專利名稱：存儲(chǔ)裝置和其操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及包括通過(guò)存儲(chǔ)層的電特性的改變來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)裝置 (memory unit)以及操作該存儲(chǔ)裝置的方法。
背景技術(shù)：
在諸如計(jì)算機(jī)之類的信息設(shè)備中，具有高速工作和高密度的DRAM (Dynami c Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)廣泛地用作隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。然而，在DRAM 中，制造成本是高的，這是由于制造工藝相比于用于電子設(shè)備的一般邏輯電路LSI (Large Scale Integrated Circuit,大規(guī)模集成電路)和一般信號(hào)處理器的制造工藝更加復(fù)雜。進(jìn)一步，由于DRAM是信息在電源關(guān)閉的情況下不會(huì)予以保持的非易失性存儲(chǔ)器，因此需要頻繁地進(jìn)行更新操作，即，需要讀出所寫入的信息(數(shù)據(jù))、再次放大該信息并且重寫該信息。同時(shí)，近年來(lái)，根據(jù)電流方向記錄低電阻狀態(tài)和高電阻狀態(tài)的所謂的雙極型電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器已經(jīng)得到發(fā)展。進(jìn)一步，同樣已經(jīng)提出了由這種雙極型電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和選擇晶體管的組合構(gòu)造的所謂的ITlR型(對(duì)于一個(gè)晶體管包括一個(gè)存儲(chǔ)元件)非易失性存儲(chǔ)單元(memory cell)。例如,在日本待審專利申請(qǐng)公開No. 2006-196537中，提出了對(duì)于存儲(chǔ)元件的微加工限制尤其有益的新型電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

發(fā)明內(nèi)容
日本待審專利申請(qǐng)公開No. 2009-196537的電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有將包括金屬的離子導(dǎo)體(存儲(chǔ)層)夾在兩個(gè)電極之間的結(jié)構(gòu)。在電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中，離子導(dǎo)體中包含的金屬包含在兩個(gè)電極的一個(gè)中。從而，在兩個(gè)電極之間施加電壓的情況下，電極中包含的金屬作為離子在離子導(dǎo)體中擴(kuò)散，并且離子導(dǎo)體的電阻值或電容的電特性等被改變。注意，在前述的雙極型電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中，一般地，在與將存儲(chǔ)器的電阻狀態(tài)從高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài)的操作(置位操作)中流動(dòng)的電流相同級(jí)別的電流以相反方向流動(dòng)的情況下，進(jìn)行將存儲(chǔ)器的電阻狀態(tài)從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài)的操作。由于這種特性，在排列了前述的ITlR型非易失性存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)裝置(非易失性存儲(chǔ)陣列) 中，置位操作時(shí)向晶體管的柵極(字線)施加的電壓(字線電位)的值與其在復(fù)位操作時(shí)的值不同。由此，在現(xiàn)有的非易失性存儲(chǔ)陣列(存儲(chǔ)裝置)中，不可以針對(duì)位于同一字線上的給定(多個(gè))存儲(chǔ)單元同時(shí)(并發(fā))進(jìn)行置位操作和復(fù)位操作。結(jié)果，需要在同一字線上單獨(dú)地分配置位操作時(shí)間段和復(fù)位操作時(shí)間段，使得導(dǎo)致難以改善存儲(chǔ)裝置的運(yùn)行速度。鑒于前述缺點(diǎn)，在本公開中，期望提供能夠改善運(yùn)行速度的存儲(chǔ)裝置和運(yùn)行該存儲(chǔ)裝置的方法。根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供了第一存儲(chǔ)裝置，其包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，其分別具有電阻狀態(tài)根據(jù)施加電壓的極性而可翻轉(zhuǎn)改變的存儲(chǔ)元件和用于選擇作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的晶體管；多條字線和多條第一與第二位線，其連接至所述多個(gè)存儲(chǔ)單元；以及驅(qū)動(dòng)部
5分，其通過(guò)將給定電位施加至字線和第一與第二位線，在低電阻狀態(tài)和高電阻狀態(tài)之間選擇性地改變作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的電阻狀態(tài)。在針對(duì)位于一條字線上的第一存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài)的置位操作時(shí)并且在針對(duì)位于所述一條字線上的第二存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài)的復(fù)位操作時(shí)，驅(qū)動(dòng)部分將給定字線電位施加至所述一條字線，并且將對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)元件的第一與第二位線之中的低電位側(cè)的位線的電位設(shè)定到比對(duì)應(yīng)于第二存儲(chǔ)元件的低電位側(cè)的位線的電位的值高給定電位差的量的值根據(jù)本公開的一實(shí)施例，提供了一種操作第一存儲(chǔ)裝置的方法，其中，存儲(chǔ)裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，其分別具有電阻狀態(tài)根據(jù)施加電壓的極性而可翻轉(zhuǎn)改變的存儲(chǔ)元件和用于選擇作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的晶體管；多條字線和多條第一與第二位線，其連接至所述多個(gè)存儲(chǔ)單元，在操作存儲(chǔ)裝置時(shí)，將給定的字線電位施加至一條字線，同時(shí)將位于一條字線上的第一存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的第一與第二位線之中的低電位側(cè)的位線的電位設(shè)定到比位于所述一條字線上的第二存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的低電位側(cè)的位線的電位高給定電位差的量的值，在第一與第二位線之間施加給定電壓，從而針對(duì)第一存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài)的置位操作，并且針對(duì)第二存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài)的復(fù)位操作。在根據(jù)本公開實(shí)施例的第一存儲(chǔ)裝置和根據(jù)本公開實(shí)施例的操作第一存儲(chǔ)裝置的方法中，將給定電位施加至字線和第一與第二位線，從而在低電阻狀態(tài)和高電阻狀態(tài)之間選擇性地改變作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的電阻狀態(tài)。在針對(duì)位于一條字線上的第一存儲(chǔ)元件進(jìn)行置位操作(將電阻狀態(tài)從高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài)的操作)時(shí)并且在針對(duì)位于所述一條字線上的第二存儲(chǔ)元件進(jìn)行復(fù)位操作(將電阻狀態(tài)從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài)的操作)時(shí)，將給定字線電位施加至所述一條字線，并且將第一存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的第一與第二位線之中的低電位側(cè)的位線的電位設(shè)定到比第二存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的低電位側(cè)的位線的電位的值高給定電位差的量的值。從而，施加至所述一條字線的電壓(前述的字線電位)共用(公共地使用)于置位操作時(shí)(第一存儲(chǔ)元件側(cè))和復(fù)位操作時(shí)(第二存儲(chǔ)元件側(cè))。結(jié)果，變得可以針對(duì)位于同一字線上的給定(多個(gè))存儲(chǔ)單元同時(shí)(并發(fā))進(jìn)行置位操作和復(fù)位操作。存儲(chǔ)元件的寫入操作/擦除操作對(duì)應(yīng)于減小電阻(從高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài))還是增大電阻(從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài))是定義問(wèn)題。在本說(shuō)明書中，將低電阻狀態(tài)定義為寫入狀態(tài)，將高電阻狀態(tài)定義為擦除狀態(tài)。根據(jù)本公開的一實(shí)施例，提供了第二存儲(chǔ)裝置，包含多個(gè)存儲(chǔ)單元，其分別具有電阻狀態(tài)根據(jù)施加電壓的極性而可翻轉(zhuǎn)改變的存儲(chǔ)元件和用于選擇作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的晶體管；多個(gè)電阻元件，其指示固定電阻值；多條字線和多條第一與第二位線，其連接至所述多個(gè)存儲(chǔ)單元；以及驅(qū)動(dòng)部分，其通過(guò)將給定電位施加給字線和第一與第二位線， 在低電阻狀態(tài)和高電阻狀態(tài)之間選擇性地改變作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的電阻狀態(tài)。在存儲(chǔ)單元中，字線連接至所述晶體管的柵極，第一位線與晶體管中的源極和漏極之一通過(guò)其間的電阻元件連接，并且第二位線與晶體管中的源極和漏極的另一個(gè)通過(guò)其間的存儲(chǔ)元件連接。根據(jù)本公開的一實(shí)施例，提供了一種操作第二存儲(chǔ)裝置的方法，其中，存儲(chǔ)裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，其分別具有電阻狀態(tài)根據(jù)施加電壓的極性而可翻轉(zhuǎn)改變的存儲(chǔ)元件和用于選擇作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的晶體管；多個(gè)電阻元件，其指示固定電阻值；以及多條字線和多條第一與第二位線，其連接至所述多個(gè)存儲(chǔ)單元；其中在存儲(chǔ)單元中，字線連接至所述晶體管的柵極，第一位線與晶體管中的源極和漏極之一通過(guò)其間的電阻元件連接， 并且第二位線與晶體管中的源極和漏極的另一個(gè)通過(guò)其間的存儲(chǔ)元件連接，在操作所述存儲(chǔ)裝置時(shí)，將給定的字線電位施加至一條字線，同時(shí)將位于一條字線上的第一存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的第一與第二位線之中的低電位側(cè)的位線的電位設(shè)定到等于位于所述一條字線上的第二存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的低電位側(cè)的位線的電位的值的值，在第一存儲(chǔ)元件對(duì)應(yīng)的第一與第二位線之間施加用于進(jìn)行置位操作的給定置位電壓，并且在第二存儲(chǔ)元件對(duì)應(yīng)的第一與第二位線之間施加用于進(jìn)行復(fù)位操作的給定復(fù)位電壓，從而針對(duì)第一存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài)的置位操作，并且針對(duì)第二存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài)的復(fù)位操作。在根據(jù)本公開實(shí)施例的第二存儲(chǔ)裝置和根據(jù)本公開實(shí)施例的操作第二存儲(chǔ)裝置的方法中，將給定電位施加至字線和第一與第二位線，從而在低電阻狀態(tài)和高電阻狀態(tài)之間選擇性地改變作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的電阻狀態(tài)。在存儲(chǔ)單元中，字線連接至所述晶體管的柵極，第一位線與晶體管中的源極和漏極之一通過(guò)其間的電阻元件連接，并且第二位線與晶體管中的源極和漏極的另一個(gè)通過(guò)其間的存儲(chǔ)元件連接。換言之，在存儲(chǔ)單元中， 第一位線側(cè)(電阻元件側(cè))的部分和第二位線側(cè)(電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器側(cè))的部分相對(duì)于晶體管彼此對(duì)稱。從而，例如，在針對(duì)位于一條字線上的第一存儲(chǔ)元件進(jìn)行置位操作(將電阻狀態(tài)從高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài)的操作)時(shí)并且在針對(duì)位于所述一條字線上的第二存儲(chǔ)元件進(jìn)行復(fù)位操作(將電阻狀態(tài)從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài)的操作)時(shí)，施加至前述一條字線的電壓(字線電位)能夠共用(能夠公共地使用)于置位操作時(shí)(第一存儲(chǔ)元件側(cè))和復(fù)位操作時(shí)(第二存儲(chǔ)元件側(cè))。結(jié)果，變得可以針對(duì)位于同一字線上的給定 (多個(gè))存儲(chǔ)單元同時(shí)(并發(fā))進(jìn)行置位操作和復(fù)位操作。根據(jù)本公開實(shí)施例的第一存儲(chǔ)單元和操作本公開實(shí)施例的第一存儲(chǔ)單元的方法， 在針對(duì)位于一條字線上的第一存儲(chǔ)元件進(jìn)行置位操作時(shí)并且在針對(duì)位于所述一條字線上的第二存儲(chǔ)元件進(jìn)行復(fù)位操作時(shí)，將給定字線電位施加至所述一條字線，并且將第一存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的低電位側(cè)的位線的電位設(shè)定到比第二存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的低電位側(cè)的位線的電位的值高給定電位差的量的值。由此，變得可以針對(duì)位于同一字線上的給定(多個(gè))存儲(chǔ)單元同時(shí)(并發(fā))進(jìn)行置位操作和復(fù)位操作。因此，存儲(chǔ)裝置的工作速度能夠得到改善。根據(jù)本公開實(shí)施例的第二存儲(chǔ)單元和操作本公開實(shí)施例的第二存儲(chǔ)單元的方法， 在存儲(chǔ)單元中，字線連接至晶體管的柵極，第一位線與晶體管中的源極和漏極之一通過(guò)其間的電阻元件連接，并且第二位線與晶體管中的源極和漏極的另一個(gè)通過(guò)其間的存儲(chǔ)元件連接。由此，變得可以針對(duì)位于同一字線上的給定(多個(gè))存儲(chǔ)單元同時(shí)(并發(fā))進(jìn)行置位操作和復(fù)位操作。因此，存儲(chǔ)裝置的工作速度能夠得到改善。要理解，前述的總體描述和接下來(lái)的詳細(xì)描述均是示例性的，并且旨在提供對(duì)于所要求保護(hù)的本技術(shù)的進(jìn)一步說(shuō)明。


附圖被包括用于提供對(duì)于本公開的進(jìn)一步理解，并且并入和構(gòu)成此說(shuō)明書的一部 分。附示實(shí)施例，并且連同說(shuō)明書一起用于說(shuō)明本技術(shù)的原理。圖I是圖示根據(jù)本公開第一實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的配置示例的方框示圖。圖2是圖示圖I中所示的存儲(chǔ)陣列的配置示例的電路示圖。圖3是圖示圖2中所示的存儲(chǔ)單元的配置示例的電路示圖。圖4是圖示圖2中所示的存儲(chǔ)元件的配置示例的剖面視圖。圖5是圖示圖2中所示的存儲(chǔ)陣列的配置示例的平面視圖。圖6是圖示從II方向看到的圖5中所示的存儲(chǔ)陣列的配置示例的側(cè)面視圖。圖7A和7B是用于說(shuō)明圖3中所示的存儲(chǔ)單元中的置位操作和復(fù)位操作的總結(jié)的 電路示圖。圖8A和SB是用于說(shuō)明圖4中所示的存儲(chǔ)元件中的置位操作和復(fù)位操作的總結(jié)的 剖面視圖。圖9是圖示圖4中所示的存儲(chǔ)元件中的電流-電壓特性的示例的特性示圖。圖IOA和IOB是圖示根據(jù)比較示例的存儲(chǔ)裝置的置位操作和復(fù)位操作的電路示 圖。圖11是圖示根據(jù)第一實(shí)施例的示例(示例I)的置位操作和復(fù)位操作的電路示 圖。圖12是圖示根據(jù)第二實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置的配置示例的方框示圖。圖13是圖示圖12中所示的存儲(chǔ)陣列的配置示例的電路示圖。圖14是圖示圖13中所示的存儲(chǔ)單元的配置示例的電路示圖。圖15是圖示圖13中所示的存儲(chǔ)陣列的配置示例的側(cè)面視圖。圖16是圖示根據(jù)第二實(shí)施例的示例(示例2)的置位操作和復(fù)位操作的電路示 圖。圖17A和17B是用于在存儲(chǔ)單元中詳細(xì)說(shuō)明圖16中所示的置位操作和復(fù)位操作 的電路示圖。圖18是圖示根據(jù)變型I的存儲(chǔ)元件的配置示例的剖面視圖。圖19是圖示根據(jù)變型2的存儲(chǔ)元件的配置示例的剖面視圖。
具體實(shí)施例方式下文參照附圖詳細(xì)描述本公開的實(shí)施例。將按照下列順序給出描述。I.第一實(shí)施例(將置位操作側(cè)的存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的位線電位設(shè)置到比復(fù)位操作 側(cè)的存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的位線電位的值更高的值的示例)2.第二實(shí)施例(在相對(duì)于選擇晶體管與存儲(chǔ)元件對(duì)向的一側(cè)提供指示固定電阻 值的電阻元件的示例)3.變型變型I和2 (存儲(chǔ)元件的其它配置示例)其它變型〈I.第一實(shí)施例>[存儲(chǔ)裝置I的配置]
圖I圖示根據(jù)本公開第一實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置(存儲(chǔ)裝置I)的方框示圖。存儲(chǔ)裝置I包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元20的存儲(chǔ)陣列2、字線驅(qū)動(dòng)部分31和位線驅(qū)動(dòng)部分/靈敏放大器32。對(duì)于上面的組成部分，字線驅(qū)動(dòng)部分31和位線驅(qū)動(dòng)部分/靈敏放大器32對(duì)應(yīng)于本公開中的“驅(qū)動(dòng)部分”的特定示例。字線驅(qū)動(dòng)部分31將給定的電位(后面提到的字線電位)施加至在行方向上彼此并聯(lián)布置的多條(在此情況下，m條(m :等于或大于2的整數(shù)))字線WLl WLm。位線驅(qū)動(dòng)部分/靈敏放大器32分別將給定電位施加至在列方向上彼此并聯(lián)(并排)布置的多條(在此情況下，m條)位線BLll BLlm(第一位線)和多條(在此情況下， m條)位線BL21 BL2m(第二位線)。從而，將給定電壓(后面提到的置位電壓或后面提
到的復(fù)位電位)分別施加在位線BLll和BL21之間、位線BL12和BL22之間........位線
BLlm和BL2m之間。進(jìn)一步，位線驅(qū)動(dòng)部分/靈敏放大器32具有通過(guò)使用前述的m條位線 BLll BLlm和前述的m條位線BL21 BL2m進(jìn)行來(lái)自相應(yīng)存儲(chǔ)單元20的信息(數(shù)據(jù))的讀出操作的功能、在內(nèi)部靈敏放大器中進(jìn)行給定信號(hào)放大處理的功能。在下面的描述中，適當(dāng)時(shí)，將位線BLl用作位線BLll BLlm的共同的術(shù)語(yǔ)，將位線BL2用作位線BL21 BL2m 的共同的術(shù)語(yǔ)。如上所述，字線驅(qū)動(dòng)部分31和位線驅(qū)動(dòng)部分/靈敏放大器32從存儲(chǔ)陣列2中的多個(gè)存儲(chǔ)單元20中選擇一個(gè)存儲(chǔ)單元20作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)(操作目標(biāo))，并且選擇性地進(jìn)行信息的寫入操作、擦除操作或讀出操作。[存儲(chǔ)陣列2的配置] 在存儲(chǔ)陣列2中，如圖I中所示，多個(gè)存儲(chǔ)單元20布置成行-列狀態(tài)(矩陣狀態(tài))。 圖2圖示存儲(chǔ)陣列2的電路配置示例。在存儲(chǔ)陣列2中，一條字線WL和成對(duì)的位線BLl和 BL2連接至各個(gè)存儲(chǔ)單元20。進(jìn)一步，如圖2和圖3中所示，各個(gè)存儲(chǔ)單元20具有一個(gè)存儲(chǔ)元件21和一個(gè)選擇晶體管22(晶體管)，并且具有所謂的“1T1R”型電路配置(存儲(chǔ)單元)。在存儲(chǔ)單元20 中，字線WL連接至晶體管22的柵極，位線BLl與晶體管22中的源極和漏極之一通過(guò)其間的位接觸(bit contact)BC連接。位線BL2與晶體管22中的源極和漏極的另一個(gè)(節(jié)點(diǎn)接觸NC側(cè))通過(guò)其間的存儲(chǔ)元件21連接。進(jìn)一步，如圖2中所示，位接觸BC對(duì)于沿著位線BLl方向的上下存儲(chǔ)單元20共用(公共地使用)。從而，節(jié)省了存儲(chǔ)陣列2的面積。然而，配置不限于前面的描述，可以單獨(dú)地針對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元20提供位接觸BC。選擇晶體管22是用于選擇一個(gè)存儲(chǔ)元件21作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的晶體管，其例如由MOS 晶體管(Metal Oxide Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)構(gòu)成。然而，選擇晶體管22不限于此，可以使用具有其它結(jié)構(gòu)的晶體管。(存儲(chǔ)元件21)存儲(chǔ)元件21是通過(guò)使用電阻狀態(tài)根據(jù)施加電壓的極性可翻轉(zhuǎn)地改變(在低電阻狀態(tài)和高電阻狀態(tài)之間改變)的事實(shí)進(jìn)行信息(數(shù)據(jù))的存儲(chǔ)(寫入和擦除)的元件。如圖4的剖面視圖中所示，存儲(chǔ)元件21依次具有下電極211 (第一電極)、存儲(chǔ)層212和上電極213 (第二電極)。下電極211是提供在晶體管22側(cè)(節(jié)點(diǎn)接觸NC側(cè))的電極。下電極211由用于半導(dǎo)體工藝的布線材料(例如，W(鎢)、WN(氮化物)、氮化鈦(TiN)和氮化鉭(TaN)之類的金屬材料或金屬氮化物)制成。然而，下電極211的材料不限于此。存儲(chǔ)層212具有擁有在上電極213側(cè)提供的離子源層212B和在下電極211提供的電阻改變層212A的疊層結(jié)構(gòu)。盡管在稍后詳細(xì)描述，在存儲(chǔ)層212中，電阻狀態(tài)根據(jù)施加在下電極211和上電極213之間的電壓的極性可翻轉(zhuǎn)地改變(在低電阻狀態(tài)和高電阻狀態(tài)之間改變)。離子源層212B含有變?yōu)殛庪x子的作為離子傳導(dǎo)材料的碲(Te)、硫⑶和硒(Se) 之中的至少一個(gè)硫族元素。進(jìn)一步，離子源層212B含有能夠變?yōu)殛?yáng)離子的作為金屬元素的鋯(Zr)、鉿(Hf)和/或銅(Cu)，并且進(jìn)一步包含作為在擦除信息時(shí)形成氧化物的元素的鋁 (Al)和 / 或鍺(Ge)。特別是，離子源層 212B 由具有 ZrTeAl、ZrTeAlGe、CuZrTeAl、CuTeGe 和CuSiGe之類的成分的離子源層材料制成。離子源層212B可以含有硅(Si)和硼(B)之類的前述元素以外的元素。電阻改變層212A具有用以穩(wěn)定作為電傳導(dǎo)障礙(electric conduction barrier) 的信息保留特性的功能，并且其由具有比離子源層212B的電阻值更高的電阻值的材料制成。電阻改變層212A的材料的優(yōu)選示例包括Gd(釓)之類的稀土元素和含有Al，、Mg(鎂)、 Ta、Si (硅)和Cu中的至少一個(gè)的氧化物或氮化物。上電極213由已知的與下電極211的半導(dǎo)體布線材料類似的半導(dǎo)體布線材料制成。確切地，即使在后退火之后也不會(huì)對(duì)離子源層212B起反應(yīng)的穩(wěn)定材料是優(yōu)選的。使用前述存儲(chǔ)元件21配置的存儲(chǔ)陣列2例如具有如圖5中所示的平面配置。進(jìn)一步，例如在從圖5中的II方向觀看存儲(chǔ)陣列2的情況下，存儲(chǔ)陣列2具有如圖6中所示的側(cè)面配置。換言之，存儲(chǔ)陣列2例如在襯底11上具有多條并行的字線BL2、多條并行的位線 BLl和多條并行的位線BL2。襯底11例如由硅(Si)襯底構(gòu)成。在襯底的表面上，提供晶體管(例如，前述的選擇晶體管22)的擴(kuò)散層(有源區(qū))11A。擴(kuò)散層IlA通過(guò)元件隔離層IlB 隔離。字線WL還用作晶體管的柵極，并且例如在圖5中按水平方向布置在襯底11上。字線WL的上面和側(cè)面覆蓋有絕緣層12A。位線BLl和BL2分別提供在與字線WL正交的方向上(例如，提供在圖5中的垂直方向上)。位線BLl的上面和側(cè)面覆蓋有絕緣層12B。位接觸BC提供在兩條相鄰字線WL之間。在位接觸BC中，位線BLl連接至擴(kuò)散層 11A，位接觸BC還用作晶體管的源極和漏極之一。連接插頭(plug) 13提供在位接觸BC和擴(kuò)散層IlA之間。節(jié)點(diǎn)接觸(node contact) NC提供在相對(duì)于夾著位接觸BC的相應(yīng)兩條字線WL與位接觸電極BC對(duì)向的一側(cè)。在節(jié)點(diǎn)接觸NC中，下電極211連接至擴(kuò)散層11A，并且節(jié)點(diǎn)接觸NC還用作晶體管的源極和漏極的另一個(gè)。連接插頭14提供在節(jié)點(diǎn)接觸NC和擴(kuò)散層IlA 之間。位接觸BC對(duì)于兩個(gè)相鄰的晶體管共用，而節(jié)點(diǎn)接觸NC對(duì)于每個(gè)晶體管單獨(dú)地加以提供。前述存儲(chǔ)元件20中的存儲(chǔ)層212的上面和側(cè)面覆蓋有絕緣層12C。進(jìn)一步，連接插頭15提供在存儲(chǔ)層的離子源層212B和上電極213之間。存儲(chǔ)元件20中的上電極213 還用作前述位線BL2的一部分。[存儲(chǔ)裝置I的作用和效果](I.基本操作)
在存儲(chǔ)裝置I中，如圖I和圖2中所示，字線驅(qū)動(dòng)部分31將給定的電位(后面提到的字線電位)施加至m條字線WLl WLm。另外，位線驅(qū)動(dòng)部分/靈敏放大器32將給定的電位分別施加至m條位線BLll BLlm和m條位線BL21 BL2m。換言之，給定的電壓 (后面提到的置位電壓或后面提到的復(fù)位電壓)分別施加在位線BLll和BL21之間、位線
BL12和BL22、......、位線BLlm和BL2m之間。從而，從存儲(chǔ)陣列2中的多個(gè)存儲(chǔ)單元20
中選擇出作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)(操作目標(biāo))的一個(gè)存儲(chǔ)單元20，并且選擇性地進(jìn)行信息的寫入操作、擦除操作或讀出操作。確切地，在各個(gè)存儲(chǔ)單元20中的存儲(chǔ)元件21中，存儲(chǔ)層212的電阻狀態(tài)根據(jù)施加在下電極211和上電極213之間的電壓的極性可翻轉(zhuǎn)地改變(在低電阻狀態(tài)和高電阻狀態(tài)之間改變)。通過(guò)使用這一事實(shí)，在存儲(chǔ)元件21中，進(jìn)行信息的讀出操作或擦除操作。同時(shí)，位線驅(qū)動(dòng)部分/靈敏放大器32通過(guò)使用m條位線BLll BLlm和m條位線 BL21 BL2m，在作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)(操作目標(biāo))的存儲(chǔ)單元20中進(jìn)行來(lái)自存儲(chǔ)元件21的信息的讀出操作，并且在內(nèi)部的靈敏放大器中進(jìn)行給定的信號(hào)放大處理。從而，進(jìn)行來(lái)自存儲(chǔ)元件21的信息的讀出操作。在選擇作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)(操作目標(biāo))的存儲(chǔ)單元20 (存儲(chǔ)元件21)時(shí)，將一給定電位(字線電位)施加至與存儲(chǔ)單元20連接的字線WL，并且將一給定電位(置位電壓或復(fù)位電壓)施加在連接的位線BLl和BL2之間。同時(shí)，在作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)(操作目標(biāo))的存儲(chǔ)單元20以外的多個(gè)存儲(chǔ)單元20中，將地電位(例如，0V)施加給連接的字線WL，并且連接的位線BLl和BL2分別設(shè)置到浮空狀態(tài)或地電位(OV)。將參照?qǐng)D7A SB，針對(duì)信息的寫入操作或擦除操作所對(duì)應(yīng)的置位操作和復(fù)位操作詳細(xì)地給出描述。置位操作是用以將存儲(chǔ)元件21 (確切地，存儲(chǔ)層212)的電阻狀態(tài)從高電阻狀態(tài)(初始狀態(tài))改變到低電阻狀態(tài)的操作(用以降低存儲(chǔ)元件21的電阻的操作)。 進(jìn)一步，另一方面，復(fù)位操作是用以將存儲(chǔ)元件21 (存儲(chǔ)層212)的電阻狀態(tài)從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài)的操作(用以增大存儲(chǔ)元件21的電阻的操作)。確切地，在圖7A中所示的置位操作時(shí)，在作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20中，將給定字線電位施加至字線WL (選擇晶體管22的柵極)。另外，通過(guò)將位線BLl和BL2之中的低電位側(cè)(在此情況下，選擇晶體管22的源極側(cè))的位線BLl的電位用作標(biāo)準(zhǔn)，將給定的置位電壓施加在位線BLl和BL2之間。然后，如圖7A和圖8A中所示，在作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件21中，將負(fù)電位施加至下電極211側(cè)，并且將正電位相應(yīng)地施加至上電極213側(cè)(SP， 將正電壓施加至存儲(chǔ)元件21)。從而，在存儲(chǔ)層212中，諸如Cu和/或Zr、Al之類的陽(yáng)離子從離子源層212B被離子傳導(dǎo),與下電極211側(cè)的電子結(jié)合,并被沉淀(precipitate)。結(jié)果，將降低到金屬狀態(tài)的低電阻Zr和/或Cu、Al等的傳導(dǎo)路徑(纖細(xì)的導(dǎo)體(filament)) 形成在下電極211和電阻改變層212A之間的結(jié)合部位中。否則，在電阻改變層212A中形成傳導(dǎo)路徑。由此，電阻改變層212A的電阻值減小(電阻降低)，并且電阻狀態(tài)從作為初始狀態(tài)的高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài)。于是，在作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件21中進(jìn)行置位操作。此后，即使去掉正電壓并且去除施加至存儲(chǔ)元件21的電壓，低電阻狀態(tài)也得到保持。 從而，信息寫入至存儲(chǔ)元件21。同時(shí)，在圖7B中所示的復(fù)位操作時(shí)，在作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20中，將給定的字線電位施加至字線WL (選擇晶體管22的柵極)。另外，通過(guò)將位線BLl和BL2之中的低電位側(cè)(在此情況下，選擇晶體管22的源極側(cè))的位線BL2的電位用作標(biāo)準(zhǔn)，將給定的復(fù)位電壓施加至位線BLl和BL2之間。然后，如圖7B和圖8B中所示，在作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件21中，將正電位施加至下電極211側(cè)，并且將負(fù)電位施加至上電極213側(cè)(S卩，將負(fù)電壓施加至存儲(chǔ)元件21)。從而，通過(guò)前述的置位操作在電阻改變層212中形成的傳導(dǎo)路徑的Zr和/或Cu、Al被氧化和離子化。然后溶入離子源層212B或者與Te等結(jié)合，結(jié)果，形成諸如Cu2Te和CuTe之類的化合物。然后，去除或減少Zr和/或Cu的傳導(dǎo)路徑，并且電阻值增大(電阻增大)。否則，進(jìn)一步，添加的存在于離子源層212B中的Al和Ge之類的元素在陽(yáng)極上形成氧化膜，并且電阻狀態(tài)改變到高電阻。于是，電阻狀態(tài)從低電阻狀態(tài)改變到作為初始狀態(tài)的高電阻狀態(tài)，并且在作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件21中進(jìn)行復(fù)位操作。此后, 即使去掉負(fù)電壓并且去除施加至存儲(chǔ)元件21的電壓，高電阻狀態(tài)也得到保持。從而，寫入至存儲(chǔ)元件21中的信息能夠被擦除。通過(guò)如上所述那樣重復(fù)前述步驟(置位操作和復(fù)位操作)，在存儲(chǔ)元件21中，能夠重復(fù)地進(jìn)行寫入信息和擦除所寫入的信息。例如，圖9更確切地圖示了這種狀態(tài)。在圖9 中，水平軸表示施加至存儲(chǔ)元件21的電壓V的大小和極性，垂直軸表示此時(shí)流入存儲(chǔ)元件 21的電流I。首先，在存儲(chǔ)元件21處于高電阻狀態(tài)(初始狀態(tài))的情況下，即使將電壓施加至存儲(chǔ)元件21，電流I也幾乎不流動(dòng)。接著，如圖中的箭頭P21中所指示，在將超過(guò)給定閾值的正電壓Vth+施加至存儲(chǔ)元件21的情況下，存儲(chǔ)元件21轉(zhuǎn)變至電流急劇流動(dòng)的狀態(tài) (低電阻狀態(tài))。然后，如圖中的箭頭P22所指示，即使施加的電壓V返回至0V，低電阻狀態(tài)也得到保持。此后，如圖中的箭頭P23所指示，在將超過(guò)給定閾值的負(fù)電壓Vth-施加至存儲(chǔ)元件21的情況下，存儲(chǔ)元件21轉(zhuǎn)變至電流未急劇流動(dòng)的狀態(tài)(高電阻狀態(tài))。然后，即使在施加的電壓V返回至OV之后，這種高電阻狀態(tài)也得到保持。于是，發(fā)現(xiàn)通過(guò)將具有不同極性的電壓施加至存儲(chǔ)元件21，電阻值(電阻狀態(tài))可翻轉(zhuǎn)地改變。進(jìn)一步，例如，在電阻值為高的狀態(tài)(高電阻狀態(tài))對(duì)應(yīng)于信息“0”并且電阻值為低的狀態(tài)(低電阻狀態(tài))對(duì)應(yīng)于信息“I”的情況下，能夠認(rèn)為通過(guò)施加正電壓，信息“0”在記錄信息的過(guò)程中可改變到信息“ I ”，并且通過(guò)施加負(fù)電壓，信息“ I ”在擦除信息的過(guò)程中可改變到信息“O”。存儲(chǔ)元件21的寫入操作/擦除操作是對(duì)應(yīng)于減小電阻(從高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài))還是增大電阻(從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài))是定義間題。在本說(shuō)明書中， 將低電阻狀態(tài)定義為寫入狀態(tài)，將高電阻狀態(tài)定義為擦除狀態(tài)。(2.置位操作和復(fù)位操作的細(xì)節(jié))接下來(lái)參照?qǐng)DIOA 圖11，通過(guò)與比較示例進(jìn)行比較，針對(duì)作為本公開特征之一的存儲(chǔ)裝置I中的置位操作和復(fù)位操作詳細(xì)地給出描述。(2-1.比較示例)首先，在根據(jù)圖IOA和IOB所示的比較示例的現(xiàn)有存儲(chǔ)裝置中的存儲(chǔ)單元102中， 在作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件21 (存儲(chǔ)單元20)中進(jìn)行置位操作和復(fù)位操作。確切地，例如，如圖IOA中所示，在置位操作時(shí)，將用于置位操作的字線電位Vwl_ set施加至與作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20連接的字線WL (在此情況下，字線WLn)。進(jìn)一步， 將OV施加至與作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20連接的位線BLln，并且將用于進(jìn)行置位操作的電壓(置位電壓Vset)施加至位線BL2n，從而在位線BLln和BL2n之間施加置位電壓Vset。從而，如圖7A中所示,在作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20中，將柵源電壓Vgs_set = Vwl_set 施加在選擇晶體管22的柵極和源極之間，將正電壓施加至存儲(chǔ)元件21，并且進(jìn)行前述的置位操作。同時(shí)，例如，如圖IOB中所示，在復(fù)位操作時(shí)，將用于復(fù)位操作的字線電位Vwl_ reset施加至與作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20連接的字線WL (在此情況下，字線WLn)。進(jìn)一步，分別地，將用于進(jìn)行復(fù)位操作的電壓(復(fù)位電壓Vreset)施加至與作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20連接的位線BLln,并且將OV施加至位線BL2n,從而將復(fù)位電壓Vreset施加在位線 BLln和BL2n之間。從而，如圖7B中所示，在作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20中，將柵源電壓 Vgs_reset = (Vwl_reset_Vnc (節(jié)點(diǎn)接觸NC的電位))施加在選擇晶體管22的柵極和源極之間，將負(fù)電壓施加至存儲(chǔ)元件21，并且進(jìn)行前述的復(fù)位操作。發(fā)現(xiàn)的是，例如如圖9中所示，在存儲(chǔ)元件21中，在與置位操作中流動(dòng)的電流相同級(jí)別的電流以相反方向流動(dòng)的狀態(tài)下，進(jìn)行復(fù)位操作。在比較示例中，相反方向上的相同級(jí)別的電流試圖在置位操作時(shí)和復(fù)位操作時(shí)流動(dòng)的情況下，由于存儲(chǔ)單元20的電路配置而產(chǎn)生下列缺點(diǎn)。換言之，首先，如圖7A中所示，置位操作時(shí)的柵源電壓Vgs_set對(duì)應(yīng)于施加至字線WL的電位(字線電位Vwl_set)和施加至位線BLl的電位(OV)之間的差異。同時(shí)，如圖7B中所示，復(fù)位操作時(shí)的柵源電壓Vgs_reset對(duì)應(yīng)于施加至字線WL的電位(字線電位 Vwl_reset)和節(jié)點(diǎn)接觸NC的電位之間的差異。換言之，當(dāng)選擇晶體管22的源極在置位操作時(shí)具有OV (位線BLl的電位)的時(shí)候，選擇晶體管22的源極在復(fù)位操作時(shí)不具有OV (位線BL2的電位)。由此，在相反方向上的相同級(jí)別的電流試圖在置位操作時(shí)和復(fù)位操作時(shí)流向存儲(chǔ)元件21 (選擇晶體管22)的情況下，自然地將字線電位Vwl_set設(shè)置得小于字線電位Vwl_reSet。換言之，置位操作時(shí)施加至選擇晶體管22的柵極(字線WL)的電壓(字線電位)的值與其在復(fù)位操作時(shí)的值不同。于是，在比較示例的存儲(chǔ)裝置中，不可以同時(shí)(并發(fā))對(duì)位于同一字線WL上的給定(多個(gè))存儲(chǔ)單元20進(jìn)行置位操作和復(fù)位操作。結(jié)果， 需要在同一字線WL上單獨(dú)地分配置位操作時(shí)間段和復(fù)位操作時(shí)間段，使得導(dǎo)致難以改善存儲(chǔ)裝置的工作速度。(2-2.示例 I)同時(shí)，在此實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置I中，前述比較示例中的缺點(diǎn)(存儲(chǔ)裝置的工作速度的缺點(diǎn))例如通過(guò)圖11中所示的示例(示例I)的方法而得到解決。換言之，變得可以通過(guò)下列方法，針對(duì)位于同一字線WL上的多個(gè)(在此情況下，兩個(gè))存儲(chǔ)單元20同時(shí)(并發(fā)) 進(jìn)行置位操作和復(fù)位操作。將針對(duì)此實(shí)施例中的置位操作和復(fù)位操作詳細(xì)給出描述。在示例I中，對(duì)位于字線WLn上的存儲(chǔ)單元20nn (第一存儲(chǔ)元件)進(jìn)行置位操作，并且對(duì)位于同一字線WLn上的存儲(chǔ)單元20n(n+l)(第二存儲(chǔ)元件)進(jìn)行復(fù)位操作。首先，在示例I中，將前述比較示例中的復(fù)位操作的字線電位Vwl_reset施加至字線WLn,其中作為置位操作目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20nn和作為復(fù)位操作目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20n (n+1) 公共地連接至字線WLn。換言之,如上所述,確立字線電位Vwl_set <字線電位Vwl_reset。 由此，將兩條字線電位之中的作為更高電位的字線電位Vwl_reset公共地供給兩個(gè)存儲(chǔ)單兀 20nn 和 20n (n+1)。進(jìn)一步,將復(fù)位電壓Vreset施加至與存儲(chǔ)單元20n (n+1)連接的位線BLl (n+1),并且將OV施加至位線BL2 (n+1)，從而將復(fù)位電壓Vreset施加在位線BLl (n+1)和BL2 (n+1) 之間。從而，如前述比較示例中一樣，在作為復(fù)位操作目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20n (n+1)中，將柵源電壓Vgs_reset = Vwl_reset_Vnc施加在選擇晶體管22的柵極和源極之間，并且將正電壓施加至存儲(chǔ)元件21,并且進(jìn)行前述的復(fù)位操作。同時(shí)，將如下的電位分別施加至與作為置位操作目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20nn連接的位線BLln和BL2n。換言之,在通過(guò)從用于復(fù)位操作的字線電位Vwl_reset中減去用于置位操作的字線電位Vwl_set獲得的電位差為電位差A(yù) ( = Vwl_reset-Vwl_set)的情況下,分別地，將對(duì)于電位差A(yù)V的量的電位施加至位線BLln，并且將(Vset+AV)施加至位線BL2n。 換言之，進(jìn)行設(shè)置以使得連接至存儲(chǔ)單元20nn的位線BLln和BL2n之中的低電位側(cè)的位線 BLln的電位(=AV)比連接至存儲(chǔ)單元20n(n+1)的位線BLl (n+1)和BL2(n+l)之中的低電位側(cè)的位線BL2(n+l)的電位( = OV)高前述的電位差A(yù) V。確切地，進(jìn)行設(shè)置以使得字線WLn的電位比用于置位操作的字線電位Vwl_set高電位差A(yù) V。于是，將位線BLln和 BL2n的電位分別地設(shè)置為比前述比較示例的置位操作時(shí)的值高了電位差A(yù)V的量的值。從而，與前述比較示例中一樣，將置位電壓Vset施加在位線BLln和BL2n之間。進(jìn)一步，如前述比較示例中一樣，在作為置位操作目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20nn中，將柵源電壓Vgs_set ( = Vwl_ reset-AV)施加在選擇晶體管22的柵極和源極之間，將正電壓施加至存儲(chǔ)元件21，并且進(jìn)行前述的置位操作。于是,在此實(shí)施例中，施加至同一字線WL的電壓(字線電位Vwl_reset)共用(公共地使用)于置位操作時(shí)(在此情況下，存儲(chǔ)單元20nn側(cè))和復(fù)位操作時(shí)(在此情況下， 存儲(chǔ)單元20n(n+l)側(cè))。從而，不同于比較示例，變得可以針對(duì)位于同一字線WL上的給定 (多個(gè))存儲(chǔ)單元同時(shí)(并發(fā))進(jìn)行置位操作和復(fù)位操作。于是，在此實(shí)施例中，在對(duì)位于一條字線WL上的存儲(chǔ)元件20進(jìn)行置位操作并且對(duì)位于前述一條字線WL上的存儲(chǔ)元件20進(jìn)行復(fù)位操作的情況下，將給定的字線電位Vwl_ reset施加至前述的一條字線，并且將置位操作側(cè)的存儲(chǔ)元件20所對(duì)應(yīng)的低電位側(cè)的位線 BH的電位設(shè)置為比復(fù)位操作側(cè)的存儲(chǔ)元件20所對(duì)應(yīng)的低電位側(cè)的位線BL2的電位的值要高給定電位差A(yù)V的量的值。由此，變得可以對(duì)位于同一字線WL上的給定(多個(gè))存儲(chǔ)單元同時(shí)(并發(fā))進(jìn)行置位操作和復(fù)位操作。因此，在此實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置I中，與前述比較示例的存儲(chǔ)裝置相比，運(yùn)行速度能夠得到更多的改善。進(jìn)一步，作為存儲(chǔ)單元20和存儲(chǔ)陣列2的電路配置自身，能夠使用現(xiàn)有的電路配置。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)低成本(能夠抑制開發(fā)成本的增高)?！?.第二實(shí)施例>然后，針對(duì)本公開的第二實(shí)施例給出描述。對(duì)于與前述第一實(shí)施例中的組成部分相同的組成部分，向其附上相同的附圖標(biāo)記，并且其描述將會(huì)適當(dāng)?shù)赜枰允÷浴存儲(chǔ)裝置IA的配置]圖12圖示根據(jù)第二實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置(存儲(chǔ)裝置1A)的方塊配置。此實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置IA包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元20A的存儲(chǔ)陣列2A、字線驅(qū)動(dòng)部分31和位線驅(qū)動(dòng)部分 /靈敏放大器32A。除了代之存儲(chǔ)陣列2提供存儲(chǔ)陣列2A并且代之位線驅(qū)動(dòng)部分/靈敏放大器32提供位線驅(qū)動(dòng)部分/靈敏放大器32A之外，存儲(chǔ)裝置IA具有與第一實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置I的結(jié)構(gòu)類似的結(jié)構(gòu)。因此，在此實(shí)施例中，字線驅(qū)動(dòng)部分31和位線驅(qū)動(dòng)部分/靈敏放大器32A對(duì)應(yīng)于本公開中的“驅(qū)動(dòng)部分”的特定示例。位線驅(qū)動(dòng)部分/靈敏放大器32A的基本操作與位線驅(qū)動(dòng)部分/靈敏放大器32的基本操作類似。然而，置位操作和復(fù)位操作中施加至位線BLl和BL2的電位與前述第一實(shí)施例的不同。對(duì)于所施加電位的細(xì)節(jié)，將在稍后給出描述。[存儲(chǔ)陣列2A的配置]在存儲(chǔ)陣列2A中，與存儲(chǔ)陣列2中一樣，多個(gè)存儲(chǔ)單元20A布置成行-列狀態(tài)(矩陣狀態(tài))。圖13圖示存儲(chǔ)陣列2A的電路配置示例。在存儲(chǔ)陣列2A中，與存儲(chǔ)陣列2中一樣，一條字線WL和成對(duì)的位線BLl和BL2連接至各個(gè)存儲(chǔ)單元20A。然而，不同于存儲(chǔ)陣列 2，后面提到的多個(gè)固定的電阻元件23布置在存儲(chǔ)陣列2A中。進(jìn)一步，如圖13和圖14中所示，如存儲(chǔ)單元20進(jìn)行的一樣，各個(gè)存儲(chǔ)單元20A具有一個(gè)存儲(chǔ)元件21和一個(gè)選擇晶體管22 (晶體管)，并且具有所謂的“1T1R”型電路配置 (存儲(chǔ)單元)。在存儲(chǔ)單元20A中，對(duì)于與前述固定電阻元件23的連接關(guān)系，采用與存儲(chǔ)單元20的電路結(jié)構(gòu)不同的電路結(jié)構(gòu)。確切地，在存儲(chǔ)單元20A中，字線WL連接至晶體管22 中的柵極，位線BLl和晶體管22中的源極和漏極之一通過(guò)其間的位接觸BC和固定電阻元件23連接。位線BL2和晶體管22中的源極和漏極的另一個(gè)(節(jié)點(diǎn)接觸NC側(cè))通過(guò)其間的存儲(chǔ)元件21連接。進(jìn)一步，如圖13中所示，除了位接觸BC之外，固定電阻元件23對(duì)于沿著位線BLl方向的上下存儲(chǔ)單元20也共用(公共地使用)。從而，節(jié)省了存儲(chǔ)陣列2的面積。然而，配置不限于前述描述，可以單獨(dú)地針對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元20A分別提供位接觸BC 和固定電阻元件23。固定電阻元件23是指示固定電阻值的電阻元件。出于下列原因，固定電阻值例如近似等于(期望地等于)存儲(chǔ)元件21的低電阻狀態(tài)下的電阻值。即，如上所述，在存儲(chǔ)元件21中，置位操作時(shí)流動(dòng)的電流處于與復(fù)位操作時(shí)流動(dòng)的電流相同的級(jí)別。作為固定電阻值的特定值，例如，期望大約IOkQ 500k Q。參照例如在圖15中圖示的存儲(chǔ)陣列2A的側(cè)面配置，在下列部分中形成固定電阻元件23。即，固定電阻元件23形成在連接插頭13A中作為位線BLl和晶體管(選擇晶體管 22)中的源極和漏極之一之間的連接部分。確切地，連接插頭13A由晶體半導(dǎo)體(例如，晶體硅(多晶硅))或無(wú)定形(非晶體)半導(dǎo)體(例如，無(wú)定形硅)制成。另外，固定電阻元件23的電阻值通過(guò)晶體半導(dǎo)體或無(wú)定形半導(dǎo)體的雜質(zhì)(例如，磷(P))的濃度而加以調(diào)節(jié)。 同時(shí)，構(gòu)成節(jié)點(diǎn)接觸NC的連接插頭14由鎢(W)之類的金屬制成。[存儲(chǔ)裝置IA的作用和效果]在存儲(chǔ)裝置IA中，基本上如前述第一實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置I中那樣進(jìn)行信息(數(shù)據(jù))的寫入操作、擦除操作和讀出操作。然而，在此實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置IA中，可以通過(guò)使用與存儲(chǔ)裝置I中的方法不同的方法，對(duì)位于同一字線WL上的給定(多個(gè))存儲(chǔ)單元同時(shí) (并發(fā)地)進(jìn)行置位操作和復(fù)位操作。下文針對(duì)這種方法詳細(xì)地給出描述。在下面描述的示例2中，如前述示例I中一樣，對(duì)位于字線WLn上的存儲(chǔ)單元20Ann進(jìn)行置位操作，并且對(duì)位于同一字線WLn上的存儲(chǔ)單元20An(n+l)進(jìn)行復(fù)位操作。首先，在圖16 17B中所示的此實(shí)施例的示例(示例2)中，如前述示例I中一樣，將用于復(fù)位操作的字線電位Vwl_reset施加至字線WLn,其中作為置位操作目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20Ann和作為復(fù)位操作目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20An(n+l)分別公共地連接至字線WLn。
進(jìn)一步，如前述示例I中一樣，將復(fù)位電壓Vreset施加至與存儲(chǔ)單元20An(n+1) 連接的位線BLl (n+1)并且將OV施加至位線BL2 (n+1)，從而在位線BLl (n+1)和BL2 (n+1) 之間施加復(fù)位電壓Vreset。從而，如前述示例I中一樣,如圖17B中所示,在作為復(fù)位操作目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20An(n+l)中，將柵源電壓Vgs_reset = Vwl_reset_Vnc施加在選擇晶體管22的柵極和源極之間，將正電壓施加至存儲(chǔ)元件21，并且進(jìn)行前述的復(fù)位操作。同時(shí)，不同于前述示例1，將下列電位分別施加至與作為置位操作目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20Ann連接的位線BLln和BL2n。即，與前述比較示例中一樣，分別地，將OV施加至位線BLln并且將置位電壓Vset施加至位線BL2n。換言之，進(jìn)行設(shè)置以使得連接至存儲(chǔ)單元 20Ann的位線BLln和BL2n之中的低電位側(cè)的位線BLln的電位(=0V)等于連接至存儲(chǔ)單元20An(n+l)的位線BLl (n+1)和BL2(n+l)之中的低電位側(cè)的位線BL2 (n+1)的電位(= 0V)。從而，與前述比較示例和示例I中一樣，在位線BLln和BL2n之間施加置位電壓Vset。然而，在此實(shí)施例中，在存儲(chǔ)陣列2A中提供前述的固定電阻元件23。確切地，在存儲(chǔ)單元20A中，位線BLl側(cè)(固定電阻元件23側(cè))的部分和位線BL2側(cè)(存儲(chǔ)元件2U則) 的部分相對(duì)于選擇晶體管22彼此對(duì)稱。從而，在示例2中，在作為置位操作目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20Ann中，在置位操作中出現(xiàn)下列動(dòng)作。換言之,例如,如圖17A中所示,在固定電阻元件 23的兩端之間(在選擇晶體管22的源極和位接觸BC之間)(自動(dòng)地)產(chǎn)生前述的電位差 A V( = Vwl_reset-Vwl_set)。從而,與前述比較示例和示例I中一樣，在作為置位操作目標(biāo)的存儲(chǔ)單元20Ann中,在選擇晶體管22的柵極和源極之間施加?xùn)旁措妷篤gs_set( = Vwl_ reset-AV),將正電壓施加至存儲(chǔ)元件21,并且進(jìn)行前述的置位操作。添加固定電阻元件23對(duì)于復(fù)位操作的效果如下。S卩，例如，如圖17B中所示，由于固定電阻元件23在復(fù)位操作時(shí)連接至選擇晶體管22的漏極側(cè)，因此對(duì)于復(fù)位操作時(shí)流動(dòng)的電流的影響沒(méi)有限制地很小。于是,在此實(shí)施例中,施加至同一字線WL的電壓(字線電位Vwl_reset)共用(公共地使用)于置位操作時(shí)(在此情況下，存儲(chǔ)單元20Ann側(cè))和復(fù)位操作時(shí)(在此情況下， 存儲(chǔ)單元20An(n+l)側(cè))。從而，與前述第一實(shí)施例中一樣，變得可以針對(duì)位于同一字線WL 上的給定(多個(gè))存儲(chǔ)單元同時(shí)(并發(fā))進(jìn)行置位操作和復(fù)位操作。于是，在此實(shí)施例中，在存儲(chǔ)單元20A中，字線WL連接至選擇晶體管22的柵極，位線BLl與選擇晶體管22中的源極和漏極之一通過(guò)其間的固定電阻元件23連接，并且位線 BL2與選擇晶體管22中的源極和漏極的另一個(gè)通過(guò)其間的存儲(chǔ)元件21連接。由此，變得可以對(duì)位于同一字線WL上的給定(多個(gè))存儲(chǔ)單元同時(shí)(并發(fā))進(jìn)行置位操作和復(fù)位操作。 因此，在此實(shí)施例的存儲(chǔ)裝置I中，相比于前述比較示例的存儲(chǔ)裝置，操作速度也能夠更多地得到改善。〈變型〉隨后針對(duì)對(duì)于上述的第一和第二實(shí)施例公共的變型(變型I和2)給出描述。對(duì)于與前述實(shí)施例中的組成部分相同的組成部分，向其附上相同的附圖標(biāo)記，并且其描述將會(huì)適當(dāng)?shù)赜枰允÷?。[變型I]圖18圖示根據(jù)變型I的存儲(chǔ)元件(存儲(chǔ)元件21A)的剖面結(jié)構(gòu)。此變型的存儲(chǔ)元件21A由PCM(Phase Change Memory,相位改變存儲(chǔ)器)構(gòu)成。
存儲(chǔ)元件21A在下電極211和上電極213之間具有由GeSbTe合金(如，Ge2Sb2Te5) 制成的存儲(chǔ)層214。在存儲(chǔ)層214中，自/至晶體狀態(tài)至/自非晶體狀態(tài)(無(wú)定形狀態(tài))的相位(phase)改變通過(guò)電流的施加而產(chǎn)生。與相位變化相關(guān)聯(lián)地，電阻值(電阻狀態(tài))可翻轉(zhuǎn)地改變。在此變型的存儲(chǔ)元件21A中，在下電極211和上電極213之間施加正電壓或負(fù)電壓的情況下，存儲(chǔ)層214從高電阻無(wú)定形狀態(tài)改變到低電阻晶體狀態(tài)(或從低電阻晶體狀態(tài)改變到高電阻無(wú)定形狀態(tài))。通過(guò)重復(fù)這種處理，在存儲(chǔ)元件21A中，能夠重復(fù)地進(jìn)行寫入信息和擦除所寫入的信息。[變型2]圖19圖示根據(jù)變型2的存儲(chǔ)元件(存儲(chǔ)元件21B)的剖面結(jié)構(gòu)。此變型的存儲(chǔ)元件21B由ReRam(Resistive Random Access Memory,電阻可變型隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)構(gòu)成。存儲(chǔ)元件21B在下電極211和上電極213之間具有由氧化物(如，NiO, TiO2或 PrCaMnO3)制成的存儲(chǔ)層215。電阻值(電阻狀態(tài))通過(guò)將電壓施加至氧化物而可翻轉(zhuǎn)地改變。在此變型的存儲(chǔ)元件21B中，在下電極211和上電極213之間施加正電壓或負(fù)電壓的情況下，存儲(chǔ)層215從高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài)(或從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài))。通過(guò)重復(fù)這種處理，在存儲(chǔ)元件21B中，能夠重復(fù)地進(jìn)行寫入信息和擦除所寫入的信息。[其它變型]已經(jīng)參照實(shí)施例和變型描述了本技術(shù)。然而，本技術(shù)不限于前述實(shí)施例等，而是可以進(jìn)行各種變型。例如，前述實(shí)施例等中描述的每一層的材料等不受限制，而是可以使用其它材料。 進(jìn)一步，在前述實(shí)施例等中，通過(guò)特定示例描述了存儲(chǔ)元件21、21A和21B、存儲(chǔ)裝置IA等的結(jié)構(gòu)。然而，并非一定要提供所有的層，可以進(jìn)一步包括其它層。應(yīng)用于本公開的存儲(chǔ)元件不限于前述實(shí)施例等中描述的存儲(chǔ)元件21、21A和21B。 可以使用具有其它配置的存儲(chǔ)元件，只要這種存儲(chǔ)元件的電阻狀態(tài)根據(jù)所施加電壓的極性可翻轉(zhuǎn)地改變即可。確切地，可以使用用于MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory,磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)之類的MTJ(Magnetic Tunnel Junction,磁隧道結(jié))的存儲(chǔ)元件和使用了過(guò)渡金屬氧化物等的電阻改變?cè)１竟_包含與2011年I月13日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng)JP 2011-004830中公開的主題有關(guān)的主題，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用的方式合并在此。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其它因素可出現(xiàn)各種變型、組合、部分組合和替換，只要其在所附權(quán)利要求或其等同體的范圍內(nèi)即可。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)裝置，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，其分別具有電阻狀態(tài)根據(jù)施加電壓的極性而可翻轉(zhuǎn)改變的存儲(chǔ)元件和用于選擇作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的晶體管；多條字線和多條第一與第二位線，其連接至所述多個(gè)存儲(chǔ)單元；以及驅(qū)動(dòng)部分，其通過(guò)將給定電位施加至字線和第一與第二位線，在低電阻狀態(tài)和高電阻狀態(tài)之間選擇性地改變作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的電阻狀態(tài)，其中，在針對(duì)位于一條字線上的第一存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài)的置位操作時(shí)并且在針對(duì)位于所述一條字線上的第二存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài)的復(fù)位操作時(shí)，驅(qū)動(dòng)部分將給定字線電位施加至所述一條字線，并且將對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)元件的第一與第二位線之中的低電位側(cè)的位線的電位設(shè)定到比對(duì)應(yīng)于第二存儲(chǔ)元件的低電位側(cè)的位線的電位的值高給定電位差的量的值。
2.如權(quán)利要求I所述的存儲(chǔ)裝置，其中，驅(qū)動(dòng)部分在對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)元件的第一與第二位線之間施加用于進(jìn)行置位操作的給定置位電壓，并且在對(duì)應(yīng)于第二存儲(chǔ)元件的第一與第二位線之間施加用于進(jìn)行復(fù)位操作的給定復(fù)位電壓。
3.如權(quán)利要求I所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述給定電位差是通過(guò)從進(jìn)行存儲(chǔ)元件的復(fù)位操作時(shí)設(shè)定的復(fù)位電位中減去進(jìn)行存儲(chǔ)元件的置位操作時(shí)設(shè)定的置位電位而獲得的電位差。
4.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述給定字線電位為所述復(fù)位電位。
5.如權(quán)利要求I所述的存儲(chǔ)裝置，其中，在存儲(chǔ)單元中，字線連接至所述晶體管的柵極，第一位線連接至晶體管中的源極和漏極之一，并且第二位線與晶體管中的源極和漏極的另一個(gè)通過(guò)其間的存儲(chǔ)元件連接。
6.如權(quán)利要求I所述的存儲(chǔ)裝置，其中，存儲(chǔ)元件依次具有第一電極、存儲(chǔ)層和第二電極，并且在存儲(chǔ)層中，電阻狀態(tài)根據(jù)施加在第一電極和第二電極之間的電壓的極性而可翻轉(zhuǎn)地改變。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)裝置，其中，存儲(chǔ)層具有在第一電極側(cè)提供的電阻改變層和在第二電極側(cè)提供的離子源層。
8.如權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)裝置，其中，在存儲(chǔ)元件中，當(dāng)負(fù)電位施加至第一電極側(cè)并且正電位施加至第二電極側(cè)時(shí)，離子源層中的離子移動(dòng)至第一電極側(cè)并且電阻改變層的電阻減小，從而進(jìn)行置位操作，以及當(dāng)正電位施加至第一電極側(cè)并且負(fù)電位施加至第二電極側(cè)時(shí)，離子源層中的離子移動(dòng)至第二電極側(cè)并且電阻改變層的電位增大，從而進(jìn)行復(fù)位操作。
9.一種操作存儲(chǔ)裝置的方法，其中，存儲(chǔ)裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，其分別具有電阻狀態(tài)根據(jù)施加電壓的極性而可翻轉(zhuǎn)改變的存儲(chǔ)元件和用于選擇作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的晶體管；多條字線和多條第一與第二位線，其連接至所述多個(gè)存儲(chǔ)單元，在操作所述存儲(chǔ)裝置時(shí)，將給定的字線電位施加至一條字線，同時(shí)將位于一條字線上的第一存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的第一與第二位線之中的低電位側(cè)的位線的電位設(shè)定到比位于所述一條字線上的第二存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的低電位側(cè)的位線的電位的值高給定電位差的值，在第一與第二位線之間施加給定電壓，從而針對(duì)第一存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài)的置位操作，并且針對(duì)第二存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài)的復(fù)位操作。
10.一種存儲(chǔ)裝置，包含多個(gè)存儲(chǔ)單元，其分別具有電阻狀態(tài)根據(jù)施加電壓的極性而可翻轉(zhuǎn)改變的存儲(chǔ)元件和用于選擇作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的晶體管；多個(gè)電阻元件，其指示固定電阻值；多條字線和多條第一與第二位線，其連接至所述多個(gè)存儲(chǔ)單元；以及驅(qū)動(dòng)部分，其通過(guò)將給定電位施加給字線和第一與第二位線，在低電阻狀態(tài)和高電阻狀態(tài)之間選擇性地改變作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的電阻狀態(tài)，其中，在存儲(chǔ)單元中，字線連接至所述晶體管的柵極，第一位線與晶體管中的源極和漏極之一通過(guò)其間的電阻元件連接，并且第二位線與晶體管中的源極和漏極的另一個(gè)通過(guò)其間的存儲(chǔ)元件連接。
11.如權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述電阻元件的電阻值近似等于存儲(chǔ)元件的低電阻狀態(tài)下的電阻值。
12.如權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)裝置，其中，在針對(duì)位于一條字線上的第一存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài)的置位操作時(shí)以及在針對(duì)位于所述一條字線上的第二存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài)的復(fù)位操作時(shí)，將給定字線電位施加至所述一條字線，同時(shí)將第一存儲(chǔ)元件對(duì)應(yīng)的第一與第二位線之中的低電位側(cè)的位線的電位設(shè)定到等于第二存儲(chǔ)元件對(duì)應(yīng)的低電位側(cè)的位線的電位的值，在第一存儲(chǔ)元件對(duì)應(yīng)的第一與第二位線之間施加用于進(jìn)行置位操作的給定置位電壓， 并且在第二存儲(chǔ)元件對(duì)應(yīng)的第一與第二位線之間施加用于進(jìn)行復(fù)位操作的給定復(fù)位電壓。
13.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述給定字線電位是在進(jìn)行所述存儲(chǔ)元件的復(fù)位操作時(shí)所設(shè)定的復(fù)位電位。
14.如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)裝置，其中，在進(jìn)行所述第一存儲(chǔ)元件的置位操作時(shí)，在通過(guò)其間的晶體管連接至第一存儲(chǔ)元件的電阻元件的兩端之間產(chǎn)生通過(guò)從復(fù)位電位中減去在進(jìn)行存儲(chǔ)元件的置位操作時(shí)所設(shè)定的置位電位而獲得的電位差。
15.如權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)裝置，其中，在第一位線與晶體管中的源極和漏極之一之間的連接部分中形成所述電阻元件。
16.如權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述連接部分由晶體半導(dǎo)體或無(wú)定形半導(dǎo)體構(gòu)成，并且通過(guò)晶體半導(dǎo)體或無(wú)定形半導(dǎo)體中的雜質(zhì)濃度來(lái)調(diào)節(jié)電阻元件的電阻值。
17.如權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)裝置，其中，所述電阻元件對(duì)于兩個(gè)存儲(chǔ)單元是共用的。
18.如權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)裝置，其中，存儲(chǔ)元件依次具有第一電極、存儲(chǔ)層和第二電極,并且在存儲(chǔ)層中，電阻狀態(tài)根據(jù)施加在第一電極和第二電極之間的電壓的極性而可翻轉(zhuǎn)地改變。
19.如權(quán)利要求18所述的存儲(chǔ)裝置，其中，存儲(chǔ)層具有在第一電極側(cè)提供的電阻改變層和在第二電極側(cè)提供的離子源層。
20. 一種操作存儲(chǔ)裝置的方法，其中，存儲(chǔ)裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，其分別具有電阻狀態(tài)根據(jù)施加電壓的極性而可翻轉(zhuǎn)改變的存儲(chǔ)元件和用于選擇作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的存儲(chǔ)元件的晶體管；多個(gè)電阻元件，其指示固定電阻值；以及多條字線和多條第一與第二位線，其連接至所述多個(gè)存儲(chǔ)單元；其中在存儲(chǔ)單元中，字線連接至所述晶體管的柵極，第一位線與晶體管中的源極和漏極之一通過(guò)其間的電阻元件連接，并且第二位線與晶體管中的源極和漏極的另一個(gè)通過(guò)其間的存儲(chǔ)元件連接，在操作所述存儲(chǔ)裝置時(shí)，將給定的字線電位施加至一條字線，同時(shí)將位于一條字線上的第一存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的第一與第二位線之中的低電位側(cè)的位線的電位設(shè)定到等于位于所述一條字線上的第二存儲(chǔ)元件所對(duì)應(yīng)的低電位側(cè)的位線的電位的值的值，在第一存儲(chǔ)元件對(duì)應(yīng)的第一與第二位線之間施加用于進(jìn)行置位操作的給定置位電壓， 并且在第二存儲(chǔ)元件對(duì)應(yīng)的第一與第二位線之間施加用于進(jìn)行復(fù)位操作的給定復(fù)位電壓， 從而針對(duì)第一存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從高電阻狀態(tài)改變到低電阻狀態(tài)的置位操作，并且針對(duì)第二存儲(chǔ)元件進(jìn)行將電阻狀態(tài)從低電阻狀態(tài)改變到高電阻狀態(tài)的復(fù)位操作。
全文摘要
在此公開存儲(chǔ)裝置和其操作方法。所述存儲(chǔ)裝置包括每一個(gè)均具有存儲(chǔ)元件和晶體管的多個(gè)存儲(chǔ)單元、字線和第一與第二位線以及驅(qū)動(dòng)部分。在針對(duì)位于一條字線上的第一存儲(chǔ)元件進(jìn)行置位操作時(shí)并且在針對(duì)位于所述一條字線上的第二存儲(chǔ)元件進(jìn)行復(fù)位操作時(shí)，驅(qū)動(dòng)部分將給定字線電位施加至所述一條字線，并且將對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)元件的第一與第二位線之中的低電位側(cè)的位線的電位設(shè)定到比對(duì)應(yīng)于第二存儲(chǔ)元件的低電位側(cè)的位線的電位的值高給定電位差的量的值。
文檔編號(hào)G11C7/12GK102592656SQ201210009739
公開日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2012年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月13日
發(fā)明者大塚涉 申請(qǐng)人:索尼公司