專利名稱：Otp存儲(chǔ)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路，特別是不揮發(fā)存儲(chǔ)(NVM)器件和存儲(chǔ)單元電路，可應(yīng)用于高頻和超高頻RFID (Radio Frequency Identification,射頻識(shí)別)的高密度、低電壓、低功耗的一次性可編程(one time programmable,簡稱OTP)核心單元和存儲(chǔ)器。
背景技術(shù)：
PCT申請(qǐng)PCT/CN2010/001551為本發(fā)明的基礎(chǔ)先有技術(shù)。在某些種類的存儲(chǔ)器中，其核心單元是基于NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和位電容技術(shù)。Jack Peng在2003年12月23日公布的美國專利6，667，902中，描述了常規(guī)的OTP存儲(chǔ)器單元的結(jié)構(gòu)。電路的阻抗非常高，位電容器的電容值非常小。因而來自附近的雜散寄生電荷可能導(dǎo)致晶體管略微地開啟，檢測(cè)放大器報(bào)告一個(gè)錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)果。此前，已經(jīng)有許多種電路和方法，用清除脈沖以各種辦法清除在浮置節(jié)點(diǎn)上的雜散電荷。其中一些是采用添加專門的電路和更多的器件，這就增大了版面的面積和增大了存儲(chǔ)器的成本。另外的一些寬脈沖清除方法需要較高的功耗支持，在低功耗應(yīng)用場(chǎng)合(例如無源超高頻RFID標(biāo)簽)不可能采用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種低功耗、高密度的OTP存儲(chǔ)器，具有以較低功耗清除雜散電荷的性能。本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是，OTP存儲(chǔ)器，包括檢測(cè)放大器和至少4個(gè)存儲(chǔ)單元組成的陣列，每個(gè)存儲(chǔ)單元包括第一晶體管、第二晶體管和柵電容，在每個(gè)存儲(chǔ)單元中，第二晶體管的漏極通過開關(guān)管與第二位線連接，開關(guān)管的控制端連接到行控制線；每一行的存儲(chǔ)單元共用一條行控制線。進(jìn)一步的說，開關(guān)管為MOS管，漏極接第二位線，源極接第二晶體管的漏極，柵極為控制端。本發(fā)明只需要施加一個(gè)“清除脈沖”到位于列解碼器的輸出端的單一的分流裝置上，以便清除可能存儲(chǔ)在浮置節(jié)點(diǎn)上的雜散寄生電荷。還允許同時(shí)進(jìn)行位線、數(shù)據(jù)線和檢測(cè)線的零初始化。本發(fā)明運(yùn)行的功耗非常低，特別適用于超高頻RFID。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的示意圖。具有兩個(gè)晶體管，清除脈沖加在各自的WS線上，用以清除可能存儲(chǔ)在浮置節(jié)點(diǎn)上的雜散寄生電荷；圖2是實(shí)施例1的電路模塊示意圖。圖3是實(shí)施例1的原理示意圖。
具體實(shí)施方式
參見圖1。作為本發(fā)明的基礎(chǔ)技術(shù)，參見PCT/CN2010/001551。圖1和電壓表I表示由陣列102和核心單元組成的存儲(chǔ)器100。每一個(gè)核心單元基于兩個(gè)晶體管(N)和由電容C和柵極g組成的一個(gè)浮置節(jié)點(diǎn)。電壓表I
權(quán)利要求
1.0TP存儲(chǔ)器，包括檢測(cè)放大器和至少4個(gè)存儲(chǔ)單元組成的陣列，每個(gè)存儲(chǔ)單元包括第一晶體管[E1]、第二晶體管[E2]和柵電容，其特征在于，在每個(gè)存儲(chǔ)單元中，第二晶體管[E2]的漏極通過開關(guān)管與第二位線連接，開關(guān)管的控制端連接到行控制線；每一行的存儲(chǔ)單元共用一條行控制線。
2.如權(quán)利要求1所述的OTP存儲(chǔ)器，其特征在于，開關(guān)管為MOS管，漏極接第二位線，源極接第二晶體管的 漏極，柵極為控制端。
全文摘要
OTP存儲(chǔ)器，涉及集成電路。本發(fā)明包括檢測(cè)放大器和至少4個(gè)存儲(chǔ)單元組成的陣列，每個(gè)存儲(chǔ)單元包括第一晶體管、第二晶體管和柵電容，其特征在于，在每個(gè)存儲(chǔ)單元中，第二晶體管的漏極通過開關(guān)管與第二位線連接，開關(guān)管的控制端連接到行控制線；每一行的存儲(chǔ)單元共用一條行控制線。本發(fā)明運(yùn)行的功耗非常低，特別適用于超高頻RFID。
文檔編號(hào)G11C17/18GK103219046SQ20131011976
公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月8日
發(fā)明者彭澤忠, 方中岳, 張強(qiáng) 申請(qǐng)人:成都凱路威電子有限公司