專利名稱：閃存測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種閃存測(cè)試方法，尤其涉及一種應(yīng)用于挑選出具有缺陷的閃存以回收成可用的閃存的方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)中，具有記憶區(qū)域(包含區(qū)塊、頁(yè)面與晶胞)的閃存會(huì)隨著使用的時(shí)間產(chǎn)生老化、衰退與損壞的現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致使用該閃存的電子裝置面臨無法使用的情況。通過使用該閃存的電子產(chǎn)品(例如智能型手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、記憶卡等)為例說明，當(dāng)該電子產(chǎn)品經(jīng)過二年或三年的使用時(shí)間之后有可能發(fā)生缺陷或是經(jīng)由回收系統(tǒng)回到該電子產(chǎn)品的原制造商。傳統(tǒng)的該原制造商會(huì)將該電子產(chǎn)品分解，以回收可用例如LCD顯示面板、印刷電路板以及閃存(例如與非門(NAND)閃存)等的單元，并且再次經(jīng)由組裝、測(cè)試與包裝之后，變成較為低階的電子產(chǎn)品并以整新品或新品的方式再次進(jìn)行銷售。然而，以閃存為例，有可能在回收之后發(fā)現(xiàn)僅有部分的該記憶區(qū)域可供正常使用，例如原本的閃存具有64G的該記憶區(qū)域，然經(jīng)一段時(shí)間后損壞了 IOG的記憶區(qū)域，使得無法正常地使用該64G的該閃存，進(jìn)而廢棄使用該閃存。故可通過本發(fā)明所提供的閃存測(cè)試方法回收原本具有64G的閃存，經(jīng)由挑選、偵測(cè)與處理等的重新配置過程而形成可使用例如32G、16G、8G、4G、2G或IG等標(biāo)準(zhǔn)記憶容量或者非標(biāo)準(zhǔn)記憶容量的閃存，用以降低成本并達(dá)到環(huán)保的目的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種閃存測(cè)試方法，借助對(duì)閃存進(jìn)行挑選、偵測(cè)與處理的方法，用以達(dá)到可經(jīng)測(cè)試而回收在閃存中仍可正常使用內(nèi)存區(qū)域(例如記憶區(qū)塊、記憶頁(yè)面與記憶晶胞)的目的。為解決上述的目的，本發(fā)明提供一種閃存測(cè)試方法，應(yīng)用于挑選具有缺陷的閃存以回收成可用的閃存，且該閃存至少包含區(qū)塊(block)、頁(yè)面(page)與晶胞(cell)，該方法包含步驟(a)輸入一測(cè)試指令至該閃存中，以對(duì)該閃存進(jìn)行寫入、讀取與比較的至少其一者的作動(dòng)；步驟(b)在執(zhí)行該測(cè)試指令之后取得該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞之至少其一者系為正?；虿徽顟B(tài)；步驟(C)標(biāo)記該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的至少其一者至閃存分布列表；以及，步驟(d)根據(jù)該閃存分布列表中使用已標(biāo)記為正常狀態(tài)的該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的至少一個(gè)。與現(xiàn)有技術(shù)相較，本發(fā)明的閃存測(cè)試方法可通過挑選、偵測(cè)與處理，將現(xiàn)有技術(shù)中因有部分缺陷而無法再繼續(xù)使用的閃存經(jīng)由再次的配置與控制以回收成為可使用的記憶區(qū)域，用以達(dá)到環(huán)保、降低成本等的功效。再者，通過本發(fā)明的方法也可將經(jīng)過挑選、偵測(cè)與處理過后的閃存中的該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的狀態(tài)提供給外部電子裝置中的內(nèi)存控制單元，用以供該內(nèi)存控制單元可借助該閃存中的狀態(tài)動(dòng)態(tài)地進(jìn)行調(diào)整與配置，從而達(dá)到延長(zhǎng)該閃存的使用壽命、提高該電子裝置操作時(shí)的穩(wěn)定性與增加數(shù)據(jù)儲(chǔ)存時(shí)的安全性，其中本發(fā)明的測(cè)試方式，系可在該電子裝置休眠的狀態(tài)下單獨(dú)執(zhí)行或者是在該電子裝置進(jìn)行數(shù)據(jù)存取時(shí)同時(shí)執(zhí)行。舉例而言，當(dāng)該閃存系通過主機(jī)或控制器發(fā)出可程序的指令進(jìn)行編程或者讀取數(shù)據(jù)時(shí)，本發(fā)明可提供對(duì)該閃存的錯(cuò)誤檢查校正單元(Error Correcting Codes)進(jìn)行監(jiān)控，以動(dòng)態(tài)地確保有正常的該記憶區(qū)域可供該主機(jī)或該控制器進(jìn)行存取的動(dòng)作。此外，也可通過本發(fā)明的方法避免該閃存因遭受到電氣(例如漏電流的破壞)環(huán)境影響所造成的影響。另外，本發(fā)明的方法可進(jìn)行至少二次以上的確認(rèn)動(dòng)作，使得在前次測(cè)試中雖被判定為正常的該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的內(nèi)存區(qū)域，會(huì)因?yàn)猷徑诓徽５脑搩?nèi)存區(qū)域，而使得借助本方法再次的對(duì)正常的該內(nèi)存區(qū)域進(jìn)行測(cè)試，用以避免正常的該內(nèi)存區(qū)域受到不正常的該內(nèi)存區(qū)域的干擾與影響而形成不正常的狀態(tài)。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖；圖2為說明圖1中的閃存的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為說明圖1中的閃存經(jīng)重置后的狀態(tài)示意圖；圖4為說明圖1中的閃存經(jīng)順序測(cè)試的狀態(tài)示意圖；圖5為圖1中的閃存經(jīng)隨機(jī)測(cè)試的狀態(tài)示意圖；圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程
圖7為本發(fā)明第三實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖；圖8為本發(fā)明第四實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖；圖9為本發(fā)明第五實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖；圖10為本發(fā)明第六實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖；圖11為說明圖10的閃存測(cè)試方法的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為本發(fā)明第七實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖；圖13為說明圖12的閃存測(cè)試方法的結(jié)構(gòu)示意圖；圖14為本發(fā)明第八實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖；以及圖15為本發(fā)明第九實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖。主要組件符號(hào)說明2 閃存22 區(qū)塊24 頁(yè)面26 晶胞262正常晶胞264不正常晶胞TC測(cè)試指令101-112 記憶區(qū)域
具體實(shí)施方式
為充分了解本發(fā)明的目的、特征及功效，現(xiàn)借由下述具體的實(shí)施例，并配合所附的圖式，對(duì)本發(fā)明做一詳細(xì)說明，說明如后:參照?qǐng)D1，為本發(fā)明第一實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖。在圖1中，該閃存測(cè)試方法應(yīng)用于挑選具有缺陷的閃存以回收成可用的閃存。其中，該閃存2至少包含區(qū)塊
22、頁(yè)面24與晶胞26等的記憶區(qū)域，且該晶胞26還包含正常晶胞262與不正常晶胞264，如圖2所示。再者，在此正常晶胞262定義為可正常的提供數(shù)據(jù)的存??；反之，不正常晶胞264無法正常的進(jìn)行數(shù)據(jù)的存取。該閃存測(cè)試方法的方法步驟起始于步驟S11，輸入一測(cè)試指令TC至該閃存2中，以對(duì)該閃存2進(jìn)行寫入、讀取與比較中的至少一個(gè)動(dòng)作，例如該測(cè)試指令可為抹除指令(ERASE command)。在實(shí)施例中，該閃存2可根據(jù)該測(cè)試指令TC以將該區(qū)塊22、該頁(yè)面24與該晶胞26重置為具有預(yù)設(shè)數(shù)值的狀態(tài)，例如該預(yù)設(shè)數(shù)值可為OxFF。舉例而言，一并可參照?qǐng)D3所示，在圖3中，該閃存2在接收該測(cè)試指令TC(例如抹除指令)之后，該閃存2中的位于該區(qū)塊22中的該頁(yè)面24的該正常晶胞262中的內(nèi)容被重置為OxFF,而該不正常晶胞264中的內(nèi)容則非重置為OxFF。接著步驟S12，在執(zhí)行該測(cè)試指令TC之后取得該區(qū)塊22、該頁(yè)面24與該晶胞26中的至少其一為正?；虿徽顟B(tài)。換言之，可通過偵測(cè)該區(qū)塊22、該頁(yè)面24與該晶胞26中的狀態(tài)，用以辨別是否為正?；蚴遣徽５挠洃泤^(qū)域。再者，該步驟S12可包含順序地或者隨機(jī)地取得該區(qū)塊22、該頁(yè)面24與該晶胞26的至少其中一個(gè)的狀態(tài)。其中，順序的方式可根據(jù)該閃存2中該記憶區(qū)域101-112的排列順序，從該記憶區(qū)域101開始順序地進(jìn)行偵測(cè)，接著偵測(cè)該記憶區(qū)域102，直到偵測(cè)完該記憶區(qū)域112以取得該記憶區(qū)域的狀態(tài)，如圖4所示。此外，隨機(jī)的方式可在該閃存2具有特定行為(behave)或圖樣(pattern)時(shí)，以特定的偵測(cè)路徑以取得該記憶區(qū)域的狀態(tài)，例如該偵測(cè)路徑系可偵測(cè)奇數(shù)的該記憶區(qū)域101，103，105等中的狀態(tài)，如圖5所示。舉例而言，接著前述的例子，該步驟S12可為比較該區(qū)塊22、該頁(yè)面24與該晶胞26中的至少其一者的狀態(tài)與該預(yù)設(shè)數(shù)值以產(chǎn)生比較結(jié)果，也即在接收該抹除指令之后，該晶胞26被重置為OxFF，并通過偵測(cè)該晶胞26中的內(nèi)容是否為OxFF，而用以判斷該晶胞26是該正常晶胞262或?yàn)樵摬徽＞О?64。又接著步驟S13，標(biāo)記該區(qū)塊22、該頁(yè)面24與該晶胞26的至少其一者至閃存分布列表。換言之，在步驟S12之后，系可確定該晶胞26是否為正常晶胞262或不正常晶胞264，并且分別地標(biāo)記該正常晶胞262與該不正常晶胞262在該閃存分布列表。而后步驟S14，根據(jù)該閃存分布列表中使用已標(biāo)記為正常狀態(tài)的該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的至少其一者。換言之，外部的控制器(controller)或主機(jī)(host)可通過該閃存分布列表讀取正常的該記憶區(qū)域，而可避免讀取不正常的該記憶區(qū)域。參照?qǐng)D6，本發(fā)明第二實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖。在圖6中，該閃存測(cè)試方法在步驟S12之后更可包含步驟S61,借助錯(cuò)誤檢查校正單元(Error CorrectingCodes,ECC)修復(fù)不正常狀態(tài)的該晶胞。其中，該錯(cuò)誤檢查校正單元具有供該晶胞進(jìn)行修復(fù)的最大校正數(shù)量。再接著步驟S62，計(jì)算通過該錯(cuò)誤檢查校正單元修復(fù)該不正常狀態(tài)的該晶胞的晶胞校正數(shù)量。
而在步驟S61與S62之后，還包含步驟S63，進(jìn)一步判斷該晶胞校正數(shù)量占該最大校正數(shù)量的比例，使得當(dāng)該比例小于預(yù)設(shè)容許比例時(shí)，將經(jīng)修復(fù)該不正常狀態(tài)的該晶胞以正常狀態(tài)標(biāo)記至該閃存分布列表。其中，該預(yù)設(shè)容許值為50%，也即通過校正的該晶胞校正數(shù)量系占有可通過該錯(cuò)誤檢查校正單元所允許校正的最大校正數(shù)量一半的比例。以此為例，若該最大校正數(shù)量為48個(gè)，而經(jīng)計(jì)算需要進(jìn)行校正不正常的該晶胞有24個(gè)，則當(dāng)需要進(jìn)行校正的該晶胞的數(shù)量低于該最大校正數(shù)量的一半時(shí)，經(jīng)該錯(cuò)誤檢查校正單元校正的不正常該晶胞，可在該閃存分布列表中標(biāo)示為可使用的正常該晶胞。若非為步驟S63的狀態(tài)，則執(zhí)行步驟S64，當(dāng)該比例大于該預(yù)設(shè)容許比例時(shí)，將經(jīng)修復(fù)該不正常狀態(tài)的該晶胞維持以不正常狀態(tài)標(biāo)記至該閃存分布列表。由于，該步驟S64中需要進(jìn)行校正的不正常該晶胞數(shù)量大于該預(yù)設(shè)容許的比列，雖然不正常的該晶胞仍可通過該錯(cuò)誤檢查校正單元進(jìn)行校正，但為確保整個(gè)該閃存中數(shù)據(jù)傳輸?shù)拇嫒〉姆€(wěn)定性與正確性，通過本步驟仍判斷該閃存分布列表標(biāo)記為不正常的該晶胞。參照?qǐng)D7，為本發(fā)明第三實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖。在圖7中，該閃存測(cè)試方法在步驟Sll之前更可包含步驟S71，控制單元發(fā)出抹除指令(ERASE command)與編程指令(programming command)至該閃存2,以在該閃存2的狀態(tài)針腳(例如R/B的針腳)上產(chǎn)生等待(ready)或忙碌(busy)的狀態(tài)。在另一實(shí)施例中，該控制單元發(fā)出該抹除指令與該編程指令至該閃存2，以在該閃存2的I/O的狀態(tài)針腳產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的尋址(address)的狀態(tài)。接著步驟S72，判斷該等待或忙碌的狀態(tài)，以測(cè)試該閃存2具有正常的該區(qū)塊22、該頁(yè)面24與該晶胞26的至少其一者。根據(jù)該步驟S72的回報(bào)結(jié)果，再接著執(zhí)行步驟Sll至步驟S14，使得該閃存2可通過寫入、讀取與比較的方式進(jìn)行更準(zhǔn)確的第二次判斷，使得可通過步驟Sll至S14，增強(qiáng)該步驟S71至S72中通過控制單元所測(cè)試得到的結(jié)果。參照?qǐng)D8，為本發(fā)明第四實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖。在圖8中，除與前述實(shí)施例具有大致相同的步驟外，還包含在步驟S71之后，接著步驟S81，在發(fā)出該抹除指令與該編程指令至該閃存之后，經(jīng)過一預(yù)定等待時(shí)間以確定在該閃存執(zhí)行完成該抹除指令與該編程指令，例如該預(yù)定等待時(shí)間系數(shù)秒或數(shù)十秒，用以確定該些指令有充足的時(shí)間完成對(duì)該閃存的測(cè)試。再接著步驟S82，接收該閃存已執(zhí)行完成該抹除指令與該編程指令的標(biāo)記旗號(hào)。并且在接著步驟S83，又再進(jìn)一步根據(jù)該標(biāo)記旗號(hào)，又再判斷該閃存是否為回收的該閃存，以接著執(zhí)行步驟S84與S85。其中，該步驟S84，當(dāng)判斷該閃存不是回收的該閃存時(shí)，則該閃存等待以接收下一個(gè)測(cè)試指令；以及，該步驟S85，當(dāng)判斷該閃存是回收的閃存時(shí)，則延遲一延長(zhǎng)等待時(shí)間再執(zhí)行該閃存以等待接收下一個(gè)測(cè)試指令。換言之，若該閃存為回收的閃存時(shí)，則給予額外更為適當(dāng)?shù)难娱L(zhǎng)等待時(shí)間，以等待測(cè)試的結(jié)果而可確保得到更為精準(zhǔn)的測(cè)試結(jié)果。參照?qǐng)D9，本發(fā)明第五實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖。在圖9中，該步驟S71之后還可包含步驟S91判斷在控制單元發(fā)出抹除指令與編程指令至該閃存2之后，在該閃存2的狀態(tài)針腳(例如R/B或I/O埠)始終維持高電位(pull high)或者低電位(pulllow)時(shí)，則丟棄該等待或忙碌狀態(tài)的判斷，并在一段延遲時(shí)間之后再取回該等待或忙碌的狀態(tài)。參照?qǐng)D10，為本發(fā)明第六實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖。在圖10中，在步驟S12之后還包含步驟S101，對(duì)鄰近發(fā)生不正常狀態(tài)的該區(qū)塊的復(fù)數(shù)區(qū)塊再次執(zhí)行步驟S12，以進(jìn)行該些區(qū)塊之間的相互影響檢測(cè)。舉例而言,可參照?qǐng)D11,圖11具有該區(qū)塊BA-BI。當(dāng)判斷該區(qū)塊BE被偵測(cè)為不正常的區(qū)塊時(shí)，則再次判斷位于該區(qū)塊BE鄰近的該區(qū)塊BB、BD、BH與BF。其中，該區(qū)塊BB、BD、BH與BF有可能在前次判斷時(shí)，判斷為正常的區(qū)塊。參照?qǐng)D12，為本發(fā)明第七實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖。于圖12中，在步驟S12之后還包含步驟S121，對(duì)鄰近發(fā)生不正常狀態(tài)的該頁(yè)面的復(fù)數(shù)頁(yè)面再次執(zhí)行步驟S12，以頁(yè)面群組(page group)進(jìn)行該些頁(yè)面的相互影響檢測(cè)。舉例而言，可參照?qǐng)D13，圖13具有該頁(yè)面PA-PI。當(dāng)判斷該頁(yè)面PB被偵測(cè)為不正常的區(qū)塊時(shí)，則以該頁(yè)面群組(例如PA、PB、PC定義為頁(yè)面群組)再次判斷與該頁(yè)面PB為同該頁(yè)面群組的該頁(yè)面PA與PC。其中，該頁(yè)面PA與PC有可能在前次判斷時(shí)，判斷為正常的頁(yè)面。參照?qǐng)D14，本發(fā)明第八實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖。在圖14中，該閃存測(cè)試方法在步驟S12之后包含步驟S141,監(jiān)控錯(cuò)誤檢查校正單元(Error CorrectingCodes)所進(jìn)行修復(fù)不正常狀態(tài)的該晶胞數(shù)量，以根據(jù)該晶胞數(shù)量的變化量標(biāo)記該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的至少其一者為正?；虿徽顟B(tài)。換言之，當(dāng)執(zhí)行例如讀取指令時(shí)，可借助監(jiān)控該錯(cuò)誤檢查校正單元中所校正的數(shù)量，用以判斷有無異常的狀態(tài)發(fā)生(例如每次校正的數(shù)量多少不定)。若產(chǎn)生異常的狀態(tài)，表示該閃存存在有不穩(wěn)定的該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞。參照?qǐng)D15，本發(fā)明第九實(shí)施例的閃存測(cè)試方法的方法流程圖。在圖15中，該閃存測(cè)試方法在步驟S14之后包含步驟S151，經(jīng)一定測(cè)試時(shí)間后，再重新執(zhí)行步驟Sll至步驟S14，以避免經(jīng)標(biāo)記為正常狀態(tài)的該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的至少其一者因漏電而轉(zhuǎn)變?yōu)椴徽顟B(tài)。本發(fā)明在上文中已以較佳實(shí)施例公開，但是熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解的是，該實(shí)施例僅用于描繪本發(fā)明，而不應(yīng)解讀為限制本發(fā)明的范圍。應(yīng)注意的是，所有與該實(shí)施例等效的變化與置換，均應(yīng)設(shè)為涵蓋于本發(fā)明的范疇內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種閃存測(cè)試方法，其特征在于，應(yīng)用于挑選具有缺陷的閃存以回收成可用的閃存，且該閃存至少包含區(qū)塊、頁(yè)面與晶胞，該方法包含: 輸入測(cè)試指令至該閃存中，以對(duì)該閃存進(jìn)行寫入、讀取與比較的至少其中一個(gè)動(dòng)作；在執(zhí)行該測(cè)試指令之后取得該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的至少其中一個(gè)為正?；虿徽顟B(tài)； 標(biāo)記該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的至少其中一個(gè)至閃存分布列表；以及 根據(jù)該閃存分布列表中使用已標(biāo)記為正常狀態(tài)的該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞中至少一個(gè)。
2.如權(quán)利要求1所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，步驟(a)包含根據(jù)該測(cè)試指令以將該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞中至少其中一個(gè)重置為具有預(yù)設(shè)數(shù)值的狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，在步驟(b)包含比較該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的至少其中一個(gè)的狀態(tài)與該預(yù)設(shè)數(shù)值以產(chǎn)生比較結(jié)果。
4.如權(quán)利要求3所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，步驟(c)包含根據(jù)該比較結(jié)果標(biāo)記該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞中至少其中一個(gè)。
5.如權(quán)利要求4所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，該測(cè)試指令為抹除指令。
6.如權(quán)利要求5所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，該預(yù)定數(shù)值為OxFF。
7.如權(quán)利要求1或2所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，步驟(b)包含以順序地或隨機(jī)地取得該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的至少 其中一個(gè)的狀態(tài)。
8.如權(quán)利要求1所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，在步驟(b)之后包含: (e)通過錯(cuò)誤檢查校正單元修復(fù)不正常狀態(tài)的該晶胞,其中該錯(cuò)誤檢查校正單元具有供該晶胞進(jìn)行修復(fù)的一最大校正數(shù)量；以及 (f)計(jì)算通過該錯(cuò)誤檢查校正單元修復(fù)該不正常狀態(tài)的該晶胞的晶胞校正數(shù)量。
9.如權(quán)利要求8所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，在步驟(f)之后還包含: (g)判斷該晶胞校正數(shù)量占該最大校正數(shù)量的比例，以使當(dāng)該比例小于預(yù)設(shè)容許比例時(shí)，將經(jīng)修復(fù)該不正常狀態(tài)的該晶胞以正常狀態(tài)標(biāo)記至該閃存分布列表。
10.如權(quán)利要求8所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，在步驟(g)之后更包含: (h)當(dāng)該比例大于該預(yù)設(shè)容許比例時(shí)，將經(jīng)修復(fù)該不正常狀態(tài)的該晶胞維持以不正常狀態(tài)標(biāo)記至該閃存分布列表。
11.如權(quán)利要求9或10所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，該預(yù)設(shè)容許值為50%。
12.如權(quán)利要求1所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，在步驟(a)之前還包含: (i)控制單元發(fā)出抹除指令與編程指令至該閃存，以在該閃存的狀態(tài)針腳上產(chǎn)生等待或忙碌的狀態(tài)；以及 U)判斷該等待或忙碌的狀態(tài)，以測(cè)試該閃存系具有正常的該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的至少其一者。
13.如權(quán)利要求12所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，該步驟(i)還包含在發(fā)出該抹除指令與該編程指令至該閃存之后，經(jīng)過一定預(yù)定等待時(shí)間以確定在該閃存執(zhí)行完成該抹除指令與該編程指令。
14.如權(quán)利要求13所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，還包含: (k)接收該閃存已執(zhí)行完成該抹除指令與該編程指令的標(biāo)記旗號(hào)；以及(I)根據(jù)該標(biāo)記旗號(hào)，又再判斷該閃存是否為回收的該閃存。
15.如權(quán)利要求14所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，在步驟(I)之后包含當(dāng)判斷該閃存是回收的該閃存時(shí)，則延遲延長(zhǎng)等待時(shí)間再執(zhí)行該閃存以等待接收下一個(gè)測(cè)試指令。
16.如權(quán)利要求12所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，在步驟(i)包含當(dāng)該等待或忙碌維持高電位或低電位時(shí)，則丟棄該等待或忙碌狀態(tài)的判斷，并在一段延遲時(shí)間之后再取回該等待或忙碌的狀態(tài)。
17.如權(quán)利要求1所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，在步驟(b)之后還包含: (m)對(duì)鄰近發(fā)生不正常狀態(tài)的該區(qū)塊的多個(gè)區(qū)塊再次執(zhí)行步驟(b)，以進(jìn)行該等區(qū)塊之間的相互影響檢測(cè)。
18.如權(quán)利要求1所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，在步驟(b)之后還包含: (η)對(duì)鄰近發(fā)生不正常狀態(tài)的該頁(yè)面的多個(gè)頁(yè)面再次執(zhí)行步驟(b)，以頁(yè)面群組進(jìn)行該等頁(yè)面的相互影響檢測(cè)。
19.如權(quán)利要求1所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，在步驟(a)之前還包含: (O)根據(jù)該閃存的傳輸埠 維持高電位或低電位，以判斷該傳輸埠取得錯(cuò)誤該頁(yè)面的數(shù)據(jù)。
20.如權(quán)利要求1所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，在步驟(b)之后包含: (P)監(jiān)控錯(cuò)誤檢查校正單元所進(jìn)行修復(fù)不正常狀態(tài)的該晶胞數(shù)量，以根據(jù)該晶胞數(shù)量的變化量標(biāo)記該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的至少其中一個(gè)為正常或不正常狀態(tài)。
21.如權(quán)利要求1所述的閃存測(cè)試方法，其特征在于，在步驟(d)之后包含: (q)經(jīng)一定測(cè)試時(shí)間后，再重新執(zhí)行步驟(a)至步驟(d)，以避免經(jīng)標(biāo)記為正常狀態(tài)的該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的至少其中一個(gè)因漏電而轉(zhuǎn)變?yōu)椴徽顟B(tài)。
全文摘要
一種閃存測(cè)試方法，應(yīng)用于挑選具有缺陷的閃存以回收成可用的閃存，其中該閃存至少包含區(qū)塊(block)、頁(yè)面(page)與晶胞(cell)。該方法包含輸入測(cè)試指令至該閃存中，以對(duì)該閃存進(jìn)行寫入、讀取或比較的動(dòng)作，并且在執(zhí)行該測(cè)試指令之后可用于取得該閃存中該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的狀態(tài)，又將該些狀態(tài)標(biāo)記在閃存分布列表中，以供控制器可通過閃存分布列表存取正常狀態(tài)下的該區(qū)塊、該頁(yè)面與該晶胞的至少其中一個(gè)。故通過本發(fā)明對(duì)該閃存的測(cè)試可獲得供正常使用的該區(qū)塊、頁(yè)面與晶胞的目的。
文檔編號(hào)G11C29/56GK103177772SQ201110428918
公開日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2011年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月20日
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