專利名稱：一種可回收使用的Nandflash存儲系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種Nandflash存儲系統(tǒng)，尤其涉及一種可回收使用的Nandflash存儲系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
Nandflash在最近幾年里得到了突飛猛進的發(fā)展，由1位/單元的SLC(單層式存儲)技術(shù)發(fā)展到了 2位/單元甚至3位/單元的MLC(多層式存儲)技術(shù)，同時Nandflash的生產(chǎn)工藝也不斷進步。隨著技術(shù)的發(fā)展，Nandflash容量不斷增大，單位容量的成本也大幅降低，應(yīng)用Nandflash的領(lǐng)域也越來越多。現(xiàn)在應(yīng)用Nandflash最多的是消費類電子設(shè)備，這類設(shè)備更新?lián)Q代很快。隨著老一代產(chǎn)品被淘汰，其產(chǎn)品中的Nandflash也被隨之廢棄，而產(chǎn)品中這些Nandf Iash往往遠(yuǎn)沒有達(dá)到他們的使用壽命，這無疑是一種巨大的浪費?，F(xiàn)在市場上存在將廢棄的Nandflash回收再用在新產(chǎn)品中的做法，但這種做法僅僅是回收Nandflash，而沒有檢測回收的Nandflash是否有足夠的使用壽命，這導(dǎo)致使用回收的Nandflash的產(chǎn)品的質(zhì)量得不到應(yīng)用的保障，從而損害的消費者的權(quán)益。基于上述問題，本發(fā)明提出一種新的具有可回收使用性能的Nandflash存儲系統(tǒng)，采用此類存儲系統(tǒng)的產(chǎn)品在更新?lián)Q代后，其存儲系統(tǒng)仍然可以回收再利用，且其存儲信息易于讀取操作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的提供一種可回收使用的Nandflash存儲系統(tǒng)，由微控制器、系統(tǒng)接口控制器、系統(tǒng)存儲器訪問仲裁邏輯單元、系統(tǒng)存儲器、Nandflash控制器以及Nandflash存儲器陣列構(gòu)成，其中Nandflash存儲器劃分為塊擦寫次數(shù)記錄區(qū)域和其他區(qū)域。微控制器，系統(tǒng)主控制單元，用于控制整個Nandflash存儲器系統(tǒng)；系統(tǒng)接口控制器，以某種特定協(xié)議和主控端進行數(shù)據(jù)傳輸，協(xié)議包含SD、XD, IDE、USB、SATA 禾口 PCIE 等；系統(tǒng)存儲器訪問仲裁邏輯單元，用于仲裁微控制器、系統(tǒng)接口控制器和Nandflash控制器對系統(tǒng)存儲器的訪問請求；系統(tǒng)存儲器，用于暫存系統(tǒng)端和Nandflash控制器間傳輸?shù)臄?shù)據(jù)；Nandflash控制器，用于控制和Nandflash陣列之間的數(shù)據(jù)傳輸；Nandflash存儲器陣列，包含一個或多個Nandflash存儲器，用于存放用戶數(shù)據(jù)及系統(tǒng)需要的其它信息。Nandflash存儲器的塊擦寫次數(shù)記錄區(qū)域存放塊擦除次數(shù)記錄表，表中記錄Nandflash每一塊被擦寫的次數(shù)。當(dāng)系統(tǒng)啟動時，塊擦除次數(shù)記錄表從Nandflash存儲器中的塊擦寫次數(shù)記錄區(qū)域讀取到系統(tǒng)存儲器中。系統(tǒng)進行垃圾塊回收時需要對Nandflash中的塊進行擦除操作，每次擦除操作后更新塊擦除次數(shù)記錄表，被擦除塊的被擦除次數(shù)加1后重新寫入塊擦除次數(shù)記錄表。系統(tǒng)停止工作時，將塊擦除次數(shù)記錄表從系統(tǒng)存儲器寫入到Nandflash存儲器中的塊擦寫次數(shù)記錄區(qū)域內(nèi)。塊擦除次數(shù)記錄表永久存放在Nandflash存儲器中，當(dāng)Nandflash被回收使用時，可根據(jù)塊擦除次數(shù)記錄表得知Nandflash存儲器的使用情況。根據(jù)Nandflash存儲器的使用情況，可在滿足Nandflash存儲設(shè)備需求的情況下，延長Nandflash存儲器的使用周期。


圖1可回收使用的Nandflash存儲系統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)圖
具體實施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明提出的內(nèi)容進行詳細(xì)的說明。如圖1中所示，為主控端與可回收使用的Nandflash存儲系統(tǒng)之間的結(jié)構(gòu)圖。塊擦除次數(shù)記錄表的大小是固定的，Nandflash存儲器每一塊都有對應(yīng)的一項。其內(nèi)容如下表所示(N為Nandflash存儲器中塊的總數(shù))
權(quán)利要求
1.一種可回收使用的Nandflash存儲系統(tǒng)，由微控制器、系統(tǒng)接口控制器、系統(tǒng)存儲器訪問仲裁邏輯單元、系統(tǒng)存儲器、Nandflash控制器以及Nandflash存儲器陣列構(gòu)成，其特征在于Nandflash存儲器包含塊擦寫次數(shù)記錄區(qū)域和其他區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的一種可回收使用的Nandflash存儲系統(tǒng)，其特征在于所述Nandflash存儲器內(nèi)永久存放塊擦除次數(shù)記錄表。
3.如權(quán)利要求1所述的一種可回收使用的Nandflash存儲系統(tǒng)，其特征在于所述Nandflash存儲器的塊擦寫次數(shù)記錄區(qū)域存放塊擦除次數(shù)記錄表，其他區(qū)域備用。
4.如權(quán)利要求1所述的一種可回收使用的Nandflash存儲系統(tǒng)，其特征在于系統(tǒng)啟動時，塊擦除次數(shù)記錄表從Nandflash存儲器中的塊擦寫次數(shù)記錄區(qū)域讀取到系統(tǒng)存儲器。
5.如權(quán)利要求1所述的一種可回收使用的Nandflash存儲系統(tǒng)，其特征在于系統(tǒng)進行垃圾塊回收時對Nandflash存儲器中的塊進行擦除操作，每次擦除操作后更新塊擦除次數(shù)記錄表，被擦除塊的被擦除次數(shù)加1后重新寫入塊擦除次數(shù)記錄表。
6.如權(quán)利要求1所述的一種可回收使用的Nandflash存儲系統(tǒng)，其特征在于系統(tǒng)停止工作時塊擦除次數(shù)記錄表從系統(tǒng)存儲器寫入到Nandflash存儲器中的塊擦寫次數(shù)記錄區(qū)域。
7.如權(quán)利要求1所述的一種可回收使用的Nandflash存儲系統(tǒng)，其特征在于所述Nandflash存儲系統(tǒng)與主控端通信接口為SD、XD, SATA, USB、PCIE或PATA接口。
全文摘要
一種可回收使用的Nandflash存儲系統(tǒng)，由微控制器、系統(tǒng)接口控制器、系統(tǒng)存儲器訪問仲裁邏輯單元、系統(tǒng)存儲器、Nandflash控制器以及Nandflash存儲器陣列構(gòu)成，其中Nandflash存儲器劃分為塊擦寫次數(shù)記錄區(qū)域和其他區(qū)域。Nandflash存儲器的塊擦寫次數(shù)記錄區(qū)域存放塊擦除次數(shù)記錄表，表中記錄Nandflash每一塊被擦寫的次數(shù)。可根據(jù)塊擦除次數(shù)記錄表得知Nandflash存儲器的使用情況，可在滿足Nandflash存儲設(shè)備需求的情況下，充分回收利用Nandflash存儲器，延長使用期壽命。
文檔編號G11C16/26GK102592676SQ201110009608
公開日2012年7月18日 申請日期2011年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月17日
發(fā)明者遲志剛 申請人:上海華虹集成電路有限責(zé)任公司