專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制作方法
半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2010年12月21日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng) No. 10-2010-0131995的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。更具體而言，某些實(shí)施例涉及一種能夠以減少的數(shù)量的鍵合焊盤(pán)來(lái)設(shè)置其操作模式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的操作速度和處理容量增加，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置開(kāi)始裝設(shè)多個(gè)焊盤(pán)和多個(gè)數(shù)據(jù)輸入/輸出線(xiàn)，以一次輸入和輸出多個(gè)數(shù)據(jù)。根據(jù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在每次讀取或?qū)懭氩僮髦心軌蛲瑫r(shí)處理多少數(shù)據(jù)比特，來(lái)使用X4、X8和X16輸入/輸出模式。X4 輸入/輸出模式可以是指在每一次讀取或?qū)懭氩僮髦型瑫r(shí)輸入或輸出四個(gè)數(shù)據(jù)比特的模式，而X8和X16輸入/輸出模式可以是指在每一次讀取或?qū)懭氩僮髦型瑫r(shí)輸入或輸出八個(gè)和十六個(gè)數(shù)據(jù)比特的模式。
為了提高完整產(chǎn)品的產(chǎn)量，通常在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造過(guò)程期間執(zhí)行晶片老化 (wafer burn-in)測(cè)試。晶片老化測(cè)試可以是指當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在被封裝之前處于晶片上時(shí)持續(xù)施加應(yīng)力的測(cè)試，由此檢查半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置是正常還是異常。獨(dú)立于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的常規(guī)操作來(lái)執(zhí)行晶片老化測(cè)試。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括能夠指定輸入/輸出模式和晶片老化測(cè)試模式的配置。
圖I是示意性地說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置的圖。如圖I所示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括第一鍵合焊盤(pán)10、第二鍵合焊盤(pán)20和譯碼單元30。第一鍵合焊盤(pán)10 接收第一鍵合信號(hào)PADX4，第二鍵合焊盤(pán)20接收第二鍵合信號(hào)PADX8。譯碼單元30被配置為從第一鍵合焊盤(pán)10和第二鍵合焊盤(pán)20接收第一鍵合信號(hào)PADX4和第二鍵合信號(hào)PADX8， 并將第一鍵合信號(hào)PADX4和第二鍵合信號(hào)PADX8譯碼。可以基于第一鍵合信號(hào)PADX4和第二鍵合信號(hào)PADX8的邏輯電平的各種組合來(lái)產(chǎn)生四個(gè)譯碼信號(hào)。所述四個(gè)譯碼信號(hào)可以被用作分別指定X4輸入/輸出模式、X8輸入/輸出模式、X16輸入/輸出模式和晶片老化測(cè)試模式的信號(hào)X4、X8、X16和WBI。
因此，為了在現(xiàn)有的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中指定X4、X8和X16輸入/輸出模式和晶片老化測(cè)試模式，需要從至少兩個(gè)鍵合焊盤(pán)接收信號(hào)。而且，即使在未使用X4輸入/輸出模式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，也必須從至少兩個(gè)鍵合焊盤(pán)接收兩個(gè)信號(hào)以指定三種不同的操作模式。發(fā)明內(nèi)容
因此，需要一種能夠利用減少的數(shù)量的鍵合焊盤(pán)來(lái)指定其操作模式的改進(jìn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如本發(fā)明所實(shí)施且在此概括性描述的，本發(fā)明的一個(gè)示例性方面可以提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括鍵合焊盤(pán)；控制信號(hào)焊盤(pán)；以及操作模式信號(hào)發(fā)生單元，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于經(jīng)由鍵合焊盤(pán)輸入的鍵合信號(hào)和經(jīng)由控制信號(hào)焊盤(pán)輸入的控制信號(hào)來(lái)產(chǎn)生多個(gè)操作模式信號(hào)。
在本發(fā)明的另一個(gè)示例性方面中，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括鍵合焊盤(pán)；地址焊盤(pán)；選通焊盤(pán)；以及操作模式信號(hào)發(fā)生單元，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于經(jīng)由鍵合焊盤(pán)輸入的鍵合信號(hào)、經(jīng)由地址焊盤(pán)輸入的地址信號(hào)、以及經(jīng)由選通焊盤(pán)輸入的選通信號(hào)來(lái)確定第一至第四操作模式。
在本發(fā)明的另一個(gè)示例性方面中，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括鍵合焊盤(pán)；以及控制信號(hào)焊盤(pán)，其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在第一操作模式下經(jīng)由控制信號(hào)焊盤(pán)接收控制信號(hào)，在第二操作模式和第三操作模式下經(jīng)由控制信號(hào)焊盤(pán)接收鍵合信號(hào)而非控制信號(hào)。
本發(fā)明的其它的目的和優(yōu)點(diǎn)的一部分將在以下的描述中闡明，一部分將從描述中顯然地得出，或者可以通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明而習(xí)得。借助于所附權(quán)利要求中特別指出的要素和組合可以了解并獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)。
應(yīng)當(dāng)理解的是，前述的概括性的描述和以下的詳細(xì)描述都僅僅是示例性和說(shuō)明性，而并非如權(quán)利要求那樣限制本發(fā)明。


包含在說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖示出符合本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖I是示意性地說(shuō)明現(xiàn)有半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置的圖。
圖2是示意性地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置的圖。
圖3是說(shuō)明圖2所示的操作模式信號(hào)發(fā)生單元的一個(gè)示例性實(shí)施例的配置的電路圖。
圖4是示意性地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置的圖。
圖5是示意性地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置的圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考符合本發(fā)明的示例性實(shí)施例和附圖中所圖示的例子。只要可能， 在全部附圖中將使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示相同或相似的部分。
圖2是示意性地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置的圖。在圖 2中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I可以包括一個(gè)鍵合焊盤(pán)100A、一個(gè)地址焊盤(pán)200A和操作模式信號(hào)發(fā)生單元300A。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I被配置為經(jīng)由鍵合焊盤(pán)100A接收鍵合信號(hào)PADX16，且經(jīng)由地址焊盤(pán)200A接收地址信號(hào)ADD〈14>。操作模式信號(hào)發(fā)生單元300A響應(yīng)于鍵合信號(hào) PADX16和地址信號(hào)ADD〈14>來(lái)產(chǎn)生指定第一至第三操作模式的第一至第三操作模式信號(hào) X8、X16 和 WBI。
基于經(jīng)由一次讀取或?qū)懭氩僮鞫瑫r(shí)輸入或輸出的數(shù)據(jù)比特的數(shù)量來(lái)確定半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I的操作模式。另外，根據(jù)是否執(zhí)行晶片老化測(cè)試來(lái)確定半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I的操作模式。在本發(fā)明的此實(shí)施例中，第一操作模式可以是指X8輸入/輸出模式，第二操作模式可以是指X16輸入/輸出模式，第三操作模式可以是指晶片老化測(cè)試模式。
在本發(fā)明的所述實(shí)施例中，地址信號(hào)ADD〈14>可以在第一操作模式下用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I的正常操作、而在第二和第三操作模式下不用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I的正常操作的信號(hào)。在本實(shí)施例中，正常操作可以包括除了確定半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I的操作模式的操作之外的所有操作。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I通常接收并使用用于輸入和輸出數(shù)據(jù)的多個(gè)地址信號(hào)。根據(jù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I的操作模式，所述地址信號(hào)中的一些從不用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I。因此，如上所述，通過(guò)根據(jù)操作模式而利用未使用的地址焊盤(pán)來(lái)產(chǎn)生用于指定多個(gè)操作模式的操作模式信號(hào)，可以減少用于指定多個(gè)操作模式所需的鍵合焊盤(pán)的數(shù)量。也就是說(shuō)， 在現(xiàn)有技術(shù)中，為了分別指定第一至第三操作模式，必須從兩個(gè)鍵合焊盤(pán)10和20 (參見(jiàn)圖 I)接收兩個(gè)鍵合信號(hào)PADX4和PADX8。但是，在根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I 中，響應(yīng)于經(jīng)由一個(gè)鍵合焊盤(pán)100A所接收的鍵合信號(hào)PADX16和經(jīng)由地址焊盤(pán)200A所輸入的地址信號(hào)ADD〈14>來(lái)產(chǎn)生用于指定第一至第三操作模式的第一至第三操作模式信號(hào)X8、 X16和WBI。要理解，由于對(duì)于第一操作模式而言半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I中必須存在地址焊盤(pán) 200A，因此相比于現(xiàn)有技術(shù)可以減少一個(gè)鍵合焊盤(pán)來(lái)設(shè)置第二操作模式和第三操作模式。
在圖2中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I還可以包括緩沖器單元400A。緩沖器單元400A被配置為接收第二和第三操作模式信號(hào)X16和WBI以及地址信號(hào)ADD〈14>。緩沖器單元400A 被配置為當(dāng)?shù)诙偷谌僮髂Ｊ叫盘?hào)X16和WBI中的一個(gè)被使能時(shí)阻止地址信號(hào)ADD〈14> 的傳輸。如果第二和第三操作模式信號(hào)X16和WBI均被禁止，則緩沖器單元400A對(duì)地址信號(hào)ADD〈14>進(jìn)行緩沖，并提供內(nèi)部地址信號(hào)AI〈14>。因?yàn)榈刂沸盘?hào)ADD〈14>用在第一操作模式即X8輸入/輸出模式下，而不用在第二和第三操作模式即X16輸入/輸出模式和晶片老化測(cè)試模式下，因此緩沖器單元400A被配置為在第二和第三操作模式下不提供地址信號(hào)ADD〈14>作為內(nèi)部地址信號(hào)AI〈14>，而僅在第一操作模式下提供地址信號(hào)ADD〈14>作為內(nèi)部地址信號(hào)AI〈14>。
圖3是說(shuō)明圖2所示的操作模式信號(hào)發(fā)生單元的一個(gè)示例性實(shí)施例的配置的電路圖。如圖3所示，操作模式信號(hào)發(fā)生單元300A可以包括模式控制信號(hào)發(fā)生部310和模式譯碼部320。模式控制信號(hào)發(fā)生部310響應(yīng)于鍵合信號(hào)PADX16并基于地址信號(hào)ADD〈14>來(lái)產(chǎn)生模式控制信號(hào)m0de_Ctrl。例如，當(dāng)鍵合信號(hào)PADX16處于第一電平時(shí)，模式控制信號(hào)發(fā)生部310不產(chǎn)生模式控制信號(hào)mode_ctrl，而當(dāng)鍵合信號(hào)PADX16處于第二電平時(shí)，模式控制信號(hào)發(fā)生部310根據(jù)地址信號(hào)ADD〈14>的電平來(lái)產(chǎn)生模式控制信號(hào)mode_ctrl。
模式譯碼部320可以接收鍵合信號(hào)PADX16和模式控制信號(hào)mode_ctrl。模式譯碼部320將鍵合信號(hào)PADX16和模式控制信號(hào)mode_ctrl譯碼，并產(chǎn)生第一至第三操作模式信號(hào)X8、X16和WBI。模式譯碼部320被配置為根據(jù)鍵合信號(hào)PADX16和模式控制信號(hào)mode_ ctrl的電平而將第一至第三操作模式信號(hào)X8、X16和WBI中的一個(gè)使能。
如圖3所示，模式控制信號(hào)發(fā)生部310可以包括第一反相器IV1、傳輸門(mén)PG和鎖存級(jí)LAT。第一反相器IVl將鍵合信號(hào)PADX16反相。傳輸門(mén)PG接收鍵合信號(hào)PADX16和第一反相器IVl的輸出，并確定是否使地址信號(hào)ADD〈14>通過(guò)。傳輸門(mén)PG響應(yīng)于鍵合信號(hào) PADX16和第一反相器IVl的輸出而不允許或允許地址信號(hào)ADD〈14>的傳輸。鎖存級(jí)LAT鎖存?zhèn)鬏旈T(mén)PG的輸出，并產(chǎn)生模式控制信號(hào)mode_ctrl。因此，當(dāng)鍵合信號(hào)PADX16具有高電平時(shí)，模式控制信號(hào)發(fā)生部310產(chǎn)生依地址信號(hào)ADD〈14>的電平而定的模式控制信號(hào)mode_ctrl o
如圖3所示，模式譯碼部320可以包括第一與非門(mén)NDl和第二與非門(mén)ND2以及第二至第四反相器IV2到IV4。第一與非門(mén)NDl接收鍵合信號(hào)PADX16和模式控制信號(hào)mode_ ctrl。第二與非門(mén)ND2接收鍵合信號(hào)PADX16和已經(jīng)通過(guò)傳輸門(mén)PG的地址信號(hào)ADD〈14>。 第二反相器IV2將鍵合信號(hào)PADX16反相，并產(chǎn)生第一操作模式信號(hào)X8。第三反相器IV3將第一與非門(mén)NDl的輸出反相，并產(chǎn)生第二操作模式信號(hào)X16。第四反相器IV4將第二與非門(mén) ND2的輸出反相，并產(chǎn)生第三操作模式信號(hào)WBI。
將結(jié)合下表描述根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置I的操作。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括鍵合焊盤(pán)；控制信號(hào)焊盤(pán)；以及操作模式信號(hào)發(fā)生單元，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于經(jīng)由所述鍵合焊盤(pán)輸入的鍵合信號(hào)和經(jīng)由所述控制信號(hào)焊盤(pán)輸入的控制信號(hào)來(lái)產(chǎn)生多個(gè)操作模式信號(hào)。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述多個(gè)操作模式信號(hào)包括用于指定第一輸入/輸出模式的第一操作模式信號(hào)、用于指定第二輸入/輸出模式的第二操作模式信號(hào)、以及用于指定晶片老化測(cè)試模式的第三操作模式信號(hào)。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述控制信號(hào)在所述第一輸入/輸出模式下用于所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的正常操作，而在所述第二輸入/輸出模式或所述晶片老化測(cè)試模式下不用于所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的正常操作。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述控制信號(hào)是地址信號(hào)和選通信號(hào)中的任一個(gè)。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，還包括緩沖器單元，所述緩沖器單元被配置為響應(yīng)于所述第二操作模式信號(hào)或所述第三操作模式信號(hào)而阻止所述控制信號(hào)的輸入。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元包括模式控制信號(hào)發(fā)生部，所述模式控制信號(hào)發(fā)生部被配置為響應(yīng)于所述鍵合信號(hào)而從所述控制信號(hào)產(chǎn)生模式控制信號(hào)；以及模式譯碼部，所述模式譯碼部被配置為響應(yīng)于所述鍵合信號(hào)和所述模式控制信號(hào)來(lái)產(chǎn)生所述多個(gè)操作模式信號(hào)。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，只有當(dāng)所述鍵合信號(hào)具有預(yù)定的電平時(shí)，所述模式控制信號(hào)發(fā)生部才根據(jù)所述控制信號(hào)的電平來(lái)產(chǎn)生所述模式控制信號(hào)。
8.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括鍵合焊盤(pán)；地址焊盤(pán)；選通焊盤(pán)；以及操作模式信號(hào)發(fā)生單元，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于經(jīng)由所述鍵合焊盤(pán)輸入的鍵合信號(hào)、經(jīng)由所述地址焊盤(pán)輸入的地址信號(hào)、以及經(jīng)由所述選通焊盤(pán)輸入的選通信號(hào)來(lái)確定第一至第四操作模式。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，當(dāng)所述鍵合信號(hào)具有第一電平時(shí)，不管所述地址信號(hào)和所述選通信號(hào)如何，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元都產(chǎn)生指定所述第一操作模式的第一操作模式信號(hào)。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，當(dāng)所述鍵合信號(hào)具有第二電平時(shí)，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元響應(yīng)于所述地址信號(hào)和所述選通信號(hào)來(lái)確定所述第二至第四操作模式中的一個(gè)。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，當(dāng)所述鍵合信號(hào)具有所述第二電平并且所述選通信號(hào)具有所述第一電平時(shí)，不管所述地址信號(hào)如何，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元都產(chǎn)生指定所述第二操作模式的第二操作模式信號(hào)。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，當(dāng)所述鍵合信號(hào)具有所述第二電平、 所述選通信號(hào)具有所述第二電平并且所述地址信號(hào)具有所述第一電平時(shí)，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元產(chǎn)生指定所述第三操作模式的第三操作模式信號(hào)。
13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，當(dāng)所述鍵合信號(hào)具有所述第二電平、 所述選通信號(hào)具有所述第二電平并且所述地址信號(hào)具有所述第二電平時(shí)，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元產(chǎn)生指定所述第四操作模式的第四操作模式信號(hào)。
14.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述選通信號(hào)用在所述第一操作模式下，而不用在所述第二至第四操作模式下。
15.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述地址信號(hào)用在所述第一和第二操作模式下，而不用在所述第三和第四操作模式下。
16.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一至第四操作模式中的每個(gè)是 X4輸入/輸出模式、X8輸入/輸出模式、X16輸入/輸出模式和晶片老化測(cè)試模式中的一種模式。
17.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括鍵合焊盤(pán)；以及控制信號(hào)焊盤(pán)，其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置在第一操作模式下經(jīng)由所述控制信號(hào)焊盤(pán)接收控制信號(hào)， 在第二操作模式和第三操作模式下經(jīng)由所述控制信號(hào)焊盤(pán)接收鍵合信號(hào)而非所述控制信號(hào)。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，還包括操作模式信號(hào)發(fā)生單元，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元被配置為接收經(jīng)由所述鍵合焊盤(pán)和所述控制信號(hào)焊盤(pán)輸入的信號(hào)，并產(chǎn)生第一至第三操作模式信號(hào)。
19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元包括 模式控制信號(hào)發(fā)生部，所述模式控制信號(hào)發(fā)生部被配置為響應(yīng)于經(jīng)由所述鍵合焊盤(pán)輸入的信號(hào)而從經(jīng)由所述控制信號(hào)焊盤(pán)輸入的信號(hào)產(chǎn)生模式控制信號(hào)；以及模式譯碼部，所述模式譯碼部被配置為將經(jīng)由所述鍵合焊盤(pán)和所述控制信號(hào)焊盤(pán)輸入的信號(hào)以及所述模式控制信號(hào)譯碼，并產(chǎn)生所述第一至第三操作模式信號(hào)。
20.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一操作模式是第一輸入/輸出模式，所述第二操作模式是第二輸入/輸出模式，所述第三操作模式是晶片老化測(cè)試模式。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括鍵合焊盤(pán)；控制信號(hào)焊盤(pán)；以及操作模式信號(hào)發(fā)生單元，所述操作模式信號(hào)發(fā)生單元被配置為響應(yīng)于經(jīng)由鍵合焊盤(pán)輸入的鍵合信號(hào)和經(jīng)由控制信號(hào)焊盤(pán)輸入的控制信號(hào)來(lái)產(chǎn)生多個(gè)操作模式信號(hào)。
文檔編號(hào)G11C11/4063GK102543160SQ201110289509
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月21日
發(fā)明者李康悅, 黃正太 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司