專利名稱：：存儲器儲存裝置、存儲器控制器與數據寫入方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種數據寫入方法，且特別是涉及一種在寫入數據時進行備份的方法，以及實行該方法的存儲器儲存裝置與存儲器控制器。
背景技術：
：可復寫式非揮發(fā)性存儲器(rewritablenon-volatilememory)具有數據非揮發(fā)性、省電、體積小與無機械結構等特性，故被廣泛地應用于各種電子裝置。其中，固態(tài)硬盤(SolidStateDrive,SSD)便是采用可復寫式非揮發(fā)性存儲器作為儲存媒體的儲存裝置，且因其具備上述優(yōu)勢而越來越受到消費者的注目?？蓮蛯懯椒菗]發(fā)性存儲器具有多個實體區(qū)塊，且每一實體區(qū)塊具有多個實體頁面。其中，實體區(qū)塊為數據擦除的最小單位，而實體頁面則為數據寫入的最小單元。儲存裝置中的存儲器管理電路會將主機系統欲存取的邏輯存取位址轉換對應的邏輯頁面，并至該邏輯頁面所對應的實體頁面進行存取。由于儲存在可復寫式非揮發(fā)性存儲器的數據可能會因存儲器胞漏電、程式化失敗或損毀等因素而產生錯誤位元，因此儲存裝置會配置錯誤檢查與校正電路以識別數據的正確性。在主機系統欲讀取固態(tài)硬盤中的數據時，由于數據可能是重要的開機檔或系統檔，因此若數據的錯誤位元超過錯誤檢查與校正電路所能校正的位元數，便不能直接將數據回復給主機系統，而必須告知主機系統數據有誤，以讓主機系統內的作業(yè)系統對錯誤進行修正。一般來說，在接收主機系統的讀取指令而對數據進行讀取時，能根據讀取指令識別數據所對應的邏輯存取位址，故能在發(fā)生數據錯誤時正確地回復主機系統。然而，倘若是在重新啟動固態(tài)硬盤并進行實體頁面的掃描之際發(fā)現數據錯誤，則因為已無法從實體頁面所記錄的信息判斷其中數據對應的邏輯存取位址，因此，若主機系統日后欲讀取該邏輯存取位址，則可能會因為沒有將數據錯誤的信息正確地回復給主機系統，進而造成主機系統中的作業(yè)系統產生運作上的問題。
發(fā)明內容有鑒于此，本發(fā)明提供一種數據寫入方法、存儲器控制器以及存儲器儲存裝置，能在寫入數據時進行備份，以避免將錯誤的數據回復給主機系統。本發(fā)明提出一種數據寫入方法，用于具有可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片的存儲器儲存裝置。可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片包括多個實體單元，各實體單元包括多個實體頁面。此方法包括配置多個邏輯單元以映射部分的實體單元，其中各邏輯單元包括多個邏輯頁面。此方法還包括接收來自主機系統的第一寫入數據，并將第一寫入數據寫入至從上述實體單元所提取的一替換實體單元中的第i個實體頁面。此方法還包括將第一寫入數據所對應的第一位址存取信息，以及一第二位址存取信息寫入至第i個實體頁面，其中i為正整數。從另一觀點來看，本發(fā)明提出一種存儲器控制器，用于管理存儲器儲存裝置中的可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片。此存儲器控制器包括主機系統界面、存儲器界面，以及存儲器管理電路。主機系統界面用以耦接主機系統。存儲器界面用以耦接可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片，其中可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片包括多個實體單元，且各實體單元包括多個實體頁面。存儲器管理電路耦接至主機系統界面與存儲器界面，存儲器管理電路用以配置多個邏輯單元以映射部分的實體單元，其中各邏輯單元包括多個邏輯頁面。存儲器管理電路更用以通過主機系統界面接收來自主機系統的第一寫入數據，并將第一寫入數據寫入至從上述實體單元所提取的替換實體單元中的第i個實體頁面，以及將第一寫入數據所對應的第一位址存取信息，以及一第二位址存取信息寫入至第i個實體頁面，其中i為正整數。從又一觀點來看，本發(fā)明提出一種存儲器儲存裝置，包括可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片、連接器，以及存儲器控制器。可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片包括多個實體單元，且各實體單元包括多個實體頁面。連接器用以耦接主機系統。存儲器控制器耦接至可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片與連接器。存儲器控制器用以配置多個邏輯單元以映射部分的實體單元，其中各邏輯單元包括多個邏輯頁面。存儲器控制器還用以通過連接器接收來自主機系統的第一寫入數據，并將第一寫入數據寫入至從上述實體單元所提取的替換實體單元中的第i個實體頁面，以及將第一寫入數據所對應的第一位址存取信息，以及一第二位址存取信息寫入至第i個實體頁面，其中i為正整數?；谏鲜觯景l(fā)明在將數據寫入可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片時，會將該數據、該數據所對應的位址存取信息，以及另一數據對應的位址存取信息記錄在一個實體頁面中，據此達到備份寫入數據的位址存取信息的目的。如此一來，若在啟動存儲器儲存裝置并掃描各實體頁面時發(fā)現數據錯誤，則可利用備份的位址存取信息來識別發(fā)生數據錯誤的實體頁面中的數據對應的邏輯頁面，以避免在日后主機系統讀取該邏輯頁面時，將已發(fā)生錯誤的數據回復給主機系統。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。圖IA是根據本發(fā)明一范例實施例顯示的使用存儲器儲存裝置的主機系統的示意圖。圖IB是根據本發(fā)明范例實施例所顯示的電腦、輸入/輸出裝置與存儲器儲存裝置的示意圖。圖IC是根據本發(fā)明另一范例實施例所顯示的主機系統與存儲器儲存裝置的示意圖。圖2是圖IA所示的存儲器儲存裝置的概要方框圖。圖3是根據本發(fā)明一范例實施例顯示的存儲器控制器的概要方框圖。圖4A與圖4B是根據本發(fā)明的一范例實施例所顯示的管理實體單元的示意圖。圖5A至圖是根據本發(fā)明的一范例實施例所顯示的將數據寫入至替換實體單元的示意圖。圖6是根據本發(fā)明的另一范例實施例所顯示的管理實體單元的示意圖。圖7是根據本發(fā)明的另一范例實施例所顯示的將寫入數據寫入至替換實體單元的示意圖。圖8是依照本發(fā)明的一范例實施例所顯示的數據寫入方法的流程圖。附圖標記1000:主機系統1100:電腦1102:微處理器1104:隨機存取存儲器1106:輸入/輸出裝置1108:系統匯流排1110:數據傳輸界面1202:鼠標1204:鍵盤1206:顯示器1208:印表機1212:隨身碟1214:記憶卡1216:固態(tài)硬盤1310:數字相機1312SD卡1314:MMC卡1316:記憶棒1318:CF卡1320:嵌入式儲存裝置100:存儲器儲存裝置102:連接器104:存儲器控制器106:可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片1041:主機系統界面1043:存儲器管理電路1045:存儲器界面3002:緩沖存儲器3004:電源管理電路3006:錯誤檢查與校正電路410(0)~410(N),810(0)810(N):實體單元502:數據區(qū)504:閑置區(qū)506:系統區(qū)508:取代區(qū)610(0)610(L):邏輯單元410(T),810(T):替換實體單元710、720、730、740:存儲器模塊710(0)710(N)、720(0)720(N)、730(0)7430(N)、740(0)740(N):實體區(qū)塊S810S840:本發(fā)明的一實施例所述的數據寫入方法的各步驟具體實施例方式一般而言，存儲器儲存裝置(亦稱，存儲器儲存系統)包括存儲器芯片與控制器(亦稱，控制電路)。通常存儲器儲存裝置會與主機系統一起使用，以使主機系統可將數據寫入至存儲器儲存裝置或從存儲器儲存裝置中讀取數據。另外，亦有存儲器儲存裝置是包括嵌入式存儲器與可執(zhí)行于主機系統上以實質地作為此嵌入式存儲器的控制器的軟體。圖IA是根據本發(fā)明一范例實施例所顯示的使用存儲器儲存裝置的主機系統的示意圖。主機系統1000包括電腦1100與輸入/輸出(Input/Output,I/O)裝置1106。電腦1100包括微處理器1102、隨機存取存儲器(RandomAccessMemory，RAM)1104、系統匯流排1108以及數據傳輸界面1110。輸入/輸出裝置1106包括如圖IB所示的鼠標1202、鍵盤1204、顯示器1206與印表機1208。必須了解的是，圖IB所示的裝置非限制輸入/輸出裝置1106，輸入/輸出裝置1106可還包括其他裝置。在本發(fā)明范例實施例中，存儲器儲存裝置100是通過數據傳輸界面1110與主機系統1000的其他元件耦接。藉由微處理器1102、隨機存取存儲器1104以及輸入/輸出裝置1106的運作，主機系統1000可將數據寫入至存儲器儲存裝置100，或從存儲器儲存裝置100中讀取數據。例如，存儲器儲存裝置100可以是如圖IB所示的記憶卡1214、隨身碟1212、或固態(tài)硬盤(SolidStateDrive,SSD)1216。一般而言，主機系統1000為可儲存數據的任意系統。雖然在本范例實施例中主機系統1000是以電腦系統來作說明，然而，在本發(fā)明另一范例實施例中，主機系統1000亦可以是手機、數字相機、攝影機、通訊裝置、音訊播放器或視頻播放器等系統。例如，在主機系統為數字相機1310時，存儲器儲存裝置則為其所使用的安全數字(SecureDigital,SD)卡1312、多媒體記憶(MultimediaCard,MMC)卡1314、記憶棒(MemoryStick)1316、小型快閃(CompactFlash,CF)卡1318或嵌入式儲存裝置1320(如圖IC所示)。嵌入式儲存裝置1320包括嵌入式多媒體卡(EmbeddedMMC,eMMC)。值得一提的是，嵌入式多媒體卡是直接耦接于主機系統的基板上。圖2是顯示圖IA所示的存儲器儲存裝置100的方框圖。請參照圖2，存儲器儲存裝置100包括連接器102、存儲器控制器104與可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106。連接器102耦接至存儲器控制器104，并且用以耦接主機系統1000。在本范例實施例中，連接器102所支援的傳輸界面種類為串行先進附件(SerialAdvancedTechnologyAttachment,SATA)界面。然而在其他范例實施例中，連接器102的傳輸界面種類也可以是通用串行總線(UniversalSerialBus,USB)界面、多媒體儲存卡(MultimediaCard,MMC)界面、平行先進附件(ParallelAdvancedTechnologyAttachment,PATA)界面、電氣和電子工程師協會(InstituteofElectricalandElectronicEngineers,IEEE)1394界面、高速周邊零件連接界面(PeripheralComponentInterconnectExpress,PCIExpress)界面、安全數字(SecureDigital,SD)界面、記憶棒(MemoryStick,MS)界面、小型快閃(CompactFlash,CF)界面，或整合驅動電子(IntegratedDriveElectronics,IDE)界面等任何適用的界面，在此并不加以限制。存儲器控制器104會執(zhí)行以硬件形式或軟件形式實現的多個邏輯閘或控制指令，并根據主機系統1000的指令在可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106中進行數據的寫入、讀取與擦除等運作。其中，存儲器控制器104更特別用以根據本范例實施例的數據寫入方法而在寫入數據時備份其他實體頁面中的部分信息。本范例實施例的數據寫入方法將于后配合附圖再作說明?？蓮蛯懯椒菗]發(fā)性存儲器芯片106耦接至存儲器控制器104。可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106系用以儲存如檔案配置表(FileAllocationTable,FAT)或增強型文件系統(NewTechnologyFileSystem,NTFS)等檔案系統信息，以及儲存如文字、影像或聲音文件等一般性數據。舉例來說，可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106為多階記憶胞(MultiLevelCell，MLC)NAND快閃存儲器芯片，但本發(fā)明不限于此，可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106也可以是單階記憶胞(SingleLevelCell,SLC)NAND快閃存儲器芯片、其他快閃存儲器芯片或任何具有相同特性的存儲器芯片。圖3是根據本發(fā)明一范例實施例所顯示的存儲器控制器的概要方框圖。請參照圖3，存儲器控制器104包括主機系統界面1041、存儲器管理電路1043，以及存儲器界面1045。主機系統界面1041耦接至存儲器管理電路1043，并通過連接器102以耦接主機系統1000。主機系統界面1041系用以接收與識別主機系統1000所傳送的指令與數據。據此，主機系統1000所傳送的指令與數據會通過主機系統界面1041而傳送至存儲器管理電路1043。在本范例實施例中，主機系統界面1041對應連接器102而為SATA界面，而在其他范例實施例中，主機系統界面1041也可以是USB界面、MMC界面、PATA界面、IEEE1394界面、PCIExpress界面、SD界面、MS界面、CF界面、IDE界面或符合其他界面標準的界面。存儲器管理電路1043系用以控制存儲器控制器104的整體運作。具體來說，存儲器管理電路1043具有多個控制指令，在存儲器儲存裝置100運作時，上述控制指令會被執(zhí)行以實現本范例實施例的數據寫入方法。在一范例實施例中，存儲器管理電路1043的控制指令是以軟件形式來實現。例如，存儲器管理電路1043具有微處理器單元(未示出)與只讀存儲器(未示出)，且上述控制指令是被燒錄在只讀存儲器中。當存儲器儲存裝置100運作時，上述控制指令會由微處理器單元來執(zhí)行以完成本范例實施例的數據寫入方法。在本發(fā)明另一范例實施例中，存儲器管理電路1043的控制指令亦可以程式碼型式儲存于可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106的特定區(qū)域(例如，可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106中專用于存放系統數據的系統區(qū))中。此外，存儲器管理電路1043具有微處理器單元(未示出)、只讀存儲器(未示出)及隨機存取存儲器(未示出)。其中，只讀存儲器具有驅動碼段，并且當存儲器控制器104被使能時，微處理器單元會先執(zhí)行此驅動碼段來將儲存于可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106中的控制指令載入至存儲器管理電路1043的隨機存取存儲器中。之后，微處理器單元會運轉上述控制指令以執(zhí)行本范例實施例的數據寫入方法。此外，在本發(fā)明另一范例實施例中，存儲器管理電路1043的控制指令亦可以一硬件形式來實現。存儲器界面1045耦接至存儲器管理電路1043，以使存儲器控制器104與可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106相耦接。據此，存儲器控制器104可對可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106進行相關運作。也就是說，欲寫入至可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106的數據會經由存儲器界面1045轉換為可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106所能接受的格式。在本發(fā)明的一范例實施例中，存儲器控制器104還包括緩沖存儲器3002。緩沖存儲器3002可以是靜態(tài)隨機存取存儲器(StaticRandomAccessMemory,SRAM)、或動態(tài)隨機存取存儲器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)等,本發(fā)明并不加以限制。緩沖存儲器3002耦接至存儲器管理電路1043，用以暫存來自于主機系統1000的數據，或暫存來自于可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106的數據。在本發(fā)明另一范例實施例中，存儲器控制器104還包括電源管理電路3004。電源管理電路3004耦接至存儲器管理電路1043，用以控制存儲器儲存裝置100的電源。在本發(fā)明又一范例實施例中，存儲器控制器104還包括錯誤檢查與校正電路3006。錯誤檢查與校正電路3006耦接至存儲器管理電路1043，用以執(zhí)行錯誤檢查與校正程序以確保數據的正確性。具體而言，當存儲器管理電路1043接收到來自主機系統1000的寫入指令時，錯誤檢查與校正電路3006會為對應此寫入指令的數據產生對應的錯誤檢查與校正碼(ErrorCheckingandCorrectingCode,ECCCode),且存儲器管理電路1043會將對應此寫入指令的數據與對應的錯誤檢查與校正碼寫入至可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106。之后當存儲器管理電路1043從可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106中讀取數據時，會同時讀取此數據對應的錯誤檢查與校正碼，且錯誤檢查與校正電路3006會依據此錯誤檢查與校正碼對所讀取的數據執(zhí)行錯誤檢查與校正程序。圖4A與圖4B是根據本發(fā)明的一范例實施例所顯示的管理實體單元的示意圖。請參照圖4A，本范例實施例的可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106包括實體單元410(0)410(N)，其中，每一實體單元包括多個實體頁面。在本范例實施例中，每一實體單元是由一個實體區(qū)塊所組成。然而本發(fā)明不局限于此，在本發(fā)明的另一范例實施例中，每一實體單元亦可由多個實體區(qū)塊所組成。存儲器控制器104中的存儲器管理電路1043會將實體單元410(0)410(N)邏輯地分組為數據區(qū)502、閑置區(qū)504、系統區(qū)506與取代區(qū)508。其中，圖4A所標示的F、S、R與N為正整數，代表各區(qū)配置的實體單元數量，其可由存儲器儲存裝置100的制造商依據所使用的可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106的容量來設定。邏輯上屬于數據區(qū)502與閑置區(qū)504的實體單元是用以儲存來自于主機系統1000的數據。具體來說，數據區(qū)502的實體單元是被視為已儲存數據的實體單元，而閑置區(qū)504的實體單元是用以替換數據區(qū)502的實體單元。換句話說，閑置區(qū)504的實體單元為空或可使用的實體單元(無記錄數據或標記為已沒用的無效數據)。當從主機系統1000接收到寫入指令與欲寫入的數據時，存儲器管理電路1043會從閑置區(qū)504中提取實體單元，并且將數據寫入至所提取的實體單元中，以替換數據區(qū)502的實體單元。邏輯上屬于系統區(qū)506的實體單元是用以記錄系統數據。舉例來說，系統數據包括關于可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106的制造商與型號等信息。邏輯上屬于取代區(qū)508的實體單元是用以在數據區(qū)502、閑置區(qū)504或系統區(qū)506中的實體單元損毀時，取代損壞的實體單元。具體而言，倘若取代區(qū)508中仍存有正常的實體單元且數據區(qū)502的實體單元損壞時，存儲器管理電路1043會從取代區(qū)508中提取正常的實體單元來更換數據區(qū)502中損壞的實體單元。為了讓主機系統1000能對可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106進行存取，請參照圖4B，存儲器管理電路1043會配置數個邏輯單元610(0)610(L)以映射數據區(qū)502中的實體單元410(0)410(F-I)。其中每一邏輯單元包括多個邏輯頁面，而邏輯單元610(0)610(L)中的邏輯頁面會依序映射實體單元410(0)410(F-1)中的實體頁面。存儲器管理電路1043將所配置的邏輯單元610(0)610(L)提供給主機系統1000,并維護邏輯單兀-實體單兀映射表(logicalunit-physicalunitmappingtable)以記錄邏輯單元610(0)610(L)與實體單元410(0)410(F-I)的映射關系。因此，當主機系統1000欲對一邏輯存取位址進行讀取時，存儲器管理電路1043會將此邏輯存取位址轉換為對應的邏輯單元的邏輯頁面，再通過邏輯單元-實體單元映射表至其所映射的實體頁面來讀取數據。而為了因應來自主機系統1000的寫入指令，存儲器管理電路1043會從閑置區(qū)504提取實體單元來作為替換實體單元，并且將主機系統1000欲寫入的數據寫入至替換實體單元。詳言之，在本范例實施例中，若接收到來自主機系統1000的數個寫入指令且所述寫入指令對應的寫入數據系對應不同邏輯頁面，這些寫入數據會被依序寫入替換實體單元。當此替換實體單元已無空的實體頁面時，存儲器管理電路1043則會再自閑置區(qū)504提取另一替換實體單元以接續(xù)寫入主機系統1000欲寫入的數據。而在替換實體單元的數量到達上限值時，存儲器管理電路1043會執(zhí)行數據合并程序，以將屬于相同實體單元的有效數據整并至提取自閑置區(qū)504的新實體單元，并且將各替換實體單元中的數據標示為無效數據，再將替換實體單元關聯回閑置區(qū)504。圖5A至圖是根據本發(fā)明的一范例實施例所顯示的將數據寫入至替換實體單元的示意圖。在本實施例中，假設每一實體單元包括M個實體頁面(M為正整數)，且每一實體頁面具有數據位元區(qū)與冗余位元區(qū)。其中，數據位元區(qū)用以儲存主機系統1000欲寫入的數據，而冗余位元區(qū)用以儲存與該實體頁面相關的信息，例如錯誤檢查與校正碼及邏輯存取位址等。當主機系統1000欲將寫入數據Dl寫入至邏輯單元610(0)610(L)中的某一個邏輯頁面(例如邏輯頁面3)，存儲器管理電路1043會通過主機系統界面1041接收寫入數據D1。此時，如圖5A所示，存儲器管理電路1043自閑置區(qū)504提取實體單元410(T)作為替換實體單元，并將寫入數據D1、對應寫入數據Dl的位址存取信息AlI與寫入數據Dl的錯誤檢查與校正碼ECCl—并寫入至替換實體單元410(T)的第0個實體頁面，存儲器管理電路1043亦會將位址存取信息AIl暫時記錄在緩沖存儲器3002。在本范例實施例中，位址存取信息AIl是寫入數據Dl所屬于的邏輯頁面(即邏輯頁面3)。在本范例實施例中，寫入數據Dl被寫入至第0個實體頁面的數據位元區(qū)，位址存取信息AIl被寫入至第0個實體頁面的冗余位元區(qū)里的第一記錄區(qū)，且錯誤檢查與校正碼ECCl被寫入至冗余位元區(qū)里的第三記錄區(qū)。此外，存儲器管理電路1043會將一起始標記(在圖5A中是以符號“S”表示)寫入至第0個實體頁面的冗余位元區(qū)里的第二記錄區(qū)。而在其他范例實施例中，存儲器管理電路1043也可以不將任何信息寫入冗余位元區(qū)的第二記錄區(qū)，或者在目前已有多個替換實體單元的情況下，將被寫入至上一個替換實體單元的最后一個實體頁面里的寫入數據所對應的位址存取信息記錄到冗余位元區(qū)的第二記錄區(qū)。若存儲器管理電路1043接著接收來自主機系統1000的寫入數據D2，此寫入數據D2是對應邏輯單元610(0)610(L)中的某一邏輯頁面(例如邏輯頁面7)。如圖5B所示，存儲器管理電路1043會分別將寫入數據D2、對應寫入數據D2的位址存取信息AI2(例如，寫入數據D2所屬的邏輯頁面7)，與寫入數據D2的錯誤檢查與校正碼ECC2寫入替換實體單元410(T)的第I個實體頁面的數據位元區(qū)、余位元區(qū)里的第一記錄區(qū)，以及冗余位元區(qū)里的第三記錄區(qū)。并且，存儲器管理電路1043將自緩沖存儲器3002取得上一個寫入指令的寫入數據Dl對應的位址存取信息AlI，并將位址存取信息AIl寫入第I個實體頁面的冗余位元區(qū)里的第二記錄區(qū)。同理，存儲器管理電路1043會將位址存取信息AI2暫時記錄在緩沖存儲器3002。接下來，若主機系統1000欲將寫入數據D3寫入至邏輯單元610(0)610(L)中的某一個邏輯頁面(例如邏輯頁面100)。存儲器管理電路1043在接收到寫入數據D3后，會自緩沖存儲器3002取得上一個寫入指令的寫入數據D2對應的位址存取信息AI2，并且如圖5C所示，將寫入數據D3、對應寫入數據D3的位址存取信息AI3(例如，寫入數據D3所屬的邏輯頁面100)、寫入數據D3的錯誤檢查與校正碼ECC3，以及位址存取信息AI2寫入至替換實體單元410(T)的第2個實體頁面的數據位元區(qū)、冗余位元區(qū)里的第一記錄區(qū)、冗余位元區(qū)里的第三記錄區(qū)，以及冗余位元區(qū)里的第二記錄區(qū)。假設主機系統1000在下達對應寫入數據D3的寫入指令后，接著下達一清除指令(flushcommand)，表示主機系統1000可能要準備進行關機程序。此時，存儲器管理電路1043不但需將存儲器儲存裝置100的快取存儲器(未示出)中的數據清空，存儲器管理電路1043還會從替換實體單元410(T)中取得一個尚未被寫入數據的特定實體頁面(在本范例實施例中，特定實體頁面例如是替換實體單元410(T)中的第3個實體頁面)，并且如圖5D所示，將結束標記(在圖中是以符號“E”表示)寫入在第3個實體頁面的冗余位元區(qū)里的第一記錄區(qū)，以及將在接收到清除指令之前的最后一個寫入數據D3所對應的位址存取信息AI3寫入至第3個實體頁面的冗余位元區(qū)里的第二記錄區(qū)。在另一范例實施例中，存儲器管理電路1043以可將無意義的填充數據或存儲器儲存裝置100在運作過程中所產生的表格寫入第3個實體頁面的數據位元區(qū)。如圖5A至所示，替換實體單元410(T)中每一實體頁面的數據位元區(qū)系用以寫入屬于單一個邏輯頁面的寫入數據，而冗余位元區(qū)則會被寫入對應不同邏輯頁面的兩個位址存取信息。其中之一位址存取信息是對應這次寫入的寫入數據，而另一位址存取信息則對應主機系統1000上一次寫入的寫入數據。假設此次寫入數據被寫入第i個實體頁面，那么上一次寫入的寫入數據則是被寫入在第i-1個實體頁面。倘若在如圖所示的狀態(tài)下存儲器儲存裝置100被重新啟動，存儲器管理電路1043將去讀取并掃描可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106中的各實體頁面，以利用各實體頁面的冗余位元區(qū)所記錄的信息來識別被寫入至該實體頁面中的數據所對應的位址存取信息(即，該數據是屬于哪個邏輯頁面)，進而重建存儲器儲存裝置100運行時所需要參考的表格。詳細地說，在存儲器管理電路1043掃描每一實體頁面時，錯誤檢查與校正電路3006將利用其冗余位元區(qū)所記錄的錯誤檢查與校正碼來判斷記錄在該實體頁面的其余數據的正確性。若錯誤檢查與校正電路3006判定并未發(fā)生數據錯誤，存儲器管理電路1043可讀取冗余位元區(qū)的第一記錄區(qū)所記錄的位址存取信息，進而識別出被寫入至該實體頁面的數據是對應哪個邏輯頁面。舉例來說，當存儲器管理電路1043掃描到替換實體單元410(T)的第I個實體頁面時，假設錯誤檢查與校正電路3006利用其冗余位元區(qū)中的錯誤檢查與校正碼ECC2而判定此實體頁面發(fā)生數據錯誤，且錯誤位元已超過錯誤檢查與校正碼ECC2所能校正的位元數。此時，存儲器管理電路1043將無法從此實體頁面的冗余位元區(qū)識別出寫入數據D2是對應哪個邏輯頁面。對此，存儲器管理電路1043會讀取替換實體單元410(T)中的下一個實體頁面(亦即，第2個實體頁面)，進而根據記錄在第2個實體頁面的冗余位元區(qū)的第二記錄區(qū)中的位址存取信息AI2，以識別出第I個實體頁面中的數據應是屬于邏輯頁面7。爾后，當主機系統1000要讀取邏輯頁面7時，存儲器管理電路1043便會將一數據錯誤信息回應至主機系統1000，進而讓主機系統1000中的作業(yè)系統能進行修復或作出其他相應的處理。在本范例實施例中，存儲器管理電路1043每次將寫入數據寫入至一實體頁面時，便會備份上一個寫入指令的寫入數據所對應的位址存取信息，據此能在重新啟動存儲器儲存裝置100并進行掃描而遇到數據錯誤的情況時，到下一個實體頁面取得備份的位址存取信息。然而本發(fā)明并不局限于此備份方式，在本發(fā)明的其他范例實施例中，存儲器管理電路1043在將寫入數據及其位址存取信息寫入至一實體頁面之余，也可將在此寫入指令之前的第k個(k為大于或等于I的正整數)寫入指令的寫入數據所對應的位址存取信息寫入至該實體頁面。如此一來，當重新啟動存儲器儲存裝置100而在掃描到某一實體頁面卻發(fā)生數據錯誤時，存儲器管理電路1043會去讀取下k個實體頁面以取得備份的位址存取信息。必須特別說明的是，在上述范例實施例中雖然是將位址存取信息舉例為寫入數據所屬的邏輯頁面，并據此來對本發(fā)明進行說明，但本發(fā)明并不局限于此。在本發(fā)明的另一范例實施例中，倘若可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106中的實體區(qū)塊是被分組為數個區(qū)域(zone)，且以每一區(qū)域都被視為獨立的管理單位，那么各寫入數據的位址存取信息則可以是寫入數據所屬的邏輯區(qū)域、寫入數據所屬的邏輯區(qū)塊，以及寫入數據所屬的邏輯頁面其中之一或其組合者。例如，位址存取信息AIl的內容可以是寫入數據Dl是屬于哪一個邏輯區(qū)域的哪個邏輯區(qū)塊里的哪邏輯頁面。在以下的實施例中，可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106包括數個存儲器模塊(例如，存儲器晶粒(die))，且每一實體單元是由屬于不同存儲器模塊的多個實體區(qū)塊所組成?；耍鎯ζ鞴芾黼娐?043在寫入數據時去備份其他數據所屬的位址存取信息的方式亦與前述范例實施例有所不同。圖6是根據本發(fā)明的另一范例實施例所顯示的管理實體單元的示意圖。在本范例實施例中，可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106包括存儲器模塊710、存儲器模塊720、存儲器模塊730，以及存儲器模塊740。存儲器模塊710至740分別通過獨立的4個數據匯流排(未示出)耦接至存儲器控制器104。然而在其他范例實施例中，存儲器模塊710至740也可通過I個數據匯流排耦接至存儲器控制器104。如圖6所示，存儲器模塊710具有實體區(qū)塊710(0)710(N)、存儲器模塊720具有實體區(qū)塊720(0)720(N)、存儲器模塊730具有實體區(qū)塊730(0)730(N)，而存儲器模塊740具有實體區(qū)塊740(0)740(N)。詳言之，存儲器管理電路1043是將存儲器模塊710至740中的實體區(qū)塊邏輯地分組為多個實體單元來管理。例如，實體區(qū)塊710(0)、實體區(qū)塊720(0)、實體區(qū)塊730(0)，以及實體區(qū)塊740(0)會被配對以分組作為實體單元810(0)，而實體區(qū)塊710(I)、實體區(qū)塊720(I)、實體區(qū)塊730(I)，以及實體區(qū)塊740(I)則會被配對以分組作為實體單元810(I)，以此類推。由于存儲器管理電路1043系以實體單元來管理可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106中的實體區(qū)塊，因此在執(zhí)行主機系統1000下達的寫入指令或讀取指令時，存儲器管理電路1043會以平行方式對同一實體單元中屬于不同的存儲器模塊的4個實體區(qū)塊進行寫入或讀取動作。必須說明的是，雖然本范例實施例是以4個存儲器模塊為例來進行說明，但本發(fā)明并不限于此。在本發(fā)明的另一范例實施例中，可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106也可以包括2個或8個存儲器模塊。圖7是在圖6所示的管理架構下，存儲器管理電路1043因應來自主機系統的寫入指令而將寫入數據寫入至替換實體單元810(T)的示意圖。為了方便說明，假設每一實體區(qū)塊包括4個實體頁面。并假設存儲器管理電路1043接收到來自主機系統1000的4筆寫入數據Dl至D4。其中寫入數據Dl至D4是對應4個不同的邏輯頁面，且分別對應位址存取信息AIl至AI4。在本范例實施例中，位址存取信息AIl至AI4分別包括寫入數據Dl至D4個別屬于的邏輯頁面。假設寫入數據Dl屬于邏輯頁面5、寫入數據D2屬于邏輯頁面10、寫入數據D3屬于邏輯頁面8，且寫入數據D4屬于邏輯頁面15。在本范例實施例中，針對替換實體單元810(T)中的每一實體頁面，除了會記錄被寫入的數據對應的位址存取信息外，還會記錄被寫入至另一實體頁面的數據所對應的位址存取信息，這兩個實體頁面屬于不同的存儲器模塊，但在個別所屬的存儲器模塊中具有相同的實體頁面順序。請參閱圖7，存儲器管理電路1043會一并將寫入數據Dl至D4寫入至所提取的替換實體單元810(T)。其中，存儲器管理電路1043將寫入數據Dl寫入至替換實體單元SlO(T)中實體區(qū)塊710(0)的第0個實體頁面的數據位元區(qū)，并將寫入數據D2寫入至實體區(qū)塊720(0)的第0個實體頁面的數據位元區(qū)。而存儲器管理電路1043還會將寫入數據Dl對應的位址存取信息AlI、寫入數據D2對應的位址存取信息Al2，以及寫入數據Dl對應的錯誤檢查與校正碼ECCl分別寫入至實體區(qū)塊710(0)的第0個實體頁面的冗余位元區(qū)里的第一記錄區(qū)、第二記錄區(qū)，以及第三記錄區(qū)。并且，存儲器管理電路1043會將寫入數據D2對應的位址存取信息AI2、寫入數據Dl對應的位址存取信息AI1，以及寫入數據D2對應的錯誤檢查與校正碼ECC2寫入至實體區(qū)塊720(0)的第0個實體頁面的冗余位元區(qū)里的第一記錄區(qū)、第二記錄區(qū)，以及第三記錄區(qū)。換言之，實體區(qū)塊720(0)的第0個實體頁面可視為實體區(qū)塊710(0)的第0個實體頁面的備份區(qū)域，而實體區(qū)塊710(0)的第0個實體頁面可視為實體區(qū)塊720(0)的第0個實體頁面的備份區(qū)域。類似地，存儲器管理電路1043將寫入數據D3寫入至替換實體單元810(T)中實體區(qū)塊730(0)的第0個實體頁面的數據位元區(qū)，且將寫入數據D4寫入至實體區(qū)塊740(0)的第0個實體頁面的數據位元區(qū)。同時，存儲器管理電路1043亦會將寫入數據D3對應的位址存取信息Al3、寫入數據D4對應的位址存取信息AI4，以及寫入數據D3對應的錯誤檢查與校正碼ECC3寫入至實體區(qū)塊730(0)的第0個實體頁面的冗余位元區(qū)里的第一記錄區(qū)、第二記錄區(qū)，以及第三記錄區(qū)。存儲器管理電路1043會將寫入數據D4對應的位址存取信息AI4、寫入數據D3對應的位址存取信息AI3，以及寫入數據D4對應的錯誤檢查與校正碼ECC4寫入至實體區(qū)塊740(0)的第0個實體頁面的冗余位元區(qū)里的第一記錄區(qū)、第二記錄區(qū)，以及第三記錄區(qū)?；?，實體區(qū)塊730(0)的第0個實體頁面與實體區(qū)塊740(0)的第0個實體頁面將互為對方的備份區(qū)域。在本范例實施例中，存儲器模塊710與存儲器模塊720系互為對方的備份區(qū)域，且存儲器模塊730與存儲器模塊740系互為對方的備份區(qū)域。然而在另一范例實施例中亦可采用其他的備份方式，例如以存儲器模塊710作為存儲器模塊720的備份區(qū)域、以存儲器模塊720作為存儲器模塊730的備份區(qū)域、以存儲器模塊730作為存儲器模塊740的備份區(qū)域，而以存儲器模塊740作為存儲器模塊710的備份區(qū)域。倘若在將寫入數據Dl至D4寫入至替換實體單元810(T)后，存儲器儲存裝置100被重新啟動，存儲器管理電路1043將去掃描可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106中的各實體頁面，據以識別各實體頁面中的數據所對應的邏輯頁面。延續(xù)圖7所示的范例實施例，當存儲器管理電路1043掃描到實體區(qū)塊710(0)的第0個實體頁面，倘若錯誤檢查與校正電路3006利用其冗余位元區(qū)的錯誤檢查與校正碼ECCl進行檢測而發(fā)現此實體頁面有數據錯誤的情況，表示實體區(qū)塊710(0)的第0個實體頁面所記錄的信息有誤，存儲器管理電路1043將無法根據此實體頁面的冗余位元區(qū)來識別其中的數據是屬于哪個邏輯頁面。對此，存儲器管理電路1043會去讀取作為其備份區(qū)域的實體區(qū)塊720(0)的第0個實體頁面，并根據其冗余位元區(qū)的第二記錄區(qū)中的位址存取信息AIl以識別出實體區(qū)塊710(0)的第0個實體頁面中的數據是屬于邏輯頁面5。日后當主機系統1000欲讀取邏輯頁面5時，存儲器管理電路1043便會將一數據錯誤信息回應至主機系統1000。也就是說，存儲器管理電路1043在存儲器儲存裝置100被重新啟動而去掃描每個實體頁面時，若有實體頁面發(fā)生數據錯誤，存儲器管理電路1043會讀取作為備份區(qū)域的對應實體頁面所記錄的信息，以識別發(fā)生數據錯誤的實體頁面中的數據所屬于的邏輯頁面。如此一來，當主機系統1000要讀取的邏輯頁面是對應有發(fā)生數據錯誤的實體頁面時，便可正確地將數據錯誤信息回復至主機系統1000，避免因為回復錯誤數據而導致主機系統1000的作業(yè)系統無法正常執(zhí)行。值得一提的是，在上述范例實施例中是將寫入數據的位址存取信息、其他寫入數據的位址存取信息，以及寫入數據的錯誤檢查與校正碼依序寫入至實體頁面的冗余位元區(qū)里的第一記錄區(qū)、第二記錄區(qū)，以及第三記錄區(qū)，但上述對應關系并不用以限制本發(fā)明。換言之，可根據實際應用情況或需求而采用不同的方式將兩筆位址存取信息以及一錯誤檢查與校正碼寫入至實體頁面的冗余位元區(qū)。舉例來說，在本發(fā)明的另一范例實施例中也可將寫入數據的錯誤檢查與校正碼、寫入數據的位址存取信息以及其他寫入數據的位址存取信息依序寫入至實體頁面的冗余位元區(qū)里的第一記錄區(qū)、第二記錄區(qū)，以及第三記錄區(qū)。圖8是依照本發(fā)明的一范例實施例所顯示的數據寫入方法的流程圖，請參閱圖8。首先如步驟S810所示，存儲器管理電路1043配置多個邏輯單元以映射可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片106中的部分實體單元。其中各邏輯單元包括多個邏輯頁面。接著在步驟S820中，存儲器管理電路1043通過主機系統界面1041接收來自主機系統1000的第一寫入數據。此第一寫入數據系對應單一個邏輯頁面。如步驟S830所示，存儲器管理電路1043將第一寫入數據寫入至所提取的一替換實體單元中的第i個實體頁面，其中i為正整數。并且如步驟S840所示，存儲器管理電路1043將第一寫入數據、第一寫入數據所對應的第一位址存取信息以及第二寫入數據所對應的第二位址存取信息寫入至第i個實體頁面。其中，第一寫入數據與第二寫入數據分別屬于不同的邏輯頁面。如此一來，替換實體單元中的每一實體頁面都將記錄對應單一個邏輯頁面的寫入數據，以及對應不同邏輯頁面的兩個位址存取信息。綜上所述，本發(fā)明所述的存儲器儲存裝置、存儲器控制器與數據寫入方法是在將來自主機系統的寫入數據寫入所提取的替換實體單元中的一實體頁面時，將寫入數據及其所對應的位址存取信息寫入此實體頁面，另外將被寫入至另一實體頁面的寫入數據所對應的位址存取信息寫入至此實體頁面，據以備份其他實體頁面的寫入數據的位址存取信息?；耍诖鎯ζ鲀Υ嫜b置重新啟動而對每一實體頁面進行掃描之際，若發(fā)現有實體頁面發(fā)生數據錯誤，則可利用另一實體頁面中作為備份的位址存取信息來識別發(fā)生錯誤的實體頁面的數據所對應的邏輯頁面。進而避免在主機系統欲讀取發(fā)生錯誤的數據時無法正確地作出回應。雖然本發(fā)明已以實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
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的普通技術人員，當可作些許的更動與潤飾，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。權利要求1.一種數據寫入方法，用于具有一可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片的一存儲器儲存裝置，該可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片包括多個實體單元，各所述實體單元包括多個實體頁面，該方法包括配置多個邏輯單元以映射部分的所述實體單元，其中各所述邏輯單元包括多個邏輯頁面；接收來自一主機系統的一第一寫入數據；將該第一寫入數據寫入至從所述實體單元所提取的一替換實體單元中的第i個實體頁面，其中i為正整數；以及將該第一寫入數據所對應的一第一位址存取信息，以及一第二位址存取信息寫入至該第i個實體頁面。2.根據權利要求I所述的數據寫入方法，其中該第一位址存取信息包括該第一寫入數據所屬的邏輯區(qū)域、該第一寫入數據所屬的邏輯區(qū)塊以及該第一寫入數據所屬的邏輯頁面的至少其中之一，且該第二位址存取信息包括一第二寫入數據所屬的邏輯區(qū)域、該第二寫入數據所屬的邏輯區(qū)塊以及該第二寫入數據所屬的邏輯頁面的至少其中之一。3.根據權利要求I所述的數據寫入方法，其中該第二位址存取信息為一第二寫入數據所對應的一第二邏輯頁面，且該第二寫入數據為被寫入至該替換實體單元中的第i_k個實體頁面，其中k為大于或等于I的正整數。4.根據權利要求3所述的數據寫入方法，其中該方法還包括重新啟動該存儲器儲存裝置并掃描各所述實體頁面；當判斷該第i_k個實體頁面發(fā)生數據錯誤時，讀取該第i個實體頁面以識別被寫入至該第i_k個實體頁面的該第二寫入數據是對應于該第二邏輯頁面；以及在該主機系統欲讀取該第二邏輯頁面時，回應一數據錯誤信息至該主機系統。5.根據權利要求I所述的數據寫入方法，其中該可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片包括多個存儲器模塊，而該第二位址存取信息為一第二寫入數據所對應的一第二邏輯頁面，該第二寫入數據為被寫入至該替換實體單元中的第j個實體頁面，該第i個實體頁面與該第j個實體頁面屬于所述存儲器模塊中的不同存儲器模塊，且該第i個實體頁面與該第j個實體頁面在個別所屬的存儲器模塊中具有相同的實體頁面順序，其中j為正整數。6.根據權利要求5所述的數據寫入方法，該方法還包括重新啟動該存儲器儲存裝置并掃描各所述實體頁面；當判斷該第j個實體頁面發(fā)生數據錯誤時，讀取該第i個實體頁面以識別被寫入至該第j個實體頁面的該第二寫入數據是對應于該第二邏輯頁面；以及在該主機系統欲讀取該第二邏輯頁面時，回應一數據錯誤信息至該主機系統。7.根據權利要求I所述的數據寫入方法，還包括接收來自該主機系統的一清除指令；自該替換實體單元取得尚未被寫入數據的一特定實體頁面；將一結束標記寫入至該特定實體頁面；以及將在接收到該清除指令之前的最后一個寫入數據所對應的位址存取信息寫入至該特定實體頁面。8.根據權利要求I所述的數據寫入方法，其中各所述實體頁面具有一數據位元區(qū)與一冗余位元區(qū)，而該第一寫入數據被寫入至該第i個實體頁面的該數據位元區(qū)，且該第一位址存取信息與該第二位址存取信息被寫入至該第i個實體頁面的該冗余位元區(qū)。9.一種存儲器控制器，用于管理一存儲器儲存裝置中的一可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片，該存儲器控制器包括一王機系統界面，用以I禹接一王機系統；一存儲器界面，用以耦接該可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片，其中該可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片包括多個實體單元，且各所述實體單元包括多個實體頁面；以及一存儲器管理電路，耦接至該主機系統界面與該存儲器界面，該存儲器管理電路用以配置多個邏輯單元以映射部分的所述實體單元，其中各所述邏輯單元包括多個邏輯頁面，該存儲器管理電路還用以通過該主機系統界面接收來自該主機系統的一第一寫入數據，并將該第一寫入數據寫入至從所述實體單元所提取的一替換實體單元中的第i個實體頁面，以及將該第一寫入數據所對應的一第一位址存取信息，以及一第二位址存取信息寫入至該第i個實體頁面，其中i為正整數。10.根據權利要求9所述的存儲器控制器，其中該第一位址存取信息包括該第一寫入數據所屬的邏輯區(qū)域、該第一寫入數據所屬的邏輯區(qū)塊以及該第一寫入數據所屬的邏輯頁面的至少其中之一，且該第二位址存取信息包括一第二寫入數據所屬的邏輯區(qū)域、該第二寫入數據所屬的邏輯區(qū)塊以及該第二寫入數據所屬的邏輯頁面的至少其中之一。11.根據權利要求9所述的存儲器控制器，其中該第二位址存取信息為一第二寫入數據所對應的一第二邏輯頁面，且該第二寫入數據為被寫入至該替換實體單元中的第i_k個實體頁面，其中k為大于或等于I正整數。12.根據權利要求11所述的存儲器控制器，其中在該存儲器儲存裝置重新啟動后，該存儲器管理電路掃描各所述實體頁面，當該第i_k個實體頁面發(fā)生數據錯誤時，該存儲器管理電路讀取該第i個實體頁面以識別被寫入至該第i_k個實體頁面的該第二寫入數據是對應于該第二邏輯頁面，并且在該主機系統欲讀取該第二邏輯頁面時，該存儲器管理電路回應一數據錯誤信息至該主機系統。13.根據權利要求9所述的存儲器控制器，其中該可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片包括多個存儲器模塊，而該第二位址存取信息為一第二寫入數據所對應的一第二邏輯頁面，該第二寫入數據為被寫入至該替換實體單元中的第j個實體頁面，該第i個實體頁面與該第j個實體頁面屬于所述存儲器模塊中的不同存儲器模塊，且該第i個實體頁面與該第j個實體頁面在個別所屬的存儲器模塊中具有相同的實體頁面順序，其中j為正整數。14.根據權利要求13所述的存儲器控制器，其中在該存儲器儲存裝置重新啟動后，該存儲器管理電路掃描各所述實體頁面，當該第j個實體頁面發(fā)生數據錯誤時，該存儲器管理電路讀取該第i個實體頁面以識別被寫入至該第j個實體頁面的該第二寫入數據是對應于該第二邏輯頁面，并且在該主機系統欲讀取該第二邏輯頁面時，該存儲器管理電路回應一數據錯誤信息至該主機系統。15.根據權利要求9所述的存儲器控制器，其中該存儲器管理電路通過該主機系統界面接收來自該主機系統的一清除指令，自該替換實體單元取得尚未被寫入數據的一特定實體頁面，將一結束標記寫入至該特定實體頁面，以及將在接收到該清除指令之前的最后一個寫入數據所對應的位址存取信息寫入至該特定實體頁面。16.根據權利要求9所述的存儲器控制器，其中各所述實體頁面具有一數據位元區(qū)與一冗余位元區(qū)，而該第一寫入數據被寫入至該第i個實體頁面的該數據位元區(qū)，且該第一位址存取信息與該第二位址存取信息被寫入至該第i個實體頁面的該冗余位元區(qū)。17.一種存儲器儲存裝置，包括一可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片，包括多個實體單元，且各所述實體單元包括多個實體頁面；一連接器，用以耦接一主機系統；以及一存儲器控制器，耦接至該可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片與該連接器，該存儲器控制器用以配置多個邏輯單元以映射部分的所述實體單元，其中各所述邏輯單元包括多個邏輯頁面，該存儲器控制器還用以通過該連接器接收來自該主機系統的一第一寫入數據，并將該第一寫入數據寫入至從所述實體單元所提取的一替換實體單元中的第i個實體頁面，以及將該第一寫入數據所對應的一第一位址存取信息，以及一第二位址存取信息寫入至該第i個實體頁面，其中i為正整數。18.根據權利要求17所述的存儲器儲存裝置，其中該第一位址存取信息包括該第一寫入數據所屬的邏輯區(qū)域、該第一寫入數據所屬的邏輯區(qū)塊以及該第一寫入數據所屬的邏輯頁面的至少其中之一，且該第二位址存取信息包括一第二寫入數據所屬的邏輯區(qū)域、該第二寫入數據所屬的邏輯區(qū)塊以及該第二寫入數據所屬的邏輯頁面的至少其中之一。19.根據權利要求17所述的存儲器儲存裝置，其中該第二位址存取信息為一第二寫入數據所對應的一第二邏輯頁面，且該第二寫入數據為被寫入至該替換實體單元中的第i_k個實體頁面，其中k為大于或等于I正整數。20.根據權利要求19所述的存儲器儲存裝置，其中在該存儲器儲存裝置重新啟動后，該存儲器控制器掃描各所述實體頁面，當該第i_k個實體頁面發(fā)生數據錯誤時，該存儲器控制器讀取該第i個實體頁面以識別被寫入至該第i_k個實體頁面的該第二寫入數據是對應于該第二邏輯頁面，并且在該主機系統欲讀取該第二邏輯頁面時，該存儲器控制器回應一數據錯誤信息至該主機系統。21.根據權利要求17所述的存儲器儲存裝置，其中該可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片包括多個存儲器模塊，而該第二位址存取信息為一第二寫入數據所對應的一第二邏輯頁面，該第二寫入數據為被寫入至該替換實體單元中的第j個實體頁面，該第i個實體頁面與該第j個實體頁面屬于所述存儲器模塊中的不同存儲器模塊，且該第i個實體頁面與該第j個實體頁面在個別所屬的存儲器模塊中具有相同的實體頁面順序，其中j為正整數。22.根據權利要求21所述的存儲器儲存裝置，其中在該存儲器儲存裝置重新啟動后，該存儲器控制器掃描各所述實體頁面，當該第j個實體頁面發(fā)生數據錯誤時，該存儲器控制器讀取該第i個實體頁面以識別被寫入至該第j個實體頁面的該第二寫入數據是對應于該第二邏輯頁面，并且在該主機系統欲讀取該第二邏輯頁面時，該存儲器控制器回應一數據錯誤信息至該主機系統。23.根據權利要求17所述的存儲器儲存裝置，其中該存儲器控制器通過該連接器接收來自該主機系統的一清除指令，自該替換實體單元取得尚未被寫入數據的一特定實體頁面，將一結束標記寫入至該特定實體頁面，以及將在接收到該清除指令之前的最后一個寫入數據所對應的位址存取信息寫入至該特定實體頁面。24.根據權利要求17所述的存儲器儲存裝置，其中各所述實體頁面具有一數據位元區(qū)與一冗余位元區(qū)，而該第一寫入數據被寫入至該第i個實體頁面的該數據位元區(qū)，且該第一位址存取信息與該第二位址存取信息被寫入至該第i個實體頁面的該冗余位元區(qū)。全文摘要一種存儲器儲存裝置、存儲器控制器與數據寫入方法。此存儲器儲存裝置具有包括多個實體單元的可復寫式非揮發(fā)性存儲器芯片，且各實體單元包括多個實體頁面。此方法包括配置多個邏輯單元以映射部分實體單元，而各邏輯單元包括多個邏輯頁面。此方法還包括接收來自主機系統的第一寫入數據，并將第一寫入數據寫入至從上述實體單元所提取的一替換實體單元中的第i個實體頁面。此方法還包括將第一寫入數據所對應的第一位址存取信息，以及一第二位址存取信息寫入至第i個實體頁面，其中i為正整數。文檔編號G11C16/02GK102737716SQ20111009228公開日2012年10月17日申請日期2011年4月11日優(yōu)先權日2011年4月11日發(fā)明者葉志剛申請人:群聯電子股份有限公司