專利名稱：混合存儲器件及其控制方法、制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子行業(yè)存儲器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種可以實現(xiàn)兩種存儲方式-鐵電存儲方式和阻變存儲方式相結(jié)合的混合存儲器件及其控制方法、制備方法。
背景技術(shù)：
目前的半導(dǎo)體存儲器市場，以揮發(fā)性的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)及非揮發(fā)性的“閃存”存儲器(Flash)為代表。隨著移動存儲設(shè)備、手機通信設(shè)備以及數(shù)碼相機等各種便攜式數(shù)碼產(chǎn)品的發(fā)展與普及，市場對非易失性數(shù)據(jù)存儲的需求進一步增加，為了提高存儲密度和數(shù)據(jù)存儲可靠性，基于傳統(tǒng)浮柵結(jié)構(gòu)的Flash存儲器正面臨著嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。為此，業(yè)界對下一代非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器技術(shù)進行了大量的研究，多種新型存儲器技術(shù)得到了飛速發(fā)展。如鐵電存儲器和阻變存儲器是目前最具有代表性的兩個研究方向。鐵電存儲器是利用鐵電體的鐵電效應(yīng)來實現(xiàn)信息存儲的。圖1A為現(xiàn)有技術(shù)鐵電存儲器第一狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖1B為現(xiàn)有技術(shù)鐵電存儲器第二狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1A及IB所示，鐵電存儲器包括:硅襯底101 ;源端102 ;漏端103，氧化硅層104 ;鐵電存儲層105，電極106。圖1A中正向的剩余極化代表二進制存儲中的“I”信息(如圖1A所示)。圖1B中反向的剩余極化代表二進制存儲中的“O”信息(如圖1B所示)。鐵電存儲器的工作原理如下:利用鐵電薄膜取代常規(guī)場效應(yīng)晶體管中的柵介質(zhì)層，通過柵極極化狀態(tài)實現(xiàn)對源-漏電流的調(diào)制，使溝道導(dǎo)通或關(guān)閉來實現(xiàn)對信息的存儲與讀取。鐵電存儲器具有低壓、低功耗和快速的寫入特性，可靠性(如:耐久性> IO12個周期)，使得FeRAM成為便攜式系統(tǒng)和智能卡的理想存儲技術(shù)，但由于基于電容電荷的信號會隨著技術(shù)節(jié)點的減小而變?nèi)?，這使得高密度大容量鐵電存儲器很難制造。同時基于阻變材料的阻變存儲器也被廣泛地研究，阻變存儲器件RRAM主要是利用某些薄膜材料在電激勵的作用下會出現(xiàn)不同電阻狀態(tài)(高、低阻態(tài))的轉(zhuǎn)變現(xiàn)象來進行數(shù)據(jù)的存儲。目前RRAM的存儲單元結(jié)構(gòu)主要是一個晶體管一個RRAM(ITIR)或一個晶體管η個RRAM(ITnR)和一個二極管一個RRAM(IDIR)結(jié)構(gòu)。而在本發(fā)明中，選擇ITnR結(jié)構(gòu)。圖2Α為現(xiàn)有技術(shù)阻變存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2Α所示，阻變存儲器包括:襯底201，下電極202，阻變層203，上電極204。阻變存儲器可以為單極器件，雙極器件或無極器件，其中，單極器件可以在單一方向的偏壓下實現(xiàn)電阻的高低轉(zhuǎn)變，而雙極器件需要在不同方向的偏壓下實現(xiàn)電阻的高低轉(zhuǎn)變，無極器件指的是可以在任一方向的偏壓下實現(xiàn)電阻的高低轉(zhuǎn)變。圖2Β為現(xiàn)有技術(shù)單極阻變存儲器件的工作原理示意圖。如圖2Β所示，205為SET過程，206為RESET過程，207為限流過程。圖2C為現(xiàn)有技術(shù)雙極阻變存儲器件的工作原理示意圖。如圖2C所示，208為SET過程，209為RESET過程。具體的:寫I時，施加SET電壓使其轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)，寫O時施加RESET電壓使其轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦钁B(tài)，讀取時施加讀電壓(一般都很小，在0.2v左右)。研究發(fā)現(xiàn)RRAM具有寫入電壓低，寫入擦除時間短，非破壞性讀取，結(jié)構(gòu)簡單，所需面積小等優(yōu)點，而且因為它的高速，也可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的DRAM，因此RRAM已經(jīng)被越來越多的人所關(guān)注。在系統(tǒng)級芯片(System on a Chip，簡稱Soc)領(lǐng)域中，存儲體系上包括SRAM、DRAM、Flash等存儲結(jié)構(gòu)，而DRAM、Flash都需要不同的工藝流程，成本很高，致使Soc的成本很難降低。在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，申請人意識到現(xiàn)有技術(shù)存在如下技術(shù)缺陷:傳統(tǒng)的存儲陣列只能實現(xiàn)一種存儲方式，不能根據(jù)用戶需要靈活選擇。

發(fā)明內(nèi)容
(一 )要解決的技術(shù)問題為解決上述的一個或多個問題，本發(fā)明提供了一種結(jié)合鐵電存儲器的高可靠性和阻變存儲器的高密度設(shè)計出一種混合存儲器件及其控制方法、制備方法，以實現(xiàn)存儲方式的靈活選擇。(二)技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種混合存儲器件。該混合存儲器件包括:鐵電存儲單元；及形成于鐵電存儲單元的漏極之上的阻變存儲單元；鐵電存儲單元的柵極作為混合存儲器件的字線；阻變存儲單元的下電極與鐵電存儲單元的漏極相連接，阻變存儲單元的上電極作為混合存儲器件的位線；混合存儲器件在兩種存儲模式間切換:在第一種存儲模式中，阻變存儲單元作為存儲模塊，鐵電存儲單元作為選通模塊；在第二種存儲模式中，阻變存儲單元處于低阻態(tài)，鐵電存儲單元作為存儲模塊。根據(jù)本發(fā)明的再一個方面，還提供了一種混合存儲器件的控制方法，用于控制上述的混合存儲器件，包括:根據(jù)在混合存儲器件的字線和位線的電壓和方向，確定該混合存儲器件處于第一種存儲模式或第二種存儲模式，及在確定的存儲模式下的編程、擦除或讀取操作。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，還提供了一種混合存儲器件的制備方法，用于制備上述的混合存儲器件，包括:在半導(dǎo)體襯底上形成淺槽隔離；在形成淺槽隔離的半導(dǎo)體襯底上依次沉積鐵電存儲單元的氧化層、鐵電存儲層和電極材料層；對電極材料層、鐵電存儲層和氧化層進行刻蝕，并在刻蝕之后露出的襯底處進行摻雜，形成鐵電存儲單元的源極和漏極；在鐵電存儲單元的漏極上依次沉積阻變存儲單元的下電極層、阻變存儲層和上電極層。(三)有益效果本發(fā)明混合存儲器件及其控制方法、制備方法綜合利用了 FeRAM存儲方式和RRAM存儲方式的優(yōu)點，在單塊芯片上實現(xiàn)了兩種不同的存儲方式，從而可以滿足不同方式的存儲需要，提高了性能，降低了成本，而且它的制備過程與傳統(tǒng)的微電子工藝相兼容，利于廣泛推廣和應(yīng)用。


圖1A為現(xiàn)有技術(shù)鐵電存儲器第一狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1B為現(xiàn)有技術(shù)鐵電存儲器第二狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為現(xiàn)有技術(shù)阻變存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B為現(xiàn)有技術(shù)單極阻變存儲器件的工作原理示意圖2C為現(xiàn)有技術(shù)雙極阻變存儲器件的工作原理示意圖；圖3A為本發(fā)明實施例混合存儲器件的連接關(guān)系示意圖；圖3B為本發(fā)明實施例混合存儲器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實施例混合存儲器件控制方法的流程圖；圖5為多個本發(fā)明實施例混合存儲器件組成存儲陣列的示意圖；圖6為本發(fā)明實施例混合存儲器件制備方法的流程圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細(xì)說明。雖然本文可提供包含特定值的參數(shù)的示范，但應(yīng)了解，參數(shù)無需確切等于相應(yīng)的值，而是可在可接受的誤差容限或設(shè)計約束內(nèi)近似于所述值。在本發(fā)明的一個示例性實施例中，提出一種混合存儲器件。圖3A為本發(fā)明實施例混合存儲器件的連接關(guān)系示意圖。如圖3A所示，本實施例混合存儲器件包括:阻變存儲單元(RRAM單元)和鐵電存儲單元(FeRAM單元)；RRAM單元形成于FeRAM單元的漏極之上。其中，混合存儲子單元可在兩種存儲模式間切換=RRAM單元作為存儲模塊，F(xiàn)eRAM單元作為選通模塊；或RRAM單元處于低阻態(tài)，F(xiàn)eRAM單元作為存儲模塊。圖3B為本發(fā)明實施例混合存儲器件的結(jié)構(gòu)示意圖。以下結(jié)合圖3B，分別對FeRAM單兀和RRAM單兀進行介紹。鐵電存儲單?？梢詾镸FIS(metal-ferroelectric-1nsulator-silicon)結(jié)構(gòu)或者 MFMIS(metal-ferroelectric-metal-1nsulator-silicon)結(jié)構(gòu)。如圖3B所示，F(xiàn)eRAM單元包括:襯底；源極301和漏極302，形成于襯底溝道區(qū)的兩側(cè)；氧化硅層、鐵電存儲層、電極層( 共同標(biāo)記為303)，依次形成與襯底溝道區(qū)的上方。阻變存儲單元可以為單極器件、雙極器件或無極器件，其包括:下電極，形成于鐵電存儲單元的漏極上方；鐵電存儲層，形成于鐵電存儲單元的漏極上方；上電極，形成與鐵電存儲層的上方。此外，如圖3B所示,本實施例混合存儲子單元中，RRAM單元的一電極與FeRAM單元的漏極相連接；RRAM單元與電極相對應(yīng)的另一電極作為混合存儲子單元的位線(BL);以及FeRAM單元的柵極作為混合存儲子單元的字線(WL)。對于本實施例的混合存儲器件而言，電極材料、鐵電存儲材料、阻變存儲材料均可以選擇已有的材料。其中，電極的材料可以選取貴重金屬Pt、Ag、Pd ；CM0S工藝中常用的金屬W、T1、Al、Cu ;金屬氧化物L(fēng)aA103、SrRuO3以及多晶Si材料。鐵電存儲單元中鐵電存儲層的材料選自以下材料中的至少一種=PbTiO3 ;Pb (Zr1-Jix)O3,其中O < X < I ； SrTi O3 ；LiNbO3 ；Bi4Ti3012 ；BaTi03O RRAM的阻變層材料可以是鈣鈦礦氧化物:SrTi03> SrZr03、LiNbO3^BaTiO3 等過渡金屬二元氧化物:Zr02、Nb205、Ta205、A1203、CoO、V02、ZnO 等；固態(tài)電解質(zhì):Si02、W03等，有機物:、PVK (聚乙烯咔唑)、Alq3(8_羥基喹啉鋁)等有類似性質(zhì)的材料。本實施例提出了一種多功能通用式的混合存儲器件的設(shè)計方案，通過在一個存儲陣列中融合FeRAM與RRAM的存儲技術(shù)，既可以實現(xiàn)RRAM單元的高速低壓存儲，也可以實現(xiàn)FeRAM單元的高密度高可靠性的存儲，不同存儲方式的切換可根據(jù)不同的存儲環(huán)境通過外部軟件控制來實現(xiàn)。以下將介紹該混合存儲器件的控制方法。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提出了一種混合存儲器件的控制方法。圖4為本發(fā)明實施例混合存儲器件控制方法的流程圖。如圖4所示，本實施例包括:
步驟S402，獲取外部環(huán)境的需要；步驟S404，是否為高密度低壓存儲，如果是，執(zhí)行步驟S412，否則，執(zhí)行步驟S406 ；步驟S406，選擇為FeRAM存儲方式；步驟S408，對所有的RRAM單元進行Reset，使其進入低阻態(tài)；步驟S410，相應(yīng)的FeRAM單元執(zhí)行讀寫/擦出操作，流程結(jié)束；步驟S412，選擇為RRAM存儲方式步驟S414，F(xiàn)eRAM單元作為選通管；步驟S416，相應(yīng)的RRAM單元執(zhí)行讀寫/擦出操作，流程結(jié)束。圖5為多個本發(fā)明實施例混合存儲器件組成存儲陣列的示意圖?，F(xiàn)以圖5為例，對本發(fā)明實施例混合存儲器件控制方法進行說明。圖5中，501為列譯碼器，502為多路選擇器，503為SL (source line)，504為阻變存儲單元，505為CTM存儲單元，506為字線，507為位線，508為行譯碼器，509為寫驅(qū)動，510為讀出放大器，511為輸入輸出，512為工作模式信號。本實施例步驟S416中，當(dāng)外部環(huán)境需要高密度低壓存儲方式時，系統(tǒng)選擇RRAM作為存儲單元，工作模式信號來控制具體的操作狀態(tài)。其中FeRAM單元作為選通管，WL加合適電壓使FeRAM單元的源漏導(dǎo)通或截止。編程的時候，WL施加合適電壓Vpass使源漏導(dǎo)通，在BL上施加編程電壓Vset (通常I 2V，因材料而定)，擦除的時候，WL施加合適電壓Vpass使源漏導(dǎo)通，在BL上施加相應(yīng)的擦除電壓V,eset，讀取時，WL施加合適電壓Vpass使源漏導(dǎo)通，在BL上施加讀取電壓VMad( —般為0.2V)進行讀取。本實施例步驟S410中，當(dāng)需要FeRAM作為存儲單元的時候，先按照上邊操作模式將RRAM單元初始化為低阻態(tài)，工作模式信號來控制具體的操作狀態(tài)。選取相應(yīng)字線施加寫脈沖Vpulse, BL浮空，鐵電薄膜被極化，源漏導(dǎo)通為“ I”態(tài)。若再施加反向?qū)懨}沖-Vpulse,則溝道關(guān)閉為“O”態(tài)。讀取信息時，在相應(yīng)位線上施加讀電壓V_d，WL浮空，根據(jù)源漏電流的大小即可讀出所存儲的信息。通過本實施例的方法，實現(xiàn)了對上述實施例混合存儲器件的控制。在本發(fā)明的再一個示例性實施例中，還提供了一種混合存儲器件的制備方法。圖6為本發(fā)明實施例混合存儲器件制備方法的流程圖。如圖5所示，本實施例包括:步驟S602，選取合適的襯底；該襯底可以為硅，鍺或者其他有類似性質(zhì)的半導(dǎo)體材料步驟S604,在上述襯底上形成淺槽隔離(Shallow Trench Isolation,簡稱STI)；步驟S606，在襯底上依次淀積FeRAM單元的氧化層、鐵電存儲層和電極材料；本步驟中，氧化層由熱氧化或原子層堆積(ALD)方法制備，其厚度為2 IOnm ;其材料可以為二氧化硅，氧化鋁，氧化鉿，或者其他有類似性質(zhì)的二元氧化物或多元氧化物。鐵電存儲層由磁控濺射法、脈沖激光沉積等方法制備，其厚度為60 400nm ;其材料可以選擇為 PbTiO3, Pb (Zr1-Jix) O3 (其中 O < x < I)，SrTiO3, LiNbO3, Bi4Ti3O12, BaTiO3 等。電極由電子束蒸發(fā)方法制備，其厚度為70 300nm ;其材料可以為Pt、Ag、Pd、W、T1、Al、Cu、LaA103、SrRuO3以及多晶Si等材料。步驟S608，對上述的電極材料層、鐵電存儲層和氧化層進行刻蝕，并在刻蝕之后露出的襯底處進行摻雜，形成鐵電存儲單元的源漏結(jié)構(gòu)。
步驟S610，采用與S608步驟配套的掩模版，依次在FeRAM單元的漏端上方淀積RRAM單元的下電極、阻變層和上電極；本步驟中，RRAM單元阻變層由原子層堆積、磁控濺射、電子書蒸發(fā)等方法制備，其厚度為 5 50nm 不等，其材料可以選擇為 SrTi03、SrZr03、LiNb03、BaTi03、Zr02、Nb205、Ta205、Al203、Co0、V02、Zn0、Si02、W03、AIDCN、PVK、PS等有類似性質(zhì)的材料。電極的選擇和步驟S4的一致。此外，下電極和上電極由電子束蒸發(fā)方法制備，其厚度為70 300nm。步驟S612，從FeRAM單元的漏端(RRAM單元的下電極)，源端以及RRAM單元的上電極引出電極，形成字線和位線。其中，RRAM單元的上電極作為混合存儲子單元的位線(BL)；以及FeRAM單元的柵極作為混合存儲子單元的字線(WL)。綜上所述，本發(fā)明混合存儲器件及其控制方法、制備方法綜合利用了 FeRAM存儲器件和RRAM存儲器件的優(yōu)點，在單塊芯片上實現(xiàn)了兩種不同的存儲方式，從而可以滿足不同方式的存儲需要，提高了性能，降低了成本，而且它的制備過程與傳統(tǒng)的微電子工藝相兼容，利于廣泛推廣和應(yīng)用。以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種混合存儲器件，其特征在于，包括:鐵電存儲單元；及形成于所述鐵電存儲單元的漏極之上的阻變存儲單元； 所述混合存儲器件在兩種存儲模式間切換:在第一種存儲模式中，所述阻變存儲單元作為存儲模塊，所述鐵電存儲單元作為選通模塊；在第二種存儲模式中，所述阻變存儲單元處于低阻態(tài)，所述鐵電存儲單元作為存儲模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合存儲器件，其特征在于，所述鐵電存儲單元為MFIS結(jié)構(gòu)或者MFMIS結(jié)構(gòu)，其包括: 襯底； 源極和漏極，形成于所述襯底溝道區(qū)的兩側(cè)； 氧化硅層、鐵電存儲層、電極層，依次形成與所述襯底溝道區(qū)的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的混合存儲器件，其特征在于，所述鐵電存儲單元中鐵電存儲層的材料選自以下材料中的至少一種=PbTiO3 ;Pb (Zr1-Jix)O3,其中O < X < I ；SrTiO3 ；LiNbO3 ;Bi4Ti3012 ;BaTi03。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合存儲器件，其特征在于:所述阻變存儲單元為單極器件、雙極器件或無極器件，其包括: 下電極，形成于所述鐵電存儲單元的漏極上方； 阻變存儲層，形成于所述下電極的漏極上方； 上電極，形成與所述鐵電存儲層的上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4 所述的混合存儲器件，其特征在于，所述阻變存儲單元中阻變存儲層的材料選自以下材料中的至少一種:SrTi03、SrZr03、LiNb03、BaTiO3> ZrO2, Nb2O5, Ta2O5,A1203、CoO、VO2, ZnO, SiO2, W03、AIDCN、PVK, PS。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的混合存儲器件，其特征在于， 所述鐵電存儲單元的柵極作為所述混合存儲器件的字線； 所述阻變存儲單元的下電極與所述鐵電存儲單元的漏極相連接，所述阻變存儲單元的上電極作為混合存儲器件的位線。
7.一種混合存儲器件的控制方法，其特征在于，用于控制權(quán)利要求6所述的混合存儲器件，包括: 根據(jù)在所述混合存儲器件的字線和位線的電壓和方向，確定該混合存儲器件處于第一種存儲模式或第二種存儲模式，及在確定的存儲模式下的編程、擦除或讀取操作。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的混合存儲器件控制方法，其特征在于，所述確定該混合存儲器件處于第一種存儲模式或第二種存儲模式，及在確定的存儲模式下的編程、擦除和讀取操作的步驟，包括: 在字線施加電壓Vpass，使鐵電存儲單元的源漏導(dǎo)通，該混合存儲器件處于第一種存儲模式； 在所述第一種存儲模式下，在位線上施加編程電壓Vsrt，進行阻變存儲單元的編程操作；在位線上施加擦除電壓Vreset，進行阻變存儲單元的擦除操作；在位線上施加讀取電壓Vread，進行阻變存儲單元的讀取操作；
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的混合存儲器件控制方法，其特征在于，所述確定該混合存儲器件處于第一種存儲模式或第二種存儲模式，及在確定的存儲模式下的編程、擦除和讀取操作的步驟，包括: 將RRAM單元初始化為低阻態(tài)，該混合存儲器件處于第二種存儲模式； 在所述第二種存儲模式下，在字線施加寫電壓脈沖Vpulse,位線浮空，源漏導(dǎo)通為“ I ”態(tài)，進行鐵電存儲單元的編程操作；施加一反向電壓脈沖-Vpulse,則溝道關(guān)閉為“O”態(tài)，從而進行鐵電存儲單元的擦除操作；或在位線上施加一讀電壓VMad，字線浮空，進行鐵電存儲單元的讀取操作。
10.一種混合存儲器件的制備方法，其特征在于，用于制備權(quán)利要求1至5中任一項所述的混合存儲器件，包括: 在半導(dǎo)體襯底上形成淺槽隔離； 在形成淺槽隔離的半導(dǎo)體襯底上依次沉積鐵電存儲單元的氧化層、鐵電存儲層和電極材料層； 對所述電極材料層、鐵電存儲層和氧化層進行刻蝕，并在刻蝕之后露出的襯底處進行摻雜，形成鐵電存儲單元的源極和 漏極； 在所述鐵電存儲單元的漏極上依次沉積阻變存儲單元的下電極層、阻變存儲層和上電極層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的混合存儲器件的制備方法，其特征在于，所述襯底為硅襯底或鍺襯底。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的混合存儲器件的制備方法，其特征在于，所述對電極材料層、鐵電存儲層和氧化層進行刻蝕步驟中應(yīng)用的掩模版，與在所述鐵電存儲單元的漏極上依次沉積阻變存儲單元的下電極層、阻變存儲層和上電極層的掩模版相對應(yīng)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種混合存儲器件及其控制方法、制備方法。該混合存儲器件包括鐵電存儲單元；及形成于鐵電存儲單元的漏極之上的阻變存儲單元；混合存儲器件在兩種存儲模式間切換在第一種存儲模式中，阻變存儲單元作為存儲模塊，鐵電存儲單元作為選通模塊；在第二種存儲模式中，阻變存儲單元處于低阻態(tài)，鐵電存儲單元作為存儲模塊。本發(fā)明綜合利用了FeRAM存儲方式和RRAM存儲方式的優(yōu)點，在單塊芯片上實現(xiàn)了兩種不同的存儲方式，從而可以滿足不同方式的存儲需要。
文檔編號G11C11/22GK103165172SQ20111040949
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月9日
發(fā)明者劉明, 許中廣, 霍宗亮, 朱晨昕, 謝常青 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所