shí)施例中”，這些措詞可以各自表示一個(gè)或更多個(gè)相同或不同的實(shí)施例。此外，本公開中描述的實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”、“具有”等是同義詞。
[0032]這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例可以涉及所有形式的READ(讀)和WRITE(寫)存儲(chǔ)器，例如DRAM、SRAM、閃存EEPROM等等。在當(dāng)前的存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)中，ACCESS (訪問(wèn))周期和PRECHARGE(預(yù)充電)周期是單獨(dú)地執(zhí)行的。在接收到訪問(wèn)命令(例如讀或?qū)?時(shí)，典型的存儲(chǔ)器芯片或器件可能假設(shè)芯片中的所有位線已被預(yù)充電并且準(zhǔn)備好被訪問(wèn)。為了實(shí)現(xiàn)上述假設(shè)，在每個(gè)訪問(wèn)周期之后，在下個(gè)訪問(wèn)周期之前，對(duì)所有位線進(jìn)行預(yù)充電。由于多種原因，這可能使用比所需的功率更多的功率。第一個(gè)原因是:在最佳情況下，可能一次只能從典型的存儲(chǔ)器件讀取32位，然而卻對(duì)更多的位線進(jìn)行預(yù)充電，從而消耗了不必要的功率。其次，在許多情況下，因?yàn)榇鎯?chǔ)單元容易由于漏電而丟失其存儲(chǔ)的電荷，因此必須不定期地REFRESH(刷新)存儲(chǔ)單元。所述刷新操作確保了存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)元件定期地被更新，以避免記憶丟失。但是，當(dāng)存儲(chǔ)單元被刷新時(shí)，它們必須首先被預(yù)充電。因此，在典型的體系結(jié)構(gòu)中，在每次刷新之前對(duì)位線進(jìn)行兩次預(yù)充電。一次是如上在最近的訪問(wèn)周期之后，然后另一次是在刷新操作之前。
[0033]為了滿足對(duì)數(shù)字存儲(chǔ)器件的日益發(fā)展的需求，出現(xiàn)了對(duì)以三維尋址方式設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器(而不是傳統(tǒng)的“行X列”二維矩陣尋址方案)的需求。
[0034]本發(fā)明的實(shí)施例可以對(duì)位線的子組進(jìn)行選擇性預(yù)充電，而不是如在現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)所有位線進(jìn)行預(yù)充電。同時(shí)，與諸如輪詢之類的現(xiàn)有技術(shù)方案相反，本發(fā)明的實(shí)施例可以允許隨機(jī)行訪問(wèn)。
[0035]在實(shí)施例中，本發(fā)明可以使用接收到的存儲(chǔ)器地址或標(biāo)識(shí)符，以便不僅如同現(xiàn)有技術(shù)中那樣訪問(wèn)存儲(chǔ)單元，而且在該訪問(wèn)之前選擇要進(jìn)行預(yù)充電的位線。這樣，可以減少預(yù)充電時(shí)間，并且可以限制在預(yù)充電周期期間消耗的功率。此外，在實(shí)施例中，預(yù)充電周期和訪問(wèn)周期可以同時(shí)發(fā)生或基本上同時(shí)發(fā)生。
[0036]此外，在現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)施方式中，啟用了所有的讀出放大器，所述讀出放大器可用于便利于存儲(chǔ)單元在訪問(wèn)周期期間驅(qū)動(dòng)位線電壓。就功率方面而言這也可能存在浪費(fèi)。因此，本發(fā)明的實(shí)施例可以在訪問(wèn)周期期間只啟用全部讀出放大器中的一部分讀出放大器，以節(jié)省在訪問(wèn)周期期間消耗的功率和/或減少訪問(wèn)周期時(shí)間。
[0037]在現(xiàn)有技術(shù)中，多存儲(chǔ)體DRAM常規(guī)地對(duì)所有存儲(chǔ)體進(jìn)行預(yù)充電，但是在下一個(gè)訪問(wèn)周期(可以是一個(gè)時(shí)鐘或若干個(gè)時(shí)鐘)，一次只能訪問(wèn)一個(gè)存儲(chǔ)體。如果具有對(duì)輸入地址流的“先驗(yàn)”知識(shí)——如在信元和包交換的許多通信應(yīng)用中的情形——本發(fā)明通過(guò)準(zhǔn)備所述選擇性的存儲(chǔ)體用于DATA WRITE(數(shù)據(jù)寫)可顯著地降低工作功率。類似地，如果已知針對(duì)OUTPUTTING(輸出)包的EGRESS(輸出)模式，則可以在讀取數(shù)據(jù)之前僅對(duì)需要被預(yù)充電的一個(gè)(或多個(gè))存儲(chǔ)體進(jìn)行預(yù)充電。此外，存儲(chǔ)體的操作消耗約50%的工作功率，剩余的功率在操作存儲(chǔ)體的外圍設(shè)備中被消耗。因此，降低存儲(chǔ)體的存儲(chǔ)功率可以顯著地降低存儲(chǔ)器消耗的總功率。僅對(duì)例如子陣列的預(yù)充電消耗較少的功率，且與現(xiàn)有技術(shù)中實(shí)現(xiàn)的預(yù)充電相比要快得多。
[0038]圖1a至Ih描述了本領(lǐng)域中已知的示例性DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的各種示意圖?？梢岳帽景l(fā)明的各種實(shí)施例來(lái)降低預(yù)充電周期期間的功率消耗以及維持存儲(chǔ)器芯片中的低的隨機(jī)行訪問(wèn)延遲時(shí)間，所述存儲(chǔ)器芯片包括這些以及其它的已知或未知的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)包括除了 DRAM之外的存儲(chǔ)器類型。
[0039]圖2a至2c示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的各種示例性DRAM磁心存儲(chǔ)單元矩陣組織和物理布局。圖2a示出了傳統(tǒng)的交叉點(diǎn)陣列布局。圖2b示出了折疊式位線陣列布局。圖2c示出了復(fù)搶式(folded twisted)位線架構(gòu)?？梢岳帽景l(fā)明的各種實(shí)施例來(lái)降低在預(yù)充電周期期間的功率消耗以及維持存儲(chǔ)器芯片中的低的隨機(jī)行訪問(wèn)延遲時(shí)間，所述存儲(chǔ)器芯片包括這些以及其它的已知或未知的磁心存儲(chǔ)器組織，所述存儲(chǔ)器組織包括除了 DRAM之外的存儲(chǔ)器類型。
[0040]圖3示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的包括存儲(chǔ)單元詳情的典型存儲(chǔ)器矩陣架構(gòu)。尋址命令控制電路315可接收用于對(duì)某些存儲(chǔ)單元313執(zhí)行訪問(wèn)操作的命令。尋址命令控制電路還可接收存儲(chǔ)器地址或標(biāo)識(shí)符，所述存儲(chǔ)器地址或標(biāo)識(shí)符可包括標(biāo)識(shí)要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的行地址和/或列地址。尋址命令控制電路315可以將標(biāo)識(shí)符和/或列地址傳遞給列譯碼器301。列譯碼器301可以對(duì)標(biāo)識(shí)符和/或列地址進(jìn)行譯碼，以確定哪些存儲(chǔ)單元列包括要被訪問(wèn)的特定存儲(chǔ)單元。尋址命令控制電路315還可以將標(biāo)識(shí)符和/或行地址傳遞給行譯碼器307。行譯碼器307可以對(duì)標(biāo)識(shí)符和/或行地址進(jìn)行譯碼，以確定哪些存儲(chǔ)單元行包含要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單兀。
[0041]如果所接收到的命令操作是讀操作，則可能發(fā)生以下事件?，F(xiàn)有技術(shù)的電路將假設(shè)所有位線311均已被預(yù)充電(見下文)。典型地，位線309將被預(yù)充電到基準(zhǔn)電壓電平的一半(Vcc/2)的電壓電平，當(dāng)然，其它的預(yù)充電電壓也是可行的。行譯碼器307將設(shè)置或固定在包含要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的行線311上的防問(wèn)電壓。圖3中描述的每個(gè)存儲(chǔ)單元313被示出為具有一個(gè)選通晶體管317和一個(gè)存儲(chǔ)元件電容器319的典型的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。在電容器319上可具有表示二進(jìn)制“I”或二進(jìn)制“O”的存儲(chǔ)電壓。用于表示二進(jìn)制“I”或二進(jìn)制“O”的電壓電平可以隨實(shí)施方案和/或結(jié)構(gòu)而變化。盡管存儲(chǔ)單元313描述了最常見類型的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，許多其它的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)也是已知的(見圖la-lh)。當(dāng)連接到行線311的選通晶體管317的相關(guān)端子檢測(cè)到訪問(wèn)線電壓已被行譯碼器307設(shè)置或固定時(shí)，該檢測(cè)到的電壓可以打開選通晶體管317并允許存儲(chǔ)元件319與相關(guān)的位線309共享其存儲(chǔ)的電壓。該共享可引起該位線的電壓電平的微小擾動(dòng)。讀出放大器電路303 (可包含多個(gè)讀出放大器)可以通過(guò)對(duì)所述微小擾動(dòng)施加正反饋直到該位線被設(shè)置或固定到所存儲(chǔ)的電壓電平以便利于對(duì)所存儲(chǔ)的電壓電平的驅(qū)動(dòng)。由于行譯碼器307可以只將一個(gè)行線311設(shè)置或固定到訪問(wèn)電壓電平，因此可以只將存儲(chǔ)單元313的一行“接通”，以驅(qū)動(dòng)位線309的電壓電平。這有時(shí)被稱為打開頁(yè)。此時(shí)，讀出放大器303可讀取位線309的電壓電平，且該輸出被發(fā)送到存儲(chǔ)器芯片的輸出引腳(未示出)。此外，該操作可使存儲(chǔ)元件319上的電荷耗盡，但是讀出放大器303的操作可以刷新存儲(chǔ)元件319的存儲(chǔ)電壓。[0042]如果接收到的命令操作是寫命令，則行譯碼器307可以如在讀操作中一樣設(shè)置或固定行線上的訪問(wèn)電壓。接下來(lái)，讀出放大器303可以將位線309上的電壓驅(qū)動(dòng)為期望電壓(表示要寫入的期望的二進(jìn)制邏輯值)，該期望電壓又可將各種存儲(chǔ)元件319的電壓驅(qū)動(dòng)為期望的電壓電平。
[0043]此外，尋址命令控制電路315可以向可包括預(yù)充電電路的讀出放大器303發(fā)送信號(hào)，以對(duì)該電路中的所有位線309進(jìn)行預(yù)充電。作為響應(yīng)，該器件中的所有位線309均可被預(yù)充電。典型地，該預(yù)充電周期在所述訪問(wèn)周期之后出現(xiàn)，為下一個(gè)緊接著的訪問(wèn)命令做準(zhǔn)備。此外，如同本領(lǐng)域中已知且熟知的，將在類似進(jìn)程之后不定期地對(duì)所有位線進(jìn)行刷新。
[0044]在現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)施方式(例如圖3所示的實(shí)施方式)中，如上文所述，對(duì)連接到存儲(chǔ)單元313的字線之一的選擇“開啟”了連接到該選擇的行線311的所有存儲(chǔ)單元313。因此，所有存儲(chǔ)單元313被“接通”，盡管隨后在當(dāng)前的防問(wèn)周期中可能并非對(duì)所有的存儲(chǔ)單元313進(jìn)行讀取。通過(guò)啟動(dòng)附接到單個(gè)行線311的所有存儲(chǔ)單元313，連接到所選行線311的所有這些存儲(chǔ)單元313可以在當(dāng)前訪問(wèn)周期期間被詢問(wèn)，可能需要如上文所述地通過(guò)讀出放大器303的動(dòng)作而被再填充，以及在沒有首先允許刷新存儲(chǔ)電平的情況下不能被進(jìn)行隨后的訪問(wèn)(讀、寫或其它操作)。這對(duì)于所有后續(xù)的訪問(wèn)操作而言都增加了延遲。這還增大了在未被讀取但已啟動(dòng)的存儲(chǔ)單元313中發(fā)生“軟錯(cuò)誤”的可能性。
[0045]圖4示出了描述根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的數(shù)字存儲(chǔ)器的操作的流程圖。在401處，數(shù)字存儲(chǔ)器件可以接收到諸如讀或?qū)懼惖脑L問(wèn)命令，并且可以提供有關(guān)該數(shù)字存儲(chǔ)器件的地址引腳的存儲(chǔ)器地址或標(biāo)識(shí)符。在實(shí)施例中，存儲(chǔ)器地址可以包括標(biāo)識(shí)要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的行和列的行地址和列地址。在實(shí)施例中，所述行地址和列地址每個(gè)可以在不同的時(shí)鐘周期被單獨(dú)地應(yīng)用于所述存儲(chǔ)器件的輸入引腳。在實(shí)施例中，可以首先提供行地址。在實(shí)施例中，可以首先提供列地址。在403處，該數(shù)字存儲(chǔ)器件的列譯碼器可以對(duì)要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的列地址進(jìn)行多路分解或譯碼。在405處，選擇性預(yù)充電電路可以對(duì)位線的子組進(jìn)行選擇性預(yù)充電，所述位線的予組包括那些包含要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的位線。在實(shí)施例中，所述選擇性預(yù)充電可以是針對(duì)比存儲(chǔ)體或整個(gè)芯片中的所有位線少的位線。在實(shí)施例中，所述位線組可以只包括那些連接到要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的位線。在實(shí)施例中，被選擇性預(yù)充電的所述位線組可以是存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)體、小型存儲(chǔ)體、子存儲(chǔ)體、存儲(chǔ)單元陣列、存儲(chǔ)單元的子陣列、8字節(jié)字(八位位組)、字線中的兩列、或單個(gè)存儲(chǔ)單元。
[0046]在407處，行譯碼器可以對(duì)要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的行地址進(jìn)行多路分解或譯碼。在409處，作為響應(yīng)，行譯碼器可以設(shè)置或固定在連接到具有要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的行的行線上的訪問(wèn)電壓。一旦對(duì)位線進(jìn)行選擇性預(yù)充電并且已設(shè)置或固定在具有要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的適當(dāng)行上的訪問(wèn)電壓，則在411處讀出放大器可以便利于訪問(wèn)操作的執(zhí)行，并且可以讀出數(shù)據(jù)位并將其發(fā)送至輸出總線(例如，在訪問(wèn)操作是讀操作的情況下)。
[0047]因此，一旦提供了列地址——無(wú)論是在寬的非多路復(fù)用或是多路復(fù)用的尋址系統(tǒng)中——就可以在數(shù)據(jù)訪問(wèn)之前進(jìn)行預(yù)充電。行地址鏈可以繼續(xù)進(jìn)行直到行線(例如頁(yè)線或字線)編碼完成，但是可以不啟動(dòng)行線直到完成預(yù)充電。在實(shí)施例中，這可以降低行周期時(shí)間Τκ。。例如，在當(dāng)前的DRAM架構(gòu)和布局中，預(yù)充電時(shí)間大約是Tk。的50%。但是，在實(shí)施例中，只對(duì)所有位線中的一小部分進(jìn)行選擇性預(yù)充電可將預(yù)充電時(shí)間減少至!^。的5%到10%之間。[0048]本發(fā)明的實(shí)施例不僅可以應(yīng)用于DRAM，而且可以應(yīng)用于需要位線預(yù)充電的任何存儲(chǔ)器，包括例如多種類型的FeRAM和SRAM存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)。
[0049]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的存儲(chǔ)器矩陣陣列架構(gòu)的框圖。尋址命令控制電路515可以接收用于對(duì)某些存儲(chǔ)單元513進(jìn)行訪問(wèn)操作的命令。尋址命令控制電路還可以接收存儲(chǔ)器地址或標(biāo)識(shí)符，所述存儲(chǔ)器地址或標(biāo)識(shí)符可以包括標(biāo)識(shí)那些要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元513的行地址和/或列地址。在實(shí)施例中，所述行地址和列地址每個(gè)可以在不同的時(shí)鐘周期被單獨(dú)地應(yīng)用于存儲(chǔ)器件的輸入引腳(未示出)。在實(shí)施例中，可以首先提供行地址。在實(shí)施例中，可以首先提供列地址。尋址命令控制電路515可以將列地址傳送給列譯碼器501。列譯碼器501可以對(duì)列地址進(jìn)行譯碼或多路復(fù)用，以確定哪些存儲(chǔ)單元列513包括要被訪問(wèn)的特定存儲(chǔ)單元。尋址命令控制電路515還可將行地址傳送給行譯碼器507，然后行譯碼器507可以確定哪些存儲(chǔ)單元行515包含要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元。
[0050]如果接收到的命令操作是讀操作，則在實(shí)施例中可出現(xiàn)以下事件。與現(xiàn)有技術(shù)的電路不同，該電路可能不會(huì)假設(shè)所有位線509被預(yù)充電。預(yù)充電選擇電路505可以從列譯碼器501或?qū)ぶ访羁刂齐娐?15接收指示要對(duì)位線509中的哪些位線進(jìn)行選擇性預(yù)充電的信號(hào)。在實(shí)施例中，預(yù)充電選擇電路505可以包含預(yù)充電選擇晶體管(未示出)，以允許預(yù)充電選擇電路505對(duì)適當(dāng)?shù)奈痪€509進(jìn)行選擇性預(yù)充電。在實(shí)施例中，預(yù)充電選擇電路505可以是讀出放大器電路503的一部分,所述讀出放大器電路503可以包含多個(gè)讀出放大器。在實(shí)施例中，讀出放大器503可以包含多個(gè)讀出放大器，每個(gè)讀出放大器與所述多個(gè)位線509中的每一個(gè)位線相關(guān)聯(lián)。
[0051]在實(shí)施例中，所述選擇性預(yù)充電可以是針對(duì)比存儲(chǔ)體或存儲(chǔ)器芯片中的所有位線少的位線509。在實(shí)施例中，位線509的子組可以只包括那些連接到要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元513的位線509。在實(shí)施例中，被選擇性預(yù)充電的位線509的子組可以是存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)體、存儲(chǔ)單元的陣列或網(wǎng)格、存儲(chǔ)單元的子陣列、8字節(jié)的字(八位位組)、字線中的兩列、或單個(gè)存儲(chǔ)單元513等。對(duì)于要進(jìn)行選擇性預(yù)充電的位線509，預(yù)充電選擇電路505可以將電壓電平設(shè)置或固定為大約等于基準(zhǔn)電壓電平的一半(Vcc/2)或者某一其它電壓。
[0052]行譯碼器507可以設(shè)置或固定在包含要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元513的行線511上的訪問(wèn)電壓。當(dāng)存儲(chǔ)單元513檢測(cè)到訪問(wèn)行電壓已被設(shè)置或固定時(shí)，存儲(chǔ)單元513可以允許存儲(chǔ)單元513的存儲(chǔ)元件(未示出)與相關(guān)的位線509共享其存儲(chǔ)的電壓。該共享可能引起位線509的電壓電平的微小擾動(dòng)。讀出放大器電路503可以通過(guò)施加正反饋直到位線509被驅(qū)動(dòng)、設(shè)置或固定到所存儲(chǔ)的電壓電平來(lái)便利于對(duì)所存儲(chǔ)的電壓電平的驅(qū)動(dòng)。由于行譯碼器507可以只將一個(gè)行線511設(shè)置或固定到訪問(wèn)電壓電平，因此只有存儲(chǔ)單元513的一行會(huì)被“接通”且驅(qū)動(dòng)位線511的電壓電平。此時(shí)，讀出放大器電路503可以讀取位線509的電壓電平，并且結(jié)果被發(fā)送到輸出數(shù)據(jù)總線(未示出)。此外，該操作可能耗盡存儲(chǔ)單元513中存儲(chǔ)的電荷，但是讀出放大器電路503的操作可以刷新所存儲(chǔ)的電壓。
[0053]如果所述命令操作是寫命令，則行譯碼器507可以如在讀操作中一樣設(shè)置或固定在一個(gè)行線511上的訪問(wèn)電壓。接下來(lái)，讀出放大器電路503可以將位線509上的電壓驅(qū)動(dòng)為期望的電壓(表示期望的二進(jìn)制邏輯值)，所述期望的電壓又可以將存儲(chǔ)單元513的電壓驅(qū)動(dòng)到期望的電壓電平。此外，可以在上述的類似進(jìn)程之后不定期地刷新所有位線509(其中位線被預(yù)充電，值被讀取且隨后通過(guò)讀出放大器503的操作而被寫入或刷新)。[0054]圖6描述了根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的存儲(chǔ)單元架構(gòu)(例如RAM單元體系結(jié)構(gòu))的示意圖。存儲(chǔ)單元600可包括選通晶體管601,選通晶體管601具有經(jīng)由行線611 (也稱為字線)而可操作地耦合到行譯碼器(未示出)的端子。選通晶體管601的另一端子可經(jīng)由位線607被可操作地耦合到讀出放大器(未示出)和列譯碼器(未示出)。存儲(chǔ)單元600還可以包括電容器603，電容器603可用作存儲(chǔ)單元600的存儲(chǔ)元件。電容器603可以存儲(chǔ)表示邏輯二進(jìn)制位“O”或邏輯二進(jìn)制位“I”的存儲(chǔ)電壓。表示“O”或“I”的實(shí)際的存儲(chǔ)電壓電平(或電壓電平的范圍)可以在存儲(chǔ)單元架構(gòu)之間變化，本發(fā)明的實(shí)施例不限于任一電壓電平、多個(gè)電平或范圍。
[0055]存儲(chǔ)單元600還可以包括預(yù)充電選擇晶體管605，預(yù)充電選擇晶體管605可位于選通晶體管601與電容器603之間。預(yù)充電選擇晶體管605的端子可以經(jīng)由預(yù)充電選擇線609而被可操作地耦合到預(yù)充電選擇電路(未示出)。在實(shí)施例中，預(yù)充電選擇電路可以設(shè)置或固定預(yù)充電選擇線609上的預(yù)充電選擇電壓，該預(yù)充電選擇電壓可以使得位線607被驅(qū)動(dòng)為預(yù)充電電壓電平。因此，通過(guò)在存儲(chǔ)單元600中包括預(yù)充電選擇晶體管，可以只對(duì)具有要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的那些特定列進(jìn)行預(yù)充電，從而節(jié)省在預(yù)充電周期期間消耗的功率。這些實(shí)施例提供了非常精細(xì)的粒度，使用該非常精細(xì)的粒度可以對(duì)位線進(jìn)行選擇性預(yù)充電:可以僅對(duì)連接到要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的那些特定位線進(jìn)行預(yù)充電。在替代性實(shí)施例(未示出)中，可以通過(guò)例如將類似的預(yù)充電選擇晶體管置于預(yù)充電選擇電路中來(lái)實(shí)現(xiàn)這種相同水平的精細(xì)粒度。在其它實(shí)施例中，可以使用數(shù)量更少的預(yù)充電選擇晶體管，并且可以用更小的粒度來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)位線的選擇性預(yù)充電，從而導(dǎo)致了比可能必需被預(yù)充電的位線多但仍然少于所有位線的位線被預(yù)充電，因此實(shí)現(xiàn)了功率節(jié)省。在這些實(shí)施例中，功率節(jié)省可能部分地取決于對(duì)位線進(jìn)行預(yù)充電的粒度。
[0056]在使用諸如DRAM存儲(chǔ)單元之類的存儲(chǔ)單元的實(shí)施例中，使用垂直尺度的晶體管，由于包括預(yù)充電選擇晶體管而造成的裸片尺寸的增加或者不利可達(dá)到最小化。
[0057]圖7示出了根據(jù)各種實(shí)施例的在選擇性預(yù)充電中實(shí)現(xiàn)列級(jí)粒度的、包括預(yù)充電選擇線的存儲(chǔ)器矩陣架構(gòu)或存儲(chǔ)器網(wǎng)格架構(gòu)。在實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元713可以以實(shí)質(zhì)上按具有多列和多行的網(wǎng)格或矩陣來(lái)排列。每個(gè)存儲(chǔ)單元713可以構(gòu)成該網(wǎng)格的確切的一行和確切的一列的一部分。單個(gè)列中的每個(gè)存儲(chǔ)單元713可以通過(guò)相應(yīng)的位線709而連接到同一列中的所有其它存儲(chǔ)單元713，行中的每個(gè)存儲(chǔ)單元713可以通過(guò)相應(yīng)的行線711而連接到該行中的所有其它存儲(chǔ)單元713。尋址命令控制電路715可以接收用于對(duì)某些存儲(chǔ)單元713進(jìn)行訪問(wèn)操作的命令。尋址命令控制電路715還可以接收存儲(chǔ)器地址或標(biāo)識(shí)符，所述存儲(chǔ)器地址或標(biāo)識(shí)符可以包括對(duì)存儲(chǔ)單元713中的那些要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行標(biāo)識(shí)的行地址和/或列地址。在實(shí)施例中，所述行地址和列地址每個(gè)可以在不同的時(shí)鐘周期被單獨(dú)地應(yīng)用于存儲(chǔ)器件(未示出)的輸入引腳。在實(shí)施例中，可以首先提供行地址。在實(shí)施例中，可以首先提供列地址。尋址命令控制電路715可以將列地址傳送給列譯碼器701。列譯碼器701可以對(duì)列地址進(jìn)行譯碼或多路復(fù)用，以確定存儲(chǔ)單元713的哪些列包括要被訪問(wèn)的特定的存儲(chǔ)單元。尋址命令控制電路715還可以將行地址傳送給行譯碼器707，行譯碼器707隨后可以確定存儲(chǔ)單元713的哪些行包括要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元。
[0058]如果接收到的命令操作是讀操作，則在實(shí)施例中可發(fā)生以下事件。與在現(xiàn)有技術(shù)的電路中不同，該電路可能不會(huì)假設(shè)所有位線709已被預(yù)充電?？梢允亲x出放大器電路703的一部分的預(yù)充電選擇電路705可從列譯碼器701或?qū)ぶ访羁刂齐娐?15接收表示要對(duì)存儲(chǔ)單元713的哪些列進(jìn)行選擇性預(yù)充電的信號(hào)。在實(shí)施例中，讀出放大器電路703還可包含多個(gè)讀出放大器。
[0059]每個(gè)存儲(chǔ)單元713可包括選通晶體管719、存儲(chǔ)電容器721以及預(yù)充電選擇晶體管723。在實(shí)施例中，每個(gè)預(yù)充電選擇晶體管723可以經(jīng)由多個(gè)預(yù)充電選擇線717被可操作地耦合到預(yù)充電電路。所述預(yù)充電選擇電路可以設(shè)置或固定每個(gè)預(yù)充電選擇線717上的預(yù)充電選擇電壓，從而便利于對(duì)多個(gè)位線709的選擇性預(yù)充電。在實(shí)施例中，可以只對(duì)包含要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的那些列進(jìn)行預(yù)充電，由此實(shí)現(xiàn)精細(xì)的粒度。
[0060]行譯碼器707可以設(shè)置或固定在包含要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的行線711之一上的訪問(wèn)電壓。當(dāng)一個(gè)存儲(chǔ)單元713檢測(cè)到訪問(wèn)線電壓已被行譯碼器707設(shè)置或固定時(shí)，該存儲(chǔ)單元713可以打開選通晶體管719并允許存儲(chǔ)電容器721與相關(guān)的位線709共享其存儲(chǔ)電壓。該共享可引起位線709的電壓電平的微小擾動(dòng)。讀出放大器電路703可以通過(guò)對(duì)所述微小擾動(dòng)施加正反饋直到位線709被設(shè)置或固定到所存儲(chǔ)的電壓電平來(lái)便利于對(duì)所存儲(chǔ)的電壓電平的驅(qū)動(dòng)。由于行譯碼器707可以只將一個(gè)行線711設(shè)置或固定到訪問(wèn)電壓電平，因此僅一行存儲(chǔ)單元713被“接通”并驅(qū)動(dòng)位線709的電壓電平。此時(shí)，讀出放大器電路703可以讀取位線709的電壓電平，且該輸出被發(fā)送至輸出數(shù)據(jù)總線(未示出)。此外，該操作可耗盡存儲(chǔ)電容器721上的電荷，當(dāng)然，讀出放大器電路703的操作可以恢復(fù)所存儲(chǔ)的電壓。
[0061]如果命令操作是寫命令，則行譯碼器707可以如在讀操作中那樣設(shè)置或固定行線711上的訪問(wèn)電壓。接下來(lái)，讀出放大器電路703可以將位線709上的電壓驅(qū)動(dòng)為期望的電壓(表示要存儲(chǔ)的期望的二進(jìn)制邏輯值)，該期望的電壓又可以將存儲(chǔ)電容器721的電壓驅(qū)動(dòng)為期望的電壓電平。此外，可在如上所述的類似進(jìn)程之后不定期地恢復(fù)存儲(chǔ)電容器721上的存儲(chǔ)電壓。
[0062]在利用串聯(lián)在選通晶體管719與存儲(chǔ)電容器721之間的預(yù)充電選擇晶體管723的本發(fā)明的實(shí)施例中，即使在選通晶體管719被啟動(dòng)時(shí)，存儲(chǔ)電容器721的存儲(chǔ)電壓電平也可保持與位線709相隔離。這是因?yàn)?，在?dāng)前的訪問(wèn)操作中，只有連接到要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的預(yù)充電選擇晶體管723才可以被啟動(dòng)。所有其它的預(yù)充電選擇晶體管723可以保持不被啟動(dòng)。因此，即使通過(guò)行線711上的行線電壓的設(shè)置或固定而使得存儲(chǔ)單元713的選通晶體管719被啟動(dòng)時(shí)，預(yù)充電選擇晶體管723仍可允許存儲(chǔ)單元713保持在“斷開”模式。這樣，利用預(yù)充電選擇晶體管723可以允許譯碼級(jí)別處于存儲(chǔ)單元級(jí)(即，“位”級(jí))?？梢砸淮螁?dòng)單個(gè)的存儲(chǔ)單元713，而不是如使用現(xiàn)有技術(shù)那樣一次啟動(dòng)整行的存儲(chǔ)單元。在實(shí)施例中，該譯碼可以通過(guò)以下來(lái)完成:在預(yù)充電選擇電路705對(duì)連接到存儲(chǔ)單元713的相同列的對(duì)應(yīng)位線709進(jìn)行選擇性預(yù)充電時(shí)或此后不久，向預(yù)充電選擇線717施加預(yù)充電選擇電壓。因此，在實(shí)施例中，預(yù)充電選擇電路705可以處理這種附加的譯碼級(jí)別。
[0063]如上文所述，可以選擇行線711上的第一存儲(chǔ)單元713，并且可以通過(guò)以下方式來(lái)對(duì)該第一存儲(chǔ)單元713進(jìn)行讀、寫或其它操作:設(shè)置或固定行線選擇電壓，對(duì)所需的位線709進(jìn)行預(yù)充電，以及接通讀出放大器電路703。接下來(lái)，通過(guò)如上文所述地增加附加的譯碼級(jí)別，在很短的時(shí)段內(nèi)且在同一 ACTIVE(Sa)周期內(nèi)，相同的所選行線711上的第二位/存儲(chǔ)單元713可以被“接通”，并且對(duì)該第二位/存儲(chǔ)單元713進(jìn)行讀、寫或其它操作，而不需要進(jìn)行到下一個(gè)訪問(wèn)周期。此外，在訪問(wèn)第一位/存儲(chǔ)單元713時(shí)，可以對(duì)連接到第二位/存儲(chǔ)單元713的位線709進(jìn)行預(yù)充電。通過(guò)在訪問(wèn)第一位/存儲(chǔ)單元713時(shí)隔離第二位/存儲(chǔ)單元713 (使用上述附加的譯碼級(jí)別)，第二位/存儲(chǔ)單元713的存儲(chǔ)電壓可以被保持并且可以不需要在對(duì)第一位/存儲(chǔ)單元713進(jìn)行訪問(wèn)操作之后被刷新。如上文參照?qǐng)D3所描述的，現(xiàn)有技術(shù)的配置使得連接到行線的所有存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)電壓電平被耗盡，即使是在當(dāng)前訪問(wèn)操作期間不訪問(wèn)這些存儲(chǔ)單元時(shí)也是如此。在可以訪問(wèn)這些位之前，必須刷新這些存儲(chǔ)單元并發(fā)起新的訪問(wèn)周期，從而增加了延遲。但是，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以支持突發(fā)模式操作，由此單個(gè)行中的多個(gè)位可以被選擇性地預(yù)充電，并且可以在很短的時(shí)段內(nèi)相繼被訪問(wèn)，而不進(jìn)入新的訪問(wèn)周期，從而軟錯(cuò)誤的可能性降低，且/或功率消耗降低。
[0064]圖8示出了根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的、包括預(yù)充電選擇線817和預(yù)充電電壓線825的存儲(chǔ)器矩陣架構(gòu)。圖8的存儲(chǔ)器矩陣以與圖7的存儲(chǔ)器矩陣相類似的方式進(jìn)行操作。而在以下則突出其不同之處。
[0065]每個(gè)存儲(chǔ)單元813包含選通晶體管和存儲(chǔ)電容器(未標(biāo)記)。預(yù)充電選擇晶體管823被放置成與每個(gè)存儲(chǔ)單元813相鄰，并且經(jīng)由預(yù)充電選擇線817被可操作地耦合到預(yù)充電選擇電路805。預(yù)充電選擇晶體管823還經(jīng)由預(yù)充電電壓線825被可操作地耦合到預(yù)充電選擇電路805。在設(shè)置或固定在預(yù)充電選擇線817上的預(yù)充電選擇電壓后，預(yù)充電選擇晶體管可以便利于將位線809驅(qū)動(dòng)為在預(yù)充電電壓線825上設(shè)置或固定的所述預(yù)充電選擇電壓。這樣，可以使用預(yù)充電選擇晶體管823將多個(gè)位線809預(yù)充電到預(yù)充電電壓。在實(shí)施例中，可以只對(duì)包含要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的那些列進(jìn)行預(yù)充電。在實(shí)施例中，可以使用圖8中描述的存儲(chǔ)器矩陣架構(gòu)來(lái)對(duì)比包含要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)器的所有列多(但不是全部列)的列進(jìn)行預(yù)充電。在實(shí)施例中，圖8中描述的存儲(chǔ)器矩陣架構(gòu)可能導(dǎo)致小的裸片尺寸損失，但是也可以在少許犧牲或不犧牲性能的情況下實(shí)現(xiàn)在工作功率方面的實(shí)質(zhì)性節(jié)省。
[0066]圖9示出了描述根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的數(shù)字存儲(chǔ)器操作的流程圖，其中可以用一個(gè)命令來(lái)替換另一個(gè)命令而不需要新的訪問(wèn)周期。在901處，數(shù)字存儲(chǔ)器件可以接收到第一訪問(wèn)命令(例如讀或?qū)?，并且可以提供有關(guān)該數(shù)字存儲(chǔ)器件的地址引腳的存儲(chǔ)器地址或標(biāo)識(shí)符。在實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器地址可包括標(biāo)識(shí)包含要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的行和列的行地址和/或列地址。在實(shí)施例中，所述行地址和列地址每個(gè)可以在不同的時(shí)鐘周期被單獨(dú)地應(yīng)用于該存儲(chǔ)器件的輸入引腳。在實(shí)施例中，可以首先提供行地址。在實(shí)施例中，可以首先提供列地址。在903處，數(shù)字存儲(chǔ)器件的列譯碼器可以對(duì)要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的列地址進(jìn)行多路分解或譯碼。在905處，選擇性預(yù)充電電路可以對(duì)位線予組進(jìn)行選擇性預(yù)充電，所述位線子組包括那些包含要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的位線。在實(shí)施例中，選擇性預(yù)充電的位線可以比存儲(chǔ)體或整個(gè)芯片中的所有位線少。在實(shí)施例中，所述位線組可以只包括那些連接到要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的位線。在實(shí)施例中，被選擇性預(yù)充電的位線組可以是存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)體、存儲(chǔ)單元的陣列或網(wǎng)格、存儲(chǔ)單元的子陣列、8字節(jié)的字(八位位組)、字線中的兩列、或單個(gè)存儲(chǔ)單元等。
[0067]在907處，行譯碼器可以對(duì)要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的行地址進(jìn)行多路分解或譯碼。在909處，作為響應(yīng)，行譯碼器可以設(shè)置或固定在連接到具有要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的行的行線上的訪問(wèn)電壓，在911處，數(shù)字存儲(chǔ)器件可被適配為感測(cè)第二訪問(wèn)命令。例如，在實(shí)施例中，如果第一命令是讀命令，則第二命令可以是寫命令或其它命令。在實(shí)施例中，如果第一命令是寫命令，則第二命令可以是讀命令或其它命令。一旦位線已被選擇性預(yù)充電，則所述訪問(wèn)電壓已被設(shè)置或固定在具有要被訪問(wèn)的存儲(chǔ)單元的適當(dāng)?shù)男猩希胰绻?13處沒有檢測(cè)到新的訪問(wèn)命令，則讀出放大器可以便利于在915處對(duì)第一訪問(wèn)操作的執(zhí)行，并且可以讀取數(shù)據(jù)位并將其發(fā)送至輸出總線(例如在訪問(wèn)操作是讀操作的情況下)。如果在913處已檢測(cè)到新的訪問(wèn)命令，則讀出放大器可以便利于在917處對(duì)第二訪問(wèn)操作的執(zhí)行。
[0068]通過(guò)例如在訪問(wèn)周期的起始處(在前端)發(fā)起預(yù)充電周期而不是在之后(在后端)發(fā)起預(yù)充電周期，可以使圖9中描述的操作成為可能。因此，當(dāng)提供了包括存儲(chǔ)體地址和行地址的存儲(chǔ)器地址或接收行地址和列地址的平面地址(flat address)時(shí)，可對(duì)特定的存儲(chǔ)體、小型存儲(chǔ)體、子存儲(chǔ)體、或子陣列進(jìn)行預(yù)充電并且其隨后被啟動(dòng)以用于訪問(wèn)。在此之前，可以不對(duì)存儲(chǔ)體或存儲(chǔ)體的一部分進(jìn)行預(yù)充電。因此，預(yù)充電可以是在存儲(chǔ)器訪問(wèn)操作前端的啟動(dòng)命令的組成部分，而不是如在現(xiàn)有技術(shù)中一樣在后端進(jìn)行。
[0069]因此，在存儲(chǔ)器芯片等待位線被選擇性預(yù)充電(905)以及行譯碼器對(duì)行地址進(jìn)行譯碼(907)的同時(shí)，可以在存儲(chǔ)器芯片的適當(dāng)?shù)囊_上接收新的訪問(wèn)命令。這在例如存儲(chǔ)器控制器想要重新區(qū)分讀、寫或刷新之間的優(yōu)先次序時(shí)可能是有用的。在現(xiàn)有技術(shù)中，如果想要例如中止寫且開始讀，則必須再次完全開始新的周期。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述芯片可以在一個(gè)時(shí)鐘周期中止一個(gè)操作并在另一時(shí)鐘周期產(chǎn)生新的操作，而不會(huì)有數(shù)據(jù)完整性的任何損失。這在例如面向通信的存儲(chǔ)器中可能是有用的，其中入口模式可能是已知的，而不是出口模式。
[0070]在實(shí)施例中，由于預(yù)充電可以是在周期的起始處進(jìn)行，因此如果要對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)體進(jìn)行選擇性預(yù)充電，則與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器芯片或DRAM相比，數(shù)據(jù)訪問(wèn)可能不得不延遲。如果在每個(gè)時(shí)鐘周期連續(xù)地訪問(wèn)所述存儲(chǔ)體,則這可能導(dǎo)致一次“起動(dòng)(startup) ”損失。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)器芯片而言的、用于接收第一訪問(wèn)命令并將數(shù)據(jù)放在輸出總線上(例如如在讀操作中那樣)的例如4至6個(gè)周期，本發(fā)明的實(shí)施例在最差情況的場(chǎng)景下可能需要例如7至9個(gè)周期。在存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)是子陣列型架構(gòu)的實(shí)施例中(其中所述子陣列為僅64k比特或128k比特)，所述選擇性預(yù)充電可以只占用一個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘，因此損失可能小得多。但是，即使是在存在“起動(dòng)”損失的實(shí)施例中，存儲(chǔ)體隨機(jī)訪問(wèn)時(shí)間也保持不變。例如，在使用位突發(fā)長(zhǎng)度為8的實(shí)施例中,對(duì)于總體性能而言數(shù)據(jù)訪問(wèn)損失(dataaccess penalty)可能是無(wú)關(guān)緊要的。
[0071]在本發(fā)明的實(shí)施例中，“用戶”能夠經(jīng)由存儲(chǔ)器件的引腳或焊墊來(lái)選擇性地控制預(yù)充電操作?？梢赃B同特定位置(存儲(chǔ)體、子陣列，乃至與讀或?qū)懖僮黝愃频囊恍?的存儲(chǔ)器地址向該器件提供預(yù)充電命令。在實(shí)施例中，如果期望的話還可以對(duì)整個(gè)器件進(jìn)行預(yù)充電。在實(shí)施例中，用戶可以使用MODE REGISTER(模式寄存器)配置命令對(duì)存儲(chǔ)器件進(jìn)行編程以在操作的起始處或結(jié)束處進(jìn)行選擇性預(yù)充電。通過(guò)以該方式執(zhí)行，能夠以最大數(shù)據(jù)吞吐量以及在沒有任何方面的性能降低的情況下實(shí)現(xiàn)工作功率的顯著降低。
[0072]本發(fā)明的實(shí)施例旨在避免在讀操作或?qū)懖僮骰蛟L問(wèn)之后對(duì)任何或全部存儲(chǔ)體進(jìn)行預(yù)充電。在這些實(shí)施例中，可以以另一方式來(lái)節(jié)省工作功率。許多類型的存儲(chǔ)器芯片需要被定期刷新以避免漏電。在每個(gè)刷新周期的起始處，必須對(duì)所有要刷新的列進(jìn)行預(yù)充電。但是，當(dāng)預(yù)充電出現(xiàn)在訪問(wèn)周期的結(jié)束處時(shí)，必須在刷新周期的起始處對(duì)要刷新的列再次進(jìn)行預(yù)充電，這不必要地消耗了能量。在避免在每個(gè)訪問(wèn)周期的結(jié)束處進(jìn)行預(yù)充電的實(shí)施例中，當(dāng)針對(duì)特定存儲(chǔ)體的下個(gè)周期是刷新周期時(shí)，存儲(chǔ)器件可以避免進(jìn)行兩次預(yù)充電，由此在實(shí)施例中節(jié)省了能量。由于無(wú)論如何，所有刷新周期在該周期的起始處都有預(yù)充電，因此在在先的訪問(wèn)周期中放棄預(yù)充電不會(huì)具有性能的影響。此外，刷新可能不具有數(shù)據(jù)訪問(wèn)，因此可能不存在訪問(wèn)延遲損失，或者在實(shí)施例中可能存在無(wú)關(guān)緊要的訪問(wèn)延遲損失。在實(shí)施例中，在刷新周期期間可禁用預(yù)充電選擇，以允許所有位線被預(yù)充電。
[0073]在利用單獨(dú)的I/O配置的實(shí)施例中，不管實(shí)現(xiàn)哪種選擇性預(yù)充電模式，數(shù)據(jù)都可以在連續(xù)的周期被讀入或?qū)懭氪鎯?chǔ)體中，而不違反突發(fā)長(zhǎng)度要求。
[0074]在實(shí)施例中，選擇性預(yù)充電可以允許用于選擇存儲(chǔ)體順序的靈活性。例如，在現(xiàn)有技術(shù)的8個(gè)存儲(chǔ)體的RLDRAM中，必須以特定順序?qū)λ写鎯?chǔ)體進(jìn)行循環(huán)。如果要從一個(gè)存儲(chǔ)體跳到另一存儲(chǔ)體而不遵循適當(dāng)?shù)捻樞?，則存儲(chǔ)體可能不會(huì)做好啟動(dòng)的準(zhǔn)備。但是，實(shí)現(xiàn)選擇性預(yù)充電的本發(fā)明的實(shí)施例可以允許在啟動(dòng)操作的起始處對(duì)期望的存儲(chǔ)體的選擇性預(yù)充電以及對(duì)該期望的存儲(chǔ)體的訪問(wèn)，而不需要遵循任何特定的存儲(chǔ)體順序。
[0075]在本發(fā)明的實(shí)施例中，可以只啟用那些與被選擇性預(yù)充電的列相關(guān)聯(lián)的讀出放大器。因此，這不但可以如前所述地節(jié)省在預(yù)充電周期的工作功率，而且可以節(jié)省在防問(wèn)周期的工作功率。由于沒有理由要操作其它讀出放大器，因此這不會(huì)使性能受損。在實(shí)施例中，這可以通過(guò)適當(dāng)?shù)牧械刂纷g碼來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，在利用對(duì)位線的選擇性預(yù)充電以及對(duì)相關(guān)的讀出放大器的選擇性啟動(dòng)的實(shí)施例中，可以降低集成電路的結(jié)溫和殼體溫度，這可以增強(qiáng)集成電路的刷新時(shí)段以及長(zhǎng)期可靠性。
[0076]本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)是可以減少與位線周期時(shí)間相關(guān)的軟差錯(cuò)和瞬態(tài)誤差。由于在任何給定的訪間周期可以只對(duì)少數(shù)位線進(jìn)行選擇性預(yù)充電，因此可以減少這些不期望的誤差。
[0077]圖10-21描述了現(xiàn)有技術(shù)中已知的典型DRAM芯片的時(shí)序圖。圖22_28示出了根據(jù)各種實(shí)施例的對(duì)傳統(tǒng)的DDRSDRAM(同步雙數(shù)據(jù)速率DRAM)的改進(jìn)。
[0078]圖29示出了被配置為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明各種實(shí)施例的示例性計(jì)算系統(tǒng)。如圖所示，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)2900包括多個(gè)處理器或處理器核2902以及選擇性預(yù)充電存儲(chǔ)器2904。一個(gè)或多個(gè)處理器2902可以是數(shù)字信號(hào)處理器。在實(shí)施例中，選擇性預(yù)充電存儲(chǔ)器2904可以是在本申請(qǐng)中其它地方描述的數(shù)字存儲(chǔ)器件的任何實(shí)施例，或者可以是本發(fā)明的其它實(shí)施例。對(duì)于包括權(quán)利要求的本申請(qǐng)而言，術(shù)語(yǔ)“處理器”和“處理器核”可以被認(rèn)為是同義詞，除非上下文清楚地記載了其它要求。此外，計(jì)算系統(tǒng)2900可以包括大容量存儲(chǔ)器件2906 (例如磁盤、硬盤驅(qū)動(dòng)器、光盤只讀存儲(chǔ)器(⑶ROM)等)、輸入/輸出器件2908(例如鍵盤、光標(biāo)控制器等)以及控制器2910，所述控制器2910在實(shí)施例中可以是用于控制選擇性預(yù)充電存儲(chǔ)器2904的操作的存儲(chǔ)器控制器。在實(shí)施例中，控制器2910可以被專門配置為與選擇性預(yù)充電存儲(chǔ)器2904進(jìn)行通信，所述通信在實(shí)施例中包括在向選擇性預(yù)充電存儲(chǔ)器2904發(fā)出訪問(wèn)命令時(shí)在行地址之前提供列地址。所述元件可以經(jīng)由系統(tǒng)總線2912而相互耦合，系統(tǒng)總線2912可以代表一個(gè)或更多個(gè)總線。在多個(gè)總線的情況下，所述多個(gè)總線可以通過(guò)一個(gè)或更多個(gè)總線橋(未示出)被橋接。選擇性預(yù)充電存儲(chǔ)器2904可以用于存儲(chǔ)編程指令2922的工作副本，所述編程指令2922例如是操作系統(tǒng)編程指令或其它編程指令。
[0079]這些元件中的每個(gè)元件可以執(zhí)行其在現(xiàn)有技術(shù)中已知的傳統(tǒng)功能。具體地，大容量存儲(chǔ)器2906可以用于存儲(chǔ)例如用于操作系統(tǒng)的編程指令2922的工作副本和永久副本。除了上述之外，元件2902、2906、2908和2912的構(gòu)造是已知的，因此將不再進(jìn)一步描述。
[0080]本發(fā)明的實(shí)施例可以在任何利用數(shù)字存儲(chǔ)器的電子設(shè)備或系統(tǒng)中使用，所述數(shù)字存儲(chǔ)器包括蜂窩電話、數(shù)字電話、個(gè)人數(shù)據(jù)助理、膝上型計(jì)算系統(tǒng)、路由器、集線器、交換機(jī)、線卡、蜂窩電話、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、電子游戲設(shè)備、高清晰度電視機(jī)(HDTV)、以及工業(yè)設(shè)備、自動(dòng)化設(shè)備等。本發(fā)明的實(shí)施例不限于任一種或任一組通信設(shè)備或其它電子設(shè)備的實(shí)施。因此，圖29的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)僅僅是示例性的，且本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到本發(fā)明的實(shí)施例不限于此。
[0081]圖30描述了包含對(duì)一個(gè)或多個(gè)電子電路的形式描述或編譯描述3002的介質(zhì)3004，所述電路實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)中描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。在各種實(shí)施例中，介質(zhì)3004可以是⑶-ROM、硬盤驅(qū)動(dòng)器、軟盤、DVD-ROM、閃存存儲(chǔ)器件或其它本領(lǐng)域中已知的用于存儲(chǔ)形式描述3002的介質(zhì)。在實(shí)施例中，形式描述3002可以以VHSIC硬件描述語(yǔ)言(VHDL)、Verilog、或者適合于對(duì)電子電路進(jìn)行形式描述的任何其它這種硬件設(shè)計(jì)語(yǔ)言來(lái)進(jìn)行，其中所述電路實(shí)現(xiàn)了本申請(qǐng)中描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。編譯格式可以是圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)(⑶S)、GSD II或其它格式。
[0082]盡管在此示出和描述了特定實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不背離本發(fā)明的實(shí)施例的范圍的情況下，可以使用各種替代性的和/或等同的實(shí)施方案來(lái)替代所示出和描述的特定實(shí)施例。本申請(qǐng)旨在涵蓋對(duì)在此討論的實(shí)施例的任何修改或變化。因此，顯然，本說(shuō)明書意圖在于本發(fā)明的實(shí)施例僅受到本發(fā)明的權(quán)利要求及其等同內(nèi)容的限定。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，包括: 由包括多個(gè)存儲(chǔ)單元以及與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的多條位線的存儲(chǔ)器接收用于對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一子組執(zhí)行第一操作的第一命令； 響應(yīng)于接收所述第一命令，發(fā)起選擇性預(yù)充電操作，其中選擇性預(yù)充電操作導(dǎo)致所述多條位線中耦合到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組的子組的預(yù)充電狀態(tài)，并且其中所述多條位線的所述子組包括的位線少于所述多條位線； 由存儲(chǔ)器接收用于對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的第二子組執(zhí)行第二操作的第二命令，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第二子組不同于所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組，并且其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第二子組耦合到所述多條位線的所述子組；以及 響應(yīng)于接收所述第二命令，對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第二子組執(zhí)行第二操作，其中所述第二操作發(fā)生在所述多條位線的所述子組保持在響應(yīng)于接收所述第一命令而發(fā)起的選擇性預(yù)充電操作所導(dǎo)致的預(yù)充電狀態(tài)的期間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括由存儲(chǔ)器接收標(biāo)識(shí)符，并使用標(biāo)識(shí)符的至少一部分來(lái)識(shí)別所述多條位線的所述子組。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一操作包括訪問(wèn)操作。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的單個(gè)存儲(chǔ)單元包括選通晶體管和預(yù)充電選擇晶體管，其中所述發(fā)起包括: 固定耦合到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組和所述第二子組的一條或多條行線上的訪問(wèn)電壓電平；以及 固定耦合到所述預(yù)充電選擇晶體管的子組`的一條或多條預(yù)充電選擇線上的預(yù)充電選擇電壓電平。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一操作和所述第二操作中的至少一個(gè)包括讀取操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一操作和所述第二操作中的至少一個(gè)包括寫入操作。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述標(biāo)識(shí)符包括行地址和列地址，并且其中所述列地址標(biāo)識(shí)所述多條位線的所述子組。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述列地址是在所述行地址之前被接收的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括選擇性地使能與所述多條位線的要被選擇性預(yù)充電的所述子組相對(duì)應(yīng)的讀出放大器子組。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二命令包括替換命令，其中執(zhí)行所述第二操作包括用所述第二操作替換所述第一操作。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組或所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第二子組包括一個(gè)字、兩個(gè)存儲(chǔ)單元、或單個(gè)存儲(chǔ)單元。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在執(zhí)行所述第二命令期間，將所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的第三子組與所述多條位線的所述子組隔離。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第三子組包括所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括在執(zhí)行所述第二命令之后對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組執(zhí)行第三命令，而在執(zhí)行所述第二命令和所述第三命令之間不對(duì)耦合到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組的位線執(zhí)行刷新操作。
15.一種設(shè)備，包括: 用于接收用于對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)單元的第一子組執(zhí)行第一操作的第一命令的裝置； 用于接收用于對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的第二子組執(zhí)行第二操作的第二命令的裝置，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第二子組不同于所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組； 用于響應(yīng)于接收所述第一命令執(zhí)行選擇性預(yù)充電操作的裝置，其中選擇性預(yù)充電操作導(dǎo)致多條位線的子組的預(yù)充電狀態(tài)，其中所述多條位線的所述子組耦合到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組和所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第二子組，并且其中所述多條位線的所述子組包括的位線少于所述多條位線；以及 用于響應(yīng)于接收所述第二命令執(zhí)行第二操作的裝置，其中所述第二操作發(fā)生在所述多條位線的所述子組保持在響應(yīng)于接收所述第一命令而發(fā)起的選擇性預(yù)充電操作所導(dǎo)致的預(yù)充電狀態(tài)的期間。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述第一命令伴隨有標(biāo)識(shí)符，所述標(biāo)識(shí)符標(biāo)識(shí)所述多條位線的所述子組。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述第一操作包括訪問(wèn)操作。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第一子組或所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的所述第二 子組包括存儲(chǔ)字、兩個(gè)存儲(chǔ)單元、或單個(gè)存儲(chǔ)單元。
【文檔編號(hào)】G11C7/12GK103871452SQ201410048469
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2007年7月6日 優(yōu)先權(quán)日:2006年7月7日
【發(fā)明者】G·R·莫漢·拉奧 申請(qǐng)人:S.阿夸半導(dǎo)體有限公司