專利名稱：垂直磁記錄介質(zhì)和磁記錄再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種被用于硬盤裝置(HDD)等的垂直磁記錄介質(zhì)和磁記錄再生裝置。本申請基于在2010年8月沈日在日本提出申請的專利申請2010-1897 號要求優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援引于本說明書中。
背景技術(shù)：
垂直磁記錄方式，以往通過將朝向介質(zhì)的面內(nèi)方向的磁記錄層的易磁化軸朝向介質(zhì)的垂直方向，在作為記錄比特間的邊界的磁化遷移區(qū)域附近的反磁場變小，因此記錄密度越高則在靜磁性上越穩(wěn)定，抗熱擺性提高，所以是適合于面記錄密度的提高的方式。垂直磁記錄介質(zhì)是在非磁性基板上順序?qū)盈B襯里層、基底層、中間層和垂直磁記錄層而成的。在非磁性基板和垂直磁記錄層之間設(shè)置了由軟磁性材料構(gòu)成的襯里層的情況下，作為所謂的垂直雙層介質(zhì)發(fā)揮功能，可以得到高的記錄能力。此時，軟磁性襯里層起到使來自磁頭的記錄磁場回流的作用，由此可以提高記錄再生效率。另外，基底層是決定被設(shè)置在其上的中間層和垂直磁記錄層的粒徑和/或取向的支配性要素，因此為了決定磁記錄介質(zhì)的記錄再生特性，其材料的選定變得非常重要。因此，曾提出了被用于基底層的各種材料。例如，可以舉出Ti合金(參照例如專利文獻(xiàn)1)、 NiFeCr合金(參照例如專利文獻(xiàn)2)等、hep結(jié)構(gòu)或fee結(jié)構(gòu)以及Ta等非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)等。另外，專利文獻(xiàn)4記載了作為基底層使用以Ni、Cu、Pt、Pd的任一種為主成分，并含有Ti、V、 Ta、Cr、Mo、W的任一種以上的添加元素的合金。曾提出了使用Ru作為中間層(參照專利文獻(xiàn)5)。另外已知，由于Ru是在柱狀晶的頂部形成了圓拱狀的凸部的，因此具有使該凸部上生長記錄層等的晶體粒子，促進(jìn)生長了的晶體粒子的分離結(jié)構(gòu)，使晶體粒子孤立化，使磁性粒子生長為柱狀的效果(參照專利文獻(xiàn)6)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本專利第沈69529號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開2003-123239號公報專利文獻(xiàn)3 日本特開2007-179598號公報專利文獻(xiàn)4 日本特開2010-92525號公報專利文獻(xiàn)5 日本特開平7-M4831號公報專利文獻(xiàn)6 日本特開2007-272990號公報

發(fā)明內(nèi)容
本申請人曾提出了下述的高記錄密度的垂直磁記錄介質(zhì)(參照專利文獻(xiàn)幻使構(gòu)成襯里層的軟磁性膜為非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)，并在基底層中使用NiW合金，由此謀求形成于其上的包含例如Ru或Ru合金的中間層的晶體尺寸的降低、晶體尺寸的均勻化，并且提高與中間層的晶格尺寸的匹配性，促進(jìn)生長的柱狀晶的分離結(jié)構(gòu)，而且使形成于其上的磁性粒子孤立化。但是，對于磁記錄介質(zhì)的高記錄密度化的要求并未停止，正在要求可以實(shí)現(xiàn)在以往之上的高記錄密度化的磁記錄介質(zhì)。本發(fā)明是鑒于這樣的現(xiàn)有事實(shí)提出的，其目的在于通過謀求使用了 NiW合金的基底層的晶粒的微細(xì)化、粒度分布的均質(zhì)化，來謀求形成于其上的中間層、記錄層的晶粒的微細(xì)化、粒度分布的均質(zhì)化、取向性的提高，提供一種電磁轉(zhuǎn)換特性優(yōu)異且能夠應(yīng)對高記錄密度化的垂直磁記錄介質(zhì)以及具備該垂直磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置。(1) 一種垂直磁記錄介質(zhì)，是在非磁性基板上至少順序?qū)盈B襯里層、基底層、中間層和垂直磁記錄層而成的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述襯里層至少具有軟磁性膜，該軟磁性膜具有非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)，上述基底層是從上述非磁性基板側(cè)層疊第1基底層和第2基底層而成，上述第1基底層是含有fee結(jié)構(gòu)的元素和bcc結(jié)構(gòu)的元素的fee結(jié)構(gòu)的合金層，
上述第2基底層含有NiW合金，上述中間層含有Ru或Ru合金。(2)根據(jù)(1)所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述第1基底層是PdV合金、 Cuff合金的任一種合金。(3)根據(jù)( 所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述PdV合金中所含有的V的量在1原子％ 65原子％的范圍內(nèi)。(4)根據(jù)(2)所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述CuW合金中所含有的W的量在1原子％ 40原子％的范圍內(nèi)。(5) 一種磁記錄再生裝置，其特征在于，具備(1) 的任一項(xiàng)所述的垂直磁記錄介質(zhì)；和對上述垂直磁記錄介質(zhì)進(jìn)行信息的寫入的單磁極磁頭。根據(jù)本發(fā)明，通過將基底層設(shè)為由含有fee結(jié)構(gòu)的元素和bcc結(jié)構(gòu)的元素的fee 結(jié)構(gòu)的合金層構(gòu)成的第1基底層和由NiW合金層構(gòu)成的第2基底層的雙層結(jié)構(gòu)，可以謀求形成于基底層之上的中間層、垂直磁記錄層的晶粒的微細(xì)化、粒度分布的均質(zhì)化、取向性的提高，提供電磁轉(zhuǎn)換特性優(yōu)異且能夠應(yīng)對高記錄密度化的垂直磁記錄介質(zhì)。


圖1是表示應(yīng)用了本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的一例的截面圖。圖2是表示應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄再生裝置的一例的立體圖。
具體實(shí)施例方式以下，對于應(yīng)用了本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)和磁記錄再生裝置，參照附圖詳細(xì)地說明。另外，為易于明白其特征，在以下的說明中使用的附圖有時為方便起見將成為特征的部分放大表示，各構(gòu)成要素的尺寸比率等未必與實(shí)際相同。(垂直磁記錄介質(zhì))應(yīng)用了本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)，例如如圖1所示那樣，成為下述的構(gòu)成在非磁
4性基板1的兩面順序地層疊有粘附層11、襯里層2、第1基底層3 (基底層)、第2基底層 4(基底層)、中間層5、垂直磁記錄層6和保護(hù)層7，并且在最上層形成有潤滑膜(在圖1中省略)。另外，在圖1中，僅圖示了非磁性基板1的單面。其中，作為非磁性基板1，既可以使用由例如鋁、鋁合金等的金屬材料構(gòu)成的金屬基板，也可以使用由玻璃、陶瓷、硅、碳化硅、碳等的非金屬材料構(gòu)成的非金屬基板。

另外，作為構(gòu)成非磁性基板1的玻璃基板，可以使用例如非晶質(zhì)玻璃、晶化玻璃， 此外，作為非晶質(zhì)玻璃，可以使用通用的堿石灰玻璃、鋁硅酸鹽玻璃等。另一方面，作為晶化玻璃，可以使用鋰系晶化玻璃等。從提高記錄密度的方面來看，非磁性基板1的平均表面粗糙度Ra為0. Snm以下， 優(yōu)選為0. 5nm以下。另外，從使磁頭低浮起進(jìn)行高記錄密度記錄的方面來看，非磁性基板1 的表面的微小起伏(Wa)為0. 3nm以下，優(yōu)選為0. 25nm以下。這樣，通過將非磁性基板1的表面平坦化，能夠提高中間層5和垂直磁記錄層6的晶體取向，使記錄再生特性提高，并且使磁頭低浮起。另外，非磁性基板1如后述那樣地與Co或Fe為主成分的襯里層2接觸，由此由于表面的吸附氣體、水分的影響、基板成分的擴(kuò)散等而有進(jìn)行腐蝕的可能性。因此，優(yōu)選在非磁性基板1和襯里層2之間設(shè)置粘附層11。另外，作為粘附層11的材料，可以適當(dāng)選擇例如Cr、Cr合金、Ti、Ti合金等。另外，粘附層11的厚度優(yōu)選為2nm以上且優(yōu)選為30nm以下。襯里層2具有順序?qū)盈B有第1軟磁性膜8、Ru膜9、第2軟磁性膜10的結(jié)構(gòu)。艮口， 該襯里層2通過在兩層的軟磁性膜8、10之間夾入Ru膜9，而具有Ru膜9的上下的軟磁性膜8、10發(fā)生了反鐵磁性耦合(AFC耦合)的結(jié)構(gòu)。由此，可以提高對于來自外部的磁場的抗性、以及對于作為垂直磁記錄介質(zhì)特有的問題的WATE (寬面積道擦除；Wide Area Tack Erasure)現(xiàn)象的抗性。第1和第2軟磁性膜8、10由例如CoFe合金構(gòu)成。通過在這些軟磁性膜8、10中使用CoFe合金，可以實(shí)現(xiàn)高的飽和磁通密度Bs (1. 4 (T)以上)，另外，通過使用后述的第1 基底層3、第2基底層4，可以得到進(jìn)一步優(yōu)異的記錄再生特性。另外，形成第1及第2軟磁性膜8、10時，優(yōu)選在沿非磁性基板1的徑向賦予了磁場的狀態(tài)下，采用濺射法形成CoFe合金膜。另外，優(yōu)選對CoFe合金添加&、Ta、Nb的任一種。由此，可以促進(jìn)CoFe合金的非晶質(zhì)化，提高NiW合金的取向性。另外，Zr、Ta、Nb相對于CoFe合金的添加量優(yōu)選為3 15 原子％的范圍，更優(yōu)選為5 10原子％的范圍。CoFe合金中的Fe的含量，優(yōu)選為5 60原子％的范圍。如果Fe的含量低于5原子％，則襯里層2的飽和磁通密度Bs變低從而不優(yōu)選。另一方面，如果Fe的含量超過60 原子％，則襯里層2的腐蝕性惡化因而不優(yōu)選。襯里層2的膜厚，優(yōu)選為15 SOnm的范圍，更優(yōu)選為20 50nm的范圍。如果襯里層2的膜厚低于20nm，則不能夠充分地吸收來自磁頭的磁通，寫入變不充分，記錄再生特性惡化因而不優(yōu)選。另一方面，如果襯里層2的膜厚超過80nm，則生產(chǎn)率顯著降低因而不優(yōu)選。另外，襯里層2通過將第1和第2軟磁性膜8、10設(shè)為非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)，可以防止表面粗糙度Ra的粗大化。由此，可以降低磁頭的浮起量，而且能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度化。在此，作為表示構(gòu)成襯里層2的第1和第2軟磁性膜8、10中的AFC耦合的大小的指標(biāo)定義了「Hbias」時，襯里層2的該Hbias的值優(yōu)選為80 (Oe)以上且優(yōu)選為300 (Oe)以下。由此，能夠提高抗外磁場性和抗WATE性?！窰bias」是將飽和磁通密度設(shè)為Ms，定義為飽和磁通密度Ms的半值的磁場Ms/2的指標(biāo)，在第1和第2軟磁性膜8、10中使用上述材料，并將設(shè)置在這些軟磁性膜8、10之間的Ru膜9的膜厚設(shè)為規(guī)定的膜厚(例如0. 6 0. 8nm)， 由此可以滿足上述Hbias的值。

另外，第1和第2軟磁性膜8、10為IO(Oe)以下，優(yōu)選為5 (Oe)以下。另外，I(Oe) 約為79A/m。第1基底層3、第2基底層4是用于控制被設(shè)置在其上的中間層5和垂直磁記錄層 6的取向和晶體尺寸的層，為了增大從磁頭產(chǎn)生的磁通的相對于基板面的垂直方向成分，并且為了將被記錄信息的垂直磁記錄層6的磁化方向更加牢固地固定在與非磁性基板1垂直的方向而被設(shè)置。即，因?yàn)榈?軟磁性膜10為非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)，因此即使在其上直接設(shè)置中間層和/或磁記錄層，也難以使磁記錄層垂直取向。通過在基底層中使用NiW合金，可以在其上使c軸取向性高的hep結(jié)構(gòu)的磁性粒子生長來形成垂直磁記錄層(參照專利文獻(xiàn)3)。本申請發(fā)明者對由該NiW合金構(gòu)成的基底層加以改良，研究了謀求垂直磁記錄層的晶粒的進(jìn)一步微細(xì)化、晶粒的粒度分布的均質(zhì)化、 晶粒的取向性的提高，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過將基底層設(shè)為含有fee結(jié)構(gòu)的元素和bcc結(jié)構(gòu)的元素的fee結(jié)構(gòu)的合金層和NiW合金層的雙層結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)上述效果。認(rèn)為其理由是因?yàn)橥ㄟ^在構(gòu)成襯里層2的非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)的第2軟磁性膜10和以fee結(jié)構(gòu)為主體的NiW合金基底層之間設(shè)置含有fee結(jié)構(gòu)的元素和bcc結(jié)構(gòu)的元素的fee結(jié)構(gòu)的合金層，使以fee結(jié)構(gòu)為主體的NiW合金的微晶粒的形成更加穩(wěn)定化，并且，NiW合金的晶體的粒度分布也均勻化的緣故。這樣，通過改善由NiW合金構(gòu)成的第2基底層4的晶體組織，來進(jìn)一步謀求層疊于其上的中間層5和垂直磁記錄層6的晶粒的微細(xì)化、粒度分布的均質(zhì)化、取向性的提高，能夠?qū)崿F(xiàn)電磁轉(zhuǎn)換特性優(yōu)異且能夠應(yīng)對高記錄密度化的垂直磁記錄介質(zhì)。所謂形成本發(fā)明的第1基底層3的fee結(jié)構(gòu)的元素，具體地講，是Ni、Cu、Rh、Pd、 Ag、Ir、Pt、Au、Al，所謂 bcc 結(jié)構(gòu)的元素，是 V、Cr、Fe、Nb、Mo、Ta、W、Ti。所謂 fee 結(jié)構(gòu)的元素，是在穩(wěn)定狀態(tài)下采取fee結(jié)構(gòu)的元素，同樣地，所謂bcc結(jié)構(gòu)的元素，是在穩(wěn)定狀態(tài)下采取bcc結(jié)構(gòu)的元素。另外，已知Ti在平衡狀態(tài)下采取hep結(jié)構(gòu)，但是在如濺射那樣非平衡狀態(tài)(急冷狀態(tài))的成膜中，會作為β "Ti變?yōu)閎cc結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定化狀態(tài)。作為將這些元素組合了的優(yōu)選的合金，是fee結(jié)構(gòu)的PdV合金或者CuW合金，特別優(yōu)選的是將V的量設(shè)在1原子％ 65原子％的范圍內(nèi)、最優(yōu)選設(shè)在40原子％ 50原子％的范圍內(nèi)的PdV合金、將W的量設(shè)在1原子％ 40原子％的范圍內(nèi)、最優(yōu)選設(shè)在10原子％ 15原子％的范圍內(nèi)的CuW合金。第1基底層3的膜厚優(yōu)選為1 5nm的范圍。如果第1基底層3的膜厚低于lnm， 則本發(fā)明的效果變不充分，第2基底層的NiW合金層的晶體粒徑的微細(xì)化和均勻化的效果降低。另一方面，如果第1基底層3的膜厚超過5nm，則第2基底層4的晶體尺寸變大因而不優(yōu)選。
在本發(fā)明中，由NiW合金構(gòu)成第2基底層4。該NiW合金中的W的含量優(yōu)選設(shè)在3 原子％ 10原子％的范圍內(nèi)。如果NiW合金中的W的含量低于3原子％或者超過10原子％，則控制垂直磁記錄介質(zhì)的取向或晶體尺寸的效果降低因而不優(yōu)選。另外，出于降低晶體尺寸和提高與中間層5的晶格尺寸的匹配性的目的，可以在 NiW合金中添加其他元素。例如，可以出于降低晶體尺寸的目的而添加B、Mn等，該情況下， B、Mn的含量優(yōu)選為6原子％以下且優(yōu)選為1原子％以上。另外，出于提高與中間層5的晶格尺寸的匹配性的目的，可以添加Ru、Pt、Mo、Ta等。該情況下，Ru、Pt、Mo、Ta的含量優(yōu)選為40原子％以下且1原子％以上。第2基底層4的膜厚優(yōu)選為2 20nm的范圍。如果第2基底層4的膜厚低于2nm， 則效果變不充分，得不到晶體粒徑的微細(xì)化的效果，并且取向也發(fā)生惡化因而不優(yōu)選。另一方面，如果第2基底層4的膜厚超過20nm，則晶體尺寸變大因而不優(yōu)選。中間層5是用于將垂直磁性層設(shè)為進(jìn)行c軸取向了的柱狀晶的層，其生長面具有圓拱狀的形狀。這樣的中間層5可以由Ru或Ru合金形成。作為Ru合金，可以例示例如 RuCo、RuAl、RuMn、RuMo、RuFe合金。Ru合金中的Ru量優(yōu)選為50原子％ 90原子％。另外，中間層5的膜厚為30nm以下，優(yōu)選為16nm以下且優(yōu)選為5nm以上。通過使中間層5較薄，磁頭與襯里層2之間的距離變小，可以使來自磁頭的磁通陡峭(steep)。其結(jié)果，可以使襯里層2的膜厚更薄，能夠提高生產(chǎn)率。垂直磁記錄層6由易磁化軸相對于基板面朝向垂直方向的磁性膜構(gòu)成。該垂直磁記錄層6至少含有Co和Pt，進(jìn)而出于改善SNR特性等的目的也可以添加氧化物、Cr、B、Cu、Ta、Zr 等。另外，作為氧化物，可以舉出 SiO2, SiO, Cr2O3> CoO, Ta2O3> TiO2寸。垂直磁記錄層6中的氧化物的體積率，優(yōu)選為15 40體積%，進(jìn)一步優(yōu)選為25 35體積％。如果該氧化物的體積率低于15體積％，則SNR特性變得不充分因而不優(yōu)選。另一方面，如果該氧化物的體積率超過40體積％，則不能得到僅對應(yīng)于高記錄密度的矯頑力因而不優(yōu)選。垂直磁記錄層6的成核磁場(new creation magnetic field) (_Hn)優(yōu)選為 2. (KkOe)以上且優(yōu)選為3.0 (kOe)以下。如果-Hn低于2. 0 (kOe)，則發(fā)生熱擺因而不優(yōu)選。垂直磁記錄層6的膜厚優(yōu)選為6 20nm的范圍。例如，如果氧化物顆粒層的膜厚為該范圍，則可以確保充分的輸出，不產(chǎn)生OW特性的惡化，因而優(yōu)選。另外，垂直磁記錄層6既可以設(shè)為單層結(jié)構(gòu)，也可以設(shè)為由組成不同的材料形成的兩層以上的結(jié)構(gòu)。保護(hù)層7是用于防止垂直磁記錄層6的腐蝕，同時在磁頭與介質(zhì)接觸時防止介質(zhì)表面的損傷的層，可以使用以往公知的材料，例如包含C、Si02、Zr02的材料。保護(hù)層7的膜厚為1 5nm的范圍時，可以減小磁頭與介質(zhì)表面的距離，因此從高記錄密度的方面來看是優(yōu)選的。涂布到最上層的潤滑膜可以使用以往公知的材料，例如全氟聚醚、氟代醇、氟代羧酸等。(磁記錄再生裝置)
圖2是表示應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄再生裝置的一例的圖。該磁記錄再生裝置具備具有上述圖1所示的構(gòu)成的垂直磁記錄介質(zhì)50、使垂直磁記錄介質(zhì)50旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的介質(zhì)驅(qū)動部51、對垂直磁記錄介質(zhì)50進(jìn)行信息的記錄再生的磁頭52、使該磁頭52相對于垂直磁記錄介質(zhì)50進(jìn)行相對運(yùn)動的磁頭驅(qū)動部53和記錄再生信號處理系統(tǒng)54。另外，記錄再生信號處理系統(tǒng)54可以處理從外部輸入的數(shù)據(jù)并將記錄信號送到磁頭52，處理來自磁頭52的再生信號并將數(shù)據(jù)送到外部。在應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄再生裝置中，為了適應(yīng)上述垂直磁記錄介質(zhì)的進(jìn)一步高記錄密度化這樣的迫切要求，將對垂直磁記錄層6的寫入能力優(yōu)異的單磁極磁頭用于磁頭 52。并且，在上述垂直磁記錄介質(zhì)中，為了對應(yīng)于這樣的單磁極磁頭，在非磁性基板1和垂直磁記錄層6之間設(shè)置襯里層2，來謀求單磁極磁頭和垂直磁記錄層6之間的磁通的出入的效率提高。另外，在磁記錄再生裝置中，可以使用具有利用了巨磁阻效應(yīng)(GMR)的GMR元件等來作為再生元件的適合于更高記錄密度的磁頭52。另外，本發(fā)明并不必然限定于上述實(shí)施方式的情況，在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍可以加以各種的變更。例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于在上述垂直磁記錄層6上具有磁分離了的磁記錄圖案的垂直磁記錄介質(zhì)。具體地講，作為具有磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)，可以舉出每一比特具有一定的規(guī)則性地配置有磁記錄圖案的所謂圖案化介質(zhì)、磁記錄圖案被配置成為軌道狀的介質(zhì)、以及伺服信號圖案等。實(shí)施例以下，通過實(shí)施例進(jìn)一步明確本發(fā)明的效果。另外，本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施例，在不變更其要旨的范圍可以適當(dāng)變更來實(shí)施。在本實(shí)施例中，首先，將作為非磁性基板的玻璃基板(直徑2.5英寸)收納到DC 磁控濺射裝置(Anelva公司制C-3010)的成膜室內(nèi)，將成膜室內(nèi)進(jìn)行排氣直到到達(dá)真空度變?yōu)镮X 105Pa。在該玻璃基板上形成了 4nm的由50Cr_50Ti (Cr含量為50原子％、Ti含量為50原子％ )構(gòu)成的粘附層、20nm的由71Co-20Fe_5&-4Nb (Co含量為71原子％、Fe含量為20原子％、Zr含量為5原子％、Nb含量為4原子％ )構(gòu)成的第1軟磁性膜，0. Snm的 Ru膜、20nm的由71Co-20Fe-5&-4Nb構(gòu)成的第2軟磁性膜，從而形成了襯里層。另外，利用 XRD確認(rèn)了這些軟磁性膜的晶體結(jié)構(gòu)為非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)。接著，在其上以2nm的膜厚形成表1所示的組成、晶體結(jié)構(gòu)的第1基底層，并在其上以IOnm的膜厚形成由表1所示的組成的NiW合金構(gòu)成第2基底層。在其上形成12nm的由Ru構(gòu)成的中間層，作為垂直磁記錄層，形成了 IOnm的 60Co-10Cr-20Pt-10Si02膜、6nm的65Co-18Cr-14Pt_3B的膜。然后，采用離子束法在其上形成了 4nm的由碳構(gòu)成的保護(hù)層，其后采用浸漬法形成由全氟聚醚構(gòu)成的潤滑膜，從而得到了實(shí)施例1 22的垂直磁記錄介質(zhì)。

然后，對于這些實(shí)施例1 22的垂直磁記錄介質(zhì)，進(jìn)行了記錄再生特性(SNR)、分辨率特性(Res 表示在62. 07MHz下的低頻輸出(y)對在372. 39MHz下的高頻輸出(χ)的比((x/y)X100)。該值越高則表示信號的再現(xiàn)性越好)的評價。將其評價結(jié)果示于表1。表 權(quán)利要求
1.一種垂直磁記錄介質(zhì)，是在非磁性基板之上至少順序地層疊襯里層、基底層、中間層和垂直磁記錄層而成的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述襯里層至少具有軟磁性膜，該軟磁性膜具有非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)， 所述基底層是從所述非磁性基板側(cè)層疊第1基底層和第2基底層而成的， 所述第1基底層是含有fee結(jié)構(gòu)的元素和bcc結(jié)構(gòu)的元素的fee結(jié)構(gòu)的合金層， 所述第2基底層含有NiW合金， 所述中間層含有Ru或Ru合金。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第1基底層是PdV合金、 CuW合金的任一種合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述PdV合金中所含有的V的量在1原子％ 65原子％的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述CuW合金中所含有的W的量在1原子％ 40原子％的范圍內(nèi)。
5.一種磁記錄再生裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求1 4的任一項(xiàng)所述的垂直磁記錄介質(zhì)；和對所述垂直磁記錄介質(zhì)進(jìn)行信息的寫入的單磁極磁頭。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電磁轉(zhuǎn)換特性優(yōu)異且能夠滿足高記錄密度化的需要的垂直磁記錄介質(zhì)和具備該垂直磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置。本發(fā)明采用的垂直磁記錄介質(zhì)，是在非磁性基板(1)上至少順序?qū)盈B襯里層(2)、基底層、中間層(5)和垂直磁記錄層(6)而成的垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于，襯里層(2)至少具有軟磁性膜，該軟磁性膜具有非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)，基底層是從非磁性基板(1)側(cè)層疊第1基底層(3)和第2基底層(4)而成的，第1基底層(3)是含有fcc結(jié)構(gòu)的元素和bcc結(jié)構(gòu)的元素的fcc結(jié)構(gòu)的合金層，第2基底層(4)含有NiW合金，中間層(5)含有Ru或Ru合金。
文檔編號G11B5/851GK102385870SQ20111024409
公開日2012年3月21日 申請日期2011年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月26日
發(fā)明者高星英明, 鵜飼高廣 申請人:昭和電工株式會社