專利名稱：電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子設(shè)備，特別涉及電子設(shè)備的冷卻技術(shù)，所述電子設(shè)備具有用于收容基板的殼體，所述基板上配置有作為發(fā)熱體的電子器件。
背景技術(shù)：
容納動(dòng)態(tài)圖像、靜止圖像的圖像數(shù)據(jù)用的存儲(chǔ)裝置(例如，HDD錄像機(jī)，HarddiskRecorder)、容納計(jì)算機(jī)(例如，個(gè)人計(jì)算機(jī))所使用的數(shù)據(jù)用的存儲(chǔ)裝置(例如，NAS(NetworkAttached Storage,網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器))正在得到廣泛的利用。作為與這些存儲(chǔ)裝置的冷卻結(jié)構(gòu)相關(guān)的技術(shù)，專利文獻(xiàn)I公開了ー種技術(shù)，這種技術(shù)是在把控制電路和磁盤驅(qū)動(dòng)器安裝于同一基板的情況下，在控制電路和磁盤驅(qū)動(dòng)器之間設(shè)置空氣導(dǎo)引板。專利文獻(xiàn)1:日本特開平9-274791號(hào)公報(bào)根據(jù)該技術(shù)，能夠抑制來自發(fā)熱量多的控制電路的熱傳給磁盤驅(qū)動(dòng)器。

實(shí)用新型內(nèi)容
_5] 實(shí)用新型要解決的問題然而，為了使存儲(chǔ)裝置進(jìn)ー步小型化，實(shí)現(xiàn)靜音性并降低消耗功率，需要更有效地對(duì)存儲(chǔ)裝置進(jìn)行冷卻的技術(shù)。例如，在上述技術(shù)中如果使存儲(chǔ)裝置小型化，則容易使熱滯留在殼體內(nèi)部，因此，存在著為了對(duì)存儲(chǔ)裝置進(jìn)行冷卻而不得不依賴于冷卻風(fēng)扇等冷卻裝置的可能性。這樣的課題，并不僅僅限于存儲(chǔ)裝置，而是具有作為發(fā)熱體的電子器件的電子設(shè)備的共同課題。本實(shí)用新型的主要優(yōu)點(diǎn)是，在具有作為發(fā)熱體的電子器件的電子設(shè)備的冷卻技術(shù)領(lǐng)域中，提供一種能夠抑制對(duì)冷卻裝置的依賴的冷卻技木。用于解決問題的方案本實(shí)用新型是為了解決上述課題中的至少一部分課題而作出的，其能作為以下的適用例而實(shí)現(xiàn)。(適用例I)—種電子設(shè)備，其具有:第I電子器件，該第I電子器件是所述電子設(shè)備的主要發(fā)熱體；基板，該基板具有上表面、下表面、和從所述上表面貫通到所述下表面的槽，所述第I電子器件被配置于所述上表面，自所述第I電子器件看去，所述槽被配置在沿所述上表面的第I方向；和殼體，該殼體具有形成于該殼體內(nèi)部用于配置所述基板的收容空間、用于將所述收容空間和外部連通的第I通氣ロ、和用于將所述收容空間和外部連通的第2通氣ロ，所述第I通氣ロ被配置得比在所述收容空間中配置的所述基板靠下方，所述第2通氣ロ被配置得比在所述收容空間中配置的所述基板靠上方，且自所述第I電子器件看去，所述第2通氣ロ被配置在第2方向，所述第2方向是與配置了所述槽的所述第I方向不同的方向。[0015]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由作為主要發(fā)熱體的第I電子器件發(fā)出的熱使第I電子器件附近的空氣變熱，從而產(chǎn)生第I電子器件附近的空氣上升的對(duì)流。由該對(duì)流把收容空間內(nèi)變熱的空氣從配置得比基板靠上方的第2通氣ロ排出到外部。在此，由于基板上設(shè)有槽，所以，與變熱的空氣被從第2通氣ロ排出到外部相應(yīng)地，空氣從比基板靠下方的空間經(jīng)過槽被導(dǎo)入到比基板靠上方的空間中。于是，外部的涼空氣被從配置得比基板靠下方的第I通氣ロ導(dǎo)入到收容空間內(nèi)。在此，自第I電子器件看去，槽被配置在第I方向，第2通氣ロ被配置在不同于第I方向的第2方向。結(jié)果，可以確保經(jīng)過槽被導(dǎo)入到基板的上表面?zhèn)鹊目諝猓?jīng)過第I電子器件附近而從第2通氣ロ被排出的流路。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)從第I通氣ロ被導(dǎo)入，經(jīng)過槽和第I電子器件附近，從第2通氣ロ被排出這樣的適宜于第I電子器件的冷卻的對(duì)流。結(jié)果，能夠利用對(duì)流高效地對(duì)第I電子器件進(jìn)行冷卻。結(jié)果，不使用冷卻風(fēng)扇等冷卻裝置，就能使電子設(shè)備小型化，或者，既抑制了冷卻裝置的消耗功率，又能使電子設(shè)備小型化。(適用例2)如適用例I中記載的電子設(shè)備,其中，所述第2方向是所述第I方向的相反方向。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使經(jīng)過槽被導(dǎo)入到基板的上表面?zhèn)鹊目諝饨?jīng)過第I電子器件附近而從第2通氣ロ排出這一流路成為直線型的流路，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)更加順暢的對(duì)流，從而高效地對(duì)第I電子器件進(jìn)行冷卻。(適用例3)如適用例I或適用例2中記載的電子設(shè)備，還具有第2電子器件，該第2電子器件被配置于所述基板的上表面，該第2電子器件的工作保障溫度比所述第I電子器件的工作保障溫度低，自所述槽看去，所述第2電子器件被配置于所述第I方向。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于第2電子器件槽看去位于第I電子器件的相反方向上，所以能夠由從槽向第I電子器件的方向流動(dòng)的對(duì)流抑制從第I電子器件發(fā)生的熱傳向第2電子器件。結(jié)果，能夠降低工作保障溫度比第I電子器件低的第2電子器件因熱而發(fā)生不良狀況的可能性。(適用例4)如適用例3中記載的電子設(shè)備，其中，所述殼體還具有第3通氣ロ，該第3通氣ロ用于將所述收容空間和外部連通，所述第3通氣ロ被配置得比所述基板靠上方，且自所述槽看去，所述第3通氣ロ被配置得比所述第2電子器件靠所述第I方向。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由第2電子器件發(fā)出的熱使第2電子器件附近的空氣變熱，從而產(chǎn)生第2電子器件附近的空氣上升的對(duì)流。結(jié)果，根據(jù)與由上述第I電子器件產(chǎn)生的熱而生成的對(duì)流同樣的原理，可以實(shí)現(xiàn)從第I通氣ロ導(dǎo)入，經(jīng)過槽和第2電子器件附近，從第3通氣ロ排出這樣的適宜于第2電子器件的冷卻的對(duì)流。結(jié)果，與第I電子器件的冷卻同時(shí)地，第2電子器件也能利用對(duì)流高效地進(jìn)行冷卻。(適用例5)如適用例4中記載的電子設(shè)備，其中，所述第I電子器件的發(fā)熱量比所述第2電子器件的發(fā)熱量多，所述槽同所述第I電子器件之間的距離比所述槽同所述第2電子器件之間的距離長(zhǎng)。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使比基板靠上方的空間中從第I電子器件到槽間的空間比第2電子器件到槽間的空間大。結(jié)果，從第I電子器件到槽間的空間中，能夠增加利用自發(fā)熱量多的第I電子器件的熱產(chǎn)生的對(duì)流的流量。因此，能夠高效地對(duì)發(fā)熱量多的第I電子器件進(jìn)行冷卻，并且能夠使電子設(shè)備整體中的對(duì)流的流量増加，高效地對(duì)電子設(shè)備進(jìn)行冷卻。(適用例6)如適用例3至適用例5中任意一項(xiàng)中記載的電子設(shè)備，其中，所述基板在表面或內(nèi)部具有I層以上的導(dǎo)電層，在所述I層以上的導(dǎo)電層中的至少I層中的、從所述槽到所述第2電子器件的區(qū)域中沒有配置導(dǎo)電材料。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于至少I層的導(dǎo)電層的位于從槽到第2電子器件的區(qū)域中的部分，沒有配置導(dǎo)電材料，所以能夠抑制第I電子器件產(chǎn)生的熱經(jīng)由導(dǎo)電材料傳向隔著槽位于相反側(cè)的第2電子器件。結(jié)果，能夠降低第2電子器件因熱而發(fā)生不良狀況的可能性。(適用例7)如適用例I至適用例6中任意一項(xiàng)中記載的電子設(shè)備，還具有散熱器，該散熱器具有位于所述第I電子器件的上表面的上表面對(duì)應(yīng)部，和從所述上表面對(duì)應(yīng)部比所述第I電子器件朝向所述第2通氣ロ側(cè)延伸了的延伸部。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，由于利用散熱器使來自第I電子器件的熱經(jīng)由散熱器傳向第2通氣ロ側(cè)，所以能夠把熱高效地從第2通氣ロ排出。(適用例8)如適用例I至適用例7中任意一項(xiàng)中記載的電子設(shè)備，其中，所述槽的槽寬方向的寬度為2mm以上且IOmm以下。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠確保經(jīng)過槽的空氣的流量和流速。結(jié)果，能夠利用對(duì)流高效地進(jìn)行冷卻。(適用例9)如適用例3至適用例8中任意一項(xiàng)中記載的電子設(shè)備，其中，所述槽的與所述第I方向交叉方向的長(zhǎng)度，為所述第2電子器件的與所述第I方向交叉方向的長(zhǎng)度的二分之一以上。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠由經(jīng)過槽的空氣流充分抑制來自第I電子器件的熱傳向第2電子器件。

圖1是作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備一存儲(chǔ)裝置1000的分解立體圖。圖2是從底面?zhèn)?Z軸的負(fù)方向側(cè))觀察存儲(chǔ)裝置1000時(shí)所看到的圖。圖3是從側(cè)面?zhèn)?X軸的負(fù)方向側(cè))觀察存儲(chǔ)裝置1000時(shí)所看到的圖。圖4是用于說明基板200的結(jié)構(gòu)的圖。圖5是把存儲(chǔ)裝置1000以過主控制電路210而與進(jìn)深方向(Y軸方向)垂直的面剖開后所得到的剖視圖。圖6是用于從殼體容積和消耗功率的關(guān)系判定是否需要強(qiáng)制冷卻的曲線圖。圖7是對(duì)變形例進(jìn)行說明的第I圖。 圖8是對(duì)變形例進(jìn)行說明的第2圖。
具體實(shí)施方式
下面，參照附圖，基于實(shí)施例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式。A.實(shí)施例:A-1:存儲(chǔ)裝置1000的結(jié)構(gòu):[0055]圖1是作為本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備一存儲(chǔ)裝置1000的分解立體圖。圖2是從底面?zhèn)?Z軸的負(fù)方向側(cè))觀察存儲(chǔ)裝置1000時(shí)所看到的圖。圖3是從側(cè)面?zhèn)?X軸的負(fù)方向側(cè))觀察存儲(chǔ)裝置1000時(shí)所看到的圖。如下文所述，設(shè)想存儲(chǔ)裝置1000是以圖1中Z軸的正方向?yàn)槌系姆较?以Z軸的負(fù)方向?yàn)槌碌姆较?設(shè)置的。因此，在存儲(chǔ)裝置1000如設(shè)想那樣設(shè)置的狀態(tài)下，圖1中的X軸及Y軸與水平方向平行，Z軸方向與鉛垂方向平行。以下，Z軸的正方向也稱為上方，Z軸的負(fù)方向也稱為下方。此外，Y軸的正方向也稱為前方，Y軸的負(fù)方向也稱為后方，X軸的正方向也稱為左側(cè)方，X軸的負(fù)方向也稱為右側(cè)方。此外，朝向Z軸的正方向的面也稱為上表面，朝向Z軸的負(fù)方向的面也稱為下表面。此夕卜，朝向Y軸的正方向的面也稱為前表面，朝向Y軸的負(fù)方向的面也稱為后表面，朝向X軸的正方向的面也稱為左側(cè)面，朝向X軸的負(fù)方向的面也稱為右側(cè)面。存儲(chǔ)裝置1000具有包括上構(gòu)件IOOa和下構(gòu)件IOOb的殼體100、收容于殼體100內(nèi)部的基板200和配置于基板200上的多個(gè)電子器件(圖1)。A-2:殼體100的結(jié)構(gòu)殼體100 (上構(gòu)件IOOa和下構(gòu)件100b)由例如ABS樹脂(丙烯腈_ 丁ニ烯-苯こ烯共聚樹脂)形成。殼體100也可以由其它材料形成，具體而言，可以由聚碳酸酯、聚苯こ烯等其它熱塑性樹脂、鐵等金屬形成。下構(gòu)件IOOb (圖1)的上表面的4個(gè)角上形成有4個(gè)第I凸臺(tái)BI B4。上構(gòu)件IOOa的下表面上的與下構(gòu)件IOOb的4個(gè)第I凸臺(tái)BI B4相對(duì)應(yīng)的位置上形成有凸臺(tái)(省略圖示)。此外，下構(gòu)件IOOb的上表面的規(guī)定位置上形成有4個(gè)第2凸臺(tái)B5 B8。這些凸臺(tái)BI B8分別設(shè)有螺孔。基板200用螺釘固定在第2凸臺(tái)B5 B8上。另外，由該螺釘，把后述的硬盤驅(qū)動(dòng)器220固定在基板200的規(guī)定位置上。在基板200被固定在下構(gòu)件IOOb上(第I凸臺(tái)B3、B4、第2凸臺(tái)B5 B8上)的狀態(tài)下，把下構(gòu)件IOOb和上構(gòu)件IOOa重疊起來，在上述4個(gè)第I凸臺(tái)BI B4的位置處用螺釘把下構(gòu)件IOOb和上構(gòu)件IOOa固定起來。如圖2 圖3所示，如此組裝后的殼體100具有大致為長(zhǎng)方體的外形，該長(zhǎng)方體具有上壁110、下壁120、左側(cè)壁130、前壁140、右側(cè)壁150和后壁160。組裝后的殼體100中的上構(gòu)件IOOa和下構(gòu)件IOOb的結(jié)合部幾乎沒有縫隙，沒有供存儲(chǔ)裝置1000冷卻用空氣流經(jīng)過的充分的縫隙。在此，所說的結(jié)合部具體包括前壁140的下端部與下壁120的前端部相結(jié)合的結(jié)合部、右側(cè)壁150的下部分的結(jié)合部、左側(cè)壁130的下部分的結(jié)合部、后壁160的高度方向中央部的結(jié)合部。殼體100的下壁120下表面的4個(gè)角設(shè)有圓筒型的腿部170。殼體100的外形尺寸為，寬(沿X軸方向的長(zhǎng)度)230mm (毫米)X高(沿Z軸方向的長(zhǎng)度)35mmX進(jìn)深(沿Y軸方向的長(zhǎng)度)150mm (除去高度大約5mm的腿部170。)。殼體100的體積(容積)為大約1.2L(升)。殼體100的內(nèi)部形成有由該6個(gè)壁110 160劃分出的收容空間SS。如圖2、圖3所示，在下壁120上的進(jìn)深方向(Y軸方向)的中央部，形成有跨越寬度方向(X軸方向)全長(zhǎng)的底升高部122。底升高部122的下表面形成為:比下壁120的下表面的其它部分高出些許(本實(shí)施例中為大約5mm)，與腿部170的下表面相比高出大約10mm。底升高部122的沿進(jìn)深方向(Y軸方向)的長(zhǎng)度，大致為殼體100沿Y軸方向的全長(zhǎng)的大約40%左右(本實(shí)施例中為大約60mm)。在該底升高部122的幾乎整個(gè)區(qū)域上，形成有多個(gè)第I通氣ロ 121，該多個(gè)第I通氣ロ 121是用于把殼體100的外部和收容空間SS連通的通孔。每個(gè)第I通氣ロ 121是在進(jìn)深方向(Y軸方向)延伸的長(zhǎng)孔，在本實(shí)施例中，每個(gè)第I通氣ロ 121是沿X軸方向的長(zhǎng)度大約2.5_、沿Y軸方向的長(zhǎng)度大約20_的長(zhǎng)孔。多個(gè)第I通氣ロ 121在X軸方向隔開規(guī)定間隔(本實(shí)施例中為大約2mm)并排配置，形成了在X軸方向延伸的列。該第I通氣ロ 121的列在底升高部122的Y軸方向兩端部及中央部各配置有一列，總共配置有3列。該第I通氣ロ 121的形狀和數(shù)量不限于此，理想的是像本實(shí)施例的第I通氣ロ 121那樣，具有供存儲(chǔ)裝置1000冷卻用空氣流經(jīng)過的充分的大小及數(shù)量。如圖3 (a)所示，在右側(cè)壁150上的上側(cè)的大約一半的區(qū)域中，形成有多個(gè)第2通氣ロ 151，該多個(gè)第2通氣ロ 151是用于把殼體100的外部和收容空間SS連通的通孔。每個(gè)第2通氣ロ 151是沿Z軸方向延伸的長(zhǎng)孔，在本實(shí)施例中，每個(gè)第2通氣ロ 151為沿Y軸方向的長(zhǎng)度大約3mm、沿Z軸方向的長(zhǎng)度大約15mm的長(zhǎng)孔。第2通氣ロ 151的上端(Z軸方向一端)與上壁110的下表面的位置，即売體100的收容空間SS的上端的位置，大致處于相同位置(圖3(a))。多個(gè)第2通氣ロ 151在Y軸方向隔開規(guī)定間隔(本實(shí)施例中為大約3mm)并排配置，形成了在Y軸方向延伸的列。該第2通氣ロ 151的列，跨越殼體100的沿Y軸方向的長(zhǎng)度(進(jìn)深)的60%左右(本實(shí)施例中為大約95mm)地配置在Y軸方向的中央部。圖3 (b)中表示了圖3 (a)所示A-A截面。如圖3 (b)所示，第2通氣ロ 151的殼體100內(nèi)部側(cè)配置有L字形的異物進(jìn)入防止構(gòu)件152，但如箭頭AR所示，第2通氣ロ 151是以能夠充分供空氣通過的方式構(gòu)成的。該第2通氣ロ 151的形狀和數(shù)量不限于此，理想的是像本實(shí)施例的第2通氣ロ 151那樣，具有供存儲(chǔ)裝置1000冷卻用空氣流經(jīng)過的充分的大小及數(shù)量。左側(cè)壁130上與上述多個(gè)第2通氣ロ 151左右對(duì)稱地形成有多個(gè)第3通氣ロ 131(圖2)，該多個(gè)第3通氣ロ 131具有與第2通氣ロ 151同樣的形狀。即，左側(cè)壁130的上側(cè)的大約一半的區(qū)域中形成有多個(gè)第3通氣ロ 131，該多個(gè)第3通氣ロ 131是用于把殼體100的外部和收容空間SS連通的通孔。上壁110上沒有形成通孔。前壁140上形成有用于配置電源按鈕的按鈕用開ロ141和用于配置透光構(gòu)件的窗142及接ロ用開ロ 143 (圖1、圖2)。接ロ用開ロ 143是用于使USB端子等端子類、卡式存儲(chǔ)器的插入ロ等接ロ( I/F)對(duì)外部暴露的開ロ。后壁160上形成有使連接視頻、音頻的輸出電纜、LAN電纜、電源電纜等用的接ロ(I/F)對(duì)外部暴露的外部用的接ロ用開ロ 162 (圖2)。該按鈕用開ロ 141、接ロ用開ロ 143、162，由上述按鈕構(gòu)件、相應(yīng)的I/F幾乎沒有縫隙地堵住，在收容空間SS和外部之間不存在足以使空氣能夠通過程度的縫隙。從以上的說明可知，在殼體100中，供存儲(chǔ)裝置1000冷卻用空氣流經(jīng)過的有效通氣ロ，實(shí)質(zhì)上只有上述多個(gè)第I通氣ロ 121、多個(gè)第2通氣ロ 151和多個(gè)第3通氣ロ131。A-3:基板200的結(jié)構(gòu):下面，除了參照?qǐng)D1，再參照?qǐng)D4，對(duì)基板200的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖4是用于說明基板200的結(jié)構(gòu)的圖。圖4 Ca)是表示從上表面?zhèn)扔^察基板200時(shí)所看到的(從Z軸的正方向觀察時(shí)所看到的)圖。圖4 (b)表示從Y軸的正方向觀察基板200的圖4 (a)所示的B-B截面時(shí)所看到的圖。基板200具有用樹脂(例如，以玻璃布為基材的環(huán)氧樹脂)形成的多個(gè)絕緣層201、和多個(gè)導(dǎo)電層。在此,多個(gè)導(dǎo)電層包括配置于基板200的表面的表面導(dǎo)電層202、203和配置于基板200內(nèi)部的內(nèi)部導(dǎo)電層204、205。內(nèi)部導(dǎo)電層204、205是例如分別供給電源電壓及接地的電源供給層，表面導(dǎo)電層202、203是在安裝到基板200上的種種電子器件間形成有布線圖形的層。該導(dǎo)電層202 205含有例如銅箔等導(dǎo)電材料。絕緣層201被配置在多個(gè)導(dǎo)電層的層與層之間，使導(dǎo)電層之間保持絕緣。如圖4 (a)所不,基板200的上表面200a配置有多個(gè)電子器件。多個(gè)電子器件含有主控制電路210和硬盤驅(qū)動(dòng)器220。主控制電路210是例如通用的CPU這樣的微處理器、含有微處理器、存儲(chǔ)器等的SoC (片上系統(tǒng))。主控制電路210是存儲(chǔ)裝置1000的主要發(fā)熱體，是存儲(chǔ)裝置1000所具有的電子器件中發(fā)熱量最多的電子器件。主控制電路210的成為發(fā)熱量基準(zhǔn)的最大消耗功率為大約4 5w (瓦持)。主控制電路210執(zhí)行存儲(chǔ)裝置1000的控制處理，該控制處理包括，例如把容納于硬盤驅(qū)動(dòng)器220的圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成合成影像信號(hào)的處理等數(shù)據(jù)處理。硬盤驅(qū)動(dòng)器220是一般的2.5英寸的硬盤驅(qū)動(dòng)器。硬盤驅(qū)動(dòng)器220是存儲(chǔ)裝置1000的主要發(fā)熱體，是存儲(chǔ)裝置1000所具有的電子器件中發(fā)熱量第二多的電子器件。硬盤驅(qū)動(dòng)器220的最大消耗功率為大約2w 3w。硬盤驅(qū)動(dòng)器220的工作保障溫度(本實(shí)施例中為大約攝氏60度)比主控制電路210的工作保障溫度(本實(shí)施例中為大約攝氏70度)要低。配置于基板200的多個(gè)電子器件另外包括多個(gè)USB接ロ(I/F)230、卡式存儲(chǔ)器I/F240、HDMI (High-DefinitionMultimedia Interface,高清晰度多媒體接ロ)端子 250、RCA視頻/音頻端子260、以太網(wǎng)(Ethernet) I/F270 (Ethernet (以太網(wǎng))是注冊(cè)商標(biāo))以及未圖示的多個(gè)電容、電阻、晶體管、集成電路芯片等。包括所有這些電子器件的消耗功率在內(nèi)的存儲(chǔ)裝置1000的最大消耗功率為大約15w。在此，上述主控制電路210被配置于基板200的Y軸方向大致中央部、距離右端(X軸負(fù)方向一端)為基板200的X軸方向的長(zhǎng)度的大約1/3的靠近中央的位置(圖4 (a)(b))。此外,上述硬盤驅(qū)動(dòng)器220被配置于基板200的左端(X軸正方向一端)、Y軸方向的中央附近(圖4 (a) (b))。此外，基板200上形成有槽290。槽290是從基板200的上表面200a貫通到下表面200b的通孔。槽290被配置在主控制電路210和硬盤驅(qū)動(dòng)器220之間。S卩，自主控制電路210看去，槽290被配置在X軸的正方向。并且，自槽290看去，硬盤驅(qū)動(dòng)器220被配置在X軸的正方向。槽290是槽寬方向?yàn)閄軸方向，縱長(zhǎng)方向?yàn)閅軸方向的長(zhǎng)孔。即，槽290是沿與連結(jié)主控制電路210和硬盤驅(qū)動(dòng)器220的方向(X軸方向)交叉的方向(Y軸方向)延伸的長(zhǎng)孔。本實(shí)施例的槽290的沿槽寬方向的長(zhǎng)度(寬)為大約5mm。槽290的沿縱長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度為硬盤驅(qū)動(dòng)器220的沿Y軸方向的長(zhǎng)度(與槽290的縱長(zhǎng)方向平行的方向的長(zhǎng)度(本實(shí)施例中大約IOOmm))的大約80% (本實(shí)施例中為大約80mm)。在此，從槽290到主控制電路210的距離(槽290的右端同主控制電路210的左端的距離LI)被設(shè)定為比從槽290到硬盤驅(qū)動(dòng)器220的距離(槽290的左端同硬盤驅(qū)動(dòng)器220的右端的距離L2)長(zhǎng)。在本實(shí)施例中，距離LI為大約45mm，距離L2為大約12mm。而且，在基板200上，在從槽290到硬盤驅(qū)動(dòng)器220側(cè)(左側(cè))的區(qū)域BA (圖4 (a)中用雙點(diǎn)劃線BA表示的區(qū)域)中，上述導(dǎo)電層202 205中沒有配置導(dǎo)電材料。這是為了抑制來自主控制電路210的熱經(jīng)由熱傳導(dǎo)率比絕緣層201 (環(huán)氧樹脂)高的導(dǎo)電材料(例如銅箔)傳向硬盤驅(qū)動(dòng)器220。區(qū)域BA的Y軸方向兩端的位置與槽290的Y軸方向側(cè)兩端的位置大致一致。區(qū)域BA的X軸的正方向一端(左端)到達(dá)了基板200的左端。因此，從上方觀察時(shí)，在基板200上與硬盤驅(qū)動(dòng)器220重合的區(qū)域的大約80%成為了區(qū)域BA。另外，沒有配置導(dǎo)電材料的區(qū)域BA的左端不一定非要到達(dá)基板200的左端，但是至少到達(dá)比硬盤驅(qū)動(dòng)器220的右端靠左側(cè)較為理想。此外，既可以是在導(dǎo)電層202 205的位于區(qū)域BA中的部分處，在所有的層中都未配置導(dǎo)電材料，也可以是在在導(dǎo)電層202 205的位于區(qū)域BA中的部分處在部分層中不配置導(dǎo)電材料。例如，為了作為電源供給層而使用，可以不在導(dǎo)電材料的量多的內(nèi)部導(dǎo)電層204、205中配置導(dǎo)電材料，而在表面導(dǎo)電層202、203中配置導(dǎo)電材料。這樣的話，既能利用區(qū)域BA作為形成布線圖形的區(qū)域，又能抑制來自主控制電路210的熱傳向硬盤驅(qū)動(dòng)器220。下面，對(duì)殼體100的收容空間SS中的基板200的配置位置進(jìn)行說明。圖4(a)中，虛線OL表示殼體100的內(nèi)壁面的位置(收容空間SS的外緣位置)。此外，圖4 (a)中，用點(diǎn)劃線HL圍起來的區(qū)域，表示在殼體100的下壁120的底升高部122中形成有上述第I通氣ロ 121的區(qū)域。從圖4 (a)可知，從上下方向(Z軸方向)觀察時(shí)所看到的基板200的大小，為比從上下方向(Z軸方向)觀察時(shí)所看到的收容空間SS的大小略微小一點(diǎn)的程度。并且，殼體100的后壁160和基板200之間的縫隙NT1、右側(cè)壁150和基板200之間的縫隙NT2、前壁140和基板200之間的縫隙NT3，都在在Imm以下 2mm左右，比較狹窄。其結(jié)果，如下文所述，在殼體100的收容空間SS中，空氣從基板200下方的空間(下方空間SSB)流入上方的空間(上方空間SSU)的主要流路是經(jīng)過槽290的流路。圖5是把存儲(chǔ)裝置1000以過主控制電路210而與進(jìn)深方向(Y軸方向)垂直的面剖切后得到的剖視圖。如圖5所示，基板200與殼體100的上壁110及下壁120平行，其被固定在比收容空間SS的高度方向(Z軸方向)中央靠近下壁的位置。從基板200的上表面200a到上壁110的下表面的距離為大約20mm，從基板200的下表面200b到下壁120的底升高部122的上表面的距離為大約3mm。為了使配置作為主要發(fā)熱體的主控制電路210及硬盤驅(qū)動(dòng)器220的空間變大而把基板200靠近下壁120配置，從冷卻方面考慮較為理想。收容空間SS由基板200分隔成作為比基板200靠上方的空間的上方空間SSU和作為比基板200靠下方的空間的下方空間SSB。從圖5可知，在上方空間SSU中，第2通氣ロ 151自主控制電路210看去被配置在X軸方向的負(fù)方向。S卩，第2通氣ロ 151自主控制電路210看去被配置在配置有槽290的方向(X軸的正方向)的相反方向。此外還可知，第2通氣ロ 151被配置得比基板200的上表面200a靠上方，甚至比作為主要發(fā)熱體的主控制電路210靠上方。此外，第3通氣ロ 131被配置在上方空間SSU中的、自硬盤驅(qū)動(dòng)器220看去X軸的正方向。即，第3通氣ロ 131自槽290看去被配置得比硬盤驅(qū)動(dòng)器220靠X軸的正方向。此外，第I通氣ロ 121被配置在下方空間SSB中的比基板200的下表面200b靠下方的位置。并且，在槽290的正下方也配置有第I通氣ロ 121。A-4:存儲(chǔ)裝置1000的冷卻機(jī)理下面，參照?qǐng)D5，對(duì)存儲(chǔ)裝置1000的冷卻機(jī)理進(jìn)行說明。存儲(chǔ)裝置1000通過熱傳遞、輻射和對(duì)流而被冷卻。例如，由于主控制電路210附近為高溫，第I通氣ロ 121附近因接近外部空氣的緣故而成為低溫，所以，通過熱傳遞，主控制電路210的熱的一部分從第I通氣ロ 121向外部釋放。此外，在存儲(chǔ)裝置1000中產(chǎn)生的熱，也經(jīng)由殼體100輻射而向外部釋放。本實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置1000中，還高效地利用對(duì)流進(jìn)行了冷卻。其機(jī)理說明如下。在存儲(chǔ)裝置1000工作時(shí)，主控制電路210—發(fā)熱，上方空間SSU內(nèi)，特別是主控制電路210附近的空氣就會(huì)因主控制電路210所產(chǎn)生的熱而變熱。結(jié)果，由于變熱的空氣的比重低，所以產(chǎn)生因浮力而上升的對(duì)流。由該對(duì)流把收容空間SS內(nèi)變熱的空氣從比基板200的上表面200a靠上方配置的第2通氣ロ 151向外部排出(圖5:箭頭R1)。在此，由于基板200上設(shè)有槽290，所以與把變熱的空氣從第2通氣ロ 151排出到外部相應(yīng)地，空氣經(jīng)過槽290被從下方空間SSB導(dǎo)入到上方空間SSU中(圖5:箭頭R2)。在下方空間SSB中，夕卜部的涼空氣被從比基板200的下表面200b靠下方配置的第I通氣ロ 121導(dǎo)入到收容空間SS (下方空間SSB)內(nèi)(圖5:箭頭R3)。在此，自主控制電路210看去，槽290被配置在X軸的正方向，第2通氣ロ 151被配置在不同于X軸的正方向的方向(本實(shí)施例中為X軸的負(fù)方向)。結(jié)果，經(jīng)過槽290而被導(dǎo)入到基板200的上表面200a側(cè)的空氣經(jīng)過主控制電路210附近而被從第2通氣ロ 151排出的流路得以確保(圖5:箭頭Rl R3)。結(jié)果，實(shí)現(xiàn)了從第I通氣ロ 121被導(dǎo)入，經(jīng)過槽290和主控制電路210附近而從第2通氣ロ 151被排出這樣的適宜于主控制電路210的冷卻的對(duì)流。而且，自主控制電路210看去，配置槽290的方向(本實(shí)施例中為X軸的正方向)與配置第2通氣ロ 151的方向(本實(shí)施例中為X軸的負(fù)方向)朝向相反方向。結(jié)果，自Z軸方向看去，使經(jīng)過槽290而被導(dǎo)入到基板200的上表面200a側(cè)的空氣經(jīng)過主控制電路210附近而被從第2通氣ロ 151排出的流路，是直線型流路。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)更加順暢的對(duì)流，高效地對(duì)第I電子器件進(jìn)行冷卻。在此，自主控制電路210看去，配置槽290的方向(本實(shí)施例中為X軸的正方向)與配置第2通氣ロ 151的方向(本實(shí)施例中為X軸的負(fù)方向)也可以不是相反方向，只要至少是不同的方向，就能夠?qū)崿F(xiàn)比較良好的對(duì)流。而且，在上方空間SSU中，自槽290看去硬盤驅(qū)動(dòng)器220被配置在X軸的正方向，即，與主控制電路210相反的相反方向。因此，能夠由經(jīng)過槽290而流向主控制電路210的對(duì)流，抑制從主控制電路210發(fā)出的熱傳向硬盤驅(qū)動(dòng)器220。S卩，能夠由從槽290流入上方空間SSU中的空氣流，把硬盤驅(qū)動(dòng)器220和主控制電路210之間分隔開。該空氣流由于是從第I通氣ロ 121被導(dǎo)入的空氣，所以能夠維持為比較低的溫度，能夠有效地保護(hù)硬盤驅(qū)動(dòng)器220不受主控制電路210的熱的影響。結(jié)果，能夠降低工作保障溫度比主控制電路210低的硬盤驅(qū)動(dòng)器220因熱而發(fā)生不良狀況的可能性。而且，在上方空間SSU中，第3通氣ロ 131配置得比基板200靠上方且自槽290看去比硬盤驅(qū)動(dòng)器220靠X軸的正方向。結(jié)果，在上方空間SSU中，硬盤驅(qū)動(dòng)器220附近的空氣因硬盤驅(qū)動(dòng)器220所產(chǎn)生的熱而變熱，從而產(chǎn)生硬盤驅(qū)動(dòng)器220附近的空氣上升的對(duì)流。結(jié)果，與由上述主控制電路210所產(chǎn)生的熱而生成的對(duì)流同樣的原理，實(shí)現(xiàn)了從第I通氣ロ121被導(dǎo)入，經(jīng)過槽290和硬盤驅(qū)動(dòng)器220附近而從第3通氣ロ 131被排出這樣的適宜于硬盤驅(qū)動(dòng)器220的冷卻的對(duì)流(圖5:箭頭R3 R5)。結(jié)果，在冷卻主控制電路210的同時(shí)，也能利用對(duì)流高效地冷卻硬盤驅(qū)動(dòng)器220。此外，由于這兩個(gè)對(duì)流經(jīng)過I個(gè)槽290，所以能夠提高經(jīng)過槽290的空氣的流量及流速。因此，能夠更加有效地進(jìn)行硬盤驅(qū)動(dòng)器220和主控制電路210之間的隔熱。[0089]此外，如圖4所示，槽290同主控制電路210之間的距離LI比槽290同硬盤驅(qū)動(dòng)器220之間的距離L2長(zhǎng)。因此，在上方空間SSU中，能夠使從主控制電路210到槽290間的空間比硬盤驅(qū)動(dòng)器220到槽290間的空間大。結(jié)果，在從主控制電路210到槽290間的空間中，能夠使利用來自發(fā)熱量多的主控制電路210的熱所產(chǎn)生的對(duì)流的流量増加。因此，能夠高效地對(duì)發(fā)熱量多的主控制電路210進(jìn)行冷卻，并且能夠使收容空間SS整體中的對(duì)流的流量増加，從而高效地對(duì)存儲(chǔ)裝置1000進(jìn)行冷卻。而且，如圖4 (a)所示，由于在基板200上設(shè)有在導(dǎo)電層202 205中沒有配置導(dǎo)電材料的區(qū)域BA，所以能夠抑制主控制電路210所產(chǎn)生的熱經(jīng)由與空氣相比熱傳導(dǎo)率非常高的導(dǎo)電材料(例如，銅箔)傳向硬盤驅(qū)動(dòng)器220。結(jié)果，能夠進(jìn)一歩降低硬盤驅(qū)動(dòng)器220因熱而發(fā)生不良狀況的可能性。而且,通過把槽290的寬度(X軸方向的長(zhǎng)度)定為適當(dāng)值的5mm,能夠確保經(jīng)過槽的空氣的流量和流速。結(jié)果，能夠利用對(duì)流高效地進(jìn)行冷卻。例如，如果槽290的寬度過窄，則對(duì)流所經(jīng)過的流量變少，槽290的寬度過寬，則對(duì)流的流速下降。因此，槽290的寬度優(yōu)選為2mm以上且IOmm以下的范圍，更優(yōu)選為4mm以上且7mm以下的范圍。此外，槽290的沿縱長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度，即，槽290的沿與主控制電路210和硬盤驅(qū)動(dòng)器220并排的方向交叉方向的長(zhǎng)度，被形成為硬盤驅(qū)動(dòng)器220的沿槽290的縱長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度(IOOmm)的80%左右(圖4(a))。結(jié)果，能夠由經(jīng)過槽290的空氣流充分抑制來自主控制電路210的熱傳向硬盤驅(qū)動(dòng)器220。在此，槽290的縱長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度優(yōu)選為硬盤驅(qū)動(dòng)器220的長(zhǎng)度的50%以上，更優(yōu)選為硬盤驅(qū)動(dòng)器220的長(zhǎng)度的70%以上。此外，存儲(chǔ)裝置1000的下壁120上形成有底升高部122，底升高部122上形成有第I通氣ロ 121 (圖2、圖3)。結(jié)果，例如，在把存儲(chǔ)裝置1000設(shè)置在水平面上的情況下，沒有過大的阻力就能把空氣導(dǎo)入到下壁120的下方。結(jié)果，能夠提高收容空間SS內(nèi)產(chǎn)生的對(duì)流的流量、流速。此外，在殼體100中，供存儲(chǔ)裝置1000冷卻用空氣流所經(jīng)過用的有效通氣ロ，實(shí)質(zhì)上只有上述多個(gè)第I通氣ロ 121、多個(gè)第2通氣ロ 151和多個(gè)第3通氣ロ 131。因此，能夠抑制殼體100的收容空間SS中因產(chǎn)生上述對(duì)流以外的空氣的流動(dòng)而使上述對(duì)流的流量減少、流速降低。在上述實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置1000中，不用冷卻風(fēng)扇，就獲得了所需要的冷卻性能。圖6是用于從殼體容積和消耗功率的關(guān)系來判定是否需要強(qiáng)制冷卻的曲線圖。在此所謂的強(qiáng)制冷卻，是指用冷卻風(fēng)扇等冷卻裝置對(duì)電子設(shè)備進(jìn)行冷卻。在該曲線圖中，關(guān)于許多電子設(shè)備的樣品，繪制出了殼體容積V (単位為升)的常用対數(shù)1gV (橫軸)與最大消耗功率Q (単位為瓦特)的常用対數(shù)1gQ (縱軸)的關(guān)系。白圈表示需要強(qiáng)制冷卻的樣品，方塊表示不需要強(qiáng)制冷卻的樣品。在攝氏40度的環(huán)境下，不進(jìn)行強(qiáng)制冷卻地使電子設(shè)備以最大消耗功率工作的情況下，電子設(shè)備的最大溫度成為攝氏60度以上的情況判斷為需要強(qiáng)制冷卻，電子設(shè)備的最大溫度不足攝氏60度的情況判斷為不需要強(qiáng)制冷卻。從該經(jīng)驗(yàn)法則能夠簡(jiǎn)單地判斷出，在殼體容積和最大消耗功率的關(guān)系位于比直線Gl靠上側(cè)的區(qū)域中的情況下需要強(qiáng)制冷卻。在圖6的曲線圖中，關(guān)于本實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置1000，是用黑圈繪制的。從圖6可知，在本實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置1000中，雖然根據(jù)利用圖6的曲線圖進(jìn)行的判定被判定為需要強(qiáng)制冷卻，但是通過采用上述結(jié)構(gòu)，能夠在沒有冷卻風(fēng)扇的情況下獲得了充分的冷卻性能。另外，圖6的直線Gl能夠用以下的近似式(I)表示。1gQ=0.715X 1gV + 1.00...(I)因此，在比直線Gl靠上側(cè)的強(qiáng)制冷卻區(qū)域中，可以說殼體容積V和最大消耗功率Q是滿足以下式(2)的關(guān)系的區(qū)域。1gQ > 0.715XlogV + 1.00...(2)從以上說明可知，在此，本實(shí)施例中的主控制電路210，對(duì)應(yīng)于權(quán)利要求中的第I電子器件，本實(shí)施例中的硬盤驅(qū)動(dòng)器220，對(duì)應(yīng)于權(quán)利要求中的第2電子器件。此外，本實(shí)施例中的沿基板200的上表面200a的X軸的正方向，對(duì)應(yīng)于權(quán)利要求中的第I方向，本實(shí)施例中的X軸的負(fù)方向，對(duì)應(yīng)于權(quán)利要求中的第2方向。B.變形例B-1:上述實(shí)施例的構(gòu)造不限于上述實(shí)施例中所示的存儲(chǔ)裝置1000的殼體尺寸、消耗功率的電子設(shè)備，其能夠采用具有各種尺寸及消耗功率的電子設(shè)備。另外，實(shí)施例中所示的利用了對(duì)流的冷卻構(gòu)造，在特別是相對(duì)于殼體容積V而言使電子設(shè)備的最大消耗功率Q比較大的情況下，由于對(duì)流較強(qiáng)，所以可以認(rèn)為能夠容易地獲得有效的冷卻性能。具體而言，像上述實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置1000那樣，在殼體容積V和最大消耗功率Q的關(guān)系在圖6所示的曲線圖的直線Gl附近，或者在比直線Gl靠上側(cè)的強(qiáng)制冷卻區(qū)域的情況中，可以認(rèn)為更加有效。例如，在殼體尺寸為，寬200mmX高35mmX進(jìn)深180mm (殼體容積大約1.2升),最大消耗功率為大約IOw的電子設(shè)備(可以說是位于曲線圖的直線Gl附近的關(guān)系)中，采用了與實(shí)施例同樣的冷卻構(gòu)造，獲得了有效的冷卻性能。B-2:雖然在上述實(shí)施例中沒有使用冷卻風(fēng)扇等，但是使用冷卻風(fēng)扇的電子設(shè)備中也能采用上述實(shí)施例中說明的構(gòu)造。這樣的話，除了由冷卻風(fēng)扇生成的空氣流，還有上述對(duì)流產(chǎn)生，所以能夠更高效地對(duì)電子設(shè)備進(jìn)行冷卻。例如，也可以在上述實(shí)施例中的存儲(chǔ)裝置1000的第2通氣ロ 151的內(nèi)側(cè)設(shè)置冷卻風(fēng)扇。如果在設(shè)有冷卻風(fēng)扇的電子設(shè)備中采用上述實(shí)施例的構(gòu)造，在例如不改變殼體尺寸的情況下，能夠減少應(yīng)該由冷卻風(fēng)扇生成的空氣流的流量。結(jié)果，能夠降低冷卻風(fēng)扇所發(fā)出的聲響的音量從而謀求電子設(shè)備的靜音化，并且能夠抑制冷卻風(fēng)扇的消耗功率從而謀求電子設(shè)備的節(jié)電化。此外，在不改變冷卻風(fēng)扇的輸出功率的情況下，由于利用了冷卻風(fēng)扇和對(duì)流二者而使冷卻性能的提高，能夠使殼體尺寸小型化。B-3:圖7是用于說明變形例的第I圖。圖7 (a)表不了散熱器600的外觀。圖7 (b)表示了變形例中的存儲(chǔ)裝置的截面。圖7 (b)表示了與實(shí)施例中的圖5所示的截面為相同位置的的截面。另外，除了追加了散熱器600這一點(diǎn)之外，本變形例中的存儲(chǔ)裝置具有與實(shí)施例中的存儲(chǔ)裝置1000相同的結(jié)構(gòu)，因此，對(duì)相同的結(jié)構(gòu)賦予了與圖5相同的附圖標(biāo)記，省略其說明。散熱器600是用鋁形成的。散熱器600可以使用與空氣、基板200相比熱傳導(dǎo)率充分高的其它材料，例如，銅等金屬、石墨、陶瓷等等。散熱器600具有上表面對(duì)應(yīng)部610和延伸部620 (圖7 (a))。[0111]上表面對(duì)應(yīng)部610以覆蓋整個(gè)主控制電路210的上表面的方式配置于主控制電路210的上表面(圖7 (b))。延伸部620具有水平延伸部621和垂直延伸部622。水平延伸部621，是從上表面對(duì)應(yīng)部610起，朝第2通氣ロ 151(8卩，朝右側(cè)壁150)延伸到超過主控制電路210的右端(X軸的負(fù)方向一端)的部分(圖7 (b))。水平延伸部621的右側(cè)壁150側(cè)的端部位于右側(cè)壁150的內(nèi)表面附近。垂直延伸部622，是從水平延伸部621的右側(cè)壁150側(cè)的端部沿右側(cè)壁150朝上方延伸的部分。垂直延伸部622可以與右側(cè)壁150接觸。垂直延伸部622的沿Y軸方向的長(zhǎng)度被構(gòu)成為比主控制電路210的沿Y軸方向的長(zhǎng)度以及散熱器600的其它部分(上表面對(duì)應(yīng)部610及水平延伸部621)的沿Y軸方向的長(zhǎng)度長(zhǎng)。垂直延伸部622形成為例如把右側(cè)壁150的形成有第2通氣ロ 151的區(qū)域整體從內(nèi)側(cè)覆蓋左右的大小。垂直延伸部622在與第2通氣ロ 151對(duì)應(yīng)的位置上形成有多個(gè)通孔622h，垂直延伸部622是以不妨礙經(jīng)由第2通氣ロ 151而進(jìn)行的收容空間SS和外部的空氣交換的方式構(gòu)成的。根據(jù)該變形例，利用散熱器600，來自主控制電路210的熱能夠經(jīng)由散熱器600傳向第2通氣ロ 151，因此，能夠高效地把熱從第2通氣ロ 151排出。結(jié)果，能夠進(jìn)ー步提高存儲(chǔ)裝置的冷卻性能。此外，由于在散熱器600中，把位于比主控制電路210靠近右側(cè)壁150側(cè)的垂直延伸部622的沿Y軸方向的長(zhǎng)度構(gòu)成為比散熱器600的其它部分(上表面對(duì)應(yīng)部610及水平延伸部621)的沿Y軸方向的長(zhǎng)度長(zhǎng)，所以能夠使主控制電路210的熱高效地向形成有第2通氣ロ 151的右側(cè)壁150移動(dòng)。散熱器的形狀不限于圖7所示的形狀，只要其至少具有位于主控制電路210的上表面的上表面對(duì)應(yīng)部和從上表面對(duì)應(yīng)部比主控制電路210朝向第2通氣ロ 151側(cè)延伸了的延伸部即可。B-4:圖8是用于說明變形例的第2圖。如圖8(a)所示，可以在殼體100的上壁110的下表面配置對(duì)流導(dǎo)向板115。該對(duì)流導(dǎo)向板115位于槽290的正上方(Z軸的正方向)。對(duì)流導(dǎo)向板115是具有由圖8 Ca)所示的三角形的截面形狀(從Y軸方向觀察時(shí)所看到的形狀)沿Y軸方向延伸而成的三棱柱形狀的構(gòu)件。對(duì)流導(dǎo)向板115可以跨越上壁110的下表面的Y軸方向全長(zhǎng)延伸，也可以是上壁110的下表面的沿Y軸方向的一部分的長(zhǎng)度。對(duì)流導(dǎo)向板115具有槽290的沿Y軸方向的長(zhǎng)度以上的長(zhǎng)度較為理想。采用該對(duì)流導(dǎo)向板115，能夠把從槽290流入到上方空間SSU中的對(duì)流恰當(dāng)?shù)胤珠_為朝著主控制電路210方向的流動(dòng)和朝著硬盤驅(qū)動(dòng)器220的流動(dòng)。結(jié)果，實(shí)現(xiàn)了順暢的對(duì)流，能夠提高存儲(chǔ)裝置1000的冷卻性能。此外，如圖8 (b)所示，殼體100的上壁110的下表面可以是使沿X軸方向的高度不同的傾斜面USa、USb0具體而言，相對(duì)于槽290而言靠右側(cè)壁150側(cè)的傾斜面USa的傾斜方式是:槽290的正上方部分最低，越朝向第2通氣ロ 151方向(X軸的負(fù)方向)越變高。這樣的話，能夠?qū)崿F(xiàn)從槽290朝向主控制電路210方向的，由主控制電路210的熱而變熱而從第2通氣ロ 151排出到外部的順暢的對(duì)流。此外，相對(duì)于槽290而言靠左側(cè)壁130側(cè)的傾斜面USb的傾斜方式是:槽290的正上方部分最低，越朝向第3通氣ロ 131的方向(X軸的正方向)越變高。這樣的話，能夠?qū)崿F(xiàn)從槽290朝向硬盤驅(qū)動(dòng)器220的方向的，由硬盤驅(qū)動(dòng)器220的熱而變熱而從第3通氣ロ 131排出到外部的順暢的對(duì)流。結(jié)果，能夠提高存儲(chǔ)裝置1000的冷卻性能。[0117]B-5:形成第2通氣ロ 151及第3通氣ロ 131的位置不限于上述實(shí)施例。例如，第2通氣ロ 151可以配置在比基板200靠上方且比主控制電路210的右端(X軸的負(fù)方向一端)靠右側(cè)壁150側(cè)(X軸的負(fù)方向側(cè))的任意位置。例如，第2通氣ロ 151也可以配置在上壁110及前壁140及后壁160中的至少一部分的靠近右側(cè)壁150的部分、配置在上壁110和右側(cè)壁150之間的角部分。此外，第3通氣ロ 131可以配置在比基板200靠上方且比硬盤驅(qū)動(dòng)器220的左端(X軸的正方向一端)靠左側(cè)壁130側(cè)(X軸的正方向側(cè))的任意位置。例如，第3通氣ロ 131也可以配置在上壁110及前壁140及后壁160中的至少一部分的靠近左側(cè)壁130的部分、配置在上壁110和左側(cè)壁130之間的角部分。另外，為了把變熱后的空氣高效地排出，優(yōu)選第2通氣ロ 151及第3通氣ロ 131同收容空間SS (上方空間SSU)的盡可能高的位置連通，優(yōu)選將其以與收容空間SS的最高位置連通的方式構(gòu)成。形成第I通氣ロ 121的位置不限于上述實(shí)施例。例如，第I通氣ロ 121可以配置在比基板200靠下方的任意位置。在此，從確保對(duì)流的流量及流速方面考慮，優(yōu)選第I通氣ロ 121至少配置在槽290正下方位置。B-6:主控制電路210、硬盤驅(qū)動(dòng)器220也可以是其它電子器件，較為理想的是作為電子設(shè)備的主要發(fā)熱體的電子器件。在此，作為主要發(fā)熱體的電子器件也可以是I個(gè)，例如，在上述實(shí)施例中，在硬盤驅(qū)動(dòng)器220為發(fā)熱量少的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的情況等中，第3通氣ロ 131可以省略。
B-7:上述實(shí)施 例中的存儲(chǔ)裝置1000，是電子設(shè)備之一例，但并不限于該例。一般而言，本實(shí)用新型能夠應(yīng)用于含有配置了作為主要發(fā)熱體的電子器件的基板和收容該基板的殼體的各種電子設(shè)備，例如，HDD錄像機(jī)、路由器、交換機(jī)、NAS。以上，基于實(shí)施例、變形例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了說明，但上述實(shí)用新型的實(shí)施方式是為了使本實(shí)用新型容易理解而做出的，并非用于限定本實(shí)用新型。本實(shí)用新型在不脫離其宗g和權(quán)利要求的范圍的前提下可以進(jìn)行變更、改良，并且本實(shí)用新型包含其等同技術(shù)方案。附圖標(biāo)記說明100...殼體，IOOa…上構(gòu)件，100b...下構(gòu)件，110...上壁，115...對(duì)流導(dǎo)向板，120. 下壁，121. 第I通氣ロ，122. 底升高部，130. 左側(cè)壁，131. 第3通氣ロ，140. 前壁，141...按鈕用開ロ，142...窗，143...接ロ用開ロ，150. 右側(cè)壁，
151...第2通氣ロ，152...異物進(jìn)入防止構(gòu)件，160...后壁，162...接ロ用開ロ，170. 腿部，200...基板，200a. 上表面，200b...下表面，201...絕緣層，202 205. 導(dǎo)電層，210...主控制電路，220...硬盤驅(qū)動(dòng)器，240...卡式存儲(chǔ)器I/F，250...HDMI端子，
270...以太網(wǎng)I/F，290...槽，600...散熱器，610...上表面對(duì)應(yīng)部，620.. 延伸部，621. 水平延伸部，622. 垂直延伸部，1000. 存儲(chǔ)裝置，BI B8. 凸臺(tái)，SS...收容空間，SSB...下方空間，SSU...上方空間，USa...傾斜面，USb...傾斜面
權(quán)利要求1.ー種電子設(shè)備，其特征在于，具有: 第I電子器件，該第I電子器件是所述電子設(shè)備的主要發(fā)熱體； 基板，該基板具有上表面、下表面、和從所述上表面貫通到所述下表面的槽，所述第I電子器件被配置于所述上表面，自所述第I電子器件看去，所述槽被配置在沿所述上表面的第I方向；和 殼體，該殼體具有形成于該殼體內(nèi)部用于配置所述基板的收容空間、用于將所述收容空間和外部連通的第I通氣ロ、和用于將所述收容空間和外部連通的第2通氣ロ，所述第I通氣ロ被配置得比在所述收容空間中配置的所述基板靠下方，所述第2通氣ロ被配置得比在所述收容空間中配置的所述基板靠上方，且自所述第I電子器件看去，所述第2通氣ロ被配置在第2方向上，所述第2方向是與配置了所述槽的所述第I方向不同的方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中， 所述第2方向是所述第I方向的相反方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子設(shè)備， 還具有第2電子器件，該第2電子器件被配置于所述基板的上表面，該第2電子器件的工作保障溫度比所述第I電子器件的工作保障溫度低， 自所述槽看去，所述第2電子器件被配置于所述第I方向上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子設(shè)備，其中， 所述殼體還具有第3通氣ロ，該第3通氣ロ用于將所述收容空間和外部連通， 所述第3通氣ロ被配置得比所述基板靠上方，且自所述槽看去，所述第3通氣ロ被配置為比所述第2電子器件靠所述第I方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子設(shè)備，其中， 所述第I電子器件的發(fā)熱量比所述第2電子器件的發(fā)熱量多， 所述槽同所述第I電子器件之間的的距離比所述槽同所述第2電子器件之間的距離長(zhǎng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3 5中任意ー項(xiàng)所述的電子設(shè)備，其中， 所述基板在其表面或內(nèi)部具有I層以上的導(dǎo)電層， 在所述I層以上的導(dǎo)電層中的至少I層中，在從所述槽到所述第2電子器件的區(qū)域中沒有配置導(dǎo)電材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任意一項(xiàng)所述的電子設(shè)備， 還具有散熱器，該散熱器具有位于所述第I電子器件的上表面的上表面對(duì)應(yīng)部，和從所述上表面對(duì)應(yīng)部比所述第I電子器件朝向所述第2通氣ロ側(cè)延伸了的延伸部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中任意ー項(xiàng)所述的電子設(shè)備，其中， 所述槽的槽寬方向的寬度為2mm以上且IOmm以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求3 8中任意ー項(xiàng)所述的電子設(shè)備，其中， 所述槽的與所述第I方向交叉方向的長(zhǎng)度，為所述第2電子器件的與所述第I方向交叉方向的長(zhǎng)度的二分之一以上。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種具有作為發(fā)熱體的電子器件的電子設(shè)備的冷卻技術(shù)，該冷卻技術(shù)能夠抑制對(duì)于冷卻裝置的依賴。電子設(shè)備具有第1電子器件、基板和殼體，該第1電子器件是電子設(shè)備的主要發(fā)熱體，該基板具有上表面、下表面和從上表面貫通到下表面的槽，該殼體具有形成于內(nèi)部用于配置基板的收容空間、將收容空間和外部連通的第1通氣口、和將收容空間和外部連通的第2通氣口。第1電子器件被配置于基板的上表面，自第1電子器件看去槽被配置于沿基板上表面的第1方向。第1通氣口被配置得比收容空間里配置的基板靠下方，第2通氣口被配置得比收容空間里配置的基板靠上方，且自第1電子器件看去第2通氣口被配置于與配置了槽的第1方向不同的第2方向。
文檔編號(hào)G11B33/14GK202957042SQ20122055694
公開日2013年5月29日 申請(qǐng)日期2012年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月27日
發(fā)明者松波里奈, 尾關(guān)強(qiáng) 申請(qǐng)人:巴法絡(luò)股份有限公司