存儲器及其測試方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種存儲器，所述存儲器包括：存儲體，所述存儲體包括多個存儲器單元；命令譯碼器，所述命令譯碼器被配置成與時鐘信號同步地操作、并且響應(yīng)于多個命令信號而將包括激活命令、寫入命令、校準命令、以及MRS命令的多個命令中的至少一個激活；測試譯碼器，所述測試譯碼器被配置成響應(yīng)于多個地址信號和MRS命令而將存儲器設(shè)定成測試模式；以及測試控制器，所述測試控制器被配置成當存儲器被設(shè)定成測試模式時在基于通過對具有比所述時鐘信號更高頻率的測試時鐘信號計數(shù)獲得的計數(shù)信息確定的時間點將用于測試操作所述存儲體的至少一個內(nèi)部測試命令激活。
【專利說明】存儲器及其測試方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2012年6月28日提交的申請?zhí)枮?0-2012-0069690的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的示例性實施例涉及一種存儲器及其測試方法，更具體而言，涉及一種利用具有低時鐘頻率的測試設(shè)備的同時能減少存儲器的測試時間的存儲器測試方法。
【背景技術(shù)】
[0004]存儲器被制造之后，存儲器經(jīng)歷各種測試以檢測存儲器是否正常地操作。一般地，在執(zhí)行存儲器測試時，由于存儲器接收時鐘信號、并且與接收的時鐘信號同步地操作，所以測試設(shè)備將時鐘信號輸入到存儲器、并且輸入和輸出測試數(shù)據(jù)。存儲器測試可以包括:用于判定單元是否正常操作的測試，用于檢查相鄰的金屬線之間的耦合效應(yīng)的測試，以及用于檢查具有時間特性的信號之間的余量的測試。供作參考，在存儲器的制造成本中，執(zhí)行存儲器測試所需的時間可能為重要的因素。因此，隨著執(zhí)行存儲器測試所需的時間增加，所以存儲器的制造成本也會增加。
[0005]此外，用于執(zhí)行存儲器測試的測試設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生時鐘信號、命令信號以及用于測試的數(shù)據(jù)，將產(chǎn)生的信號和數(shù)據(jù)輸入到存儲器，接收從存儲器輸出的數(shù)據(jù)，以及分析存儲器是否正常操作。由于同步存儲器與從外部輸入的時鐘信號同步執(zhí)行全部操作，所以存儲器的操作速度根據(jù)從外部輸入的時鐘信號的頻率來確定。因此，執(zhí)行存儲器測試所需的時間取決于從測試設(shè)備施加到存儲器的時鐘信號的頻率。
[0006]隨著存儲器的操作速度的增加，存儲器已經(jīng)利用了高頻時鐘信號。然而，一些測試設(shè)備會對其內(nèi)部產(chǎn)生的時鐘信號的頻率具有一些限制。在這種情況下，當執(zhí)行存儲器測試時，存儲器必須與測試設(shè)備產(chǎn)生的較低頻率的時鐘信號同步地操作。因此，測試存儲器所需的時間會不期望地增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]各種實施例涉及一種存儲器及其測試方法，即使測試存儲器時使用測試設(shè)備執(zhí)行測試，所述測試方法也能通過內(nèi)部產(chǎn)生具有高頻的時鐘信號來減少測試時間。
[0008]此外，各種實施例涉及一種存儲器及其測試方法，所述存儲器及其測試方法能利用在存儲器內(nèi)部產(chǎn)生的時鐘信號來測試各種操作。
[0009]在一個實施例中，一種存儲器包括:存儲體，所述存儲體包括多個存儲器單元；命令譯碼器，所述命令譯碼器被配置成與時鐘信號同步地操作、并且響應(yīng)于多個命令信號而將包括激活命令、寫入命令、校準命令以及MRS命令的多個命令中的至少一個激活；測試譯碼器，所述測試譯碼器被配置成響應(yīng)于多個地址信號和MRS命令而將存儲器設(shè)定為測試模式；以及測試控制器，所述測試控制器被配置成當存儲器被設(shè)定成測試模式時在基于通過對具有比時鐘信號更高頻率的測試時鐘信號計數(shù)獲得的計數(shù)信息確定的時間點將用于測試操作存儲體的至少一個內(nèi)部測試命令激活。
[0010]在另一個實施例中，一種存儲器包括:存儲體，所述存儲體包括多個存儲器單元；命令譯碼器，所述命令譯碼器被配置成與時鐘信號同步地操作、并且響應(yīng)于多個命令信號而將包括寫入命令和MRS命令的多個命令中的至少一個激活；測試譯碼器，所述測試譯碼器被配置成響應(yīng)于多個地址信號和MRS命令而將存儲器設(shè)定為測試模式；以及測試控制器，所述測試控制器被配置成當存儲器被設(shè)定成測試模式時在寫入命令被激活之后在基于通過對具有比時鐘信號高的頻率的測試時鐘信號計數(shù)獲得的計數(shù)信息確定的時間點將用于對存儲體預(yù)充電的測試預(yù)充電命令激活。
[0011]在另一個實施例中，一種存儲器包括:存儲體，所述存儲體包括多個存儲器單元；命令譯碼器，所述命令譯碼器被配置成與時鐘信號同步地操作、并且響應(yīng)于多個命令信號而將包括激活命令和MRS命令的多個命令中的至少一個激活；測試譯碼器，所述測試譯碼器被配置成響應(yīng)于多個地址信號和MRS命令而將存儲器設(shè)定為測試模式；以及測試控制器，所述測試控制器被配置成當存儲器被確定為測試模式時在基于通過對具有比時鐘信號高的頻率的測試時鐘信號計數(shù)獲得的計數(shù)信息確定的時間點將用于將數(shù)據(jù)寫入存儲體中的測試寫入命令和用于對存儲體預(yù)充電的測試預(yù)充電命令激活。
[0012]在另一個實施例中，一種存儲器包括:存儲體，所述存儲體包括多個存儲器單元；命令譯碼器，所述命令譯碼器被配置成與時鐘信號同步地操作、并且響應(yīng)于多個命令信號而將包括激活命令、寫入命令、校準命令以及MRS命令的多個命令中的至少一個激活；測試譯碼器，所述測試譯碼器被配置成響應(yīng)于多個地址信號和MRS命令而將存儲器設(shè)定為第一測試模式至第三測試模式中的一種；以及測試控制器，所述測試控制器被配置成:當被設(shè)定成第一測試模式時在基于通過對具有比時鐘信號高的頻率的測試時鐘信號計數(shù)獲得的計數(shù)信息確定的時間點將用于激活存儲體的測試激活命令和用于對存儲體預(yù)充電的測試預(yù)充電命令激活，當被設(shè)定成第二測試模式時，在寫入命令被激活之后在基于計數(shù)信息確定的時間點將測試預(yù)充電命令激活，以及當被設(shè)定成第三測試模式時在基于計數(shù)信息確定的時間點將測試預(yù)充電命令和用于將數(shù)據(jù)寫入存儲體中的測試寫入命令激活。
[0013]在另一個實施例中，提供了一種用于測試存儲器的方法，所述存儲器包括具有多個存儲器單元的存儲體。所述方法包括以下步驟:當多個命令信號的組合與MRS信號相對應(yīng)時，響應(yīng)于多個地址信號而設(shè)定成第一測試模式至第三測試模式中的一種測試模式；與時鐘信號同步地將多個命令信號譯碼、并且將包括激活命令、寫入命令以及校準命令的多個命令中的至少一個激活；以及當設(shè)定成第一測試模式時，在基于通過對具有比時鐘信號高的頻率的測試時鐘信號計數(shù)獲得的計數(shù)信息確定的時間點將用于激活存儲體的測試激活命令和用于對存儲體預(yù)充電的測試預(yù)充電命令激活，當設(shè)定成第二測試模式時在寫入命令被激活之后在基于測試信息確定的時間點將測試預(yù)充電命令激活，以及當設(shè)定成第三測試模式時在基于計數(shù)信息確定的時間點將測試預(yù)充電命令和用于將數(shù)據(jù)寫入存儲體的測試寫入命令激活。
[0014]在另一個實施例中，一種存儲器包括:存儲體，所述存儲體包括多個存儲器單元；命令譯碼器，所述命令譯碼器被配置成與時鐘信號同步地操作、并且響應(yīng)于多個命令信號而將用于存儲器的操作的多個命令中的至少一個激活；測試譯碼器，所述測試譯碼器被配置成當在多個命令之中的用于設(shè)定測試模式的命令被激活時響應(yīng)于多個地址信號而將存儲器設(shè)定為測試模式、并且產(chǎn)生用于存儲體的測試操作的測試信息；以及測試控制器，所述測試控制器被配置成當被設(shè)定成測試模式時響應(yīng)于測試信息和通過對具有比時鐘信號高的頻率的測試時鐘信號計數(shù)獲得的計數(shù)信息而將用于存儲體的測試操作的多個測試命令中的至少一個激活。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的存儲器的示圖。
[0016]圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的時鐘發(fā)生控制單元的示圖。
[0017]圖3是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的測試時鐘發(fā)生單元的示圖。
[0018]圖4A和圖4B是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的信號發(fā)生單元的示圖。
[0019]圖5是用于解釋一種測試根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的存儲器的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0020]下面將參照附圖更詳細地描述各種實施例。然而，本發(fā)明可以采用不同的方式實施，而不應(yīng)解釋為限制于本文所列的實施例。確切地說，提供這些實施例使得本說明書充分與完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達本發(fā)明的范圍。在說明書中，相同的附圖標記在本發(fā)明的不同附圖與實施例中表示相似的部分。
[0021]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的存儲器的示圖。
[0022]參見圖1，存儲器包括:存儲體BA、命令譯碼器110、測試譯碼器120以及測試控制器130。存儲體BA包括多個存儲器單元。命令譯碼器110被配置成與時鐘信號CK同步地操作，并且響應(yīng)于多個命令信號CSB、ACTB, RASB, CASB以及WEB而激活包括激活命令A(yù)CT、寫入命令WR、校準命令ZQC、MRS命令MRS、讀取命令RD以及預(yù)充電命令PRE的多個命令中的一個或更多個。測試譯碼器120被配置成當MRS命令MRS被激活時響應(yīng)于多個地址信號ADD〈0:A>而設(shè)定成第一測試模式至第三測試模式之中的一種測試模式。測試控制器130被配置成:當設(shè)定成第一測試模式時，在基于通過對具有比時鐘信號CK高的頻率的測試時鐘信號TCK計數(shù)獲得的計數(shù)信息CNT〈0:4>而確定的時間點，將用于激活存儲體BA的測試激活命令TACT和用于預(yù)充電存儲體BA的測試預(yù)充電命令TPRE激活；當設(shè)定成第二測試模式時，寫入命令WR被激活之后，在基于計數(shù)信息CNT〈0: 4>確定的時間點將測試預(yù)充電命令TPRE激活；以及當設(shè)定成第三測試模式時，在基于計數(shù)信息CNT〈0: 4>確定的時間點將測試預(yù)充電命令TPRE和用于將數(shù)據(jù)寫入存儲體BA中的測試寫入命令TWR激活。
[0023]多個命令信號包括:激活信號ACTB、芯片選擇信號CSB、行地址選通信號RASB、列地址選通信號CASB以及寫入使能信號(write enable signal) WEB0
[0024]參見圖1，將描述存儲器。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的存儲器在測試模式下操作、或者在不是測試模式的操作模式(在下文中，被稱作為正常模式)下操作。當存儲器在正常模式下操作時，存儲器與從外部施加的時鐘信號CK同步地操作，并且當存儲器在測試模式下操作時，存儲器與從其內(nèi)部產(chǎn)生的測試時鐘信號TCK同步地操作。
[0026]命令譯碼器110被配置成與時鐘信號CK同步地產(chǎn)生多個命令A(yù)CT、WR、ZQC、MRS、RD以及PRE，接收多個命令信號CSB、ACTB、RASB、CASB以及WEB，以及激活多個命令A(yù)CT、WR、ZQC、MRS、RD以及PRE之中與接收到的命令CSB、ACTB, RASB, CASB以及WEB的組合相對應(yīng)的命令。激活命令A(yù)CT是用于激活(換言之，啟動)存儲體BA的命令，寫入命令WR是用于將數(shù)據(jù)寫入存儲體的命令，以及校準命令ZQC是用于產(chǎn)生根據(jù)工藝、電壓以及溫度(PVT)條件改變的阻抗碼使得數(shù)據(jù)輸出電路將終端阻抗值優(yōu)化的命令。此外，MRS命令MRS是用于通過模式寄存器組(MRS)的設(shè)定來設(shè)定存儲器的操作環(huán)境和條件的命令，讀取命令RD是用于讀取存儲體BA中的數(shù)據(jù)的命令，以及預(yù)充電命令PRE是用于預(yù)充電存儲體(換言之，存儲體的字線或位線)的命令。
[0027]測試譯碼器120被配置成當存儲器被設(shè)定成測試模式時產(chǎn)生在測試模式下操作所需的測試時間信息TCPRE〈0:2>和TCTRC〈0:4>。更具體地，當命令譯碼器110響應(yīng)于多個命令信號CSB、ACTB、RASB、CASB以及WEB的組合而將MRS命令MRS激活時，測試譯碼器120響應(yīng)于MRS命令MRS和地址ADD〈0:A>而將存儲器設(shè)定成第一測試模式至第三測試模式中的任意一種模式、并且產(chǎn)生相應(yīng)模式所需的測試時間信息TCPRE〈0: 2>和TCTRCX0: 4>。測試譯碼器120產(chǎn)生表示第一測試模式至第三測試模式之中存儲器被設(shè)定的模式的第一測試模式信號至第三測試模式信號TCR0R、TCAWR以及TCADIST。當存儲器被設(shè)定成第一測試模式時，第一測試模式信號TCROR被激活，當存儲器被設(shè)定成第二測試模式時，第二測試模式信號TCAWR被激活，以及當存儲器被設(shè)定成第三測試模式時，第三測試模式信號TCADIST被激活。
[0028]第一測試模式至第三測試模式是用于執(zhí)行存儲器的不同操作的測試模式。第一測試模式是在由命令設(shè)定的時段期間相繼執(zhí)行用以激活存儲體BA的操作和用以預(yù)充電存儲體BA的操作的測試模式。當存儲器被設(shè)定成在第一測試模式下操作時，在從激活命令A(yù)CT被激活的時間點到校準命令ZQC被激活的時間點的時段期間，存儲器以預(yù)定的間隔激活和預(yù)充電存儲體BA。
[0029]第二測試模式是施加寫入命令WR之后在預(yù)定時間內(nèi)執(zhí)行存儲體BA的預(yù)充電操作的測試模式。當存儲器被設(shè)定成在第二測試模式下操作時，在寫入命令WR被激活之后，存儲器在無預(yù)充電命令PRE的情況下在預(yù)定時間內(nèi)預(yù)充電存儲體BA。
[0030]第三測試模式是激活命令A(yù)CT被施加之后存儲器在預(yù)定的時間內(nèi)將數(shù)據(jù)寫入存儲體BA中、并且在經(jīng)過預(yù)定的時間之后對存儲體BA預(yù)充電的測試模式。當存儲器被設(shè)定成在第三測試模式下操作時，激活命令A(yù)CT被激活之后在預(yù)定時間內(nèi)存儲器在無寫入命令WR的情況下將數(shù)據(jù)寫入存儲體BA，并且經(jīng)過預(yù)定時間之后，在無預(yù)充電命令PRE的情況下預(yù)充電存儲體BA。
[0031]此外，當存儲器在測試模式下操作時，測試控制器130在設(shè)定了測試模式的狀態(tài)下產(chǎn)生測試命令TACT、TWR以及TPRE，以便即使多個命令A(yù)CT、WR、ZQC、MRS、RD以及PRE未被激活也執(zhí)行存儲體BA的激活操作、存儲體BA的寫入操作、以及存儲體BA的預(yù)充電操作之中的一種操作。這里，測試命令TACT、TffR以及TPRE被激活的時間點可以通過測試時間信息TCPRE〈0:2>和TCTRCX0:4>、和對測試時鐘信號TCK計數(shù)獲得的計數(shù)信息CNT〈0:4>來確定。此時，測試時間信息TCPRE〈0:2>和TCTRC〈0:4>的值可以根據(jù)地址信號ADD〈0:A>的組合而不同。
[0032]當存儲器被設(shè)定成第一測試模式至第三測試模式之中的一種測試模式時，測試控制器130與具有比時鐘信號CK高的頻率的測試時鐘信號TCK同步地產(chǎn)生多個測試命令TACT、TffR以及TPRE以控制存儲器的操作。
[0033]針對這種操作，測試控制器130包括:測試時鐘發(fā)生單元131、信號發(fā)生單元132以及時鐘發(fā)生控制單元133。測試時鐘發(fā)生單元131被配置成產(chǎn)生測試時鐘信號TCK。信號發(fā)生單元132被配置成:在存儲器被設(shè)定成第一測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于計數(shù)信息CNT<0:4>而交替地激活測試激活命令TACT和測試預(yù)充電命令TPRE ;在存儲器被設(shè)定成第二測試模式的狀態(tài)下，寫入命令WR被激活之后在基于計數(shù)信息CNT〈0:4>和第一測試時間信息TCPRE〈0:2>確定的時間點將測試預(yù)充電命令TPRE激活；以及在存儲器被設(shè)定成第三測試模式的狀態(tài)下，激活命令A(yù)CT被激活之后在基于計數(shù)信息CNT〈0: 4>和第一測試時間信息TCPRE〈0:2>確定的時間點將測試寫入命令TWR激活，并且在基于計數(shù)信息CNT〈0:4>和第二測試時間信息TCTRC〈0:4>確定的時間點將預(yù)充電信號PRE激活。時鐘發(fā)生控制單元133被配置成:在存儲器被設(shè)定成第一測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于激活命令A(yù)CT而啟動測試時鐘發(fā)生單元131，并且響應(yīng)于校準命令ZQC而禁止測試時鐘發(fā)生單元131 ;在存儲器被設(shè)定成第二測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于寫入命令WR而啟動測試時鐘發(fā)生單元131，并且響應(yīng)于測試預(yù)充電命令TPRE而禁止測試時鐘發(fā)生單元131 ;在存儲器被設(shè)定成第三測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于寫入命令WR而啟動測試時鐘發(fā)生單元131，并且響應(yīng)于測試預(yù)充電命令TPRE而禁止測試時鐘發(fā)生單元131。
[0034]將更加詳細地描述測試控制器130的操作。當存儲器被設(shè)定成測試模式時，測試時鐘發(fā)生單元131在測試時鐘發(fā)生單元131被啟動的時段期間產(chǎn)生測試時鐘信號TCK。為了減少測試時間，測試時鐘信號TCK具有比通過測試設(shè)備產(chǎn)生并輸入到存儲器的時鐘信號CK更高的頻率。
[0035]時鐘發(fā)生控制單元133被配置成在第一測試模式至第三測試模式中的一種測試模式下產(chǎn)生測試時鐘使能信號TCK_EN以啟動或禁止測試時鐘發(fā)生單元131。時鐘發(fā)生控制單元133在第一測試模式下響應(yīng)于激活命令A(yù)CT而將測試時鐘使能信號TCK_EN激活、并且響應(yīng)于校準命令ZQC而將測試時鐘使能信號TCK_TK去激活。此外，時鐘發(fā)生控制單元133在第二測試模式下響應(yīng)于寫入命令WR而將測試時鐘使能信號TCK_EN激活、并且響應(yīng)于測試預(yù)充電命令TPRE而將測試時鐘使能信號TCK_EN去激活。此外，時鐘發(fā)生控制單元133在第三測試模式下響應(yīng)于激活命令A(yù)CT而將測試時鐘使能信號TCK_EN激活、并且響應(yīng)于測試預(yù)充電命令TPRE而將測試時鐘使能信號TCK_EN去激活。
[0036]供作參考，僅當在第一測試模式信號至第三測試模式信號TCROR、TCAWR、以及TCADIST之中的一種或更多種測試模式信號通過如圖1中所示的或門0R4和多個與門ANDl至AND3來激活時，才將激活命令A(yù)CT、校準命令ZQC、以及寫入命令WR傳送到時鐘發(fā)生控制單元133。
[0037]測試時鐘發(fā)生單元131在測試時鐘使能信號TCK_EN被激活的時段期間被啟動、并且產(chǎn)生測試時鐘信號TCK。測試時鐘發(fā)生單元131是包括多個單位延遲(例如，反相器，)的振蕩器，并且測試時鐘TCK被觸發(fā)的時段可以對應(yīng)于多個單位延遲的延遲值之和。另外，測試時鐘發(fā)生單元131可以通過將輸入時鐘信號CK的頻率分頻來產(chǎn)生測試時鐘信號TCK。
[0038]信號發(fā)生單元132被配置成根據(jù)通過對測試時鐘信號TCK計數(shù)獲得的計數(shù)信息CNT<0:4>和通過測試時間信息TCPRE〈0:2>和TCTRC〈0:4>設(shè)定的測試模式在合適時間點將測試命令TACT、TffR以及TPRE激活。在第一測試模式下，信號發(fā)生單元132在計數(shù)信息CNT〈0:4>具有預(yù)定值時激活測試激活命令TACT、并且在計數(shù)信息CNT〈0:4>的某些位CNT<0:2>對應(yīng)于第一測試時間信息TCPRE〈0:2>時激活測試預(yù)充電命令TPRE。此外，在第二測試模式下，信號發(fā)生單元132在計數(shù)信息CNT〈0:4>的位CNT〈0:2>與第一測試時間信息TCPRE〈0: 2>相對應(yīng)時將測試預(yù)充電命令TPRE激活。此外，在第三測試模式下，信號發(fā)生單元132在計數(shù)信息CNT〈0:4>的位CNT〈0:2>與第一測試時間信息TCPRE〈0:2>相對應(yīng)時將測試寫入命令TWR激活、并且在計數(shù)信息CNT〈0:4>與第二測試時間信息TCTRC〈0:4>相對應(yīng)時將測試預(yù)充電命令TPRE激活。
[0039]這里，當兩塊信息彼此相對應(yīng)時，其意味著兩塊信息中的相應(yīng)位具有相同的值。例如，當在第三測試模式下計數(shù)信息CNT〈0:4>中的位CNT〈0:2>與第一測試時間信息TCPRE〈0:2>相對應(yīng)時，其可以表示各個位CNT〈0>、CNT<1>以及CNT〈2>等于各個位TCPRE〈0>、TCPRE〈1>以及TCPRE〈2>。此外，當計數(shù)信息CNT<0:4>與第二測試時間信息TCPRE〈0: 4>相對應(yīng)時，其可以表示各個位CNT〈0>、CNT< I>、CNT〈2>CNT〈3>、以及CNT〈4>等于各個位 TCPRE〈0>、TCPRE〈1>、TCPRE〈2>、TCPRE<3> 以及 TCPRE〈4>。
[0040]上述配置僅是表示測試命令TACT、TffR以及TPRE被激活的條件的一個實例，并且這可以根據(jù)設(shè)計而不同。信號發(fā)生單元132可以當計數(shù)信息CNT〈0: 4>具有預(yù)定值時或者當計數(shù)信息CNT〈0:4>與測試時間信息TCPRE〈0:2>和TCTRC〈0:4>中的一個相對應(yīng)時將測試命令 TACT、TffR 以及 TPRE 中的一個激活。信息 CNT〈0:4>、TCPRE〈0:2> 以及 TCTRC〈0:4>的位的數(shù)目可以根據(jù)設(shè)計而不同。
[0041]當測試命令TACT、TWR以及TPRE或者命令A(yù)CT、WR以及PRE中的一個被激活時，將用于控制存儲體BA的操作的脈沖信號ACTP、WRP以及PREP傳送到存儲體區(qū)BAR。針對這種操作，利用了三個或門0R2至0R4。激活脈沖信號ACTP響應(yīng)于測試激活命令TACT或激活命令A(yù)CT而被激活，寫入脈沖信號WRP響應(yīng)于測試寫入命令TWR或?qū)懭朊頦R而被激活，以及預(yù)充電脈沖信號PREP響應(yīng)于測試預(yù)充電命令TPRE或預(yù)充電命令PRE而被激活。存儲體區(qū)BAR包括:外圍電路(圖中未示出)，所述外圍電路被配置成響應(yīng)于脈沖信號ACTP、WRP以及PREP而控制存儲體BA的操作。當激活脈沖信號ACTP被激活時，存儲體區(qū)BAR的外圍電路激活存儲體BA，換言之，啟動存儲體BA中包括的字線；當寫入脈沖信號WRP被激活時，存儲體區(qū)BAR的外圍電路將輸入數(shù)據(jù)寫入存儲體BA中包括的存儲器單元中；以及，當預(yù)充電脈沖信號PREP被激活時，存儲體區(qū)BAR的外圍電路對存儲體BA預(yù)充電，換言之，對存儲體BA的字線或位線預(yù)充電。
[0042]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的存儲器通過從外部測試設(shè)備或外部存儲控制器中接收命令信號、時鐘信號CLK、數(shù)據(jù)以及地址ADD〈0:A>來執(zhí)行測試操作。此時,存儲器內(nèi)部地產(chǎn)生具有比從外部輸入的時鐘信號CK更高頻率的測試時鐘信號TCK，由此減少測試時間。在上述信號之中，多個命令A(yù)CT、WR、RD、MRS、ZQC以及PRE與時鐘信號CK同步產(chǎn)生，并且多個測試命令TACT、TffR以及TPRE與測試時鐘信號TCK同步產(chǎn)生。
[0043]此外，圖1說明存儲器支持整個第一測試模式至第三測試模式的一個實例。然而，存儲器不需要支持整個第一測試模式至第三測試模式，而是可以被設(shè)計成支持第一測試模式至第三測試模式中的一種或多種。例如，存儲器可以被設(shè)計成支持第一測試模式至第三測試模式中的一種測試模式或者支持兩種或更多種測試模式。當存儲器支持第一測試模式至第三測試模式中的部分時，不需要執(zhí)行針對上述操作之中不同于存儲器支持的測試模式的測試模式的操作。
[0044]圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的時鐘發(fā)生控制單元133的示圖。
[0045]參見圖2，時鐘發(fā)生控制單元133包括:第一控制單元210、第二控制單元220、第三控制單元230、以及或門0R5。第一控制單元210被配置成當存儲器被設(shè)定成第一測試模式時控制測試時鐘發(fā)生單元131。第二控制單元220被配置成當存儲器被設(shè)定成第二測試模式時控制測試時鐘發(fā)生單元131。第三控制單元230被配置成當存儲器被設(shè)定成第三測試模式時控制測試時鐘發(fā)生單元131?；蜷T0R5被配置成將第一控制單元至第三控制單元的輸出A、B以及C組合，并且產(chǎn)生時鐘發(fā)生使能信號TCK_EN。第一控制單元210包括多個與非門NANDl至NAND4和與門AND4，第二控制單元220包括多個與非門NAND5至NAND8，以及第三控制單元230包括多個與非門NAND9至NAND12以及與門AND5。供作參考，ACTT表示當存儲器被設(shè)定成第一測試模式至第三測試模式中的一種時通過使激活命令A(yù)CT經(jīng)過與門ANDl而傳送的信號，ZQCT表不當存儲器被設(shè)定成第一測試模式至第三測試模式中的一種時通過使校準命令ZQCT經(jīng)過與門AND2而傳送的信號，以及WRT表示當存儲器被設(shè)定成第一測試模式至第三測試模式中的一種時通過使寫入命令WR經(jīng)過與門AND3而傳送的信號。
[0046]參見圖2，將描述時鐘發(fā)生控制單元133的操作。
[0047]第一測試模式信號至第三測試模式信號TCR0R、TCAWR以及TCADIST在存儲器未被設(shè)定成測試模式的狀態(tài)下被去激活。由于第一測試模式信號至第三測試模式信號TCR0R、TCAffR 以及 TCADIST 全部為低，所以與非門 NANDl、NAND2、NAND5、NAND6、NAND9 以及 NANDlO的輸出為高。因此，第一控制單元至第三控制單元的輸出A、B、以及C被去激活成低電平。
[0048]當存儲器被設(shè)定為第一測試模式時，第一測試模式信號TCROR被激活成高電平，以及激活命令A(yù)CT被激活成高電平并且作為信號ACTT被傳送。然后，與非門NANDl的輸出變成低，與非門NAND3的輸出變成高，以及與非門NAND4的輸出變成低。由于第一測試模式信號TCROR被激活，所以當與非門NAND3的輸出變成高時，第一控制單元的輸出A被激活成高電平。由于第一控制單元的輸出A被激活，所以時鐘發(fā)生使能信號TCK_EN被激活。然后，當校準命令ZQC被激活并且作為信號ZQCT被傳送時，與非門NAND2的輸出變成低。因此，與非門NAND4的輸出變成高，并且與非門NAND3的輸出變成低。因此，第一控制單元的輸出被去激活成低電平。結(jié)果，時鐘發(fā)生使能信號TCK_EN被去激活成低電平。
[0049]當存儲器被設(shè)定為第二測試模式時，第二測試模式信號TCAWR被激活成高電平，然后寫入命令WR被激活成高電平并且被作為信號WRT被傳送。然后，與非門NAND5的輸出變成低，與非門NAND7的輸出變成高，并且與非門NAND8的輸出變成低。由于第二控制單元的輸出B等于與非門NAND7的輸出，所以當與非門NAND7的輸出變成高時第二控制單元的輸出B被激活。由于第二控制單元的輸出B被激活，所以時鐘發(fā)生使能信號TCK_EN被激活。然后，當測試預(yù)充電命令TPRE被激活時，與非門NAND6的輸出變成低。因此，與非門NAND5的輸出變成高，并且與非門NAND7的輸出變成低。因此，第二控制單元的輸出B被去激活成低電平，結(jié)果，時鐘發(fā)生使能信號TCK_EN被去激活成低電平。
[0050]當存儲器被設(shè)定為第三測試模式時，第三測試模式信號TCABIST被激活成高電平，而激活命令A(yù)CT被激活成高電平并且作為信號ACTT被傳送。然后與非門NAND9的輸出變成低，與非門NANDll的輸出變成高，以及與非門NAND12的輸出變成低。由于第三測試模式信號TCADIST被激活，所以當與非門NANDll的輸出變成高時，第三控制單元的輸出C被激活成高電平。由于第三控制單元的輸出C被激活，所以時鐘發(fā)生使能信號TCK_EN被激活。然后，當測試預(yù)充電命令TPRE被激活時，與非門NANDlO的輸出變成低。因此，與非門NAND12的輸出變成高，而與非門NANDll的輸出變成低。因此，第三控制單元的輸出C被去激活成低電平。結(jié)果，時鐘發(fā)生使能信號TCK_EN被去激活成低電平。
[0051]圖2說明時鐘發(fā)生控制單元133包括整個第一控制單元至第三控制單元210、220、以及230的情況。然而，如參照圖1所描述的，存儲器可以被設(shè)計成支持第一測試模式至第三測試模式中的一種或更多種。在這種情況下，時鐘發(fā)生控制單元133可以僅包括與各測試模式相對應(yīng)的控制單元。例如，當存儲器僅支持第一測試模式時，時鐘發(fā)生控制單元133可以僅包括第一控制單元210，而當存儲器支持第二測試模式和第三測試模式時，時鐘發(fā)生控制單元133可以僅包括第二控制單元220和第三控制單元230。
[0052]圖3是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的測試時鐘發(fā)生單元131的示圖。
[0053]參見圖3,測試時鐘發(fā)生單元131包括多個單位延遲DELO至DEL6。每個單位延遲包括反相器INV、電阻器R以及電容器C。電阻器R和電容器C被配置成延遲信號，并且反相器INV被配置成觸發(fā)信號。測試時鐘發(fā)生單元131包括單位延遲DELO至DEL6的奇數(shù)編號。
[0054]當時鐘發(fā)生使能信號TCK_EN被去激活時，與門AND6的輸出被固定在低電平。因此，測試時鐘信號TCK被去激活。當時鐘發(fā)生使能信號TCK_EN被激活時，與門AND6的輸出通過另一個輸入而不是時鐘發(fā)生使能信號TCK_EN來確定。因此，測試時鐘發(fā)生單元131作為振蕩器來操作以將測試時鐘信號TCK激活。
[0055]圖3說明測試時鐘發(fā)生單元131包括七個單位延遲的情況，但是單位延遲的數(shù)目可以根據(jù)設(shè)計而不同。當單位延遲的數(shù)目增加時，單位延遲的延遲值之和增加。因此，測試時鐘信號TCK的頻率減小。當單位延遲的數(shù)目減少時，單位延遲的延遲值之和減小。因此，測試時鐘信號TCK的頻率增加。
[0056]圖4A和圖4B是根據(jù)本發(fā)明的實施例的信號發(fā)生單元132的示圖。
[0057]參見圖4A和圖4B，信號發(fā)生單元132包括:圖4A中所示的時鐘計數(shù)單元410和圖4B中所示的計數(shù)信息判定單元420。時鐘計數(shù)單元410被配置成對測試時鐘TCK計數(shù)并且產(chǎn)生計數(shù)信息CNT〈0:4>。計數(shù)信息判定單元420被配置成:在存儲器被設(shè)定成第一測試模式的狀態(tài)下，當計數(shù)信息CNT〈0: 4>具有預(yù)定值時將測試激活命令TACT激活，當計數(shù)信息CNT<0:4>的值與一塊或多塊測試時間信息TCPRE〈0:2>相對應(yīng)時，將測試預(yù)充電命令TPRE激活；在存儲器被設(shè)定成第二測試模式的狀態(tài)下，當計數(shù)信息CNT〈0:4>的值與一塊或多塊測試時間信息TCPRE〈0: 2>相對應(yīng)時，將測試預(yù)充電命令TPRE激活；在存儲器被設(shè)定成第三測試模式的狀態(tài)下，當計數(shù)信息CNT〈0:4>的值與第一測試時間信息TCPRE〈0:2>相對應(yīng)時將測試寫入命令TWR激活，并且當計數(shù)信息CNT〈0: 4>的值與第二測試時間信息TCTRCX0: 4>相對應(yīng)時將測試預(yù)充電命令TPRE激活。
[0058]首先，參見圖4A，將描述時鐘計數(shù)單元410的操作。
[0059]時鐘計數(shù)單元410包括時鐘計數(shù)器411和信息傳送器412。時鐘計數(shù)器411被配置成對測試時鐘TCK計數(shù)，并且產(chǎn)生預(yù)計數(shù)信息PCNIXO:4>，而信息傳送器412被配置成對預(yù)計數(shù)信息PCNT〈0:4>分類，并且將分類的信息作為計數(shù)信息CNT〈0:4>傳送。
[0060]時鐘計數(shù)器411包括多個移位器FFO至FF4，并且移位器FFO至FF4的輸出變成預(yù)計數(shù)信息PCNIXO:4>的各個位。移位器FFO至FF4各自包括輸入端子1、啟動端子EN、輸出端子D、反相端子DB以及復(fù)位端子RST。當輸入到啟動端子EN的信號被激活時，移位器接收輸入到輸入端子I的信號、并且將接收的信號儲存其中，以及當啟動端子EN被禁止時移位器將儲存在其中的信號輸出到輸出端子D。儲存在移位器中的信號的反相信號被輸出到反相端子DB。當輸入到復(fù)位端子RST的信號被激活時，儲存在其中的值被復(fù)位(復(fù)位值為高或低)。在圖4中，假設(shè)復(fù)位值為低。每個移位器可以包括D觸發(fā)器。移位器復(fù)位信號SRST被輸入到復(fù)位端子RST。當測試時鐘信號TCK的激活時段結(jié)束之后利用計數(shù)信息CNT〈0:4>將測試命令TACT、TffR以及TPRE激活的操作完成時，移位器復(fù)位信號SRST可以被激活。
[0061]第一移位器FFO被配置成經(jīng)由啟動端子EN接收測試時鐘信號TCK，而其他的移位器FFl至FF4各自被配置成經(jīng)由啟動端子EN來接收連接在該移位器的前級的另一個移位器的輸出。因此，第一移位器FFO每當測試時鐘信號TCK被激活時被觸發(fā)，而其他的移位器FFl至FF4各自每當連接在該移位器的前級的另一個移位器的輸出被觸發(fā)時而被觸發(fā)。因此，由于移位器的輸出每當連接在該移位器的前級的另一個移位器被觸發(fā)兩次時被觸發(fā)一次，預(yù)計數(shù)信息PCNIXO:4>具有與通過對測試時鐘信號TCK計數(shù)獲得的值相對應(yīng)的二進制值。此時，由于通過移位器的信號具有預(yù)定的延遲值，所以通過觸發(fā)測試時鐘信號TCK來更新預(yù)計數(shù)信息PCNKO:4>的各個位時的時間點會出現(xiàn)偏差。
[0062]信息傳送器412被配置成將預(yù)計數(shù)信息PCNIXO:4>分類，并且將分類的信息作為計數(shù)信息CNT〈0:4>傳送，以便去除因更新預(yù)計數(shù)信息PCNT〈0:4>的各個位時的時間點之間的偏差而發(fā)生的偏移(skew)。針對這種操作，信息傳送器412包括:多個與門AND7至AND15以及多個延遲DEL7至DEL9。當移位器是D觸發(fā)器、并且信號通過D觸發(fā)器時，信號具有與兩個反相器的延遲值相對應(yīng)的延遲值。因此，延遲DEL7至DEL9各自具有與兩個反相器的延遲值相對應(yīng)的延遲值差。基于預(yù)計數(shù)信息之中最新更新的位PCNT〈4>，位PCNT〈0>、PCNT〈1>、PCNT〈2>以及PCNT〈3>被更新時的時間點從位PCNT〈4>被更新時的時間點起分別延遲了八個反相器的延遲值、六個反相器的延遲值、四個反相器的延遲值、以及兩個反相器的延遲值。因此，在假設(shè)與門AND12至AND15的延遲值與兩個反相器的延遲值相同的情況下，延遲DEL7和DEL9的延遲值分別對應(yīng)于六個反相器的延遲值、四個反相器的延遲值、以及兩個反相器的延遲值。
[0063]此外，為了在測試時鐘TCK為低的時段期間將預(yù)計數(shù)信息PCNT〈0:4>的各個位作為計數(shù)信息CNT〈0:4>的各個位進行傳送，通過將測試時鐘信號TCK的反相信號延遲兩個反相器的延遲值、四個反相器的延遲值、六個反相器的延遲值、八個反相器的延遲值、以及十個反相器的延遲值而獲得的信號被分別施加到與門AND7至AND11。因此，預(yù)計數(shù)信息PCNKO:4>的各個位在測試時鐘信號TCK為低電平的同時被更新之后穿過相應(yīng)的與門，并且作為計數(shù)信息CNT〈0:4>的各個位被同時傳送。當移位器復(fù)位信號SRST被激活時，預(yù)計數(shù)信息PCNIXO:4>不被傳送作為計數(shù)信息CNT〈0:4>。
[0064]供作參考，圖4A中所示的時鐘計數(shù)器411僅是一個示例，而能夠?qū)y試時鐘信號TCK的激活數(shù)目計數(shù)的任意計數(shù)器可以被用作時鐘計數(shù)器411。
[0065]接著，參見圖4B，將描述計數(shù)信息判定單元420的操作。[0066]計數(shù)信息判定單元420包括:第一比較器421、第二比較器422、第一信號發(fā)生器423、第二信號發(fā)生器424以及第三信號發(fā)生器425。第一比較器421被配置成將第一測試時間信息TCPRE〈0: 2>與計數(shù)信息中的某些位CNT〈0: 2>進行比較、并且輸出比較結(jié)果X。第二比較器422被配置成將第二測試時間信息TCTRCX0:4>與計數(shù)信息CNT〈0:4>進行比較、并且輸出比較結(jié)果Y。第一信號發(fā)生器423被配置成產(chǎn)生測試激活命令TACT。第二信號發(fā)生器424被配置成產(chǎn)生測試預(yù)充電命令TPRE。第三信號發(fā)生器425被配置成產(chǎn)生測試寫入命令TWR。
[0067]第一比較器421將第一測試時間信息的各個位TCPRE〈0>至TCPRE〈2>與計數(shù)信息的對應(yīng)于第一測試時間信息的各個位TCPRE〈0>至TCPRE〈2>的各個位CNT〈0>至CNT〈2>進行比較，并且當?shù)谝粶y試時間信息的各個位TCPRE〈0>至TCPRE〈2>等于計數(shù)信息的各個位CNT〈0>至CNT〈2>時將輸出X激活成高電平。針對這種操作，第一比較器421可以包括多個異或非門XNORl至XN0R3和與門AND16。
[0068]第二比較器422將第二測試時間信息的各個位TCTRC〈0>至TCTRC〈4>與計數(shù)信息的對應(yīng)于第二測試時間信息的各個位TCTRC〈0>至TCTRC〈4>的各個位CNT〈0>至CNT〈4>進行比較，并且當?shù)诙y試時間信息的各個位TCTRC〈0>至TCTRC〈4>等于計數(shù)信息的各個位CNT〈0>至CNT〈4>時將輸出Y激活成高電平。針對這種操作，第二比較器422可以包括多個異或門非XN0R4至XN0R8和與門AND17。
[0069]在第一測試模式信號TCROR被激活的狀態(tài)下，當計數(shù)信息CNT〈0:4>具有特定值時，第一信號發(fā)生器423將測試激活命令TACT激活。圖4B說明了當計數(shù)信息CNT〈0:4>的各個位0見'〈0>、0見'〈1>、0見'〈2>、0見'〈3> &&CNT〈4>S(1，0，0，0，0)時測試激活命令 TACT被激活的情況。針對這種操作，第一信號發(fā)生單元423可以包括或非門NORl和多個與門AND18 和 AND19。
[0070]當?shù)谝粶y試模式信號TCROR或第二測試模式信號TCAWR被激活時，第二信號發(fā)生器424響應(yīng)于結(jié)果X而將測試預(yù)充電命令TPRE激活成高電平。結(jié)果X通過將第一測試時間信息TCPRE〈0:2>與計數(shù)信息的某些位CNT〈0:2>進行比較來獲得，當?shù)谝粶y試時間信息TCPRE〈0:2>和計數(shù)信息的某些位CNT〈0:2>彼此相等時結(jié)果X為高電平。此外，當?shù)谌郎y試模式信號TCADIST被激活時，第二信號發(fā)生器424響應(yīng)于結(jié)果Y而將測試預(yù)充電命令TPRE激活成高電平。結(jié)果Y通過將第二測試時間信息TCTRC〈0:4>與計數(shù)信息CNT〈0:4>進行比較來獲得，當?shù)诙y試時間信息TCTRCX0:4>和計數(shù)信息CNT〈0:4>彼此相等時結(jié)果Y為高電平。針對這種操作，第二信號發(fā)生單元414可以包括或門0R6和多個與非門NAND13至NAND15 ο
[0071]當?shù)谌郎y試模式信號TCADIST被激活時，第三信號發(fā)生器425響應(yīng)于結(jié)果X而激活測試寫入命令TWR。針對這種操作，第三信號發(fā)生單元425可以包括與門AND20。
[0072]圖4B說明了在存儲器支持全部的第一測試模式至第三測試模式的情況下的計數(shù)信息判定單元420。然而，如參照圖1所描述的，存儲器可以被設(shè)計成支持第一測試模式至第三測試模式中的一種或更多種。在這種情況下，計數(shù)信息判定單元420可以僅包括用以激活存儲器支持的測試模式中的測試模式TACT、TAffR以及TPRE的部件。例如，當存儲器僅支持第一測試模式時，計數(shù)信息判定單兀420可以包括第一比較器421、第一信號發(fā)生器423以及第三信號發(fā)生器424。[0073]在圖4B中，測試命令TACT、TWR以及TPRE的激活條件可以根據(jù)設(shè)計而不同。例如，測試激活命令可以被設(shè)計成當計數(shù)信息CNT〈0:4>的各個位的值CNT〈0>、CNT〈1>、CNT〈2>、CNT<3>以及CNT〈4>不同于(1，0，0，0，0)時被激活。此外，測試激活命令TACT可以被設(shè)計成當計數(shù)信息CNT〈0:4>的值對應(yīng)于測試時間信息TCPRE〈0:2>和TCTRC〈0:4>而不是特定值時被激活。測試寫入命令TWR或測試預(yù)充電命令TPRE可以采用相同的方式來設(shè)計。
[0074]圖5是用于解釋一種用于測試根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的存儲器的方法的流程圖。
[0075]參見圖5，用于測試存儲器的方法包括以下步驟:測試模式設(shè)定步驟S510:當多個命令信號CSB、ACTB、RASB、CASB以及WEB的組合與MRS命令MRS相對應(yīng)時，響應(yīng)于多個地址信號ADD〈0:A>而將存儲器設(shè)定成第一測試模式至第三測試模式中的一種測試模式；命令激活步驟S520:與時鐘信號CK同步地將多個命令信號CSB、ACTB、RASB、CASB以及WEB譯碼，并且將包括激活命令A(yù)CT、寫入命令WR以及校準命令ZQC的多個命令A(yù)CT、WR、RD、MRS以及PRE中的一個或更多個激活；測試命令激活步驟S530:當存儲器被設(shè)定成第一測試模式時，在通過對具有比時鐘信號CK更高頻率的測試時鐘信號TCK計數(shù)獲得的計數(shù)信息CNT〈0:4>確定的時間點，將用于激活存儲體BA的測試激活命令TACT和用于對存儲體BA預(yù)充電的測試預(yù)充電命令TPRE激活，當存儲器被設(shè)定成第二測試模式時，在寫入命令WR被激活之后，在基于計數(shù)信息CNT〈0: 4>確定的時間點，將測試預(yù)充電命令TPRE激活，以及當存儲器被設(shè)定成第三測試模式時，在基于計數(shù)信息CNT〈0: 4>確定的時間點，將測試預(yù)充電命令TPRE和用于將數(shù)據(jù)寫入存儲體BA中的測試寫入命令TWR激活；以及測試步驟S540:當測試激活命令被激活時將存儲體激活、當測試預(yù)充電命令被激活時對存儲體預(yù)充電、以及當測試寫入命令被激活時將數(shù)據(jù)寫入存儲體。
[0076]參見圖1至圖5，將描述用于測試存儲器的方法。
[0077]在測試模式設(shè)定步驟S510中，命令譯碼器110響應(yīng)于多個命令信號CSB、ACTB,RASB, CASB以及WEB而將MRS命令MRS激活，并且將操作模式設(shè)定為測試模式。測試模式可以采用與參照圖1所描述的相同的方式來設(shè)定。
[0078]當設(shè)定了測試模式時，命令譯碼器110在命令激活步驟S520中響應(yīng)于多個命令信號CSB、ACTB、RASB、CASB以及WEB而將多個命令A(yù)CT、WR、RD、MRS以及PRE中的一個或更多
個激活。
[0079]在測試命令激活步驟S530中，當施加命令時，多個測試命令TACT、TffR以及TPRE中的一個或更多個根據(jù)設(shè)定的測試模式而被激活。測試命令TACT、TWR以及TPRE可以采用與參照圖1至圖4B所描述的相同的方式來激活。
[0080]當測試命令TACT、TffR以及TPRE被激活時，響應(yīng)于存儲體區(qū)BAR中的脈沖信號ACTP、WRP以及PREP而執(zhí)行激活存儲體BA的操作、將輸入寫入存儲體BA的操作、或者對存儲體BA預(yù)充電的操作。
[0081]即使從測試設(shè)備中輸入的時鐘信號具有低頻率，用于測試根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器的方法也可以減少存儲器的測試時間。
[0082]參見圖1至圖4B，將描述根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的存儲器。
[0083]參見圖1，存儲體包括:存儲體BA、命令譯碼器110、測試譯碼器120以及測試控制器130。存儲體BA包括多個存儲器單元。命令譯碼器110被配置成與時鐘信號CK同步地操作，并且響應(yīng)于多個命令信號CSB、ACTB、RASB、CASB以及WEB而將用于操作存儲體BA的多個命令A(yù)CT、WR、RD、MRS、ZQC以及PRE中的一個或更多個激活。測試譯碼器120被配置成當多個命令A(yù)CT、WR、RD、MRS、ZQC以及PRE中的用于設(shè)定測試模式的命令MRS被激活時響應(yīng)于多個地址信號ADD〈0:A>而設(shè)定測試模式、并且產(chǎn)生用于存儲體BA的測試操作的測試信息TCPRE〈0:2>和TCTRCX0:4>。測試控制器130被配置成:當存儲器被設(shè)定成測試模式時，響應(yīng)于測試信息TCPRE〈0:2>和TCTRCX0:4>以及對具有比時間信號CK更高頻率的測試時鐘信號TCK計數(shù)獲得的計數(shù)信息CNT〈0:4>而將用于存儲體的測試操作的多個測試命令TACT、TffR以及TPRE中的一個或更多個激活。
[0084]存儲器的操作采用與參照圖1至圖4B所描述的相同方式來執(zhí)行。
[0085]當存儲器通過測試譯碼器120設(shè)定成測試模式時，意味著存儲器未被設(shè)定成正常模式，而是被設(shè)定成在此執(zhí)行激活存儲體BA的操作、寫入數(shù)據(jù)的操作以及預(yù)充電存儲體BA的操作中的一種或多種操作用于測試的模式。當存儲器被設(shè)定成測試模式時，命令譯碼器110與時鐘信號CK同步地將多個命令A(yù)CT、WR、RD、MRS、ZQC以及PRE中的一個或更多個激活。然而，由于用于在測試模式下實際操作存儲體BA的測試命令TACT、TWR以及TPRE與測試時鐘信號TCK同步地被激活，所以測試速度可能減小。
[0086]根據(jù)本發(fā)明的實施例，即使測試設(shè)備接收具有較低頻率的時鐘信號執(zhí)行測試，存儲器也通過內(nèi)部產(chǎn)生具有高頻率的時鐘信號來操作，由此減小測試時間。
[0087]此外，存儲器及其測試方法可以利用內(nèi)部產(chǎn)生的時鐘信號來測試存儲器的各種測試。
[0088]盡管已經(jīng)針對說明性地目的描述了各種實施例，但是對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然的是，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進行各種變化和修改。
[0089]通過以上實施例可以看出，本申請?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。
[0090]技術(shù)方案1.一種存儲器，包括:
[0091]存儲體，所述存儲體包括多個存儲器單元；
[0092]命令譯碼器，所述命令譯碼器被配置成:與時鐘信號同步地操作，并且響應(yīng)于多個命令信號而將包括激活命令、寫入命令、校準命令、以及MRS命令的多個命令中的至少一個激活；
[0093]測試譯碼器，所述測試譯碼器被配置成響應(yīng)于多個地址信號和所述MRS命令而將所述存儲器設(shè)定成測試模式；以及
[0094]測試控制器，所述測試控制器被配置成:當所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式時，在基于計數(shù)信息而確定的時間點將用于測試操作所述存儲體的至少一個內(nèi)部測試命令激活，所述計數(shù)信息通過對具有比所述時鐘信號高的頻率的測試時鐘信號計數(shù)而獲得。
[0095]技術(shù)方案2.如技術(shù)方案I所述的存儲器，其中，所述至少一個內(nèi)部測試命令被配置成包括:用于激活所述存儲體的測試激活命令、用于對所述存儲體預(yù)充電的測試預(yù)充電命令、以及用于將數(shù)據(jù)寫入所述存儲體的測試寫入命令激活。
[0096]技術(shù)方案3.如技術(shù)方案2所述的存儲器，其中，當所述至少一個內(nèi)部測試命令被激活時，所述測試譯碼器產(chǎn)生用于確定時間點的至少一個測試時間信息。
[0097]技術(shù)方案4.如技術(shù)方案3所述的存儲器，其中，所述至少一個內(nèi)部測試命令被配置成包括所述測試激活命令和所述測試預(yù)充電命令，
[0098]其中，所述測試控制器包括:
[0099]測試時鐘發(fā)生單元，所述測試時鐘發(fā)生單元被配置成產(chǎn)生所述測試時鐘信號；
[0100]信號發(fā)生單元，所述信號發(fā)生單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于所述計數(shù)信息而交替地激活所述測試激活命令和所述測試預(yù)充電命令；以及
[0101]時鐘發(fā)生控制單元，所述時鐘發(fā)生控制單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于所述激活命令而啟動所述測試時鐘發(fā)生單元，并且響應(yīng)于所述校準命令而禁止所述測試時鐘發(fā)生單元。
[0102]技術(shù)方案5.如技術(shù)方案4所述的存儲器，其中，所述信號發(fā)生單元包括:
[0103]時鐘計數(shù)單元，所述時鐘計數(shù)單元被配置成對所述測試時鐘信號計數(shù)、并且產(chǎn)生所述計數(shù)信息；
[0104]以及計數(shù)信息判定單元，所述計數(shù)信息判定單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式的狀態(tài)下，當所述計數(shù)信息具有預(yù)定值時將所述測試激活命令激活，并且當所述計數(shù)信息具有與所述測試時間信息相對應(yīng)的值時將所述測試預(yù)充電命令激活。
[0105]技術(shù)方案6.如技術(shù)方案3所述的存儲器，其中，所述至少一個內(nèi)部測試命令被配置成包括所述測試預(yù)充電命令，
[0106]其中，所述測試控制器被配置成在所述寫入命令被激活之后將所述測試預(yù)充電命令激活。
[0107]技術(shù)方案7.如技術(shù)方案6所述的存儲器，其中，所述測試控制器包括:
[0108]測試時鐘發(fā)生單元，所述測試時鐘發(fā)生單元被配置成產(chǎn)生所述測試時鐘信號；
[0109]信號發(fā)生單元，所述信號發(fā)生單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式的狀態(tài)下，在所述寫入命令被激活之后，在基于所述計數(shù)信息和所述測試時間信息確定的時間點將所述測試預(yù)充電命令激活；以及
[0110]時鐘發(fā)生控制單元，所述時鐘發(fā)生控制單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于所述寫入命令而啟動所述測試時鐘發(fā)生單元，并且響應(yīng)于所述測試預(yù)充電命令而禁止所述測試時鐘發(fā)生單元。
[0111]技術(shù)方案8.如技術(shù)方案7所述的存儲器，其中，所述信號發(fā)生單元包括:
[0112]時鐘計數(shù)單元，所述時鐘計數(shù)單元被配置成對所述測試時鐘信號計數(shù)、并且產(chǎn)生所述計數(shù)信息；以及
[0113]計數(shù)信息判定單元，所述計數(shù)信息判定單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成測試模式的狀態(tài)下，當所述計數(shù)信息具有與所述測試時間信息相對應(yīng)的值時，將所述測試預(yù)充電命令激活。
[0114]技術(shù)方案9.如技術(shù)方案3所述的存儲器，其中，所述至少一個內(nèi)部測試命令被配置成包括所述測試寫入命令和所述測試預(yù)充電命令，
[0115]其中，所述至少一個測試時間信息被配置成包括第一測試時間信息和第二測試時間信息，所述第一測試時間信息用于判定所述測試寫入命令被激活時的時間點，所述第二測試時間信息用于判定所述測試預(yù)充電命令被激活時的時間點。
[0116]技術(shù)方案10.如技術(shù)方案9所述的存儲器，其中，所述測試控制器包括:[0117]測試時鐘發(fā)生單元，所述測試時鐘發(fā)生單元被配置成產(chǎn)生所述測試時鐘信號；
[0118]信號發(fā)生單元，所述信號發(fā)生單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成測試模式的狀態(tài)下，在所述激活命令被激活之后，在基于所述計數(shù)信息和所述第一測試時間信息確定的時間點將所述測試寫入命令激活，并且在基于所述計數(shù)信息和所述第二測試時間信息確定的時間點將所述測試預(yù)充電命令激活；以及
[0119]時鐘發(fā)生單元，所述時鐘發(fā)生單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于所述寫入命令而啟動所述測試時鐘發(fā)生單元、并且響應(yīng)于所述測試預(yù)充電命令而禁止所述測試時鐘發(fā)生單元。
[0120]技術(shù)方案11.如技術(shù)方案10所述的存儲器，其中，所述信號發(fā)生單元包括:
[0121]時鐘計數(shù)單元，所述時鐘計數(shù)單元被配置成對所述測試時鐘信號計數(shù)、并且產(chǎn)生所述計數(shù)信息；以及
[0122]計數(shù)信息判定單元，所述計數(shù)信息判定單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式的狀態(tài)下，當所述計數(shù)信息具有與所述第一測試時間信息相對應(yīng)的值時將所述測試寫入命令激活，并且當所述計數(shù)信息具有與所述第二測試時間信息相對應(yīng)的值時將所述測試預(yù)充電命令激活。
[0123]技術(shù)方案12.如技術(shù)方案11所述的存儲器，其中，響應(yīng)于所述測試寫入命令而寫入到所述存儲體內(nèi)的數(shù)據(jù)在設(shè)定成所述測試模式之前輸入，并且被寫入到通過在設(shè)定成所述測試模式之前輸入的多個地址信號確定的所述存儲器單元內(nèi)。
[0124]技術(shù)方案13.如技術(shù)方案I所述的存儲器，其中，所述測試時鐘發(fā)生單元包括具有多個單位延遲的振蕩器，并且所述測試時鐘信號被觸發(fā)的時段與所述單位延遲的延遲值之和相對應(yīng)。
[0125]技術(shù)方案14.如技術(shù)方案I所述的存儲器，其中，所述多個命令包括:寫入命令、讀取命令以及預(yù)充電命令。
[0126]技術(shù)方案15.如技術(shù)方案I所述的存儲器，其中，所述多個命令信號包括:激活信號、芯片選擇信號、行地址選通信號、列地址選通信號以及寫入使能信號。
[0127]技術(shù)方案16.—種存儲器,包括:
[0128]存儲體，所述存儲體包括多個存儲器單元；
[0129]命令譯碼器，所述命令譯碼器被配置成:與時鐘信號同步地操作，并且響應(yīng)于多個命令信號而將包括激活命令、寫入命令、校準命令以及MRS命令的多個命令中的至少一個激活；
[0130]測試譯碼器，所述測試譯碼器被配置成響應(yīng)多個地址信號和所述MRS命令而將所述存儲器設(shè)定成第一測試模式至第三測試模式中的一種測試模式；以及
[0131]測試控制器，所述測試控制器被配置成:當設(shè)定成所述第一測試模式時，在基于計數(shù)信息確定的時間點將用于激活所述存儲體的測試激活命令和用于對所述存儲體預(yù)充電的測試預(yù)充電命令激活，所述計數(shù)信息通過對具有比所述時鐘信號高的頻率的測試時鐘信號計數(shù)而獲得；當設(shè)定成所述第二測試模式時，所述寫入命令被激活后，在基于所述計數(shù)信息確定的時間點將所述測試預(yù)充電命令激活；以及當設(shè)定成所述第三測試模式時，在基于所述計數(shù)信息確定的時間點將所述測試預(yù)充電命令和用于將數(shù)據(jù)寫入所述存儲體的測試寫入命令激活。[0132]技術(shù)方案17.如技術(shù)方案16所述的存儲器，其中，所述測試譯碼器產(chǎn)生第一測試時間信息和第二測試時間信息。
[0133]技術(shù)方案18.如技術(shù)方案17所述的存儲器，其中，所述測試控制器包括:
[0134]測試時鐘發(fā)生單元，所述測試時鐘發(fā)生單元被配置成產(chǎn)生所述測試時鐘信號；
[0135]信號發(fā)生單元，所述信號發(fā)生單元被配置成:在設(shè)定成所述第一測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于所述計數(shù)信息而交替地激活所述測試激活命令和所述測試預(yù)充電命令；在設(shè)定成所述第二測試模式的狀態(tài)下，在所述寫入命令被激活之后，在基于所述計數(shù)信息和所述第一測試時間信息確定的時間點將所述測試預(yù)充電命令激活；以及在設(shè)定成所述第三測試模式的狀態(tài)下，在所述激活命令被激活之后，在基于所述計數(shù)信息和所述第一測試時間信息確定的時間點將所述測試寫入命令激活，并且在通過所述計數(shù)信息和所述第二測試時間信息確定的時間點將所述預(yù)充電信號激活；以及
[0136]時鐘發(fā)生控制單元，所述時鐘發(fā)生控制單元被配置成:在設(shè)定成所述第一測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于所述激活命令而啟動所述測試時鐘發(fā)生單元，并且響應(yīng)于所述校準命令而禁止所述測試時鐘發(fā)生單元；在設(shè)定成所述第二測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于所述寫入命令而啟動所述測試時鐘發(fā)生單元，并且響應(yīng)于所述測試預(yù)充電命令而禁止所述測試時鐘發(fā)生單元；以及在設(shè)定成所述第三測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于所述寫入命令而啟動所述測試時鐘發(fā)生單元，并且響應(yīng)于所述測試預(yù)充電命令而禁止所述測試時鐘發(fā)生單元。
[0137]技術(shù)方案19.如技術(shù)方案18所述的存儲器，其中，所述信號發(fā)生單元包括:
[0138]時鐘計數(shù)單元，所述時鐘計數(shù)單元被配置成對所述測試時鐘信號計數(shù)、并且產(chǎn)生所述計數(shù)信息；以及
[0139]計數(shù)信息判定單元，所述計數(shù)信息判定單元被配置成:在設(shè)定成所述第一測試模式的狀態(tài)下，當所述計數(shù)信息具有預(yù)定值時將所述測試激活命令激活，并且當所述計數(shù)信息具有與所述測試時間信息相對應(yīng)的值時將所述測試預(yù)充電命令激活；在設(shè)定成所述第二測試模式的狀態(tài)下，當所述計數(shù)信息具有與所述測試時間信息相對應(yīng)的值時將所述測試預(yù)充電命令激活；以及在設(shè)定成所述第三測試模式的狀態(tài)下，當所述計數(shù)信息具有與所述第一測試時間信息相對應(yīng)的值時將所述測試寫入命令激活，并且當所述計數(shù)信息具有與所述第二測試時間信息相對應(yīng)的值時將所述測試預(yù)充電命令激活。
[0140]技術(shù)方案20.如技術(shù)方案19所述的存儲器，其中，當設(shè)定成所述第三測試模式時，響應(yīng)于所述測試寫入命令而寫入到所述存儲體中的數(shù)據(jù)在設(shè)定成所述測試模式之前輸入，并且被寫入到通過在設(shè)定成所述測試模式之前輸入的多個地址信號確定的存儲器單元中。
[0141]技術(shù)方案21.—種用于測試包括具有多個存儲器單元的存儲體的存儲器的方法，所述方法包括以下步驟:
[0142]當多個命令信號的組合與MRS信號相對應(yīng)時，響應(yīng)于多個地址信號而設(shè)定第一測試模式至第三測試模式中的一種測試模式；
[0143]與時鐘信號同步地將所述多個命令信號譯碼，并且將包括激活命令、寫入命令以及校準命令的多個命令中的至少一個激活；以及
[0144]當設(shè)定成所述第一測試模式時，在基于計數(shù)信息確定的時間點將用于激活所述存儲體的測試激活命令和用于對存儲體預(yù)充電的測試預(yù)充電命令激活，所述計數(shù)信息通過對具有比所述時鐘信號高的頻率的測試時鐘信號計數(shù)而獲得；當設(shè)定成所述第二測試模式時，在所述寫入命令被激活之后，在基于所述計數(shù)信息確定的時間點將所述測試預(yù)充電命令激活；以及當設(shè)定成所述第三測試模式時，在通過所述計數(shù)信息確定的時間點將所述測試預(yù)充電命令和用于將數(shù)據(jù)寫入所述存儲體的測試寫入命令激活。
[0145]技術(shù)方案22.如技術(shù)方案21所述的方法，還包括以下步驟:
[0146]當所述測試激活命令被激活時將所述存儲體激活；
[0147]當所述測試預(yù)充電命令被激活時對所述存儲體預(yù)充電；以及
[0148]當所述測試寫入命令被激活時將數(shù)據(jù)寫入所述存儲體。
[0149]技術(shù)方案23.—種存儲器,包括:
[0150]存儲體，所述存儲體包括多個存儲器單元；
[0151]命令譯碼器，所述命令譯碼器被配置成與時鐘信號同步地操作、并且響應(yīng)于多個命令信號而將用于所述存儲器操作的多個命令中的至少一個激活；
[0152]測試譯碼器，所述測試譯碼器被配置成:當所述多個命令之中的用于設(shè)定所述測試模式的命令被激活時，響應(yīng)于多個地址信號而將所述存儲器設(shè)定成測試模式、并且產(chǎn)生用于所述存儲體的測試操作的測試信息；以及
[0153]測試控制器，所述測試控制器被配置成:當設(shè)定成所述測試模式時，響應(yīng)于所述測試信息和計數(shù)信息而將用于所述存儲體的測試操作的多個測試命令中的至少一個激活，所述計數(shù)信息通過對具有比所述時鐘信號高的頻率的測試時鐘信號計數(shù)而獲得。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲器，包括: 存儲體，所述存儲體包括多個存儲器單元； 命令譯碼器，所述命令譯碼器被配置成:與時鐘信號同步地操作，并且響應(yīng)于多個命令信號而將包括激活命令、寫入命令、校準命令、以及MRS命令的多個命令中的至少一個激活； 測試譯碼器，所述測試譯碼器被配置成響應(yīng)于多個地址信號和所述MRS命令而將所述存儲器設(shè)定成測試模式；以及 測試控制器，所述測試控制器被配置成:當所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式時，在基于計數(shù)信息而確定的時間點將用于測試操作所述存儲體的至少一個內(nèi)部測試命令激活，所述計數(shù)信息通過對具有比所述時鐘信號高的頻率的測試時鐘信號計數(shù)而獲得。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其中，所述至少一個內(nèi)部測試命令被配置成包括:用于激活所述存儲體的測試激活命令、用于對所述存儲體預(yù)充電的測試預(yù)充電命令、以及用于將數(shù)據(jù)寫入所述存儲體的測試寫入命令激活。
3.如權(quán)利要求2所述的存儲器，其中，當所述至少一個內(nèi)部測試命令被激活時，所述測試譯碼器產(chǎn)生用于確定時間點的至少一個測試時間信息。
4.如權(quán)利要求3所述的存儲器，其中，所述至少一個內(nèi)部測試命令被配置成包括所述測試激活命令和所述測試預(yù)充電命令， 其中，所述測試控制器包括: 測試時鐘發(fā)生單元，所述測試時鐘發(fā)生單元被配置成產(chǎn)生所述測試時鐘信號； 信號發(fā)生單元，所述信號發(fā)生`單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于所述計數(shù)信息而交替地激活所述測試激活命令和所述測試預(yù)充電命令；以及 時鐘發(fā)生控制單元，所述時鐘發(fā)生控制單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于所述激活命令而啟動所述測試時鐘發(fā)生單元，并且響應(yīng)于所述校準命令而禁止所述測試時鐘發(fā)生單元。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲器，其中，所述信號發(fā)生單元包括: 時鐘計數(shù)單元，所述時鐘計數(shù)單元被配置成對所述測試時鐘信號計數(shù)、并且產(chǎn)生所述計數(shù)信息；以及 計數(shù)信息判定單元，所述計數(shù)信息判定單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式的狀態(tài)下，當所述計數(shù)信息具有預(yù)定值時將所述測試激活命令激活，并且當所述計數(shù)信息具有與所述測試時間信息相對應(yīng)的值時將所述測試預(yù)充電命令激活。
6.如權(quán)利要求3所述的存儲器，其中，所述至少一個內(nèi)部測試命令被配置成包括所述測試預(yù)充電命令， 其中，所述測試控制器被配置成在所述寫入命令被激活之后將所述測試預(yù)充電命令激活。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲器，其中，所述測試控制器包括: 測試時鐘發(fā)生單元，所述測試時鐘發(fā)生單元被配置成產(chǎn)生所述測試時鐘信號； 信號發(fā)生單元，所述信號發(fā)生單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式的狀態(tài)下，在所述寫入命令被激活之后，在基于所述計數(shù)信息和所述測試時間信息確定的時間點將所述測試預(yù)充電命令激活；以及 時鐘發(fā)生控制單元，所述時鐘發(fā)生控制單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于所述寫入命令而啟動所述測試時鐘發(fā)生單元，并且響應(yīng)于所述測試預(yù)充電命令而禁止所述測試時鐘發(fā)生單元。
8.如權(quán)利要求7所述的存儲器，其中，所述信號發(fā)生單元包括: 時鐘計數(shù)單元，所述時鐘計數(shù)單元被配置成對所述測試時鐘信號計數(shù)、并且產(chǎn)生所述計數(shù)信息；以及 計數(shù)信息判定單元，所述計數(shù)信息判定單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成測試模式的狀態(tài)下，當所述計數(shù)信息具有與所述測試時間信息相對應(yīng)的值時，將所述測試預(yù)充電命令激活。
9.如權(quán)利要求3所述的存儲器，其中，所述至少一個內(nèi)部測試命令被配置成包括所述測試寫入命令和所述測試預(yù)充電命令， 其中，所述至少一個測試時間信息被配置成包括第一測試時間信息和第二測試時間信息，所述第一測試時間信息用于判定所述測試寫入命令被激活時的時間點，所述第二測試時間信息用于判定所述測試預(yù)充電命令被激活時的時間點。
10.如權(quán)利要求9所述的存儲器，其中，所述測試控制器包括: 測試時鐘發(fā)生單元，所述測試時鐘發(fā)生單元被配置成產(chǎn)生所述測試時鐘信號； 信號發(fā)生單元，所述信號發(fā)生單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成測試模式的狀態(tài)下，在所述激活命令被激活之后，在基于所述計數(shù)信息和所述第一測試時間信息確定的時間點將所述測試寫入命令激活，并且在基于所述計數(shù)信息和所述第二測試時間信息確定的時間點將所述測試預(yù)充電命令激`活；以及 時鐘發(fā)生單元，所述時鐘發(fā)生單元被配置成:在所述存儲器被設(shè)定成所述測試模式的狀態(tài)下，響應(yīng)于所述寫入命令而啟動所述測試時鐘發(fā)生單元、并且響應(yīng)于所述測試預(yù)充電命令而禁止所述測試時鐘發(fā)生單元。
【文檔編號】G11C29/56GK103514963SQ201310160658
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年5月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月28日
【發(fā)明者】宋清基 申請人:愛思開海力士有限公司