專利名稱：存儲裝置和存儲裝置的供電方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明實(shí)施例涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲裝置和存儲裝置的供電方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的存儲系統(tǒng)中采用若干個存儲模塊存儲數(shù)據(jù)，每一個存儲模塊(如固態(tài)硬盤(Solid State Drive ；以下簡稱SSD)盤片)作為一個封閉的殼體。在存儲模塊內(nèi)部設(shè)置有備電模塊，用于在存儲系統(tǒng)掉電時(shí)，為對應(yīng)的存儲模塊提供電源，以支持存儲模塊內(nèi)部的控制器將緩存中的數(shù)據(jù)寫入存儲模塊中，避免數(shù)據(jù)的丟失。由于上述現(xiàn)有技術(shù)中備電模塊位于存儲模塊的封閉殼體內(nèi)，備電模塊將會受到存儲模塊空間的限制，導(dǎo)致備電模塊備電能力不高；而且備電模塊對環(huán)境溫度較為敏感，備電模塊位于存儲模塊內(nèi)部，散熱受到一定的限制，致使備電模塊長時(shí)間運(yùn)行的失效概率較大。因此，采用上述現(xiàn)有技術(shù)的存儲模塊(如SSD盤片)，數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種存儲裝置和存儲裝置的供電方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)的存儲模塊數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)較大的缺陷，從而實(shí)現(xiàn)提高數(shù)據(jù)的安全性。本發(fā)明實(shí)施例提供一種存儲裝置，包括存儲模塊和設(shè)置在所述存儲模塊外部的備電模塊；所述備電模塊，用于在所述存儲模塊掉電時(shí)，為所述存儲模塊供電，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)存入所述存儲模塊；所述存儲模塊和所述備電模塊之間通過第一連接器連接；或者當(dāng)所述存儲裝置中還包括轉(zhuǎn)接卡時(shí)，所述備電模塊設(shè)置在所述轉(zhuǎn)接卡上，所述轉(zhuǎn)接卡與所述存儲模塊之間通過第二連接器連接。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種存儲裝置的供電方法，包括檢測所述存儲模塊是否掉電；當(dāng)所述存儲模塊掉電時(shí)，采用設(shè)置所述存儲模塊外部的備電模塊為所述存儲模塊供電，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)存入所述存儲模塊；其中所述存儲模塊和所述備電模塊之間通過第一連接器連接；或者當(dāng)所述存儲裝置中還包括轉(zhuǎn)接卡時(shí)，所述備電模塊設(shè)置在所述轉(zhuǎn)接卡上；所述轉(zhuǎn)接卡與所述存儲模塊之間通過第二連接器連接。本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲裝置和存儲裝置的供電方法，通過采用上述技術(shù)方案，備電模塊位于存儲模塊的外部，這樣備電模塊將不會受到存儲模塊(如SSD盤片)空間的限制，以提高備電模塊的備電能力，在存儲模塊掉電時(shí)，能夠具有足夠的電量以保證將緩存中的數(shù)據(jù)寫入存儲模塊中。而且備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)的外部，備電模塊的散熱較好，備電模塊因?yàn)殚L時(shí)間運(yùn)行溫度較高而失效概率較小，以保證存儲模塊掉電時(shí)，數(shù)據(jù)能夠安全地被寫入存儲模塊中。總之，采用本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，能夠有效地提高數(shù)據(jù)的安全性。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明一實(shí)施例提供的存儲裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的存儲裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明再一實(shí)施例提供的存儲裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的存儲裝置的供電方法的流程圖。圖5為本發(fā)明一實(shí)施例提供的存儲裝置的實(shí)例圖。圖6為圖5所示實(shí)施例的提供的存儲裝置的供電示例圖。圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的存儲裝置的實(shí)例圖。圖8為圖7所示實(shí)施例的提供的存儲裝置的供電示例圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。圖1為本發(fā)明一實(shí)施例提供的存儲裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例的存儲裝置，包括存儲模塊10和設(shè)置在存儲模塊10外部的備電模塊11。其中備電模塊11用于在存儲模塊10掉電時(shí)，為存儲模塊10供電，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)寫入存儲模塊10。本實(shí)施例中存儲模塊10和備電模塊11之間通過第一連接器連接；或者當(dāng)存儲裝置中還包括轉(zhuǎn)接卡時(shí)，備電模塊11設(shè)置在轉(zhuǎn)接卡上，轉(zhuǎn)接卡與存儲模塊10之間通過第二連接器連接。例如，本實(shí)施例中的存儲模塊10可以為SSD盤片，其中，SSD盤片可以包括存儲介質(zhì)、控制器、緩存等部件，但并不包括備電模塊。而在現(xiàn)有技術(shù)中，SSD盤片還可以包括備電模塊。本實(shí)施例的存儲裝置，通過采用上述技術(shù)方案，備電模塊位于存儲模塊的外部，這樣備電模塊將不會受到存儲模塊(如SSD盤片)空間的限制，可以將電容做大，以提高備電模塊的備電能力，在存儲模塊掉電時(shí)，能夠具有足夠的電量以保證將緩存中的數(shù)據(jù)寫入存儲模塊中。而且備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)的外部，備電模塊的散熱較好，備電模塊因?yàn)殚L時(shí)間運(yùn)行溫度較高而失效概率較小，以保證存儲模塊掉電時(shí)，數(shù)據(jù)能夠安全地被寫入存儲模塊中，因此采用本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)較小，能夠有效地提高數(shù)據(jù)的安全性。而且當(dāng)備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)內(nèi)時(shí)，備電模塊占用存儲模塊(如SSD盤片)的空間，備電模塊的電容和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量會受到互相限制，而采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，備電模塊和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量
5互相受限制的概率較小。圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的存儲裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，在上述圖1所示實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例的存儲裝置，還可以包括如下可選內(nèi)容本實(shí)施例的存儲裝置中，設(shè)置在存儲模塊10外部的備電模塊11為一個單獨(dú)的模塊，其中存儲模塊10和備電模塊11之間可以通過第一連接器12連接?？蛇x地，本實(shí)施例的存儲裝置中，該存儲模塊10可以包括存儲單元101和控制單元102。此時(shí)對應(yīng)地，控制單元102和存儲單元101分別通過第一連接器12與備電模塊11連接。例如當(dāng)存儲模塊10為SSD盤片時(shí)，存儲單元101可以為SSD盤片的存儲介質(zhì)，控制單元102可以為SSD盤片控制器。其中存儲單元101通過第一連接器12與備電模塊11連接，用于存儲數(shù)據(jù).舉例來說，該存儲單元101可以是存儲介質(zhì)，例如Flash顆粒?？刂茊卧?02與存儲單元101連接，控制單元102還通過第一連接器12與備電模塊11連接，用于在掉電時(shí)，控制備電模塊11為存儲單元101供電，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)存入存儲單元101。進(jìn)一步可選地，本實(shí)施例的存儲裝置中，控制單元102還用于在上電時(shí).時(shí)，向備電模塊11發(fā)出充電控制指示，以對備電模塊11充電?？刂茊卧?02還用于在備電模塊11充電結(jié)束后，檢測備電模塊11是否正常。例如控制單元102在備電模塊11充電結(jié)束后，對備電模塊11進(jìn)行檢測的具體過程如下控制單元102內(nèi)部可以預(yù)先設(shè)置有第一檢測電壓值，該第一檢測電壓值小于備電模塊11充電完成時(shí)對應(yīng)的電壓值。當(dāng)控制單元102開始對備電模塊11進(jìn)行檢測，先控制備電模塊11放電，當(dāng)備電模塊11放電至第一電壓值時(shí)，記錄對應(yīng)的第一時(shí)刻，然后控制備電模塊11繼續(xù)放電，當(dāng)備電模塊11放電至某一第二電壓值時(shí)，記錄此時(shí)的第二電壓值和對應(yīng)的第二時(shí)刻。然后控制單元101根據(jù)第一電壓值、第一時(shí)刻、第二電壓值和第二時(shí)刻計(jì)算對應(yīng)的檢測電容值，當(dāng)該檢測電容值在備電模塊11對應(yīng)的正常電容值的范圍內(nèi)時(shí)，確定該備電模塊11處于正常狀態(tài)，否則該備電模塊11處于非正常狀態(tài)。進(jìn)一步地，當(dāng)控制單元101檢測到備電模塊11處于非正常狀態(tài)時(shí)，可以觸發(fā)報(bào)警信號，以通知工作人員進(jìn)行維修。由于本實(shí)施例中存儲模塊10和備電模塊11之是通過第一連接器12連接。此時(shí)，具體地，存儲模塊10中的控制單元102與備電模塊11之間通過第一連接器12連接。具體地，控制單元102可以用于在上電時(shí)，通過第一連接器12向備電模塊11發(fā)出充電控制指示，以對備電模塊11充電?？刂茊卧?02還可以用于在備電模塊11充電結(jié)束后，通過第一連接器12實(shí)現(xiàn)檢測備電模塊11是否正常，詳細(xì)可以參考上述記載。本實(shí)施例的存儲裝置，通過采用上述技術(shù)方案，備電模塊位于存儲模塊的外部，這樣備電模塊將不會受到存儲模塊(如SSD盤片)空間的限制，可以將電容做大，以提高備電模塊的備電能力，在存儲模塊掉電時(shí)，能夠具有足夠的電量以保證將緩存中的數(shù)據(jù)寫入存儲模塊中。而且備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)的外部，備電模塊的散熱較好，備電模塊因?yàn)殚L時(shí)間運(yùn)行溫度較高而失效概率較小，以保證存儲模塊掉電時(shí)，數(shù)據(jù)能夠安全地被寫入存儲模塊中，因此采用本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)較小，能夠有效地提高數(shù)據(jù)的安全性。而且當(dāng)備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)內(nèi)時(shí)，備電模塊占用存儲模塊(如SSD盤片)的空間，備電模塊的電容和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量會受到互相限制，而采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，備電模塊和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量互相受限制的概率較小。圖3為本發(fā)明再一實(shí)施例提供的存儲裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，在上述圖1所示實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例的存儲裝置，還可以包括如下可選內(nèi)容本實(shí)施例的存儲裝置中還包括轉(zhuǎn)接卡13。本實(shí)施例中設(shè)置在存儲模塊10外部的備電模塊11可以設(shè)置在轉(zhuǎn)接卡13上，轉(zhuǎn)接卡13和存儲模塊10之間可以通過第二連接器14連接。同上述圖2所示實(shí)施例相似，可選地，本實(shí)施例的存儲裝置中，該存儲模塊1也可以包括存儲單元101和控制單元102。此時(shí)由于備電模塊11設(shè)置在轉(zhuǎn)接卡13上，備電模塊11可以分別通過第二連接器14與存儲單元101和控制單元102連接。例如當(dāng)存儲模塊10為SSD盤片時(shí)，存儲單元101可以為SSD盤片的存儲介質(zhì)，控制單元102可以為SSD盤片控制器。其中存儲單元101，通過第二連接器14與設(shè)置在轉(zhuǎn)接卡13上的備電模塊11連接，用于存儲數(shù)據(jù)?？刂茊卧?02與存儲單元101連接，控制單元102還通過第二連接器14與設(shè)置在轉(zhuǎn)接卡13上的備電模塊11連接，用于在掉電時(shí)，控制備電模塊11為存儲單元101供電，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)存入存儲單元101。同上述圖2所示實(shí)施例相似，進(jìn)一步可選地，本實(shí)施例的存儲裝置中控制單元102還用于在上電時(shí).時(shí)，向備電模塊11發(fā)出充電控制指示，以對備電模塊11充電。控制單元102還用于在備電模塊11充電結(jié)束后，檢測備電模塊11是否正常。其中控制單元102在備電模塊11充電結(jié)束后，對備電模塊11進(jìn)行檢測的具體過程可以參考上述圖2所示實(shí)施例的記載，在此不在贅述。由于本實(shí)施例中備電模塊11設(shè)置在轉(zhuǎn)接卡13上，備電模塊11 (也可以說轉(zhuǎn)接卡1 和存儲模塊10之間通過第二連接器14連接為例來說明本發(fā)明的技術(shù)方案。具體地，由于備電模塊11設(shè)置在轉(zhuǎn)接卡13上，此時(shí)可以認(rèn)為備電模塊11和轉(zhuǎn)接卡13設(shè)置在一起。此時(shí)控制單元102可以用于在上電時(shí)，通過第二連接器14向備電模塊11發(fā)出充電控制指示，以對備電模塊11充電?？刂茊卧?02還可以用于在備電模塊11充電結(jié)束后，通過第二連接器14檢測備電模塊11是否正常，詳細(xì)可以參考上述記載。本實(shí)施例的存儲裝置，通過采用上述技術(shù)方案，備電模塊位于存儲模塊的外部，這樣備電模塊將不會受到存儲模塊(如SSD盤片)空間的限制，可以將電容做大，以提高備電模塊的備電能力，在存儲模塊掉電時(shí)，能夠具有足夠的電量以保證將緩存中的數(shù)據(jù)寫入存儲模塊中。而且備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)的外部，備電模塊的散熱較好，備電模塊因?yàn)殚L時(shí)間運(yùn)行溫度較高而失效概率較小，以保證存儲模塊掉電時(shí)，數(shù)據(jù)能夠安全地被寫入存儲模塊中，因此采用本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)較小，能夠有效地提高數(shù)據(jù)的安全性。而且當(dāng)備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)內(nèi)時(shí)，備電模塊占用存儲模塊(如SSD盤片)的空間，備電模塊的電容和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量會受到互相限制，而采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，備電模塊和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量互相受限制的概率較小?？蛇x地，在圖3所示實(shí)施例的存儲裝置中還可以包括拉手條，該拉手條可以分別與存儲模塊10和轉(zhuǎn)接卡13連接，其具體功能可以參考現(xiàn)有技術(shù)的記載，詳細(xì)在此不再贅述。
可選地，上述圖2所示實(shí)施例的存儲裝置中也可以包括轉(zhuǎn)接卡，其具體功能及連接關(guān)系可以參考現(xiàn)有技術(shù)的記載，在此不再贅述。進(jìn)一步可選地，此時(shí)存儲裝置中也還可以包括拉手條，詳細(xì)在此不再贅述。圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的存儲裝置的供電方法的流程圖。如圖4所示，本實(shí)施例的存儲裝置的供電方法，具體可以包括如下100、檢測存儲模塊是否掉電；101、當(dāng)存儲模塊掉電時(shí)，采用設(shè)置存儲模塊外部的備電模塊為存儲模塊供電，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)存入存儲模塊。本實(shí)施例中存儲模塊外部的備電模塊可以為一個單獨(dú)的模塊，其中存儲模塊和備電模塊之間可以通過第一連接器連接?；蛘弋?dāng)存儲裝置中還包括轉(zhuǎn)接卡時(shí)，設(shè)置在存儲模塊外部的備電模塊為也可以設(shè)置在轉(zhuǎn)接卡上，此時(shí)轉(zhuǎn)接卡和存儲模塊之間可以通過第二連接器連接。本實(shí)施例的存儲裝置的供電方法應(yīng)用在包括上述存儲模塊和備電模塊的存儲裝置中?？蛇x地，本實(shí)施例的存儲裝置的供電方法中，當(dāng)存儲模塊未掉電時(shí)，采用外部電源存儲模塊供電，該方案詳細(xì)可以參考現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。本實(shí)施例的存儲裝置的供電方法，通過采用上述技術(shù)方案，能夠?yàn)榇鎯δK供電，且本實(shí)施例的技術(shù)方案中備電模塊位于存儲模塊的外部，這樣備電模塊將不會受到存儲模塊(如SSD盤片)空間的限制，可以將電容做大，以提高備電模塊的備電能力，在存儲模塊掉電時(shí)，能夠具有足夠的電量以保證將緩存中的數(shù)據(jù)寫入存儲模塊中。而且備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)的外部，備電模塊的散熱較好，備電模塊因?yàn)殚L時(shí)間運(yùn)行溫度較高而失效概率較小，以保證存儲模塊掉電時(shí)，數(shù)據(jù)能夠安全地被寫入存儲模塊中，因此采用本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)較小，能夠有效地提高數(shù)據(jù)的安全性。而且當(dāng)備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)內(nèi)時(shí)，備電模塊占用存儲模塊(如SSD盤片)的空間，備電模塊的電容和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量會受到互相限制，而采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，備電模塊和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量互相受限制的概率較小。進(jìn)一步可選地，上述實(shí)施例的技術(shù)方案中，存儲模塊可以包括存儲單元和控制單元。存儲單元用于存儲數(shù)據(jù)；控制單元用于在掉電時(shí)，控制備電模塊為存儲單元供電，以將緩存中的數(shù)據(jù)存入存儲單元。 例如當(dāng)存儲模塊為SSD盤片時(shí)，存儲單元可以為SSD盤片的存儲介質(zhì)，控制單元可以為SSD盤片控制器。具體地，此時(shí)“存儲模塊和備電模塊之間可以通過第一連接器連接”具體可以為控制單元和存儲單元分別通過第一連接器與備電模塊連接。另外，當(dāng)轉(zhuǎn)接卡和存儲模塊之間可以通過第二連接器連接時(shí)，由于備電模塊設(shè)置在轉(zhuǎn)接卡上，對應(yīng)地，備電模塊可以分別通過第二連接器與存儲單元和控制單元連接。此時(shí)可選地，上述實(shí)施例中的“ 101、當(dāng)存儲模塊掉電時(shí)，采用設(shè)置存儲模塊外部的備電模塊為存儲模塊供電，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)存入存儲模塊”具體可以為當(dāng)?shù)綦姇r(shí)，存儲模塊中的控制單元發(fā)出指示，使得備電模塊為存儲模塊中的存儲單元供電，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)存入存儲單元。當(dāng)控制單元和存儲單元分別通過第一連接器與備電模塊連接，當(dāng)?shù)綦姇r(shí)，控制單元通過第一連接器向備電模塊發(fā)出指示，使得備電模塊為存儲單元供電，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)存入存儲單元。
當(dāng)備電模塊分別通過第二連接器與存儲單元和控制單元連接，當(dāng)?shù)綦姇r(shí)，控制單元通過第二連接器向備電模塊發(fā)出指示，使得備電模塊為存儲單元供電，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)存入存儲單元?？蛇x地，在上述實(shí)施例的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，還可以包括如下內(nèi)容(1)在上電時(shí)，控制單元向備電模塊發(fā)出充電控制指示，以對備電模塊充電；例如，當(dāng)控制單元和存儲單元分別通過第一連接器與備電模塊連接，在上電時(shí)，控制單元可以通過第一連接器向備電模塊發(fā)出充電控制指示，以對備電模塊充電。例如，當(dāng)備電模塊分別通過第二連接器與存儲單元和控制單元連接，在上電時(shí)，控制單元可以通過第二連接器向備電模塊發(fā)出充電控制指示，以對備電模塊充電。(2)在備電模塊充電結(jié)束后，控制單元檢測備電模塊是否正常。例如，當(dāng)控制單元和存儲單元分別通過第一連接器與備電模塊連接，控制單元可以通過第一連接器檢測備電模塊是否正常。例如，當(dāng)備電模塊分別通過第二連接器與存儲單元和控制單元連接，控制單元可以通過第二連接器檢測備電模塊是否正常。其中控制單元在備電模塊充電結(jié)束后，檢測備電模塊是否正常的具體過程可以為控制單元內(nèi)部可以預(yù)先設(shè)置有第一檢測電壓值值，該第一檢測電壓值小于備電模塊11充電完成時(shí)對應(yīng)的電壓值。當(dāng)控制單元開始檢測備電模塊，先控制備電模塊放電，當(dāng)備電模塊放電至第一電壓值時(shí)，記錄對應(yīng)的第一時(shí)刻，然后控制備電模塊繼續(xù)放電，當(dāng)備電模塊放電至某一第二電壓值時(shí)，記錄此時(shí)的第二電壓值和對應(yīng)的第二時(shí)刻。然后控制單元根據(jù)第一電壓值、第一時(shí)刻、第二電壓值和第二時(shí)刻計(jì)算對應(yīng)的檢測電容值，當(dāng)該檢測電容值在備電模塊對應(yīng)的正常電容值的范圍內(nèi)時(shí)，確定該備電模塊處于正常狀態(tài)，否則該備電模塊處于非正常狀態(tài)。進(jìn)一步地，當(dāng)控制單元檢測到備電模塊處于非正常狀態(tài)時(shí)，可以觸發(fā)報(bào)警信號，以通知工作人員進(jìn)行維修。采用上述實(shí)施例的技術(shù)方案，能夠?yàn)榇鎯δK供電，且本實(shí)施例的技術(shù)方案中備電模塊位于存儲模塊的外部，這樣備電模塊將不會受到存儲模塊(如SSD盤片)空間的限制，可以將電容做大，以提高備電模塊的備電能力，在存儲模塊掉電時(shí)，能夠具有足夠的電量以保證將緩存中的數(shù)據(jù)寫入存儲模塊中。而且備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)的外部，備電模塊的散熱較好，備電模塊因?yàn)殚L時(shí)間運(yùn)行溫度較高而失效概率較小，以保證存儲模塊掉電時(shí)，數(shù)據(jù)能夠安全地被寫入存儲模塊中，因此采用本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)較小，能夠有效地提高數(shù)據(jù)的安全性。而且當(dāng)備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)內(nèi)時(shí)，備電模塊占用存儲模塊(如SSD盤片)的空間，備電模塊的電容和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量會受到互相限制，而采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，備電模塊和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量互相受限制的概率較小。圖5為本發(fā)明一實(shí)施例提供的存儲裝置的實(shí)例圖。圖6為圖5所示實(shí)施例的提供的存儲裝置的供電示例圖。如圖5和圖6所示，本實(shí)施例的存儲裝置中包括SSD盤片20、備電模塊21、轉(zhuǎn)接卡22和拉手條23。其中備電模塊21設(shè)置在裝接卡22上。轉(zhuǎn)接卡22與外接連接器M連接，用于接收外部的高速信號以及外接電源，以實(shí)現(xiàn)通信。轉(zhuǎn)接卡22和SSD盤片20通過第二連接器25連接，其中這里以第二連接器25的母頭設(shè)置在轉(zhuǎn)接卡22 —側(cè)，第二連接器25的公頭設(shè)置在SSD盤片20 —側(cè)為例。拉手條23分別與轉(zhuǎn)接卡22和SSD盤片20連接，其中轉(zhuǎn)接卡22位于拉手條23上方，SSD盤片20位于拉手條23下方，通過拉手23條實(shí)現(xiàn)了將轉(zhuǎn)接卡22和SSD盤片20組成硬盤單元，應(yīng)用于存儲陣列之上，其中拉手條23上還有導(dǎo)光柱，實(shí)現(xiàn)對硬盤單元運(yùn)行狀態(tài)的顯示。詳細(xì)可以參考現(xiàn)有技術(shù)的記載，在此不在贅述。本實(shí)施例的外接連接器M可以為串行連接小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口 GerialAttached Small Computer System Interface ；簡禾爾為 Serial Attached SCSI ；進(jìn)一步簡稱為SAQ連接器或者串行高級技術(shù)附件(Serial Advanced Technology Attachment ；以下簡稱SATA)連接器。如圖5和圖6所示，SSD盤片20的高速SAS信號(或者SATA信號)通過轉(zhuǎn)接卡22上的外接連接器M與SSD盤片20的背板進(jìn)行通信，而工作電源從外接連接器M引入(例如+12V)，+12V電源是備電模塊21的輸入電壓，而備電模塊21的輸出電壓和+12V電源進(jìn)行電源合路作為SSD盤片30的輸入電源。SSD盤片20通過第二連接器25上的3. 3V空閑管腳向備電模塊21發(fā)出充電控制指示，以指示備電模塊21充電?；蛘逽SD盤片20還可以通過第二連接器25上的3. 3V空閑管腳在備電模塊21充電結(jié)束后，檢測備電模塊21是否正常，具體可以參考上述實(shí)施例的檢測方法，詳細(xì)在此不在贅述。如圖6所示，本實(shí)施例的存儲裝置，當(dāng)存儲裝置未斷電時(shí)，SSD盤片20通過從外接連接器M引入的電源進(jìn)行供電。存儲裝置斷電時(shí)，SSD盤片20中的主控制器(如控制單元)收到外部電源丟失的中斷信號，指示備電模塊21為SSD盤片20供電，以將CACHE中的數(shù)據(jù)寫入SSD盤片20的存儲介質(zhì)(如存儲單元)中，避免數(shù)據(jù)丟失。采用上述本實(shí)施例的技術(shù)方案，備電模塊位于存儲模塊的外部，這樣備電模塊將不會受到存儲模塊(如SSD盤片)空間的限制，可以將電容做大，以提高備電模塊的備電能力，在存儲模塊掉電時(shí)，能夠具有足夠的電量以保證將緩存中的數(shù)據(jù)寫入存儲模塊中。而且備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)的外部，備電模塊的散熱較好，備電模塊因?yàn)殚L時(shí)間運(yùn)行溫度較高而失效概率較小，以保證存儲模塊掉電時(shí)，數(shù)據(jù)能夠安全地被寫入存儲模塊中，因此采用本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)較小，能夠有效地提高數(shù)據(jù)的安全性。而且當(dāng)備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)內(nèi)時(shí)，備電模塊占用存儲模塊(如SSD盤片)的空間，備電模塊的電容和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量會受到互相限制，而采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，備電模塊和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量互相受限制的概率較小。圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的存儲裝置的實(shí)例圖。圖8為圖7所示實(shí)施例的提供的存儲裝置的供電示例圖。如圖7和圖8所示，本實(shí)施例的存儲裝置中包括SSD盤片30、備電模塊31、轉(zhuǎn)接卡32和拉手條33。其中外接連接器34于與轉(zhuǎn)接卡32連接，用于接收外部的高速信號以及外接電源，以實(shí)現(xiàn)通信。備電模塊31和SSD盤片之間采用第一連接器35連接。轉(zhuǎn)接卡32和SSD盤片30通過第二連接器36連接，其中這里以第二連接器36的母頭設(shè)置在轉(zhuǎn)接卡32 —側(cè)，第二連接器36的公頭設(shè)置在SSD盤片30 —側(cè)為例。拉手條33的設(shè)置以及連接關(guān)系可以參考上述圖5和圖6的相關(guān)記載，在此不在贅述。同理本實(shí)施例的外接連接器34可以為SAS連接器或者SATA連接器。如圖7和圖8所示，SSD盤片30的高速SAS信號(或者SATA信號)通過轉(zhuǎn)接卡32上的外接連接器34與SSD盤片30的背板進(jìn)行通信，而工作電源從外接連接器34引入(例
10如+12V)SSD盤片30和備電模塊31，而備電模塊31的輸出電壓送回SSD盤片30和+12V電源進(jìn)行電源合路作為SSD盤片30的工作電源。SSD盤片30通過SSD盤片30與備電模塊31之間的第一連接器35件發(fā)出充電控制指示，以指示備電模塊31充電?；蛘逽SD盤片30還可以通過第一連接器35上的3. 3V空閑管腳在備電模塊31充電結(jié)束后，檢測備電模塊31是否正常。詳細(xì)可以參考上述圖5和圖6的相關(guān)記載，在此不再贅述。如圖8所示，本實(shí)施例的存儲裝置，當(dāng)存儲裝置未斷電時(shí)，SSD盤片30通過從外接連接器34引入的電源進(jìn)行供電。存儲裝置斷電時(shí)，SSD盤片30中的主控制器(如控制單元)收到外部電源丟失的中斷信號，指示備電模塊31為SSD盤片30供電，以將CACHE中的數(shù)據(jù)寫入SSD盤片30的存儲介質(zhì)(如存儲單元)中，避免數(shù)據(jù)丟失。采用上述本實(shí)施例的技術(shù)方案，備電模塊位于存儲模塊的外部，這樣備電模塊將不會受到存儲模塊(如SSD盤片)空間的限制，可以將電容做大，以提高備電模塊的備電能力，在存儲模塊掉電時(shí)，能夠具有足夠的電量以保證將緩存中的數(shù)據(jù)寫入存儲模塊中。而且備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)的外部，備電模塊的散熱較好，備電模塊因?yàn)殚L時(shí)間運(yùn)行溫度較高而失效概率較小，以保證存儲模塊掉電時(shí)，數(shù)據(jù)能夠安全地被寫入存儲模塊中，因此采用本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)較小，能夠有效地提高數(shù)據(jù)的安全性。而且當(dāng)備電模塊位于存儲模塊(如SSD盤片)內(nèi)時(shí)，備電模塊占用存儲模塊(如SSD盤片)的空間，備電模塊的電容和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量會受到互相限制，而采用本實(shí)施例的技術(shù)方案，備電模塊和存儲模塊(如SSD盤片)的存儲容量互相受限制的概率較小。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
權(quán)利要求
1.一種存儲裝置，其特征在于，包括存儲模塊和設(shè)置在所述存儲模塊外部的備電模塊；所述備電模塊，用于在所述存儲模塊掉電時(shí)，為所述存儲模塊供電，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)存入所述存儲模塊；所述存儲模塊和所述備電模塊之間通過第一連接器連接；或者當(dāng)所述存儲裝置中還包括轉(zhuǎn)接卡時(shí)，所述備電模塊設(shè)置在所述轉(zhuǎn)接卡上，所述轉(zhuǎn)接卡與所述存儲模塊之間通過第二連接器連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述存儲裝置，其特征在于，所述存儲模塊為固態(tài)硬盤盤片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲裝置，其特征在于，所述存儲模塊包括存儲單元和控制單元；所述存儲模塊和所述備電模塊之間通過第一連接器連接具體包括所述存儲單元，通過所述第一連接器與所述備電模塊連接，用于存儲所述數(shù)據(jù)；所述控制單元，通過所述第一連接器與所述備電模塊連接，用于在掉電時(shí)，控制所述備電模塊為所述存儲單元供電，以提供電能將緩存中的所述數(shù)據(jù)存入所述存儲單元；或者當(dāng)所述存儲裝置中還包括轉(zhuǎn)接卡時(shí)，所述備電模塊設(shè)置在所述轉(zhuǎn)接卡上，所述轉(zhuǎn)接卡與所述存儲模塊之間通過第二連接器連接具體包括所述存儲單元，通過所述第二連接器與設(shè)置在所述轉(zhuǎn)接卡上的備電模塊連接，用于存儲數(shù)據(jù)；所述控制單元，通過所述第二連接器與設(shè)置在所述轉(zhuǎn)接卡上的備電模塊連接，用于在掉電時(shí)，控制所述備電模塊為所述存儲單元供電，以提供電能將緩存中的所述數(shù)據(jù)存入所述存儲單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲裝置，其特征在于所述控制單元，還用于在上電時(shí)，向所述備電模塊發(fā)出充電控制指示，以對所述備電模塊充電；所述控制單元，還用于在所述備電模塊充電結(jié)束后，檢測所述備電模塊是否工作正常。
5.一種存儲裝置的供電方法，其特征在于，包括檢測所述存儲模塊是否掉電；當(dāng)所述存儲模塊掉電時(shí)，采用設(shè)置所述存儲模塊外部的備電模塊為所述存儲模塊供電，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)存入所述存儲模塊；其中所述存儲模塊和所述備電模塊之間通過第一連接器連接；或者當(dāng)所述存儲裝置中還包括轉(zhuǎn)接卡時(shí)，所述備電模塊設(shè)置在所述轉(zhuǎn)接卡上；所述轉(zhuǎn)接卡與所述存儲模塊之間通過第二連接器連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述方法，其特征在于，所述存儲模塊為固態(tài)硬盤盤片。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其特征在于，當(dāng)所述存儲模塊掉電時(shí)，采用設(shè)置所述存儲模塊外部的備電模塊為所述存儲模塊提供電源，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)存入所述存儲模塊，包括當(dāng)?shù)綦姇r(shí)，所述存儲模塊中的控制單元發(fā)出指示，使得所述備電模塊為所述存儲模塊中的存儲單元供電，以提供電能將緩存中的所述數(shù)據(jù)存入所述存儲單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，還包括在上電時(shí)，所述控制單元向所述備電模塊發(fā)出充電控制指示，以對所述備電模塊充電；在所述備電模塊充電結(jié)束后，所述控制單元檢測所述備電模塊是否正常。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種存儲裝置和存儲裝置的供電方法。其存儲裝置包括存儲模塊和設(shè)置在所述存儲模塊外部的備電模塊；所述備電模塊，用于在所述存儲模塊掉電時(shí)，為所述存儲模塊提供電源，以提供電能將緩存中的數(shù)據(jù)寫入所述存儲模塊；所述存儲模塊和所述備電模塊之間通過第一連接器連接；或者當(dāng)所述存儲裝置中還包括轉(zhuǎn)接卡時(shí)，所述備電模塊設(shè)置在所述轉(zhuǎn)接卡上，所述轉(zhuǎn)接卡與所述存儲模塊之間通過第二連接器連接。采用本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)較小，能夠有效地提高數(shù)據(jù)的安全性。
文檔編號G11C5/14GK102385897SQ201110341288
公開日2012年3月21日 申請日期2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月2日
發(fā)明者劉波, 田達(dá)海, 范瑞琦 申請人:成都市華為賽門鐵克科技有限公司