專利名稱：磁盤存儲(chǔ)裝置及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁盤存儲(chǔ)裝置，典型的為磁盤裝置，更具體地說，涉及一種排除由 于受振動(dòng)影響的錯(cuò)誤寫入的技術(shù)，該振動(dòng)由配置磁盤存儲(chǔ)裝置的部件的熱變形所引起。
背景技術(shù)：
在由每個(gè)具有不同熱膨脹系數(shù)的多個(gè)部件配置的磁盤裝置中，這些部件之間的熱 膨脹系數(shù)的差異對(duì)部件的連接部分引起應(yīng)力，也就是熱變形。如果由該熱變形引起的應(yīng)力 被集中在特定的部分，那么這將導(dǎo)致稱作“顫振”或“粘-滑”的振動(dòng)。眾所周知隨著快速 溫度變化超過固定溫度梯度，容易發(fā)生源于熱變形的粘-滑。這里該溫度梯度意思是每 單位時(shí)間的溫度變化量。因?yàn)樽罱愿呙芏葔嚎s用于記錄的磁盤裝置，因此即使輕微的 粘-滑，記錄磁頭也易于振動(dòng)，且因此產(chǎn)生偏離-磁道寫入。因此有引起任意相鄰磁道中記 錄的數(shù)據(jù)的毀壞的問題。為了減小源于組成部件當(dāng)中的熱膨脹系數(shù)差異引起的熱變形的目的，例如，專利 文獻(xiàn)1描述了通過減小由用于磁盤裝置的鎂合金制成的支撐架的熱膨脹系數(shù)，以及通過減 小由用于組合使用的其他材料的熱膨脹系數(shù)差異引起的熱應(yīng)力和熱變形，提供一種可靠性 高的支撐架的技術(shù)。專利文獻(xiàn)1中描述的技術(shù)實(shí)際上提供減小熱變形的效果。但是，隨著高度-壓縮 用于記錄的磁盤裝置，存在即使輕微的粘-滑，也引起記錄數(shù)據(jù)毀壞的可能性，以及具有完 全防止由于熱變形而發(fā)生的粘-滑的困難，因?yàn)樵摯疟P裝置由多個(gè)部件構(gòu)成。因此仍然留 下由于粘-滑導(dǎo)致記錄數(shù)據(jù)毀壞的可能性。另一方面，關(guān)于用于磁盤裝置的典型即磁盤存儲(chǔ)裝置的技術(shù)，迄今為止已經(jīng)提交 了很多項(xiàng)專利申請(qǐng)，旨在保護(hù)記錄數(shù)據(jù)和增加裝置可靠性，而與溫度環(huán)境無關(guān)。例如，專利 文獻(xiàn)2描述了這樣的技術(shù)設(shè)置有溫度傳感器，其用于檢測(cè)磁盤裝置內(nèi)的溫度，并根據(jù)該溫 度是否在用于磁盤裝置的操作保證溫度范圍內(nèi)來改變寫處理的方法。更詳細(xì)地，當(dāng)磁盤裝 置的溫度不屬于操作保證溫度的范圍內(nèi)時(shí)，在對(duì)磁盤進(jìn)行寫入之后進(jìn)行驗(yàn)證，以查看該寫 入是否用正常方法進(jìn)行。當(dāng)通過這種驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)任意誤差時(shí)，再次重試該寫入，以及該重試被 進(jìn)行預(yù)定次數(shù)之后，該寫入處理被禁止。專利文獻(xiàn)3描述了，為了防止訪問時(shí)間被延長(zhǎng)，檢測(cè)磁盤裝置的周圍環(huán)境中的溫 度(下面，被稱為環(huán)境溫度)，以及當(dāng)該溫度等于或高于固定值時(shí)，停止長(zhǎng)時(shí)間的尋找操作， 減小用于信號(hào)處理IC的傳送率，以及當(dāng)該溫度等于或高于固定值時(shí)，禁止該寫操作。專利 文獻(xiàn)3還描述了基于關(guān)于該溫度變化的過去記錄預(yù)測(cè)在片刻之后達(dá)到的溫度，以及基于 此，在近距離范圍內(nèi)對(duì)風(fēng)扇和加熱器進(jìn)行控制，以及執(zhí)行對(duì)于磁盤裝置的控制。更詳細(xì)地， 當(dāng)溫度被預(yù)測(cè)較高時(shí)，對(duì)磁盤裝置和風(fēng)扇進(jìn)行控制，以及當(dāng)該溫度被預(yù)測(cè)較低時(shí)，對(duì)加熱器進(jìn)行控制。注意利用高溫預(yù)測(cè)在磁盤裝置上進(jìn)行控制應(yīng)用的特定細(xì)節(jié)類似于利用高溫檢測(cè) 的控制應(yīng)用，例如，寫禁止、長(zhǎng)期-尋找操作的禁止和其他。但是，利用每個(gè)由具有不同熱膨脹系數(shù)的多個(gè)部件配置的磁盤存儲(chǔ)裝置，即使當(dāng) 該溫度在用于該裝置的操作保證溫度的范圍內(nèi)時(shí)，如果溫度迅速地變化，即，大于固定溫度 梯度，那么發(fā)生粘-滑。專利文獻(xiàn)2和3中描述的技術(shù)都是檢測(cè)用于磁盤裝置的操作的補(bǔ)償 溫度的技術(shù)，并不考慮由熱變形引起的粘-滑。因此，在其中沒有描述用于防止由于粘-滑 引起的偏離-磁道寫入的方法。因而，利用用于檢測(cè)磁盤裝置的操作保證溫度的專利文獻(xiàn)2和3所描述的先前技 術(shù)，不可能有效地防止由粘-滑引起的偏離-磁道寫入的產(chǎn)生。[專利文獻(xiàn) 1] JP-A-6-325508
[專利文獻(xiàn) 2] JP-A-2003-297025[專利文獻(xiàn) 3]JP-A-10_199120

發(fā)明內(nèi)容
[本發(fā)明解決的問題]如上文所述，利用由多個(gè)每個(gè)具有不同熱膨脹系數(shù)的部件配置的磁盤存儲(chǔ)裝置， 即使當(dāng)該溫度在用于該裝置的操作保證溫度范圍內(nèi)時(shí)，如果溫度迅速地變化，即，大于固定 溫度梯度，那么由于熱變形會(huì)發(fā)生粘-滑，由此通過偏離-磁道寫入，容易導(dǎo)致記錄數(shù)據(jù)的 毀壞?？紤]到上述問題提出了本發(fā)明，以及其目的是提供一種磁盤存儲(chǔ)裝置及用于該磁 盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，其能夠防止由熱變形所導(dǎo)致的粘-滑引起的偏離-磁道寫入。[用于解決該問題的方法]本發(fā)明的磁盤存儲(chǔ)裝置是一種磁盤裝置，包括記錄磁盤；用于對(duì)記錄磁盤進(jìn)行 寫入的磁頭；以及檢測(cè)該裝置內(nèi)部的溫度的溫度傳感器。該裝置的特征在于，基于由溫度傳 感器檢測(cè)的測(cè)量溫度和使用該測(cè)量溫度計(jì)算的溫度變化量，改變判定條件，該判定條件用 來判定是否禁止磁頭對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫入。由該測(cè)量溫度和溫度變化量，可以判定由熱變形引起粘-滑的可能性。因此，利用 上述結(jié)構(gòu)，當(dāng)測(cè)量溫度和溫度變化量顯示環(huán)境由熱變形容易引起粘-滑時(shí)，可以改變用于 寫入的禁止條件。例如，當(dāng)熱變形容易引起粘-滑時(shí)，關(guān)于寫禁止的判定條件可以被如此 改變，當(dāng)與磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量量沒有變化那么多時(shí)，禁止該寫入。這樣，在 粘-滑的最初發(fā)生階段，即使測(cè)量量很輕微地變化，記錄磁盤也可以被禁止寫入，以便可以 防止由于粘-滑而產(chǎn)生的偏離-磁道寫入。上面的磁盤存儲(chǔ)裝置也可以被配置為，由該測(cè)量溫度和溫度變化量，計(jì)算預(yù)期在 將來將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)該測(cè)量溫度高于第一基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)該估計(jì)溫度高于 第二基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變?cè)撆卸l件，該第二基準(zhǔn)溫度高于第一基準(zhǔn)溫度。當(dāng)溫度在其中溫度 等于或高于預(yù)定溫度的高溫區(qū)中迅速地增加時(shí)，常常發(fā)生粘-滑。利用以上結(jié)構(gòu)，通過該測(cè) 量溫度和第一基準(zhǔn)溫度之間的比較，判定溫度區(qū)是否可能引起粘-滑，以及通過該估計(jì)溫 度和第二基準(zhǔn)溫度之間的比較，估計(jì)其中的溫度增加，如果有的話，是否是快速的。以此方 式，可以肯定地判定該區(qū)域是由于熱變形容易引起粘-滑的高溫區(qū)，以及可以為寫入改變?cè)摻箺l件。這有效地防止偏離-磁道發(fā)生。上面的磁盤存儲(chǔ)裝置也可以被配置為，由該測(cè)量溫度和溫度梯度計(jì)算預(yù)期在將來 將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)該測(cè)量溫度低于第三基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)該估計(jì)溫度低于第四 基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變?cè)撆卸l件，該第四基準(zhǔn)溫度低于第三基準(zhǔn)溫度。對(duì)于溫度下降的情況， 當(dāng)溫度在其中溫度等于或低于預(yù)定溫度的低溫區(qū)中迅速地減小時(shí)，粘-滑常常發(fā)生。利用 以上結(jié)構(gòu)，通過該測(cè)量溫度和第三基準(zhǔn)溫度之間的比較，該溫度區(qū)被判定它是否可能引起 粘-滑，以及通過該估計(jì)溫度和第四基準(zhǔn)溫度之間的比較，估計(jì)其中的溫度下降，如果有的 話，是否是快速的。以此方式，可以肯定地判定該區(qū)域是容易由于熱變形引起粘-滑的低溫 區(qū)，以及可以為寫入改變?cè)摻箺l件。這有效地防止偏離-磁道發(fā)生。在上面的磁盤存儲(chǔ)裝置中，通過在閾值和與磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量量 之間進(jìn)行比較，判定是否禁止對(duì)磁盤進(jìn)行寫入，以及通過改變?cè)撻撝蹈淖冊(cè)撆卸l件。而且，上面的磁盤存儲(chǔ)裝置也可以被配置為包括支撐磁頭的支撐架；檢測(cè)機(jī)械 沖擊的沖擊傳感器；用沖擊傳感器的輸出反映的驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)，并將支撐架置 于搖動(dòng)的音圈電機(jī)；以及檢測(cè)該驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流的檢測(cè)部分。在該裝置中，根據(jù)由檢 測(cè)部分檢測(cè)到的電壓是否超過閾值，判定是否禁止對(duì)磁盤進(jìn)行寫入，以及通過改變用于與 該電壓比較的閾值，改變?cè)撆卸l件。音圈電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流常常經(jīng)受粘-滑振 動(dòng)，比磁頭更快，以由于粘-滑來改變位置。因此，監(jiān)視音圈電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電壓的任何變化， 以及當(dāng)判定粘-滑可能發(fā)生時(shí)，對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓觀察到的輕微變化被用作提示，以停止寫入，以 便與檢測(cè)位置誤差信號(hào)或表示磁頭位置變化的其它信號(hào)的情況相比，可以更早地檢測(cè)到 粘-滑。因此這能夠可靠地防止產(chǎn)生偏離-磁道寫入。本發(fā)明的另一實(shí)施例的磁盤存儲(chǔ)裝置是一種磁盤存儲(chǔ)裝置，包括記錄磁盤；用 于對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫入的磁頭；檢測(cè)該裝置內(nèi)的溫度的溫度傳感器；判定處理部分，其用 于檢測(cè)與磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量量的波動(dòng)，以及判定是否禁止磁頭對(duì)記錄磁盤 進(jìn)行寫入；以及改變應(yīng)用于判定處理部分的判定條件的條件變化處理部分。在該裝置中，基 于由溫度傳感器檢測(cè)到的測(cè)量溫度和使用該測(cè)量溫度計(jì)算的溫度變化量，該條件變化處理 部分判定該裝置是否處于可能由熱變形引起振動(dòng)的溫度區(qū)中，以及當(dāng)判定該裝置處于由熱 變形高度可能地引起振動(dòng)的溫度區(qū)時(shí)，改變?cè)撆卸l件。利用這種結(jié)構(gòu)，可以判定由于熱變形而引起粘-滑的可能性，以及基于該判定結(jié) 果，可以改變寫禁止條件。例如，如果判定由于熱變形可能發(fā)生粘-滑，那么當(dāng)測(cè)量量沒有 變化那么多時(shí)，由判定處理部分使用的判定條件可以改變以禁止該寫入。這樣，在粘-滑 的最初發(fā)生階段，即使測(cè)量量略微地變化，記錄磁盤也可以被禁止寫入，以便可以防止由于 粘-滑而產(chǎn)生偏離-磁道寫入。如果它判定由于熱變形不大可能發(fā)生粘-滑，那么用于寫 禁止的判定條件可以被設(shè)為較不嚴(yán)格，由此能夠停止粘-滑振動(dòng)或其它振動(dòng)的錯(cuò)誤檢測(cè)。優(yōu)選，該判定處理部分檢測(cè)在兩個(gè)或更多的測(cè)量中觀察到的任意波動(dòng)，以及基于 該檢測(cè)結(jié)果，判定是否禁止磁頭對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫入?；趦蓚€(gè)或更多測(cè)量量中觀察到的 任意波動(dòng)進(jìn)行這種判定，當(dāng)一個(gè)測(cè)量量不能檢測(cè)到任意波動(dòng)時(shí)，測(cè)量的剩余量仍然可以進(jìn) 行波動(dòng)檢測(cè)，以便可以判定是否禁止寫入。因而，可以用較好的精確度進(jìn)行判定。該磁盤存儲(chǔ)裝置還可以設(shè)有能檢測(cè)由熱變形引起的振動(dòng)的沖擊傳感器。在該裝置 中，當(dāng)通過沖擊傳感器檢測(cè)到振動(dòng)時(shí)，該溫度傳感器的測(cè)量溫度被存儲(chǔ)，以及該存儲(chǔ)的測(cè)量溫度被用作基礎(chǔ)，以改變用來判定該裝置是否處于可能由熱變形引起振動(dòng)的溫度區(qū)的邊界 溫度條件。利用這種結(jié)構(gòu)，可以優(yōu)化判定，以查看該裝置是否處于可能由熱變形引起振動(dòng)的 溫度區(qū)?！N用于本發(fā)明的磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法涉及一種用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制 方法，該磁盤存儲(chǔ)裝置包括記錄磁盤；用于對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫入的磁頭；以及檢測(cè)該裝置 內(nèi)部的溫度的溫度傳感器。在該裝置中，由使用通過溫度傳感器檢測(cè)到的測(cè)量溫度的過去 溫度記錄計(jì)算溫度變化量，以及基于該測(cè)量溫度和溫度變化量，改變用來判定是否禁止磁 頭對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫入的判定條件。如上文所述，由該測(cè)量溫度和溫度變化量，可以判定由熱變形引起的粘-滑的可 能性。因此，利用上述控制方法，當(dāng)測(cè)量溫度和溫度變化量表示環(huán)境由熱變形容易引起 粘-滑時(shí)，可以改變用于寫入的禁止條件。例如，當(dāng)熱變形容易引起粘-滑時(shí)，用于寫禁止 的判定條件可以被如此改變，使得當(dāng)與磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量量沒有改變那么 多時(shí)，禁止該寫入。這樣，在粘-滑的最初發(fā)生階段，即使測(cè)量量略微地變化，該記錄磁盤也 可以被禁止寫入，以便可以防止由于粘-滑而產(chǎn)生的偏離-磁道寫入。在選擇性的方法中，在該控制方法中，可以由測(cè)量溫度和溫度變化量計(jì)算預(yù)期在 將來將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)該測(cè)量溫度高于第一基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)估計(jì)溫度高于第 二基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變?cè)撆卸l件，該第二基準(zhǔn)溫度高于第一基準(zhǔn)溫度。以此方式，在其中由 于熱變形容易發(fā)生粘-滑的高溫區(qū)中，能夠改變寫禁止條件，以便偏離-磁道寫入的產(chǎn)生可 以被有效地阻止。在再一可選擇的方法中，在該控制方法中，可以由該測(cè)量溫度和溫度變化量計(jì)算 預(yù)期在將來將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)該測(cè)量溫度低于第三基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)估計(jì)溫度 低于第四基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變?cè)撆卸l件，該第四基準(zhǔn)溫度低于第三基準(zhǔn)溫度。以此方式，在 其中由于熱變形容易發(fā)生粘-滑的低溫區(qū)中，能夠改變寫禁止條件，以便偏離-磁道寫入的 產(chǎn)生可以被有效地阻止。在又一可選擇的方法中，在該控制方法中，當(dāng)該測(cè)量溫度高于基準(zhǔn)溫度時(shí)，當(dāng)溫度 變化量是正的，以及當(dāng)該溫度變化量的絕對(duì)值大于基準(zhǔn)量時(shí)，可以改變判定條件。以此方 式，在其中由于熱變形容易發(fā)生粘-滑的高溫區(qū)中，能夠改變寫禁止條件，以便偏離-磁道 寫入的產(chǎn)生可以被有效地阻止。在又一可選擇的方法中，在該控制方法中，當(dāng)該測(cè)量溫度低于基準(zhǔn)溫度時(shí)，當(dāng)溫度 變化量是負(fù)的，以及當(dāng)該溫度變化量的絕對(duì)值大于基準(zhǔn)量時(shí)，可以改變判定條件。以此方 式，在其中由于熱變形容易發(fā)生粘-滑的低溫區(qū)中，能夠改變寫禁止條件，以便偏離-磁道 寫入的產(chǎn)生可以被有效地阻止。[本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)]根據(jù)本發(fā)明，提供一種磁盤存儲(chǔ)裝置和用于該磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，該磁盤 存儲(chǔ)裝置能夠阻止由熱變形引起的粘-滑所導(dǎo)致的偏離-磁道寫入產(chǎn)生的。


圖1為示出本發(fā)明的磁盤裝置的結(jié)構(gòu)的視圖。圖2為示出在本發(fā)明中的改變寫禁止條件的過程的流程圖。
圖3為示出在本發(fā)明中的估計(jì)溫度計(jì)算的過程的流程圖。圖4為示出在本發(fā)明中的估計(jì)溫度計(jì)算結(jié)果的曲線圖。圖5為示出本發(fā)明中的估計(jì)溫度計(jì)算結(jié)果的曲線圖。圖6為示出在本發(fā)明中的計(jì)算該估計(jì)溫度的過程的流程圖。圖7為示出在寫禁止條件被改變時(shí)的示例性判定條件的視圖。圖8是用于說明改變寫禁止條件的過程的特定例子的曲線圖。圖9為示出本發(fā)明的磁盤裝置中的主要部件的結(jié)構(gòu)視圖。圖10是說明本發(fā)明的磁盤裝置的操作時(shí)序圖。圖11為示出本發(fā)明的磁盤裝置的主要布局的視圖。圖12為示出本發(fā)明的磁盤裝置的布局視圖。圖13為示出改變本發(fā)明的判定條件的過程的流程圖。
具體實(shí)施例方式在下面，通過參考附圖，詳細(xì)描述本發(fā)明應(yīng)用的特定實(shí)施例。在附圖中，任意相同 的元件提供有相同的參考數(shù)字，為了清楚地描述，如果適宜不再進(jìn)行任意相同的描述。這里 注意，在下面描述的實(shí)施例中，本發(fā)明被應(yīng)用于一種磁盤裝置。第一實(shí)施例。圖1示出了本實(shí)施例的磁盤裝置1的結(jié)構(gòu)。在圖1中，磁盤裝置1裝備有用作記 錄介質(zhì)的磁盤10，其用于數(shù)據(jù)的記錄。磁盤10是一種非易失性存儲(chǔ)器，通過磁層的磁化，可 用來記錄數(shù)據(jù)。磁盤10被固定到SPM 16的集線器上。SPM 16用預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)磁盤10。磁頭11包括根據(jù)到磁盤10的記錄數(shù)據(jù)將電信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)榇艌?chǎng)的記錄元件，以及將 來自磁盤10的磁場(chǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)的再現(xiàn)元件。磁頭11被保持在支撐架13的尖端部分。支撐架13被固定到音圈電機(jī)(VCM) 14。VCM 14是用于將磁頭11移動(dòng)到磁盤10 的任意磁道上的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)。當(dāng)VCM 14被置于搖動(dòng)時(shí)，磁頭11在磁盤10上移動(dòng)。電機(jī)控制 電路17根據(jù)來自微處理器(MPU) 18的控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)VCM 14和SPM 16。R/W控制電路12經(jīng)歷解調(diào)處理、串并行轉(zhuǎn)換處理或其它處理，以將數(shù)據(jù)寫到磁盤 10，并通過寫驅(qū)動(dòng)器(未示出)發(fā)送寫信號(hào)到磁頭11。R/W控制電路12對(duì)通過磁頭11從 磁盤10讀出的再現(xiàn)信號(hào)施加解調(diào)處理，并輸出該恢復(fù)的讀數(shù)據(jù)到MPU 18。MPU 18是在整個(gè)磁盤裝置1上進(jìn)行控制的處理器，以及負(fù)責(zé)磁頭11的定位控制， 允許寫數(shù)據(jù)到R/W控制電路12中/從R/W控制電路12讀取數(shù)據(jù)、誤差管理或類似。該實(shí) 施例的MPU 18通過A/D轉(zhuǎn)換器21接收溫度傳感器20的輸出，以及可以獲得磁盤裝置1內(nèi) 的溫度。而且，MPU 18使用獲得的溫度數(shù)據(jù)計(jì)算溫度梯度以及預(yù)期在將來將達(dá)到的磁盤裝 置1內(nèi)部的估計(jì)溫度，并對(duì)磁盤10施加改變寫禁止條件的處理。之后將描述這種處理的細(xì) 節(jié)。接口控制電路19利用外部提供到裝置的高端系統(tǒng)或利用任意其他磁盤裝置實(shí)現(xiàn) 對(duì)于接口的控制。通過I/F控制電路19經(jīng)由MPU 18接收來自磁盤裝置1外面的寫數(shù)據(jù)， 以及通過R/W控制電路12由磁頭11寫入磁盤10。磁盤10中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)被磁頭11讀取， 以及通過I/F控制電路19被輸出到外面。沖擊傳感器22是可以檢測(cè)施加到磁盤裝置1的機(jī)械沖擊的傳感器。沖擊傳感器22是例如通過檢測(cè)位移、速度或加速度來檢測(cè)沖擊的傳感器。沖擊傳感器22的輸出被輸入 到電機(jī)控制電路17，以及被反映到VCM 14的驅(qū)動(dòng)電壓。接下來描述通過MPU 18執(zhí)行以改變寫禁止條件的過程。圖2示出了改變寫禁止 條件的過程的流程圖。首先，在步驟Sll中，獲得溫度傳感器20的輸出值，以及該獲得的輸 出值，即，當(dāng)前溫度的值，用于計(jì)算估計(jì)溫度，該估計(jì)溫度是通過估計(jì)在將來將達(dá)到的溫度 而得出。這里，圖3示出了估計(jì)溫度計(jì)算過程的示例性流程。首先，在步驟S21中，獲得溫 度傳感器20的輸出值。在步驟S22中，使用在步驟S21中獲得的溫度傳感器的輸出值，即， 當(dāng)前溫度，以及在存儲(chǔ)部分如MPU 18中裝備的或外部地連接到MPU 18的RAM(未示出)中 存儲(chǔ)的過去溫度記錄，計(jì)算溫度梯度。更具體地說，例如，通過計(jì)算當(dāng)前溫度和過去溫度之 間的差值得出的結(jié)果是溫度梯度，其單位時(shí)間是溫度取得的時(shí)間周期。在步驟S23中，使用 當(dāng)前溫度和溫度梯度，計(jì)算該估計(jì)溫度。返回參考圖2，在步驟S12中，判定是否需要改變寫禁止條件。更詳細(xì)地，當(dāng)在步驟 Sll中計(jì)算的溫度梯度和估計(jì)溫度處于由熱變形引起的粘-滑可能高度地導(dǎo)致偏離-磁道 寫入的區(qū)域中，該寫禁止條件將變得更嚴(yán)格。另一方面，如果它們偏離很可能產(chǎn)生偏離-磁 道寫入的區(qū)域，那么該寫禁止條件被變?yōu)檩^不嚴(yán)格的通常條件。在步驟S13中，當(dāng)在步驟S12中判定改變寫禁止條件時(shí)，寫禁止條件由此被改變。 通過在建立的時(shí)間間隔中重復(fù)從步驟Sll至S13的過程，可以基于用于溫度的條件適應(yīng)地 改變?cè)搶懡箺l件。這里，寫禁止條件是是否允許或禁止對(duì)磁盤10進(jìn)行寫入的閾值條件。在本說明書 中，這種閾值條件被稱為寫禁止條件，但是有時(shí)也稱為寫允許條件。而且，該寫禁止條件是 嚴(yán)格的，意味著通過將用作轉(zhuǎn)變?yōu)閷懡範(fàn)顟B(tài)的基礎(chǔ)的閾值設(shè)置得更小，通過其轉(zhuǎn)變?yōu)閷?禁止的狀態(tài)的條件是容易得到的。被設(shè)置作為寫禁止條件的閾值條件可以在條件上進(jìn)行改 變。例如，該寫禁止條件可以是基于如下參數(shù)而設(shè)置的閾值例如觀察到的VCM 14的驅(qū)動(dòng) 電壓的波動(dòng)量、觀察到的VCM 14的電流的波動(dòng)量、表示磁盤10的磁道中心和磁頭11之間 的位移的位置誤差信號(hào)的大小、由磁盤裝置的內(nèi)部設(shè)置的沖擊傳感器揀測(cè)到的振動(dòng)振幅的 大小等等。這些可以被多個(gè)地結(jié)合用作寫禁止條件。簡(jiǎn)而言之，如果當(dāng)磁頭11通過粘-滑 振動(dòng)主要在距磁盤1的磁道中心的位置位移時(shí)，如果該寫操作在進(jìn)行中，那么這導(dǎo)致產(chǎn)生 偏離-磁道寫入。因此，以上描述的條件不是唯一可能的，以及寫禁止條件可以是相對(duì)于與 磁頭11的位置波動(dòng)直接或間接相關(guān)的測(cè)量數(shù)而設(shè)置的閾值條件。注意如下可以實(shí)現(xiàn)通過參考圖2和3描述的改變寫禁止條件的過程。亦即，在諸 如MPU 18的內(nèi)部裝備的或外部地連接到MPU 18的ROM或閃存存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)部分中存儲(chǔ)寫 有改變寫禁止條件的處理過程的固件程序。由MPU 18執(zhí)行該固件程序，以及由MPU 18與 溫度傳感器20、電機(jī)控制電路17、R/W控制電路12上進(jìn)行的控制合作執(zhí)行該計(jì)算處理。下面通過參考圖4至8描述前述的估計(jì)溫度計(jì)算處理的具體例子。在該例子中， 使用每五分鐘從溫度傳感器20獲得的當(dāng)前溫度Tn。w以及5分鐘中的溫度變化量ΔΤ，通過 下面所示的一元方程如公式(1)計(jì)算預(yù)計(jì)在將來將達(dá)到的估計(jì)溫度Testimate。而且，ΔΤ由 (2)表示。
_4] Testimate = Tnow+CX Δ T(1)
AT = Tnow-Tprevious(2)其中系數(shù)C是溫度變化量Δ T的權(quán)重系數(shù)，以及Tpraiws是當(dāng)前溫度Tn。w的取得時(shí) 間之前五分鐘由溫度傳感器20獲得的溫度。在該例子中，基于ΔΤ的值決定公式(1)的系數(shù)C，以便適用于表示磁盤裝置的實(shí) 際溫度變化的圖4和5中的Tn。w的曲線。更具體地說，當(dāng)ΔΤ的絕對(duì)值，S卩，I ΔΤ|是0.8以 上時(shí)，C將是2.0，以及當(dāng)I ΔΤ|小于0.8時(shí)，C將是1.0。當(dāng)C是2.0時(shí)，它表示將來的溫度 變化率，即，將來的溫度梯度被假定為是過去五分鐘的兩倍。當(dāng)C是1. 0時(shí)，它表示將來的 溫度梯度被假定為與過去五分鐘的溫度梯度相同。由圖4中的實(shí)線表示的Tn。w是，通過在低溫(5度)環(huán)境下布置磁盤裝置時(shí)繪制每 五分鐘取得的特定磁盤裝置的內(nèi)部溫度而取得的曲線。圖4中的虛線是通過使用上述公式 ⑴繪制每五分鐘計(jì)算的估計(jì)溫度Testimate而取得的曲線。如從圖4知道，根據(jù)公式(1)，在 低溫環(huán)境下布置磁盤裝置之后第一 20分鐘左右，特別地，該估計(jì)溫度被過高估計(jì)。這是因 為值2.0被選為上述公式(1)中的C的系數(shù)值。通過過高估計(jì)該估計(jì)溫度或?qū)淼臏囟忍?度，可以使寫禁止條件變得更嚴(yán)格。鑒于阻止偏離-磁道寫入，這被有效的考慮。當(dāng)Tn。w的 值收斂時(shí)，Δ T變得更接近零，以便Testimate類似于Tn。w收斂。另一方面，由圖5中的實(shí)線表示的Tn。w是，當(dāng)在高溫(55度)環(huán)境下布置磁盤裝置 時(shí)，通過繪制每五分鐘獲得的特定磁盤裝置內(nèi)部的溫度而得到的曲線。圖5中的虛線是通 過使用上述公式(1)繪制每五分鐘計(jì)算的估計(jì)溫度Testimate而得到的曲線。在此情況下，類 似于圖4，根據(jù)公式(1)，在高溫環(huán)境下布置磁盤裝置之后的第一個(gè)20分鐘左右，特別地，該 估計(jì)溫度被過高估計(jì)。接下來，在圖6的流程圖中示出了每五分鐘使用公式⑴計(jì)算該估計(jì)溫度Testimate 的示例性過程。圖6示出了圖3所示的估計(jì)溫度計(jì)算處理的特定例子。首先，在步驟S31 中，變量Tn。w表示存儲(chǔ)溫度傳感器20的輸出值的當(dāng)前溫度。在步驟S32中，使用存儲(chǔ)溫度 傳感器的5-分鐘-老輸出值的變量Tpreviws，以及表示當(dāng)前溫度的變量Tn。w，計(jì)算溫度變化量 ΔΤ。在步驟S33至S35中，基于為ΔΤ計(jì)算的絕對(duì)值大小確定系數(shù)C。如上文所述，在該 例子中，當(dāng)絕對(duì)值I ΔΤ|是0.8以上時(shí)，C將是2.0，以及當(dāng)I ΔΤ|小于0.8時(shí)，C將是1.0。 在步驟S36中，使用前述的公式(1)，計(jì)算估計(jì)溫度Testimate。在步驟S37中，為了計(jì)算下一個(gè) 預(yù)定時(shí)間(5分鐘)過去之后的估計(jì)溫度，變量Tn。w的值被存儲(chǔ)到變量Tpmiws，表示過去(5 分鐘之前)的溫度。接下來通過參考圖7和8，描述基于由上述特定的估計(jì)溫度計(jì)算處理計(jì)算的估計(jì) 溫度、溫度梯度以及當(dāng)前溫度改變寫禁止條件的具體例子。圖7是限定寫禁止條件與當(dāng)前溫度Tn。w、估計(jì)溫度Testimate以及溫度變化量(溫度 梯度)ΔΤ的關(guān)系的圖表，所有數(shù)值是在圖6的流程圖中的處理之后得到。在該例子中，當(dāng) 系數(shù)C是2. 0時(shí)，S卩，當(dāng)過去5分鐘中的溫度變化是0. 8度以上，當(dāng)Δ T是負(fù)的，當(dāng)當(dāng)前溫度 是32度或以下，以及當(dāng)估計(jì)溫度Testimate是觀度或以下時(shí)，寫禁止條件變得更嚴(yán)格。當(dāng)系 數(shù)C是2. 0時(shí)，即，當(dāng)過去5分鐘中的溫度變化是0. 8度以上，當(dāng)Δ T是正的，當(dāng)當(dāng)前溫度是 40度或以上，以及當(dāng)估計(jì)溫度Testimate是50度或以上時(shí)，寫禁止條件也變得更嚴(yán)格。在圖7 的表中，兩個(gè)陰影區(qū)是使寫禁止條件更嚴(yán)格的區(qū)域。圖7中的非-陰影區(qū)是相對(duì)于具有正 常設(shè)置的寫禁止條件的磁盤裝置進(jìn)行寫操作的區(qū)域。
基本上，在其中溫度增加到預(yù)定溫度或以上的高溫部分中，以及在其中溫度減少 到預(yù)定溫度或以下的低溫部分中，由于熱變形容易發(fā)生粘-滑。因此，當(dāng)在這種環(huán)境下布置 該裝置時(shí)，可以使用于應(yīng)用的寫禁止條件更嚴(yán)格。因此，在該例子中，如上文所述，當(dāng)該當(dāng)前 溫度高于第一基準(zhǔn)溫度(例如，40度)時(shí)，以及當(dāng)使用溫度梯度計(jì)算的估計(jì)溫度等于或高于 第二基準(zhǔn)溫度(例如，50度)時(shí)，寫禁止條件變得更嚴(yán)格，該第二基準(zhǔn)溫度高于第一基準(zhǔn)溫 度。當(dāng)該當(dāng)前溫度低于第三基準(zhǔn)溫度(例如，32度)時(shí)，以及當(dāng)使用該溫度梯度計(jì)算的估計(jì) 溫度等于或低于第四基準(zhǔn)溫度(例如，觀度)時(shí)，寫禁止條件也變得更嚴(yán)格，該第四基準(zhǔn)溫 度低于第三基準(zhǔn)溫度。第一和第三基準(zhǔn)溫度表示其中容易發(fā)生粘-滑的溫度區(qū)中的邊界溫 度。而且，第一和第二基準(zhǔn)溫度之間的差值以及第三和第四基準(zhǔn)溫度之間的差值表示容易 造成粘-滑的溫度梯度。圖8示出了表示，當(dāng)根據(jù)圖7的上述圖表改變寫禁止條件時(shí)，在溫度周期環(huán)境下用 于磁盤裝置1的應(yīng)用的寫禁止條件更嚴(yán)格的區(qū)域。圖中的實(shí)線表示通過溫度傳感器20得 到的測(cè)量值Tn。w，以及附圖中的虛線表示估計(jì)溫度Testimate。在圖中的Rl和R3的區(qū)域中，當(dāng) 前內(nèi)部溫度是高的(40度或以上)，預(yù)計(jì)5分鐘之后的估計(jì)溫度更加高(50度以上)，以及 溫度梯度的絕對(duì)值是大的(估計(jì)系數(shù)=2.0)，以便寫禁止條件變得更嚴(yán)格。在圖中的R2 的區(qū)域中，當(dāng)前溫度是低的(32度或以下)，預(yù)計(jì)5分鐘之后的估計(jì)溫度更加低( 度或以 上)，以及溫度梯度的絕對(duì)值是大的(估計(jì)系數(shù)=2. 0)，以便寫禁止條件也變得更嚴(yán)格。如上文所述，可能使用的寫禁止條件是基于VCM 14的驅(qū)動(dòng)電壓中觀察的波動(dòng)量、 VCM 14的電流中觀察的波動(dòng)量、表示磁盤10的磁道中心和磁頭11之間位移的位置誤差信 號(hào)(PES)的大小、由磁盤裝置內(nèi)設(shè)置的沖擊傳感器檢測(cè)到的振幅大小而設(shè)置的閾值條件。 該位置誤差信號(hào)是表示磁頭11從磁道中心位移的信號(hào)，以及主要是用于磁頭11的定位控 制的信號(hào)。在此，對(duì)于寫禁止條件，為了阻止由粘-滑引起的偏離-磁道寫入，也可以將在每 一溫度環(huán)境下閾值條件設(shè)置為一直是嚴(yán)格的。但是，如果利用一直嚴(yán)格的閾值條件，振動(dòng)的 錯(cuò)誤檢測(cè)的頻率增加，由此導(dǎo)致?lián)p害磁盤裝置的訪問能力的問題。另一方面，如同該實(shí)施例的磁盤裝置1，只有當(dāng)該裝置處于由于熱變形容易引起 粘-滑的溫度區(qū)時(shí)，應(yīng)用嚴(yán)格的寫禁止條件，以及，在其它情況下，將應(yīng)用的寫禁止條件比 通常應(yīng)用的寫禁止條件更不嚴(yán)格。由此這能夠阻止源于粘-滑引起的偏離-磁道寫入，以 及保持磁盤裝置1的訪問能力優(yōu)良。下面，描述特定的示例性寫禁止條件和對(duì)寫禁止條件進(jìn)行的特定示例性條件改 變。在下面，具體描述其中寫禁止條件是設(shè)為VCM 14的驅(qū)動(dòng)電壓振幅(下面，稱為VCM電 壓)的閾值條件的情況，以及當(dāng)VCM電壓超過閾值和大量波動(dòng)時(shí)，禁止對(duì)磁盤10進(jìn)行寫入。 圖9示出在這樣的情況下的磁盤裝置1中的主要部件的結(jié)構(gòu)。在圖9中，裝備在電機(jī)控制電路17中的VCM驅(qū)動(dòng)部分171提供電流到VCM 14的 線圈，并驅(qū)動(dòng)該VCM 14。通過MPU 18中裝備的位置控制處理部分181輸出的控制信號(hào)經(jīng)由 D/A轉(zhuǎn)換器172輸入到VCM驅(qū)動(dòng)部分171，控制到VCM 14的驅(qū)動(dòng)電流。而且，如圖9所示， 從位置控制處理部分185提供到VCM驅(qū)動(dòng)部分171的控制信號(hào)與沖擊傳感器22的輸出信 號(hào)疊加，以及以此方式控制VCM驅(qū)動(dòng)電壓，以便消除由沖擊傳感器22檢測(cè)到的沖擊引起的 振動(dòng)。因而，利用由沖擊傳感器22檢測(cè)到的沖擊反映由VCM驅(qū)動(dòng)部分171提供給VCM 14的電流和驅(qū)動(dòng)電壓。因此，通過監(jiān)控VCM電壓的波動(dòng)，可以檢測(cè)該沖擊。VCM驅(qū)動(dòng)電壓檢測(cè)部分173檢測(cè)VCM 14 (VCM電壓)的驅(qū)動(dòng)電壓。VCM驅(qū)動(dòng)電壓檢 測(cè)部分173的輸出通過AD轉(zhuǎn)換器174輸入到MPU。MPU 18中裝備的位置控制處理部分181在磁頭11上進(jìn)行定位控制。磁頭11上的 定位控制如下大致地進(jìn)行。首先，通過磁頭11的再現(xiàn)元件從磁盤10讀出的數(shù)據(jù)被輸入到 R/W控制電路12，以便檢測(cè)伺服數(shù)據(jù)，且由這里獲得的檢測(cè)到的伺服數(shù)據(jù)，得到磁頭位置信 息。位置控制處理部分181接收由R/W控制電路獲得的磁頭位置信息并使用該磁頭位置信 息計(jì)算磁頭位置和磁頭速度。而且，位置控制處理部分181基于該計(jì)算的磁頭位置和提供 給VCM驅(qū)動(dòng)部分13的磁頭速度確定控制信號(hào)。這里注意，類似于常規(guī)控制方法進(jìn)行由磁盤 裝置11的磁頭定位控制，因此沒有給出詳細(xì)描述。當(dāng)由VCM驅(qū)動(dòng)電壓檢測(cè)部分173檢測(cè)到的VCM電壓的波動(dòng)量超過閾值時(shí)，閾值判 定處理部分182輸出寫禁止信號(hào)到R/W控制電路12，并禁止對(duì)磁盤10進(jìn)行寫入。亦即，因 為閾值相對(duì)于適用于閾值處理部分182的VCM電壓的波動(dòng)量的被減小，將容易允許該條件 轉(zhuǎn)變?yōu)閷懡沟臓顟B(tài)。因此，對(duì)應(yīng)于將寫禁止條件變得更嚴(yán)格，減小應(yīng)用于閾值判定處理部 分182的閾值。估計(jì)溫度計(jì)算處理部分183通過A/D轉(zhuǎn)換器21接收由溫度傳感器20提供的溫度 檢測(cè)信號(hào)，以及經(jīng)歷參考圖3或6描述的估計(jì)溫度計(jì)算處理，以計(jì)算溫度梯度和估計(jì)溫度。 使用由估計(jì)溫度計(jì)算處理部分183計(jì)算的溫度梯度和估計(jì)溫度，以及由溫度傳感器20檢測(cè) 到的當(dāng)前溫度，條件變化處理部分184判定是否改變圖2的步驟S12或S13的寫禁止條件。 當(dāng)判定改變?cè)搶懡箺l件時(shí)，該條件變化處理部分184指示閾值判定處理部分182改變?cè)?閾值。更詳細(xì)地，當(dāng)判定該溫度區(qū)容易引起由于粘-滑而導(dǎo)致的偏離-磁道寫入時(shí)，該條件 改變處理部分184指示閾值判定處理部分182改變閾值，以便如果在VCM電壓中觀察到較 小波動(dòng)，禁止寫入。反之，當(dāng)判定該溫度區(qū)幾乎不引起由于粘-滑的偏離-磁道寫入時(shí)，它 指示閾值判定處理部分182改變?cè)撻撝担员阍试SVCM電壓觀察到更大的波動(dòng)。在此，如上所述，通過由MPU 18執(zhí)行固件程序可以實(shí)現(xiàn)閾值判定處理部分182、估 計(jì)溫度計(jì)算處理部分183以及條件改變處理部分184。圖10示出了在發(fā)生粘-滑時(shí)通過沖擊傳感器22的沖擊檢測(cè)、VCM電壓、位置誤差 信號(hào)(PEQ以及通過MPU 18輸出到R/W控制電路12的寫禁止信號(hào)之間的關(guān)系的概念視圖。 由箭頭表示的PES信號(hào)的位置表示作為粘-滑的結(jié)果由于振動(dòng)磁頭11使得PES大量波動(dòng) 的時(shí)間。這種PES波動(dòng)以下被稱為PES跳動(dòng)。如果當(dāng)觀察到PES跳動(dòng)時(shí)，磁頭11處于寫過 程，那么發(fā)生偏離-磁道寫入。這里假定為正常操作中的VCM電壓波動(dòng)量而設(shè)置的閾值是圖10的Th2。當(dāng)基于 通過溫度傳感器20的測(cè)量溫度和由此得出的溫度梯度，該溫度區(qū)被判定為容易引起粘-滑 時(shí)，那么用于VCM電壓的波動(dòng)量的閾值轉(zhuǎn)變?yōu)閳D10的Thl。因而，通過改變根據(jù)粘-滑的可 能發(fā)生用來判定是否禁止寫入的VCM電壓的閾值，利用比PES跳動(dòng)的發(fā)生更早的寫禁止信 號(hào)的輸出(圖10的Tl)，可以通過R/W控制電路12和磁頭11停止對(duì)磁盤10進(jìn)行寫操作。因而，該實(shí)施例的磁盤裝置1包括根據(jù)VCM電壓的檢測(cè)值禁止寫入和基于通過溫 度傳感器20的測(cè)量溫度和由此計(jì)算的溫度梯度動(dòng)態(tài)地改變用來禁止該寫入的閾值的機(jī) 構(gòu)。亦即，與幾乎不產(chǎn)生由于粘-滑的偏離-磁道寫入的溫度區(qū)相比較，對(duì)于由于粘-滑容易產(chǎn)生偏離-磁道寫入的溫度區(qū)，響應(yīng)VCM電壓中觀察到的任意較小的波動(dòng)，閾值被轉(zhuǎn)變以 禁止寫入。這能夠更快地檢測(cè)到粘-滑振動(dòng)和更早地轉(zhuǎn)變?yōu)閷懡範(fàn)顟B(tài)，以便偏離-磁道 寫入的產(chǎn)生可以被抑制。相反地，對(duì)于幾乎不引起由于粘-滑而導(dǎo)致偏離-磁道寫入的溫 度區(qū)，閾值被如此改變，以至允許VCM電壓觀察到較大的波動(dòng)。以此方式，使通過VCM電壓 的振動(dòng)檢測(cè)條件較不嚴(yán)格，可以增加訪問能力。與通過檢測(cè)位置誤差信號(hào)中觀察到的波動(dòng)來禁止寫入的先前通用的方法相比較， 鑒于能夠更早地進(jìn)行寫禁止，通過檢測(cè)VCM電壓的波動(dòng)，禁止對(duì)磁盤10進(jìn)行寫入的上述方 法被認(rèn)為是有效的。位置誤差信號(hào)是在磁頭11讀取伺服數(shù)據(jù)之后被輸出的信號(hào)，且因此時(shí) 間滯后是較大的，直到在輸出值中出現(xiàn)振動(dòng)效果。另一方面，因?yàn)閂CM電壓可以用更直接 的方法檢測(cè)振動(dòng)的效果，與檢測(cè)位置誤差信號(hào)的波動(dòng)的情況相比較，可以更快地檢測(cè)振動(dòng) 的發(fā)生。因而，通過檢測(cè)VCM電壓的波動(dòng)以禁止該寫入，以及通過基于由粘-滑引起的偏 離-磁道寫入的發(fā)生改變用于判定VCM電壓的波動(dòng)的閾值，可以更加快地檢測(cè)通過粘-滑 的振動(dòng)。這能夠用更有效的方法阻止偏離-磁道寫入。作為VCM電壓的波動(dòng)的選擇性方法， 可以檢測(cè)VCM 14的驅(qū)動(dòng)電流的波動(dòng)。此外在此情況下，與在檢測(cè)位置誤差信號(hào)的波動(dòng)之后 禁止寫入的方法相比較，可以更早地禁止該寫入。在下面，作為另一特定的例子，描述具有兩個(gè)閾值條件的情況，其中該寫禁止條件 的閾值條件被設(shè)為VCM 14的驅(qū)動(dòng)電壓的振幅(VCM電壓)，以及其中該寫禁止條件的閾值 條件被設(shè)為位置誤差信號(hào)的大小。圖11示出了在此情況下磁盤裝置1中的主要部件的結(jié) 構(gòu)圖。除圖9所示的結(jié)構(gòu)之外，進(jìn)一步提供閾值判定部分185，以通過接收來自R/W通道12 的位置誤差信號(hào)，執(zhí)行閾值判定處理。對(duì)于寫禁止條件的改變，條件變化處理部分183指示 閾值判定處理部分182和185改變?cè)撻撝?。例如，在由于?滑不容易引起偏離-磁道寫入的狀態(tài)中，當(dāng)磁頭位置位于距磁道 中心士40nm的范圍時(shí)，該寫入被允許。在此情況下，利用該閾值設(shè)置位置誤差信號(hào)，以當(dāng)磁 頭和磁道中心之間的距離超過士40nm時(shí)，禁止該寫入。另一方面，在由于粘-滑容易引起 偏離-磁道寫入的狀態(tài)中，通過該條件用于寫允許的范圍變得更嚴(yán)格。例如，對(duì)于寫允許的 范圍變?yōu)榫啻诺乐行淖冋潦?0nm，據(jù)此，改變位置誤差信號(hào)的閾值。在VCM電壓示出改變之前，用粘-滑觀察的磁盤裝置中的某些位置或粘-滑的某 些振動(dòng)大小可能導(dǎo)致位置誤差信號(hào)的波動(dòng)?？紤]其設(shè)置兩種類型的條件，也就是用于VCM 電壓的寫禁止條件和用于位置誤差信號(hào)的寫禁止條件，以便即使在VCM電壓示出改變之前 也可以更加快地禁止該寫入。這與使用一種類型的條件來判定是否禁止該寫入的情況相比 較，能夠更可靠性排除由于粘-滑引起的偏離-磁道寫入。在此，如果溫度傳感器20檢測(cè)到響應(yīng)于粘-滑的發(fā)生可能引起偏離-磁道寫入的 任意部件的溫度，以及該部件周圍的溫度，那么它是優(yōu)選的。例如，當(dāng)配置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)如支撐 架13或VCM 14的任意部件發(fā)生粘-滑時(shí)，這些部件對(duì)磁頭位置的波動(dòng)造成大的影響。因 此，如果這種部件的溫度或該部件周圍的環(huán)境溫度被測(cè)量，那么它可以起到很好的效果。在上述的特定例子中，描述了其中寫禁止條件被設(shè)為相對(duì)于VCM電壓的波動(dòng)或位 置誤差信號(hào)的波動(dòng)的閾值條件以及這些判定閾值被改變的特定例子。另外，如上文所述，任 意其他寫禁止條件可以被使用，例如，VCM 14的電流波動(dòng)量、由沖擊傳感器22檢測(cè)到的加 速度的波動(dòng)量等等。簡(jiǎn)而言之，本實(shí)施例的磁盤裝置提供有用于直接或間接地檢測(cè)引起磁頭U的位置波動(dòng)的振動(dòng)大小的檢測(cè)裝置，通過使閾值判定相對(duì)于由該檢測(cè)方法檢測(cè)到的 振動(dòng)大小禁止對(duì)磁盤進(jìn)行寫入的裝置，以及基于磁盤裝置的內(nèi)部溫度和溫度變化量在該閾 值判定的時(shí)候改變閾值的裝置。例如，如果MPU 18的處理量是適當(dāng)?shù)模敲礇_擊傳感器22的輸出可以通過A/D轉(zhuǎn) 換器被傳送到MPU 18，以及可以相對(duì)于由沖擊傳感器22檢測(cè)到的加速度的任意波動(dòng)進(jìn)行 閾值判定，如果有的話。通過相對(duì)于沖擊傳感器22的輸出信號(hào)進(jìn)行閾值判定，可以直接檢 測(cè)粘-滑振動(dòng)，與監(jiān)視VCM電壓的情況相比較，可以更早地檢測(cè)到粘-滑振動(dòng)的發(fā)生。本發(fā)明的第二實(shí)施例。圖12示出了本實(shí)施例的磁盤裝置2的結(jié)構(gòu)。磁盤裝置2在該方面不同于本發(fā)明 的第一實(shí)施例的磁盤裝置1 其中沖擊傳感器22的輸出通過A/D轉(zhuǎn)換器23被發(fā)送到MPU 18，以及通過MPU 18改變使用的判定條件，以根據(jù)由沖擊傳感器22得出的沖擊檢測(cè)結(jié)果， 改變寫禁止條件。本實(shí)施例的沖擊傳感器22可以通過VCM電壓或位置誤差信號(hào)(PES)檢 測(cè)振動(dòng)的發(fā)生。通過參考圖13的流程圖，描述將由MPU 18執(zhí)行的判定條件改變處理。在步驟S41 中，使用沖擊傳感器22的輸出，檢測(cè)粘-滑振動(dòng)的發(fā)生。在步驟S42中，使用振動(dòng)檢測(cè)作為 提示獲得溫度傳感器20的測(cè)量溫度，以及從由此獲得的測(cè)量溫度和過去的溫度記錄來計(jì) 算溫度梯度。該測(cè)量溫度和溫度梯度都被存儲(chǔ)在RAM(未示出)或其它存儲(chǔ)器中。在步驟 S43中，基于步驟S42中存儲(chǔ)的測(cè)量溫度和溫度梯度改變?cè)撆卸l件。以此方式，當(dāng)在應(yīng)用 有嚴(yán)格的寫禁止條件的區(qū)域外面的區(qū)域中檢測(cè)到粘-滑時(shí)，使用步驟S42中存儲(chǔ)的值更新 用作用于改變寫禁止條件的邊界的溫度和溫度梯度。以此方式，該判定條件可以被優(yōu)化，以 及可以更可靠地阻止偏離-磁道寫入。相反地，當(dāng)僅僅在應(yīng)用有嚴(yán)格的寫禁止條件的窄區(qū)域中檢測(cè)到粘-滑時(shí)，通過步 驟S42中存儲(chǔ)的值更新用作用于改變寫禁止條件的界限的溫度和溫度梯度。以此方式，可 以增加磁盤裝置2的訪問能力。任意其他實(shí)施例在上述的第一實(shí)施例中，圖7示出了寫禁止條件被改變時(shí)的判定條件的特定例 子。但是，判定條件和用于進(jìn)行判定的參數(shù)可以被不同地修改。由于熱變形而發(fā)生的粘-滑 取決于發(fā)生時(shí)的溫度以及直到達(dá)到該溫度值的溫度梯度。由此，更直接地，可以對(duì)在將來將 預(yù)計(jì)達(dá)到的估計(jì)溫度，以及直到該溫度達(dá)到將來的估計(jì)溫度時(shí)將預(yù)計(jì)形成的溫度梯度進(jìn)行 估計(jì)，以及可以基于該結(jié)果值改變?cè)搶懡箺l件。但是，這些不是限制性的，以及類似于其 處的任意其他參數(shù)可以用來間接地估計(jì)預(yù)計(jì)在將來將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及直到溫度達(dá)到 將來的估計(jì)溫度時(shí)形成的溫度梯度。例如，可以基于以下參數(shù)的組合進(jìn)行決定，如(1)當(dāng)前 溫度和直到達(dá)到當(dāng)前溫度的溫度梯度，( 當(dāng)前溫度和預(yù)計(jì)在將來將形成的溫度梯度，(3) 當(dāng)前溫度和預(yù)期在將來將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)前溫度、預(yù)計(jì)在將來將達(dá)到的估計(jì) 溫度以及直到達(dá)到將來的估計(jì)溫度的估計(jì)溫度梯度。這里注意，為了計(jì)算將來的估計(jì)溫度 和將來的估計(jì)溫度梯度，需要使用該溫度的過去記錄，包括通過溫度傳感器20獲得的當(dāng)前 溫度以及由此計(jì)算的溫度梯度的過去記錄。此外，本發(fā)明不限于如上所述的實(shí)施例，很清楚在不脫離本發(fā)明范圍的條件下，可 以設(shè)計(jì)許多其他改進(jìn)。
[參考數(shù)字的描述]
1,2磁盤裝置
10磁盤
11磁頭
12R/W控制電路
13支撐架
14VCM
16SPM
17電機(jī)控制電路
18微處理器(MPU)
19I/F控制電路
20溫度傳感器
21，23 :A/D轉(zhuǎn)換器
22沖擊傳感器
171=VCM驅(qū)動(dòng)部分
172:D/A轉(zhuǎn)換器
173:VCM驅(qū)動(dòng)電壓檢測(cè)部分
174:A/D轉(zhuǎn)換器
181位置控制處理部分
182，185 閾值判定處理部分
183估計(jì)溫度計(jì)算處理部分
184條件改變處理部分
權(quán)利要求
1.一種磁盤存儲(chǔ)裝置，包括 記錄磁盤；用于對(duì)所述記錄磁盤進(jìn)行寫入的磁頭；以及 用于檢測(cè)該磁盤存儲(chǔ)裝置內(nèi)部溫度的溫度傳感器，其中，基于由所述溫度傳感器檢測(cè)到的測(cè)量溫度和使用該測(cè)量溫度計(jì)算出的溫度變化 量，來改變用來判定是否禁止所述磁頭對(duì)所述記錄磁盤進(jìn)行寫入的判定條件，以及其中，根據(jù)所述測(cè)量溫度和溫度梯度，計(jì)算預(yù)計(jì)在將來要達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)該測(cè) 量溫度低于第三基準(zhǔn)溫度時(shí)并且該估計(jì)溫度低于第四基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變所述判定條件，所 述第四基準(zhǔn)溫度低于所述第三基準(zhǔn)溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤存儲(chǔ)裝置，其中通過在閾值和與所述磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量量之間的比較，判定是否禁止 對(duì)磁盤進(jìn)行寫入，以及通過改變?cè)撻撝?，改變所述判定條件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤存儲(chǔ)裝置，還包括 支撐磁頭的支撐架；檢測(cè)機(jī)械沖擊的沖擊傳感器；由用所述沖擊傳感器的輸出反映的驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)，并將所述支撐架置于搖 擺的音圈電機(jī)；以及檢測(cè)該驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流的檢測(cè)部分，其中根據(jù)由所述檢測(cè)部分檢測(cè)到的驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流是否超過閾值，決定是否禁止對(duì)所 述磁盤寫入，以及通過改變用于與電壓比較的所述閾值，改變所述判定條件。
4.一種磁盤存儲(chǔ)裝置，包括 記錄磁盤；用于對(duì)所述記錄磁盤進(jìn)行寫入的磁頭； 用于檢測(cè)所述裝置內(nèi)部溫度的溫度傳感器；判定處理部分，其檢測(cè)與所述磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量的波動(dòng)量，以及判定 是否禁止所述磁頭對(duì)所述記錄磁盤進(jìn)行寫入；條件改變處理部分，改變應(yīng)用于所述判定處理部分的判定條件，其中基于由所述溫度 傳感器檢測(cè)到的測(cè)量溫度和使用該測(cè)量溫度計(jì)算的溫度變化量，所述條件改變處理部分判 定該裝置是否處于可能由熱變形引起振動(dòng)的溫度區(qū)，以及當(dāng)判定該溫度區(qū)可能通過熱變形 引起振動(dòng)時(shí)，改變應(yīng)用于所述判定處理部分的判定條件；估計(jì)溫度計(jì)算部分，使用該測(cè)量溫度和溫度梯度來計(jì)算預(yù)計(jì)在將來將達(dá)到的估計(jì)溫度，其中，當(dāng)該測(cè)量溫度低于第三基準(zhǔn)溫度并且該估計(jì)溫度低于第四基準(zhǔn)溫度時(shí)，該條件 改變處理部分改變?cè)撆卸l件，該第四基準(zhǔn)溫度低于第三基準(zhǔn)溫度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的磁盤存儲(chǔ)裝置，其中所述判定處理部分檢測(cè)兩個(gè)或更多的測(cè)量的波動(dòng)量，以及基于該檢測(cè)結(jié)果，判定是否 禁止所述磁頭對(duì)所述記錄磁盤進(jìn)行寫入。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的磁盤存儲(chǔ)裝置，其中該判定處理部分通過閾值和與所述磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量數(shù)量之間的比 較，決定是否禁止對(duì)所述磁盤進(jìn)行寫入，以及所述條件改變處理部分通過改變所述閾值，改變所述判定條件。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的磁盤存儲(chǔ)裝置，還包括支撐磁頭的支撐架；將所述支撐架置于搖擺的音圈電機(jī)；以及檢測(cè)該音圈電機(jī)的驅(qū)動(dòng) 電壓或驅(qū)動(dòng)電流的檢測(cè)部分，其中，所述判定處理部分，根據(jù)由所述檢測(cè)部分檢測(cè)到的驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流是否超 過閾值，進(jìn)行是否禁止對(duì)所述磁盤進(jìn)行寫入的判定，以及所述條件改變處理部分通過改變用于與電壓比較的所述閾值，改變所述判定條件。
8.根據(jù)權(quán)利要求4的磁盤存儲(chǔ)裝置，還包括 能檢測(cè)由熱變形引起的振動(dòng)的沖擊傳感器，其中當(dāng)通過所述沖擊傳感器檢測(cè)到振動(dòng)時(shí)，所述溫度傳感器的測(cè)量溫度被存儲(chǔ)，以及該存 儲(chǔ)的測(cè)量溫度被用作基礎(chǔ)，以改變用來判定所述裝置處于可能由熱變形引起振動(dòng)的溫度區(qū) 的邊界溫度條件。
9.一種用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，所述磁盤存儲(chǔ)裝置包括記錄磁盤；用于對(duì)該 記錄磁盤進(jìn)行寫入的磁頭；以及用于檢測(cè)該裝置內(nèi)部溫度的溫度傳感器，其中使用由該溫度傳感器檢測(cè)到的測(cè)量溫度，由過去的溫度記錄，計(jì)算溫度變化量，以及 基于該測(cè)量溫度和溫度變化量，改變用來判定是否禁止所述磁頭對(duì)所述記錄磁盤進(jìn)行 寫入的判定條件， 其中根據(jù)該測(cè)量溫度和溫度梯度，計(jì)算預(yù)計(jì)在將來將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及 當(dāng)該測(cè)量溫度低于第三基準(zhǔn)溫度并且該估計(jì)溫度低于第四基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變?cè)撆卸l 件，該第四基準(zhǔn)溫度低于第三基準(zhǔn)溫度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，其中當(dāng)該測(cè)量溫度高于基準(zhǔn)溫度，當(dāng)該溫度變化量是正的，以及當(dāng)溫度變化量的絕對(duì)值大 于基準(zhǔn)量時(shí)，改變?cè)撆卸l件。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，其中當(dāng)該測(cè)量溫度低于基準(zhǔn)溫度，當(dāng)該溫度變化量是負(fù)的，以及當(dāng)溫度變化量的絕對(duì)值大 于基準(zhǔn)量時(shí)，改變?cè)撆卸l件。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，其中通過在閾值和與所述磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量量之間的比較，進(jìn)行是否禁止 對(duì)所述磁盤進(jìn)行寫入的判定，以及通過改變?cè)撻撝担淖冊(cè)撆卸l件。
13.根據(jù)權(quán)利要求9的用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，其中根據(jù)用來把支撐所述磁頭的支撐架置于搖擺的音圈電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流是否 超過閾值，做出是否禁止對(duì)所述磁盤寫入的判定，以及通過改變與驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流比較的所述閾值，改變所述判定條件。
全文摘要
提供一種磁盤存儲(chǔ)裝置及其控制方法，該磁盤存儲(chǔ)裝置能夠消除由熱變形引起的粘-滑所產(chǎn)生的偏離-磁道寫入。一種磁盤裝置1設(shè)有磁盤10，對(duì)磁盤10進(jìn)行寫入的磁頭11，以及檢測(cè)磁盤裝置1內(nèi)部的溫度的溫度傳感器20。而且，磁盤裝置1基于由溫度傳感器20檢測(cè)到的測(cè)量溫度以及使用該測(cè)量溫度計(jì)算的溫度變化量，改變用來判定是否禁止通過磁頭11對(duì)磁盤10進(jìn)行寫入的判定條件。
文檔編號(hào)G11B19/04GK102074256SQ20111002246
公開日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2006年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月27日
發(fā)明者大澤弘幸, 小野山勝元, 武田澄江, 濱田洋介 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司