專利名稱：一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位方法。
背景技術(shù)：
目前存儲(chǔ)器技術(shù)的發(fā)展已成為集成電路設(shè)計(jì)、制造水平前進(jìn)的重要推動(dòng)力，在微電子領(lǐng)域占有非常重要的地位。如圖I所示為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中非常重要的一類一堆棧柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件結(jié)構(gòu)示意圖。其包括硅襯底(P-sub)，硅襯底上n型重?fù)诫s的源極(S)和漏極(D)，在源漏極之間載流子溝道上覆蓋的隧穿介質(zhì)層，在隧穿介質(zhì)層上覆蓋的電荷存儲(chǔ)層，在電荷存儲(chǔ)層上覆蓋的阻擋層，以及在阻擋層上覆蓋的控制柵介質(zhì)層(CG)。如圖2所示為對(duì)圖I所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行擦除操作的示意圖。在存儲(chǔ)器件的控制柵極施加一個(gè)相對(duì)于襯底電勢(shì)幅度為-VEG脈沖，在所有存儲(chǔ)器件的源極和漏極施加一個(gè)與襯底相同的電勢(shì)，使得電荷存儲(chǔ)層中的電子發(fā)生FN隧穿，穿過隧穿介質(zhì)層進(jìn)入襯底中，從而減少存儲(chǔ)器件電荷存儲(chǔ)層中的電子，使所有存儲(chǔ)器件的閾值電壓降低到指定電壓以下。如圖3所示為對(duì)圖I所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行軟編程操作的示意圖。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的控制柵極施加一個(gè)相對(duì)于襯底電勢(shì)幅度為VSPG脈沖,在其漏極施加另一相對(duì)于襯底電勢(shì)幅度為VD的脈沖，使得源極附近的電子在橫向電場(chǎng)的作用下被加速，達(dá)到漏極附近時(shí)發(fā)生碰撞，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)，部分電子在縱向電場(chǎng)的作用下，穿過隧穿氧化層進(jìn)入電荷存儲(chǔ)層中，從而增加半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件電荷存儲(chǔ)層中的電子，提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓。傳統(tǒng)的對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行復(fù)位的操作流程圖如圖4所示，在復(fù)位操作開始后，首先對(duì)所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行如圖2所示的擦除操作，使得所有存儲(chǔ)器件的閾值電壓都低于指定電壓，如步驟SlOl所示；然后開始判斷單個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件閾值電壓是否處于指定范圍內(nèi)，如步驟S102所示；若步驟S102判斷結(jié)果為否，則再判斷對(duì)此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟編程次數(shù)是否小于指定次數(shù)要求，指定次數(shù)是指一輪軟編程操作中對(duì)單個(gè)器件軟編程所允許的最多次數(shù)，如步驟S103所示；若步驟S103判斷結(jié)果為是，則對(duì)此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行如圖3所示的軟編程操作，如步驟S104所示；然后回到步驟S102，再次判斷此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件閾值電壓是否處于指定范圍；若步驟S103判斷結(jié)果為否，則進(jìn)入步驟S105，標(biāo)記此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，以做后繼處理；然后進(jìn)入步驟S106，地址加一；隨后進(jìn)入步驟S107， 判斷復(fù)位地址是否溢出；若步驟S107的判斷結(jié)果為地址溢出，表示完成對(duì)所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位操作，則退出整個(gè)復(fù)位操作，若地址未溢出，則回到步驟S102，開始對(duì)下一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位操作；若步驟S102的判斷結(jié)果為是，表示此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓處于指定電壓范圍內(nèi)，則直接進(jìn)入步驟S106 ；
以上復(fù)位方法在速度和精度上存在矛盾。若要使得復(fù)位后所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓分布在一個(gè)較窄的范圍內(nèi)，則軟編程時(shí)所施加的脈沖幅度應(yīng)較低，使得每次軟編程后，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓增加量較小，但這樣將顯著增加單個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件復(fù)位時(shí)的軟編程次數(shù)，從而大大增加半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件復(fù)位時(shí)間；若要加快半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件復(fù)位速度， 減少?gòu)?fù)位時(shí)間，則軟編程時(shí)需要施加較大幅度的脈沖，使得每次軟編程后，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓增加量較大，但由此將導(dǎo)致復(fù)位后半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件閾值電壓分布范圍較大

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，特別提出一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位方法，以提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件復(fù)位速度和復(fù)位精度。本發(fā)明詳細(xì)技術(shù)方案如下
一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位方法，所述方法包括
步驟A、對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行擦除操作，將所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓降低至預(yù)設(shè)電壓Vref以下；
步驟B、執(zhí)行第一輪軟編程操作，將所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓調(diào)整至 (Vref-0. 5, Vref)范圍內(nèi)；
步驟C、執(zhí)行第二輪軟編程操作，將所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓調(diào)整至 (Vref-0. 5，Vref+0. 05)范圍內(nèi)。其中，所述步驟A之前，還包括對(duì)所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中所有單元進(jìn)行預(yù)編程操作。其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件為堆棧柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。較佳地，所述步驟B具體包括如下步驟
步驟BI、判斷所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓是否處于(Vref-0. 5,Vref)范圍內(nèi)；是， 則執(zhí)行步驟B4 ;否，則執(zhí)行步驟B2 ；
步驟B2、判斷所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟編程次數(shù)是否小于預(yù)設(shè)次數(shù)；是，則執(zhí)行步驟 B3 ;否，則執(zhí)行步驟B6 ；
步驟B3、執(zhí)行軟編程操作，將所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓調(diào)整至(Vref-0. 5， Vref)范圍內(nèi)，之后執(zhí)行步驟BI ；
步驟B4、復(fù)位地址加I，之后執(zhí)行步驟B5;
步驟B5、判斷復(fù)位地址是否溢出；是，則執(zhí)行步驟C ;否，則對(duì)下一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件執(zhí)行步驟BI ；
步驟B6、標(biāo)記所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，之后執(zhí)行步驟B4。其中，在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的控制柵極施加相對(duì)于襯底電勢(shì)為正，幅度為Vl的電壓脈沖，在其漏極施加另一相對(duì)于襯底電勢(shì)為正，幅度為V2的電壓脈沖，在其源極施加與襯底相同的電勢(shì)，其中Vl大于V2。較佳地，所述Vl等于6v，所述V2等于3v。較佳地，所述步驟C具體包括如下步驟
步驟Cl、判斷所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓是否處于(Vref-0. 5，Vref+0. 05)范圍內(nèi)；是，則執(zhí)行步驟C4 ;否，則執(zhí)行步驟C2 ；
步驟C2、判斷所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟編程次數(shù)是否小于預(yù)設(shè)次數(shù)；是，則執(zhí)行步驟 C3 ;否，則執(zhí)行步驟C6 ；步驟C3、執(zhí)行軟編程操作，將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓調(diào)整至(Vref-0. 5， Vref+0. 05)范圍內(nèi)，之后執(zhí)行步驟Cl ；
步驟C4、復(fù)位地址加I，之后執(zhí)行步驟C5;
步驟C5、判斷復(fù)位地址是否溢出；是，則復(fù)位結(jié)束；否，則執(zhí)行步驟Cl ；
步驟C6、標(biāo)記所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，之后執(zhí)行步驟B4。其中，所述步驟C3具體為在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的控制柵極施加相對(duì)于襯底電勢(shì)為正，幅度為V3的電壓脈沖，在其漏極施加另一相對(duì)于襯底電勢(shì)為正，幅度為V2的電壓脈沖，在其源極施加與襯底相同的電勢(shì)，其中V3大于V2。較佳地所述V3等于5v，所述V2等于3v0從上述技術(shù)方案可以看出，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下有益效果
本發(fā)明對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的第一輪軟編程所施加的電壓脈沖幅度較大，從而可以使得
所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓在較短的時(shí)間內(nèi)被軟編程到低于指定電壓的一個(gè)范圍內(nèi)， 但此范圍較大。由此再對(duì)所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行第二輪軟編程操作，對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的第二輪軟編程操作所施加的電壓脈沖幅度較低，從而使得第二輪軟編程操作后所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓將分布在指定電壓附近的一個(gè)較小的范圍內(nèi)。由此可見，通過此復(fù)位方法，有效地解決了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件復(fù)位速度和復(fù)位精度之間的矛盾，一方面提高了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位速度，另一方面使得復(fù)位后的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件閾值電壓分布范圍大大減小。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件結(jié)構(gòu)示意圖2為現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件擦除操作示意圖3為現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件軟編程操作示意圖4為現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位方法流程圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位方法流程圖6為實(shí)施本發(fā)明實(shí)施提供的復(fù)位方法后半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件閾值電壓分布效果示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、具體方案和優(yōu)點(diǎn)更加清晰，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的主要思想為在對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位方法中，對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的第一輪軟編程所施加的電壓脈沖幅度較大，從而可以使得所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓在較短的時(shí)間內(nèi)被軟編程到低于指定電壓的一個(gè)范圍內(nèi)，但此范圍較大。由此再對(duì)所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行第二輪軟編程操作，對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的第二輪軟編程操作所施加的電壓脈沖幅度較低，從而使得第二輪軟編程操作后所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓將分布在指定電壓附近的一個(gè)較小的范圍內(nèi)。由此可見，通過此復(fù)位方法，有效地解決了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件復(fù)位速度和復(fù)位精度之間的矛盾，一方面提高了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位速度，另一方面使得復(fù)位后的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件閾值電壓分布范圍大大減小。參照?qǐng)D5和圖6，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位方法，包括如下步驟
步驟sior、對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行擦除操作，將存儲(chǔ)器的閾值電壓降低至預(yù)設(shè)電壓 Vref以下。首先對(duì)存儲(chǔ)器內(nèi)所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行一次性擦除操作，使得所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓都被擦除到低于預(yù)設(shè)電壓Vref的范圍內(nèi)，如步驟SlOl '所示。擦除操作后所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓分布如圖6中L區(qū)所示。首先，執(zhí)行第一輪軟編程操作，將所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓調(diào)整至 (Vref-0. 5, Vref)范圍內(nèi);
具體的，首先對(duì)所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行閾值電壓判定，判斷其閾值電壓是否處于如圖6中LI所示的區(qū)域范圍內(nèi)，S卩(Vref-0. 5，Vref)范圍內(nèi)，如步驟S103 '所示。若判定結(jié)果為否，則再判定對(duì)所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟編程操作次數(shù)是否小于預(yù)設(shè)的軟編程次數(shù)， 如步驟S104'所示。其中，需要說明的是，預(yù)設(shè)次數(shù)是指一輪軟編程操作中對(duì)單個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件軟編程所允許的最多次數(shù)，該預(yù)設(shè)次數(shù)一般由該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的硬件品質(zhì)等原因決定，不同質(zhì)量器件的預(yù)設(shè)次數(shù)不同，其屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的常識(shí)，例如為5000 次或30000次等等。每一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件都是通過多次軟編程操作，使其閾值電壓符合要求，如果對(duì)單個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟編程次數(shù)超過了預(yù)設(shè)次數(shù)，就代表此單元已經(jīng)損壞， 不可能被軟編程到指定的范圍內(nèi)。若軟編程次數(shù)小于預(yù)設(shè)次數(shù)，則對(duì)其執(zhí)行軟編程操作1，如步驟S105丨所示，隨后進(jìn)入步驟S103丨，再次判斷此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓是否處于圖6中LI所示范圍。若步驟S103丨的判定結(jié)果為是，則表示已完成對(duì)此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的第一輪軟編程操作，直接進(jìn)入步驟S107 ’，復(fù)位地址加I。然后再判斷地址是否溢出，如步驟S108 ’ 所示，若地址未溢出，則代表已完成對(duì)所有存儲(chǔ)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的第一輪軟編程操作，若地址未溢出，則回到步驟S103 '。若步驟S104'的判定結(jié)果為否，則代表此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件已不能被正常復(fù)位，標(biāo)記此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，以做后繼處理，然后進(jìn)入步驟S107 ’，復(fù)位地址加1，跳過此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。在第一輪軟編程操作中，對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件所施加的軟編程電壓脈沖幅度較大， 以使得擦除后的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件閾值電壓能夠以更少的軟編程次數(shù)、更短的軟編程時(shí)間被軟編程到(Vref-0. 5，Vref)范圍內(nèi)。優(yōu)選的，所述步驟S105 '具體為在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的控制柵極施加相對(duì)于襯底電勢(shì)為正，幅度為6v的電壓脈沖,在其漏極施加另一相對(duì)于襯底電勢(shì)為正，幅度為3v的電壓脈沖，在其源極施加與襯底相同的電勢(shì)。第一輪軟編程后，所有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓分布范圍如圖6中LI區(qū)域所
/Jn o然后，執(zhí)行第二輪軟編程操作，將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓調(diào)整至(Vref-0. 05， Vref+0. 05)范圍內(nèi)。具體的，首先對(duì)所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行閾值電壓判定，判斷其閾值電壓是否處于如圖6中L2所示的區(qū)域范圍內(nèi)，S卩(Vref-0. 05，Vref+0. 05)，如步驟SllO '所示。若判定結(jié)果為否，則再判定對(duì)所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟編程操作次數(shù)是否小于預(yù)設(shè)的軟編程次數(shù)，如步驟Slll ’所示。若軟編程次數(shù)小于預(yù)設(shè)次數(shù)，則對(duì)其執(zhí)行軟編程操作2，如步驟S112 ’所示，隨后進(jìn)入步驟SllO ’，再次判斷此半 導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓是否處于圖6中L2所示范圍。若步驟SllO丨的判定結(jié)果為是，則表示已完成對(duì)此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的第二輪軟編程操作，直接進(jìn)入步驟S114 ’，復(fù)位地址加I。然后再判斷地址是否溢出，如步驟S115 ’ 所示，若地址未溢出，則代表已完成對(duì)所有存儲(chǔ)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的第二輪軟編程操作，若地址未溢出，則回到步驟S115 '。若步驟Slll'的判定結(jié)果為否，則代表此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件已不能被正常復(fù)位，標(biāo)記此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，如步驟S113’所示，以做后繼處理，然后進(jìn)入步驟S114'，復(fù)位地址加1，跳過此半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。在第二輪軟編程操作中，對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件所施加的軟編程電壓脈沖幅度較大， 以使得擦除后的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件閾值電壓能夠以更少的軟編程次數(shù)、更短的軟編程時(shí)間被軟編程到(Vref-0. 05，Vref+0. 05)范圍內(nèi)，如圖6中L2區(qū)域所示。由此需要第二輪軟編程操作中，單次軟編程操作時(shí)所施加的電壓脈沖幅度較第一輪軟編程中小，使得單次軟編程操作后，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓增加量較小。優(yōu)選的，所述步驟S112丨具體為在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的控制柵極施加相對(duì)于襯底電勢(shì)為正，幅度為5v的電壓脈沖，在其漏極施加另一相對(duì)于襯底電勢(shì)為正，幅度為3v的電壓脈沖，在其源極施加與襯底相同的電勢(shì)。較佳的，在上述步驟S101’之前，還可以對(duì)所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中所有單元進(jìn)行預(yù)編程操作，以使得隨后在進(jìn)行全芯片擦除操作后，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓分布范圍較窄，以便在各次軟編程操作中達(dá)到更好的效果。所述預(yù)編程操作為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)手段，在此不再贅述。由以上所述可知，本發(fā)明實(shí)施例通過在第一輪軟編程操作中對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件施加較大的軟編程操作電壓脈沖來減少軟編程的次數(shù)，加快軟編程操作的速度；通過在第二輪軟編程操作中對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件施加較小的軟編程電壓脈沖來減小半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件閾值電壓分布范圍，提高了整個(gè)復(fù)位操作的精度。同時(shí)，整個(gè)復(fù)位操作方法具有速度快，精度聞等優(yōu)點(diǎn)。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位方法，其特征在于，所述方法包括 步驟A、對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行擦除操作，將所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓降低至預(yù)設(shè)電壓Vref以下； 步驟B、執(zhí)行第一輪軟編程操作，將所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓調(diào)整至(Vref-O. 5, Vref)范圍內(nèi)； 步驟C、執(zhí)行第二輪軟編程操作，將所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓調(diào)整至(Vref-0. 5，Vref+0. 05)范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述步驟A之前，還包括對(duì)所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中所有單元進(jìn)行預(yù)編程操作。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件為堆棧柵非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一所述的方法，其特征在于，所述步驟B具體包括如下步驟 步驟BI、判斷所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓是否處于(Vref-0. 5, Vref)范圍內(nèi)；是，則執(zhí)行步驟B4 ;否，則執(zhí)行步驟B2 ； 步驟B2、判斷所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟編程次數(shù)是否小于預(yù)設(shè)次數(shù)；是，則執(zhí)行步驟B3 ;否，則執(zhí)行步驟B6 ； 步驟B3、執(zhí)行軟編程操作，將所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓調(diào)整至(Vref-0. 5，Vref)范圍內(nèi)，之后執(zhí)行步驟BI ； 步驟B4、復(fù)位地址加I，之后執(zhí)行步驟B5; 步驟B5、判斷復(fù)位地址是否溢出；是，則執(zhí)行步驟C ;否，則對(duì)下一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件執(zhí)行步驟BI ； 步驟B6、標(biāo)記所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，之后執(zhí)行步驟B4。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟B3具體為在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的控制柵極施加相對(duì)于襯底電勢(shì)為正，幅度為Vl的電壓脈沖,在其漏極施加另一相對(duì)于襯底電勢(shì)為正，幅度為V2的電壓脈沖,在其源極施加與襯底相同的電勢(shì)，其中Vl大于V2。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述Vl等于6v，所述V2等于3v。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一所述的方法，其特征在于，所述步驟C具體包括如下步驟 步驟Cl、判斷所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓是否處于(Vref-0. 5，Vref+0. 05)范圍內(nèi)；是，則執(zhí)行步驟C4 ;否，則執(zhí)行步驟C2 ； 步驟C2、判斷所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟編程次數(shù)是否小于預(yù)設(shè)次數(shù)；是，則執(zhí)行步驟C3 ;否，則執(zhí)行步驟C6 ； 步驟C3、執(zhí)行軟編程操作，將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓調(diào)整至(Vref-0. 5，Vref+0. 05)范圍內(nèi)，之后執(zhí)行步驟Cl ； 步驟C4、復(fù)位地址加I，之后執(zhí)行步驟C5; 步驟C5、判斷復(fù)位地址是否溢出；是，則復(fù)位結(jié)束；否，則執(zhí)行步驟Cl ； 步驟C6、標(biāo)記所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，之后執(zhí)行步驟B4。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述步驟C3具體為在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的控制柵極施加相對(duì)于襯底電勢(shì)為正，幅度為V3的電壓脈沖，在其漏極施加另一相對(duì)于襯底電勢(shì)為正，幅度為V2的電壓脈沖,在其源極施加與襯底相同的電勢(shì),其中V3大于V2。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述V3等于5v，所述V2等于3v。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位方法，屬于存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件進(jìn)行擦除操作，將所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓降低至預(yù)設(shè)電壓Vref以下；執(zhí)行第一輪軟編程操作，將所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓調(diào)整至(Vref-0.5，Vref)范圍內(nèi)；執(zhí)行第二輪軟編程操作，將所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的閾值電壓調(diào)整至(Vref-0.5，Vref+0.05)范圍內(nèi)。通過本發(fā)明的復(fù)位方法，有效地解決了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件復(fù)位速度和復(fù)位精度之間的矛盾，一方面提高了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的復(fù)位速度，另一方面使得復(fù)位后的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件閾值電壓分布范圍大大減小。
文檔編號(hào)G11C16/20GK102623059SQ20111002810
公開日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2011年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月26日
發(fā)明者丁川, 冀永輝, 劉明, 王鳳虎 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所