專利名稱：母盤制作策略調整方法和盤制造方法
技術領域：
本公開涉及用于調整對于母盤的記錄(曝光)的寫入策略的方法(母盤制造策略調整方法)。此外，本公開涉及制造基于母盤創(chuàng)建的光盤記錄介質的方法。
背景技術：
例如，在作為所謂R0M(只讀存儲器)型的諸如⑶(致密盤)、DVD (數(shù)字多功能盤)、或BD(藍光盤注冊商標)的光盤記錄介質中，存在使用凹坑和平臺的組合的信息記錄。也就是說，存在使用具有作為凹坑的凹入部分和作為平臺的凸起部分的信息圖案的信 息記錄。在制造諸如這種的ROM型光盤記錄介質時，首先，通過對于形成光敏層的光母盤執(zhí)行的激光照射來執(zhí)行信息記錄。然后，在對于已經(jīng)以此方式執(zhí)行記錄的光母盤通過顯影處理創(chuàng)建其中已經(jīng)形成凹坑的完成記錄的母盤，并且創(chuàng)建轉印在完成記錄的母盤上形成的凹坑圖案(因此，記錄信息)的壓模之后，通過由使用壓模的注入成型等形成具有再現(xiàn)的記錄信息的基底，并且通過對于基底的反射膜的沉積等，制造光盤記錄介質。近年來，在用于制造諸如這種的光盤記錄介質的方法中，已經(jīng)在記錄處理(母盤制作處理)中采用PTM (相變母盤制作)方法，以便支持光盤記錄介質中更高的記錄密度。其稱為所謂的熱敏成像法(thermography)。在PTM方法中，無機光刻膠用作配置光敏層的光刻膠。半導體激光用作記錄激光。在此，在沒有采用PTM方法的現(xiàn)有技術的方法中，有機光刻膠用作光敏層。在此情況下，使用激光曝光的部分保持為凹坑，因為光刻膠的曝光是所謂的光記錄。也就是說，激光光斑直徑實際上對凹坑寬度具有影響。另ー方面，在PTM方法中，無機光刻膠的特性通過伴隨激光的照射施加的熱量改變(也就是說，化學特性改變)，并且形成記錄標記。在PTM方法中使用的無機光刻膠在熱量集中的部分展現(xiàn)化學特性的顯著改變，并且形成的凹槽的尺寸不宣接受激光光斑直徑的影響。也就是說，由于這一點，在PTM方法中可能比在現(xiàn)有技術的方法中執(zhí)行更加精確的凹槽形成。然而，即使在根據(jù)記錄信號執(zhí)行激光照射以便制造母盤的情況下，也需要設置適當?shù)膶懭氩呗浴＠?，對于用于制造具有位長度為2T到9T(其中T是信道時鐘)的光盤的母盤，在母盤的記錄期間使用激光照射執(zhí)行對應于2T到9T凹坑的曝光。此時，對于2T到9T的每個位長度，通過適當?shù)卣{整策略模式(施加到激光發(fā)射部分的記錄驅動波形)，可能實現(xiàn)最終制造的光盤的凹坑行的廣品質量的提聞。此時，在母盤的記錄處理中采用PTM方法的情況下，能夠執(zhí)行在以此方式的母盤記錄期間的策略調整，而不執(zhí)行對于母盤的顯影處理(凹坑的形成處理)。也就是說，如日本未審專利申請公開No. 2009-64542所示，在采用PTM方法的情況下，可能在因為在無機光刻膠中激光照射的部分中存在變形(彎曲)，所以凹下部分沒有由于顯影處理而形成為凹坑的情況下，使用利用再現(xiàn)功率的激光照射讀出在信息部分和其它部分中記錄的信號。也就是說，可能基于以此方式讀出的信號，執(zhí)行根據(jù)策略調整的評估值的測量。因為在用于策略調整的評估值的測量中不執(zhí)行顯影處理之后的處理是足夠的，所以可能顯著地改進操作效率。然而,需要改進作為最終產品的光盤而不是母盤的信號質量。通常地，即使從母盤測量的評估值調整為最佳值，從光盤測量的評估值也可能不一定變?yōu)樽罴阎?。這是因為從母盤的形成到光盤的創(chuàng)建存在諸如壓模形成、基底形成和沉積的許多處理，由于處理中的各種原因導致在母盤和光盤上形成的位長度中可能存在差別。由于這點，在由于上述日本未審專利申請公開No. 2009 -64542中描述的方法而實現(xiàn)策略調整操作的效率的情況下，預先使用實驗、計算等確定評估值，其中從光盤測量的評估值設為作為在策略調整中使用的評估值的目標的最佳值，而不是從母盤測量的評估值的最佳值，并且執(zhí)行策略調整以便匹配以此方式確定的目標值。然而，在以上述方式在母盤和光盤之間出現(xiàn)的偏差的特性方面，預先優(yōu)化以此方式從光盤測量的評估值的目標值的確定實際上非常困難。因此，為了使得實際上作為最終產品的光盤的信號質量合適，現(xiàn)實的是每次執(zhí)行光盤的形成和其評估值的測量，基于光盤的評估值的測量結果執(zhí)行母盤的策略調整。為了確認，將參照圖8的流程圖描述諸如這種母盤制作策略的調整方法的具體處理。首先，對于母盤執(zhí)行記錄(步驟SI)，并且基于記錄之后的母盤創(chuàng)建光盤(步驟S2)。此后，執(zhí)行對于已經(jīng)創(chuàng)建的光盤的評估值的測量(步驟S3)，并且識別評估值是否在可允許范圍內(步驟S4)。執(zhí)行基于測量評估值的結果的母盤制作策略的調整，作為在評估值在可允許范圍內的情況下的策略調整處理(步驟S5)。具體地，執(zhí)行策略的調整，其中在步驟S3中測量的評估值是最佳值。在諸如這種的策略調整處理之后，從母盤記錄(步驟SI)起再次執(zhí)行處理。也就是說，由于此，重復策略的調整，直到從光盤測量的評估值在可允許范圍內。根據(jù)上述方法，可能通過基于從光盤測量的評估值調整母盤制作策略，更可靠地制造聞質量的光盤。

發(fā)明內容
然而，在使用上述方法的策略調整的情況下，因為每次執(zhí)行光盤的形成，所以策略調整的操作效率顯著劣化。此外，對于策略調整，存在擔心可能需要創(chuàng)建大量不能用作最終產品的光盤，并且可能促使母盤、壓模和光盤的形成時材料的不必要消耗。希望通過實現(xiàn)形成用于策略調整的不需要光盤的次數(shù)的減少，實現(xiàn)母盤制作策略調整的操作效率的改進并且避免光盤形成時材料的浪費，同時實現(xiàn)避免作為最終產品的光盤的產品質量的降低。根據(jù)本公開的實施例，提出以下作為母盤制作策略調整方法。
也就是說，存在在設置預定寫入策略的狀態(tài)下，對于母盤執(zhí)行第一記錄。此外，存在執(zhí)行評估值的第一測量，所述評估值是對于在執(zhí)行第一記錄時對于母盤記錄的信號的信號質量的評估指示符。此外，存在基于在執(zhí)行第一記錄時已經(jīng)執(zhí)行記錄的母盤，形成第一光盤記錄介質。此外，存在對于在形成第一光盤時形成的光盤記錄介質的記錄信號，執(zhí)行評估值的第二測量。此外，存在基于在執(zhí)行第一測量時測量的評估值和在執(zhí)行第二測量時測量的評估值的差別，對于母盤計算評估值的目標值。此外，存在調整在執(zhí)行第一記錄時設置的第一寫入策略，使得對于母盤的評估值匹配目標值，在設置調整的寫入策略的狀態(tài)下，對于母盤執(zhí)行記錄，對于母盤的記錄信號執(zhí)行評估值的測量，執(zhí)行確定已經(jīng)測量的評估值是否是至少在目標值設為基準的情況下的預 定范圍內的值的處理，直到能夠在確定中獲得肯定結果。根據(jù)本公開的另ー實施例，提出以下作為盤制造方法。也就是說，存在在設置預定寫入策略的狀態(tài)下，對于母盤執(zhí)行第一記錄。此外，存在執(zhí)行評估值的第一測量，所述評估值是對于在執(zhí)行第一記錄時對于母盤記錄的信號的信號質量的評估指示符。此外，存在基于在執(zhí)行第一記錄時已經(jīng)執(zhí)行記錄的母盤，形成第一光盤記錄介質。此外，存在對于在形成第一光盤時形成的光盤記錄介質的記錄信號，執(zhí)行評估值的第二測量。此外，存在基于在執(zhí)行第一測量時測量的評估值和在執(zhí)行第二測量時測量的評估值的差別，對于母盤計算評估值的目標值。此外，存在調整在執(zhí)行第一記錄時設置的寫入策略，使得對于母盤的評估值匹配目標值，在設置調整的寫入策略的狀態(tài)下，對于母盤執(zhí)行記錄，對于母盤的記錄信號執(zhí)行評估值的測量，并且執(zhí)行確定已經(jīng)測量的評估值是否是至少在目標值設為基準的情況下的預定范圍內的值的處理，直到能夠在確定中獲得肯定結果。此外，存在基于在確定中獲得肯定結果時設置的寫入策略，在設置策略的狀態(tài)下對于母盤執(zhí)行第三記錄，并且基于在執(zhí)行第三記錄時已經(jīng)執(zhí)行記錄的母盤，形成第三光盤記錄介質。在如上所述的本公開的實施例中，執(zhí)行對于其中已經(jīng)使用預定策略設置執(zhí)行記錄的母盤的評估值的測量(評估值的第一測量的執(zhí)行)，基于已經(jīng)執(zhí)行記錄(盤的第一形成)的母盤形成一次光盤記錄介質，并且執(zhí)行對于光盤記錄介質的評估值的測量(評估值的第ニ測量的執(zhí)行)。然后，基于對于母盤的評估值和光盤記錄介質的評估值的差別，計算對于母盤的評估值的目標值(目標值的計算)。此后，執(zhí)行母盤制作策略的調整，使得對于母盤的評估值匹配目標值，在設置調整的寫入策略的狀態(tài)下執(zhí)行對于母盤的記錄，執(zhí)行對于母盤的記錄信號的評估值的測量，并且執(zhí)行確定已經(jīng)測量的評估值是否至少是在目標值設為基準的情況下的預定范圍內的值的處理，直到在確定中能夠獲得肯定結果(寫入策略的第ー調整)。通過采用這樣的序列，其中執(zhí)行母盤制作策略的調整，使得通過執(zhí)行直到以此方式(其中對于母盤的記錄信號的評估值跟蹤目標值)形成光盤記錄介質一次，從母盤的評估值和光盤記錄介質的評估值的差別計算母盤的評估值的目標值之后，評估值匹配目標值，可能將策略調整所必須的形成光盤記錄介質的次數(shù)抑制為至少一次。也就是說，通過實現(xiàn)不必要的形成用于策略調整的光盤記錄介質的次數(shù)的減少，可能實現(xiàn)母盤制作策略調整的操作效率的改進，并且避免根據(jù)光盤的形成的材料的浪費。此時，因為執(zhí)行策略調整以反映策略調整中實際形成的光盤記錄介質的評估值到這樣的程度，所以可能提高光盤記錄介質的信號質量。根據(jù)本公開的實施例，通過實現(xiàn)避免作為最終產品的光盤記錄介質的產品質量的降低，并且實現(xiàn)不必要的形成用于策略調整的光盤記錄介質的次數(shù)的減少，可能實現(xiàn)母盤制作策略調整的操作效率的改進，并且避免根據(jù)光盤的形成的材料的浪費。


圖IA到IJ是用于描述用于制造光盤記錄介質的處理的圖；圖2是圖示母盤記錄設備的配置示例的圖；圖3是用于描述根據(jù)實施例的母盤制作策略調整方法的概念的流程圖；圖4A和4B是用于描述基于差別的目標值計算序列的圖；圖5A和5B是用于描述母盤評估值的可靠性的降低的圖；圖6是作為其中碼長度的掌握由于圖案匹配而可能的評估部分的內部配置的示例的圖；圖7是用于描述具體母盤制作策略調整序列的流程圖，該母盤制作策略調整序列包括用于改進母盤制作評估值的可靠性的處理和確認處理；以及圖8是圖示現(xiàn)有技術的母盤制作策略的具體序列的流程圖。
具體實施例方式下面，將描述根據(jù)本公開的實施例。在此，將以下面的順序執(zhí)行描述。[I.盤制造序列][2.母盤記錄設備配置示例][3.實施例的策略調整的概念][4.改進母盤評估值的可靠性][5.確認處理][6.具體策略調整方法][7.修改的示例][I.盤制造序列]首先，將使用圖IA到IJ描述用于制造光盤記錄介質的處理。在圖IA到IJ中，作為用于制造光盤記錄介質的處理，可能寬泛分類為母盤制造處理、記錄處理(曝光序列)、顯影處理、模型(壓模)制造處理、或者記錄介質制造處理。在此，說明書中所稱的光盤記錄介質指示具有盤形狀的記錄介質，其中通過光的照射讀出記錄信息。下面，光盤記錄介質也可以簡稱為光盤。圖IA圖不由光母盤(下面簡稱為母盤(disc master)或母盤(master))配置的母盤形成基底100。首先，通過濺射方法在母盤形成基底100上均勻沉積(光刻膠層形成序列，圖1B)從無機系統(tǒng)的光刻膠材料形成的無機光刻膠層101。由于此，首先，形成無機光刻膠母盤102 (預記錄母盤)。在該示例中，作為其中制造母盤的母盤制作處理，使用無機系統(tǒng)的光刻膠材料執(zhí)行利用PTM方法的母盤制作。此時，作為提供為光刻膠層101的材料，可以使用過渡金屬的不完全氧化物。例如，作為具體的過渡金屬，存在 Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Cu、Ni、Co、Mo、Ta、W、Zr、Ru、Ag 等。在此，不特別限制光刻膠層101的具體材料，只要該材料(由于伴隨激光 照射的熱反應，對于光敏感)能夠所謂的熱敏成像。在此，為了改進無機光刻膠層101的曝光靈敏度，可以在基底100和光刻膠層101之間形成預定的中間層99，其形狀在圖IB中圖示。在任何情況下，如果沉積光刻膠層101以便暴露于基底100的上層上的外部部分，使得其能夠根據(jù)曝光期間的激光光學照射感光，則是足夠的。此外，在此情況下，作為母盤形成基底100，例如可以使用Si晶片基底，并且通過濺射執(zhí)行上述光刻膠層101的沉積。在此情況下，DC或RF濺射用作沉積方法。接下來，曝光和光敏化對應于光刻膠層101的信號圖案的選擇性曝光(光刻膠層曝光處理，圖1C)。在此，通過使用稍后將描述的母盤記錄設備I執(zhí)行該曝光處理(記錄處理)。然后，通過光刻膠層101的顯影(光刻膠層顯影處理，圖1D)形成其中形成預定凹凸圖案的母盤103 (下面也稱為顯影后母盤103)。在光刻膠層顯影處理中，作為具體顯影方法，可能存在通過沉浸的浸潰方法，可替代地，在通過旋涂器旋轉的母盤102上涂覆化學溶劑的方法等。對于顯影液，例如，可以使用諸如TMAH(四甲基氫氧化銨)的有機堿性顯影液，或者諸如KOH、NaOH、磷酸的無機堿性顯影液。接下來，在用水沖洗如上所述形成的顯影后母盤103之后，使用電鑄槽制造金屬母盤(電鑄處理，圖1E)。然后，在電鑄之后，獲得用于成型的壓模104，其通過顯影后母盤103和金屬母盤的分離轉印顯影后母盤103的凹凸圖案(圖1F)。在此情況下，Ni用作上述金屬母盤(壓模104)的材料。在此，在執(zhí)行圖IE的電鑄處理之前，可能通過執(zhí)行顯影后母盤103的表面的分離處理改進脫模特性，并且根據(jù)需要執(zhí)行分離處理。對于脫模特性的改進足夠的是例如對于顯影后母盤103執(zhí)行下述處理的任ー個。I)在加熱到40到60°的堿性液中沉浸幾分鐘。2)在加熱到40到60°的電解堿性液中沉浸幾分鐘的同時電解氧化。3)使用RIE等形成氧化物膜。4)使用沉積設備沉積金屬氧化物膜?；蛘呖商娲?，可能通過對于選擇為預定無機光刻膠材料的金屬母盤具有更容易從模型脫離的氧成分比的合成物材料，實現(xiàn)脫模特性的改進。在此，在制造壓模104之后，用水沖洗顯影后母盤103，然后保持在干燥狀態(tài)。可以根據(jù)需要重復制造希望數(shù)目的壓模104。
接下來，通過使用壓模104的注入成型從作為熱塑樹脂的聚碳酸酯形成樹脂盤基底 105 (圖 1G)。此后，分離壓模104 (圖1H)，并且通過樹脂盤基底105的凹凸表面上諸如Ag合金的反射涂層106 (圖II)和大約O. Imm的涂層厚度的保護涂層107 (圖1J)的沉積，形成光盤。也就是說，由于此，獲得通過使用凹凸圖案存儲信息的光盤記錄介質。[2.母盤記錄設備配置示例]圖2示出使用PTM方法執(zhí)行母盤制作的本示例的母盤記錄設備I的配置示例。在母盤制作處理中，母盤記錄設備I通過對于其中形成無機光刻膠101的預記錄母盤102執(zhí)行根據(jù)激光照射的熱敏成像動作，執(zhí)行記錄標記的形成。在圖2中，母盤記錄設備I提供有作為拾取頭10的虛線示出的配置。在拾取頭10中，作為半導體激光器的激光光源11根據(jù)要制造的光盤記錄介質的類型設置波長。在該示 例的情況下，對應于BD設置大約405nm的波長。在通過準直透鏡102成為平行光之后，從激光光源11發(fā)射的激光被引導到偏振光束分束器14，其中光斑形狀例如由變形棱鏡13轉換為圓形。然后，通過偏振光束分束器14透射的偏振分量通過λ/4波片15和擴束器16引導到物鏡17，并且通過聚光物鏡17照射到無機光刻膠母盤102上。如上所述，通過物鏡17照射到母盤102的激光在母盤102的無機光刻膠101上連接焦點。通過無機光刻膠101吸收激光束，特別在照射部分的中心附近加熱到高溫的部分處出現(xiàn)結晶化。通過該動作，在無機光刻膠層101上形成光刻膠圖案。在偏振光束分束器14中反射的激光照射在監(jiān)視檢測器19 (用于監(jiān)視激光功率的光檢測器)上。監(jiān)視檢測器19根據(jù)激光的接收光量(光強)輸出光強監(jiān)視信號SM。另ー方面，照射在無機光刻膠母盤102上的激光的返回光通過物鏡17、擴束器16和λ /4波片15，并且到達偏振光束分束器14。在此，如之前在日本未審專利申請公開No. 2009-64542中所述，在采用PTM方法的情況下，可能通過無機光刻膠層101中曝光部分的轉換，通過使用曝光部分和非曝光部分的差別讀出記錄信號。也就是說，在顯影之前的階段，可能讀出記錄信號。在此,如上所述到達偏振光束分束器14的激光的返回光由于λ /4波片15的向外路徑和返回路徑的兩次通過，旋轉偏振光表面90°，并且由偏振光束分束器14反射。由偏振光束分束器14反射的返回光通過光會聚透鏡20和柱面透鏡21在光檢測器22的光接收面接收。光檢測器22的光接收面例如提供有四個接收面，并且能夠獲得由于象散的聚焦
誤差信號。在光檢測器22的每個接收面，根據(jù)接收光量輸出電流信號，并且電流信號提供到反射光計算電路23。反射光計算電路23將來自四個光接收面的每個的電流信號轉換為電壓信號，并且通過執(zhí)行作為象散方法的計算處理生成聚焦誤差信號FE。此外，還生成作為和信號的RF信號(母盤102的記錄信號的再現(xiàn)信號)。如圖所示，聚焦誤差信號FE提供到聚焦控制電路24，并且RF信號提供到稍后將描述的評估部分25。聚焦控制電路24形成其中把持物鏡17的致動器18的伺服驅動信號FS，以便能夠基于聚焦誤差信號FE在聚焦方向上移動。然后，通過致動器18基于伺服驅動信號FS在對于無機光刻膠母盤102分離的方向上驅動物鏡17，執(zhí)行聚焦伺服。無機光刻膠母盤102由主軸電動機8旋轉驅動。在通過主軸伺服/驅動器5控制旋轉速度的同時，旋轉驅動主軸電動機8。由于此，無機光刻膠母盤102例如以預定線速度旋轉。 通過滑動驅動器6驅動滑動器7，加載無機光刻膠母盤102，并且移動包括主軸結構的基部的整體。也就是說，通過在由滑動器7在徑向移動的同時，使用上述光學系統(tǒng)，無機光刻膠母盤102在由主軸電動機8旋轉的狀態(tài)下曝光，以螺旋形狀形成在無機光刻膠層101處形成的凹槽部分(凹坑行軌道)。通過傳感器9檢測無機光刻膠母盤102由于滑動器7的移動位置，也就是說，曝光位置(盤徑向位置滑動器徑向位置)。來自傳感器9的位置檢測信息SS提供到下面將描述的控制器2。評估部分25基于RF信號測量位置的預定評估值，該評估值是對于母盤102的記錄信號的信號質量的評估指示符。在此，在本示例的情況下，作為上述評估值，測量記錄信號中要作為凹坑的部分(由于顯影劑變?yōu)榘枷虏糠值牟糠?的長度，以及作為對于其位置的評估指示符的值。具體地，對于凹坑部分的讀取邊緣(前緣)位置和尾部邊緣(后緣)位置的至少ー個執(zhí)行評估值的測量。此外，通過對于每個凹坑長度(碼長度)的分離分類執(zhí)行該評估值。使用評估部分25對于每個碼長度分離計算的評估值提供到控制器2?？刂破?例如由微計算機配置，并且執(zhí)行母盤記錄設備I的總體控制。例如，通過執(zhí)行對于主軸伺服/驅動器5的主軸旋轉動作控制、使用滑動驅動器6的滑動器7的移動動作控制等，執(zhí)行母盤102上記錄位置的控制。此外，特別在本示例的情況下，執(zhí)行圖像顯示，其中使用評估部分25的評估值的測量結果等顯示在顯示部分27的圖的中央，并且此外，還基于來自操作部分26的操作輸入信息執(zhí)行基于來自用戶(操作者)的指令的寫入策略設置處理。記錄波形生成部分3通過對于輸入數(shù)據(jù)執(zhí)行預定記錄轉換編碼處理，獲得記錄轉換碼行，并且基于由控制器2指示的寫入策略執(zhí)行根據(jù)記錄轉換碼行的記錄波形的生成。激光驅動器4輸入由記錄波形生成部分3生成的記錄波形(記錄驅動信號)，并且驅動拾取頭10中的激光光源11。激光驅動器4根據(jù)記錄驅動信號施加光發(fā)射驅動電流到激光光源11。在此，對于激光驅動器4還從監(jiān)視檢測器19提供光強監(jiān)視信號SM。激光驅動器4還能夠基于光強監(jiān)視信號SM和基準值的比較結果，執(zhí)行激光發(fā)光控制。[3.實施例的策略調整的概念]實施例的母盤制作策略調整序列指用于確定優(yōu)化為寫入策略的策略的調整序列，在圖I所述的光盤記錄介質的制造過程中的母盤記錄期間設置該寫入策略。下面，將參照圖3的流程圖描述實施例的母盤制作策略調整序列的概念。
在圖3中，首先，在步驟SlOl中，用預定策略執(zhí)行母盤記錄。也就是說，在使用母盤記錄設備I設置預定策略的狀態(tài)下，執(zhí)行對于無機光刻膠母盤102的預定測試圖案的記求。在此，作為上述預定策略，例如，在諸如初始策略的策略調整方面，設置預定確定的策略以便設為對應于初始母盤記錄是足夠的。能夠使用經(jīng)由圖2所示的操作部分26的操作輸入，執(zhí)行在設置策略或開始記錄時的指令。接下來，在步驟S102中，對于母盤執(zhí)行目標T(T :信道時鐘)的評估值的測量。也就是說，評估部分25對于預定碼長度執(zhí)行評估值的測量，該預定碼長度預先確定為作為在步驟SlOl中在母盤102中記錄的測試圖案的記錄信號中包括的每個碼長度(長度Τ)中的評估值測量的目標。在此，存在對于以此方式由評估部分25對于母盤102的記錄信號測量的評估值的評估值符號EV-M。接下來，在步驟S103中，基于記錄之后的母盤形成盤。也就是說，基于記錄之后的母盤102，通過如圖I所示執(zhí)行顯影處理(圖1D)到保護膜107的形成處理(圖1J)，形成光盤記錄介質。然后，接下來，在步驟S104中，執(zhí)行對于盤的目標T的評估值的測量。也就是說，對于在步驟S103中形成的光盤，對于每個長度T執(zhí)行包括在記錄信號中的目標T的評估值的測量。使用對于光盤的評估設備而不是母盤記錄設備I，執(zhí)行步驟S104中的光盤的評估值的測量。在此，因為光盤的評估設備的配置是常識(對于邊緣位置、碼長度等測量評估值的設備)，所以在此將省略使用附圖的描述。下面，在步驟S104中測量的對于光盤的評估值是評估值EV-D。接下來，在步驟S105中，計算評估值EV-M和評估值EV-D的差別D?？梢酝ㄟ^操作者執(zhí)行差別D的計算，或者可以通過將每個評估值EV的信息輸入預定信息處理設備來計算。接下來，在步驟S106中，基于差別D計算對于母盤的評估值的目標值。在此，同樣對于目標值的計算，可以通過操作者自己執(zhí)行計算，或者可以通過將信息輸入預定信息處理設備來計算。在此，將參照圖4Α和4Β描述基于差別D的目標值的計算序列。圖4Α圖示對于母盤102中特定碼長度的頻率分布，并且圖4Β圖示對于相同碼長度的頻率分布，該分頻分布是對于基于母盤102形成的光盤測量的。如上所述，在對于母盤的評估值測量結果和對于光盤的評估值測量結果中存在偏差。在圖4Α和4Β中，示出這樣的情況作為示例，其中母盤中的碼長度的頻率分布的中心(平均值)與其理想值顯著偏差，并且光盤中的碼長度的頻率分布的中心與其理想值沒有偏差到此程度。上述步驟S106中評估值EV-M和評估值EV-D的差別D的計算等價于圖4所示的“D”部分的計算。也就是說，因為對于母盤測量的評估值能夠取為與盤側的評估值偏移偏差D，所以、作為使基于偏差D與理想值偏移的值(也就是說,使用偏差D施加校正的值)作為母盤制作策略調整中的目標而不是理想值作為目標的結果，可能實現(xiàn)在盤側測量的評估值與理想值的匹配。具體地，例如，如果母盤的頻率分布的中心與理想值偏差“1.0”，并且盤側與理想值僅偏差“ O. 5”，則通過設置母盤的目標值為與理想值偏差“ O. 5”的值，可能實現(xiàn)盤側的中心位置與理想值的匹配。

描述將返回圖3。在基于步驟S106中的差別D執(zhí)行目標值的計算之后，在步驟S107中調整策略以便匹配目標值。在此，關于對于母盤的記錄，即使由于目標值的計算使得凹坑位置要移動的量清楚，也不必定明確確定策略要通過移動該量所調整的程度。例如，當移動前緣時，可能出現(xiàn)其效果移動后緣的顯影，并且極難預先得到策略調整量和凹坑的實際移動量之間的關系。由于這些情況，在該示例中，使用所謂反復試驗作為基礎執(zhí)行策略調整以匹配目標值，其中操作者輸入對于從目標值估計的策略的指令到母盤記錄設備1，測量由于此記錄的信號的評估值，并且在從測量結果需要進ー步校正的情況下，在執(zhí)行校正之后通過策略的指令的重置再次執(zhí)行記錄。具體地，在上述步驟S107中策略的調整以便匹配目標值之后(通過操作者的策略的指令的設置)，在步驟S108中在設置調整之后的策略的狀態(tài)下執(zhí)行母盤記錄，并且此外，接下來在步驟S109中，測量目標T的評估值。然后，接下來，在步驟SllO中，計算與目標值的偏差。在此，對于以此方式在步驟S109中測量結果和目標值的偏差的計算，可以通過母盤記錄設備I執(zhí)行計算，或者可以基于在顯示部分27中顯示的測量結果的信息由操作者等執(zhí)行計算。接下來，在步驟Slll中，識別在步驟SllO中計算的偏差是否在可允許的范圍內。然后，識別已經(jīng)計算的偏差量是否是預先設置的預定范圍中的值。在步驟Slll中，在獲得否定結果使得如上所述已經(jīng)計算的偏差量不在可允許的范圍內的情況下，序列返回步驟S107。由于此，執(zhí)行從步驟S107到SllO的處理，也就是說，執(zhí)行根據(jù)偏差量的策略的重新調整、使用重新調整之后的策略的母盤記錄、評估值的測量、以及與目標值的偏差的計算，直到偏差量在可允許的范圍內。換句話說，執(zhí)行策略調整，使得在目標值作為基準情況下，使母盤的評估值在預定可允許的范圍內。另ー方面，在步驟Slll中獲得肯定結果使得如上所述計算的偏差量在可允許的范圍內的情況下，完成圖中所示的用于調整母盤制作策略的序列。在此，在圖3所示的用于調整母盤制作策略的序列完成(也就是說，最佳的策略的導出完成)之后，在設置最終調整的策略的狀態(tài)下(策略在可允許的范圍內時)，對于無機光刻膠母盤102重新執(zhí)行記錄。下文中，對于記錄之后的母盤102執(zhí)行圖I所述的顯影處理(圖1D)到保護膜107的形成處理(圖IJ)，并且光盤記錄介質形成為產品。由于此，作為基于母盤形成光盤產品的結果，可能實現(xiàn)高質量的光盤產品，該母盤中已經(jīng)使用基于實際形成的光盤記錄介質的評估值導出的最佳策略執(zhí)行記錄。
根據(jù)如上所述的母盤制作策略調整序列，在策略調整方面所需的形成光盤記錄介質的次數(shù)能夠抑制為1，結果，與用圖8描述的現(xiàn)有技術的策略調整序列相比，可能顯著簡化策略調整中的操作處理，并且能夠實現(xiàn)操作效率的改進。此外，由于形成光盤的次數(shù)的減少，能夠實現(xiàn)光盤形成時避免材料的浪費。此外，根據(jù)由于上述描述的母盤制作策略序列，可能基于實際形成的光盤記錄介質的評估值實現(xiàn)高質量的光盤記錄介質。根據(jù)本實施例的母盤制作策略調整序列，通過實現(xiàn)形成用于策略調整的不需要光盤的次數(shù)的減少，可能實現(xiàn)母盤制作策略調整的操作效率的改進并且避免光盤形成時材料的浪費，同時實現(xiàn)避免作為最終產品的光盤的產品質量的降低。此外，在該示例中，因為關于母盤記錄處理采用PTM方法，所以可能在母盤的評估值的測量中不必再次執(zhí)行母盤的顯影處理。對于這點，能夠實現(xiàn)母盤制作策略調整的操作效率的改進。此時，在該實施例中，執(zhí)行策略調整、記錄和評估值的測量(S107到S111)，直到在·對于母盤的評估值設置目標值之后，在目標值作為基準的情況下，母盤的評估值在可允許的范圍內，但是可能進ー步利用PTM記錄的優(yōu)點，也就是說，操作效率改進的優(yōu)點，其中由于以此方式根據(jù)目標值提供策略調整處理，對于顯影處理之前的母盤的信號的讀出是可能的。[4.改進母盤評估值的可靠性]在此，如從直到這里的描述所理解的，在記錄和基于反射光獲得的再現(xiàn)信號(RF信號)之后，通過對于母盤102照射的激光執(zhí)行記錄之后對于母盤102的評估值的測量。在由于以此方式的序列從母盤102獲得再現(xiàn)信號的情況下，存在對于難以適當?shù)貓?zhí)行碼長度的分離和對于每個碼長度的評估值的測量結果的可靠性降低的擔心。圖5A和5B是用于描述這點的圖，圖5A圖示在碼長度的分離極好的狀態(tài)下的每個碼長度的頻率分布(對于2T到7T的每個碼長度的頻率分布)，并且圖5B圖示在對于母盤102通過直接激光照射獲得再現(xiàn)信號的情況下，每個碼長度的頻率分布(對于以相同方式的2T到7T)。在對于母盤102通過直接激光照射獲得再現(xiàn)信號的情況下，特別對于2T和3T的短碼長度，碼長度的分離差，結果，存在如圖5B所示的通過原始分類為2T的碼長度的評估值分類為3T的評估長度，對于每個碼長度的評估值的測量結果的可靠性降低或出現(xiàn)相反現(xiàn)象的擔心。因此，在該示例中，如下執(zhí)行對于每個碼長度的評估的測量，以便實現(xiàn)避免以此方式的評估值的可靠性的降低。也就是說，通過記錄在母盤102中的碼圖案存儲在存儲器等中，并且記錄碼圖案與通過讀出在母盤102中實際記錄的碼圖案獲得的再現(xiàn)信號同步，當前讀出的再現(xiàn)信號中的碼長度對應于適當掌握的碼長度。換句話說，通過執(zhí)行記錄碼圖案和再現(xiàn)信號的圖案匹配，適當?shù)卣莆债斍按a長度。圖6示出評估部分25的內部配置的示例，其中可能以此方式使用圖案匹配掌握碼長度。在圖6中，在此情況下的評估部分25提供有ニ進制化電路30、時鐘生成電路31、同步和當前碼長度指示部分32、存儲器33和不同碼長度評估值測量部分34。首先，在此情況下，要對于母盤102記錄的記錄碼圖案33A存儲在存儲器33中。能夠使用同步和當前碼長度指示部分32讀出作為記錄碼圖案33A的信息。在此情況下，來自圖I所示的反射光計算電路23的RF信號輸入ニ進制化電路30和時鐘生成電路31。ニ進制化電路30將RF信號ニ進制化。ニ進制化的RF信號(如下稱為ニ進制化RF信號)提供到同步和當前碼長度指示部分32和不同碼長度評估值測量部分34。時鐘生成電路31基于RF信號生成與RF信號同步的再現(xiàn)時鐘。再現(xiàn)時鐘提供到同步和當前碼長度指示部分32和不同碼長度評估值測量部分34。
同步和當前碼長度指示部分32將ニ進制化的RF信號和記錄碼圖案33A同歩。具體地，考慮之前使用圖5描述的碼分離的問題并且鑒于匹配等于或大于碼分離極好的預定長度的碼長度的信號部分(其中碼長度分布中不存在重疊)，執(zhí)行在此情況下的同歩。具體地，在光盤形成為如在該示例中的BD的情況下，例如，鑒于7T信號部分同步ニ進制化的RF信號和記錄碼圖案。同步和當前碼長度指示部分32基于同步之后的記錄碼圖案33A，將當前碼長度指示給不同碼長度評估值測量部分34。為了描述順序用于確認，同步和當前碼長度指示部分32根據(jù)再現(xiàn)時鐘，基于以此方式同步之后的記錄碼圖案33A執(zhí)行當前碼長度的指示。不同碼長度評估值測量部分34根據(jù)關于從同步和當前碼長度指示部分32指示的當前碼長度的信息，基于ニ進制化的RF信號對于每個碼長度執(zhí)行評估值的測量。換句話說，根據(jù)關于從同步和當前碼長度指示部分32指示的當前碼長度的信息，對于每個碼長度分類和保持基于ニ進制化的RF信號測量的評估值。在此情況下，至少測量前緣位置和后緣位置的評估值作為評估值，并且不同碼長度評估值測量部分34在這些評估值的測量中使用再現(xiàn)時鐘。由于如上所述的配置，由于對于來自母盤102的再現(xiàn)信號的圖案匹配，可能適當?shù)卣莆沾a長度，結果，可能實現(xiàn)母盤的評估值的可靠性的改進。此外，通過提高評估值測量結果的可靠性，可能有效地執(zhí)行與目標值的匹配，結果，能夠實現(xiàn)策略調整操作的效率的進ー步改進。[5.確認處理]此外，在之前使用圖3描述的母盤制作策略調整序列的概念中，在目標值作為基準的情況下，根據(jù)對于母盤102測量的評估值在可允許的范圍內，完成策略調整，但是在更可靠地改進光盤的產品質量的含義的情況下，可能再次形成光盤，并且執(zhí)行其評估值的測量，并且在母盤的評估值以此方式在可允許的范圍內之后，在理想值作為基準的情況下，確認評估值是否在預定的可允許的范圍內。然后，作為以此方式執(zhí)行確認處理的結果，在光盤的評估值不在上述可允許的范圍內的情況下，再次執(zhí)行策略的調整。具體地，執(zhí)行策略調整使得根據(jù)光盤的評估值和理想值的偏差量，校正對于母盤的評估值的目標值，并且基于已經(jīng)校正的目標值，再次匹配母盤的評估值與校正之后的目標值。通過以此方式根據(jù)確認處理及其結果，再次執(zhí)行母盤制作策略調整，可能實現(xiàn)光盤的產品質量的更可靠改進。[6.具體策略調整方法]圖7是用于描述具體策略調整方法的流程圖，該具體策略調整方法包括用于改進母盤評估值(圖案匹配)的可靠性的處理以及已經(jīng)使用上面的描述來描述的確認處理。在此，在圖7中，對于具有與已經(jīng)在圖3中描述內容的相同內容的序列，將通過附加相同的步驟號碼省略描述。如與圖3的比較所理解的，在此情況下執(zhí)行步驟S201的序列替代圖3中的步驟S102，并且執(zhí)行步驟S202的序列替代步驟S109。此外，在此情況下，在步驟Slll中獲得肯定結果的情況下，也就是說，在母盤的評估值在基于目標值的可允許的范圍內的情況下，執(zhí) 行S203到S205和根據(jù)需要的步驟S206的序列。首先，步驟S201和步驟S202都是在對于記錄之后的母盤102的評估值的測量中的序列。具體地，步驟S201是在作為步驟SlOl的初始母盤記錄之后執(zhí)行的序列，并且步驟S202是在作為步驟S109的目標值的設置之后的母盤記錄之后執(zhí)行的序列。在步驟S201和步驟S202中，使用圖案匹配測量的目標T的評估值(EV-M)作為對于母盤的評估值的測量。也就是說，圖6所示的評估部分25使用上述圖案匹配，對于作為目標的每個碼長度測量評估值。此外，在步驟SI 11中獲得肯定結果之后的步驟S203中，基于記錄之后的母盤形成盤。也就是說，在目標值作為基準的情況下，在評估值識別為在可允許的范圍內之后，基于母盤102形成光盤。接下來，在步驟S204中，對于已經(jīng)形成的光盤測量目標T的評估值。評估值的測量目標在此是這樣的部分，其對應于當在步驟Slll中識別為在可允許的范圍內時，在設置策略的狀態(tài)下記錄的母盤上記錄部分。然后，接下來，在步驟S205中，識別評估值是否在可允許的范圍內。也就是說，在理想值作為基準的情況下，識別在步驟S204中測量的評估值是否在可允許的范圍內。在步驟S205中獲得評估值不在可允許的范圍內的否定結果的情況下，序列進到步驟S206，并且基干與理想值的偏差量校正目標值。也就是說，執(zhí)行目標值的校正，使得抵消在步驟S204中測量的評估值與理想值的偏差量。在校正目標值之后，序列如圖所示返回步驟S207。由于此，基于校正之后的目標值執(zhí)行母盤制作策略的重新調整。另ー方面，在步驟S205中獲得評估值在可允許的范圍內的肯定結果的情況下，用于圖中所示的母盤制作策略調整的序列完成。[7.修改的示例]下面，描述根據(jù)本公開的實施例，但是本公開不限于直到在此描述的具體示例。例如，對于母盤的記錄方法不限于PTM方法。在對于母盤的記錄信號的讀出需要顯影的情況下，如果通過顯影之后對于母盤103的激光照射執(zhí)行信號的讀出(評估值的測量)則是足夠的。此外，示出其中采用評估值測量方法的情況作為示例，其中使用圖案匹配以便實現(xiàn)母盤的評估值的可靠性的改進，但是當對于光盤測量評估值時，也能夠應用以此方式使用圖案匹配的評估值測量方法。
此外，在直到在此的描述中，存在這樣的示例，其中對于邊緣位置的評估值(也包括對于凹坑長度的評估值)測量為作為母盤和光盤的記錄信號的質量的評估指示符的評估值，但是例如，也可能基于諸如抖動和非対稱性的其他評估值執(zhí)行策略調整。在任ー情況下，如果記錄信號的質量的評估指示符用作評估值則是足夠的。此外，本公開能夠適當?shù)貞糜诠獗P的制造，其中用凹坑和平臺的組合記錄信息，并且能夠不但應用于所謂ROM型光盤的制造，而且能夠應用于光盤的制造，如果它是具有用凹坑和平臺的組合記錄信息的部分的光盤，即使它是作為一次寫入型或可重寫型的光盤。本申請包含涉及于2011年3月15日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權專利申請 JP2011-056186中公開的主題，在此通過引用并入其全部內容。本領域的技術人員應該立即，取決于設計要求和其他因素，可以出現(xiàn)各種修改、組合、字組合和更替，只要它們在所附權利要求或其等價物的范圍內。
權利要求
1.一種母盤制作策略調整方法，包括 在設置預定寫入策略的狀態(tài)下，對于母盤執(zhí)行第一記錄； 執(zhí)行評估值的第一測量，所述評估值是對于在執(zhí)行第一記錄時對于母盤記錄的信號的信號質量的評估指示符； 基于在執(zhí)行第一記錄時已經(jīng)執(zhí)行記錄的母盤，形成第一光盤記錄介質； 對于在形成第一光盤時形成的光盤記錄介質的記錄信號，執(zhí)行評估值的第二測量； 基于在執(zhí)行第一測量時測量的評估值和在執(zhí)行第二測量時測量的評估值的差別，對于母盤計算評估值的目標值；以及 調整在執(zhí)行第一記錄時設置的第一寫入策略，使得對于母盤的評估值匹配目標值，在設置調整的寫入策略的狀態(tài)下，對于母盤執(zhí)行記錄，對于母盤的記錄信號執(zhí)行評估值的測量，并且執(zhí)行確定已經(jīng)測量的評估值是否是至少在目標值設為基準的情況下的預定范圍內的值的處理，直到能夠在確定中獲得肯定結果。
2.如權利要求I所述的母盤制作策略調整方法， 其中使用PTM(相變母盤制作)方法執(zhí)行對于母盤的記錄。
3.如權利要求2所述的母盤制作策略調整方法， 其中對于作為目標的每個碼長度測量評估值，并且 在至少對于每個碼長度的對于母盤的評估值的測量中，在預先存儲的要在母盤中記錄的記錄碼圖案與來自母盤的再現(xiàn)信號同步的情況下，基于已經(jīng)同步的記錄碼圖案，執(zhí)行每個碼長度的分類。
4.如權利要求3所述的母盤制作策略調整方法， 其中，在包括在記錄碼圖案和再現(xiàn)信號中的每個碼長度中的碼長度分布沒有重疊的情況下，鑒于等于或大于預定長度的碼長度的匹配，執(zhí)行對于再現(xiàn)信號的記錄碼圖案的同歩。
5.如權利要求4所述的母盤制作策略調整方法，還包括 在設置寫入策略的狀態(tài)下，對于母盤執(zhí)行第二記錄，所述寫入策略是在調整第一寫入策略時確定的； 基于在執(zhí)行第二記錄時已經(jīng)執(zhí)行記錄的母盤，形成第二光盤記錄介質；以及 對于在形成第二光盤時形成的光盤記錄介質的記錄信號，執(zhí)行評估值的第三測量。
6.如權利要求5所述的母盤制作策略調整方法，還包括 基于在執(zhí)行第三測量時測量的評估值與其理想值的差別，執(zhí)行目標值的校正；以及調整在調整第一寫入策略時確定的第二寫入策略，使得對于母盤的評估值匹配在執(zhí)行目標值的校正時已經(jīng)校正的目標值，在設置調整的寫入策略的狀態(tài)下對于母盤執(zhí)行記錄，對于母盤的記錄信號執(zhí)行評估值的測量，并且執(zhí)行確定已經(jīng)測量的評估值是否是至少在校正的目標值設為基準的情況下的預定范圍內的值的處理，直到能夠在確定中獲得肯定結果O
7.一種盤制造方法，包括 在設置預定寫入策略的狀態(tài)下，對于母盤執(zhí)行第一記錄； 執(zhí)行評估值的第一測量，所述評估值是對于在執(zhí)行第一記錄時對于母盤記錄的信號的信號質量的評估指示符； 基于在執(zhí)行第一記錄時已經(jīng)執(zhí)行記錄的母盤，形成第一光盤記錄介質；對于在形成第一光盤時形成的光盤記錄介質的記錄信號，執(zhí)行評估值的第二測量； 基于在執(zhí)行第一測量時測量的評估值和在執(zhí)行第二測量時測量的評估值的差別，對于母盤計算評估值的目標值； 調整在執(zhí)行第一記錄時設置的寫入策略，使得對于母盤的評估值匹配目標值，在設置調整的寫入策略的狀態(tài)下，對于母盤執(zhí)行記錄，對于母盤的記錄信號執(zhí)行評估值的測量，并且執(zhí)行確定已經(jīng)測量的評估值是否是至少在目標值設為基準的情況下的預定范圍內的值的處理，直到能夠在確定中獲得肯定結果； 基于 在確定中獲得肯定結果時設置的寫入策略，在設置策略的狀態(tài)下對于母盤執(zhí)行第三記錄；以及 基于在執(zhí)行第三記錄時已經(jīng)執(zhí)行記錄的母盤，形成第三光盤記錄介質。
全文摘要
一種母盤制作策略調整方法，包括使用預定策略對母盤執(zhí)行第一記錄，執(zhí)行第一記錄的母盤的評估值的第一測量，基于第一記錄之后的母盤形成第一光盤，執(zhí)行形成為第一光盤的光盤的評估值的測量，基于第一測量評估值和第二測量評估值的差別計算母盤的評估值的目標值，并且調整策略，使得對于母盤的評估值匹配目標值，使用調整的寫入策略對母盤執(zhí)行記錄，執(zhí)行母盤的評估值的測量，并且在目標值作為基準的情況下執(zhí)行評估值是否在預定范圍內的確定，直到獲得肯定結果。
文檔編號G11B7/26GK102682793SQ20121006938
公開日2012年9月19日 申請日期2012年3月15日 優(yōu)先權日2011年3月15日
發(fā)明者會田桐, 齋藤昭也, 林忍 申請人:索尼信息技術股份有限公司, 索尼公司