專利名稱：測試接口結(jié)構(gòu)、測試電路以及測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及閃存設(shè)計(jì)領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種用于對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)、采用該測試接口結(jié)構(gòu)的測試電路、以及相應(yīng)的測試方法。
背景技術(shù)：
在閃存存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)和制造過程中，需要利用測試接口來對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試，以確保閃存存儲(chǔ)器的可靠性。具體地說，閃存記憶體模塊具體包括閃存記憶體矩陣、 譯碼電路和電荷泵等模塊電路等。測試接口 /焊盤可用于測試閃存記憶體模塊基本功能 (擦，寫和讀)，測量內(nèi)部高壓和內(nèi)部電流，測試輸入輸出邏輯功能，還可用于外加高壓、外加電流對(duì)閃存記憶體做疲勞測試等。隨著制造成本的越來越低，越少的測試接口 /焊盤，意味著更小的芯片面積和更高的測試效率。利用三個(gè)測試接口/焊盤即可實(shí)現(xiàn)閃存記憶體的測試時(shí)一個(gè)最具性價(jià)比的方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種最少的測試接口 /焊盤對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)、測試電路以及測試方法。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)，其包括三個(gè)測試接口 /焊盤，該三個(gè)測試接口 /焊盤為第一測試端口、第二測試端口以及第三測試端口，其中第一測試端口用于向閃存記憶體模塊輸入時(shí)鐘信號(hào)；第二測試端口用于與閃存記憶體模塊傳遞數(shù)據(jù)；第三測試端口用于執(zhí)行三種功能。優(yōu)選地，在上述用于對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)中，所述三種功能是對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出高壓信號(hào)、對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出小電流信號(hào)、以及對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出數(shù)字信號(hào)優(yōu)選地，在上述用于對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)中，閃存記憶體模塊包括閃存記憶體矩陣、譯碼電路和電荷泵等模塊電路。優(yōu)選地，在上述用于對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)中，高壓信號(hào)至少是12V的信號(hào)，小電流信號(hào)精度是納安。優(yōu)選地，在上述用于對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)中，所述測試接口結(jié)構(gòu)被用于測試小引腳數(shù)的閃存記憶體模塊，例如，SIM卡系列產(chǎn)品。根據(jù)本發(fā)明第一方面的測試接口結(jié)構(gòu)，由于該測試接口結(jié)構(gòu)包括三個(gè)測試端口， 并且其中一個(gè)測試測試端口可以復(fù)用三種功能，因此，芯片的面積極大地縮小，在測試機(jī)硬件條件固定的情況下，可以實(shí)現(xiàn)更多數(shù)量地并行測試，提高測試效率，降低測試成本。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種包括根據(jù)本發(fā)明第一方面所述的測試接口結(jié)構(gòu)的測試電路。由于采用了根據(jù)本發(fā)明第一方面所述的測試接口結(jié)構(gòu)，因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，根據(jù)本發(fā)明第二方面的測試電路同樣能夠?qū)崿F(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的第一方面的測試接口結(jié)構(gòu)所能實(shí)現(xiàn)的有益技術(shù)效果。即，由于該測試接口結(jié)構(gòu)包括三個(gè)測試測試端口， 并且其中一個(gè)測試測試端口可以復(fù)用三種功能，因此，芯片的面積極大地縮小，在測試機(jī)硬件條件固定的情況下，可以實(shí)現(xiàn)更多數(shù)量地并行測試，提高測試效率，降低測試成本。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種利用測試接口結(jié)構(gòu)對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試方法，所述測試接口結(jié)構(gòu)包括第一測試端口、第二測試端口以及第三測試端口，其特征在于所述測試方法包括利用第一測試端口向閃存記憶體模塊輸入時(shí)鐘信號(hào)；利用第二測試端口與閃存記憶體模塊傳遞數(shù)據(jù)；利用第三測試端口執(zhí)行三種功能。優(yōu)選地，在上述利用測試接口結(jié)構(gòu)對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試方法中，所述三種功能是對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出高壓信號(hào)、對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出小電流信號(hào)、以及對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出數(shù)字信號(hào)同樣，根據(jù)本發(fā)明第三方面的測試方法，由于采用了包括三個(gè)測試測試端口的測試接口結(jié)構(gòu)，并且其中一個(gè)測試測試端口可以復(fù)用三種功能，因此，芯片的面積極大地縮小，在測試機(jī)硬件條件固定的情況下，可以實(shí)現(xiàn)更多數(shù)量地并行測試，提高測試效率，降低測試成本。


結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中圖1示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于對(duì)待測電路進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)的框圖。需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。圖1示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于對(duì)待測電路TS進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)的框圖。具體地說，待測電路TS例如是閃存記憶體模塊；并且閃存記憶體模塊具體可包括閃存記憶體矩陣、譯碼電路和電荷泵等模塊電路等。測試接口結(jié)構(gòu)pad包括三個(gè)測試接口 /焊盤，該三個(gè)測試接口 /焊盤為第一測試端口 padl、第二測試端口 padl、以及第三測試端口 pad 3。其中，第一測試端口 pa dl用于向閃存記憶體模塊輸入時(shí)鐘信號(hào)；第二測試端口 pad2用于與閃存記憶體模塊傳遞數(shù)據(jù)；第三測試端口 pad3用于執(zhí)行三種功能。具體地說，第三測試端口 pad3所執(zhí)行的所述三種功能對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出高壓信號(hào)、對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出小電流信號(hào)、以及對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出數(shù)
字信號(hào)更具體地說，例如，對(duì)于第三測試端口 pad3所執(zhí)行的功能，當(dāng)需要對(duì)閃存記憶體模塊TS輸入輸出高壓信號(hào)時(shí)，其第一功能啟動(dòng)。當(dāng)需要隊(duì)閃存記憶體模塊TS輸入輸出小電流信號(hào)時(shí)，其第二功能啟動(dòng)。當(dāng)對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出數(shù)字信號(hào)時(shí)，其第三功能啟動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的測試接口結(jié)構(gòu)，由于該測試接口結(jié)構(gòu)包括三個(gè)測試端口，并且其中一個(gè)測試端口可以復(fù)用三種功能，因此，芯片的面積極大地縮小，在測試機(jī)硬件條件固定的情況下，可以實(shí)現(xiàn)更多數(shù)量地并行測試，提高測試效率，降低測試成本。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明涉及一種包括上述測試接口結(jié)構(gòu)的測試電路。并且，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明涉及一種如上所述的測試方法。優(yōu)選地，上述測試接口結(jié)構(gòu)、測試電路和測試方法可有利地提高小引腳數(shù)閃存記憶體產(chǎn)品的并行測試數(shù)量，提高測試效率，降低測試成本，例如SIM卡(用戶識(shí)別卡)。可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下， 都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)，其特征在于包括三個(gè)測試接口 /焊盤，該三個(gè)測試接口 /焊盤為第一測試端口、第二測試端口以及第三測試端口，其中第一測試端口用于向閃存記憶體模塊輸入時(shí)鐘信號(hào)；第二測試端口用于與閃存記憶體模塊傳遞數(shù)據(jù)；第三測試端口用于執(zhí)行三種功能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述三種功能是對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出高壓信號(hào)、對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出小電流信號(hào)、以及對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出數(shù)字信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)，其特征在于，閃存記憶體模塊包括閃存記憶體矩陣、譯碼電路和電荷泵等模塊電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述高壓信號(hào)是至少12V的信號(hào)，所述小電流信號(hào)精度是納安。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測試接口結(jié)構(gòu)通常被用于測試小引腳數(shù)的閃存記憶體模塊，例如，SIM卡系列女口廣 PFt ο
6.一種測試電路，其特征在于包括根據(jù)權(quán)利要求1至5之一所述的用于對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)。
7.一種利用測試接口結(jié)構(gòu)對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試方法，所述測試接口結(jié)構(gòu)包括第一測試端口、第二測試端口以及第三測試端口，其特征在于所述測試方法包括利用第一測試端口向閃存記憶體模塊輸入時(shí)鐘信號(hào)；利用第二測試端口與閃存記憶體模塊傳遞數(shù)據(jù)；利用第三測試端口執(zhí)行三種功能。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的利用測試接口結(jié)構(gòu)對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試方法， 其特征在于，所述三種功能是對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出高壓信號(hào)、對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出小電流信號(hào)、以及對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出數(shù)字信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的利用測試接口結(jié)構(gòu)對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試方法，其特征在于，閃存記憶體模塊包括閃存記憶體矩陣、譯碼電路和電荷泵等模塊電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的利用測試接口結(jié)構(gòu)對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試方法，其特征在于，所述高壓信號(hào)至少是12V的信號(hào)，所述小信號(hào)精度是納安。
全文摘要
本發(fā)明提供了針對(duì)閃存記憶體測試的一種三個(gè)測試接口/焊盤的測試接口結(jié)構(gòu)、測試電路以及測試方法。根據(jù)本發(fā)明的用于對(duì)閃存記憶體模塊進(jìn)行測試的測試接口結(jié)構(gòu)包括第一測試端口、第二測試端口以及第三測試端口，其中第一測試端口用于向閃存記憶體模塊輸入時(shí)鐘信號(hào)；第二測試端口用于與閃存記憶體模塊傳遞數(shù)據(jù)；第三測試端口用于執(zhí)行三種功能。所述三種功能是對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出高壓信號(hào)、對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出小電流信號(hào)、以及對(duì)閃存記憶體模塊輸入輸出數(shù)字信號(hào)。
文檔編號(hào)G11C29/12GK102354533SQ20111018737
公開日2012年2月15日 申請(qǐng)日期2011年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月5日
發(fā)明者何軍, 索鑫, 錢亮 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司