專(zhuān)利名稱(chēng)：預(yù)記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括金屬反射膜的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
對(duì)于作為光學(xué)記錄介質(zhì)的光盤(pán)，尤其是只讀ROM(只讀存儲(chǔ)器)盤(pán)，可以通過(guò)來(lái)自單個(gè)壓模的塑料注射成型(injection molding)，而在短時(shí)間中以低成本生產(chǎn)大量的復(fù)制基板。因此，將光學(xué)記錄介質(zhì)廣泛地用作封裝介質(zhì)。附帶地，為了防止著作權(quán)侵害，正在考慮一種添加區(qū)分每張盤(pán)的標(biāo)識(shí)信息的方法。 作為添加標(biāo)識(shí)信息的方法，例如，提出了一種將子數(shù)據(jù)記錄到金屬反射膜上的方法(例如， 參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。在專(zhuān)利文獻(xiàn)1的光盤(pán)中，將Ag(銀)合金用作該金屬反射膜。由Ag合金形成的金屬反射膜，不僅可以使用在記錄子數(shù)據(jù)的專(zhuān)利文獻(xiàn)1的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)中，而且可以使用在一般的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)中。然而，由于銀合金作為只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的材料有些昂貴，所以成本增加。就此，正在考慮使用Al (鋁)來(lái)代替Ag。實(shí)際上，將Al或Al合金用作一種光學(xué)記錄介質(zhì)中的金屬反射膜，該光學(xué)記錄介質(zhì)使用具有650nm和780nm波長(zhǎng)的光來(lái)記錄/再現(xiàn)信息(例如，參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)第2007-335003號(hào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)第2003-317318號(hào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問(wèn)題然而，對(duì)于構(gòu)成光學(xué)記錄介質(zhì)的金屬反射膜，使用如現(xiàn)有技術(shù)中的光學(xué)記錄介質(zhì)中使用的Al或Al合金導(dǎo)致問(wèn)題，前一種光學(xué)記錄介質(zhì)使用具有405nm波長(zhǎng)的光來(lái)記錄/ 再現(xiàn)信息的，后一種光學(xué)記錄介質(zhì)使用具有650nm和780nm波長(zhǎng)的光來(lái)記錄/再現(xiàn)信息。具體地，相對(duì)于具有405nm波長(zhǎng)的光的反射率隨時(shí)間改變而被降低。而且，當(dāng)將子數(shù)據(jù)記錄到金屬反射膜上并且從該金屬反射膜再現(xiàn)時(shí)，再現(xiàn)信號(hào)輸出由于時(shí)間改變而變化。為了解決上述問(wèn)題，在本發(fā)明中，提供了一種耐久的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)，其在由于時(shí)間改變而導(dǎo)致的金屬反射膜的特性上具有較小變化。用于解決問(wèn)題的手段根據(jù)本發(fā)明，提供了一種只讀光學(xué)記錄介質(zhì)，包括基板；信息記錄表面，通過(guò)對(duì)在該基板上形成的凹坑(pit)和岸面(land)進(jìn)行組合來(lái)構(gòu)造，并且在其上記錄信息；以及金屬反射膜，其提供為與該信息記錄表面接觸，并且由Α1·_χ_ζΧχΖζ表示，其中，χ和ζ每一個(gè)表示原子％，X由至少包括Ti的元素構(gòu)成，Z由至少包括Fe的元素構(gòu)成，χ是1. 0到3. 0， 并且ζ是0. 05到1.0。
利用根據(jù)本發(fā)明的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)，通過(guò)Α1·_χ_ζΧχΖζ表示該金屬反射膜，其中，X和Z每一個(gè)表示原子％，至少包括Ti的X成分的含量是1. 0到3. 0，并且至少包括Fe的Z成分的含量是0. 05到1. 0。相應(yīng)地，變得可能抑制由于時(shí)間改變而導(dǎo)致的金屬反射膜的特性(例如，相對(duì)于具有405nm波長(zhǎng)的光的反射率)的變化。本發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，變得可能抑制由于時(shí)間改變而導(dǎo)致的金屬反射膜的特性的變化。另外，根據(jù)本發(fā)明，該金屬反射膜可以由便宜的材料形成。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以以低成本來(lái)實(shí)現(xiàn)一種耐久的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)，該記錄介質(zhì)在由于時(shí)間改變而導(dǎo)致的金屬反射膜的特性上具有較小變化。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的示意結(jié)構(gòu)圖(剖面圖)。圖2是Ti-Al基相圖。圖3是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例、用于只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法的實(shí)施例的圖。圖4是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例、用于關(guān)于只讀光學(xué)記錄介質(zhì)使用的子數(shù)據(jù)的記錄設(shè)備的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例、用于將子數(shù)據(jù)記錄到只讀光學(xué)記錄介質(zhì)上的說(shuō)明圖。圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例、用于關(guān)于只讀光學(xué)記錄介質(zhì)使用的子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)設(shè)備的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例、用于從只讀光學(xué)記錄介質(zhì)中再現(xiàn)子數(shù)據(jù)的說(shuō)明圖。圖8的A和B是示出根據(jù)示例1和2、只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的加速測(cè)試之前和之后的反射率的改變的圖。圖9的A和B是示出根據(jù)比較示例1和2、只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的加速測(cè)試之前和之后的反射率的改變的圖。圖10是示出根據(jù)示例3到7、只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的初始記錄敏感度的圖。圖11是示出根據(jù)示例8到12、只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的初始記錄敏感度的圖。圖12是示出根據(jù)示例13到17、只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的初始記錄敏感度的圖。圖13是示出根據(jù)示例3到7、只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的加速測(cè)試之前和之后的子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)輸出的改變的圖。圖14是示出根據(jù)示例8到12、只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的加速測(cè)試之前和之后的子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)輸出的改變的圖。圖15是示出了根據(jù)示例13到17、只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的加速測(cè)試之前和之后的子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)輸出的改變的圖。
具體實(shí)施方式
在下文中，將描述本發(fā)明的最佳模式(在下文中，稱(chēng)作實(shí)施例)。應(yīng)該注意，將按照以下順序進(jìn)行描述。1.第一實(shí)施例2.第二實(shí)施例3.修改示例4.示例<1.第一實(shí)施例>圖1示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的示意結(jié)構(gòu)圖(剖面圖)。光盤(pán)100具有多層結(jié)構(gòu)，其中將金屬反射膜102和覆蓋層103層疊在基板101上。作為基板101，例如可以使用由聚碳酸酯形成的塑料基板。與金屬反射膜102接觸的基板101的表面具有凹凸剖面形狀。凹狀剖面部分對(duì)應(yīng)于凹坑(pit) P，而凸?fàn)钇拭娌糠謱?duì)應(yīng)于岸面(land)L。具體地，激光105從覆蓋層103照射到其上的、且朝向激光105的光入射側(cè)突出的凸?fàn)钇拭娌糠质前睹鍸。使用凹坑P和岸面L 的組合，更具體地使用凹坑P和岸面L的長(zhǎng)度，來(lái)記錄信息。將金屬反射膜102層疊在其上形成凹坑P和岸面L的基板101的凹凸表面上。然后，將覆蓋層103層疊在金屬反射膜102上。作為覆蓋層103的材料，例如可以使用聚碳酸酯樹(shù)脂膜，或通過(guò)將紫外線(xiàn)照射到旋轉(zhuǎn)涂敷到預(yù)定厚度的紫外線(xiàn)硬化樹(shù)脂、并使其固化獲得的膜。通過(guò)在基板101上進(jìn)行層疊，金屬反射膜102具有與凹坑P和岸面L對(duì)應(yīng)的凹凸剖面形狀。而且，如圖1所示，將物鏡104收集的激光105經(jīng)由覆蓋層103照射到金屬反射膜 102上。此時(shí)，獲得與凹凸形狀對(duì)應(yīng)的反射光。在該實(shí)施例中，特別地，金屬反射膜102由通過(guò)AIicic1tzXxZzO^P ζ中每個(gè)是原子％)表示的Al合金形成。這里，X包括Ti (鈦)，而Z包括Fe (鐵)。另外，將Al合金中X的組成χ和Z的組成ζ設(shè)置為處于χ = 1. 0到3. 0和ζ = 0. 05到1. 0的范圍內(nèi)。應(yīng)該注意，除了作為主成分的Ti之外，X還可以包括W、Ta、V、Mo、Nb、和&。除了作為主成分的狗之外，Z還可以包括Co和Ni。圖2示出Al-Ti基相圖。Ti變得完全溶解在Al中的濃度高達(dá)Al 98.5% -Ti 1. 5 % (每個(gè)數(shù)字都是原子％ )。然而，即使當(dāng)Ti濃度高于1. 5%時(shí)，通過(guò)均勻地分散TiA13的金屬間化合物，也可
能使其像合金一樣動(dòng)作。此外，將其中可以使得金屬反射膜102充分均勻的范圍的上限認(rèn)為是A197% -Ti 3% (每個(gè)數(shù)字都是原子％)。 當(dāng)包括Ti的X的含量χ超過(guò)3. 0原子％時(shí)，變得難以使金屬反射膜102充分均勻。
而且，當(dāng)包括Ti的X的含量χ下降到1. 0原子％以下，或者包括！^的Z的含量ζ 下降到0. 05原子％以下、或超過(guò)1.0原子％時(shí)，存在這樣的擔(dān)心可能無(wú)法獲得金屬反射膜 102的充分耐久性和特性。
例如，可以通過(guò)蒸汽沉積方法或?yàn)R射(sputtering)方法來(lái)形成金屬反射膜102的 Al合金。作為濺射目標(biāo)，可以使用與該合金具有相同組成的目標(biāo)。而且，可以同時(shí)組合地使用具有多個(gè)不同組成的目標(biāo)，所述組成中的每個(gè)都包括合金成分。特別地，可以有利地將該實(shí)施例的光盤(pán)100應(yīng)用于以下光盤(pán)，該光盤(pán)使用具有 405nm波長(zhǎng)的光(例如，藍(lán)色激光)，來(lái)讀出使用凹坑和岸面的組合記錄到基板101上的信
肩、ο根據(jù)上述該實(shí)施例的光盤(pán)100，金屬反射膜102是通過(guò)AIicic1tzXJz表示的Al合金， 其中X包括Ti，Z包括狗，X的含量x(原子％)是1.0到3.0，而Z的含量Z (原子％ )是 0. 05到1. 0。因此，可以抑制由于時(shí)間改變而導(dǎo)致的金屬反射膜102的特性(例如，關(guān)于具有相對(duì)短波長(zhǎng)的光(諸如，具有405nm波長(zhǎng)的光)的反射率)的變化。而且，金屬反射膜102可以由作為便宜材料的Al合金形成。因此，根據(jù)該實(shí)施例，可以以低成本實(shí)現(xiàn)耐久的光盤(pán)100，該光盤(pán)100具有由于時(shí)間改變而導(dǎo)致的金屬反射膜102的特性的較少變化。<2.第二實(shí)施例>將描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。該只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的剖面結(jié)構(gòu)與圖1所示第一實(shí)施例的光盤(pán)100的剖面結(jié)構(gòu)相同。在該實(shí)施例中，如第一實(shí)施例中，金屬反射膜102由通過(guò)Α1·_χ_ζΧχΖζ(χ和ζ每個(gè)是原子％)表示的Al合金形成。另外，X包括!^包括！^，乂的含量“原子1^)是1.0到 3.0，而Z的含量ζ (原子％ )是0.05到1.0。在該實(shí)施例中，圖1所示光盤(pán)100的金屬反射膜102具有作為可記錄金屬反射膜的結(jié)構(gòu)，其中記錄與通過(guò)凹坑和岸面記錄的主數(shù)據(jù)不同的子數(shù)據(jù)。當(dāng)包括Ti的X的含量χ超過(guò)3. 0原子％時(shí)，變得難以使金屬反射膜102充分均勻。而且，當(dāng)包括Ti的X的含量χ下降到1. 0原子％以下，或者包括！^的Z的含量ζ 下降到0. 05原子％以下時(shí)，不能獲得充分的記錄敏感度。此外，當(dāng)ζ超過(guò)1. 0原子％時(shí)，存在這樣的擔(dān)心可能無(wú)法獲得用于金屬反射膜102的充分耐久性。特別地，在該實(shí)施例中存在這樣的擔(dān)心記錄到金屬反射膜102上的子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)輸出可以由于時(shí)間改變而變化。在該實(shí)施例中，由于將子數(shù)據(jù)記錄到光盤(pán)100的金屬反射膜102上，所以用于光盤(pán) 100的制造方法，不同于沒(méi)有記錄有子數(shù)據(jù)的通常光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法。這里，將參考圖3來(lái)描述該實(shí)施例的用于只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法的實(shí)施例。如圖3所示，首先執(zhí)行用戶(hù)數(shù)據(jù)格式化步驟S11。例如，使用計(jì)算機(jī)進(jìn)行格式化步驟 S11。在格式化步驟Sll中，要記錄到光盤(pán)100上的內(nèi)容數(shù)據(jù)(用戶(hù)數(shù)據(jù))經(jīng)歷轉(zhuǎn)換操作，使得獲得符合預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)的格式數(shù)據(jù)串。而且，實(shí)際上，進(jìn)行將檢錯(cuò)碼和糾錯(cuò)碼添加到用戶(hù)數(shù)據(jù)的處理、交織處理等。接下來(lái)，進(jìn)行可變長(zhǎng)度調(diào)制步驟S12。在步驟S12中，對(duì)在格式化步驟Sll中生成的數(shù)據(jù)串進(jìn)行可變長(zhǎng)度調(diào)制處理。通過(guò)可變長(zhǎng)度調(diào)制步驟S12獲得的數(shù)據(jù)串中的“0”和“1”的圖案(pattern)，成為在光盤(pán)100上實(shí)際形成的凹坑P和岸面L的圖案。如上所述，這里將通過(guò)使用戶(hù)數(shù)據(jù)經(jīng)歷格式化和可變長(zhǎng)度調(diào)制處理獲得的數(shù)據(jù)稱(chēng)作主數(shù)據(jù)。隨后，進(jìn)行母盤(pán)(master)生產(chǎn)步驟S13。使用公知的母盤(pán)制作設(shè)備進(jìn)行母盤(pán)生產(chǎn)步驟S13。首先，在母盤(pán)生產(chǎn)步驟S13中，在玻璃母盤(pán)上形成光阻材料(photoresist)。然后， 在旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)其上形成光阻材料的玻璃母盤(pán)，并使其經(jīng)歷顯像處理的同時(shí)，利用已經(jīng)根據(jù)通過(guò)可變長(zhǎng)度調(diào)制步驟S12生成的主數(shù)據(jù)調(diào)制的激光，來(lái)照射該玻璃母盤(pán)。作為結(jié)果，沿著記錄軌道形成凹凸圖案。換言之，形成凹坑P和岸面L。接下來(lái)，對(duì)于其上形成凹坑和岸面的玻璃母盤(pán)執(zhí)行電解噴鍍，并在此之后進(jìn)行剝離，結(jié)果是生成金屬母盤(pán)D14。使用如上所述產(chǎn)生的金屬母盤(pán)D14進(jìn)行盤(pán)形成步驟S15。在盤(pán)形成步驟S15中，首先基于該金屬母盤(pán)D14形成壓模。然后，在將壓模放置于成型模具中之后，使用注射成型機(jī)器通過(guò)諸如聚碳酸酯和丙烯的透明樹(shù)脂形成基板101。在基板101上，沿著記錄軌道，形成與通過(guò)可變長(zhǎng)度調(diào)制步驟S12生成的主數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的凹坑和岸面的圖案。然后，使用金屬反射膜102的沉積金屬合金目標(biāo)，通過(guò)關(guān)于基板101的蒸汽沉積、 濺射等形成金屬反射膜102。在此之后，在金屬反射膜102上層疊覆蓋層103。作為結(jié)果， 形成了其上僅僅記錄主數(shù)據(jù)的光盤(pán)(主數(shù)據(jù)記錄盤(pán))D16。隨后，進(jìn)行子數(shù)據(jù)記錄步驟S17。換言之，除了上述通過(guò)凹坑P和岸面L記錄的主數(shù)據(jù)之外，還記錄子數(shù)據(jù)。為了記錄子數(shù)據(jù)，使用子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50，稍后將描述該子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50的細(xì)節(jié)。在該情況下，關(guān)于子數(shù)據(jù)，作為要成為其數(shù)據(jù)內(nèi)容部分的真實(shí)數(shù)據(jù)的生成，記錄了對(duì)于其上記錄主數(shù)據(jù)的每個(gè)光盤(pán)D16唯一的信息，諸如序列號(hào)信息。換言之，在子數(shù)據(jù)記錄步驟S17中向每個(gè)光盤(pán)100添加唯一的標(biāo)識(shí)信息(標(biāo)識(shí)編號(hào))。此外，作為子數(shù)據(jù)，例如除了作為真實(shí)數(shù)據(jù)的標(biāo)識(shí)信息之外還添加糾錯(cuò)碼。通過(guò)添加這樣的糾錯(cuò)碼，在再現(xiàn)期間，可以對(duì)標(biāo)識(shí)信息進(jìn)行糾錯(cuò)處理。在由凹坑P和岸面L形成的主數(shù)據(jù)的特定區(qū)段中，通過(guò)形成標(biāo)記來(lái)記錄子數(shù)據(jù)，該標(biāo)記通過(guò)將具有記錄功率的激光照射到金屬反射膜102上的特定位置形成。盡管在該情況下子數(shù)據(jù)包括標(biāo)識(shí)信息和糾錯(cuò)碼，但是也可以代替地添加其他數(shù)據(jù)。(子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備)接下來(lái)，將描述上述子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備的實(shí)施例，子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備將子數(shù)據(jù)記錄到第二實(shí)施例的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)上，諸如光盤(pán)D16。圖4示出表示子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖(框圖)。由于如上所述將對(duì)于每個(gè)光盤(pán)100唯一的標(biāo)識(shí)信息記錄為子數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)內(nèi)容， 所以子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50記錄通過(guò)圖案形成的子數(shù)據(jù)，圖案對(duì)要安裝(mount)的每個(gè)光盤(pán)100 (D16)不同。此外，對(duì)于子數(shù)據(jù)，在光盤(pán)D16上預(yù)先確定用于記錄子數(shù)據(jù)的區(qū)段，并且還在那些區(qū)段中預(yù)先確定插入標(biāo)記的位置。子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50構(gòu)造為能夠在如上所述預(yù)先確定的一定位置處記錄標(biāo)記。首先，在將光盤(pán)D16安裝在轉(zhuǎn)臺(tái)(未示出)上的同時(shí)，根據(jù)預(yù)定的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)通過(guò)主軸電機(jī)51旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)該光盤(pán)D16。光學(xué)拾取器OP從如上所述被旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)的光盤(pán)D16 中讀出記錄信號(hào)(主數(shù)據(jù))。光學(xué)拾取器OP裝備有作為激光源的激光二極管LD，在光盤(pán)100的記錄表面上收集激光、和將激光照射到光盤(pán)100的記錄表面上的物鏡52，檢測(cè)作為從光盤(pán)D16反射的激光的反射光的光電檢測(cè)器PD等。由光學(xué)拾取器OP的光電檢測(cè)器PD檢測(cè)的反射光信息，通過(guò)I-V轉(zhuǎn)換電路53轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，并且在此之后提供到矩陣電路討。矩陣電路討基于來(lái)自I-V轉(zhuǎn)換電路53的反射光信息，生成再現(xiàn)信號(hào)RF、跟蹤誤差信號(hào)TE、以及聚焦誤差信號(hào)FE。伺服電路55基于來(lái)自矩陣電路M的跟蹤誤差信號(hào)TE和聚焦誤差信號(hào)FE，控制從雙軸驅(qū)動(dòng)電路56輸出的跟蹤驅(qū)動(dòng)信號(hào)TD和聚焦驅(qū)動(dòng)信號(hào)FD。將跟蹤驅(qū)動(dòng)信號(hào)TD和聚焦驅(qū)動(dòng)信號(hào)FD，提供到在光學(xué)拾取器OP中保持物鏡52的雙軸機(jī)構(gòu)(未示出)。然后，基于那些信號(hào)，在跟蹤方向和聚焦方向驅(qū)動(dòng)物鏡52。在由伺服電路55、雙軸驅(qū)動(dòng)電路56、以及雙軸機(jī)構(gòu)構(gòu)成的跟蹤伺服/聚焦伺服系統(tǒng)中，伺服電路陽(yáng)基于跟蹤誤差信號(hào)TE和聚焦誤差信號(hào)FE執(zhí)行控制。因此，伺服電路55 控制照射到光盤(pán)D16上的激光的光束點(diǎn)，以跟蹤在光盤(pán)D16上形成的凹坑串(記錄軌道)， 并且控制要維持的適當(dāng)聚焦?fàn)顟B(tài)。此外，將矩陣電路M生成的再現(xiàn)信號(hào)RF提供到二進(jìn)制電路57，以在其中被轉(zhuǎn)換為“0”和“1”的二進(jìn)制數(shù)據(jù)。將二進(jìn)制數(shù)據(jù)提供到同步檢測(cè)電路58和PLL(鎖相環(huán))電路 59。PLL電路59生成與提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)同步的時(shí)鐘CLK，并將其提供為必需的各部分的操作時(shí)鐘。特別地，還將時(shí)鐘CLK提供為二進(jìn)制電路57、同步檢測(cè)電路58、地址檢測(cè)電路60和子數(shù)據(jù)生成電路61的操作時(shí)鐘。同步檢測(cè)電路58從提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)檢測(cè)插入到每個(gè)幀中的同步(sync)圖案。 具體地，檢測(cè)在該情況下作為同步圖案的9T區(qū)段，從而檢測(cè)幀同步。將幀同步信號(hào)提供到諸如地址檢測(cè)電路60的必需部分。地址檢測(cè)電路60基于作為幀同步信號(hào)提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)，檢測(cè)地址信息。將檢測(cè)到的地址信息提供到控制器(未示出)，并且在查找操作等中使用，該控制器執(zhí)行子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50的總體控制。而且，還將地址信息提供到子數(shù)據(jù)生成電路61中的記錄脈沖生成電路63。如圖所示，子數(shù)據(jù)生成電路61包括記錄脈沖生成電路63、以及RAM (隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)62?；谳斎氲淖訑?shù)據(jù)、從地址檢測(cè)電路60提供的地址信息、以及從PLL電路59提供的時(shí)鐘CLK，子數(shù)據(jù)生成電路61生成用于記錄要記錄的子數(shù)據(jù)的記錄脈沖信號(hào)Wrp。激光功率控制器64基于從子數(shù)據(jù)生成電路61輸出的記錄脈沖信號(hào)Wrp，來(lái)控制光學(xué)拾取器OP中激光二極管LD的激光功率。具體地，激光功率控制器64執(zhí)行控制，使得當(dāng)記錄脈沖信號(hào)Wrp處于L (低)電平時(shí)，可以獲得再現(xiàn)功率的激光輸出，并且執(zhí)行控制，使得當(dāng)記錄脈沖信號(hào)Wrp處于H(高)電平時(shí)，可以獲得記錄功率。通過(guò)在激光功率控制器64的控制下照射記錄功率的激光，在激光照射部分的金屬反射膜102上形成標(biāo)記。通過(guò)如上所述在金屬反射膜102上形成的標(biāo)記，將子數(shù)據(jù)記錄到光盤(pán)D16上。圖5是用于由圖4所示的子數(shù)據(jù)生成電路61的操作進(jìn)行的子數(shù)據(jù)記錄的說(shuō)明圖。圖5示出了其中將“0”和“1”記錄為構(gòu)成子數(shù)據(jù)的1位代碼的情況的示例。首先，作為表達(dá)代碼的方法，對(duì)于存在于主數(shù)據(jù)中的預(yù)定長(zhǎng)度的岸面，將彼此相鄰的奇數(shù)岸面和偶數(shù)岸面認(rèn)為是一組。然后，對(duì)于具有預(yù)定長(zhǎng)度的相鄰奇數(shù)和偶數(shù)岸面的每個(gè)組，當(dāng)標(biāo)記記錄到奇數(shù)岸面上時(shí)，記錄“0”，而當(dāng)標(biāo)記記錄到偶數(shù)岸面上時(shí)，記錄“ 1 ”。圖5示出其中標(biāo)記記錄到作為具有預(yù)定長(zhǎng)度的岸面的5T岸面上的示例。應(yīng)該注意，盡管說(shuō)明了在具有預(yù)定長(zhǎng)度的岸面上形成標(biāo)記的示例，但是也可以在具有預(yù)定長(zhǎng)度的凹坑上形成標(biāo)記。在該情況下，作為與一個(gè)地址對(duì)應(yīng)的單元的1地址單元分配為區(qū)段，該區(qū)段分配給構(gòu)成子數(shù)據(jù)的1位代碼的記錄。換言之，如圖5所示，對(duì)于在1地址單元內(nèi)彼此相鄰的、具有預(yù)定長(zhǎng)度的奇數(shù)和偶數(shù)岸面的每個(gè)組，按照表達(dá)相同代碼的形式記錄標(biāo)記。具體地，當(dāng)記錄代碼“0”時(shí)，在1地址單元內(nèi)僅在具有預(yù)定長(zhǎng)度的奇數(shù)岸面上記錄標(biāo)記。而且，當(dāng)記錄代碼“1”時(shí)，在1地址單元內(nèi)僅在具有預(yù)定長(zhǎng)度的偶數(shù)岸面上記錄標(biāo)記。在再現(xiàn)期間，對(duì)于在1地址單元內(nèi)具有預(yù)定長(zhǎng)度的奇數(shù)和偶數(shù)岸面的每個(gè)組，對(duì)再現(xiàn)信號(hào)RF來(lái)執(zhí)行采樣，并且從在奇數(shù)處采樣的再現(xiàn)信號(hào)RF的值減去在偶數(shù)處采樣的再現(xiàn)信號(hào)RF的值。換言之，進(jìn)行“奇-偶”操作。這里，將討論一個(gè)示例，其中記錄的標(biāo)記的再現(xiàn)信號(hào)電平變得高于標(biāo)記未記錄部分的再現(xiàn)信號(hào)電平。在僅在奇數(shù)岸面上記錄標(biāo)記的代碼“0”的情況下，當(dāng)進(jìn)行這種“奇-偶”操作時(shí)， 對(duì)于具有預(yù)定長(zhǎng)度的相鄰岸面的每個(gè)組理想地獲得正值。換言之，通過(guò)積分對(duì)如上所述具有預(yù)定長(zhǎng)度的相鄰岸面的每個(gè)組計(jì)算的“奇-偶”值，可以肯定地獲得和檢測(cè)到正值。相反地，在僅在偶數(shù)岸面上記錄標(biāo)記的代碼“1”的情況下，對(duì)于具有預(yù)定長(zhǎng)度的相鄰岸面的每個(gè)組計(jì)算的“奇-偶”值，理想地是負(fù)值。因此，通過(guò)對(duì)該值進(jìn)行積分，可以肯定地獲得和檢測(cè)到負(fù)值。應(yīng)該注意，可以將再現(xiàn)信號(hào)電平改變?yōu)榈汀Ｔ谠撉闆r下，僅僅需要改變記錄標(biāo)記的奇數(shù)/偶數(shù)的分配或操作順序，使得作為上述操作的結(jié)果獲得期望的代碼。如上所述，通過(guò)對(duì)于特定區(qū)段重復(fù)地記錄相同的記錄圖案，并且在再現(xiàn)期間基于多個(gè)相同的記錄圖案來(lái)判斷一個(gè)值，由于標(biāo)記的記錄而導(dǎo)致的反射率上的變化變得微小。通過(guò)如此地將伴隨標(biāo)記記錄的反射率的變化抑制為微小，變得可能防止用于主數(shù)據(jù)的二進(jìn)制處理受到記錄的標(biāo)記的影響。同樣，對(duì)于構(gòu)成子數(shù)據(jù)的其他代碼，通過(guò)與上述方法相同的方法來(lái)記錄標(biāo)記。具體地，在該情況下，橫跨與構(gòu)成子數(shù)據(jù)的代碼相同數(shù)目的地址單元記錄子數(shù)據(jù)。預(yù)先在子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50與再現(xiàn)設(shè)備之間，確定如上所述的用于記錄子數(shù)據(jù)的區(qū)段(在下文中，也稱(chēng)作子數(shù)據(jù)記錄目標(biāo)區(qū)段)。因此，子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50構(gòu)造為橫跨作為子數(shù)據(jù)記錄目標(biāo)區(qū)段的多個(gè)地址單元，執(zhí)行上述的標(biāo)記記錄，子數(shù)據(jù)記錄目標(biāo)區(qū)段如上所述已經(jīng)預(yù)先確定。應(yīng)該注意，在上述記錄方法中，存在這樣的可能性當(dāng)要記錄到具有預(yù)定長(zhǎng)度的岸面上的標(biāo)記記錄在邊緣部分時(shí)，可能無(wú)法正確地執(zhí)行主數(shù)據(jù)的二進(jìn)制化。換言之，當(dāng)如上所述在具有預(yù)定長(zhǎng)度的岸面的邊緣部分記錄標(biāo)記時(shí)，標(biāo)記記錄部分的反射率趨向于增加很多，結(jié)果是可以在二進(jìn)制化處理中檢測(cè)到不正確的岸面長(zhǎng)度(或凹坑長(zhǎng)度)。在這點(diǎn)上，標(biāo)記記錄在作為記錄目標(biāo)的岸面的中心部分。因此，因?yàn)榭梢哉粘５孬@得邊緣部分，所以這點(diǎn)也可以防止二進(jìn)制化處理受到影響。對(duì)于如上所述的記錄操作，圖4所示的子數(shù)據(jù)生成電路61的記錄脈沖生成電路 63，在如圖5所示的定時(shí)處生成記錄脈沖信號(hào)Wrp。具體地，關(guān)于代碼“0”，生成僅在具有預(yù)定長(zhǎng)度的奇數(shù)岸面的中心部分獲得H電平的記錄脈沖信號(hào)Wrp。而且，關(guān)于代碼“1”，生成僅在具有預(yù)定長(zhǎng)度的偶數(shù)岸面的中心部分獲得H電平的記錄脈沖信號(hào)Wrp。接下來(lái)，將描述再現(xiàn)設(shè)備的實(shí)施例，該再現(xiàn)設(shè)備關(guān)于光盤(pán)100執(zhí)行再現(xiàn)，在該光盤(pán) 100上通過(guò)在金屬反射膜102上形成的標(biāo)記來(lái)記錄子數(shù)據(jù)。(再現(xiàn)設(shè)備)圖6是示出再現(xiàn)設(shè)備1的結(jié)構(gòu)的框圖。應(yīng)該注意，在圖6中，僅提取了主要與子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)相關(guān)的部分，并且省略了主數(shù)據(jù)再現(xiàn)系統(tǒng)(具體地，在二進(jìn)制化處理之后的解調(diào)系統(tǒng))的結(jié)構(gòu)的圖示。而且，還省略了關(guān)于反轉(zhuǎn)電路15和判斷電路16的描述。在再現(xiàn)設(shè)備1中，在將光盤(pán)100安裝在轉(zhuǎn)臺(tái)(未示出)上的同時(shí)，根據(jù)預(yù)定的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，通過(guò)主軸電機(jī)2旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)光盤(pán)100。該圖中的光學(xué)拾取器OP從也在該情況下被旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動(dòng)的光盤(pán)100中，讀出記錄信號(hào)(主數(shù)據(jù))。應(yīng)該注意，盡管省略了圖示，但是該情況下的光學(xué)拾取器OP也裝備有作為激光源的激光二極管LD，以及在光盤(pán)100的記錄表面上收集激光、和將激光照射到光盤(pán)100的記錄表面上的物鏡。另外，還提供了保持物鏡使得其可以在跟蹤和聚焦方向移動(dòng)的雙軸機(jī)構(gòu)、基于來(lái)自光盤(pán)100的激光照射檢測(cè)反射光的光電檢測(cè)器等。此外，在再現(xiàn)設(shè)備1中，照射到光盤(pán)100上的激光是基于再現(xiàn)功率。由光學(xué)拾取器OP中的光電檢測(cè)器檢測(cè)到的反射光信息，通過(guò)I-V轉(zhuǎn)換電路3轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，并且在此之后提供到矩陣電路4。矩陣電路4基于來(lái)自I-V轉(zhuǎn)換電路3的反射光信息生成再現(xiàn)信號(hào)RF。此外，盡管未示出，作為矩陣電路4生成的信號(hào)，還存在跟蹤誤差信號(hào)TE和聚焦誤差信號(hào)FE。將那些信號(hào)提供到伺服電路(未示出)，以在跟蹤伺服控制操作和聚焦伺服控制操作中使用。將矩陣電路4生成的再現(xiàn)信號(hào)RF提供到稍后要描述的A/D轉(zhuǎn)換器11、以及二進(jìn)制電路5。二進(jìn)制電路5將提供的再現(xiàn)信號(hào)RF轉(zhuǎn)換為“0”和“1”的二進(jìn)制數(shù)據(jù)。
然后，將二進(jìn)制數(shù)據(jù)提供到PLL電路8、同步檢測(cè)電路9和地址檢測(cè)電路10。而且，還將二進(jìn)制數(shù)據(jù)提供到稍后要描述的、檢測(cè)脈沖生成部分12的檢測(cè)脈沖生成電路Ua。PLL電路8生成與提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)同步的時(shí)鐘CLK，并將其提供為必需的各部分的操作時(shí)鐘。特別地，盡管未示出，但是還將該情況下的時(shí)鐘CLK提供到檢測(cè)脈沖生成電路 12a。同步檢測(cè)電路9從提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)中檢測(cè)插入每個(gè)幀中的同步部分。具體地， 檢測(cè)在該情況下作為同步圖案的9T區(qū)段，以由此檢測(cè)幀同步。將幀同步信號(hào)提供到諸如地址檢測(cè)電路10的必需部分。地址檢測(cè)電路10基于幀同步信號(hào)，從提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)中檢測(cè)地址信息。將檢測(cè)到的地址信息提供到執(zhí)行再現(xiàn)設(shè)備1的總體控制的控制器(未示出)，并且使用在查找操作等中。而且，還將地址信息提供到檢測(cè)脈沖生成部分12的檢測(cè)脈沖生成電路12a。應(yīng)該注意，到目前為止描述的光學(xué)拾取器OP、I-V轉(zhuǎn)換電路3、矩陣電路4、二進(jìn)制電路5、PLL電路8、同步檢測(cè)電路9、和地址檢測(cè)電路10是在記錄到光盤(pán)100上的主數(shù)據(jù)的再現(xiàn)期間也使用的部分。換言之，那些部分是在再現(xiàn)子數(shù)據(jù)中共享主數(shù)據(jù)再現(xiàn)系統(tǒng)的部分。在再現(xiàn)作為子數(shù)據(jù)的標(biāo)識(shí)信息中，檢測(cè)脈沖生成部分12生成檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp，該檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp指示對(duì)應(yīng)于與子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50共享的標(biāo)記記錄方法的檢測(cè)點(diǎn)。檢測(cè)脈沖生成部分12裝備有檢測(cè)脈沖生成電路1 和RAM 12b。檢測(cè)脈沖生成電路1 基于在RAM 12b中存儲(chǔ)的信息生成檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp。然后，將生成的檢測(cè)脈沖信號(hào) Dp提供到A/D轉(zhuǎn)換器11。將來(lái)自矩陣電路4的再現(xiàn)信號(hào)RF提供到A/D轉(zhuǎn)換器11。A/D轉(zhuǎn)換器11在由檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp指令的定時(shí)采樣提供的再現(xiàn)信號(hào)RF，并且將該信號(hào)的值提供到子數(shù)據(jù)檢測(cè)電路13。子數(shù)據(jù)檢測(cè)電路13對(duì)從A/D轉(zhuǎn)換器11提供的值執(zhí)行預(yù)定操作，并且檢測(cè)子數(shù)據(jù)的值。換言之，在該情況下，例如，檢測(cè)子數(shù)據(jù)的值，作為執(zhí)行與上述“奇-偶”操作對(duì)應(yīng)的操作的結(jié)果。將由子數(shù)據(jù)檢測(cè)電路13檢測(cè)的子數(shù)據(jù)的值提供到ECC(糾錯(cuò)碼)電路14。在該情況下的子數(shù)據(jù)包括標(biāo)識(shí)信息和糾錯(cuò)碼。在ECC電路14中，通過(guò)基于子數(shù)據(jù)中的糾錯(cuò)碼進(jìn)行糾錯(cuò)處理來(lái)再現(xiàn)標(biāo)識(shí)信息。將再現(xiàn)的標(biāo)識(shí)信息提供到圖中所示的主機(jī)計(jì)算機(jī)6。主機(jī)計(jì)算機(jī)6通過(guò)將命令傳送到執(zhí)行再現(xiàn)設(shè)備1的總體控制的控制器(未示出)， 來(lái)指令各種操作。例如，傳送指令對(duì)記錄到光盤(pán)100上的主數(shù)據(jù)進(jìn)行再現(xiàn)的命令。響應(yīng)于該命令，從光盤(pán)100再現(xiàn)的主數(shù)據(jù)由二進(jìn)制電路5 二進(jìn)制化，并且經(jīng)歷解調(diào)系統(tǒng)(未示出) 中的解調(diào)(RLL1-7PP解調(diào))、糾錯(cuò)處理等，在此之后以由此地提供到主機(jī)計(jì)算機(jī)6。而且，主機(jī)計(jì)算機(jī)6裝備有網(wǎng)絡(luò)接口 7，用于經(jīng)由需要的網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行數(shù)據(jù)通信。因此， 主機(jī)計(jì)算機(jī)6能夠經(jīng)由諸如因特網(wǎng)的預(yù)定網(wǎng)絡(luò)來(lái)與外部設(shè)備(特別地，圖中所示的管理服務(wù)器70)執(zhí)行數(shù)據(jù)通信。將參考圖7描述用于檢測(cè)(再現(xiàn))子數(shù)據(jù)的值的操作，該操作由具有上述結(jié)構(gòu)的再現(xiàn)設(shè)備1進(jìn)行。
圖7示出將“0”和“1”分配到光盤(pán)100上的1地址單元作為子數(shù)據(jù)的1位值的情況的標(biāo)記記錄狀態(tài)。應(yīng)該注意，圖7示出了在相同的圖案中形成作為主數(shù)據(jù)的凹坑和岸面的情況。首先，如上所述，作為子數(shù)據(jù)，將1位信息分配到、并且記錄在光盤(pán)100上的預(yù)定子數(shù)據(jù)記錄目標(biāo)區(qū)段中每個(gè)地址單元上。此外，在該情況下作為表達(dá)代碼的方法，當(dāng)將標(biāo)記記錄到具有預(yù)定長(zhǎng)度的奇數(shù)岸面上時(shí)，定義“0”，而當(dāng)將標(biāo)記記錄到偶數(shù)岸面上時(shí)，定義“1”。換言之，如圖7所示，在代碼 “0”的情況下，僅在地址單元中具有預(yù)定長(zhǎng)度的岸面之中的奇數(shù)岸面上記錄標(biāo)記。而且，在代碼“ 1”的情況下，僅在地址單元中具有預(yù)定長(zhǎng)度的岸面之中的偶數(shù)岸面上記錄標(biāo)記。這里，例如，記錄標(biāo)記的部分變?yōu)榉瓷渎饰⑿≡黾拥牟糠?。因此，作為再現(xiàn)信號(hào)RF 的波形，信號(hào)的電平在記錄標(biāo)記的部分增大，如圖所示。在再現(xiàn)子數(shù)據(jù)中，基于在標(biāo)記記錄部分反射率的這種微小增加來(lái)進(jìn)行判斷值的操作。應(yīng)該注意，通過(guò)如上所述在岸面的中心部分處記錄標(biāo)記，如可以從圖7所示的再現(xiàn)信號(hào)RF的波形可以看出，電平僅在其上記錄標(biāo)記的岸面的中心部分增加，因而邊緣部分的波形照常。作為結(jié)果，如上所述可能防止主數(shù)據(jù)的二進(jìn)制化受到影響。這里，根據(jù)以上的描述，在代碼“0”的情況下，再現(xiàn)信號(hào)RF的值僅在具有預(yù)定長(zhǎng)度的奇數(shù)岸面微小地增加。而且，在代碼“1”的情況下，再現(xiàn)信號(hào)RF的值僅在具有預(yù)定長(zhǎng)度的偶數(shù)岸面微小地增加。因此，在該情況下，在判斷向每個(gè)地址單元分配的子數(shù)據(jù)的值中，僅必須檢測(cè)在地址單元中具有預(yù)定長(zhǎng)度的奇數(shù)和偶數(shù)岸面中，哪些具有再現(xiàn)信號(hào)RF的增加值。例如，可以通過(guò)計(jì)算與在標(biāo)記未記錄部分的再現(xiàn)信號(hào)RF的值之差，來(lái)在檢測(cè)標(biāo)記記錄部分再現(xiàn)信號(hào)RF的值的增加。此時(shí)，如上所述當(dāng)代碼是“0”時(shí)，僅在奇數(shù)岸面上記錄標(biāo)記，而當(dāng)代碼是“1”時(shí)，僅在偶數(shù)岸面上記錄標(biāo)記，該事實(shí)意味著當(dāng)代碼是“0”時(shí)，偶數(shù)岸面總是變?yōu)槲从涗洸糠?，而?dāng)代碼是“ 1”時(shí)，奇數(shù)岸面總是變?yōu)槲从涗洸糠?。因而，通過(guò)對(duì)于相鄰的奇數(shù)和偶數(shù)岸面進(jìn)行“奇-偶”操作，可能檢查出奇數(shù)和偶數(shù)中的哪一個(gè)具有再現(xiàn)信號(hào)RF的增加值(記錄了標(biāo)記)。具體地，當(dāng)“奇-偶”取正值時(shí)，可以看出在奇數(shù)岸面增大了再現(xiàn)信號(hào)RF的值，并且將標(biāo)記記錄到奇數(shù)岸面上。相反地，當(dāng)“奇-偶”取負(fù)值時(shí)，可以看出在偶數(shù)岸面增大了再現(xiàn)信號(hào)的值，并且將標(biāo)記記錄到偶數(shù)岸面上。應(yīng)該注意，實(shí)際上噪聲分量疊加在再現(xiàn)信號(hào)RF上。在標(biāo)記記錄部分再現(xiàn)信號(hào)RF 的值的降低是微小的，因而它可能埋沒(méi)在這種噪聲分量中。因此，僅通過(guò)對(duì)于一組具有預(yù)定長(zhǎng)度的相鄰偶數(shù)岸面使用“奇-偶”來(lái)執(zhí)行檢測(cè)，變得難以肯定地判定該值。因此，作為用于子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)操作，對(duì)如上所述對(duì)于相鄰奇數(shù)和偶數(shù)岸面的每個(gè)組計(jì)算的“奇-偶”值進(jìn)行積分，并且基于積分值判斷向地址單元分配的1位值。可以將該積分值處理為與子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)輸出成比例的值，并且有時(shí)將其表達(dá)為“Amp值”。因而， 可以更肯定地檢測(cè)子數(shù)據(jù)的值。附帶地，對(duì)于“奇-偶”計(jì)算，必須對(duì)在奇和偶岸面(即，具有預(yù)定長(zhǎng)度的奇數(shù)和偶數(shù)岸面)的中心部分獲得的再現(xiàn)信號(hào)RF的值進(jìn)行采樣。作為用于對(duì)“奇-偶”計(jì)算指令采樣定時(shí)的信號(hào)，圖6所示檢測(cè)脈沖生成部分12生成圖中所示的檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp。這里，作為用于如上所述“奇-偶”計(jì)算的檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp，如從圖6可以看出，只需要生成僅在岸面的中心部分獲得H電平的信號(hào)，所述岸面在主數(shù)據(jù)中獲得并且具有預(yù)定長(zhǎng)度。此外，在生成檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp中，如在子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50中生成記錄脈沖信號(hào) Wrp 一樣，只需要基于在光盤(pán)100上的子數(shù)據(jù)記錄目標(biāo)區(qū)段中記錄的主數(shù)據(jù)的內(nèi)容，來(lái)生成相關(guān)的定時(shí)。應(yīng)該注意，由于與子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50不同，在光盤(pán)生產(chǎn)側(cè)不使用再現(xiàn)設(shè)備1，所以不能在該設(shè)備內(nèi)部預(yù)先存儲(chǔ)記錄到光盤(pán)100上的內(nèi)容。在這點(diǎn)上，再現(xiàn)設(shè)備1從所安裝的光盤(pán)100中讀出子數(shù)據(jù)記錄目標(biāo)區(qū)段的主數(shù)據(jù)， 并且將該主數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在該設(shè)備內(nèi)部，以將其用于生成檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp。作為用于存儲(chǔ)由此讀出的子數(shù)據(jù)記錄目標(biāo)區(qū)段的主數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，在再現(xiàn)設(shè)備1 中提供了圖6所示的檢測(cè)脈沖生成部分12的RAM 12b。作為數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)了根據(jù)每個(gè)地址讀出的主數(shù)據(jù)。在檢測(cè)脈沖生成電路12a中，基于在RAM 12b中存儲(chǔ)的記錄目標(biāo)區(qū)段中的主數(shù)據(jù)的內(nèi)容，如在生成記錄脈沖信號(hào)Wrp的情況下，生成其中代碼在相關(guān)定時(shí)變?yōu)椤?”，而代碼在所有其他定時(shí)變?yōu)椤?”的數(shù)據(jù)串。然后，生成基于由此生成的數(shù)據(jù)串的檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp， 并且將其提供到A/D轉(zhuǎn)換器11。通過(guò)A/D轉(zhuǎn)換器11在由檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp指令的定時(shí)采樣再現(xiàn)信號(hào)RF的值，可以在適當(dāng)?shù)亩〞r(shí)對(duì)再現(xiàn)信號(hào)RF的值進(jìn)行采樣，如圖7所示。特別地，可以有利地將該實(shí)施例的光盤(pán)100應(yīng)用于使用具有405nm波長(zhǎng)的光(例如，藍(lán)色激光)的光盤(pán)，用于將子數(shù)據(jù)記錄到金屬反射膜102上，并且讀出記錄的主數(shù)據(jù)和子數(shù)據(jù)。根據(jù)該實(shí)施例，由于將金屬反射膜102的組成指定為處于與第一實(shí)施例中的范圍相同的范圍內(nèi)，所以可以抑制由于時(shí)間改變而導(dǎo)致的金屬反射膜102的特性(例如，關(guān)于具有相對(duì)短波長(zhǎng)的光(諸如，具有405nm波長(zhǎng)的光)的反射率)的變化。而且，金屬反射膜102可以由諸如Al合金的便宜材料形成。因此，根據(jù)該實(shí)施例，可以以低成本來(lái)實(shí)現(xiàn)耐久的光盤(pán)100，該光盤(pán)100具有由于時(shí)間改變而導(dǎo)致的金屬反射膜102的特性上的較少變化。此外，盡管在該實(shí)施例中將子數(shù)據(jù)記錄到金屬反射膜102上，但是由于將金屬反射膜102的組成指定為處于與第一實(shí)施例中的范圍相同的范圍內(nèi)，所以還可以抑制由于時(shí)間改變而導(dǎo)致的子數(shù)據(jù)的特性的下降。例如，可以抑制由于時(shí)間改變而導(dǎo)致的子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)輸出的下降。另外，與如上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1中將Ag合金用于金屬反射膜的情況相比，變得可能提高關(guān)于子數(shù)據(jù)的記錄的記錄敏感度。作為結(jié)果，可以利用相對(duì)小的功率記錄子數(shù)據(jù)。因此，例如可以預(yù)期以下操作效果縮短了記錄子數(shù)據(jù)所需的時(shí)間，通過(guò)抑制在記錄子數(shù)據(jù)時(shí)生成的熱來(lái)抑制基板101和覆蓋層103的變化，簡(jiǎn)化了子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備的結(jié)構(gòu)，并且減少了功耗。而且，如在第一實(shí)施例中，即使當(dāng)厚度小于Ag合金時(shí)，Al合金也具有關(guān)于具有相對(duì)短波長(zhǎng)的光(諸如，具有405nm波長(zhǎng)的光)的高反射率。作為結(jié)果，由于用于實(shí)現(xiàn)相同反射率的厚度變得小于Ag合金的厚度，所以變得可能縮短沉積時(shí)間并且減小材料成本。<3.修改示例〉以上實(shí)施例已經(jīng)描述了這樣的情況其中通過(guò)凹坑來(lái)將數(shù)據(jù)記錄到單個(gè)信息記錄表面上(第二實(shí)施例中的主數(shù)據(jù))，并且關(guān)于該信息記錄表面形成單個(gè)金屬反射膜102。本發(fā)明還可應(yīng)用于這樣的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)其中提供了兩個(gè)或多個(gè)信息記錄表面，并且關(guān)于所述信息記錄表面中的每個(gè)提供金屬反射膜。在生產(chǎn)包括兩個(gè)或多個(gè)信息記錄表面的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的方法中，存在一種使用紫外線(xiàn)硬化樹(shù)脂在信息記錄表面之間形成間隔層的方法。在該情況下，照射紫外線(xiàn)的方向可以依據(jù)制造方法而變化。然而，由于當(dāng)從基板側(cè)照射紫外線(xiàn)時(shí)，使用通過(guò)在基板上形成的金屬反射膜傳送的紫外線(xiàn)，所以金屬反射膜的UV透射率需要為特定程度或更多。即使在根據(jù)本發(fā)明的金屬反射膜的組成范圍中，也可以利用其中要添加的元素 (Ti和狗)的添加量相對(duì)小的組成，來(lái)實(shí)現(xiàn)特定程度或更多的UV透射率。由于根據(jù)本發(fā)明在金屬反射膜中，可以利用高記錄敏感度和小功率來(lái)記錄子數(shù)據(jù)，所以本發(fā)明還可應(yīng)用于其中提供兩個(gè)或多個(gè)信息記錄表面的情況。而且，除了通常的盤(pán)狀只讀光學(xué)記錄介質(zhì)之外，本發(fā)明的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)還可以采取諸如卡形和棒形的其他形狀，只要其包括信息記錄表面和與信息記錄表面接觸的金屬反射膜。<4.示例〉實(shí)際上生產(chǎn)出根據(jù)本發(fā)明的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)，以檢查其特性。實(shí)驗(yàn)1·反射率的時(shí)間改變的比較為了估計(jì)只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的壽命，通過(guò)加速測(cè)試來(lái)比較金屬反射膜的反射率的時(shí)間改變。(示例 1)準(zhǔn)備盤(pán)狀基板101，該盤(pán)狀基板101由聚碳酸酯樹(shù)脂形成、具有構(gòu)成在其表面上形成的主數(shù)據(jù)的凹坑P和岸面L的凹凸圖案、并且具有120mm的直徑。在基板101上，通過(guò)濺射方法形成了其中Al包括2 %的Ti、和0. 5 %的!^e (每個(gè)數(shù)字都是原子％)的金屬反射膜102。用于濺射方法的條件是3. 5kW和1.2秒的沉積時(shí)間。接下來(lái)，在金屬反射膜102上，形成由紫外線(xiàn)硬化樹(shù)脂形成的覆蓋層103。如上所述生產(chǎn)光盤(pán)100，并且將其用作示例1的試樣。(示例 2)除了將用于形成金屬反射膜102的濺射方法的條件設(shè)置為5. OkWjn 1. 2秒的沉積時(shí)間以外，通過(guò)與示例1相同的方法生產(chǎn)光盤(pán)100，并由此將其用作示例2的試樣。通過(guò)將用于濺射方法的條件設(shè)置為5. OkW，金屬反射膜102比示例1的試樣稍厚。(比較示例1)除了將與可商業(yè)得到的數(shù)字多用盤(pán)(DVD)中使用的相同Al合金膜用作金屬反射膜102以外，通過(guò)與示例1相同的方法生產(chǎn)光盤(pán)100，并由此將其用作比較示例1的試樣。(比較示例2)除了將與可商業(yè)得到的數(shù)字多用盤(pán)(DVD)中使用的相同Al合金膜用作金屬反射膜102以外，通過(guò)與示例2相同的方法生產(chǎn)光盤(pán)100，并由此將其用作比較示例2的試樣。(反射率測(cè)量)對(duì)于作為示例1和2以及比較示例1和2的試樣的光盤(pán)100，測(cè)量金屬反射膜102
的反射率。使用信號(hào)評(píng)估設(shè)備，測(cè)量金屬反射膜102關(guān)于具有405nm波長(zhǎng)的光的反射率。對(duì)于與光盤(pán)100的中心的距離不同的5個(gè)區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域，在相同區(qū)域內(nèi)的幾個(gè)點(diǎn)測(cè)量反射率。(加速測(cè)試)隨后，在作為試樣的光盤(pán)100上進(jìn)行用于檢查時(shí)間改變的加速測(cè)試。在溫度80°C 和濕度85% RH的條件下，進(jìn)行了 240小時(shí)的加速測(cè)試。對(duì)于已經(jīng)經(jīng)歷加速測(cè)試的試樣，通過(guò)與在加速測(cè)試之前的方法相同的方法來(lái)測(cè)量金屬反射膜102的反射率。作為測(cè)量結(jié)果，在圖8和9中示出了加速測(cè)試之前和之后的試樣的反射率的改變。 圖8A示出了示例1的試樣的結(jié)果，圖8B示出了示例2的試樣的結(jié)果，圖9A示出了比較示例1的試樣的結(jié)果，而圖9B示出了比較示例2的試樣的結(jié)果。在圖8和9中，橫坐標(biāo)軸表示半徑，即距光盤(pán)100的中心的距離(mm)，而縱坐標(biāo)軸表示反射率。如從圖9A可以看出，在比較示例1的試樣中，從加速測(cè)試之前獲得的大約45%的反射率，加速測(cè)試之后獲得的反射率降低了大約10%。如從圖9B可以看出，在比較示例2的試樣中，從加速測(cè)試之前獲得的大約57%的反射率，加速測(cè)試之后獲得的反射率降低了大約10%。如從圖8A可以看出，在示例1的試樣中，從加速測(cè)試之前獲得的大約45%的反射率，將加速測(cè)試之后獲得的反射率的降低抑制在3%到5%以?xún)?nèi)。如從圖8B可以看出，在示例2的試樣中，從加速測(cè)試之前獲得的大約57%的反射率，將加速測(cè)試之后獲得的反射率的降低抑制在到2%以?xún)?nèi)。因此，可以看出，可以如示例1和2中利用根據(jù)本發(fā)明的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)，來(lái)抑制反射率的時(shí)間改變。實(shí)驗(yàn)2.在加速測(cè)試之后子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)輸出改變接下來(lái)，比較關(guān)于光的金屬反射膜的子數(shù)據(jù)記錄敏感度和子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)的時(shí)間改變。(示例 3)利用被設(shè)置為4. Okff的用于濺射方法的條件，除了形成了其中Al包括1. 5%的Ti 和0. 5%的!^e的金屬反射膜102以外，通過(guò)與示例1相同的方法來(lái)生產(chǎn)光盤(pán)100，并由此將其用作示例3的試樣。(示例 4)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為4. 5kff以外，利用與示例3相同的方法來(lái)生產(chǎn)光盤(pán)100，并由此將其用作示例4的試樣。(示例 5)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為5. Okff以外，利用與示例3相同的方法來(lái)生產(chǎn)光盤(pán)100，并由此將其用作示例5的試樣。
(示例 6)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為5. 5kff以外，利用與示例3相同的方法來(lái)生產(chǎn)光盤(pán)100，并由此將其用作示例6的試樣。(示例 7)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為6. Okff以外，利用與示例3相同的方法來(lái)生產(chǎn)光盤(pán)100，并由此將其用作示例7的試樣。(示例 8)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為4. Okff,并且形成了其中Al包括2. 0%的Ti和 0. 5%的狗的金屬反射膜102以外，通過(guò)與示例1相同的方法來(lái)生產(chǎn)光盤(pán)100，并由此將其用作示例8的試樣。(示例 9)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為4 光盤(pán)100，并由此將其用作示例9的試樣。(示例 10)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為5 光盤(pán)100，并由此將其用作示例10的試樣。(示例11)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為5 光盤(pán)100，并由此將其用作示例11的試樣。(示例 12)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為6 光盤(pán)100，并由此將其用作示例12的試樣。(示例 13)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為4. Okff,并且形成了其中Al包括3. 0%的Ti和 0. 5%的狗的金屬反射膜102以外，通過(guò)與示例1相同的方法來(lái)生產(chǎn)光盤(pán)100，并由此將其用作示例13的試樣。(示例 14)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為4 光盤(pán)100，并由此將其用作示例14的試樣。(示例 15)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為5 光盤(pán)100，并由此將其用作示例15的試樣。(示例16)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為5 光盤(pán)100，并由此將其用作示例16的試樣。(示例17)除了將用于濺射方法的條件設(shè)置為6 光盤(pán)100，并由此將其用作示例17的試樣。(在加速測(cè)試之前和之后記錄敏感度和子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)的測(cè)量)
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.5kff以外，利用與示例8相同的方法來(lái)生產(chǎn) .Okff以外，利用與示例8相同的方法來(lái)生產(chǎn) .5kff以外，利用與示例8相同的方法來(lái)生產(chǎn) .Okff以外，利用與示例8相同的方法來(lái)生產(chǎn)
.5kff以外，利用與示例13相同的方法來(lái)生產(chǎn) .Okff以外，利用與示例13相同的方法來(lái)生產(chǎn) .5kff以外，利用與示例13相同的方法來(lái)生產(chǎn) .Okff以外，利用與示例13相同的方法來(lái)生產(chǎn)
對(duì)于示例3到17中的每個(gè)試樣測(cè)量子數(shù)據(jù)信號(hào)的記錄敏感度。具體地，在子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50中，在數(shù)值孔徑N. A. = 0. 85、激光波長(zhǎng)λ = 405nm、 線(xiàn)性記錄速度=4. 9m/s、和標(biāo)記記錄脈沖=30ns的條件下，將子數(shù)據(jù)的標(biāo)記記錄到金屬反射膜102上。然后，將激光的功率(激光輸出)改變到20、22、對(duì)、26、觀、30、和32 (單位是 mff)，并且在與試樣相同的光盤(pán)100上的不同位置記錄子數(shù)據(jù)的標(biāo)記。通過(guò)對(duì)其上已經(jīng)記錄子數(shù)據(jù)的光盤(pán)100再現(xiàn)(讀出)子數(shù)據(jù)，來(lái)檢查再現(xiàn)信號(hào)輸出ο接下來(lái)，在與示例1相同的條件下，對(duì)作為試樣的每個(gè)只讀光學(xué)記錄介質(zhì)執(zhí)行加速測(cè)試。然后，對(duì)已經(jīng)經(jīng)歷加速測(cè)試的試樣，如在加速測(cè)試之前的測(cè)量中，再現(xiàn)(讀出)在加速測(cè)試之前記錄的子數(shù)據(jù)，并且測(cè)量再現(xiàn)信號(hào)輸出。在圖10到15中示出了測(cè)量結(jié)果。在圖10到15中，橫坐標(biāo)軸表示激光的功率(單位是mW)，而縱坐標(biāo)軸表示Amp值 (相對(duì)值)。作為如上所述再現(xiàn)信號(hào)RF的值，Amp (幅度)值指示出通過(guò)從標(biāo)記記錄部分減去標(biāo)記未記錄部分獲得的值的積分值。換言之，當(dāng)此值增加時(shí)，在標(biāo)記記錄部分的再現(xiàn)信號(hào)輸出的值增加。圖10到12是示出Amp值的圖，即關(guān)于示例3到17的試樣的子數(shù)據(jù)記錄功率的子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)輸出，該圖示出了在加速測(cè)試之前的記錄敏感度。另外，圖13到15是示出 Amp值的圖，即根據(jù)記錄到示例3到17中的每個(gè)試樣上的子數(shù)據(jù)，在加速測(cè)試之前和之后的子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)輸出。從圖10到15的結(jié)果可以看出，在所有示例中將在加速測(cè)試之前和之后，Amp值的變化抑制為2000到3000或者更少，并且提供關(guān)于子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)的時(shí)間改變的耐久性。因此，可以看出，通過(guò)如示例3到17中根據(jù)本發(fā)明的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)，可以抑制子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)的時(shí)間改變。而且，還可以看出，當(dāng)Ti的含量增加時(shí)，記錄子數(shù)據(jù)的記錄功率降低，結(jié)果是改善了記錄敏感度。應(yīng)該注意，當(dāng)對(duì)上述的比較示例1和2的試樣進(jìn)行相同的測(cè)量時(shí)，由于時(shí)間改變而導(dǎo)致Amp值的改變量超出過(guò)5000，并且子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)輸出的時(shí)間改變變大，即沒(méi)有提供關(guān)于子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)輸出的時(shí)間改變的耐久性。此外，當(dāng)在將Ag合金用于金屬反射膜時(shí)進(jìn)行相同的測(cè)量時(shí)，Amp值的改變小，并且子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)的時(shí)間改變小。然而，在Ag合金的情況下，與本發(fā)明的示例中的Al合金的情況下相比，記錄敏感度更小，并且需要更大的功率。本發(fā)明不限于以上實(shí)施例和示例，并且可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改，而不脫離本發(fā)明的要旨。參考標(biāo)記的描述1 再現(xiàn)設(shè)備2 主軸電機(jī)3 I-V轉(zhuǎn)換電路4 矩陣電路
5二進(jìn)制電路
6主機(jī)計(jì)算機(jī)
7網(wǎng)絡(luò)接口
8PLL電路
9同步檢測(cè)電路
10地址檢測(cè)電路
11A/D轉(zhuǎn)換器
12檢測(cè)脈沖生成部分
13子數(shù)據(jù)檢測(cè)電路
14ECC電路
15反轉(zhuǎn)電路
50子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備
61子數(shù)據(jù)生成電路
70管理服務(wù)器
100光盤(pán)
101基板
102金屬反射膜
103覆蓋層
104物鏡
105激光
權(quán)利要求
1.一種只讀光學(xué)記錄介質(zhì)，包括 基板；信息記錄表面，通過(guò)對(duì)在該基板上形成的凹坑和岸面進(jìn)行組合來(lái)構(gòu)造，并且在其上記錄信息；以及金屬反射膜，提供為與該信息記錄表面接觸，并且通過(guò)AIicic1tzXxZz表示，其中，X和Z每個(gè)表示原子％，X由至少包括Ti的元素構(gòu)成，Z由至少包括Fe的元素構(gòu)成，χ是1. 0到3. 0， 并且ζ是0. 05到1.0。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，通過(guò)凹坑和岸面的組合將主數(shù)據(jù)記錄到該信息記錄表面上，并且通過(guò)標(biāo)記將子數(shù)據(jù)記錄到該金屬反射膜上，通過(guò)將記錄激光照射到該金屬反射膜上形成該標(biāo)記。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，通過(guò)照射具有405nm波長(zhǎng)的光讀出記錄的信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的只讀光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，通過(guò)照射具有405nm波長(zhǎng)的光，執(zhí)行子數(shù)據(jù)的記錄和記錄的主數(shù)據(jù)和子數(shù)據(jù)的讀出。
全文摘要
公開(kāi)了一種耐久的預(yù)記錄光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，在由于時(shí)間的改變而導(dǎo)致的金屬反射膜的特性的改變低。該預(yù)記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)(100)包括基板(101)；信息記錄表面，通過(guò)岸面(L)和凹坑(P)的組合來(lái)在其上記錄信息；以及金屬反射膜(102)，提供為接觸該信息記錄表面。該金屬反射膜(102)表示為Al100-x-zXxZz(其中，x、z是At％)，其中，X包括至少包含Ti的元素，Z包括至少包含F(xiàn)e的元素，x＝1.0到3.0，并且z＝0.05到1.0。
文檔編號(hào)G11B7/24GK102439663SQ20108002229
公開(kāi)日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2010年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月29日
發(fā)明者中野淳, 坂本哲洋, 大川直樹(shù), 遠(yuǎn)藤武英 申請(qǐng)人:索尼信息技術(shù)股份有限公司, 索尼公司