半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法，所述方法包括以下步驟：讀取儲(chǔ)存在編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元中的編程/擦除操作的次數(shù)；基于讀取的編程/擦除操作的次數(shù)來設(shè)定編程電壓的脈沖寬度；以及利用具有設(shè)定的脈沖寬度的編程電壓來對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行編程操作。設(shè)定編程電壓的脈沖寬度的步驟包括：隨著編程/擦除操作的次數(shù)的增加來減小編程電壓的脈沖寬度。
【專利說明】半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)基于并要求2012年8月10日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2012-0087775的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法，更具體而言，涉及一種能夠改善數(shù)據(jù)可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法。
【背景技術(shù)】
[0004]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以包括利用諸如硅S1、鍺Ge、砷化鎵GaAs、磷化銦InP等半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)器件。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分成易失性存儲(chǔ)器件和非易失性存儲(chǔ)器件。
[0005]易失性存儲(chǔ)器件可以包括如果不供應(yīng)電源就會(huì)丟失儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件。易失性存儲(chǔ)器件可以包括靜態(tài)RAM SRAM、動(dòng)態(tài)RAM DRAM、同步DRAM SDRAM等。非易失性存儲(chǔ)器件可以包括即使不供應(yīng)電源也保留儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件。非易失性存儲(chǔ)器件可以包括只讀存儲(chǔ)器ROM、可編程ROM PR0M、電可編程ROM EPR0M、電可擦除可編程ROM EEPR0M、快閃存儲(chǔ)器、相變RAM PRAM、磁性RAM MRAM、阻變RAM RRAM、鐵電RAM FRAM等?？扉W存儲(chǔ)器件可以包括NOR型存儲(chǔ)器件和NAND型存儲(chǔ)器件。
[0006]具有更高數(shù)據(jù)可靠性的改善的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是有利的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]根據(jù)一些實(shí)施例，一種能夠改善數(shù)據(jù)可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法包括:基于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的編程/擦除操作的次數(shù)來執(zhí)行改變編程電壓的脈沖寬度的編程操作。
[0008]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，所述方法包括以下步驟:讀取儲(chǔ)存在編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元中的編程/擦除操作的次數(shù)；基于讀取的編程/擦除操作的次數(shù)來設(shè)定編程電壓的脈沖寬度；以及利用具有設(shè)定的脈沖寬度的編程電壓來對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行編程操作。設(shè)定編程電壓的脈沖寬度包括以下步驟:隨著編程/擦除操作的次數(shù)的增加來減小編程電壓的脈沖寬度。
[0009]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，所述方法包括以下步驟:讀取儲(chǔ)存在編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元中的編程/擦除操作的次數(shù)；基于編程/擦除操作的次數(shù)來設(shè)定施加編程電壓的時(shí)間；以及通過以設(shè)定的時(shí)間將編程電壓施加到選中的字線來對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行編程操作。設(shè)定施加編程電壓的時(shí)間包括以下步驟:隨著編程/擦除操作的次數(shù)的增加來減小施加編程電壓的時(shí)間。
[0010]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括:存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器單元與字線連接；編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元，所述編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元被配置成儲(chǔ)存存儲(chǔ)器單元的編程/擦除操作的次數(shù)；以及控制器，所述控制器被配置成:當(dāng)執(zhí)行編程操作時(shí)，基于編程/擦除操作的次數(shù)將編程電壓施加到字線。編程電壓的脈沖寬度隨著編程/擦除操作的次數(shù)的增加而減小。
[0011]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括:存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器單元與字線連接；編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元，所述編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元被配置成儲(chǔ)存存儲(chǔ)器單元的編程/擦除操作的次數(shù)；以及控制器，所述控制器被配置成:當(dāng)執(zhí)行編程操作時(shí)，基于編程/擦除操作的次數(shù)將編程電壓施加到字線。施加編程電壓的時(shí)間隨著編程/擦除操作的次數(shù)的增加而減小。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，通過利用脈沖寬度基于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件執(zhí)行編程/擦除操作的次數(shù)而改變的編程電壓執(zhí)行編程操作，可以改善儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的可靠性。
[0013]前述的總結(jié)僅是說明性的，并非意圖以任何方式進(jìn)行限制。除了說明性的方面、實(shí)施例以及上述特點(diǎn)以外，通過參照附圖和以下詳細(xì)描述，進(jìn)一步的方面、實(shí)施例以及特點(diǎn)將變得明顯。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]通過結(jié)合附圖考慮以下的詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和其它的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見。
[0015]圖1是根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖。
[0016]圖2是根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作方法的流程圖。
[0017]圖3是說明根據(jù)一些實(shí)施例的在圖2的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作方法期間施加的電壓的圖。
[0018]圖4是示意性地說明根據(jù)一些實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。
[0019]圖5是示意性地說明根據(jù)一些實(shí)施例的融合式存儲(chǔ)器件的框圖。
[0020]圖6是示意性地說明根據(jù)一些實(shí)施例的包括快閃存儲(chǔ)器件的計(jì)算系統(tǒng)的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]在下文中，將參照附圖更加詳細(xì)地解釋本發(fā)明的實(shí)施例。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的一些說明性的實(shí)施例描述了實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出的大量其它的變型和實(shí)施例將落入本公開原理的精神和范圍內(nèi)。
[0022]根據(jù)一些實(shí)施例，為了將數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)器單元中，執(zhí)行編程操作以增加存儲(chǔ)器單元的閾值電壓。如果在編程操作期間將高壓施加到控制柵，則可以通過場(chǎng)發(fā)射和/或福勒-諾德海姆(FN)隧穿來產(chǎn)生流動(dòng)到浮柵的電子。電子流動(dòng)可以增加存儲(chǔ)器單元的閾值電壓。
[0023]對(duì)存儲(chǔ)器單元重復(fù)施加編程/擦除操作的結(jié)果是，已經(jīng)流動(dòng)到浮柵的電子可以被捕獲在隧道氧化物層中等等。在一些實(shí)施例中，隨著編程/擦除操作的次數(shù)增加，存儲(chǔ)器單元的編程操作的速度也可以提高。
[0024]即使由于編程/擦除操作的次數(shù)的緣故使存儲(chǔ)器單元的編程操作速度提高，但是當(dāng)以相同的編程電壓來執(zhí)行編程操作時(shí)，可能存在數(shù)據(jù)可靠性的惡化。
[0025]圖1是根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖。
[0026]如圖1中所示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以包括存儲(chǔ)器陣列110、編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元120以及控制器130。
[0027]存儲(chǔ)器陣列110可以包括多個(gè)存儲(chǔ)塊。每個(gè)存儲(chǔ)塊可以包括與字線連接的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。數(shù)據(jù)可以儲(chǔ)存在每個(gè)存儲(chǔ)器單元中。
[0028]編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元120可以被配置成儲(chǔ)存對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行編程/擦除操作的次數(shù)。在一些實(shí)施例中，編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元120可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作所需的各種參數(shù)，和/或可以包括可儲(chǔ)存操作數(shù)據(jù)的標(biāo)志單元(flag cell)的操作所需的各種參數(shù)。
[0029]控制器130可以控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的各種操作?？刂破?30包括編程電壓控制器132和編程電壓供應(yīng)器134。編程電壓控制器132可以被配置成輸出第一控制信號(hào)，所述第一控制信號(hào)用于基于編程/擦除操作的次數(shù)來改變編程電壓的脈沖寬度和/或編程脈沖的長(zhǎng)度。編程電壓供應(yīng)器134可以被配置成供應(yīng)編程電壓，所述編程電壓的脈沖寬度基于從編程電壓控制器132輸出的第一控制信號(hào)來改變。
[0030]在一些實(shí)施例中，編程電壓控制器132可以輸出第一控制信號(hào)，使得編程電壓的脈沖寬度可以隨著編程/擦除操作的次數(shù)的增加而減小。
[0031]在一些實(shí)施例中，編程電壓控制器132可以被配置成輸出第二控制信號(hào)，所述第二控制信號(hào)用于基于編程/擦除操作的次數(shù)來調(diào)節(jié)施加編程電壓的持續(xù)時(shí)間。在一些實(shí)施例中，編程電壓供應(yīng)器134可以基于從編程電壓控制器132輸出的第二控制信號(hào)來調(diào)節(jié)施加編程電壓的持續(xù)時(shí)間。
[0032]在一些實(shí)施例中，編程電壓控制器132可以輸出第二控制信號(hào)，使得施加編程電壓的持續(xù)時(shí)間的長(zhǎng)度可以隨著編程/擦除操作的次數(shù)的增加而減小。
[0033]編程電壓控制器132可以讀取與儲(chǔ)存在編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元120中的編程/擦除操作的次數(shù)相關(guān)的信息。在執(zhí)行擦除操作之前，編程電壓控制器132可以額外地儲(chǔ)存編程/擦除操作的次數(shù)的臨時(shí)副本。在一些實(shí)施例中，擦除操作可以是塊擦除操作。在一些實(shí)施例中，擦除操作可以擦除標(biāo)志單元。在一些實(shí)施例中，可以儲(chǔ)存副本以防止編程/擦除操作的次數(shù)被擦除操作擦除。在一些實(shí)施例中，可以對(duì)存儲(chǔ)器單元和/或編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元120中的標(biāo)志單元執(zhí)行讀取操作。
[0034]在一些實(shí)施例中，當(dāng)完成了用于選中的存儲(chǔ)塊的所有頁的編程操作和/或完成了對(duì)選中的存儲(chǔ)塊的擦除操作時(shí)，編程電壓控制器132可以將編程/擦除操作的次數(shù)的臨時(shí)副本增加“1”，并且將結(jié)果儲(chǔ)存在編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元120中。在一些實(shí)施例中，在完成了用于選中的存儲(chǔ)塊的所有頁的編程操作之后，編程電壓控制器132可以將用于選中的存儲(chǔ)塊的編程/擦除操作的次數(shù)增加“ I ”。在一些實(shí)施例中，在完成了用于選中的存儲(chǔ)塊的擦除操作之后，編程電壓控制器132可以將用于選中的存儲(chǔ)塊的編程/擦除操作的次數(shù)增加“I”。在一些實(shí)施例中，可以對(duì)編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元120的標(biāo)志單元執(zhí)行編程操作。
[0035]圖2是根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作方法的流程圖。
[0036]如圖2中所示，在步驟210中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以從主機(jī)接收編程命令。在步驟220中，控制器可以讀取儲(chǔ)存在編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元120中的編程/擦除操作的次數(shù)。在一些實(shí)施例中，編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元120可以包括標(biāo)志單元，使得編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元120可以從標(biāo)志單元中讀取編程/擦除操作的次數(shù)。在一些實(shí)施例中，可以通過對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行讀取操作來讀取編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元120。[0037]在步驟230中，可以基于編程/擦除操作的次數(shù)來設(shè)定編程電壓。
[0038]根據(jù)某些實(shí)施例，可以在編程/擦除操作的次數(shù)少時(shí)在初始操作將編程電壓的脈沖寬度設(shè)定成寬的值，并且可以隨著編程/擦除操作的次數(shù)的增加將編程電壓的脈沖寬度設(shè)定成更窄的值。在一些實(shí)施例中，當(dāng)編程/擦除操作的次數(shù)超過復(fù)位參考值Ref (η)中的若干閾值之一時(shí)，可以將脈沖寬度設(shè)定成更窄的值。
[0039]在一些實(shí)施例中，復(fù)位參考值可以包括如下若干閾值:
[0040]Ref (η) = {1, 100，500，1000，…}，
[0041]Ref (η) = {I, IK, 5Κ, 10Κ, 15Κ, 20Κ,…}，
[0042]Ref (η) = {I, IK, 10Κ, 20Κ, 30Κ,...}，或
[0043]Ref (η) = {1, IK, 10Κ, 100Κ, 1000Κ,…}。
[0044]在一些實(shí)施例中，復(fù)位參考值可以由設(shè)計(jì)者根據(jù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的特性來改變。在一些實(shí)施例中，復(fù)位參考值可以被設(shè)定成使得每當(dāng)超過復(fù)位參考值的若干閾值中的每個(gè)時(shí)就可將編程電壓的脈沖寬度變窄。
[0045]根據(jù)一些實(shí)施例，可以在執(zhí)行任何編程/擦除循環(huán)之前將編程電壓的脈沖寬度初始地設(shè)定成Vw(O)。當(dāng)編程/擦除操作的次數(shù)達(dá)到所述若干閾值之中的下一復(fù)位參考值時(shí)，可以將編程電壓的脈沖寬度變窄。
[0046]在一些實(shí)例中。可以將脈沖寬度初始地設(shè)定成Vw(O)。
[0047]在一些實(shí)例中，當(dāng)編程/擦除操作的次數(shù)達(dá)到Ref(I)時(shí)，將脈沖寬度設(shè)定成Vw(I), Vw ⑴比 Vw (O)窄。
[0048]在一些實(shí)例中，當(dāng)編程/擦除操作的次數(shù)達(dá)到Ref(N)時(shí)，將脈沖寬度設(shè)定成Vw (N)，Vw (N)比 Vw (N-1)窄。
[0049]在步驟240中，可以將編程電壓施加到選中的字線以執(zhí)行編程操作。在一些實(shí)施例中，可以經(jīng)由編程電壓供應(yīng)器134將編程電壓施加到與存儲(chǔ)器陣列110中的存儲(chǔ)器單元連接的選中的字線。
[0050]在步驟250中，可以在驗(yàn)證操作期間判斷存儲(chǔ)器單元的閾值電壓是否等于或大于驗(yàn)證電壓。當(dāng)存儲(chǔ)器單元的閾值電壓比驗(yàn)證電壓低時(shí)，可以在步驟270中將編程電壓的脈沖高度增加一值Vstep，然后可以重復(fù)編程操作240。
[0051]當(dāng)所有的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓都等于或大于驗(yàn)證電壓時(shí)，在步驟260中更新編程/擦除操作的次數(shù)。在一些實(shí)施例中，可以通過將編程/擦除操作的次數(shù)增加“I”而將編程/擦除操作的次數(shù)重新儲(chǔ)存在編程/擦除操作次數(shù)儲(chǔ)存單元120的標(biāo)志單元中。
[0052]在一些實(shí)施例中，可以基于編程/擦除操作的次數(shù)的增加而減小編程電壓的脈沖寬度。在一些實(shí)施例中，可以基于編程/擦除操作的次數(shù)的增加而減少施加編程操作的時(shí)間。
[0053]圖3是說明根據(jù)一些實(shí)施例的在圖2的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作方法期間施加的電壓的圖。
[0054]如圖3中所示，當(dāng)編程/擦除操作的次數(shù)小于Ref (I)時(shí)，可以利用脈沖寬度A來執(zhí)行編程操作。
[0055]當(dāng)編程/擦除操作的次數(shù)達(dá)到Ref (I)時(shí)，可以將脈沖寬度設(shè)定成脈沖寬度B。在編程/擦除操作的次數(shù)達(dá)到Ref (2)之前，可以利用比脈沖寬度A更窄的脈沖寬度B來執(zhí)行編程操作。
[0056]當(dāng)編程/擦除操作的次數(shù)達(dá)到Ref (2)時(shí)，可以將脈沖寬度設(shè)定成脈沖寬度C。在編程/擦除操作的次數(shù)達(dá)到Ref (3)之前，可以利用比脈沖寬度B更窄的脈沖寬度C來執(zhí)行編程操作。
[0057]根據(jù)一些實(shí)施例，可以利用基于編程/擦除操作的次數(shù)的增加而減小的編程電壓的脈沖寬度來執(zhí)行編程操作。
[0058]根據(jù)一些實(shí)施例，即使編程/擦除循環(huán)的次數(shù)可能增加，也可以改善數(shù)據(jù)可靠性。
[0059]圖4是示意性地說明根據(jù)一些實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。
[0060]如圖4所示，存儲(chǔ)系統(tǒng)600可以包括非易失性存儲(chǔ)器件620和存儲(chǔ)器控制器610。
[0061]非易失性存儲(chǔ)器件620可以包括圖1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。存儲(chǔ)器控制器610可以被配置成控制非易失性存儲(chǔ)器件620?？梢酝ㄟ^非易失性存儲(chǔ)器件620和存儲(chǔ)器控制器610的結(jié)合來提供存儲(chǔ)卡或半導(dǎo)體盤器件(固態(tài)盤:SSD)。靜態(tài)RAM (SRAM) 611可以用作處理單元(CPU)612的操作存儲(chǔ)器。主機(jī)接口 613可以利用數(shù)據(jù)交換協(xié)議與主機(jī)通信，主機(jī)與存儲(chǔ)系統(tǒng)600連接。糾錯(cuò)塊614可以檢測(cè)并校正從非易失性存儲(chǔ)器件620讀取的數(shù)據(jù)中包括的錯(cuò)誤。存儲(chǔ)器接口 615可以將存儲(chǔ)器控制器610與非易失性存儲(chǔ)器件620接口。處理單元612可以執(zhí)行用于存儲(chǔ)器控制器610所進(jìn)行的數(shù)據(jù)交換的控制操作。
[0062]盡管未在圖4中示出，但是可以使用ROM來儲(chǔ)存通過處理單元612運(yùn)行時(shí)的執(zhí)行碼，并且ROM可以使處理單元612執(zhí)行存儲(chǔ)器控制器610的控制操作。非易失性存儲(chǔ)器件620可以是包括多個(gè)快閃存儲(chǔ)芯片的多芯片封裝。存儲(chǔ)系統(tǒng)600可以被提供作為具有高可靠性和低錯(cuò)誤發(fā)生可能性的存儲(chǔ)媒介的一部分。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)系統(tǒng)600可以被包括在諸如SSD的存儲(chǔ)系統(tǒng)中。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器610可以被配置成利用諸如USB、MMC、PC1-E、SATA、PATA, SCS1、ESDI和/或IDE等中的一種或更多種接口協(xié)議來與外部設(shè)備(例如，主機(jī))通信。
[0063]圖5是示意性地說明根據(jù)一些實(shí)施例的融合式(fusion)存儲(chǔ)器件的框圖。在一些實(shí)施例中，圖1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以應(yīng)用于一體式NAND (One NAND)快閃存儲(chǔ)器件700作為融合式存儲(chǔ)器件。
[0064]One NAND快閃存儲(chǔ)器件700可以包括:主機(jī)接口 710，所述主機(jī)接口 710用于與主機(jī)交換各種信息；緩沖器RAM720，所述緩沖器RAM720包括用于操作存儲(chǔ)器件700或暫時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的執(zhí)行碼；控制器730，所述控制器730用于響應(yīng)于從主機(jī)接收的控制信號(hào)和命令來控制存儲(chǔ)器件700的讀取、編程、擦除以及全部其它的狀態(tài)；寄存器740，所述寄存器740用于儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器件700內(nèi)部限定系統(tǒng)操作環(huán)境的命令、地址、數(shù)據(jù)以及配置信息；以及NAND快閃單元陣列750。在一些實(shí)施例中，One NAND快閃存儲(chǔ)器件可以利用圖2的方法響應(yīng)于來自主機(jī)的寫入請(qǐng)求而將數(shù)據(jù)編程。
[0065]圖6是示意性地說明根據(jù)一些實(shí)施例的包括快閃存儲(chǔ)器件812的計(jì)算系統(tǒng)800的框圖。
[0066]計(jì)算系統(tǒng)800可以包括與系統(tǒng)總線860電連接的微處理器820、RAM830、用戶接口840、諸如基帶芯片組的調(diào)制解調(diào)器850、以及存儲(chǔ)系統(tǒng)810。在一些實(shí)施例中，計(jì)算系統(tǒng)800可以是移動(dòng)設(shè)備，并且可以額外地提供用于供應(yīng)計(jì)算系統(tǒng)800的操作電壓的電池(未示出)。盡管未在圖6中示出，但是計(jì)算系統(tǒng)800還可以包括應(yīng)用芯片組、照相機(jī)圖像處理器(CIS)和/或移動(dòng)DRAM等。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)系統(tǒng)810可以包括利用非易失性存儲(chǔ)器來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的SSD。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)系統(tǒng)810可以是融合式快閃存儲(chǔ)器(例如，圖5的OneNAND快閃存儲(chǔ)器)。
[0067]另外，一些實(shí)施例可以包括非瞬態(tài)的、有形機(jī)器可讀的媒介，所述媒介包括通過一個(gè)或更多個(gè)處理器運(yùn)行時(shí)的執(zhí)行碼，可以使一個(gè)或更多個(gè)處理器執(zhí)行本文描述的方法步驟。機(jī)器可讀媒介的一些常見形式包括例如軟盤、硬盤、磁帶、任何其它的磁性媒介、CD - ROM、任何其它的光學(xué)媒介、穿孔卡、紙帶、任何其它的具有孔圖案的物理媒介、RAM、PROM、EPROM、FLASH-EPR0M、任何其它的存儲(chǔ)器芯片或盒式存儲(chǔ)器、和/或任何其它的適于處理器或計(jì)算機(jī)讀取的媒介。
[0068]盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的一些說明性的實(shí)施例描述了實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出的大量其它的變型和實(shí)施例將落入本公開原理的精神和范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，所述方法包括以下步驟: 讀取儲(chǔ)存在編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元中的編程/擦除操作的次數(shù)； 基于讀取的編程/擦除操作的次數(shù)來設(shè)定編程電壓的脈沖寬度；以及 利用具有設(shè)定的脈沖寬度的編程電壓來對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行編程操作； 其中，設(shè)定所述編程電壓的脈沖寬度的步驟包括:隨著所述編程/擦除操作的次數(shù)的增加來減小所述編程電壓的脈沖寬度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，設(shè)定所述編程電壓的脈沖寬度的步驟包括以下步驟: 當(dāng)所述編程/擦除操作的次數(shù)在第一范圍時(shí)，將所述脈沖寬度設(shè)定成第一寬度；以及當(dāng)所述編程/擦除操作的次數(shù)在第二范圍時(shí)，將所述脈沖寬度設(shè)定成比所述第一寬度更窄的第二寬度； 其中，所述第一范圍的上界比所述第二范圍的下界小。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟: 在執(zhí)行所述編程操作之后，更新所述編程/擦除操作的次數(shù)；以及 將更新的編程/擦除操作的次數(shù)儲(chǔ)存在所述編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元中。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元包括標(biāo)志單元。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，還包括以下步驟: 當(dāng)所述編程/擦除操作的次數(shù)儲(chǔ)存在所述標(biāo)志單元中時(shí)，讀取儲(chǔ)存在所述標(biāo)志單元中的所述編程/擦除操作的次數(shù)，并且在對(duì)包括所述標(biāo)志單元的存儲(chǔ)塊執(zhí)行擦除操作之前暫時(shí)儲(chǔ)存讀取的所述編程/擦除操作的次數(shù)。
6.一種操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，所述方法包括以下步驟: 讀取儲(chǔ)存在編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元中的編程/擦除操作的次數(shù)； 基于所述編程/擦除操作的次數(shù)來設(shè)定施加編程電壓的時(shí)間；以及通過以設(shè)定的時(shí)間將所述編程電壓施加到選中的字線來對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行編程操作，其中，設(shè)定施加所述編程電壓的時(shí)間的步驟包括:隨著所述編程/擦除操作的次數(shù)的增加來減少施加所述編程電壓的時(shí)間。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，設(shè)定施加所述編程電壓的時(shí)間的步驟包括以下步驟: 當(dāng)所述編程/擦除操作的次數(shù)在第一范圍時(shí)，將施加所述編程電壓的時(shí)間設(shè)定成第一長(zhǎng)度；以及 當(dāng)所述編程/擦除操作的次數(shù)在第二范圍時(shí)，將施加所述編程電壓的時(shí)間設(shè)定成比所述第一長(zhǎng)度更短的第二長(zhǎng)度； 其中，所述第一范圍的上界比所述第二范圍的下界小。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括以下步驟: 在執(zhí)行所述編程操作之后，更新所述編程/擦除操作的次數(shù)；以及 將更新的編程/擦除操作的次數(shù)儲(chǔ)存在所述編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元中。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元包括標(biāo)志單元。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括以下步驟: 當(dāng)所述編程/擦除操作的次數(shù)儲(chǔ)存在所述標(biāo)志單元中時(shí)，讀取儲(chǔ)存在所述標(biāo)志單元中的所述編程/擦除操作的次數(shù)，并且在對(duì)包括所述標(biāo)志單元的存儲(chǔ)塊執(zhí)行擦除操作之前暫時(shí)儲(chǔ)存讀取的所述編程/擦除操作的次數(shù)。
11.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括: 存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器單元與字線連接； 編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元，所述編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元被配置成儲(chǔ)存所述存儲(chǔ)器單元的編程/擦除操作的次數(shù)；以及 控制器，所述控制器被配置成:當(dāng)執(zhí)行編程操作時(shí)，基于所述編程/擦除操作的次數(shù)將編程電壓施加到所述字線； 其中，所述編程電壓的脈沖寬度隨著所述編程/擦除操作的次數(shù)的增加而減小。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中: 當(dāng)所述編程/擦除操作的次數(shù)在第一范圍時(shí)，所述脈沖寬度設(shè)定成第一寬度； 當(dāng)所述編程/擦除操作的次數(shù)在第二范圍時(shí)，所述脈沖寬度設(shè)定成比所述第一寬度更窄的第二寬度；以及 所述第一范圍的上。界比所述第二范圍的下界小。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述控制器還被配置成:在所述編程操作完成之后，更新所述編程/擦除操作的次數(shù)，并且將更新的編程/擦除操作的次數(shù)儲(chǔ)存在所述編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元中。
14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元包括標(biāo)志單元。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述控制器還被配置成:當(dāng)所述編程/擦除操作的次數(shù)儲(chǔ)存在所述標(biāo)志單元時(shí)，讀取儲(chǔ)存在所述標(biāo)志單元中的所述編程/擦除操作的次數(shù)，并且在對(duì)包括所述標(biāo)志單元的存儲(chǔ)塊執(zhí)行擦除操作之前暫時(shí)儲(chǔ)存讀取的所述編程/擦除操作的次數(shù)。
16.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括: 存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器單元與字線連接； 編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元，所述編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元被配置成儲(chǔ)存所述存儲(chǔ)器單元的編程/擦除操作的次數(shù)；以及 控制器，所述控制器被配置成:當(dāng)執(zhí)行編程操作時(shí)，基于所述編程/擦除操作的次數(shù)將編程電壓供應(yīng)到所述字線； 其中，供應(yīng)所述編程電壓的時(shí)間隨著所述編程/擦除操作的次數(shù)的增加而減小。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中: 當(dāng)所述編程/擦除操作的次數(shù)在第一范圍時(shí)，施加所述編程電壓的時(shí)間設(shè)定成第一長(zhǎng)度； 當(dāng)所述編程/擦除操作的次數(shù)在第二范圍時(shí)，施加所述編程電壓的時(shí)間設(shè)定成比所述第一長(zhǎng)度更短的第二長(zhǎng)度；以及 所述第一范圍的上界比所述第二范圍的下界小。
18.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述控制器還被配置成:在所述編程操作完成之后，更新所述編程/擦除操作的次數(shù)，并且將更新的編程/擦除操作的次數(shù)儲(chǔ)存在所述編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元中。
19.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述編程/擦除次數(shù)儲(chǔ)存單元包括標(biāo)志單元。
20.如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述控制器還被配置成:當(dāng)所述編程/擦除操作的次數(shù)儲(chǔ)存在所述標(biāo)志單元中時(shí)，讀取儲(chǔ)存在所述標(biāo)志單元中的所述編程/擦除操作的次數(shù)，并且在對(duì)包括所述標(biāo)志單元的存儲(chǔ)塊執(zhí)行擦除操作之前暫時(shí)儲(chǔ)存讀取的所述編程/擦除操作的次數(shù)。`
【文檔編號(hào)】G11C16/06GK103578540SQ201310043468
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年2月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月10日
【發(fā)明者】林鍾淳 申請(qǐng)人:愛思開海力士有限公司