專利名稱：檢測存儲器記憶能力的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體技術領域，尤其涉及檢測存儲器記憶能力的方法。
背景技術：
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性存儲器，在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種，與EEPROM不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時仍能保存數據，閃存通常被用來保存設置信息，如在電腦的BI0S(基本輸入輸出程序)、PDA (Personal Digital Assistant，個人數字助理)、數碼相機中保存資料寸?，F(xiàn)有技術中的閃存包括NAND閃存和NOR閃存。NOR閃存與NAND閃存的區(qū)別很大， NOR閃存更像內存，有獨立的地址線和數據線。NAND閃存更像硬盤，地址線和數據線是共用的1/0(輸入/輸出)線，所有信息都通過一條線傳送。NOR閃存比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內運行，手機就是使用NOR閃存的大戶，所以手機的“內存”容量通常不大；NAND閃存主要用來存儲資料，我們常用的閃存產品，如閃存盤、 數碼存儲卡都是用NAND閃存。NOR閃存應用在裝置例如手機內，通常分為兩個區(qū)域，分別為代碼區(qū)域和文件系統(tǒng)區(qū)域，代碼區(qū)域存儲裝置的配置信息和生產信息，文件系統(tǒng)區(qū)域可以用來進行存儲文件，由于裝置的配置信息和生產信息不能被修改，因此代碼區(qū)域應為只讀區(qū)域，保證裝置的配置信息和生產信息不被外界修改?，F(xiàn)有技術中，通常會對NOR閃存的文件系統(tǒng)區(qū)域進行檢測， 防止NOR閃存中有壞區(qū)存在影響存儲性能。在NOR閃存生產完成后將其要應用的裝置的配置信息和生產信息存儲在只讀區(qū)域中，通常不對只讀區(qū)域進行檢測。然而，在應用中，有時會發(fā)現(xiàn)由于外界的因素或者是NOR閃存的只讀區(qū)域數據記憶能力差，只讀區(qū)域中的配置信息和生產信息也會發(fā)生變化。因此，也需要檢測NOR閃存的只讀區(qū)域的數據記憶能力，確保只有經過檢測的NOR閃存才能進行應用，以免只讀區(qū)域記憶能力差的NOR閃存流入市場，確保裝置的性能。現(xiàn)有技術中，有許多關于存儲器、存儲器檢測方法的專利和專利申請，例如2000 年4月5日公開的公開號為“CN1249519A”的中國專利申請公開的“非易失性存儲器件及其檢測方法”，然而均沒有解決以上技術問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題是提供一種檢測存儲器記憶能力的方法，檢測存儲器中只讀區(qū)域的記憶能力，確保隨機重要只讀數據不易丟失。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種檢測存儲器記憶能力的方法，所述存儲器包括只讀區(qū)域，包括利用校驗算法計算需要向所述只讀區(qū)域中寫入的只讀數據，獲得第一校驗值；
將所述只讀數據寫入所述只讀區(qū)域；將所述存儲器置于容易造成數據丟失的模擬環(huán)境中；讀出只讀區(qū)域中存儲的只讀數據；利用所述校驗算法計算讀出的只讀數據，獲得第二校驗值，在所述第一校驗值和所述第二校驗值相等時，判定所述存儲器記憶能力合格?？蛇x的，所述校驗算法為CRC算法、MD5算法，MEM0BUS算法或者奇偶校驗算法?？蛇x的，將所述存儲器置于容易造成數據丟失的模擬環(huán)境中為對所述存儲器進行烘焙?？蛇x的，在隊氛圍中，對所述存儲器進行烘焙?？蛇x的，在200 300°C溫度范圍內，對所述存儲器進行大于兩天時間的烘焙?？蛇x的，所述只讀數據包括所述存儲器的配置信息以及生產信息。可選的，所述利用校驗算法計算需要向所述只讀區(qū)域中寫入的只讀數據，獲得第一校驗值包括向校驗程序中輸入所述只讀數據；所述校驗程序利用校驗算法計算所述只讀數據，輸出第一校驗值?？蛇x的，將所述只讀數據寫入所述只讀區(qū)域包括在所述存儲器的只讀區(qū)域的存儲單元上施加寫入電壓，將所述只讀數據寫入所述只讀區(qū)域。可選的，所述讀出只讀區(qū)域中存儲的只讀數據包括在所述存儲器的只讀區(qū)域的存儲單元上施加讀取電壓，將所述只讀數據從所述只讀區(qū)域讀出?？蛇x的，利用所述校驗算法計算讀出的只讀數據，獲知第二校驗值，包括向校驗程序中輸入從所述只讀區(qū)域中讀出的只讀數據；所述校驗程序利用校驗算法計算所述讀出的只讀數據，輸出第二校驗值?？蛇x的，所述存儲器為NOR閃存?？蛇x的，所述存儲器為非揮發(fā)性只讀存儲器。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明具體實施例的檢測存儲器記憶能力的方法，在存儲器的只讀區(qū)域中存入只讀數據之前，首先利用校驗算法計算只讀數據獲得第一校驗值；然后，將只讀數據寫入只讀區(qū)域；接著將存儲器置于可能造成數據丟失的模擬環(huán)境中，例如對存儲器進行烘焙；接著， 讀出只讀區(qū)域中存儲的只讀數據；在利用校驗算法計算讀出的只讀數據獲得第二校驗值， 如果第一校驗值和第二校驗值相等說明存儲器記憶能力合格，也就說明存儲器的只讀區(qū)域的數據記憶能力可以經受容易造成數據丟失的環(huán)境的考驗。只有經過檢測的NOR存儲器才能進行應用，以免只讀區(qū)域記憶能力差的NOR存儲器流入市場，確保裝置的性能。


圖1是本發(fā)明具體實施例的檢測存儲器記憶能力的方法的流程示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明具體實施方式
的檢測存儲器記憶能力的方法，對閃存進行烘焙，使閃存經受高溫，并將烘焙之前只讀區(qū)域中只讀數據經校驗算法計算后的第一校驗值和烘焙后只讀區(qū)域中只讀數據經校驗算法計算后的第二校驗值進行比較，如果第一校驗值和第二校驗值相等，判定閃存記憶能力良好，具體的說是閃存中只讀區(qū)域記憶能力的好壞。如果存儲器為非揮發(fā)性存儲器(nonvolatile memory，簡稱NVR存儲器)，則用來檢測該非揮發(fā)性存儲器的記憶能力。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式
的限制。本發(fā)明具體實施例的存儲器可以為閃存，也可以為非揮發(fā)性只讀存儲器，如果為閃存，該閃存包括只讀區(qū)域，可以為NOR閃存。圖1是本發(fā)明具體實施方式
的檢測存儲器記憶能力的方法的流程示意圖，參考圖 1，本發(fā)明具體實施方式
的檢測存儲器記憶能力的方法包括步驟S11，利用校驗算法計算需要向所述只讀區(qū)域中寫入的只讀數據，獲得第一校驗值；步驟S12，將所述只讀數據寫入所述只讀區(qū)域；步驟S13，將所述存儲器置于容易造成數據丟失的模擬環(huán)境中；步驟S14，讀出只讀區(qū)域中存儲的只讀數據；步驟S15，利用所述校驗算法計算讀出的只讀數據，獲得第二校驗值，在所述第一校驗值和所述第二校驗值相等時，判定所述存儲器記憶能力合格。下面結合具體實施例詳述本發(fā)明具體實施方式
的檢測存儲器記憶能力的方法。步驟S11，利用校驗算法計算需要向所述只讀區(qū)域中寫入的只讀數據，獲得第一校驗值。本發(fā)明具體實施例中，如果存儲器為非揮發(fā)性只讀存儲器，則只讀區(qū)域即為整個存儲器的存儲區(qū)域；如果存儲器為閃存，則只讀區(qū)域為閃存中的只讀區(qū)域。閃存一般包括NAND 閃存和NOR閃存。NOR閃存通常應用于嵌入式系統(tǒng)，包括兩個區(qū)域，分別為代碼區(qū)域和文件系統(tǒng)區(qū)域，代碼區(qū)域存儲裝置的配置信息和生產信息，文件系統(tǒng)區(qū)域可以用來進行存儲文件。由于裝置的配置信息和生產信息不能被修改，因此代碼區(qū)域應為只讀區(qū)域，保證裝置的隨機重要芯片配置信息和生產信息不被外界修改。本發(fā)明具體實施例中的閃存主要指NOR 閃存，但是，本發(fā)明中的閃存不限于NOR閃存，在其他閃存中如果也有只讀區(qū)域，也可以用本發(fā)明的方法檢測只讀區(qū)域數據的記憶能力。存儲器中存儲的信息以0和/或1組成的代碼序列表示，因此只讀區(qū)域中即將存入的只讀數據是0和/或1組成的代碼序列。由于只讀區(qū)域中的只讀數據不能被篡改，因此只讀數據應該是由0和/或1組成的固定的代碼序列，可以將該代碼序列輸入校驗程序中， 然后利用校驗程序中的校驗算法計算由該代碼序列表示的只讀數據，之后校驗程序輸出第一校驗值。因此本發(fā)明中，利用校驗算法計算需要向所述只讀區(qū)域中寫入的只讀數據，獲得第一校驗值包括向校驗程序中輸入所述只讀數據；所述校驗程序利用校驗算法計算所述只讀數據，輸出第一校驗值。在本發(fā)明具體實施例中，校驗算法采用CRC算法(循環(huán)冗余校驗算法，CyclicRedundancy Check), CRC是一種根據網絡數據封包或電腦檔案等數據產生簡短固定位數校驗碼的一種散列函數，主要用來檢測或校驗數據傳輸或者保存后可能出現(xiàn)的錯誤。生成的數字在傳輸或者儲存之前計算出來并且附加到數據后面，然后接收方進行檢驗確定數據是否發(fā)生變化。但本發(fā)明中的校驗算法不限于CRC算法，也可以采用本技術領域中可以用于校驗的其他算法。例如，MD5算法，MEM0BUS算法或者奇偶校驗算法等。步驟S12，將所述只讀數據寫入所述只讀區(qū)域。本發(fā)明具體實施例中，第一校驗值也寫入只讀區(qū)域中。具體的實現(xiàn)方式為在所述存儲器的只讀區(qū)域的存儲單元上施加寫入電壓，將所述只讀數據、第一校驗值寫入所述只讀區(qū)域。對存儲單元執(zhí)行相應寫入過程，也就是將代表只讀數據、第一校驗值的代碼序列寫入對各個存儲單元中，每一個存儲單元中存儲1或0。步驟S13，將所述存儲器置于容易造成數據丟失的模擬環(huán)境中。本發(fā)明具體實施例中，將所述存儲器置于容易造成數據丟失的模擬環(huán)境中為對所述存儲器進行烘焙。本發(fā)明中，對存儲器進行烘焙的目的是模擬現(xiàn)實環(huán)境中可能造成存儲器數據記憶能力下降的環(huán)境，也就是容易導致存儲器中數據丟失的環(huán)境，以檢測存儲器經過模擬環(huán)境后，是否還具有良好的數據記憶能力。本發(fā)明具體實施例中，為了防止存儲器在高溫環(huán)境下被氧化，在N2氛圍中，對所述存儲器進行烘焙，且在200 300°C溫度范圍內，對所述存儲器進行大于兩天時間的烘焙。本發(fā)明具體實施例中，容易造成數據丟失的模擬環(huán)境不限于高溫環(huán)境，也就是說，不限于對存儲器進行烘焙，也可以為其他容易造成存儲器數據丟失的其他環(huán)境。步驟S14，讀出只讀區(qū)域中存儲的只讀數據。本發(fā)明具體實施例中，也讀出第一校驗值，具體的實現(xiàn)方式為在所述存儲器的只讀區(qū)域的存儲單元上施加讀取電壓，將所述只讀數據、第一校驗值從所述只讀區(qū)域讀出。對存儲單元施加讀取電壓的過程，也就是將只讀區(qū)域中存儲的只讀數據、第一校驗值從只讀區(qū)域中的各個存儲單元中讀出。本發(fā)明具體實施例中，計算出的第一校驗值也可以寫入只讀區(qū)域中，存儲在只讀區(qū)域的目的是對第一校驗值進行記錄。在其他實施例中，第一校驗值也可以不保存在只讀區(qū)域中，只要記錄下第一校驗值，以使后續(xù)可以與第二校驗值進行比較即可。由于只讀區(qū)域中的只讀數據不能被篡改，因此將存儲器的只讀區(qū)域中存儲的只讀數據從只讀區(qū)域中讀出后，期望讀出的代碼序列和寫入的代碼序列相同，即寫入的信息經過長時間的烘焙后，讀出的數據仍需與寫入的數據相同。如果寫入的數據和讀出的數據是由0和1組成的固定的代碼序列，而非全0或全1，并且代碼序列非常長，所以單純比較寫入的數據和讀出的數據基本很難判斷出寫入的數據和讀出的數據是否相同。在步驟S15中利用所述校驗算法計算讀出的只讀數據，獲得第二校驗值，在所述第一校驗值和所述第二校驗值相等時，可以判定所述存儲器記憶能力合格。本發(fā)明將從讀出的只讀數據輸入校驗程序中，然后利用校驗程序中的校驗算法計算由該代碼序列表示的只讀數據，之后校驗程序輸出第二校驗值。然后，判斷第一校驗值和第二校驗值是否相同，如果第一校驗值和第二校驗值相同，說明寫入的信息和讀出的信息相同，存儲器只讀區(qū)域的數據記憶能力合格；如果第一校驗值和第二校驗值不同，說明寫入的數據和讀出的數據不同，存儲器只讀區(qū)域的數據記憶能力不合格，存儲器不能進行應用?；谝陨纤觯景l(fā)明具體實施例中，利用所述校驗算法計算讀出的只讀數據，獲得第二校驗值包括向校驗程序中輸入從所述只讀區(qū)域中讀出的只讀數據，利用校驗算法計算，輸出第二校驗值。舉例來說，在步驟Sll中，需要輸入的只讀數據為(十六進制)=33,14,12,33,03, 11，00，00，00，ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, 17，06，ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, 07，0b，05，ff, a8, ff, ff, ff, ff, 00，ff, ff, ff, ff, ff, ff, f8，00，b5，04，00，00，00， 30,80,28, ff, ff ；利用CRC檢驗得到的第一校驗值是(十六進制)9649 ；烘焙存儲器后，在步驟S14，從只讀區(qū)域中讀出的只讀數據仍然為(十六進制):33,14,12,33,03,11,00,00, 00，ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, 17，06，ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, ff, 07，0b，05，ff, a8, ff, ff, ff, ff, 00，ff, ff, ff, ff, ff, ff, f8，00，b5，04，00，00，00，30，80， 觀4￡，《;在步驟315，利用CRC檢驗得到的第二校驗值仍是(十六進制)9649，第一校驗值=第二校驗值，存儲器記憶能力合格。如果步驟S14讀出的數據出現(xiàn)差錯，相應地，步驟 S15得出的第二校驗值就不是9649，由此也可以判斷出存儲器的記憶能力被環(huán)境破壞。本發(fā)明具體實施例的檢測存儲器記憶能力的方法，在存儲器的只讀區(qū)域中存入只讀數據之前，首先利用校驗算法計算只讀數據獲得第一校驗值；然后，將只讀數據以及第一校驗值寫入只讀區(qū)域；接著對存儲器進行烘焙，對存儲器進行烘焙的目的是讓存儲器經受高溫，模擬現(xiàn)實環(huán)境中可能造成數據丟失的環(huán)境；接著，讀出只讀區(qū)域中存儲的只讀數據和第一校驗值；再利用校驗算法計算讀出的只讀數據獲得第二校驗值，如果第一校驗值和第二校驗值相等說明存儲器記憶能力合格，也就說明存儲器的只讀區(qū)域的數據記憶能力可以符合設計的數據保存周期。只有經過這種檢測的NOR存儲器才能進行應用，以免只讀區(qū)域記憶能力差的NOR存儲器流入市場，確保裝置的可靠性。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。
權利要求
1.一種檢測存儲器記憶能力的方法，所述存儲器包括只讀區(qū)域，其特征在于，包括利用校驗算法計算需要向所述只讀區(qū)域中寫入的只讀數據，獲得第一校驗值；將所述只讀數據寫入所述只讀區(qū)域；將所述存儲器置于容易造成數據丟失的模擬環(huán)境中；讀出只讀區(qū)域中存儲的只讀數據；利用所述校驗算法計算讀出的只讀數據，獲得第二校驗值，在所述第一校驗值和所述第二校驗值相等時，判定所述存儲器記憶能力合格。
2.如權利要求1所述的檢測存儲器記憶能力的方法，其特征在于，所述校驗算法為CRC 算法、MD5算法，MEM0BUS算法或者奇偶校驗算法。
3.如權利要求1所述的檢測存儲器記憶能力的方法，其特征在于，將所述存儲器置于容易造成數據丟失的模擬環(huán)境中為對所述存儲器進行烘焙。
4.如權利要求3所述的檢測存儲器記憶能力的方法，其特征在于，在N2氛圍中，對所述存儲器進行烘焙。
5.如權利要求4所述的檢測存儲器記憶能力的方法，其特征在于，在200 300°C溫度范圍內，對所述存儲器進行大于兩天時間的烘焙。
6.如權利要求1所述的檢測存儲器記憶能力的方法，其特征在于，所述只讀數據為隨機重要芯片配置信息。
7.如權利要求1所述的檢測存儲器記憶能力的方法，其特征在于，所述利用校驗算法計算需要向所述只讀區(qū)域中寫入的只讀數據，獲得第一校驗值包括向校驗程序中輸入所述只讀數據；所述校驗程序利用校驗算法計算所述只讀數據，輸出第一校驗值。
8.如權利要求1所述的檢測存儲器記憶能力的方法，其特征在于，將所述只讀數據寫入所述只讀區(qū)域包括在所述存儲器的只讀區(qū)域的存儲單元上施加寫入電壓，將所述只讀數據寫入所述只讀區(qū)域。
9.如權利要求1所述的檢測存儲器記憶能力的方法，其特征在于，所述讀出只讀區(qū)域中存儲的只讀數據包括在所述存儲器的只讀區(qū)域的存儲單元上施加讀取電壓，將所述只讀數據從所述只讀區(qū)域讀出。
10.如權利要求1所述的檢測存儲器記憶能力的方法，其特征在于，利用所述校驗算法計算讀出的只讀數據，獲知第二校驗值，包括向校驗程序中輸入從所述只讀區(qū)域中讀出的只讀數據；所述校驗程序利用校驗算法計算所述讀出的只讀數據，輸出第二校驗值。
11.如權利要求1所述的檢測存儲器記憶能力的方法，其特征在于，所述存儲器為NOR 閃存。
12.如權利要求1所述的檢測存儲器記憶能力的方法，其特征在于，所述存儲器為非揮發(fā)性只讀存儲器。
全文摘要
一種檢測存儲器記憶能力的方法，所述存儲器包括只讀區(qū)域，包括利用校驗算法計算需要向所述只讀區(qū)域中寫入的只讀數據，獲得第一校驗值；將所述只讀數據寫入所述只讀區(qū)域；將所述存儲器置于容易造成數據丟失的模擬環(huán)境中；讀出只讀區(qū)域中存儲的只讀數據；利用所述校驗算法計算讀出的只讀數據，獲得第二校驗值，在所述第一校驗值和所述第二校驗值相等時，判定所述存儲器記憶能力合格。本技術方案可以判斷存儲器只讀區(qū)域的數據記憶能力是否能經受環(huán)境的考驗。
文檔編號G11C29/56GK102420017SQ201110298229
公開日2012年4月18日 申請日期2011年9月28日 優(yōu)先權日2011年9月28日
發(fā)明者任棟梁, 索鑫, 錢亮 申請人:上海宏力半導體制造有限公司